JPH11240190A - サーマルヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】保護樹脂を形成するために塗布される液状前駆
体が外部配線基板との接続部近傍まで流れて半田付けの
障害となっていた。 【解決手段】絶縁基板１の上面に、複数の発熱素子２か
ら成る発熱素子列と、該発熱素子列と略平行に配置され
る矩形状のドライバーＩＣ５と、一端側上面にドライバ
ーＩＣ５の端子５ａに半田接合するためのＩＣ接続用金
メッキ層７が、他端側上面に外部配線基板１１の配線に
半田接合するための外部接続用金メッキ層８が被着さ
れ、前記ドライバーＩＣ５等を介して発熱素子２に接続
されるグランド電極配線６と、ドライバーＩＣ５を被覆
する保護樹脂１０と、を取着させて成り、前記グランド
電極配線６の表面で、かつＩＣ接続用金メッキ層７と外
部接続用金メッキ層８との間の領域に、ドライバーＩＣ
５の長さ方向と略平行に延びる帯状金メッキ層９ａを形
成し、該メッキ層９ａでもって保護樹脂１０のエッジの
位置を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はワードプロセッサや
ファクシミリ等のプリンタ機構として組み込まれるサー
マルヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ワードプロセッサ等のプリンタ機
構として組み込まれるサーマルヘッドは、例えば図４に
示す如く、アルミナセラミックス等から成る絶縁基板２
１の上面に、複数個の発熱素子２２を直線状に配列した
発熱素子列と、該発熱素子２２の両端に接続される共通
電極配線２３及び個別電極配線２４と、前記発熱素子２
２を外部からの印画データに基づいて選択的に発熱させ
るドライバーＩＣ２５と、一端側上面に前記ドライバー
ＩＣ２５の端子２５ａに半田接合するためのＩＣ接続用
金メッキ層２７が、他端側上面に図示しない外部配線基
板の配線に半田接合するための外部接続用金メッキ層２
８が被着され、前記ドライバーＩＣ２５及び個別電極配
線２４を介して前記発熱素子２２に電気的に接続される
グランド電極配線２６と、をそれぞれ取着した構造を有
しており、かかるサーマルヘッドは、前記ドライバーＩ
Ｃ２５の駆動によって共通電極配線２３及びグランド電
極配線２６間に電源電力を印加し、発熱素子２２を個々
に選択的に発熱させるとともに、該発熱した熱を感熱紙
等の感熱記録媒体に伝導させ、感熱記録媒体に所定の印
画を形成することによってサーマルヘッドとして機能す
る。

【０００３】そして、このようなサーマルヘッドのドラ
イバーＩＣ２５は、大気中に含まれている水分等の接触
による腐食や感熱記録媒体の摺接等から保護するために
エポキシ樹脂等から成る保護樹脂２９によって被覆され
る。尚、前記保護樹脂２９は、液状に成したエポキシ樹
脂の前駆体をディスペンサー等を用いて絶縁基板上面の
ドライバーＩＣ２５が実装されている領域に塗布し、こ
れを高温で加熱・硬化させることによって形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のサーマルヘッドにおいては、保護樹脂２９を絶縁基
板２１上に形成する際、絶縁基板２１上に塗布される液
状前駆体がドライバーＩＣ２５の両側に向かって流れ出
すことにより、その塗布幅が不所望に広がってしまうこ
とがあった。このようにして広がった液状前駆体の一部
がグランド電極配線２６の他端に設けた外部接続用金メ
ッキ層２８の近傍まで流れてきた場合、その付近には前
駆体溜まりＺが形成され、外部接続用金メッキ層２８が
この前駆体溜まりＺ中に埋没してしまう。そのため、外
部配線基板をグランド電極配線２６に半田付けしようと
しても前述の前駆体溜まりＺが障害となって良好に半田
付けすることができず、また外部配線基板を良好に半田
付けするには、前述の前駆体溜まりＺをエッチング等に
よって除去しなければならず、これによってサーマルヘ
ッドの生産性が著しく低下していた。

