JPH1123875A - 光集積化素子 - Google Patents
光集積化素子Info
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- JPH1123875A JPH1123875A JP17565297A JP17565297A JPH1123875A JP H1123875 A JPH1123875 A JP H1123875A JP 17565297 A JP17565297 A JP 17565297A JP 17565297 A JP17565297 A JP 17565297A JP H1123875 A JPH1123875 A JP H1123875A
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Landscapes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】透過する光のモードを選択できると共に、透過
する光の波長を選択できる光集積化素子を提供する。 【解決手段】光集積化素子は、屈折率異方性を発現する
材料または前記材料をマトリックスに分散させた材料で
形成された導波層24をもつ。導波層24の一部分は、
TEモード及びTMモードのいずれか一方の光を選択的
に透過させるモードフィルタAを構成する。導波層24
の他部分は、格子状の屈折率変調構造を備えたグレーテ
ィングBを構成する。
する光の波長を選択できる光集積化素子を提供する。 【解決手段】光集積化素子は、屈折率異方性を発現する
材料または前記材料をマトリックスに分散させた材料で
形成された導波層24をもつ。導波層24の一部分は、
TEモード及びTMモードのいずれか一方の光を選択的
に透過させるモードフィルタAを構成する。導波層24
の他部分は、格子状の屈折率変調構造を備えたグレーテ
ィングBを構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光集積化素子に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、チャンネル型導波路の作製技
術の一つとして、光照射を利用したフォトブリーチとい
われる技術が提案されている(Electronics
Lett.,26,1990,p379)。この技術
は、基板に積層された導波層を構成する部位に光照射
し、光照射した部分の屈折率を低下させ、これにより光
を閉じ込めて透過させるコアを備えた導波層を形成する
技術である。
術の一つとして、光照射を利用したフォトブリーチとい
われる技術が提案されている(Electronics
Lett.,26,1990,p379)。この技術
は、基板に積層された導波層を構成する部位に光照射
し、光照射した部分の屈折率を低下させ、これにより光
を閉じ込めて透過させるコアを備えた導波層を形成する
技術である。
【0003】この技術は、光学的等方性媒質で形成され
た導波層を対象としており、光学的異方性媒質への解析
は手つかずの状態である。特開昭62ー29913号公
報の第4図には、モ−ドフィルタとして機能する導波路
型素子として、ガラス導波層のうち光を透過させるコア
の上に金属を配置したり、コアに対して屈折率が異なる
光学的異方性結晶(方解石、Nb2 O5 膜など)をコア
の上に配置したりする技術が開示されている。
た導波層を対象としており、光学的異方性媒質への解析
は手つかずの状態である。特開昭62ー29913号公
報の第4図には、モ−ドフィルタとして機能する導波路
型素子として、ガラス導波層のうち光を透過させるコア
の上に金属を配置したり、コアに対して屈折率が異なる
光学的異方性結晶(方解石、Nb2 O5 膜など)をコア
の上に配置したりする技術が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した公報
技術よりも更に技術的に進歩したものであり、その課題
は、屈折率異方性を発現する材料を用いて形成した導波
層を利用することにより、透過する光のモードを選択で
きると共に、透過する光の波長を選択できる光集積化素
子を提供することにある。
技術よりも更に技術的に進歩したものであり、その課題
は、屈折率異方性を発現する材料を用いて形成した導波
層を利用することにより、透過する光のモードを選択で
きると共に、透過する光の波長を選択できる光集積化素
子を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光集積化素
子は、屈折率異方性を発現する材料または前記材料をマ
トリックスに分散させた材料で形成された導波層と、導
波層を保持する基体とを具備して構成され、導波層の一
部分は、TEモード及びTMモードのいずれか一方の光
を選択的に透過させるモードフィルタを構成し、導波層
の他部分は、屈折率変調構造を備えたグレーティングを
構成することを特徴とするものである。
子は、屈折率異方性を発現する材料または前記材料をマ
トリックスに分散させた材料で形成された導波層と、導
波層を保持する基体とを具備して構成され、導波層の一
部分は、TEモード及びTMモードのいずれか一方の光
を選択的に透過させるモードフィルタを構成し、導波層
の他部分は、屈折率変調構造を備えたグレーティングを
構成することを特徴とするものである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
を加える。 ・屈折率異方性を発現する材料 屈折率異方性を発現するものとしては、光異方性屈折率
可変材料を採用できる。光異方性屈折率可変材料として
は、光照射前に異方的な屈折率を示し、更に、光照射に
伴い屈折率が変化しかつ光照射に伴う屈折率変化が増加
と減少との両成分を有する材料をいう。このような材料
としては、光照射により分子構造変化を起こす様なもの
を採用できる。光照射に伴い分子構造変化を起こすもの
として、具体的には、トランスーシス光異性化可能な炭
素炭素二重結合ないしはアゾ基を有する化合物が挙げら
れる。
を加える。 ・屈折率異方性を発現する材料 屈折率異方性を発現するものとしては、光異方性屈折率
可変材料を採用できる。光異方性屈折率可変材料として
は、光照射前に異方的な屈折率を示し、更に、光照射に
伴い屈折率が変化しかつ光照射に伴う屈折率変化が増加
と減少との両成分を有する材料をいう。このような材料
としては、光照射により分子構造変化を起こす様なもの
を採用できる。光照射に伴い分子構造変化を起こすもの
として、具体的には、トランスーシス光異性化可能な炭
素炭素二重結合ないしはアゾ基を有する化合物が挙げら
れる。
【0007】所望の屈折率変化を引き起こすには、異方
性屈折率変化が大きな分子を用いることが重要であり、
アゾベンゼン誘導体、スチルベン誘導体が好ましい。こ
れら誘導体にアルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、
シアノ基、アミノ基、メトキシ基等の官能基を結合させ
ることにより、より異方性変化を大きくすることが可能
となる。さらにニトロ基、シアノ基等の電子吸引性基、
