JPH11246232A - ガラス物品の製造方法及び装置 - Google Patents

ガラス物品の製造方法及び装置

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JPH11246232A
JPH11246232A JP5220298A JP5220298A JPH11246232A JP H11246232 A JPH11246232 A JP H11246232A JP 5220298 A JP5220298 A JP 5220298A JP 5220298 A JP5220298 A JP 5220298A JP H11246232 A JPH11246232 A JP H11246232A
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JP
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flame
measurement
glass
measurement line
burner
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JP5220298A
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English (en)
Inventor
Tomohiro Ishihara
朋浩 石原
Tatsuhiko Saito
達彦 齋藤
Motonori Nakamura
元宣 中村
Yuichi Oga
裕一 大賀
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • C03B37/0142Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/70Control measures

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  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的簡単な装置によりガラス微粒子を含む
火炎状態を計測することができ、その結果に基づいてバ
ーナの操作条件を調整することによって製造条件の適正
化を行うことができ、品質良好なガラス物品を、効率よ
く安定的に製造することができるガラス物品の製造方法
及びそのための装置を提供すること。 【解決手段】 VAD法又はOVD法によりガラス微粒
子堆積体を形成させる方法において、火炎からの発光を
CCDカメラでモニターし、観察される輝度及び/又は
該輝度から求められる温度に基づいてガラス微粒子合成
用バーナの操作条件を調整することによって製造条件の
適正化を行うことを特徴とするガラス物品の製造方法、
及びそのための装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はVAD法やOVD法
によるガラス物品の製造方法及び装置に関し、特にガラ
ス微粒子の堆積速度が向上し、長距離伝送用に適した低
損失の光ファイバ母材などの品質良好なガラス物品を、
効率よく安定的に製造することができるガラス物品の製
造方法及びそのための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ母材などのガラス物品の製造
方法として、ガラス原料ガス噴出ポート、燃焼用ガス噴
出ポート及び不活性ガス噴出ポートを備えたガラス微粒
子合成用バーナで火炎を形成し、この火炎中にガラス原
料ガスを供給して火炎加水分解反応によりガラス微粒子
を合成し、生成したガラス微粒子を出発材の先端から軸
方向に堆積させるVAD法又は出発材の外周に半径方向
に堆積させるOVD法が知られている。これらの方法に
おいて、ガラス微粒子合成用バーナによるガラス微粒子
堆積のメカニズムはサーモホレシス効果(微細な粒子は
温度勾配の中で高温側から低温側の方向に温度勾配に比
例した力を受ける)の影響が非常に大きいと考えられて
いる。このサーモホレシス効果を含め、ガラス微粒子堆
積効率を向上させる要件としてはバーナ構造、合成条件
等がある。サーモホレシス効果を推進するバーナ構造の
検討は試行錯誤に依存しており、また、ガラス微粒子堆
積効率はガス原料や燃焼用ガスの供給割合などによって
も微妙に変化するため、ガラス微粒子堆積速度が早く、
ガラス微粒子合成収率の高いガラス物品の製造条件は確
立されていないのが現状である。
【0003】このことはバーナにより形成されるガラス
微粒子を含む火炎状態の把握が困難であることに起因し
ている。火炎中にレーザー光を入射してその散乱光を観
察し、そのデータに基づいてバーナへの原料供給量を制
御するための装置が提案されているが(特開昭56−1
20533号公報)、この装置はガラス微粒子の生成量
