JPH11245133A

JPH11245133A - スライダ製造用治具

Info

Publication number: JPH11245133A
Application number: JP4752698A
Authority: JP
Inventors: Sadao Kawada; 貞夫川田
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1998-02-27
Filing date: 1998-02-27
Publication date: 1999-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】従来では、薄膜素子を有するスライダバーを
個々のスライダに切断する際に、前記スライダバーを保
持する治具は絶縁体で形成されていたため、薄膜素子内
の金属層に静電分極が発生し、金属層間の放電により、
特に磁気抵抗効果素子層が破壊されるといった問題があ
った。【解決手段】治具１５を、例えば導電性のプラスチッ
クなどで形成し、前記治具１５の表面抵抗を１×１０⁶
（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）未満となるように適性に調節する。これにより、薄
膜素子１３を有するスライダバー１４を前記治具１５に
接合しても、前記薄膜素子１３内の金属層に静電分極は
発生せず、従って従来のように金属層間で放電は起こら
ず、磁気抵抗効果素子層を電気的な破壊から保護するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録／再生用の薄
膜素子を有するスライダを所定形状に形成する際に、前
記スライダを保持する治具に係り、特に前記薄膜素子の
電気的な破壊を防止することができるスライダ製造用治
具に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置などに使用される磁
気ヘッドは、板ばね材料で形成された支持部材の先端
に、セラミック材料で形成されたスライダが設けられて
おり、このスライダのトレーリング側に薄膜素子が成膜
されている。この薄膜素子は、磁性材料のパーマロイ
（Ｎｉ―Ｆｅ系合金）や絶縁材料のアルミナなどが積層
されたものであり、磁気記録媒体に記録された磁気記録
信号を再生する磁気検出部、または磁気記録媒体に磁気
信号を記録する磁気記録部、あるいは磁気検出部と磁気
記録部の双方を含むものである。磁気検出部は例えば磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）により構成されたＭＲヘッ
ドである。また磁気記録部は、コイルとコアがパターン
形成されたインダクティブヘッドにより構成される。

【０００３】ところで、前記スライダの母材となるセラ
ミック材は、まず円板状に形成され、その後、前記セラ
ミック材上に、前記薄膜素子が並列に複数個パターン形
成される。そして前記セラミック材が角材状にスライダ
バーとして切断され、このスライダバーが図７に示す治
具３０に固定される。

【０００４】図７は、治具及びこの治具に固定されたス
ライダバーの斜視図、図８は図７の平面図である。図７
に示すように治具３０には、その先端部に複数の溝部３
１が形成されている。なおこの治具３０は、例えば絶縁
性のセラミックスなどで形成されている。

【０００５】まず、前記治具３０のスライダバー４０と
の接合面にワックスなどを塗布し、図７に示すように、
前記スライダバー４０を前記治具３０に接合する。なお
符号４１は、前述した薄膜素子である。その後、図８に
示すように、各溝部３１に対して平行な矢印方向から、
冷却水を噴射しながら、回転砥石などにより、前記スラ
イダバー４０を切断する。この切断工程によって、１つ
のスライダバー４０から、複数個のスライダを得ること
ができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
前述したように図７に示す治具３０は、例えば絶縁性の
セラミックスなどで形成されている。しかし、前記治具
３０が表面抵抗の高い絶縁体で形成されていると、スラ
イダバー４０が前記治具３０に接合されたとき、前記ス
ライダバー４０の端面に形成されている薄膜素子４１内
の金属層の電荷が分極（静電分極）を起こし、前記薄膜
素子４１内部で放電が起こりやすく、この放電により、
磁気検出部の磁気抵抗効果素子層が熱で破壊されてしま
うといった問題が生じていた。

【０００７】また前記治具３０が、表面抵抗の低い導電
体で形成されていると、スライダバー４０が前記治具３
０に接合されたとき、前記治具３０から、磁気抵抗効果
素子層に過大な電流が流れ、これにより、前記磁気抵抗
効果素子層が破壊されてしまうといった問題があった。

