JPH1123913A - 受光モジュール - Google Patents
受光モジュールInfo
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- JPH1123913A JPH1123913A JP9176256A JP17625697A JPH1123913A JP H1123913 A JPH1123913 A JP H1123913A JP 9176256 A JP9176256 A JP 9176256A JP 17625697 A JP17625697 A JP 17625697A JP H1123913 A JPH1123913 A JP H1123913A
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子と光ファイバとの結合率を、より簡
単な実装構造でかつより簡単な組立て方法により向上可
能とした受光モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体基板１上に、光ファイバ４を固定
するためのガイド溝と、受光素子５が実装固定された実
装溝３とが形成されており、受光素子５が実装固定され
る実装溝３の実装面とガイド溝の出力端部とが連結され
ている構造とすることにより、受光素子５は高精度に加
工された実装溝３に挿入されて当該溝に沿って嵌合固定
されるので、光ファイバ４と受光素子５との相対位置を
高精度で固定可能である。また、光ファイバ４と受光素
子５とが密着して固定できるので、光結合長が短くな
り、無調整での実装固定により、高い光結合が容易に実
現される。
単な実装構造でかつより簡単な組立て方法により向上可
能とした受光モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体基板１上に、光ファイバ４を固定
するためのガイド溝と、受光素子５が実装固定された実
装溝３とが形成されており、受光素子５が実装固定され
る実装溝３の実装面とガイド溝の出力端部とが連結され
ている構造とすることにより、受光素子５は高精度に加
工された実装溝３に挿入されて当該溝に沿って嵌合固定
されるので、光ファイバ４と受光素子５との相対位置を
高精度で固定可能である。また、光ファイバ４と受光素
子５とが密着して固定できるので、光結合長が短くな
り、無調整での実装固定により、高い光結合が容易に実
現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は受光モジュールに関
し、特に半導体基板上に受光素子と光ファイバとを固定
して構成した受光モジュールに関するものである。
し、特に半導体基板上に受光素子と光ファイバとを固定
して構成した受光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の受光モジュールの例とし
ては、特開平７−１７４９４４号公報に開示のものがあ
り、その構造を図１２に示す。図１２において、光素子
部は高精度にエッチングされたＶ字突起４４を有するサ
ブマウント基板３３上に、高位置精度に実装された光素
子３４を有している。
ては、特開平７−１７４９４４号公報に開示のものがあ
り、その構造を図１２に示す。図１２において、光素子
部は高精度にエッチングされたＶ字突起４４を有するサ
ブマウント基板３３上に、高位置精度に実装された光素
子３４を有している。
【０００３】光ファイバ部はシリコンの異方性エッチン
グにより形成されたＶ字溝３５，３６と溝３７，３８を
有するシリコン基板３９上に光ファイバ４０とその被覆
部４１とを入れ、上から樹脂接着剤とトップガイド４２
でＶ字溝３６にファイバを固定した構造になっている。
グにより形成されたＶ字溝３５，３６と溝３７，３８を
有するシリコン基板３９上に光ファイバ４０とその被覆
部４１とを入れ、上から樹脂接着剤とトップガイド４２
でＶ字溝３６にファイバを固定した構造になっている。
【０００４】Ｖ字突起４４をＶ字溝３５に嵌合させるの
みで、光軸結合が可能であり、その後、サブマウント基
板３３、シリコン基板３９、ケース４３を同時に樹脂接
着剤で固定するものである。
みで、光軸結合が可能であり、その後、サブマウント基
板３３、シリコン基板３９、ケース４３を同時に樹脂接
着剤で固定するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この図１２に示した従
来構造による第１の問題点は、組合わせに位置ずれが生
じ易いことである。その理由は、この構成では、受光素
子と光ファイバとが別々の基板に実装されているからで
ある。図１２の受光素子と光ファイバとの位置精度は、
受光素子とサブマウントとの固定時の位置ずれと、光フ
ァイバとシリコン基板との固定時の位置ずれとを合わせ
た位置ずれ分だけ劣化してしまう。
来構造による第１の問題点は、組合わせに位置ずれが生
じ易いことである。その理由は、この構成では、受光素
子と光ファイバとが別々の基板に実装されているからで