アミノ基、メトキシ基の様な電子供与性基をそれぞれ分
子の両端に導入することにより、さらに屈折率率異方性
変化を大きくすることが可能となる。
性屈折率変化が大きな分子を用いることが重要であり、
アゾベンゼン誘導体、スチルベン誘導体が好ましい。こ
れら誘導体にアルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、
シアノ基、アミノ基、メトキシ基等の官能基を結合させ
ることにより、より異方性変化を大きくすることが可能
となる。さらにニトロ基、シアノ基等の電子吸引性基、
アミノ基、メトキシ基の様な電子供与性基をそれぞれ分
子の両端に導入することにより、さらに屈折率率異方性
変化を大きくすることが可能となる。
【0008】なお上記した材料は、光照射を続けること
により、炭素炭素二重結合ないしはアゾ基の還元、酸
化、切断等が生じる事があるが、所望の異方性変化を引
き起こすものであれば一向にかまわない。むしろ熱的に
シス−トランス異性化が生じて屈折率が元に戻る場合よ
り、好ましいと言える。光照射は、光異性化を引き起こ
す波長で行われる。一般には、紫外域から可視域の波長
をもつ光が照射される。光照射の際の光源としては高圧
水銀灯が一般的であるが、エキシマーレーザ等の利用も
可能である。
により、炭素炭素二重結合ないしはアゾ基の還元、酸
化、切断等が生じる事があるが、所望の異方性変化を引
き起こすものであれば一向にかまわない。むしろ熱的に
シス−トランス異性化が生じて屈折率が元に戻る場合よ
り、好ましいと言える。光照射は、光異性化を引き起こ
す波長で行われる。一般には、紫外域から可視域の波長
をもつ光が照射される。光照射の際の光源としては高圧
水銀灯が一般的であるが、エキシマーレーザ等の利用も
可能である。
【0009】上記した屈折率異方化可能な化合物が高分
子内に分散ないしは結合する事によって、あるいは、適
当なマトリックス(例えば樹脂やガラス等)に分散ない
しは結合する事によって、所望の光異方性屈折率可変材
料を提供できる。マトリックスとなる樹脂としては、特
に限定されず、例えばウレタン樹脂、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂を採用できる。
子内に分散ないしは結合する事によって、あるいは、適
当なマトリックス(例えば樹脂やガラス等)に分散ない
しは結合する事によって、所望の光異方性屈折率可変材
料を提供できる。マトリックスとなる樹脂としては、特
に限定されず、例えばウレタン樹脂、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂を採用できる。
【0010】また、光照射前に異方的な屈折率を示すに
は、上記した材料を含む高分子材料をスピンコート法あ
るいは溶融押し出し成形等により、導波層の面内に分子
配向させることにより実現できる。異方性の程度は、粘
度、スピンコート法における回転数、成型時の延伸割合
等で制御できる。なお、上記した性質をもつ材料やマト
リックスは、導波損失性が低いことが好ましい。一般的
に光集積化素子において使用される光の波長域は、可視
から近赤外にわたる領域であり、従って光集積化素子が
使用される波長領域での損失性が低いことが好ましい。
即ち、可視域波長で光集積化素子が使用される場合はそ
の領域で、近赤外域波長で光集積化素子が使用される場
合はその領域で、損失性が低ければよい。所望の低導波
損失が得られる限り、上記した光異性化可能な化合物が
高分子内で分散ないしは結合することによって、或い
は、樹脂やガラス等の適当なマトリックスに分散ないし
は結合した光異方性屈折率可変材料をそのまま使用して
も良い。さらに別のマトリックスと混合して使用しても
良い。
は、上記した材料を含む高分子材料をスピンコート法あ
るいは溶融押し出し成形等により、導波層の面内に分子
配向させることにより実現できる。異方性の程度は、粘
度、スピンコート法における回転数、成型時の延伸割合
等で制御できる。なお、上記した性質をもつ材料やマト
リックスは、導波損失性が低いことが好ましい。一般的
に光集積化素子において使用される光の波長域は、可視
から近赤外にわたる領域であり、従って光集積化素子が
使用される波長領域での損失性が低いことが好ましい。
即ち、可視域波長で光集積化素子が使用される場合はそ
の領域で、近赤外域波長で光集積化素子が使用される場
合はその領域で、損失性が低ければよい。所望の低導波
損失が得られる限り、上記した光異性化可能な化合物が
高分子内で分散ないしは結合することによって、或い
は、樹脂やガラス等の適当なマトリックスに分散ないし
は結合した光異方性屈折率可変材料をそのまま使用して
も良い。さらに別のマトリックスと混合して使用しても
良い。
【0011】・モードフィルタ 本発明に係る光集積化素子において、導波層の一部分
は、TEモード及びTMモードのいずれか一方の光を選
択的に透過させるモードフィルタを構成する。モードフ
ィルタは、光を閉じ込めて透過させるコアと、コアに被
覆されたクラッドとで構成できる。ここで、常光屈折率
をnoとし、異常光屈折率をneとして定義したとき、
本発明に係るモードフィルタでは、下記ののうちの
いづれか一方の関係に設定されている。
は、TEモード及びTMモードのいずれか一方の光を選
択的に透過させるモードフィルタを構成する。モードフ
ィルタは、光を閉じ込めて透過させるコアと、コアに被
覆されたクラッドとで構成できる。ここで、常光屈折率
をnoとし、異常光屈折率をneとして定義したとき、
本発明に係るモードフィルタでは、下記ののうちの
いづれか一方の関係に設定されている。
【0012】コアのno>クラッドno、かつ、コア
のne≦クラッドのne コアのne>クラッドne、かつ、コアのno≦クラ
ッドのno 図1を参照して説明する。図1は、上記したの関係を
満たしたモ−ドフィルタである。例えば、コア2Aのn
o=1.706、クラッド3Aのno=1.702に設
定されていると共に、コア2Aのne=1.676、ク
ラッド3Aのne=1.680に設定されている。
のne≦クラッドのne コアのne>クラッドne、かつ、コアのno≦クラ
ッドのno 図1を参照して説明する。図1は、上記したの関係を
満たしたモ−ドフィルタである。例えば、コア2Aのn
o=1.706、クラッド3Aのno=1.702に設
定されていると共に、コア2Aのne=1.676、ク
ラッド3Aのne=1.680に設定されている。
【0013】上記したの関係により、コア2Aのno
>クラッドnoの関係からTEモ−ドの光をコア2Aに
閉じこめて透過でき、コア2Aのne≦クラッドのne
の関係からTMモ−ドの光を閉じこめることができず、
放射させてしまう。結果として図1に示すモードフィル
タは、TEモ−ドの光のみを選択的に取り出す事ができ
るTEモ−ドフィルタとして機能できる。
>クラッドnoの関係からTEモ−ドの光をコア2Aに
閉じこめて透過でき、コア2Aのne≦クラッドのne
の関係からTMモ−ドの光を閉じこめることができず、
放射させてしまう。結果として図1に示すモードフィル