【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、薄膜素子を有するスライダを保持するため
の治具を半導電性の材質で形成して、前記薄膜素子内の
磁気抵抗効果素子層の電気的な破壊を防止できるように
したスライダ製造用治具を提供することを目的としてい
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、記録／再生用
の薄膜素子を有するスライダを、所定形状に形成する際
に用いられる治具であって、前記治具の表面抵抗は、１
×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓ
ｑｕａｒｅ）未満の範囲内であることを特徴とするもの
である。

【００１０】本発明では、前記治具は、半導電性のセラ
ミックス（イオン導電性セラミックなど）で形成されて
いてもよいし、あるいは半導電性のプラスチック（イオ
ン導電性高分子など）で形成されていてもよい。

【００１１】あるいはカーボン粉末や導電性フィラーが
高分子材料中に混入された複合導電材料であってもよ
い。

【００１２】また前記治具は、絶縁体の表面に界面活性
剤を付着して形成されていてもよいし、あるいは絶縁体
の表面に水分を付着して形成されていてもよい。

【００１３】なお本発明では、前記治具は、スライダバ
ーを個々のスライダに切断する際に、前記スライダバー
を保持するためのものであったり、あるいはスライダ表
面に浮上面を形成する際に、前記スライダを保持するた
めのものである。

【００１４】従来では、図７に示すスライダバー４０を
個々のスライダに切断する際に用いられる治具３０は、
例えばセラミックなどの絶縁体で形成されていた。

【００１５】図７に示すようにスライダバー４０の端面
（トレーリング側端面）には薄膜素子４１が形成されて
いる。

【００１６】この薄膜素子４１は、磁気抵抗効果素子
層、ＳＨＵＮＴ層、ＳＡＬ層の３層から成るＡＭＲ膜、
あるいはフリー磁性層、非磁性導電層、固定磁性層、及
び反強磁性層から成るスピンバルブ膜などの磁気抵抗効
果素子層を有するＭＲヘッド（磁気検出部）と、コアと
コイルとから成るインダクティブヘッド（磁気記録部）
とからなり、前記ＭＲヘッド及びインダクティブヘッド
は、例えばパーマロイなどで形成された金属層と、絶縁
層との積層構造となっている。

【００１７】ところで従来では、図７に示すように、絶
縁性の治具３０にスライダバー４０が接合されると、薄
膜素子４１のＭＲヘッドにおける磁気抵抗効果素子層が
熱破壊を起こすといった問題があった。

【００１８】図５は、ＭＲヘッドを構成する各金属層の
模式図であり、図５を参照して、磁気抵抗効果素子層２
の熱破壊のメカニズムを以下に説明する。

【００１９】前述したように治具３０は絶縁体であるの
で、図５に示すように、仮に、前記治具３０がプラスの
電荷に帯電しているとすると、ＭＲヘッドを構成する下
部シールド層１（例えばパーマロイなどで形成されてい
る）のマイナス電荷は、治具３０側に引き寄せられ、プ
ラス電荷とマイナス電荷とが図５に示すように静電分極
した状態となる。

【００２０】同様に、下部シールド層１の上に絶縁層
（図示しない）を介して形成されている磁気抵抗効果素
子層２のマイナス電荷も、下部シールド層１の上層部に
分極したプラス電荷に引き寄せられることにより、プラ
ス電荷とマイナス電荷が静電分極する。

【００２１】また図５に示すように、前記磁気抵抗効果
素子層２の両側に形成されている符号３は、例えばＣｏ
−Ｐｔ（コバルト−白金）合金などで形成されたハード
バイアス層３であり、符号４は、Ｃｒ（クロム）などで
形成されている導電層４であるが、これらの層も、図５
に示すように、プラス電荷とマイナス電荷とが静電分極
した状態となる。

【００２２】さらに、前記導電層４の上に絶縁層（図示
しない）を介して形成されているパーマロイなどで形成
された上部シールド層５のマイナス電荷も、磁気抵抗効
果素子層２及び導電層４の上層部に分極したプラス電荷
に引き寄せられ、プラス電荷とマイナス電荷とが静電分
極した状態となる。

【００２３】このようにＭＲヘッドの各金属層が図５に
示すような静電分極した状態にあり、各金属層間の電位
差が層間の距離や材料で決定される絶縁破壊電圧を越え
ると、この間で放電が発生し、この放電の発生箇所で電
流が集中し、金属層が熱によって溶融してしまう。