ある。図１２の受光素子と光ファイバとの位置精度は、
受光素子とサブマウントとの固定時の位置ずれと、光フ
ァイバとシリコン基板との固定時の位置ずれとを合わせ
た位置ずれ分だけ劣化してしまう。
【０００６】更に、サブマウントとシリコン基板の組合
わせは、各々の部品の端部を垂直に合わせる構造として
いる。シリコン基板側の基準加工は基板端部のＶ溝とな
っているが、端部の加工はサイドエッチングにより精度
が出にくい。また、サブマウント側の加工も垂直に組合
わせるために突起部を高く底部を平面に加工しなければ
ならないが、高い突起部を精度良く加工することは困難
である。よって、これ等の組合わせでは、受光素子と光
ファイバとの位置関係を高精度で固定することは困難で
ある。
わせは、各々の部品の端部を垂直に合わせる構造として
いる。シリコン基板側の基準加工は基板端部のＶ溝とな
っているが、端部の加工はサイドエッチングにより精度
が出にくい。また、サブマウント側の加工も垂直に組合
わせるために突起部を高く底部を平面に加工しなければ
ならないが、高い突起部を精度良く加工することは困難
である。よって、これ等の組合わせでは、受光素子と光
ファイバとの位置関係を高精度で固定することは困難で
ある。
【０００７】従って、図１２の構成を受光面の小さな受
光素子を用いる受光モジュールに適用した場合、高い結
合効率を得ることは困難である。
光素子を用いる受光モジュールに適用した場合、高い結
合効率を得ることは困難である。
【０００８】また、この図１２に示した構造による第２
の問題点は、高速の受光モジュールへの適用が困難なこ
とである。その理由は、受光素子をサブキャリアに実装
しているため余分な容量が付加されてしまう。高速動作
を行うプリアンプは入力部の影響を受けやすいため、余
分な容量が付加されてしまう本構成は、高速動作を行う
受光モジュールには適さない。
の問題点は、高速の受光モジュールへの適用が困難なこ
とである。その理由は、受光素子をサブキャリアに実装
しているため余分な容量が付加されてしまう。高速動作
を行うプリアンプは入力部の影響を受けやすいため、余
分な容量が付加されてしまう本構成は、高速動作を行う
受光モジュールには適さない。
【０００９】本発明の目的は、受光素子と光ファイバと
の結合率を、より簡単な実装構造でかつより簡単な組立
て方法により向上可能とした受光モジュールを提供する
ことである。
の結合率を、より簡単な実装構造でかつより簡単な組立
て方法により向上可能とした受光モジュールを提供する
ことである。
【００１０】本発明の他の目的は、寄生容量の減少を図
ってより高速動作を可能とした受光モジュールを提供す
ることである。
ってより高速動作を可能とした受光モジュールを提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板上に受光素子と光ファイバとを固定して構成した受
光モジュールであって、前記基板上に形成され前記光フ
ァイバが嵌合固定されたガイド溝と、前記基板上に設け
られて前記ガイド溝の出力端部と連結され前記受光素子
が実装固定された実装溝とを含み、前記受光素子が実装
固定される前記実装溝の実装面が、前記出力端部の連結
面であることを特徴とする受光モジュールが得られる。
基板上に受光素子と光ファイバとを固定して構成した受
光モジュールであって、前記基板上に形成され前記光フ
ァイバが嵌合固定されたガイド溝と、前記基板上に設け
られて前記ガイド溝の出力端部と連結され前記受光素子
が実装固定された実装溝とを含み、前記受光素子が実装
固定される前記実装溝の実装面が、前記出力端部の連結
面であることを特徴とする受光モジュールが得られる。
【００１２】そして、前記実装溝の断面形状は矩形状と
されることにより前記実装面が矩形状面となっており、
更に前記受光素子は矩形板状であり、前記実装溝のの実
装面と前記受光素子の実装面とが接着固定されているこ
とを特徴とする。
されることにより前記実装面が矩形状面となっており、
更に前記受光素子は矩形板状であり、前記実装溝のの実
装面と前記受光素子の実装面とが接着固定されているこ
とを特徴とする。
【００１３】また、前記実装溝の矩形状実装面の底辺の
幅が、前記受光素子の実装面の底辺のそれより僅かに大
に選定されていることを特徴とする。
幅が、前記受光素子の実装面の底辺のそれより僅かに大
に選定されていることを特徴とする。
【００１４】更に、前記実装溝の実装面及び前記受光素
子の実装面の各々には、アライメントのためのアライメ
ントパターンが夫々設けられており、前記アライメント
パターンの各々は赤外光透過により認識可能なパターン
であり、前記赤外光透過処理によって両アライメントパ
ターンが一致するよう調整されていることを特徴とす
る。
子の実装面の各々には、アライメントのためのアライメ
ントパターンが夫々設けられており、前記アライメント
パターンの各々は赤外光透過により認識可能なパターン
であり、前記赤外光透過処理によって両アライメントパ