【０００５】また上述した従来のサーマルヘッドにおい
ては、ドライバーＩＣ２５が絶縁基板２１上にフェース
ダウンボンディングされており、絶縁基板２１の上面と
ドライバーＩＣ２５の下面との間には４０〜５０μｍ程
度の僅かな隙間が形成される。このため、保護樹脂２９
を形成するにあたって液状前駆体をドライバーＩＣ２５
の実装領域に塗布した際、液状前駆体を前述の隙間に良
好に流し込むことができず、隙間内には大きな気泡が残
存することとなる。このような気泡に前駆体を硬化させ
る際の熱やサーマルヘッドの使用時の熱などが印加され
ると、気泡の熱膨張によってドライバーＩＣ２５の位置
ズレや、グランド電極配線２６とドライバーＩＣ２５と
の半田接合部の破損が誘発され、これによってもサーマ
ルヘッドの生産性や信頼性が低下していた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑み
案出されたもので、本発明のサーマルヘッドは、絶縁基
板の上面に、複数個の発熱素子を直線状に配列した発熱
素子列と、該発熱素子の各一端に接続される共通電極配
線と、前記発熱素子の各他端に接続される複数個の個別
電極配線と、前記個別電極配線に電気的に接続され、前
記発熱素子列と略平行に配置される矩形状のドライバー
ＩＣと、一端側上面に前記ドライバーＩＣの端子に半田
接合するためのＩＣ接続用金メッキ層が、他端側上面に
外部配線基板の配線に半田接合するための外部接続用金
メッキ層が被着され、前記ドライバーＩＣ及び個別電極
配線を介して発熱素子に電気的に接続されるグランド電
極配線と、前記ドライバーＩＣを被覆する保護樹脂と、
を取着させて成り、前記共通電極配線及びグランド電極
配線間に印加される電源電力によって前記発熱素子を発
熱・駆動させるサーマルヘッドであって、前記グランド
電極配線の表面で、かつ前記ＩＣ接続用金メッキ層と外
部接続用金メッキ層との間の領域に、ドライバーＩＣの
長さ方向と略平行に延びる帯状金メッキ層を形成し、該
帯状金メッキ層で前記保護樹脂のエッジの位置を設定し
たことを特徴とするものである。

【０００７】また本発明のサーマルヘッドは、前記ＩＣ
接続用金メッキ層を単一のグランド電極配線上に複数
個、設けるとともに、これらＩＣ接続用金メッキ層をド
ライバーＩＣの長さ方向に沿って一列もしくは千鳥状に
配列し、前記帯状金メッキ層の一部を隣接するＩＣ接続
用金メッキ層間の領域に向かって延在せしめたことを特
徴とするものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の一形態にかかるサー
マルヘッドの平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図、図
３は図１のサーマルヘッドに設けられる各種金メッキ層
のパターンを示す要部拡大図であり、１は絶縁基板、２
は発熱素子、３は共通電極配線、４は個別電極配線、５
はドライバーＩＣ、６はグランド電極配線、７はＩＣ接
続用金メッキ層、８は外部接続用金メッキ層、９ａは帯
状金メッキ層、１０は保護樹脂である。

【０００９】前記絶縁基板１は、アルミナセラミックス
やガラス等の電気絶縁性材料により矩形状をなすように
形成され、その上面で発熱素子列や共通電極配線３，複
数個の個別電極配線４，複数個のドライバーＩＣ５，複
数個のグランド電極配線６，保護樹脂１０等を支持する
ようになっている。

【００１０】前記絶縁基板１は、例えばアルミナセラミ
ックスから成る場合、アルミナ，シリカ，マグネシア等
のセラミック原料粉末に適当な有機溶媒、有機溶剤を添
加・混合して泥漿状に成すとともに、これを従来周知の
ドクターブレード法等を採用することによってセラミッ
クグリーンシートを得、しかる後、該セラミックグリー
ンシートに打ち抜き加工法を施して矩形状となし、これ
を高温（約1600℃）で焼成することによって製作され
る。

【００１１】またこのような絶縁基板１の上面には該基
板１の長さ方向に沿って発熱素子列が取着される。前記
発熱素子列は、複数個の発熱素子２を直線状に配列して
構成されており、これら発熱素子２は１走査線分の画素
に対応するように例えば６００ｄｐｉの線密度で配列さ
れる。