【００２４】特に、各金属層間の電位差が、５００Ｖ以
上になると、この間で放電が起こると考えられ、この放
電により前記磁気抵抗効果素子層２が熱で破壊されてし
まう。

【００２５】また治具３０に用いられる材質を絶縁体に
代えて、表面抵抗の低い導電体で形成しても、絶縁体の
治具３０を使用した場合と同様に、磁気抵抗効果素子２
が熱により破壊されてしまうことがある。この現象を図
６で説明する。

【００２６】磁気抵抗硬化素子層２の上下に積層されて
いる下部ギャップ層６と上部ギャップ層７は絶縁材料で
形成されているため、成膜時の摩擦や外部電荷の影響に
より、各ギャップ層６，７に静電気による電荷が帯電す
ることがある。例えば、図６に示すように、上下のギャ
ップ層６，７にプラス電荷が帯電していると、前記下部
ギャップ層６の上に形成されている磁気抵抗効果素子層
２及びハードバイアス層３の下層側には、マイナス電荷
が引き寄せられる。

【００２７】同様に磁気抵抗効果素子層２及び導電層４
の上層部にマイナス電荷が引き寄せられる。

【００２８】このようにハードバイアス層３及び磁気抵
抗効果素子層２の下層側、及び導電層４及び磁気抵抗効
果素子層２の上層側に、マイナス電荷が引き寄せられる
ことにより、図６に示すように、ハードバイアス層３と
導電層４との間、及び磁気抵抗効果素子層２の中間は、
プラス電荷が支配的となって平衡状態となる。

【００２９】このような静電分極が発生しているとき
に、導電性の治具がハードバイアス層４などに接触する
と、治具の電子が、導電層４のプラス電荷が支配的とな
っている部分から入り込んで、過大な電流が導電層４か
ら磁気抵抗効果素子層２に流れて、磁気抵抗効果素子層
２にジュール熱による発熱が生じ、層間のマイグレーシ
ョンが発生して劣化したり、あるいは熱による溶融破壊
を生じることがある。

【００３０】本発明では、上述した静電分極のメカニズ
ムに基づいて、薄膜素子を有するスライダを保持する治
具は、絶縁体に比べて帯電しにくく、しかも磁気抵抗効
果素子層などの静電分極を徐々に解消して素子に過大な
電流が流れない、いわゆる半導電体の材質で形成されて
いる。

【００３１】ここで、導電体、半導電体、絶縁体の定義
であるが、一般的には、導電体としての表面抵抗は、０
以上１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満、半導電体と
しての表面抵抗は、１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以
上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満、絶縁体として
の表面抵抗は、１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上で
ある。

【００３２】そこで本発明では、薄膜素子を有するスラ
イダを保持する治具は、その表面抵抗が、１×１０
⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ）未満の範囲内であることを必要条件としている。

【００３３】本発明では、表面抵抗が１×１０⁶以上１
×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内であれば、
前記治具の材質はどのようなものであってもよい。

【００３４】前記治具は、例えば導電性のセラミックス
で形成されている。導電性のセラミックスとしては、Ｚ
ｒＯ₂―Ｙ₂Ｏ₃の組成式などで形成されるイオン導電体
を挙げることができる。

【００３５】また導電性セラミックスに代えて、導電性
のプラスチックを用いることができる。導電性のプラス
チックとしては、ポリアセチレンなどの導電性高分子、
プラスチックに金属粉末などのフィラーを混合させた導
電性フィラー、あるいはイオン伝導性高分子を挙げるこ
とができる。

【００３６】さらに本発明では、従来から治具として使
用されている絶縁性のセラミックス表面に界面活性剤や
水分を付着させて、前記治具の表面抵抗が、１×１０⁶
（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）未満の範囲内となるように、適性に調節してもよ
い。

【００３７】例えば図７に示す治具３０にスライダバー
４０をワックスを介して接合した状態で、前記スライダ
バー４０を個々のスライダに切断した後、界面活性剤を
用いて前記スライダを治具３０から取り外す。

【００３８】本発明では、界面活性剤が付着したままの
状態で、治具を保存し、あるいは、治具に水分や界面活
性剤を付着させて、前記治具の表面抵抗が、１×１０⁶
（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）未満の範囲内となるようにしている。