を増加させるように調整することを目的としており、ガ
ラス微粒子のコアロッドへの堆積効率に大きく影響する
サーモホレシス効果を効果的に推進することについては
全く配慮されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来技術の実状に鑑み、比較的簡単な装置によりガラス微
粒子を含む火炎状態を計測することができ、その結果に
基づいてガラス微粒子合成用バーナの操作条件を調整す
ることによって、サーモホレシス効果を配慮した製造条
件の適正化を行うことができ、品質良好なガラス物品
を、効率よく安定的に製造することができるガラス物品
の製造方法及びそのための装置を提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らはガラス微粒
子合成用バーナを用いたガラス物品の製造方法について
鋭意検討の結果、CCDカメラを使用して火炎からの発
光を観察し、特定の測定ラインにおける単色出射能及び
/又はその単色出射能から算出される温度に基づいてバ
ーナの操作条件を調整することにより、前記課題が解決
できることを見出し本発明を完成した。すなわち、本発
明は次の(1)〜(9)の構成を含むものである。
【0006】(1)ガラス原料ガス噴出ポート、燃焼用
ガス噴出ポート及び不活性ガス噴出ポートを備えたガラ
ス微粒子合成用バーナで火炎を形成し、この火炎中にガ
ラス原料ガスを供給して火炎加水分解反応によりガラス
微粒子を合成し、生成したガラス微粒子を出発材の先端
から軸方向に堆積させるVAD法又は出発材の外周に半
径方向に堆積させるOVD法によりガラス微粒子堆積体
を形成させる方法において、前記火炎からの発光をCC
Dカメラでモニターし、観察される単色出射能及び/又
は該単色出射能から求められる温度に基づいてガラス微
粒子合成用バーナの操作条件を調整することによって製
造条件の適正化を行うことを特徴とするガラス物品の製
造方法。
【0007】(2)CCDカメラを火炎の中心軸に対し
て垂直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の
中心軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライ
ン上の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を測定
し、火炎の中心軸を通る測定ラインの単色出射能の測定
ラインに沿った積算値Nと測定単色出射能が最大となる
測定ラインの単色出射能の測定ラインに沿った積算値M
を求め、ガラス微粒子合成用バーナの操作条件をM/N
の値が1.7以上、かつMが式で表される2000℃
における単色出射能の理論値であるf(λ)の値より大
きくなるように調整することを特徴とする前記(1)の
ガラス物品の製造方法。
【数2】 f(λ)=c1 /〔λ5 ・{exp(c2 /2273・λ)−1}〕・・・ 式中λは測定波長( μm)でありc1 、c2 はそれぞれ次
の定数を表す。 c1 :3.2179×108 ( kcal・μm4 / m2 ・h) c2 :14388 ( μm ・K )
【0008】(3)CCDカメラを火炎の中心軸に対し
て垂直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の
中心軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライ
ン上の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を、同一
測定ラインについてそれぞれ複数の波長で測定し、前記
複数の波長のうちの2波長における単色出射能の測定ラ
インに沿った積算値の比から各測定ラインにおける火炎
温度を算出し、火炎温度の最大値Pと火炎の中心軸を通
る測定ラインの温度Qを求め、Pが2000℃以上及び
/又はP−Qの値が100℃以上となるように調整する
ことを特徴とする前記(1)のガラス物品の製造方法。
【0009】(4)CCDカメラを火炎の中心軸に対し
て垂直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の
中心軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライ
ン上の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を、同一
測定ラインについてそれぞれ複数の波長で測定し、特定
波長における火炎の中心軸を通る測定ライン上の単色出
射能の測定ラインに沿った積算値Nと測定単色出射能が
最大となる測定ライン上の単色出射能の測定ラインに沿
った積算値Mを求め、ガラス微粒子合成用バーナの操作
条件をM/Nの値が1.7以上となるように調整し、か