ターンが一致するよう調整されていることを特徴とす
る。
【００１５】本発明の作用を述べる。半導体基板上に、
光ファイバを固定するためのガイド溝と、受光素子が実
装固定された実装溝とが形成されており、受光素子が実
装固定される実装溝の実装面とガイド溝の出力端部とが
連結されている構造とすることにより、受光素子は高精
度に加工された実装溝に挿入されて当該溝に沿って嵌合
固定されるので、光ファイバと受光素子との相対位置を
高精度で固定可能である。
光ファイバを固定するためのガイド溝と、受光素子が実
装固定された実装溝とが形成されており、受光素子が実
装固定される実装溝の実装面とガイド溝の出力端部とが
連結されている構造とすることにより、受光素子は高精
度に加工された実装溝に挿入されて当該溝に沿って嵌合
固定されるので、光ファイバと受光素子との相対位置を
高精度で固定可能である。
【００１６】また、光ファイバと受光素子とが密着して
固定できるので、光結合長が短くなり、無調整での実装
固定により、高い光結合が容易に実現される。更に、受
光素子の実装面とは反対面に出力電極を設けて、この出
力電極から直接ボンディングワイヤでプリアンプ（増幅
器）の入力へ接続することで、寄生容量が極めて小とな
り、高速動作が可能である。
固定できるので、光結合長が短くなり、無調整での実装
固定により、高い光結合が容易に実現される。更に、受
光素子の実装面とは反対面に出力電極を設けて、この出
力電極から直接ボンディングワイヤでプリアンプ（増幅
器）の入力へ接続することで、寄生容量が極めて小とな
り、高速動作が可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しつつ本発明
の実施例につき詳述する。
の実施例につき詳述する。
【００１８】図１は本発明の受光モジュールの実施例の
斜視図であり、図２は図１の受光モジュールのシリコン
基板の斜視図を示したものである。また、図３は図１の
受光モジュールの受光素子を示したものである。
斜視図であり、図２は図１の受光モジュールのシリコン
基板の斜視図を示したものである。また、図３は図１の
受光モジュールの受光素子を示したものである。
【００１９】これ等図１〜３を参照すると、光ファイバ
４を固定するガイド溝２と受光素子５を固定する実装溝
３とは、シリコン基板１にウェットエッチングによって
同時に形成される。実装溝３の深さは、ガイド溝２に実
装された光ファイバ４の光軸と受光面６の中央の高さが
一致する様にエッチング時間を制御して形成されてい
る。
４を固定するガイド溝２と受光素子５を固定する実装溝
３とは、シリコン基板１にウェットエッチングによって
同時に形成される。実装溝３の深さは、ガイド溝２に実
装された光ファイバ４の光軸と受光面６の中央の高さが
一致する様にエッチング時間を制御して形成されてい
る。
【００２０】また、実装溝５は断面が矩形状とされてお
り、ガイド溝２の出力端部と実装溝３の受光素子実装面
７とは互いに連結している。そして、実装面７の底面側
の一辺は受光素子５の接触部外形より若干広くなる様に
形成されている。
り、ガイド溝２の出力端部と実装溝３の受光素子実装面
７とは互いに連結している。そして、実装面７の底面側
の一辺は受光素子５の接触部外形より若干広くなる様に
形成されている。
【００２１】受光素子３はＩｎＰ基板を用いた受光径φ
３０μｍの裏面入射型の受光素子で、図３に示す如く表
面側のｐ電極１０は寄生容量を押さえるために受光面６
の上に形成されている。裏面側には光入射窓８が開口し
ているｎ電極９と、電気的接続のためのＡｕＳｎ半田１
３が形成してある。
３０μｍの裏面入射型の受光素子で、図３に示す如く表
面側のｐ電極１０は寄生容量を押さえるために受光面６
の上に形成されている。裏面側には光入射窓８が開口し
ているｎ電極９と、電気的接続のためのＡｕＳｎ半田１
３が形成してある。
【００２２】光ファイバ４の先端は、受光素子５の裏面
に沿う様に実装面７と同じ角度で加工している。
に沿う様に実装面７と同じ角度で加工している。
【００２３】組立ては、先ず受光素子５をシリコン基板
１に搭載する。この時受光素子５を実装面７に沿わせ
て、受光素子５の底面を実装溝３の底面に接触させて固
定する。図４に実装部の正面及び縦断面拡大図を示す。
受光素子５のｎ電極９はＡｕＳｎ半田１３を介してシリ
コン基板１の電極１１と接続される。次に、光ファイバ
４をガイド溝へ２実装し、ファイバ４の先端面が受光素
子５の裏面が揃う様にして固定する。
１に搭載する。この時受光素子５を実装面７に沿わせ
て、受光素子５の底面を実装溝３の底面に接触させて固
定する。図４に実装部の正面及び縦断面拡大図を示す。
受光素子５のｎ電極９はＡｕＳｎ半田１３を介してシリ
コン基板１の電極１１と接続される。次に、光ファイバ
４をガイド溝へ２実装し、ファイバ４の先端面が受光素
子５の裏面が揃う様にして固定する。
【００２４】本構成では、光ファイバ４と受光素子５と
を接触して固定できるため、光ファイバ４端から受光面
６までの光学距離を非常に短くすることができ、光ファ