【００３９】なお本発明は、薄膜素子を有するスライダ
を所定形状に形成する際に、前記スライダを保持する全
ての治具に適用される。

【００４０】例えば前記治具は、スライダを所定形状に
切断する際に、前記スライダを保持するためのものであ
ったり、あるいはスライダ表面に浮上面を形成する際
に、前記スライダを保持するためのものである。

【００４１】

【発明の実施の形態】図１は、ハードディスクなどに搭
載される本発明のスライダを記録媒体との対向面（ＡＢ
Ｓ面；浮上面）を上向きにして示した斜視図である。図
１に示したスライダ８は、アルミナ・チタンカーバイ
ト、またはＳｉ（シリコン）などのセラミック材料によ
り形成されており、記録媒体であるハードディスクとの
対向部にエアーグルーブ９が形成され、その両側にレー
ル部１０，１０が形成されている。

【００４２】図１に示すように、前記レール部１０，１
０は所定のクラウン形状で形成されており、前記レール
部１０，１０の表面は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面；浮上面）１１，１１となっている。また、前記レー
ル部１０，１０のリーディング側Ａ端部には傾斜部１
２，１２が形成されている。スライダ８のトレーリング
側Ａの端面（端部）には、薄膜素子１３が設けられてい
る。前記薄膜素子１３は、ＡＭＲ素子やスピンバルブ型
薄膜素子などの磁気抵抗効果素子層を有する再生用のＭ
Ｒヘッドと、磁性材料のコアとコイルとで形成される記
録用のインダクティブヘッドとが積層されたものであ
る。

【００４３】図２は、記録用のＭＲヘッドの構造を示す
断面図ある。図２に示す符号１は、センダストやＮｉ―
Ｆｅ系合金（パーマロイ）などにより形成された下部シ
ールド層である。なおこの下部シールド層１は、図１に
示すスライダ８のトレーリングＢ側の端面上に設けられ
ている。この下部シールド層１の上に、Ａｌ₂Ｏ₃（アル
ミナ）などの非磁性材料による下部ギャップ層６が形成
され、さらにその上に磁気抵抗効果素子層２が成膜され
る。

【００４４】前記磁気抵抗効果素子層２は、ＡＭＲ（am
isotropic magnetoresistive）素子やスピンバルブ膜に
代表されるＧＭＲ（giant magnetoresistive）素子から
成り、記録媒体からの漏れ磁界を抵抗変化としてとら
え、電圧変化として出力可能とする。前記磁気抵抗効果
素子２の両側には、縦バイアス層としてハードバイアス
層３が形成され、さらに前記ハードバイアス層３の上に
Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）などの電気抵抗の小さ
い非磁性導電性材料の導電層４が形成される。

【００４５】そして、図２に示すように前記導電層４の
上には、アルミナなどの非磁性材料による上部ギャップ
層７が形成され、さらに前記上部ギャップ層７の上に
は、センダストやパーマロイなどによる上部シールド層
５が形成される。図１に示すスライダ８には、その下面
側、すなわち記録媒体との対向面（ＡＢＳ面；浮上面）
の逆面側に、板ばね材料で形成されたフレキシャやロー
ドビームによる支持部材が取付けられ、磁気ヘッド装置
が完成する。前記磁気ヘッド装置は、ＣＳＳ方式などに
よって作動するものであり、図１に示すスライダ８が記
録媒体から一定量浮上した状態で、薄膜素子１３による
記録・再生が行われる。

【００４６】ところで、図１に示すスライダ８は、その
母材となるセラミック材が、最初、円板状に形成され
る。その後、前記セラミック材の上に、薄膜素子１３
が、並列に複数個パターン形成され、さらに前記セラミ
ック材が、スライス状に切断されると、図３に示すよう
なスライダバー１４が、１つの円板状のセラミック材か
ら複数個形成される。なおこのとき、図３に示すよう
に、スライダバー１４の端面には、複数個の薄膜素子１
３が成膜されている。