タは、TEモ−ドの光のみを選択的に取り出す事ができ
るTEモ−ドフィルタとして機能できる。
【0014】図1に示すモードフィルタの製造にあたっ
ては、次のようにできる。即ち、図2に示すように、基
板20にアンダークラッド22を介して導波層24を積
層し、コア2Aに相当する部位にマスク40を覆い、か
つ、クラッド3Aに相当する部位を露出させる。その状
態で紫外線をマスク40越しに照射する。これにより照
射を受けたクラッド3Aに相当する部位においては、n
oが低下すると共にneが増加する。これにより上記し
たの関係をもつTEモードフィルタが形成される。
ては、次のようにできる。即ち、図2に示すように、基
板20にアンダークラッド22を介して導波層24を積
層し、コア2Aに相当する部位にマスク40を覆い、か
つ、クラッド3Aに相当する部位を露出させる。その状
態で紫外線をマスク40越しに照射する。これにより照
射を受けたクラッド3Aに相当する部位においては、n
oが低下すると共にneが増加する。これにより上記し
たの関係をもつTEモードフィルタが形成される。
【0015】逆に、図3に示すモードフィルタでは、上
記したの関係が満たされている。例えば、コア2Aの
no=1.702、クラッド3Aのno=1.706に
設定されていると共に、コア2Aのne=1.680、
クラッド3Aのne=1.676に設定されている。上
記したの関係により、TEモ−ドの光を放射し、TM
モ−ドの光をコア2Aに閉じ込めて透過できる。従って
図3に示すモードフィルタは、TMモ−ドの光のみを選
択的に取り出す事ができるTMモ−ドフィルタとして機
能できる。
記したの関係が満たされている。例えば、コア2Aの
no=1.702、クラッド3Aのno=1.706に
設定されていると共に、コア2Aのne=1.680、
クラッド3Aのne=1.676に設定されている。上
記したの関係により、TEモ−ドの光を放射し、TM
モ−ドの光をコア2Aに閉じ込めて透過できる。従って
図3に示すモードフィルタは、TMモ−ドの光のみを選
択的に取り出す事ができるTMモ−ドフィルタとして機
能できる。
【0016】図3に示すモードフィルタの製造にあたっ
ては次のようにできる。即ち、図4に示すように、基板
20にアンダークラッド22を介して導波層24を積層
し、クラッド3Aに相当する部位にマスク40を覆い、
かつ、コア2Aに相当する部位を露出させる。その状態
で紫外線をマスク40越しに照射する。これにより照射
を受けたコア2Aに相当する部位においては、noが低
下すると共にneが増加する。これにより上記したの
関係をもつTMモードフィルタが形成される。
ては次のようにできる。即ち、図4に示すように、基板
20にアンダークラッド22を介して導波層24を積層
し、クラッド3Aに相当する部位にマスク40を覆い、
かつ、コア2Aに相当する部位を露出させる。その状態
で紫外線をマスク40越しに照射する。これにより照射
を受けたコア2Aに相当する部位においては、noが低
下すると共にneが増加する。これにより上記したの
関係をもつTMモードフィルタが形成される。
【0017】・グレーティング 本発明の光集積化素子では前記したように、導波層の他
部分は、グレーティングを構成する。一般的には、グレ
ーティングは、モードフィルタと直列的な導波構造で形
成されている。グレーティングは、コアにおいて屈折率
が周期的に変化する屈折率変調構造により構成できる。
屈折率が周期的に変化する部位は、照射する光のビーム
を干渉させ、干渉縞を発生させることにより形成でき
る。場合によっては、導波層のうち光が透過するコアの
表面に、周期的な凹凸を配置する所謂レリーフ型で形成
しても良い。
部分は、グレーティングを構成する。一般的には、グレ
ーティングは、モードフィルタと直列的な導波構造で形
成されている。グレーティングは、コアにおいて屈折率
が周期的に変化する屈折率変調構造により構成できる。
屈折率が周期的に変化する部位は、照射する光のビーム
を干渉させ、干渉縞を発生させることにより形成でき
る。場合によっては、導波層のうち光が透過するコアの
表面に、周期的な凹凸を配置する所謂レリーフ型で形成
しても良い。
【0018】・実施形態の一例 実施形態の一例の要部を図5に示す。この例では、基体
としての基板20にアンダークラッド22が積層され、
その上に導波層24が積層されている。導波層24の片
側はモードフィルタAを構成し、導波層24の他の片側
はグレーティングBを構成する。モードフィルタAとグ
レーティングBとは直列的導波構造とされている。モー
ドフィルタAにおいて、導波層24は、TEモードまた
はTMモードの光のいずれか一方を閉じ込めて透過させ
るコア2Aと、コア2Aの両側に配置されたクラッド3
Aとを備えている。コア2Aとクラッド3Aとの屈折率
の関係は上記したまたはのいずれか一方に設定され
ている。
としての基板20にアンダークラッド22が積層され、
その上に導波層24が積層されている。導波層24の片
側はモードフィルタAを構成し、導波層24の他の片側
はグレーティングBを構成する。モードフィルタAとグ
レーティングBとは直列的導波構造とされている。モー
ドフィルタAにおいて、導波層24は、TEモードまた
はTMモードの光のいずれか一方を閉じ込めて透過させ
るコア2Aと、コア2Aの両側に配置されたクラッド3
Aとを備えている。コア2Aとクラッド3Aとの屈折率
の関係は上記したまたはのいずれか一方に設定され
ている。
【0019】グレーティングBにおいて、導波層24
は、モードフィルタAのコア2Aと同様に、TEモード
またはTMモードの光のいずれか一方を閉じ込めて透過
させるコア2Bと、コア2Bの両側に配置されたクラッ
ド3Bとを備えている。グレーティングBのコア2Bに
おいては、その長さ方向に沿って格子状の屈折率変調構
造が形成されている。図5(B)において、屈折率変調
構造の周期はΛで示されている。
は、モードフィルタAのコア2Aと同様に、TEモード
またはTMモードの光のいずれか一方を閉じ込めて透過
させるコア2Bと、コア2Bの両側に配置されたクラッ
ド3Bとを備えている。グレーティングBのコア2Bに
おいては、その長さ方向に沿って格子状の屈折率変調構
造が形成されている。図5(B)において、屈折率変調
構造の周期はΛで示されている。
【0020】なお、図5に示す実施形態の光集積化素子
においては、モ−ドフィルタAを入射側とし、グレーテ
ィングBを出射側としても良い。逆に、グレーティング
Bを入射側とし、モ−ドフィルタAを出射側としても良
い。図5に示す実施形態では、モ−ドフィルタAとグレ
ーティングBとがそれぞれ1カ所づつ直列的導波構造で
設けられているが、必要に応じて、モ−ドフィルタAの
数、グレーティングBの数を増やすことも可能である。
においては、モ−ドフィルタAを入射側とし、グレーテ
ィングBを出射側としても良い。逆に、グレーティング
Bを入射側とし、モ−ドフィルタAを出射側としても良
い。図5に示す実施形態では、モ−ドフィルタAとグレ
ーティングBとがそれぞれ1カ所づつ直列的導波構造で
設けられているが、必要に応じて、モ−ドフィルタAの
数、グレーティングBの数を増やすことも可能である。
