JPH11250484A - モニター光学系及び光記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】レンズと光記録媒体とのエアギャップを精密に
測定することが可能なモニター光学系及び光記録再生装
置を提供する。 【解決手段】光束を光記録媒体表面上に集光させる対物
レンズ系の最終段に配置したレンズと光記録媒体との間
隙を光束の波長よりも小さく配置し、対物レンズ系への
入射光量と、入射光束のうち、レンズ内部での光軸との
なす角度をθとし、レンズの屈折率をｎとして、ｎ・ｓ
ｉｎθ≧０．８を満たす光束についての光記録媒体から
の反射光量とを測定するモニター光学系、及び入射光量
の測定値と反射光量の測定値とに基づいて光記録媒体で
の光束の反射率を算出し、反射率に基づいてレンズと光
記録媒体との間隙を求めることを特徴とする光記録再生
装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に情報
の記録又は再生を行う光記録再生装置に用いられるモニ
ター光学系、及び光記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光学的に情報を記録又は再生する
光記録再生装置では、光磁気ディスク等の光記録媒体に
おける記録密度の向上を図るために、対物レンズ系の最
終段のレンズを光記録媒体に極めて近接して配置するこ
とで固体浸レンズ（ソリッドイマージョンレンズ、以下
「ＳＩＬ」と表記する）を形成し、光学系の実効的な開
口数を１以上に設定して集光スポット径を微小に絞る方
式が提案されている。ＳＩＬを用いた光学系の概略断面
図を図７に示す。図７において、対物レンズ系２０は、
光束Ｌを光ディスク表面２３ａ上の点Ｏに集光する対物
レンズ２１と、対物レンズ２１と光ディスク２３との間
であって光ディスク２３に近接して配置されたＳＩＬ２
２とから構成されている。ＳＩＬ２２は半球状に形成さ
れ、平面部である境界面２２ａを光ディスク２３側に向
けて設置されている。このように光ディスク２３に近接
してＳＩＬ２２を配置することにより、光学系の開口数
ＮＡをＳＩＬ２２の屈折率倍だけ大きくすることができ
る。その結果、点Ｏにおける集光スポット径を微小に絞
ることができ、記録密度の向上を図ることが可能とな
る。

【０００３】すなわち、光学系の最大開口数ＮＡは、 ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθ_m θ_m：ＳＩＬ２２内部における光束Ｌと光軸ｚとのなす
最大角度 ｎ：ＳＩＬ２２の屈折率 であるから、例えば、ｓｉｎθ_m＝０．６、屈折率ｎ＝
１．８とすると、ＳＩＬ２２透過後の最大開口数ＮＡ
は、ＮＡ＝１．０８となる。このようにＳＩＬ２２を用
いた光学系では、ＳＩＬ２２を用いない従来の光学系に
比べ、最大開口数ＮＡをＳＩＬ２２の屈折率ｎ倍だけ大
きくすることができる。すなわちｎ＝１．８である場合
には従来のｎ＝１である空気中に比べて最大開口数ＮＡ
を１．８倍に大きくすることができ、集光スポット径を
それだけ微小に絞ることが可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
には、最大開口数ＮＡが１を超えると、ｎ・ｓｉｎθ≧
１なる入射角θの光束ＬはＳＩＬ２２の境界面２２ａで
全反射されてしまい、境界面２２ａの光ディスク表面側
では入射光束のすべてを有効に利用することができな
い。これに対し、ＳＩＬ２２の境界面２２ａと光ディス
ク表面２３ａとの間隙（エアギャップ）を光束の波長λ
以下に設定すれば、全反射される光束はエバネッセント
波として境界面２２ａの光ディスク２３側に漏れ出る。
したがってｎ・ｓｉｎθ＜１なる入射角θの光束に加
え、ｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射角θの光束のエバネッセ
ント波をも利用することができれば光量の損失を殆ど受
けずに、入射光束Ｌを光ディスク表面２３ａ上に集光さ
せることができる。その結果として、光ディスク表面２
３ａ上に微小に絞られた集光スポットを形成することが
可能となる。そのためにはＳＩＬ２２の境界面２２ａと
光ディスク表面２３ａとのエアギャップをエバネッセン
ト波が存在できる範囲である、光束Ｌの波長λ以下に制
御する必要があるが、従来はかかるエアギャップを精密
に測定する手段がなかった。そこで、本発明は、ＳＩＬ
を形成するレンズと光記録媒体との間のエアギャップを
精密に測定することが可能なモニター光学系、及びこの
モニター光学系を用いた光記録再生装置を提供すること
を課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光束を光記録媒体表面上に集光させる対
物レンズ系の最終段に配置したＳＩＬと光記録媒体との
間隙を測定するためのモニター光学系において、ＳＩＬ
（８）と光記録媒体（１１）との間隙が光束の波長より
も小さく配置され、対物レンズ系（６）への入射光束の
光量を測定する入射光量測定系を備え、入射光束のう
ち、ＳＩＬ（８）内部での光軸とのなす角度をθとし、
ＳＩＬ（８）の屈折率をｎとして、ｎ・ｓｉｎθ≧０．
８を満たす光束についての光記録媒体（１１）からの反
射光束の光量を測定する反射光量測定系を備えたことを
特徴とするモニター光学系である。