イバ４から出射された光の受光面６での広がりを小さく
押さえることができる。また、図５に示す様に、更に光
ファイバ４からの出射光の放射角を押さえるために、光
ファイバ４と受光素子５の間に、シリコンゲルや光学接
着剤等の屈折率緩衝剤１５となるものを充填しても良
い。
を接触して固定できるため、光ファイバ４端から受光面
６までの光学距離を非常に短くすることができ、光ファ
イバ４から出射された光の受光面６での広がりを小さく
押さえることができる。また、図５に示す様に、更に光
ファイバ４からの出射光の放射角を押さえるために、光
ファイバ４と受光素子５の間に、シリコンゲルや光学接
着剤等の屈折率緩衝剤１５となるものを充填しても良
い。
【００２５】図１に示す受光モジュールの受光素子５と
光ファイバとの位置関係は、シリコン基板１への受光素
子５の実装精度による。本発明の構造では、受光素子５
を実装溝３の実装面６底部が受光素子５の外形と一致す
る様に加工しているため、実装精度は実装溝３の加工精
度と受光素子５の切出し精度とで決まり、位置ずれ量は
±１μｍ程度で実現できる。
光ファイバとの位置関係は、シリコン基板１への受光素
子５の実装精度による。本発明の構造では、受光素子５
を実装溝３の実装面６底部が受光素子５の外形と一致す
る様に加工しているため、実装精度は実装溝３の加工精
度と受光素子５の切出し精度とで決まり、位置ずれ量は
±１μｍ程度で実現できる。
【００２６】図６，図７はビジュアルアライメント実装
方式を適用してシリコン基板に受光素子を実装する場合
のシリコン基板と受光素子を示したものである。
方式を適用してシリコン基板に受光素子を実装する場合
のシリコン基板と受光素子を示したものである。
【００２７】図６に示す実装面７には、ビジュアルアラ
イメント実装用のアライメントパターン１２と、受光素
子１５を固定するためのＡｕＳｎ半田１３が形成されて
いる。アライメントパターン１２は、メタライズパター
ンの一部として形成されており、ガイド溝２を中心にし
て対称に配置してある。また、アライメントパターン１
２の位置は、ガイド溝２に実装される光ファイバ４の光
軸と所望の位置関係となる様に形成されている。
イメント実装用のアライメントパターン１２と、受光素
子１５を固定するためのＡｕＳｎ半田１３が形成されて
いる。アライメントパターン１２は、メタライズパター
ンの一部として形成されており、ガイド溝２を中心にし
て対称に配置してある。また、アライメントパターン１
２の位置は、ガイド溝２に実装される光ファイバ４の光
軸と所望の位置関係となる様に形成されている。
【００２８】図７に示す受光素子裏面には、アライメン
トパターン２１と、光入射窓８が形成されている。アラ
イメントパターン２１はメタライズパターンの一部とし
て形成されており、受光面６を中心にして対称に配置し
てある。アライメントパターン２１の間隔は、実装面７
のアライメントパターン１２の間隔と同一である。
トパターン２１と、光入射窓８が形成されている。アラ
イメントパターン２１はメタライズパターンの一部とし
て形成されており、受光面６を中心にして対称に配置し
てある。アライメントパターン２１の間隔は、実装面７
のアライメントパターン１２の間隔と同一である。
【００２９】図８に実装面７への受光素子５の固定方法
を示す。下部より赤外光１８が投射できるヒーター１７
上に搭載したシリコン基板１に、アーム１９で保持した
受光素子５を重ね、カメラ２０でシリコン基板１，受光
素子５のアライメントパターン１２，２１を撮え、画像
認識・位置処理を行う。図９にシリコン基板１と受光素
子５を重ねた状態のモニター図を示す。シリコン基板１
のアライメントパターン１２が受光素子５のアライメン
トパターン２１の中心に位置する様にアーム１９を調整
する。所望の位置関係が得られた時にヒータ１７を加熱
し、シリコン基板１の上のＡｕＳｎ半田１３を溶解さ
せ、シリコン基板１と受光素子５を固定する。
を示す。下部より赤外光１８が投射できるヒーター１７
上に搭載したシリコン基板１に、アーム１９で保持した
受光素子５を重ね、カメラ２０でシリコン基板１，受光
素子５のアライメントパターン１２，２１を撮え、画像
認識・位置処理を行う。図９にシリコン基板１と受光素
子５を重ねた状態のモニター図を示す。シリコン基板１
のアライメントパターン１２が受光素子５のアライメン
トパターン２１の中心に位置する様にアーム１９を調整
する。所望の位置関係が得られた時にヒータ１７を加熱
し、シリコン基板１の上のＡｕＳｎ半田１３を溶解さ
せ、シリコン基板１と受光素子５を固定する。
【００３０】図８に示す構造によれば、シリコン基板１
と受光素子５の固定精度は、ビジュアルアライメント実
装方式の誤差範囲であり、充分にサブμｍオーダーで決
定され、高い結合効率が容易に得られる。
と受光素子５の固定精度は、ビジュアルアライメント実
装方式の誤差範囲であり、充分にサブμｍオーダーで決
定され、高い結合効率が容易に得られる。
【００３１】図１に示す構造で光ファイバと受光素子を