【００１２】前記発熱素子２は、その各々がＴａ−Ｎ
系，Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ系，Ｔｉ−Ｓｉ−Ｏ系などの電気抵
抗材料により形成されているため、後述する共通電極配
線３及び個別電極配線４を介して外部電源からの電力が
印加されるとジュール発熱を起こし、感熱紙等の感熱記
録媒体に印画を形成するのに必要な温度となる。

【００１３】尚、前記発熱素子２は、前述の電気抵抗材
料を従来周知のスパッタリング法及びフォトリソグラフ
ィー技術等を採用し、所定厚み、所定パターンに被着さ
せることによって絶縁基板１の上面に形成される。

【００１４】また前記発熱素子２の両端には前記発熱素
子２に電力を印加するための共通電極配線３及び個別電
極配線４が電気的に接続される。前記共通電極配線３
は、発熱素子２の各一端に共通に接続されており、絶縁
基板１の一方の長辺と２つの短辺とに沿ってコの字状に
パターニングされた上、後述する外部配線基板１１を介
して外部電源のプラス（＋）極側の端子に電気的に接続
される。

【００１５】一方、前記個別電極配線４は、発熱素子２
の各他端に個々に接続されており、後述するドライバー
ＩＣ５の内部に設けられているスイッチングトランジス
タ等のスイッチ手段（図示せず）やグランド電極配線６
等を介して外部電源のマイナス（−）極側の端子に電気
的に接続される。

【００１６】尚、前記外部電源は、例えば、プラス
（＋）極側の端子を２４Ｖの電位に、またマイナス
（−）極側の端子を０Ｖの電位に保持するようになって
おり、これによって共通電極配線３及びグランド電極配
線６間に２４Ｖの電位差を設け、この電位差に相当する
電圧を発熱素子２に印加することによって発熱素子２を
発熱・駆動する。

【００１７】このような共通電極配線３及び個別電極配
線４は、アルミニウム等の金属を従来周知のスパッタリ
ング法及びフォトリソグラフィー技術等を採用し、所定
厚み、所定パターンに被着させることによって絶縁基板
１の上面に形成される。

【００１８】また、前記個別電極配線４の一部上面には
ＩＣ接続用金メッキ層７が被着され、該ＩＣ接続用金メ
ッキ層７を介してドライバーＩＣ５の出力端子５ａに電
気的に接続される。前記ドライバーＩＣ５は、その各々
が矩形状を成しており、長さ方向を発熱素子列と略平行
に配置して一列に並べられる。前記ドライバーＩＣ５
は、その内部にスイッチングトランジスタ等のスイッチ
手段や外部からの印画データを保持するためのラッチ，
１ライン分の印画データをクロック信号に同期してシリ
アル転送するためのシフトレジスタ等を有しており、前
記発熱素子２を個々に選択的に発熱させる作用、より具
体的には、外部よりストローブ信号が供給されている
間、ラッチに格納されている印画データに基づいて、発
熱素子２に印加される電力のオン・オフを個々に制御す
る作用を為す。

【００１９】これら複数のドライバーＩＣ５は、従来周
知のフェースダウンボンディング法を採用し、その下面
に設けられた複数個の端子５ａ，５ｂを後述するＩＣ接
続用金メッキ層７を介して個別電極配線４やグランド電
極配線６等に半田接合させることによって絶縁基板１の
上面に取着・実装される。尚、この場合、前記絶縁基板
１の上面とドライバーＩＣ５の下面との間には４０〜５
０μｍ程度の隙間が形成されることとなる。

【００２０】また、前記絶縁基板１の上面には、前記ド
ライバーＩＣ５のグランド端子５ｂに電気的に接続され
るグランド電極配線６が取着される。前記グランド電極
配線６は、一端側上面に前記ドライバーＩＣ５のグラン
ド端子５ｂに半田接合するためのＩＣ接続用金メッキ層
７が、他端側上面に外部配線基板１１の配線（図示せ
ず）に半田接合するための外部接続用金メッキ層８がぞ
れぞれ被着されており、その一端側で前記ドライバーＩ
Ｃ５及び個別電極配線４を介して発熱素子２に電気的に
接続され、他端側で後述する外部配線基板１１を介して
電源のマイナス（−）極側の端子に電気的に接続され
る。

