JPH11246552A - アミン誘導体の製造法 - Google Patents

アミン誘導体の製造法

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JPH11246552A
JPH11246552A JP30342998A JP30342998A JPH11246552A JP H11246552 A JPH11246552 A JP H11246552A JP 30342998 A JP30342998 A JP 30342998A JP 30342998 A JP30342998 A JP 30342998A JP H11246552 A JPH11246552 A JP H11246552A
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JP30342998A
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Mamoru Miyazawa
守 宮澤
Hiroyuki Chiba
博之 千葉
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Eisai Co Ltd
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Eisai Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 医薬、香料あるいは染料等、あるいはそれら
の製造中間体として有用なアミン誘導体の、工業的・経
済的に優れた新規製造方法を提供する。 【解決手段】 一般式R1CNで表されるニトリル誘導
体を、水素化ホウ素ナトリウムと硫酸の存在下に還元す
る。[式中、Rは下記一般式で表される基などを示
す]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、医薬、香料あるいは染
料等、あるいはそれらの製造中間体として有用なアミン
誘導体の、工業的・経済的に優れた新規製造方法に関す
る。
【0002】
【従来技術】従来アミン誘導体の製造法としては、多く
の方法が知られているが、ニトリル誘導体を還元する方
法が多用されている。例えばJ.Am.Chem.Soc.,70,3738,1
948.には、水素化アルミニウムリチウムを用いてo-トル
ニトリルを還元し、0-メチルベンジルアミンを得る方法
が開示されている。またHelv.Chim.Acta.,53,47,1970.
には、水素化ホウ素ナトリウム/ラネーNiを用いてベン
ゾニトリルを還元し、ベンジルアミンを得る方法が開示
されている。さらにTetrahedron Lett.,1969,4555.に
は、水素化ホウ素ナトリウム/塩化コバルトを用いてフ
ェニルヒドロキシアセトニトリル[C6H5CH(OH)CN]を還元
し、β-ヒドロキシフェネチルアミン[C6H5CH(OH)CH2N
H2]を得る方法が開示されている。
【0003】
【本発明が解決しようとする問題点】しかし、従来利用
されてきた水素化アルミニウムリチウムは吸湿・失活し
やすいため、溶媒あるいは反応装置に制限があり、工業
的に大量保存・使用することは難しい問題点があった。
また水素化ホウ素ナトリウムは水に対し比較的安定であ
るが、ラネーNiは発火性を有し、やはり工業的に大量保
存・使用することは難しい問題点があった。さらに塩化
コバルトは高価であり、工業的に大量に使用することは
難しかった。
【0004】このように、工業的に優れたアミン誘導体
の製造方法は、まだ確立されていないのが現状であり、
新たな優れた方法が求められていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点の改善を目指して鋭意研究を進めてきた。その結果、
ニトリル誘導体を水素化ホウ素ナトリウムと硫酸の存在
下に還元することにより、目的とするアミン誘導体を高
収率かつ安全・容易・安価に製造できることを見出し本
発明を完成するに至った。
【0006】続いて本発明について詳述する。本発明
は、一般式R1CNで表されるニトリル誘導体(I)[式
中、R1は下記一般式で表される基
【0007】
【化6】
【0008】(式中、下記一般式で表される結合は、単
結合(-CH2-CH2-)または二重結合(-CH=CH-)を意味する。
【0009】
【化7】
【0010】R2は水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を、nは0または1〜3の整
数を意味する。)、下記一般式で表される基
【0011】
【化8】
【0012】(式中、R3は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を意味す
る。)、下記一般式で表される基
【0013】
【化9】