固定し光結合特性を評価した結果光ファイバを最適位置
に調整した場合と比べて量子効率にして２％程度低いだ
けであり、無調整で高精度な実装が実現できていると考
えられる。
固定し光結合特性を評価した結果光ファイバを最適位置
に調整した場合と比べて量子効率にして２％程度低いだ
けであり、無調整で高精度な実装が実現できていると考
えられる。
【００３２】図１０は本受光モジュールをプリアンプに
接続を示した図である。本受光モジュールでは、受光素
子５のｐ電極１０から直接プリアンプｐ２２のボンディ
ングパッド２３へワイヤー２４を接続している。本構成
では、プリアンプ２２の入力部に寄生容量がほとんど付
加されないため、寄生感度の高いプリアンプには非常に
有効である。尚、電極１１は基板１へのバイアス電圧を
供給するためのものであり、ボンディングワイヤ２５が
設けられている。
接続を示した図である。本受光モジュールでは、受光素
子５のｐ電極１０から直接プリアンプｐ２２のボンディ
ングパッド２３へワイヤー２４を接続している。本構成
では、プリアンプ２２の入力部に寄生容量がほとんど付
加されないため、寄生感度の高いプリアンプには非常に
有効である。尚、電極１１は基板１へのバイアス電圧を
供給するためのものであり、ボンディングワイヤ２５が
設けられている。
【００３３】図１１は、シリコン基板１１上の受光素子
５の実装溝３を受光素子５の外形より僅かに大きい嵌合
口とした場合を示している。実装溝３はドライエッチン
グ等で垂直方向にシリコン基板１１を加工して形成す
る。受光素子５の電気的接続は、ｎ電極に形成されたバ
ンプ２８とｐ電極に形成されたバンプ２９をシリコン基
板１１上の電極１１，３０とを夫々接触させた後、溶融
して接続している。
５の実装溝３を受光素子５の外形より僅かに大きい嵌合
口とした場合を示している。実装溝３はドライエッチン
グ等で垂直方向にシリコン基板１１を加工して形成す
る。受光素子５の電気的接続は、ｎ電極に形成されたバ
ンプ２８とｐ電極に形成されたバンプ２９をシリコン基
板１１上の電極１１，３０とを夫々接触させた後、溶融
して接続している。
【００３４】図１１の構造によれば、受光素子５と光フ
ァイバ４の位置関係は、実装溝３と受光素子２６のはめ
合い精度による。一般にエッチングによる加工精度は数
百オングストローム単位であり、本構成では、受光素子
５の切出し精度で決まる。従って、受光素子５と光ファ
イバ４との位置ずれ量は±１μｍ程度で実現できる。
ァイバ４の位置関係は、実装溝３と受光素子２６のはめ
合い精度による。一般にエッチングによる加工精度は数
百オングストローム単位であり、本構成では、受光素子
５の切出し精度で決まる。従って、受光素子５と光ファ
イバ４との位置ずれ量は±１μｍ程度で実現できる。
【００３５】図１１に示す構造で光ファイバと受光素子
を固定した結合特性を評価した結果、光ファイバを最適
位置に調整した場合と比べて量子効率にして２％程度低
いだけであり、無調整で高精度な実装が実現できている
と考えられる。
を固定した結合特性を評価した結果、光ファイバを最適
位置に調整した場合と比べて量子効率にして２％程度低
いだけであり、無調整で高精度な実装が実現できている
と考えられる。
【００３６】また、図１１の構成においては、図１の構
成と比べると信号線がシリコン基板上に構成されている
分だけ寄生容量は付加されてしまうが、受光素子の電極
が小さく直接ボンディングできない場合に、非常に有効
な構成である。
成と比べると信号線がシリコン基板上に構成されている
分だけ寄生容量は付加されてしまうが、受光素子の電極
が小さく直接ボンディングできない場合に、非常に有効
な構成である。
【００３７】
【発明の効果】第１の効果は容易な無調整での実装で高
い光結合が得られることである。その理由は、受光素子
をシリコン基板上の実装面に、光ファイバから出射され
る光軸に対して所望の位置に高精度で固定できるからで
ある。また、光学結合長が短く結合損失が少なくて済む
ためである。
い光結合が得られることである。その理由は、受光素子
をシリコン基板上の実装面に、光ファイバから出射され
る光軸に対して所望の位置に高精度で固定できるからで
ある。また、光学結合長が短く結合損失が少なくて済む
ためである。
【００３８】第２の効果は、高周波特性の向上である。
その理由は、受光素子を実装するためにキャリを必要と
しないため寄生容量の低減が図れるためである。
その理由は、受光素子を実装するためにキャリを必要と
しないため寄生容量の低減が図れるためである。
【００３９】以上述べた様に、本発明の受光モジュール
では、光素子と光ファイバとを無調整で高精度に固定で
きるため、生産性が高く、かつ高性能な光モジュールの
提供が可能となる。
では、光素子と光ファイバとを無調整で高精度に固定で
きるため、生産性が高く、かつ高性能な光モジュールの
提供が可能となる。
【図１】本発明の実施例の構成を示す斜視図である。
【図２】図１におけるシリコン基板の斜視図である。
【図３】図１における受光素子の構成図であり、基板接