【0021】・光集積化素子においてモードフィルタA
のコア2A、グレーティングBのコア2Bは、図1〜図
5に示すように、これらが埋設されたチャンネル型であ
ってもよい。或いは、コア2A、2Bが外方に突出した
リッジ型であってもよい。場合によっては、ファイバー
の様に、円筒型のコア及びクラッドの構成でもかまわな
い。
のコア2A、グレーティングBのコア2Bは、図1〜図
5に示すように、これらが埋設されたチャンネル型であ
ってもよい。或いは、コア2A、2Bが外方に突出した
リッジ型であってもよい。場合によっては、ファイバー
の様に、円筒型のコア及びクラッドの構成でもかまわな
い。
【0022】導波層24の上方には、オーバ−クラッド
が存在してもよい。この場合、オーバ−クラッドの材料
は横方向のクラッド3A、3Bの屈折率と同じであって
もよいし、モ−ドフィルタの性能を損なわない限り、他
の屈折率の材料でもかまわない。 ・製造方法 上記した光集積化素子を製造するにあたっては、モード
フィルタAを形成するための光照射処理と、グレーティ
ングBを形成するための光照射処理とを採用できる。
が存在してもよい。この場合、オーバ−クラッドの材料
は横方向のクラッド3A、3Bの屈折率と同じであって
もよいし、モ−ドフィルタの性能を損なわない限り、他
の屈折率の材料でもかまわない。 ・製造方法 上記した光集積化素子を製造するにあたっては、モード
フィルタAを形成するための光照射処理と、グレーティ
ングBを形成するための光照射処理とを採用できる。
【0023】(1)光照射処理 導波層において屈折率変化を起こさせモードフィルタA
を形成するための光照射は、光異性化を引き起こす波長
で行われる。一般には、紫外域から可視域の波長をもつ
光が照射され、レーザ光、非レーザ光を問わない。モー
ドフィルタAを形成する際の光照射の光源としては、高
圧水銀灯が一般的であるが、エキシマーレーザ等の利用
も可能である。
を形成するための光照射は、光異性化を引き起こす波長
で行われる。一般には、紫外域から可視域の波長をもつ
光が照射され、レーザ光、非レーザ光を問わない。モー
ドフィルタAを形成する際の光照射の光源としては、高
圧水銀灯が一般的であるが、エキシマーレーザ等の利用
も可能である。
【0024】光照射にあたっては、屈折率異方性可変材
料に所望の屈折率変化量を引き起こすのに必要な照射光
強度、照射時間が適宜選択される。また、照射時間の短
縮化の為に、屈折率異方性可変材料の温度を高めて照射
すると、一般的には、屈折率異方性可変材料の屈折率変
化の効率が高くなり易い。光照射時間と屈折率の可変と
の関係は、後述する図8に示されている。図8の試験結
果から理解できるように、上記した屈折率異方性可変材
料では、光照射により、■や▲で例示するように正常光
屈折率noが低下し、◆や●で例示するように異常光屈
折率neが増加する。
料に所望の屈折率変化量を引き起こすのに必要な照射光
強度、照射時間が適宜選択される。また、照射時間の短
縮化の為に、屈折率異方性可変材料の温度を高めて照射
すると、一般的には、屈折率異方性可変材料の屈折率変
化の効率が高くなり易い。光照射時間と屈折率の可変と
の関係は、後述する図8に示されている。図8の試験結
果から理解できるように、上記した屈折率異方性可変材
料では、光照射により、■や▲で例示するように正常光
屈折率noが低下し、◆や●で例示するように異常光屈
折率neが増加する。
【0025】グレーティングBの作製にあたっては、導
波層のうち光が透過するコアにおいて、二光束干渉法や
位相格子法等により、照射する光の干渉縞を生成し、干
渉縞により格子状の屈折率変調構造を形成する方法を採
用できる。グレーティングBを作製するための光として
は、上記同様に光異性化を引き起こす波長域で行われ、
一般には、紫外域から可視域の波長をもつ光を採用でき
る。特にコーヒレント性をもつレーザ光が好ましい。
波層のうち光が透過するコアにおいて、二光束干渉法や
位相格子法等により、照射する光の干渉縞を生成し、干
渉縞により格子状の屈折率変調構造を形成する方法を採
用できる。グレーティングBを作製するための光として
は、上記同様に光異性化を引き起こす波長域で行われ、
一般には、紫外域から可視域の波長をもつ光を採用でき
る。特にコーヒレント性をもつレーザ光が好ましい。
【0026】図6は二光束干渉法を用いてグレーティン
グBの格子状の屈折率変調構造を形成する形態を示す。
この場合には、紫外線域の波長をもつレーザ光をビーム
スプリッタ100で2つの光束に分割し、2つに分割し
た光束をミラー102で反射させ、グレーティングBの
コア2Bに対して入射角θ1、θ2を等しくしつつ、グ
レーティングBのコア2Bに干渉縞106を生成する。
これにより図5(A)(B)に示すように、グレーティ
ングBのコア2Bにおいて、格子状の屈折率変調部分が
所定の周期Λで形成される。二光束干渉法では、ミラー
102の位置を調整することにより、グレーティングB
の周期Λを制御できる。
グBの格子状の屈折率変調構造を形成する形態を示す。
この場合には、紫外線域の波長をもつレーザ光をビーム
スプリッタ100で2つの光束に分割し、2つに分割し
た光束をミラー102で反射させ、グレーティングBの
コア2Bに対して入射角θ1、θ2を等しくしつつ、グ
レーティングBのコア2Bに干渉縞106を生成する。
これにより図5(A)(B)に示すように、グレーティ
ングBのコア2Bにおいて、格子状の屈折率変調部分が
所定の周期Λで形成される。二光束干渉法では、ミラー
102の位置を調整することにより、グレーティングB
の周期Λを制御できる。
【0027】図7は、位相格子法を用いてグレーティン
グBの屈折率変調構造を形成する形態を示す。この場合
には、紫外線域の波長をもつレーザ光を用い、位相格子
200による回折光を利用してグレーティングBのコア
2Bに干渉縞206を生成する。これによりコア2Bに
おいて、格子状の屈折率変調部分が所定の周期で形成さ
れる。位相格子法では、位相格子200の格子のピッチ
によりグレーティングBの周期Λを制御できる。
グBの屈折率変調構造を形成する形態を示す。この場合
には、紫外線域の波長をもつレーザ光を用い、位相格子
200による回折光を利用してグレーティングBのコア
2Bに干渉縞206を生成する。これによりコア2Bに
おいて、格子状の屈折率変調部分が所定の周期で形成さ
れる。位相格子法では、位相格子200の格子のピッチ
によりグレーティングBの周期Λを制御できる。
【0028】グレーティングBにおける周期Λは一般的
には一定間隔とするが、場合によっては、連続的に変化
させる形態でも良い。この場合には、波長の分散補正等
の機能を実現するのに有利である。グレーティングBの
コア2Bにおける屈折率変調部分の周期Λを適宜選択す
れば、その周期Λに対応した波長をもつ光がコア2Bを
透過でき、他の波長の光は透過せず、反射される。即ち
図5において、波長λ1、λ2、λ3 の光をそれぞれ光集積
化素子に入射したとしても、周期Λに対応する波長の光
は反射されて透過せず、他の波長の光が透過する。従っ
てグレーティングBにおける周期Λは、グレーティング