【0014】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を意味す
る。)または下記一般式で表される基
【0015】
【化10】
【0016】(式中、R5は水素原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を、Aは硫黄
原子、酸素原子またはNH基を意味する。)を意味す
る。]を、水素化ホウ素ナトリウムと硫酸の存在下に還
元することを特徴とする、一般式R1CH2NH2(式
中、R1は前記と同様の意味を有する。)で表されるア
ミン誘導体(II)の製造法である。
【0017】ここで、上記一般式中のR2、R3、R4
るいはR5の定義における低級アルキル基とは、メチル
基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル
基、i-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチ
ル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等
の、直鎖または分枝状の炭素数1〜6のアルキル基を意
味する。次に低級アルコキシ基とは、メトキシ基、エト
キシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、i-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、
ヘキシルオキシ基等の炭素数1〜6の低級アルキル基に
酸素原子が結合した基をを意味する。またハロゲン原子
とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子またはヨウ素原
子を意味する。
【0018】ニトリル誘導体(I)としてさらに具体的に
は、例えば以下の化合物を挙げることができる。 (1) 1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-
6-シアノインドリン、(2) 1-[1-(4-クロロフェネチル)
ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドリン、(3) 1-[1-(4
-ブロモフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノイン
ドリン、(4) 1-[1-(4-メチルフェネチル)ピペリジン-4-
イル]-6-シアノインドリン、(5) 1-[1-(4-メトキシフェ
ネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドリン、(6)
1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シ
アノインドール、(7) 1-[1-(4-クロロフェネチル)ピペ
リジン-4-イル]-6-シアノインドール、(8) 1-[1-(4-ブ
ロモフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドー
ル、(9) 1-[1-(4-メチルフェネチル)ピペリジン-4-イ
ル]-6-シアノインドール、(10) 1-[1-(4-メトキシフェ
ネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドール、(11)
ベンゾニトリル、(12) 4-トルニトリル、(13) 3-アニ
スニトリル(3-メトキシベンゾニトリル)、(14) 2-クロ
ロベンゾニトリル、(15) 4-フルオロベンゾニトリル、
(16) 4-シアノピリジン、(17) 2-メチル-4-シアノピリ
ジン、(18) 3-メトキシ-2-シアノピリジン、(19) 4-ク
ロロ-3-シアノピリジン、(20) 2-フルオロ-4-シアノピ
リジン、(21) (2-チエニル)アセトニトリル、(22) (2-
メチル-3-チエニル)アセトニトリル、(23) (5-メトキシ
-2-)シアノチオフェン、(24) (3-クロロ-4-チエニル)ア
セトニトリル、(25) (2-フルオロ-5-チエニル)アセトニ
トリル。
【0019】続いてアミン誘導体(II)としてさらに具体
的には、例えば以下の化合物を挙げることができる。 (1) 1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-
6-アミノインドリン、(2) 1-[1-(4-クロロフェネチル)
ピペリジン-4-イル]-6-アミノインドリン、(3) 1-[1-(4
-ブロモフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-アミノイン
ドリン、(4) 1-[1-(4-メチルフェネチル)ピペリジン-4-
イル]-6-アミノインドリン、(5) 1-[1-(4-メトキシフェ
ネチル)ピペリジン-4-イル]-6-アミノインドリン、(6)