触側及び電極側の各面の構成を示す図である。
触側及び電極側の各面の構成を示す図である。
【図４】図１における受光素子の実装部拡大図であり、
実装部正面図及び縦断面図である。
実装部正面図及び縦断面図である。
【図５】本発明の他の実施例における受光素子と光ファ
イバとの接続部の拡大図である。
イバとの接続部の拡大図である。
【図６】本発明の他の実施例のシリコン基板の斜視図で
ある。
ある。
【図７】図６のシリコン基板に対応する受光素子の構成
図であり、基板接触側及び電極側の各面の構成を示す図
である。
図であり、基板接触側及び電極側の各面の構成を示す図
である。
【図８】図６，７に示したシリコン基板と受光素子との
固定方法を示す図である。
固定方法を示す図である。
【図９】図８における固定時におけるアライメントパタ
ーンの例を示す図である。
ーンの例を示す図である。
【図１０】図１の実施例の構成の使用例を示す図であ
り、平面図及び縦断面図である。
り、平面図及び縦断面図である。
【図１１】本発明の更に他の実施例の構成を示す斜視図
である。
である。
【図１２】従来の受光モジュールの例を示す斜視図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ ガイド溝 ３ 実装溝 ４ 光ファイバ ５ 受光素子 ６ 受光面 ７ 実装面 ８ 光入射窓 ９ ｎ電極 １０ ｐ電極 １１ 基板電極 １２，２１ アライメントパターン １３ 半田 ２２ プリアンプ ２３ ボンディングパッド ２４，２５ ワイヤ ２８，２９ バンプ ３０ 接続電極
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に受光素子と光ファイバと
を固定して構成した受光モジュールであって、前記基板
上に形成され前記光ファイバが嵌合固定されたガイド溝
と、前記基板上に設けられて前記ガイド溝の出力端部と
連結され前記受光素子が実装固定された実装溝とを含
み、前記受光素子が実装固定される前記実装溝の実装面
が、前記出力端部の連結面であることを特徴とする受光
モジュール。 - 【請求項２】 前記実装溝の断面形状は矩形状とされる
ことにより前記実装面が矩形状面となっており、更に前
記受光素子は矩形板状であり、前記実装溝のの実装面と
前記受光素子の実装面とが接着固定されていることを特
徴とする請求項１記載の受光モジュール。 - 【請求項３】 前記実装溝の矩形状実装面の底辺の幅
が、前記受光素子の実装面の底辺のそれより僅かに大に
選定されていることを特徴とする請求項２記載の受光モ
ジュール。 - 【請求項４】 前記実装溝の実装面及び前記受光素子の
実装面の各々には、アライメントのためのアライメント
パターンが夫々設けられていることを特徴とする請求項
２または３記載の受光モジュール。 - 【請求項５】 前記アライメントパターンの各々は赤外
光透過により認識可能なパターンであり、前記赤外光透
過処理によって両アライメントパターンが一致するよう
調整されていることを特徴とする請求項４記載の受光モ
ジュール。 - 【請求項６】 前記実装溝の実装面と前記受光素子の実
装面記との間には屈折率緩衝剤が装填されていることを
特徴とする請求項１〜５いずれか記載の受光モジュー
ル。 - 【請求項７】 前記受光素子の実装面と反対面には出力
電極が形成されており、この出力電極から直接ボンディ
ングワイヤが導出されていることを特徴とする請求項１
〜６いずれか記載の受光モジュール。 - 【請求項８】 前記ボンディングワイヤは前記受光素子
の出力を増幅する増幅回路の入力へ直接接続されている
ことを特徴とする請求項７記載の受光モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176256A JP3042453B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 受光モジュール |
| US09/108,823 US6042276A (en) | 1997-07-02 | 1998-07-01 | Light receiving module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176256A JP3042453B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 受光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1123913A true JPH1123913A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3042453B2 JP3042453B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=16010394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9176256A Expired - Fee Related JP3042453B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 受光モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6042276A (ja) |