【００４７】図３に示す符号１５は、前記スライダバー
１４を個々のスライダ８に切断する際に、前記スライダ
バー１４を保持するための治具である。この治具１５に
は、その先端に段差部１６が形成されている。図３に示
すように、前記段差部１６には、複数個の溝部１７が形
成されており、この溝部１７が前記スライダバー１４
を、例えば回転砥石で切断したときの、前記回転砥石の
逃げ溝となっている。前記スライダバー１４を個々のス
ライダ８に切断する際には、前記治具１５の段差部１６
の接合面１８に、例えばワックスなどを塗布し、前記ス
ライダバー１４を、前記ワックスを介して治具１５の接
合面１８に接合する。

【００４８】図４は、スライダバー１４が治具１５に接
合された状態を示す平面図である。図４に示すように、
スライダバー１４が治具１５に接合されると、溝部１７
に対して平行な矢印方向から、例えば回転砥石などによ
り、前記スライダバー１４を個々のスライダ８に切断す
る。

【００４９】ところで本発明では、前記治具１５の表面
抵抗は、１×１０⁶以上１０¹²未満（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）の範囲内となっている。この範囲内であると、前記
治具１５は、いわゆる半導電性の性質を有し、図４に示
すように、前記治具１５にスライダバー１４を接合した
とき、前記スライダバー１４の端面に形成されている薄
膜素子１３内の磁気抵抗効果素子層２（図２参照）を電
気的な破壊から防止することが可能である。

【００５０】すなわち本発明では、前記治具１５を、絶
縁体のように高い表面抵抗を有する材質で形成せず、前
記治具１５の帯電を極力抑えることができるため、図２
に示す下部シールド層１、磁気抵抗効果素子層２、ハー
ドバイアス層３、導電層４、及び上部シールド層５に、
図５に示すような静電分極は発生しにくい。従って磁気
抵抗効果素子層２と、下部シールド層１との間、及び磁
気抵抗効果素子層２と上部シールド層５との間で、静電
分極による放電は起こらず、前記磁気抵抗効果素子層２
を保護することができる。

【００５１】また本発明では、前記治具１５を、導電体
のように低い表面抵抗を有する材質で形成しないため、
図６に示すように帯電している絶縁層６，７に挟まれた
磁気抵抗効果素子層２、ハードバイアス層３、及び導電
層４に治具１５が接触しても、従来のように磁気抵抗効
果素子層２に過大な電流が流れにくく、前記磁気抵抗効
果素子層２を保護することができる。

【００５２】本発明では、１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内
の表面抵抗を有する半導電性の材料として、まず導電性
のセラミックスを提示することができる。導電性のセラ
ミックスとしては、例えばＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃
−Ｙ₂Ｏ₃、ＰｂＣｌ₂、Ｌi₁₄Ｍｇ（ＧｅＯ₄）₄、ＰｂＦ
₂、Ｌｉ₃Ｎ（単結晶）、Ｎａ−β−アルミナ（多結
晶）、７ＣｕＢｒ・Ｃ₆Ｈ₁₂Ｎ₄ＣＨ₃Ｂｒ、Ｈ₃ＰＷ₁₂Ｏ
₄₀・２９Ｈ₂Ｏ、Ｎａ−β−アルミナ（単結晶）、Ｒｂ
Ａｇ₄Ｉ₅などに代表されるイオン導電体を例示できる。

【００５３】また本発明では、前記導電性のセラミック
スの他に、導電性のプラスチックを使用してもよい。導
電性のプラスチックとしては、例えばポリアセチレン、
ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリ−２．５−チュニ
レンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリイソチアナフテ
ン、ポリベリナフタレンなどに代表される導電性高分
子、プラスチックマトリクスにカーボンブラック、金属
粉末、あるいは金属メッキ無機物などの金属系フィラー
を複合した導電性フィラー、ポリエチレンオキサイド＋
ＬｉＣｌＯ₄（１２：１）、γ線照射によるポリエチレ
ンオキサイド架橋体＋ＬｉＣｌＯ₄（１：８）、ポリプ
ロピレン＋ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃（９：１）、ポリエチレン・
アジペイ酸誘導体＋ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃（４：１）、ポリエ
チレン・コハク酸誘導体＋ＬｉＢ¢₄（６：１）、ポリ
フォスファゼン（ＭＥ７Ｐ）＋ＬｉＣＦ₂ＳＯ₃（１６：
１）、ポリフォスゼン架橋体（１ＸＭＰ）＋ＬｉＣＦ₃
ＳＯ₃（３２：１）、直錯状ポリシロキサン（ＰＭＭ５
７）＋ＬｉＣｌＯ₄（２５：１）、不飽和ウレタンを架
橋させたトリオール型ポリエチレンオキサイド＋ＬｉＣ
ｌＯ₄（５０：１）、３つの官能基を持つウレタンを架
橋させたＰＥＯ―ＰＰＯ―ＰＥＯブロックコポリマー＋
ＬｉＣｌＯ₄（２０：１）などのイオン伝導性高分子を
例示できる。