Bのコア2Bを透過する光の波長、コア2Bで反射する
光の波長を規定する。よって反射型の波長選択機能を備
えた導波路構造が提供される。
には一定間隔とするが、場合によっては、連続的に変化
させる形態でも良い。この場合には、波長の分散補正等
の機能を実現するのに有利である。グレーティングBの
コア2Bにおける屈折率変調部分の周期Λを適宜選択す
れば、その周期Λに対応した波長をもつ光がコア2Bを
透過でき、他の波長の光は透過せず、反射される。即ち
図5において、波長λ1、λ2、λ3 の光をそれぞれ光集積
化素子に入射したとしても、周期Λに対応する波長の光
は反射されて透過せず、他の波長の光が透過する。従っ
てグレーティングBにおける周期Λは、グレーティング
Bのコア2Bを透過する光の波長、コア2Bで反射する
光の波長を規定する。よって反射型の波長選択機能を備
えた導波路構造が提供される。
【0029】ここで、グレーティングBの屈折率変調構
造の周期をΛとし、グレーティングBにより反射される
光の波長をλ0 とし、グレーティングBのコア2Bの透
過屈折率をncoreとしたとき、基本的には、次の式
(1)が成立すると考えられる。 λ0 =2・ncore・Λ……(1)
造の周期をΛとし、グレーティングBにより反射される
光の波長をλ0 とし、グレーティングBのコア2Bの透
過屈折率をncoreとしたとき、基本的には、次の式
(1)が成立すると考えられる。 λ0 =2・ncore・Λ……(1)
【0030】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。まず、実
施例で用いた導波層を構成する屈折率異方性可変材料の
合成方法を説明し、次に光集積化素子の製造方法を項目
別に説明する。本実施例において、分子構造の確認は赤
外線吸収スペクトルと、H核磁気共鳴スペクトルとによ
りおこなった。融点およびガラス転移温度の測定は示差
走査熱量計によりおこなった。屈折率は、導波層にカッ
プリングプリズムを用いて光を入射し、導波モードを励
起したときのモードアングルにより求めた。
施例で用いた導波層を構成する屈折率異方性可変材料の
合成方法を説明し、次に光集積化素子の製造方法を項目
別に説明する。本実施例において、分子構造の確認は赤
外線吸収スペクトルと、H核磁気共鳴スペクトルとによ
りおこなった。融点およびガラス転移温度の測定は示差
走査熱量計によりおこなった。屈折率は、導波層にカッ
プリングプリズムを用いて光を入射し、導波モードを励
起したときのモードアングルにより求めた。
【0031】(屈折率異方性可変材料の合成方法)2−
メチル−4−ニトロアニリン7.61gを水100ml
と36%塩酸水溶液45mlの混合液に溶解して3℃に
冷却した。その溶液に水18mlに溶かした亜硝酸ナト
リウム3.80gを加えた。この溶液を3℃に保って1
時間攪拌した。さらにこの溶液中にm−トリルジエタノ
ールアミン9.76gを水125mlと36%塩酸水溶
液7.5mlの混合液に溶解した溶液を30分間かけて
添加した後、3℃で20分間攪拌し、さらに20℃で6
0分間攪拌して反応させた。反応混合物に35.4gの
水酸化カリウムを水200mlに溶かした液を添加して
中和し、析出した粗生成物を濾別水洗して乾燥させた。
この生成物をエタノールから再結晶を2回繰り返して以
下の構造式(化1)で示される4−N,N−ビス(2−
ヒドロキシエチル)アミノ−2、2’−ジメチル−4’
−ニトロアゾベンゼンを得た(収率;80%,融点;1
69℃)。
メチル−4−ニトロアニリン7.61gを水100ml
と36%塩酸水溶液45mlの混合液に溶解して3℃に
冷却した。その溶液に水18mlに溶かした亜硝酸ナト
リウム3.80gを加えた。この溶液を3℃に保って1
時間攪拌した。さらにこの溶液中にm−トリルジエタノ
ールアミン9.76gを水125mlと36%塩酸水溶
液7.5mlの混合液に溶解した溶液を30分間かけて
添加した後、3℃で20分間攪拌し、さらに20℃で6
0分間攪拌して反応させた。反応混合物に35.4gの
水酸化カリウムを水200mlに溶かした液を添加して
中和し、析出した粗生成物を濾別水洗して乾燥させた。
この生成物をエタノールから再結晶を2回繰り返して以
下の構造式(化1)で示される4−N,N−ビス(2−
ヒドロキシエチル)アミノ−2、2’−ジメチル−4’
−ニトロアゾベンゼンを得た(収率;80%,融点;1
69℃)。
【0032】
【化1】
【0033】構造式(化1)の化合物0.686gとト
リレン−2,4−ジイソシアナート0.500gとをN
−メチル−2−ピロリドン10mlに溶解させて100
℃で1時間攪拌した。この溶液を20℃に冷却した後、
トランス−2,5−ジメチルピペラジン0.109gを
加え、20℃で7時間攪拌して反応させた。反応混合物
をエタノールとヘキサンとの1:1混合液400ml中
に投入して、析出した沈殿ポリマーを濾別し減圧乾燥し
た。
リレン−2,4−ジイソシアナート0.500gとをN
−メチル−2−ピロリドン10mlに溶解させて100
℃で1時間攪拌した。この溶液を20℃に冷却した後、
トランス−2,5−ジメチルピペラジン0.109gを
加え、20℃で7時間攪拌して反応させた。反応混合物
をエタノールとヘキサンとの1:1混合液400ml中
に投入して、析出した沈殿ポリマーを濾別し減圧乾燥し
た。
【0034】この生成ポリマーは、以下の構造式(化
2)であることを確認した(収率;89%、ガラス転移
温度;142℃、N−メチル−2−ピロリドン中での固
有粘度0.28dl/g、吸収極大波長;474n
m)。
2)であることを確認した(収率;89%、ガラス転移
温度;142℃、N−メチル−2−ピロリドン中での固
有粘度0.28dl/g、吸収極大波長;474n
m)。
【0035】
【化2】
【0036】次に、上記したように合成した構造式(化
1)の化合物1.50gと4,4’−ジフェニルメタン
ジイソシアナート1.571gとをN−メチル−2−ピ
ロリドン90mlに溶解して、100℃で90分間攪拌
した。この溶液を20℃に冷却した後、N−メチル−2
−ピロリドン10mlに溶解させたトランス−2,5−
ジメチルピペラジン0.239gを加え、20℃で5時
間攪拌して反応させた。反応混合物をエタノール300
0mlに投入して、析出した沈殿ポリマーを濾別し減圧
乾燥した。
1)の化合物1.50gと4,4’−ジフェニルメタン
ジイソシアナート1.571gとをN−メチル−2−ピ
ロリドン90mlに溶解して、100℃で90分間攪拌
した。この溶液を20℃に冷却した後、N−メチル−2
−ピロリドン10mlに溶解させたトランス−2,5−
ジメチルピペラジン0.239gを加え、20℃で5時
間攪拌して反応させた。反応混合物をエタノール300
0mlに投入して、析出した沈殿ポリマーを濾別し減圧
乾燥した。
【0037】この生成ポリマーは、以下の構造式(化
3)であることを確認した(収率;96%、ガラス転移
温度;114℃、N−メチル−2−ピロリドン中での固
有粘度0.80dl/g、吸収極大波長;475n
m)。
3)であることを確認した(収率;96%、ガラス転移