| JP (1) | JP3042453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004336025A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-25 | Fujikura Ltd | 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0989430A3 (en) * | 1998-09-24 | 2000-05-24 | LG Cable & Machinery Ltd. | Method for manufacturing laser diode chip, optical transmitting/receiving module and method for aligning positions thereof |
| US6606510B2 (en) * | 2000-08-31 | 2003-08-12 | Mallinckrodt Inc. | Oximeter sensor with digital memory encoding patient data |
| US6917056B2 (en) | 2001-01-31 | 2005-07-12 | Shipley Company, L.L.C. | Optoelectronic submount having an on-edge optoelectronic device |
| JP2003084175A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールおよび光モジュールの生産方法 |
| JP2011033876A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Nitto Denko Corp | 光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュール |
| JP2011186036A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Nitto Denko Corp | 光センサモジュールの製法およびそれによって得られた光センサモジュール |
| JP5308408B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2013-10-09 | 日東電工株式会社 | 光センサモジュール |
| JP5325184B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2013-10-23 | 日東電工株式会社 | 光センサモジュール |
| JP5693986B2 (ja) | 2011-02-03 | 2015-04-01 | 日東電工株式会社 | 光センサモジュール |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2630236B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-07-16 | 日本電気株式会社 | 光送受信装置 |
| JPH1082930A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール，およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP9176256A patent/JP3042453B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-01 US US09/108,823 patent/US6042276A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004336025A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-25 | Fujikura Ltd | 光モジュール、光モジュール実装基板、光伝送モジュール、双方向光伝送モジュール、光モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6042276A (en) | 2000-03-28 |
| JP3042453B2 (ja) | 2000-05-15 |
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