つ、前記複数の波長のうちの2波長における単色出射能
の測定ラインに沿った積算値の比から各測定ラインにお
ける火炎温度を算出し、火炎温度の最大値Pと火炎の中
心軸を通る測定ラインの温度Qを求め、Pが2000℃
以上及び/又はP−Qの値が100℃以上となるように
調整することを特徴とする前記(1)のガラス物品の製
造方法。
【0010】(5)前記2波長のうち、一方の波長が4
00〜500nmの範囲にあり、他方の波長が500n
mを超え、600nm以下の範囲にあることを特徴とす
る前記(3)又は(4)のガラス物品の製造方法。
【0011】(6)前記ガラス微粒子合成用バーナの操
作条件の調整を、ガラス微粒子合成用バーナの構造、位
置、原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガス
供給量のいずれか1種以上を調整することによって行う
ことを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれかのガラ
ス物品の製造方法。
【0012】(7)前記ガラス微粒子合成用バーナの位
置、原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガス
供給量のいずれか1種以上の調整を、CCDカメラから
の出力をもとに自動制御することによって行うことを特
徴とする前記(6)のガラス物品の製造方法。
【0013】(8)ガラス原料ガス噴出ポート、燃焼用
ガス噴出ポート及び不活性ガス噴出ポートを備えたガラ
ス微粒子合成用バーナで火炎を形成し、この火炎中にガ
ラス原料ガスを供給して火炎加水分解反応によりガラス
微粒子を合成し、生成したガラス微粒子を出発材の先端
から軸方向に堆積させるVAD法又は出発材の外周に半
径方向に堆積させるOVD法によりガラス微粒子堆積体
を形成させる方法によりガラス物品の製造を行う装置に
おいて、前記火炎からの発光をモニターするCCDカメ
ラと、該CCDカメラによりモニターした画像の出力信
号をを解析してモニター画面上に単色出射能を規格化数
値として表示する画像解析装置とを備えてなることを特
徴とするガラス物品の製造装置。
【0014】(9)前記(8)の構成に加えて、前記画
像解析装置からの信号に基づいてガラス微粒子合成用バ
ーナの位置、原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不
活性ガス供給量のいずれか1種以上を自動的に制御する
制御装置を備えてなることを特徴とするガラス物品の製
造装置。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の方法においては火炎の状
態を評価、解析する方法としてCCDカメラを火炎の中
心軸に対して垂直に配置し、測定位置の火炎断面につい
て、火炎の中心軸を通る測定ラインとそれに平行な複数
の測定ライン上の単色出射能を測定し、その単色出射能
又はその単色出射能に基づいて算出される温度により、
バーナの操作条件を制御する。なお、以下の記載におい
て単色出射能及びその規格化数値は各測定ライン上の測
定ラインに沿った積算値である。
【0016】第1の方法は規格化数値として計測される
単色出射能をそのまま利用する方法であり、その場合
は、測定断面において特定の波長についての各測定ライ
ンの単色出射能からその断面における単色出射能分布を
求める。そして、火炎の中心軸を通る測定ライン(通常
の場合、このラインにおける単色出射能は極小値とな
る)の単色出射能Nと測定単色出射能が最大となる測定
ラインの単色出射能Mを求め、ガラス微粒子合成用バー
ナの操作条件をM/Nの値が1.1以上となり、かつM
が前記式で表されるf(λ)の値より大きくなるよう
に調整する。
【0017】第2の方法は測定した単色出射能の値から
温度を算出し、その温度に基づいてガラス微粒子合成用
バーナの操作条件を調整する方法である。すなわち、同
一測定ラインについて複数の異なる波長で単色出射能の
値を測定し(規格化数値の形で得られる)、そのうちの
2種類の波長λ1 及びλ2 について、それぞれの単色出
射能の比をHとすれば次の式により温度T(℃)を算
出することができる。
【数3】 T=14388×(1/λ2 −1/λ1 )/ln{H(λ1 /λ2 )5 } −273.15 ・・・・・ T:火炎温度(℃) λ1 、λ2 :測定波長(μm) H:(波長λ1 における単色出射能)/(波長λ2 にお
ける単色出射能) この方法により各測定ラインにおける火炎温度を算出
し、火炎温度の極大値Pが2000℃以上及び/又は火
炎温度の最大値Pと火炎の中心軸を通る測定ラインの温
度Qとの差(P−Q)が100℃以上となるようにガラ
ス微粒子合成用バーナの操作条件を調整する。
【0018】前記2種類の波長としては一方の波長を4
00〜500nmの範囲とし、他方の波長を500nm
を超え、600nm以下の範囲とするのが好ましい。こ