1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-ア
ミノインドール、(7) 1-[1-(4-クロロフェネチル)ピペ
リジン-4-イル]-6-アミノインドール、(8) 1-[1-(4-ブ
ロモフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-アミノインドー
ル、(9) 1-[1-(4-メチルフェネチル)ピペリジン-4-イ
ル]-6-アミノインドール、(10) 1-[1-(4-メトキシフェ
ネチル)ピペリジン-4-イル]-6-アミノインドール、(11)
ベンジルアミン、(12) 4-メチルベンジルアミン、(13)
3-メトキシベンジルアミン、(14) 2-クロロベンジルア
ミン、(15) 4-フルオロベンジルアミン、(16) 4-アミノ
ピリジン、(17) 2-メチル-4-アミノピリジン、(18) 3-
メトキシ-2-アミノピリジン、(19) 4-クロロ-3-アミノ
ピリジン、(20) 2-フルオロ-4-アミノピリジン、(21) 2
-(アミノエチル)チオフェン、(22) 2-メチル-3-(アミノ
エチル)チオフェン、(23) 5-メトキシ-2-(アミノエチ
ル)チオフェン、(24) 3-クロロ-4-(アミノエチル)チオ
フェン、(25) 2-フルオロ-5-(アミノエチル)チオフェ
ン。
【0020】なお、本発明にかかる1-[1-(4-フルオロフ
ェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドリン等
は、特願平9-98433号の実施例124等に従って製造するこ
とができる。その他のニトリル誘導体は公知化合物であ
り、試薬・工業原料等として入手あるいは製造可能であ
る。
【0021】次に、本発明について詳述する。本発明
は、ニトリル誘導体(I)を水素化ホウ素ナトリウムと硫
酸の存在下に還元することを特徴とする、アミン誘導体
(II)の製造法である。ここで水素化ホウ素ナトリウムの
使用量は限定されないが、通常はニトリル誘導体(I)に
対して1.0〜5.0当量が好ましく、より好ましくは2.0〜
4.0当量であり、さらに好ましくは3.0当量である。
【0022】次に硫酸の使用量も限定されないが、通常
はニトリル誘導体(I)に対して1.0〜5.0当量が好まし
く、より好ましくは2.0〜4.0当量であり、さらに好まし
くは3.0当量である。また硫酸は一度に加えてもよい
が、二分割して加えてもよい。その際には最初に2.0当
量を仕込み、その後反応の進行状況をチェックしなが
ら、残りの1.0当量を加えることにより、より好ましい
結果が得られる。
【0023】反応溶媒も限定されず、水素化ホウ素ナト
リウムあるいは硫酸に対して不活性な溶媒であればよ
い。より具体的には、エチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン(THF)、1,4-ジオキサン、ジイソプロピル
エーテル、ジエチルエーテル、t-ブチルメチルエーテ
ル、等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プ
ロパノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、酢
酸エチル、酢酸ブチル、N,N-ジメチルホルムアミド(DM
F)、1-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド(DM
SO)、ヘキサメチルホスホンアミド(HMPA)等を用いるこ
とができる。これらの中でもエチレングリコールジメチ
ルエーテルあるいはジエチレングリコールジメチルエー
テルがより好ましい結果を与える。
【0024】溶媒の利用量も限定されないが、通常はニ
トリル誘導体(I) 1gに対して、0〜100mlを、より好まし
くは0.5〜50mlを、さらに好ましくは1〜20mlを利用す
る。
【0025】反応温度も限定されず、通常は、-78℃〜
溶媒の加熱還流温度で実施することができる。ただし、
出発物質の反応性にも依存し、通常は-78〜150℃、好ま
しくは -30〜100℃、より好ましくは -10〜70℃の範囲
から選択できる。
【0026】反応時間は、溶媒の使用量、反応温度等に
より異なるが、通常は24時間以内に終了する。反応終了
後は、アルコール類および/または水を加え、有機層を
適宜水洗・乾燥・濃縮後、再結晶、各種カラムクロマト
グラフィー、蒸留等の常法により精製することができ
る。本発明の実施によって得られたアミン誘導体(II)は
未精製でも高い純度を有しており、そのまま次工程の原
料とすることもできる。
【0027】続いて本発明を具体的に説明するため、以
下に実施例を掲げるが、本発明がこれらに限定されない
ことは言うまでもない。
【実施例】実施例1 1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピ
ペリジン-4-イル]-6-アセタミドインドリンの合成
【0028】
【化11】
【0029】水素化ホウ素ナトリウム 3.24g(85.8mmol)
のエチレングリコールジメチルエーテル120ml懸濁液
に、特願平9-98433号の実施例124に従って得られた1-[1
-(4-フルオロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノ
インドリン 10.0g(28.6mmol)を溶解した。氷冷下、攪拌
しながら、硫酸 3.18ml(57.2mmol)を滴下した。この反
応液を 60℃で30分間加熱攪拌した後、HPLCにて反応進
行状況をチェックし(図1、2参照)、更に硫酸を 0.80ml
(14.3mmol)ずつ5回滴下した。
【0030】 HPLC 分析条件 ──────────────────────── Column; 15cm, ID;6.0mm, Packing YMC AM312 ODS Mobile phase; MeCN:H2O:HClO4=500:500:1 Oven Temp; 30℃ Flow rate; 1.0ml/min Detector; UV254nm ────────────────────────
【0031】氷冷下、t-ブチルメチルエーテル 100mlで
希釈し、メタノール 20mlにてクエンチした後、4N-水酸
化ナトリウム水溶液 100mlを加え、1-[1-(4-フルオロフ
ェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-アミノインドリンを含
む溶液を得た。この溶液に攪拌下、無水酢酸 3.0ml (3
1.8mmol)を滴下した。10分間攪拌後、分液し、有機層を
水 100mlで3回洗浄した後、減圧濃縮して結晶 11.4gを
得た。これを、メタノール/水=1/1混合溶液にて再結
晶し、白色結晶の標題化合物 9.60gを得た。(収率; 85
%)1 H-NMR(400MHz,CDCl3); δ(ppm) 7.14-7.18(2H,m)、6.9
5-7.00(3H,m)、6.50(1H,dd,J=1.2,7.6Hz)、6.31(1H,d,J=
0.8Hz)、5.61(1H,br)、4.33(2H,d,J=5.6Hz)、3.42(2H,t,J=
8.4Hz)、3.35-3.44(1H,m)、3.11(2H,d,J=12.0Hz)、2.93(2
H,t,J=8.4Hz)、2.77-2.81(2H,m)、2.57-2.61(2H,m)、2.14
(2H,dt,J=3.6,14.8Hz)、2.00(3H,s)、1.71-1.82(4H,m).
【0032】実施例2 ベンジルアミンの合成
【0033】
【化12】
【0034】水素化ホウ素ナトリウム 2.22g(58.8mmol)
のエチレングリコールジメチルエーテル 24ml懸濁液
に、ベンゾニトリル 2.0ml(19.6mmol)を加えた。氷冷
下、攪拌しながら、硫酸 2.10ml(39.4mmol)を滴下し
た。室温にて40分間攪拌した後、更に硫酸を 1.0ml(18.
8mmol)ずつ3回滴下した。氷冷下、t-ブチルメチルエー
テル20mlで希釈し、メタノール 4 mlにてクエンチした
後、4N-水酸化ナトリウム水溶液 27mlを加えた。析出し
た硫酸ナトリウムを濾過した後、分液した。水層をt-ブ
チルメチルエーテル 40mlで2回洗浄し、HPLCの面積値よ
り標題化合物の定量を行った。[収率(定量値);71%]1 H-NMR(400MHz,CDCl3); δ(ppm) 7.28-7.36(3H,m)、7.2
2-7.26(2H,m)、3.86(2H,s)、1.42(2H,br). IRnmax(neat); 3372、3026、2858、1604、1494、1452、1385c
m-1.
【0035】実施例3 4-ピコリルアミンの合成
【0036】
【化13】
【0037】水素化ホウ素ナトリウム 1.09g(28.8mmol)
のエチレングリコールジメチルエーテル 15ml懸濁液
に、4-シアノピリジン 1.00g(9.61mmol)を加えた。氷冷
下、攪拌しながら、硫酸 1.00ml(18.8mmol)を滴下し
た。室温にて30分間攪拌した後、更に硫酸を 0.5ml(9.4
mmol)ずつ2回滴下した。氷冷下、t-ブチルメチルエーテ
ル60mlで希釈し、メタノール 6mlにてクエンチした後、
4N-水酸化ナトリウム水溶液 40mlを加えた。析出した硫
酸ナトリウムを濾過した後、分液した。HPLCの面積値よ
り標題化合物の定量を行った。[収率(定量値);75%]1 H-NMR(400MHz,CDCl3); δ(ppm) 8.55(2H,dd,J=1.6,4.
4Hz)、7.26(2H,dd,J=4.4,1.6Hz)、3.91(2H,s)、1.46(2H,b
r). IRnmax(neat); 3363、3027、2900、2360、1600、1558、1495、
1414、1220cm-1.