【００２１】また前記グランド電極配線６上に設けたＩ
Ｃ接続用金メッキ層７及び外部接続用金メッキ層８は、
グランド電極配線６をドライバーＩＣ５のグランド端子
５ｂや外部配線基板１１の配線に対して半田接合する
際、その半田濡れ性を良好になすためのものであり、こ
れら金メッキ層７，８が被着されている箇所でのみグラ
ンド電極配線６をドライバーＩＣ５の端子５ａや外部配
線基板１１の配線に半田接合させる。前記ＩＣ接続用金
メッキ層７は、図３に示す如く、個々のグランド電極配
線６上に複数個ずつ、ドライバーＩＣ５の長さ方向に沿
って一列に設けられる。

【００２２】尚、前記グランド電極配線６は、前述した
共通電極配線３や個別電極配線４と同様に、アルミニウ
ム等の金属を従来周知のスパッタリング法及びフォトリ
ソグラフィー技術等を採用し、所定厚み、所定パターン
に被着させることによって絶縁基板１の上面に形成され
る。

【００２３】また前記ＩＣ接続用金メッキ層７及び外部
接続用金メッキ層８は、従来周知の電界メッキ法等を採
用し、グランド電極配線６上に２．０〜５．０μｍの厚
みに被着させることによって同時に形成される。

【００２４】そして、前記グランド電極配線６の表面
で、かつ前記ＩＣ接続用金メッキ層７と外部接続用金メ
ッキ層８との間の領域には、ドライバーＩＣ５の長さ方
向と略平行に延びる帯状金メッキ層９ａが形成される。

【００２５】前記帯状金メッキ層９ａは、前述したＩＣ
接続用金メッキ層７や外部接続用金メッキ層８と同一の
厚み（２．０〜５．０μｍ）で、かつ同質の金（Ａｕ）
により、複数個のＩＣ接続用金メッキ層７と外部接続用
金メッキ層８との間に壁を作るように形成されており、
その一部を隣接するＩＣ接続用金メッキ層７−７間の領
域に向かって延在させている。

【００２６】前記帯状金メッキ層９ａは、後述する保護
樹脂１０を形成するエポキシ樹脂（液状前駆体）の濡れ
性が悪いことから、保護樹脂１０を絶縁基板１上に形成
する際、液状前駆体の流れを良好にせき止めて保護樹脂
１０のエッジの位置を設定することができ、液状前駆体
が帯状金メッキ層９ａを越えて外部配線基板１１との半
田接合部に向かって広がろうとするのを有効に防止する
ことができる。この結果、外部配線基板１１の半田付け
を行うにあたって外部接続用金メッキ層８の表面を良好
な状態で露出させておくことができるようになり、サー
マルヘッドの生産性が向上される。

【００２７】また前記帯状金メッキ層９ａは、その一部
が隣接するＩＣ接続用金メッキ層７−７間の領域に向か
って延在させていることから、保護樹脂１０を絶縁基板
１上に形成する際、液状前駆体の一部をこの延在部Ａに
沿って隣接するＩＣ接続用金メッキ層７−７間の領域に
流し込み、保護樹脂１０の一部を絶縁基板１の上面とド
ライバーＩＣ５の下面との隙間に良好に充填させること
ができる。これにより、絶縁基板１とドライバーＩＣ５
との間には殆ど気泡が存在しなくなり、液状前駆体を硬
化させる際の熱やサーマルヘッドの使用時の熱が印加さ
れてもドライバーＩＣ５を良好に取着・実装させておく
ことができ、これによってもサーマルヘッドの生産性、
並びに信頼性を大幅に向上させることが可能となる。

【００２８】しかも、前記帯状金メッキ層９ａは、ＩＣ
接続用金メッキ層７及び外部接続用金メッキ層８等と同
じ材質（メッキされた金）により形成されるため、これ
らの金メッキ層７，８，９ａは全て同一の工程で同時に
形成することができ、これによってもサーマルヘッドの
生産性が高く維持される。

【００２９】更に、図２や図３に示す如く、個別電極配
線４の一部上面にも個々に金メッキ層９ｂを被着させて
おけば、保護樹脂１０を絶縁基板１上に形成する際、液
状前駆体の流れを発熱素子２側でも良好にせき止めるこ
とができ、これによって、保護樹脂１０を形成するため
の液状前駆体の使用量を必要最小限に抑えることができ
る。従って個別電極配線４の一部上面にも個々に金メッ
キ層９ｂを被着させておくことが好ましい。