温度;114℃、N−メチル−2−ピロリドン中での固
有粘度0.80dl/g、吸収極大波長;475n
m)。
【0038】
【化3】
【0039】(光集積化素子の製造方法)本実施例の製
法は、図5に示すモードフィルタA及びグレーティング
Bを直列的導波構造で配置した光集積化素子を形成する
例である。基体として機能する基板として、結晶軸<1
00>で切り出した厚み約500μmの片面鏡面の4イ
ンチシリコンウエハー(三菱マテリアル製;n型)を4
分割したものを用いた。
法は、図5に示すモードフィルタA及びグレーティング
Bを直列的導波構造で配置した光集積化素子を形成する
例である。基体として機能する基板として、結晶軸<1
00>で切り出した厚み約500μmの片面鏡面の4イ
ンチシリコンウエハー(三菱マテリアル製;n型)を4
分割したものを用いた。
【0040】分割したウエハーをHF:純水=1:50
の溶液に約1分間浸し、表面を洗浄した。次に、純水で
5分程度流水洗浄後、スピンドライヤーにて乾燥した。
次に、アンダークラッド22を構成する材料として、ポ
リイミド(日立化成製;PlX2400)を使用し、基
板にポリイミドを塗布し、熱処理(150℃で1h,3
00℃で1.5h)を行い、アンダークラッド22とし
た。
の溶液に約1分間浸し、表面を洗浄した。次に、純水で
5分程度流水洗浄後、スピンドライヤーにて乾燥した。
次に、アンダークラッド22を構成する材料として、ポ
リイミド(日立化成製;PlX2400)を使用し、基
板にポリイミドを塗布し、熱処理(150℃で1h,3
00℃で1.5h)を行い、アンダークラッド22とし
た。
【0041】ガラス上に同一条件で作製した薄膜の厚み
を触針式表面あらさ針(SloanTechnolog
y Corp製;DEKTAKII)で測定し、試料厚
みとした。以下の工程でも同様に膜厚を決定した。アン
ダークラッド22であるポリイミド層の厚みは約7μm
であった。導波層24に相当するポリマーの薄膜部分を
構成するにあたっては、上記のように製造した屈折率異
方性可変材料を、溶媒としてのピリジンに混ぜ、比較的
低濃度(1重量%)のピリジン溶液を形成した。そのピ
リジン溶液を、0.2μmのテフロンフィルター(アド
バンテック東洋製;DISMIC13P)でろ過した
後、エバポレータで濃縮して高濃度溶液(6重量%程
度)にした。その後、フォトレジストスピナーを用いた
スピンコート処理により、アンダークラッド22上にこ
の高濃度溶液を塗布して導波層24を積層した。
を触針式表面あらさ針(SloanTechnolog
y Corp製;DEKTAKII)で測定し、試料厚
みとした。以下の工程でも同様に膜厚を決定した。アン
ダークラッド22であるポリイミド層の厚みは約7μm
であった。導波層24に相当するポリマーの薄膜部分を
構成するにあたっては、上記のように製造した屈折率異
方性可変材料を、溶媒としてのピリジンに混ぜ、比較的
低濃度(1重量%)のピリジン溶液を形成した。そのピ
リジン溶液を、0.2μmのテフロンフィルター(アド
バンテック東洋製;DISMIC13P)でろ過した
後、エバポレータで濃縮して高濃度溶液(6重量%程
度)にした。その後、フォトレジストスピナーを用いた
スピンコート処理により、アンダークラッド22上にこ
の高濃度溶液を塗布して導波層24を積層した。
【0042】上記スピンコート処理後、室温にて、約6
時間真空乾燥を行った。得られた導波層24の膜厚は
1.3μmであった。次に、フォトブリーチとも呼ばれ
る光照射処理を行った。即ち、超高圧水銀ランプ(ウシ
オ電機製;USHー250BY)を光源として用い、平
行光照射可能な露光装置用光源ユニット(ウシオ電機
製;マルチライトMLー251A/B)で、基板上の導
波層24に対して紫外線(UV)照射を行った。照射パ
ワーは80mW/cm2 であった。光照射の際には、石
英ガラス上に低反射クロムで描画したフォトマスク(凸
版印刷製)を用いた。このフォトマスクを試料表面に接
触させ、試料を110℃に加熱し、試料の上方よりマス
ク越しに1時間照射した(図2参照)。
時間真空乾燥を行った。得られた導波層24の膜厚は
1.3μmであった。次に、フォトブリーチとも呼ばれ
る光照射処理を行った。即ち、超高圧水銀ランプ(ウシ
オ電機製;USHー250BY)を光源として用い、平
行光照射可能な露光装置用光源ユニット(ウシオ電機
製;マルチライトMLー251A/B)で、基板上の導
波層24に対して紫外線(UV)照射を行った。照射パ
ワーは80mW/cm2 であった。光照射の際には、石
英ガラス上に低反射クロムで描画したフォトマスク(凸
版印刷製)を用いた。このフォトマスクを試料表面に接
触させ、試料を110℃に加熱し、試料の上方よりマス
ク越しに1時間照射した(図2参照)。
【0043】上記した紫外線照射により、モードフィル
タAを構成するコア2Aとクラッド3Aとが形成され
た。本実施例では、コア2Aとクラッド3Aとにおける
屈折率no、neの関係は、上記したの関係のうち
のとされた。本実施例ではモードフィルタAを形成す
る際には、モードフィルタAのコア2Aの他に、グレー
ティングBのコア2Bについても、上記した超高圧水銀
ランプからの紫外線が照射されている。
タAを構成するコア2Aとクラッド3Aとが形成され
た。本実施例では、コア2Aとクラッド3Aとにおける
屈折率no、neの関係は、上記したの関係のうち
のとされた。本実施例ではモードフィルタAを形成す
る際には、モードフィルタAのコア2Aの他に、グレー
ティングBのコア2Bについても、上記した超高圧水銀
ランプからの紫外線が照射されている。
【0044】その後、パルスNd:YAGレーザから発
振される第3高調波のビーム(波長:355nm)を用
い、二光束干渉法により、グレーティングBのコア2B
のみに、格子状の屈折率変調構造を書き込んだ。グレー
ティングBの周期(ピッチ)Λが243nmとなるよう
に書き込み時におけるミラー角度を調整した。この場合
には、照射処理は、試料温度が80°Cで2時間とし
た。
振される第3高調波のビーム(波長:355nm)を用
い、二光束干渉法により、グレーティングBのコア2B
のみに、格子状の屈折率変調構造を書き込んだ。グレー
ティングBの周期(ピッチ)Λが243nmとなるよう
に書き込み時におけるミラー角度を調整した。この場合
には、照射処理は、試料温度が80°Cで2時間とし
た。
【0045】λ0 =2・ncore・Λを示す上記した
(1)式に基づけば、コア2Bのncoreが1.7であれ
ば、830nm≒2×1.7×243nmとなる。故に
理論的には、830nmの光は、グレーティングBに入
射させても反射され、透過しないことになる。 (光透過実験)上記したように製造した試料を用い、光
透過実験を行った。この試料のモードフィルタAは図
1、図2に示す方式のものであり、TMモードを透過せ
ず、TEモードを透過する。この実験では、波長830
nmの半導体レーザと、波長1.3μmの半導体レーザ
を入射光源として用いた。光透過実験では、基本的に
は、半導体レーザ、レンズ、光ファイバーであるラミポ
ールファイバー偏光子(住友大阪セメント製)、試料で