【００５４】また本発明では、治具１５を従来と同様に
絶縁体で形成した場合であっても、前記治具１５の表面
に、界面活性剤や水分を付着させておくことで、前記治
具１５の表面抵抗を１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以
上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内とする
ことができる。

【００５５】また本発明では、スライダ８の製造工程で
使用される前記スライダ８を保持するための治具とし
て、図３に示すようなスライダバー１４を個々のスライ
ダ８に切断する際に使用される治具１５を挙げたが、本
発明は、薄膜素子１３を有するスライダ８を保持するた
めの全ての治具に適用されるものである。

【００５６】図３に示す治具１５以外としては、例えば
図１に示すように、スライダ８表面にエアグルーブ９が
形成され、前記エアグルーブ９よりも一段高い位置に記
録媒体との対向面（ＡＢＳ面；浮上面）１１が形成され
ているが、このＡＢＳ面１１を形成する際に、前記スラ
イダ８の両側面を保持するための治具も、その表面抵抗
が１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω
／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内にしておく必要がある。

【００５７】以上のように本発明では、スライダ８を保
持する際に用いられる治具の表面抵抗を１×１０⁶（Ω
／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）
未満の範囲内となるようにしているので、前記スライダ
の端面に形成された薄膜素子１３内の金属層に、静電分
極が発生しにくく、従って静電分極によって起こる放電
や、過大な電流による磁気抵抗効果素子層２の破壊を防
止することができる。

【００５８】

【実施例】本発明では、導電性ジルコニア、絶縁性ジル
コニア、及びアルミナによって、スライダを保持するた
めの治具を作製し、各治具の表面抵抗、接地漏洩抵抗、
及び摩擦帯電圧を測定した。なお表面抵抗は、各治具の
表面に２つの導電性ゴムを有する測定電極を接触させた
状態で、前記測定電極間の抵抗を測定して行われた。

【００５９】また接地漏洩抵抗は、各治具の表面に導電
性ゴムを有する測定電極を接触させ、接地極をアースに
落した状態で、前記測定電極と接地極との間の抵抗を測
定して行われた。なお接地漏洩抵抗とは、物体自体の抵
抗、電極等の接地抵抗、接地抵抗等をすべて総合した、
物体と大地間の抵抗のことである。なお前記表面抵抗、
及び接地漏洩抵抗の測定は、測定電圧を１５Ｖとして行
われた。

【００６０】また摩擦帯電圧は、布などによって、各治
具の表面をこすり、その後、非接触表面電位計によって
測定した。実験では、まず導電性ジルコニア、絶縁性ジ
ルコニア、及びアルミナによって形成された治具の表面
に、界面活性剤を塗布した状態（以下、ＩＰＡ洗浄前と
いう）で、各治具における表面抵抗、接地漏洩抵抗、及
び摩擦帯電圧を測定した。次に、ＩＰＡによって、各治
具の表面から前記界面活性剤を洗い流し（以下、ＩＰＡ
洗浄後という）、その後、各治具における表面抵抗、接
地漏洩抵抗、及び摩擦帯電圧を測定した。その実験結果
を表１ないし表３に示す。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１に示すように、導電性ジルコニアで形
成された治具の場合、ＩＰＡ洗浄前（界面活性剤が付着
した状態）、及びＩＰＡ洗浄後（界面活性剤が付着して
いない状態）のどちらの場合であっても、前記治具の表
面抵抗及び接地漏洩抵抗は１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内
となっている。また摩擦帯電圧は、ＩＰＡ洗浄前、及び
ＩＰＡ洗浄後のどちらの場合であっても０（Ｖ）となっ
ている。このため、例えば図３に示す治具１５を、導電
性ジルコニアで形成すれば、界面活性剤を付着させても
付着させなくてもよい。