のような波長範囲が好ましい理由は、単色出射能に差が
見られ、かつ放射率にあまり差がない波長帯であり、単
色出射能比の算出手段として一般的に使用されているC
CDカメラでの測定に適した波長帯であるためである。
【0019】前記の単色出射能による調整と温度による
調整は別々に行うことができるが、両者を併用して行う
こともできる。前記ガラス微粒子合成用バーナの操作条
件の調整は、ガラス微粒子合成用バーナの構造、位置、
原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガス供給
量のいずれか1種以上を調整することによって行うこと
ができる。
【0020】前記方法を実際のガラス微粒子合成に適用
する方法としては、予め本発明に係る火炎状態の評価、
解析法により操作条件(構造を含む)を最適化したバー
ナを用いてガラス微粒子の合成を行うようにしてもよ
く、また、バーナ火炎をCCDカメラでモニターしなが
らガラス微粒子の合成を行い、適当な時間毎に前記の
M、N、P、Qなどの値を求め、それに基づいて適切な
火炎状態となるようにバーナの操作条件を調整しながら
操業するようにしてもよい。さらに、CCDカメラによ
るモニターで計測される単色出射能の規格化数値に基づ
いて自動的にバーナの操作条件を調整行うようにするこ
ともできる。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照した実施例により本発明を
さらに具体的に説明するが本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。以下の実施例において用いたバ
ーナの基本構成を図2に示す。図2(a)は中心軸に垂
直な面の断面図、図2(b)は中心軸を含む面の断面図
である。図2のバーナにおいては、中心の原料ガス噴出
ポート11の外周に第1の可燃性ガス噴出ポート又は不
活性ガス噴出ポート12を設け、この外周に複数の酸素
ガス噴出ポートを内包する環状の第2の水素ガス噴出ポ
ート15を設ける。酸素ガス噴出ポートは中心のガラス
原料ガス噴出ポート11に対して同心円上に2列配列さ
れ、各列ごとに同一の焦点距離を有する酸素ガス噴出ポ
ート13、14を形成している。酸素ガス噴出ポートは
2列とし、それぞれ8本ずつで構成した。図2中の16
は不活性ガス噴出ポート、17は酸素ガス噴出ポートで
ある。
【0022】図1に本実施例における、バーナ火炎につ
いて単色出射能及び温度を測定する構成を示す。バーナ
1からの火炎(スス流)2の中心軸4に対して垂直にC
CDカメラ5を配置してバーナ火炎をモニターした。モ
ニターした画像の出力信号は画像解析装置6へ送られ、
モニター画面上に単色出射能の規格化数値として表示さ
れる。単色出射能の規格化数値は(k×単色出射能)で
表される。kはそれぞれの測定系において実験的に求め
られる定数であり、本実施例に係る測定系の場合はk=
9.3678×10-5(m2 ・h・μm/kcal)で
ある。温度が決まると単色出射能の波長依存性は一意的
に定まる。よって、異なる波長の単色出射能比Hから温
度を求めることができる(前記式参照)。
【0023】測定は火炎2の任意の測定個所7におい
て、中心軸4に垂直な測定ライン3を定め、そのライン
で観測される単色出射能を規格化数値の形で計測するこ
とによって行う。測定ライン3は図4に示すように測定
断面において、火炎(スス流、発光源となるスス粒子が
存在している領域)の中心軸4を通る測定ラインX0
(図の8)と測定ラインX0に平行な任意の数の測定ラ
インX(図の9)とする。以下の実施例、比較例におい
ては波長570nm及び430nmの2波長について測
定したが、測定ラインXにおける波長570nmの単色
出射能の規格化数値をF(X)、波長430nmの単色
出射能の規格化数値をG(X)とする。また、波長57
0nm及び430nmにおける単色出射能が最大となる
測定ラインの単色出射能の規格化数値をA及びB、火炎
の中心軸を通る測定ラインの単色出射能の規格化数値を
A′及びB′とした。
【0024】(実施例1)前記図2の構造のバーナを使
用して火炎の単色出射能及び温度測定を行った。この例
において、原料ガスは原料ガス噴出ポート11からSi
Cl4 を6リットル/min、水素ガスは第1の水素ガ
ス噴出ポート(可燃性ガス噴出ポート12)から4リッ
トル/min、第2の水素ガス噴出ポート15から15
0リットル/min、酸素ガスは第1列の8本の酸素ガ
ス噴出ポート13から合わせて30リットル/min、
第2列の8本の酸素ガス噴出ポート14から合わせて3
0リットル/min流した。また、不燃性ガス噴出ポー
ト16からはArガスを4リットル/min、酸素ガス
噴出ポート17からは酸素ガスを50リットル/min
供給した。
【0025】図1で示されるようにバーナから1cm間
隔毎で20cmまでの各測定個所における単色出射能分