ある光集積化素子の順に配置した。光集積化素子のうち
モードフィルタAを入射部としてラミポールファイバー
偏光子に結合し、光集積化素子のうちグレーティングB
を出射部に配置した。
(1)式に基づけば、コア2Bのncoreが1.7であれ
ば、830nm≒2×1.7×243nmとなる。故に
理論的には、830nmの光は、グレーティングBに入
射させても反射され、透過しないことになる。 (光透過実験)上記したように製造した試料を用い、光
透過実験を行った。この試料のモードフィルタAは図
1、図2に示す方式のものであり、TMモードを透過せ
ず、TEモードを透過する。この実験では、波長830
nmの半導体レーザと、波長1.3μmの半導体レーザ
を入射光源として用いた。光透過実験では、基本的に
は、半導体レーザ、レンズ、光ファイバーであるラミポ
ールファイバー偏光子(住友大阪セメント製)、試料で
ある光集積化素子の順に配置した。光集積化素子のうち
モードフィルタAを入射部としてラミポールファイバー
偏光子に結合し、光集積化素子のうちグレーティングB
を出射部に配置した。
【0046】波長830nmの光を用い、TEモ−ドと
TMモ−ドとを1:1の強度で励振させて上記試料に入
射させた場合には、これの導波光は観測できなかった。
即ち、波長830nmの光はグレーティングBで反射さ
れ、透過しなかった。また波長1.3μmの光を用い、
TEモ−ドとTMモ−ドとを1:1の強度で励振させて
上記試料に入射させた場合には、これの導波光を観測で
きた。つまり波長1.3μmの光(TEモード)はグレ
ーティングBを透過した。従って、本実施例に係る光集
積化素子のグレーティングBは、波長選択フイルタとし
て機能することが観測された。
TMモ−ドとを1:1の強度で励振させて上記試料に入
射させた場合には、これの導波光は観測できなかった。
即ち、波長830nmの光はグレーティングBで反射さ
れ、透過しなかった。また波長1.3μmの光を用い、
TEモ−ドとTMモ−ドとを1:1の強度で励振させて
上記試料に入射させた場合には、これの導波光を観測で
きた。つまり波長1.3μmの光(TEモード)はグレ
ーティングBを透過した。従って、本実施例に係る光集
積化素子のグレーティングBは、波長選択フイルタとし
て機能することが観測された。
【0047】(照射試験)上記した実施例に係る屈折率
異方性可変材料を採用した場合において、光照射処理の
照射時間と屈折率の可変の程度との関係を試験した。更
に、照射処理の際の試料の温度と屈折率の可変の程度と
の関係を試験した。屈折率測定では、プリズムカップラ
ー(metricon製;PC2010)を用い、導波
する光として波長633nm、波長830nmを用い
た。
異方性可変材料を採用した場合において、光照射処理の
照射時間と屈折率の可変の程度との関係を試験した。更
に、照射処理の際の試料の温度と屈折率の可変の程度と
の関係を試験した。屈折率測定では、プリズムカップラ
ー(metricon製;PC2010)を用い、導波
する光として波長633nm、波長830nmを用い
た。
【0048】試験結果を図8、図9に示す。図8は、照
射時間と屈折率との関係(照射温度が110°Cのと
き)を示す。更に図9は、照射温度と屈折率との関係
(照射時間が1時間のとき)を示す。図8及び図9にお
いて、■は波長633nmの光を用いたときのnoを示
し、●は波長633nmの光を用いたときのneを示
す。▲は波長830nmの光を用いたときのnoを示
し、◆は波長830nmの光を用いたときのneを示
す。
射時間と屈折率との関係(照射温度が110°Cのと
き)を示す。更に図9は、照射温度と屈折率との関係
(照射時間が1時間のとき)を示す。図8及び図9にお
いて、■は波長633nmの光を用いたときのnoを示
し、●は波長633nmの光を用いたときのneを示
す。▲は波長830nmの光を用いたときのnoを示
し、◆は波長830nmの光を用いたときのneを示
す。
【0049】図8の■や▲に示す試験結果から理解でき
るように、光照射処理により、nOの屈折率が低下して
おり、かつ、図9の◆や●に示す試験結果から理解でき
るように、neの屈折率が増加していることが確認され
た。また図9から理解できるように、上記実施例に係る
屈折率異方性可変材料においては、屈折率は試料の温度
の影響を受けることが確認された。特に温度が高い程、
屈折率が変化する割合が大きいことが確認された。
るように、光照射処理により、nOの屈折率が低下して
おり、かつ、図9の◆や●に示す試験結果から理解でき
るように、neの屈折率が増加していることが確認され
た。また図9から理解できるように、上記実施例に係る
屈折率異方性可変材料においては、屈折率は試料の温度
の影響を受けることが確認された。特に温度が高い程、
屈折率が変化する割合が大きいことが確認された。
【0050】(付記)上記した記載から次の技術的思想
も把握できる。 ○光照射により屈折率異方性が可変の材料または前記材
料をマトリックスに分散させた材料で形成した導波層を
用い、導波層に光照射することにより、TEモード及び
TMモードのいずれか一方の光を選択的に透過させるモ
ードフィルタを導波層に形成する操作と、前記導波層の
導波構造に光照射して、屈折率変調構造を備えたグレー
ティングを導波層に形成する操作とを実行することを特
徴とする光集積化素子の製造方法。
も把握できる。 ○光照射により屈折率異方性が可変の材料または前記材
料をマトリックスに分散させた材料で形成した導波層を
用い、導波層に光照射することにより、TEモード及び
TMモードのいずれか一方の光を選択的に透過させるモ
ードフィルタを導波層に形成する操作と、前記導波層の
導波構造に光照射して、屈折率変調構造を備えたグレー
ティングを導波層に形成する操作とを実行することを特
徴とする光集積化素子の製造方法。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、導波層の一部分がTE
モード及びTMモードのいずれか一方の光を選択的に透
過させるモードフィルタを構成し、導波層の他部分が光
の波長を選択するグレーティングを構成するため、モー
ドフィルタ及びグレーティングを構成する導波層を同一
材料で形成した一体化素子に得ることができる。従っ
て、構成が単純で、かつ作製プロセスが簡便な集積化素
子を得ることができる。
モード及びTMモードのいずれか一方の光を選択的に透
過させるモードフィルタを構成し、導波層の他部分が光
の波長を選択するグレーティングを構成するため、モー
ドフィルタ及びグレーティングを構成する導波層を同一
材料で形成した一体化素子に得ることができる。従っ
て、構成が単純で、かつ作製プロセスが簡便な集積化素
子を得ることができる。
【0052】また本発明によれば、モードフィルタにお
ける導波構造及びグレーティングにおける導波構造が同
一材料で連続的に繋がっているため、モードフィルタ部
分とグレーティング部分との接続部分における結合損失
を小さく抑えることができる。常光屈折率をnoとし、
異常光屈折率をneとして定義したとき、本発明に係る
モードフィルタでは、光照射を利用して導波層における