【００６３】

【表２】

【００６４】

【表３】

【００６５】次に表２及び表３に示すように、絶縁性ジ
ルコニア及びアルミナで形成された治具の場合、界面活
性剤が付着している状態での前記治具の表面抵抗及び接
地漏洩抵抗は、１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１
×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内となってい
る。また摩擦帯電圧も比較的低い値となっていることが
わかる。

【００６６】これに対し、ＩＰＡで界面活性剤を除去し
た後の前記治具の表面抵抗及び接地漏洩抵抗は、１×１
０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）よりも大きくなっており、摩
擦帯電圧も、ＩＰＡ洗浄前に比べて高い値となっている
ことがわかる。すなわち、絶縁性ジルコニア及びアルミ
ナなどの絶縁体で、例えば図３に示す治具１５を形成し
た場合、前記治具１５に界面活性剤を付着させて使用す
れば、、前記治具１５の表面抵抗を１×１０⁶（Ω／ｓ
ｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満
の範囲内に収めることができる。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明では、薄膜素
子を有するスライダを所定形状に形成する際に、前記ス
ライダを保持するための治具の表面抵抗を、１×１０⁶
（Ω／ｓｑｕａｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）未満の範囲内にしているので、前記薄膜素子内の金
属層に静電分極は発生しにくく、従って従来のように、
金属層間での放電や、過大な電流による磁気抵抗効果素
子層の破壊を防止することができる。

【００６８】本発明では前記治具を、例えば導電性のセ
ラミックスで形成し、あるいは導電性のプラスチックで
形成する。

【００６９】さらに本発明では、従来から治具として使
用されている絶縁体の表面に、界面活性剤や水分を付着
させて、治具の表面抵抗を１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａｒ
ｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲内
にすることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】ハードディスクなどに搭載される本発明のスラ
イダを記録媒体との対向面（ＡＢＳ面；浮上面）を上向
きにして示した斜視図、

【図２】記録用のＭＲヘッドの構造を示す断面図、

【図３】１実施例として、スライダバーを保持するため
の治具の構造を示す斜視図、

【図４】図３に示す治具とスライダバーとの接合状態を
示す平面図、

【図５】薄膜素子を有するスライダと絶縁体の治具とが
接合された場合における、前記薄膜素子内の金属層の電
荷の分布を示す模式図、

【図６】薄膜素子を有するスライダと導電体の治具とが
接合された場合における、前記薄膜素子内の金属層と絶
縁層との電荷の分布を示す模式図、

【図７】従来の治具に、スライダバーが接合された状態
を示す斜視図、

【図８】図７の平面図、

【符号の説明】

１下部シールド層２磁気抵抗効果素子層３ハードバイアス層４導電層５上部シールド層６下部ギャップ層７上部ギャップ層８スライダ９エアグルーブ１０レール部１１対向面（ＡＢＳ面；浮上面）１２傾斜面１３薄膜素子１４スライダバー１５治具１６段差部１７溝部１８接合面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録／再生用の薄膜素子を有するスライ
ダを、所定形状に形成する際に用いられる治具であっ
て、前記治具の表面抵抗は、１×１０⁶（Ω／ｓｑｕａ
ｒｅ）以上１×１０¹²（Ω／ｓｑｕａｒｅ）未満の範囲
内であることを特徴とするスライダ製造用治具。
【請求項２】前記治具は、半導電性のセラミックスで
形成されている請求項１記載のスライダ製造用治具。
【請求項３】前記治具は、半導電性のプラスチックで
形成されている請求項１記載のスライダ製造用治具。
【請求項４】前記治具は、絶縁体の表面に界面活性剤
を付着して形成される請求項１記載のスライダ製造用治
具。
【請求項５】前記治具は、絶縁体の表面に水分を付着
して形成される請求項１記載のスライダ製造用治具。
【請求項６】前記治具は、スライダバーを個々のスラ
イダに切断する際に、前記スライダバーを保持するため
のものである請求項１ないし請求項５のいずれかに記載
のスライダ製造用治具。
【請求項７】前記治具は、スライダ表面に浮上面を形
成する際に、前記スライダを保持するためのものである
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のスライダ製
造用治具。