布を波長430nmと波長570nmにおいてそれぞれ
計測した。バーナから10cm離れた測定箇所における
波長570nmの単色出射能分布、すなわちF(X)の
分布を図5(a)に、波長430nmの単色出射能分
布、すなわちG(X)の分布を図5(b)に示す。ま
た、F(X)/G(X)で示される単色出射能比を式
(前記式に測定波長430nm及び570nmを代入
した式)に代入することによりスス流断面における温度
分布を求めた結果を図5(a)に併記した。
【0026】図5(a)において単色出射能規格化数値
の最大値(測定ラインX2における単色出射能の規格化
数値)をA、火炎中心軸を通る測定ラインX0における
単色出射能の規格化数値をA′とするとAは89.05
9、A′は11.563であり、A/A′=7.702
となった。同様に図5(b)においては単色出射能規格
化数値の最大値(測定ラインX2における単色出射能の
規格化数値)をB、火炎中心軸を通る測定ラインX0に
おける単色出射能の規格化数値をB′とすると、Bは2
1.914、B′は8.993であった。図5(a)及
び(b)から同一測定ライン上の単色出射能比(例えば
A/B)から温度分布を求めた結果、温度が最大となる
測定ラインX1における火炎温度は2650℃となっ
た。また、測定ラインX0における火炎温度は2100
℃となった。さらに、この測定を火炎長手方向各測定個
所において行い、火炎長手方向(バーナから1〜20c
mの範囲)の平均値を算出した結果、ラインX0におけ
る火炎温度は2100℃、ラインX1における火炎温度
は2700℃、A/A′は8.91となった。
【数4】 T=8218.36/ln(H×4.093)−273.15・・・ T:火炎温度(℃) H:(波長570nmにおける単色出射能)/(波長4
30nmにおける単色出射能)
【0027】次に本バーナを図3に示すOVD法装置に
適用し、前記の条件でガラス微粒子合成を行った。図3
中、23はバーナ、28はロッド、25は昇降装置、2
6は排気口、24はシード棒、22は本体、21はガラ
ス微粒子を示す。堆積中に、酸素ガス噴出ポート先端か
ら多孔質ガラス母材堆積面までの距離が170mmで一
定となるように、バーナを後退させながら多孔質ガラス
母材の合成を行った。このときのガラス堆積速度は1
3.5g/min、収率は82%となった。また、本実
施例においては助燃性ガスポートを中心軸方向に向けた
焦点型バーナを用いたが、単に環状の可燃性ガス噴出ポ
ートの回りに助燃性ガス噴出ポートを設けたバーナにお
いても有効である。
【0028】(比較例1)実施例1と同じ構成のバーナ
を使用し、水素ガス及び酸素ガスの流量を変えてガラス
微粒子合成を行った。第2の水素ガスポート15からの
流量を150リットル/minから100リットル/m
in、酸素ガスは第1列の8本の酸素ガス噴出ポート1
3からの流量を30リットル/minから15リットル
/min、第2列の8本の酸素ガス噴出ポートからの流
量を30リットル/minから15リットル/minに
変更した。
【0029】CCDカメラを使用し、実施例1と同様に
してバーナから1cm間隔毎で20cmまでの各測定個
所における単色出射能分布を波長430nmと波長57
0nmにおいてそれぞれ計測した。バーナから10cm
離れた測定箇所における波長570nmの単色出射能分
布、すなわちF(X)の分布を図6(a)に、波長43
0nmの単色出射能分布、すなわちG(X)の分布を図
6(b)に示す。また、F(X)/G(X)で示される
単色出射能比を前記式に代入することでスス流断面に
おける温度分布を求めた。
【0030】その結果、温度が最大となる測定ラインX
1における火炎温度は1750℃となった。また、火炎
中心軸を通る測定ラインX0における火炎温度は161
0℃となった。さらに図6(a)において単色出射能規
格化数値の最大値をA、測定ラインX0における単色出
射能規格化数値をA′とするとAは1.911、A′は
0.704であり、A/A′=2.714となった。ま
た、この測定を火炎長手方向各測定個所において行い、
火炎長手方向(バーナから1〜20cm)の平均値を算
出した結果、ラインX0における火炎温度は1600
℃、ラインX1における火炎温度は1700℃、A/
A′は1.98となった。
【0031】次に本バーナを図3に示すOVD法装置に
適用し、前記の条件でガラス微粒子合成を行った。堆積
中に、酸素ガス噴出ポート先端から多孔質ガラス母材堆
積面までの距離が170mmで一定となるようにバーナ
を後退させながら多孔質ガラス母材の合成を行った。こ
のときのガラス堆積速度は8.0g/min、収率は5
5%となった。
【0032】(比較例2)酸素ガス噴出ポート数が実施
例1及び比較例1とは異なるバーナを使用してガラス微
粒子の合成を行った。酸素ガス噴出ポートは同心円上に
第1列6本、第2列に12本、合計18本配置させた。