【００３０】また更に、前記帯状金メッキ層９ａや個別
電極配線４上の金メッキ層９ｂをＩＣ接続用金メッキ層
７から２００〜４００μｍだけ離れた位置に形成してお
くことにより、個々の金メッキ層７，９ａ，９ｂをより
正確にパターニングすることができる。従って帯状金メ
ッキ層９ａや金メッキ層９ｂはＩＣ接続用金メッキ層７
から２００〜４００μｍだけ離れた位置に形成すること
が好ましい。

【００３１】尚、前記帯状金メッキ層９ａは、前述した
如く、従来周知の電界メッキ法等を採用し、グランド電
極配線６上に２．０〜５．０μｍの厚みに被着させるこ
とによってＩＣ接続用金メッキ層７及び外部接続用金メ
ッキ層８等と同時に形成される。

【００３２】そして、前述した複数個のドライバーＩＣ
５は保護樹脂１０によって共通に被覆される。前記保護
樹脂１０は、エポキシ樹脂等から成り、複数個のドライ
バーＩＣ５を大気中に含まれている水分等の接触による
腐食や感熱記録媒体の摺接等から保護することに加え、
印画に際して感熱紙等の感熱記録媒体をその表面で支持
することによって感熱記録媒体を発熱素子２上に案内す
るための案内部材としても機能する。

【００３３】尚、前記保護樹脂１０は、例えばエポキシ
樹脂から成る場合、液状に成したエポキシ樹脂の前駆体
をディスペンサー等を用いて複数個のドライバーＩＣ５
上に帯状に塗布し、これを１００〜２００℃の温度で加
熱・硬化させることによって複数個のドライバーＩＣ５
を共通に被覆するように形成される。

【００３４】そして更に、前記絶縁基板１の後端側に
は、外部配線基板１１が半田接合される。前記外部配線
基板１１は、フレキシブル印刷配線基板（ＦＰＣ）等か
ら成り、その一端に取着されるコネクタ１２を介してプ
リンタ本体等の外部電気回路に接続され、これによって
絶縁基板１上の発熱素子２やドライバーＩＣ５等にプリ
ンタ本体からの電力や印画データ等の信号を供給するよ
うになっている。

【００３５】かくして上述した本発明のサーマルヘッド
は、ドライバーＩＣ５の駆動に基づき、共通電極配線３
及び個別電極配線４間に印加される電源電力によって発
熱素子２を個々に選択的に発熱させるとともに、該発熱
した熱を感熱紙等の感熱記録媒体に伝導させ、感熱記録
媒体に印画データに対応した所定の印画を形成すること
によってサーマルヘッドとして機能する。

【００３６】尚、本発明は上述の形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。

【００３７】例えば、上述の形態においてはグランド電
極配線６の上面に被着した複数個のＩＣ接続用金メッキ
層７を一列に配列させたが、これに代えて千鳥状に配列
させても構わない。

【００３８】また上述の形態において、グランド電極配
線６と各種金メッキ層７，８，９ａ，９ｂとの間に、両
者間の密着力を高く維持するために、ニッケル（Ｎｉ）
メッキ層やパラジウム（Ｐｄ）層などを介在させておい
ても良い。

【００３９】更に上述の形態においては帯状金メッキ層
９ａの延在部Ａを三角形状になしたが、これに代えて帯
状金メッキ層９ａの延在部Ａを矩形状になしても良い。

【００４０】また更に上述の形態においてはＩＣ接続用
金メッキ層を四角形状になしたが、これに代えてＩＣ接
続用金メッキ層を円形になしても構わない。

【００４１】更にまた上述の形態において絶縁基板１上
の発熱素子２等を窒化珪素やガラス等から成る保護膜１
３で被覆しても良いことは勿論である。

【００４２】

【発明の効果】本発明のサーマルヘッドによれば、グラ
ンド電極配線の表面で、かつ前記ＩＣ接続用金メッキ層
と外部接続用金メッキ層との間の領域に、ドライバーＩ
Ｃの長さ方向と略平行に延びる帯状金メッキ層を形成し
たことから、保護樹脂を絶縁基板上に形成する際、保護
樹脂となる液状前駆体の流れを該前駆体の濡れ性が悪い
帯状金メッキ層によって良好にせき止め、保護樹脂のエ
ッジの位置を設定することができる。従って、外部配線
基板の半田付けを行うにあたって外部接続用金メッキ層
の表面を良好な状態で露出させておくことができ、サー
マルヘッドの生産性が向上されるようになる。