【0038】実施例4 N-(2-チエニルエチル)アセタミ
ドの合成
【0039】
【化14】
【0040】水素化ホウ素ナトリウム 1.07g(28.3mmol)
のエチレングリコールジメチルエーテル 15ml懸濁液
に、2-チエニルアセトニトリル 1.00ml(9.42mmol)を加
えた。氷冷下、攪拌しながら、硫酸 1.00ml(18.8mmol)
を滴下した。室温にて30分間攪拌した後、更に硫酸を
0.5ml(9.4mmol)ずつ2回滴下した。氷冷下、t-ブチルメ
チルエーテル 20mlで希釈し、メタノール 4mlにてクエ
ンチした後、2N-水酸化ナトリウム溶液 25mlを加えた。
析出した硫酸ナトリウムを濾過し、2-チエニルエチルア
ミンを含む溶液を得た この溶液に攪拌下、無水酢酸 0.9ml(31.8mmol)を滴下し
た。10分間攪拌後、分液し、有機層を減圧濃縮した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/
酢酸エチル系)で精製し、淡黄色油状の標題化合物 528m
gを得た。(収率;33%)1 H-NMR(400MHz,CDCl3); δ(ppm) 7.17(1H,dd,J=1.2,5.
2Hz)、6.96(1H,dd,J=3.6,5.2Hz)、6.84(1H,dd,J=1.2,3.6H
z)、5.57(1H,br)、3.53(2H,dd,J=6.4,12.8Hz)、3.04(2H,d
d,12.8,6.4Hz)、1.97(3H,s). IRnmax(neat); 3285、3079、2929、2360、1651、1556、1435,
1366、1296cm-1.
【図面の簡単な説明】
【図1】 出発原料(1-[1-(4-フルオロフェネチル)ピペ
リジン-4-イル]-6-シアノインドリン、保持時間;6.59
分)のHPLCチャートである。
【図2】 原料のピーク消失により、反応終了を確認し
たHPLCチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07C 217/48 C07C 217/48 // C07D 207/335 C07D 207/335

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式R1CNで表されるニトリル誘導
    体(I)[式中、R1は下記一般式で表される基 【化1】 (式中、下記一般式で表される結合 【化2】 は単結合または二重結合を意味する。R2は水素原子、
    低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子
    を、nは0または1〜3の整数を意味する。)、下記一般式
    で表される基 【化3】 (式中、R3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
    キシ基またはハロゲン原子を意味する。)、下記一般式
    で表される基 【化4】 (式中、R4は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
    キシ基またはハロゲン原子を意味する。)または下記一
    般式で表される基 【化5】 (式中、R5は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
    キシ基またはハロゲン原子を、Aは硫黄原子、酸素原子
    またはNH基を意味する。)を意味する。]を、水素化ホ
    ウ素ナトリウムと硫酸の存在下に還元することを特徴と
    する、一般式R1CH2NH2(式中、R1は前記と同様の
    意味を有する。)で表されるアミン誘導体(II)の製造
    法。
  2. 【請求項2】 ニトリル誘導体(I)が、1-[1-(4-フルオ
    ロフェネチル)ピペリジン-4-イル]-6-シアノインドリ
    ン、ベンゾニトリル、シアノピリジンまたはチエニルア
    セトニトリルである、請求項1記載のアミン誘導体(II)
    の製造法。
  3. 【請求項3】 水素化ホウ素ナトリウムの使用量が1.0
    〜5.0当量である、請求項1または2記載のアミン誘導
    体(II)の製造法。
  4. 【請求項4】 硫酸の使用量が1.0〜5.0当量である、請
    求項1ないし3記載のアミン誘導体(II)の製造法。
  5. 【請求項5】 硫酸を2.0当量使用して反応させた後、
    さらに1.0当量加えることを特徴とする、請求項1ない
    し4記載のアミン誘導体(II)の製造法。
  6. 【請求項6】 水素化ホウ素ナトリウムの使用量が3.0
    当量であり、硫酸を2.0当量使用して反応させた後、さ
    らに1.0当量加えることを特徴とする、請求項1ないし
    5記載のアミン誘導体(II)の製造法。
  7. 【請求項7】 溶媒がエチレングリコールジメチルエー
    テルまたはジエチレングリコールジメチルエーテルであ
    る請求項1ないし6記載のアミン誘導体(II)の製造法。
JP30342998A 1997-10-24 1998-10-26 アミン誘導体の製造法 Pending JPH11246552A (ja)

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