原料ガスはSiCl4 を6リットル/minとし、水素
ガスは第1の水素ガス噴出ポート(可燃性ガス噴出ポー
ト12)から4リットル/min、第2の水素ガス噴出
ポート15から150リットル/min、酸素ガスは第
1列の6本の酸素ガス噴出ポートから合わせて30リッ
トル/min、第2列の12本の酸素ガス噴出ポートか
ら合わせて30リットル/min流した。
【0033】CCDカメラを使用し、実施例1、比較例
1と同様にしてバーナから1cm間隔毎で20cmまで
の各測定個所における単色出射能分布を波長430nm
と波長570nmにおいてそれぞれ計測した。バーナか
ら10cm離れた測定箇所における波長570nmの単
色出射能分布、すなわちF(X)の分布を図7(a)
に、波長430nmの単色出射能分布、すなわちG
(X)の分布を図7(b)に示す。また、F(X)/G
(X)で示される単色出射能比を前記式に代入するこ
とでスス流断面における温度分布を求めた。
【0034】その結果、温度が最大となる測定ラインX
1における火炎温度は2010℃となった。また、火炎
中心軸を通る測定ラインX0における火炎温度は200
0℃となった。さらに図7(a)において単色出射能の
規格化数値の最大値をA、測定ラインX0における単色
出射能の規格化数値をA′とするとAは7.913、
A′は7.538であり、A/A′=1.05となっ
た。また、この測定を火炎長手方向各測定個所において
行い、火炎長手方向(バーナから1〜20cm)の平均
値を算出した結果、ラインX0における火炎温度は19
90℃、ラインX1における火炎温度は2000℃、A
/A′は1.05となった。
【0035】次に本バーナを図3に示すOVD法装置に
適用し、前記の条件てガラス微粒子合成を行った。堆積
中に、酸素ガス噴出ポート先端から多孔質ガラス母材堆
積面までの距離が170mmで一定となるように、バー
ナを後退させながら多孔質ガラス合成を行った。このと
きのガラス堆積速度は7.0g/min、収率は50%
となった。
【0036】実施例1及び比較例1、2の結果と、条件
を変えて行った他の実験結果を合わせて、測定ラインX
1と測定ラインX0における温度差、測定ラインX1に
おける温度、A/A′の値(長手方向平均値)を表1に
まとめた。また、測定ラインX1の温度が2000℃で
一定のときの、測定ラインX1と測定ラインX0との温
度差と堆積速度及び収率との関係を図8に、測定ライン
X1と測定ラインX0との温度差が100℃で一定のと
きの、測定ラインX1における火炎温度と堆積速度及び
収率との関係を図9に示す。
【0037】
【表1】
【0038】以上の結果から、堆積速度を向上させるた
めには、測定ラインX1の温度Pと測定ラインX0の温
度Qとの温度差が大きくかつ火炎温度の最大値(すなわ
ちP)が大きいこと、又は単色出射能比(A/A′値)
が大きくかつ火炎温度の最大値Pが大きいこと、が重要
であることがわかる。特に収率65%以上を得るために
は火炎中心の温度(前記Q)とその外周の最も温度の高
い部分の温度(前記P)との温度差が100℃以上、若
しくはA/A′が1.70以上、好ましくは2.5以上
であり、かつ、火炎温度の最大値Pが2000℃以上で
あることが好ましい。さらに、温度差が200℃である
となお好ましい結果が得られる。火炎中心と外周との温
度差が大きいほどサーモホレシス効果が働き、ガラス微
粒子の付着効率が大きくなることを裏付ける結果であ
る。
【0039】(実施例2)実施例1と同構成のバーナを
使用し、原料ガス(SiCl4 )は、原料ガス噴出ポー
ト11から6リットル/min、水素ガスは第1の水素
ガス噴出ポート(可燃性ガス噴出ポート12)から4リ
ットル/min、第2の水素ガス噴出ポート15から1
50リットル/min、酸素ガスは第1列の8本の酸素
ガス噴出ポート13から合わせて30リットル/mi
n、第2列の8本の酸素ガス噴出ポート14から合わせ
て30リットル/min流し、図3に示すOVD法装置
に適用してガラス微粒子の合成を行った。
【0040】堆積中に、ガス噴出ポート先端から多孔質
ガラス母材堆積面までの距離が170mmで一定となる
ようにバーナを後退させながら多孔質ガラス母材を合成
した。また、合成中バーナから10cmの位置における
単色出射能分布を波長570nmにおいて計測した。前
記と同様に任意の測定ラインXにおける単色出射能の規
格化数値をF(X)とする。スス流中心を含む測定ライ
ンX0の単色出射能の規格化数値をA′とし、F(X)
の最大値をAとするとAは55.821(2500℃に
おける単色出射能の理論値に相当)、A′は15.94
9であり、A/A′=3.50となった。この測定をス
ス付け中に1分間隔で行い、A/A′値が3.00以
上、かつAが40以上となるよう第1列酸素ガス噴出ポ
ートのガス流量を制御した。なお、Aを40とすること
によって、Aから換算される単色出射能の最大値は4.