【００４３】また本発明のサーマルヘッドによれば、前
記ＩＣ接続用金メッキ層を複数個、設けるとともに、こ
れらＩＣ接続用金メッキ層をドライバーＩＣの長さ方向
に沿って一列もしくは千鳥状に配列し、前記帯状金メッ
キ層の一部を隣接するＩＣ接続用金メッキ層間の領域に
向かって延在させて形成することにより、保護樹脂を絶
縁基板上に形成する際、液状前駆体の一部をこの延在部
に沿ってドライバーＩＣと絶縁基板との隙間に流し込
み、保護樹脂の一部を良好に充填することができる。よ
って、絶縁基板とドライバーＩＣとの間には殆ど気泡が
存在しなくなり、液状前駆体を硬化させる際の熱やサー
マルヘッドの使用時の熱が印加されてもドライバーＩＣ
を良好に取着・実装させておくことができ、これによっ
てもサーマルヘッドの生産性、並びに信頼性が大幅に向
上される。

【００４４】更に本発明のサーマルヘッドによれば、前
記帯状金メッキ層は、ＩＣ接続用金メッキ層や外部接続
用金メッキ層と同じ金メッキにより形成されるため、こ
れらの金メッキ層を全て同一の工程で同時に形成するこ
とができ、サーマルヘッドの生産性が高く維持される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一形態にかかるサーマルヘッドの平面
図である。

【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。

【図３】図１のサーマルヘッドに設けられる各種金メッ
キ層のパターンを示す要部拡大図である。

【図４】従来のサーマルヘッドの断面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・発熱素子 ３・・・共通電極配線 ４・・・個別電極配線 ５・・・ドライバーＩＣ ５ｂ・・端子 ６・・・グランド電極配線 ７・・・ＩＣ接続用金メッキ層 ８・・・外部接続用金メッキ層 ９ａ・・帯状金メッキ層 １０・・・保護樹脂

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板の上面に、複数個の発熱素子を直
   線状に配列した発熱素子列と、該発熱素子の各一端に接
   続される共通電極配線と、前記発熱素子の各他端に接続
   される複数個の個別電極配線と、前記個別電極配線に電
   気的に接続され、前記発熱素子列と略平行に配置される
   矩形状のドライバーＩＣと、一端側上面に前記ドライバ
   ーＩＣの端子に半田接合するためのＩＣ接続用金メッキ
   層が、他端側上面に外部配線基板の配線に半田接合する
   ための外部接続用金メッキ層が被着され、前記ドライバ
   ーＩＣ及び個別電極配線を介して発熱素子に電気的に接
   続されるグランド電極配線と、前記ドライバーＩＣを被
   覆する保護樹脂と、を取着させて成り、前記共通電極配
   線及びグランド電極配線間に印加される電源電力によっ
   て前記発熱素子を発熱・駆動させるサーマルヘッドであ
   って、 前記グランド電極配線の表面で、かつ前記ＩＣ接続用金
   メッキ層と外部接続用金メッキ層との間の領域に、ドラ
   イバーＩＣの長さ方向と略平行に延びる帯状金メッキ層
   を形成し、該帯状金メッキ層で前記保護樹脂のエッジの
   位置を設定したことを特徴とするサーマルヘッド。
2. 【請求項２】前記ＩＣ接続用金メッキ層を単一のグラン
   ド電極配線上に複数個、設けるとともに、これらＩＣ接
   続用金メッキ層をドライバーＩＣの長さ方向に沿って一
   列もしくは千鳥状に配列し、前記帯状金メッキ層の一部
   を隣接するＩＣ接続用金メッキ層間の領域に向かって延
   在せしめたことを特徴とする請求項１に記載のサーマル
   ヘッド。