ne、noを調整することにより、下記ののうちの
いづれか一方の関係に設定できる。
ける導波構造及びグレーティングにおける導波構造が同
一材料で連続的に繋がっているため、モードフィルタ部
分とグレーティング部分との接続部分における結合損失
を小さく抑えることができる。常光屈折率をnoとし、
異常光屈折率をneとして定義したとき、本発明に係る
モードフィルタでは、光照射を利用して導波層における
ne、noを調整することにより、下記ののうちの
いづれか一方の関係に設定できる。
【0053】コアのno>クラッドno、かつ、コア
のne≦クラッドのne コアのne>クラッドne、かつ、コアのno≦クラ
ッドのno このようにすれば、TEモードまたはTEモードのいず
れか一方の光のみを選択して透過できるモードフィルタ
を構成できる。
のne≦クラッドのne コアのne>クラッドne、かつ、コアのno≦クラ
ッドのno このようにすれば、TEモードまたはTEモードのいず
れか一方の光のみを選択して透過できるモードフィルタ
を構成できる。
【図1】導波層のモードフィルタの部分の概念を示す構
成図である。
成図である。
【図2】図1に示す形態のモードフィルタを形成する場
合の製造過程を概念的に示す構成図である。
合の製造過程を概念的に示す構成図である。
【図3】他の形態に係る導波層のモードフィルタの概念
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図4】図3に示す形態のモードフィルタを形成する場
合の製造過程を概念的に示す構成図である。
合の製造過程を概念的に示す構成図である。
【図5】モードフィルタとグレーティングとを備えた光
集積化素子の全体の概念を示す斜視図である。
集積化素子の全体の概念を示す斜視図である。
【図6】二光束干渉法を採用してグレーティングを形成
する形態を概念的に示す構成図である。
する形態を概念的に示す構成図である。
【図7】位相格子法を採用してグレーティングを形成す
る形態を概念的に示す構成図である。
る形態を概念的に示す構成図である。
【図8】光照射における照射時間と屈折率との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図9】光照射における試料温度と屈折率との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
図中、Aはモードフィルタ、Bはグレーティング、20
は基板(基体)、24は導波層、2A、2Bはコア、3
A、3Bはクラッドを示す。
は基板(基体)、24は導波層、2A、2Bはコア、3
A、3Bはクラッドを示す。
Claims (1)
- 【請求項1】屈折率異方性を発現する材料または前記材
料をマトリックスに分散させた材料で形成された導波層
と、 前記導波層を保持する基体とを具備して構成され、 前記導波層の一部分は、TEモード及びTMモードのい
ずれか一方の光を選択的に透過させるモードフィルタを
構成し、 前記導波層の他部分は、屈折率変調構造を備えたグレー
ティングを構成することを特徴とする光集積化素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565297A JPH1123875A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 光集積化素子 |
| US08/956,401 US5949943A (en) | 1996-10-23 | 1997-10-23 | Waveguide device and a method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565297A JPH1123875A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 光集積化素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1123875A true JPH1123875A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15999849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17565297A Pending JPH1123875A (ja) | 1996-10-23 | 1997-07-01 | 光集積化素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1123875A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002139638A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
| US6826344B2 (en) | 2000-08-23 | 2004-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method of fabrication thereof |
| JP2005173116A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 光回路部材とその製造方法 |
| US8149887B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Planar waveguide laser device |
-
1997
- 1997-07-01 JP JP17565297A patent/JPH1123875A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002139638A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
| US6826344B2 (en) | 2000-08-23 | 2004-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method of fabrication thereof |
| JP2005173116A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 光回路部材とその製造方法 |
| US8149887B2 (en) | 2007-07-27 | 2012-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Planar waveguide laser device |
| US8559477B2 (en) | 2007-07-27 | 2013-10-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Planar waveguide laser device |
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