27×105 kcal/(m2 ・h・μm)となり、2
400℃における単色出射能の理論値2.47×105
kcal/(m2 ・h・μm)とほぼ等しく、前記式
で表されるf(λ)の値よりも十分大きくなっている。
単色出射能比A/A′と第1列酸素ガス噴出ポートのガ
ス流量との関係は式のとおりである。
【数5】 Dn+1 =100×(Wn −Wn-1 )+Dn ・・・・ Wn :測定回数nにおける単色出射能比A/A′ Dn :測定回数nにおける酸素流量(リットル/mi
n)
【0041】式に従い第1列酸素ガス噴出ポートのガ
ス流量を調整し、単色出射能比を3.00以上、かつA
が40以上となるように制御しながらガラスの合成を行
った結果、ガラス堆積速度は14g/min、収率は8
5%となり、良好な結果が得られた。本実施例において
は助燃性ガスポートを中心軸方向に向けた焦点型バーナ
を用いたが、単に環状の可燃性ガス噴出ポートの回りに
助燃性ガス噴出ポートを設けたバーナにおいても有効で
ある。また、本実施例では単色出射能比をオンラインで
制御しながらガラス母材の合成を行ったが、最高温度若
しくは温度差(スス流外側とスス流内側の温度差)のい
ずれか、又はこれらの項目の2つ以上についてオンライ
ンで制御しながらガラス母材の合成を行っても同様の効
果が得られる。
【0042】以上、実施例及び比較例に示したようにC
CDカメラで火炎をモニターし、簡易的に火炎構造を解
析することで堆積速度を向上するのに必要な火炎条件や
バーナ構造を明確化できる。本実施例ではOVD法での
多孔質母材作製例を示したが、これに限られるものでは
なくVAD法に適用できることはいうまでもない。
【0043】
【発明の効果】本発明の方法によれば、比較的簡単な装
置によりガラス微粒子を含む火炎状態を計測、解析する
ことができ、その結果に基づいてガラス微粒子合成用バ
ーナの操作条件を調整することによって製造条件の適正
化を行うことにより品質良好なガラス物品を、効率よく
安定的に製造することができる。ガラス微粒子を含む火
炎状態を計測、解析するパラメータとして、CCDカメ
ラによる単色出射能の規格化数値及び/又は該単色出射
能の規格化数値から算出される火炎温度を用いることに
より、精度よくバーナの操作条件を調整することができ
る。本発明の装置によれば、前記本発明の方法を容易に
実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法におけるバーナ火炎の単色出射能
及び温度を測定する構成を示す説明図。
【図2】実施例、比較例において用いたバーナの基本構
成を示す断面図。
【図3】OVD法によるガラス微粒子合成装置の1例を
示す説明図。
【図4】本発明における単色出射能の測定ラインを示す
説明図。
【図5】実施例1におけるバーナ火炎の単色出射能分布
及び温度分布を示す図。
【図6】比較例1におけるバーナ火炎の単色出射能分布
を示す図。
【図7】比較例2におけるバーナ火炎の単色出射能分布
を示す図。
【図8】最高温度が2000℃で一定のときの、測定ラ
インX1と測定ラインX0との温度差と堆積速度及び収
率との関係を示す図。
【図9】測定ラインX1と測定ラインX0との温度差が
100℃で一定のときの、最高温度と堆積速度及び収率
との関係を示す図。
【符号の説明】
1 バーナ 2 火炎 3 測定ライン 4 中
心軸 5 CCDカメラ 6 画像解析装置 7 測定個
所 8 測定ラインX0 9 測定ラインX 11 原料ガス噴出ポート 12 可燃性ガス噴出ポ
ート 13 酸素ガス噴出ポート 14 酸素ガス噴出ポー
ト 15 水素ガス噴出ポート 16 不活性ガス噴出ポ
ート 17 酸素ガス噴出ポート 21 ガラス微粒子 22 本体 23 バーナ
24 シード棒 25 昇降装置 26 排気口 27 ロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02B 6/00 356 G02B 6/00 356A (72)発明者 大賀 裕一 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス原料ガス噴出ポート、燃焼用ガス
    噴出ポート及び不活性ガス噴出ポートを備えたガラス微
    粒子合成用バーナで火炎を形成し、この火炎中にガラス
    原料ガスを供給して火炎加水分解反応によりガラス微粒
    子を合成し、生成したガラス微粒子を出発材の先端から
    軸方向に堆積させるVAD法又は出発材の外周に半径方
    向に堆積させるOVD法によりガラス微粒子堆積体を形
    成させる方法において、前記火炎からの発光をCCDカ
    メラでモニターし、観察される単色出射能及び/又は該
    単色出射能から求められる温度に基づいてガラス微粒子
    合成用バーナの操作条件を調整することによって製造条
    件の適正化を行うことを特徴とするガラス物品の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 CCDカメラを火炎の中心軸に対して垂
    直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の中心
    軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライン上
    の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を測定し、火
    炎の中心軸を通る測定ラインの単色出射能の測定ライン
    に沿った積算値Nと測定単色出射能が最大となる測定ラ
    インの単色出射能の測定ラインに沿った積算値Mを求
    め、ガラス微粒子合成用バーナの操作条件をM/Nの値
    が1.7以上、かつMが式で表される2000℃にお
    ける単色出射能の理論値であるf(λ)の値より大きく
    なるように調整することを特徴とする請求項1に記載の
    ガラス物品の製造方法。 【数1】 f(λ)=c1 /〔λ5 ・{exp(c2 /2273・λ)−1}〕・・・ 式中λは測定波長( μm)でありc1 、c2 はそれぞれ次
    の定数を表す。 c1 :3.2179×108 ( kcal・μm4 / m2 ・h) c2 :14388 ( μm ・K )
  3. 【請求項3】 CCDカメラを火炎の中心軸に対して垂
    直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の中心
    軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライン上
    の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を、同一測定
    ラインについてそれぞれ複数の波長で測定し、前記複数
    の波長のうちの2波長における単色出射能の測定ライン
    に沿った積算値の比から各測定ラインにおける火炎温度
    を算出し、火炎温度の最大値Pと火炎の中心軸を通る測
    定ラインの温度Qを求め、Pが2000℃以上及び/又
    はP−Qの値が100℃以上となるように調整すること
    を特徴とする請求項1に記載のガラス物品の製造方法。
  4. 【請求項4】 CCDカメラを火炎の中心軸に対して垂
    直に配置し、測定位置の火炎断面について、火炎の中心
    軸を通る測定ラインとそれに平行な複数の測定ライン上
    の単色出射能の測定ラインに沿った積算値を、同一測定
    ラインについてそれぞれ複数の波長で測定し、特定波長
    における火炎の中心軸を通る測定ライン上の単色出射能
    の測定ラインに沿った積算値Nと測定単色出射能が最大
    となる測定ライン上の単色出射能の測定ラインに沿った
    積算値Mを求め、ガラス微粒子合成用バーナの操作条件
    をM/Nの値が1.7以上となるように調整し、かつ、
    前記複数の波長のうちの2波長における単色出射能の測
    定ラインに沿った積算値の比から各測定ラインにおける
    火炎温度を算出し、火炎温度の最大値Pと火炎の中心軸
    を通る測定ラインの温度Qを求め、Pが2000℃以上
    及び/又はP−Qの値が100℃以上となるように調整
    することを特徴とする請求項1に記載のガラス物品の製
    造方法。
  5. 【請求項5】 前記2波長のうち、一方の波長が400
    〜500nmの範囲にあり、他方の波長が500nmを
    超え、600nm以下の範囲にあることを特徴とする請
    求項3又は4に記載のガラス物品の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記ガラス微粒子合成用バーナの操作条
    件の調整を、ガラス微粒子合成用バーナの構造、位置、
    原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガス供給
    量のいずれか1種以上を調整することによって行うこと
    を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラ
    ス物品の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記ガラス微粒子合成用バーナの位置、
    原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガス供給
    量のいずれか1種以上の調整を、CCDカメラからの出
    力をもとに自動制御することによって行うことを特徴と
    する請求項6に記載のガラス物品の製造方法。
  8. 【請求項8】 ガラス原料ガス噴出ポート、燃焼用ガス
    噴出ポート及び不活性ガス噴出ポートを備えたガラス微
    粒子合成用バーナで火炎を形成し、この火炎中にガラス
    原料ガスを供給して火炎加水分解反応によりガラス微粒
    子を合成し、生成したガラス微粒子を出発材の先端から
    軸方向に堆積させるVAD法又は出発材の外周に半径方
    向に堆積させるOVD法によりガラス微粒子堆積体を形
    成させる方法によりガラス物品の製造を行う装置におい
    て、前記火炎からの発光をモニターするCCDカメラ
    と、該CCDカメラによりモニターした画像の出力信号
    をを解析してモニター画面上に単色出射能を規格化数値
    として表示する画像解析装置とを備えてなることを特徴
    とするガラス物品の製造装置。
  9. 【請求項9】 請求項8の構成に加えて、前記画像解析
    装置からの信号に基づいてガラス微粒子合成用バーナの
    位置、原料ガス供給量、燃焼用ガス供給量又は不活性ガ
    ス供給量のいずれか1種以上を自動的に制御する制御装
    置を備えてなることを特徴とするガラス物品の製造装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022095576A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト 合成石英ガラスの調製方法
JP2022095574A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト 合成石英ガラスの調製方法

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JP2022095576A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト 合成石英ガラスの調製方法
JP2022095574A (ja) * 2020-12-16 2022-06-28 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト 合成石英ガラスの調製方法

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