【０００６】本発明はまた、光源からの光束を対物レン
ズ系によって光記録媒体上に集光させ、情報の記録又は
再生を行う光記録再生装置において、対物レンズ系
（６）は、最後段に配置されたＳＩＬ（８）と光記録媒
体（１１）との間隙が光束の波長よりも小さく配置さ
れ、対物レンズ系（６）への入射光束の光量と、入射光
束のうち、ＳＩＬ（８）内部での光軸とのなす角度をθ
とし、ＳＩＬ（８）の屈折率をｎとして、ｎ・ｓｉｎθ
≧０．８を満たす光束についての光記録媒体（１１）表
面からの反射光束の光量とを測定し、入射光束の光量の
測定値と反射光束の光量の測定値とに基づいて光記録媒
体（１１）での光束の反射率を算出し、反射率に基づい
てＳＩＬ（８）と光記録媒体（１１）との間隙を求める
ことを特徴とする光記録再生装置である。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施例に係る光記録
装置として、光ディスク溝のマスタリング装置の主要部
を図１に示す。図１において、不図示のレーザー光源か
ら出射された光束は透過軸が紙面からわずかに傾いて配
置された偏光子Ｐを透過した後に偏光ビームスプリッタ
１に入射する。偏光ビームスプリッタ１はｐ偏光に対す
る反射率がほぼ２０％（すなわち透過率がほぼ８０
％）、ｓ偏光に対する反射率が９０〜１００％に形成さ
れている。したがって、光束のｓ偏光の殆どは偏光ビー
ムスプリッタ１で反射され、残りの光束のｐ偏光の殆ど
は偏光ビームスプリッタ１を透過する。そして偏光ビー
ムスプリッタ１で反射された光束は第１受光器２に導か
れる。一方、偏光ビームスプリッタ１を透過した光束
は、λ／４波長板４を通過する際に円偏光に変換された
後、反射板５で反射されて対物レンズ系６を構成する対
物レンズ７及びＳＩＬ８に入射する。そして対物レンズ
７及びＳＩＬ８によって光ディスク基板１２表面上に塗
布されたレジスト膜１１上に集光される。レジスト膜１
１上に集光された光束は反射され、反射光束はＳＩＬ８
及び対物レンズ７を逆行し、反射板５を経てλ／４波長
板４を通過して偏光ビームスプリッタ１に入射する。偏
光ビームスプリッタ１に入射する光束は、λ／４波長板
４を再度透過することによってｓ偏光に変更されている
から、偏光ビームスプリッタ１で反射される。かかる反
射光束のうち、瞳の周縁部、すなわちＳＩＬ８内部での
開口数が０．８以上の光束の一部は第２受光器３に導か
れる。

【０００８】本実施例の構成により、第１受光器２で
は、対物レンズ系６に入射する入射光束のうちの一部の
光束の光量が測定される。また第２受光器３では、レジ
スト膜１１表面で反射される反射光束のうち、ＳＩＬ８
内部での開口数が０．８以上の光束の光量が測定され
る。なお、第２受光器３は図２に示したように、開口数
が１以下の反射光束が通過する領域Ｅの周縁部において
９０°毎の角度間隔で配置された４個の受光器３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄから構成されている。ｐ偏光成分の光量
を測定する２つの受光器３ａ、３ｃ、及びｓ偏光成分の
光量を測定する２つの受光器３ｂ、３ｄは互いに対向し
て配置されている。したがって本実施例のようにｓ偏光
の光量を測定する場合には受光器３ｂ、３ｄのいずれか
一方、又は両方が用いられる。

【０００９】第１受光器２及び第２受光器３で測定され
た入射光量の測定値と反射光量の測定値とは制御装置１
０に伝送され、制御装置１０において入射光量の測定値
と反射光量の測定値とに基づいてレジスト膜１１表面で
の反射率が計算される。そして以下に説明するように、
かかる反射率からＳＩＬ８とレジスト膜１１とのエアギ
ャップを測定することができる。なお、第１受光器２に
より入射光量を測定するのは、入射光量を参照すること
によってレーザー光源の光量変動の影響を除去するため
である。

【００１０】ＳＩＬと被照射面とのエアギャップＴと、
被照射面の反射率Ｒとの関係について説明する。まず開
口数が１以上の光束（ｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射角θの
光束）について説明する。図３において、被照射面１３
に入射する光束のうちｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射角θの
光束Ｌｘ、すなわち瞳の周縁部を通過する光束について
の被照射面１３での反射光量は、次の理由によりＳＩＬ
８と被照射面１３とのエアギャップＴに大きく依存す
る。すなわち、ｎ・ｓｉｎθが１を超えて全反射される
光束には被照射面１３側に漏れ出るエバネッセント波が
存在し、かかるエバネッセント波は境界面８ａを透過し
た後においては光軸ｚ方向に急速に減衰する特性を有し
ている。そのためにエバネッセント波の光量分布は境界
面８ａを透過した被照射面１３側の領域では光軸ｚ方向
に急速に減衰した分布を有する。したがって、ｎ・ｓｉ
ｎθ≧１なる入射角θでＳＩＬ８に入射した光束のう
ち、被照射面１３に到達したエバネッセント波が透過光
となり、それ以外の被照射面１３に到達しないエバネッ
セント波が反射光となるのであるから、エバネッセント
波のうちの被照射面１３に到達する透過光量と、被照射
面１３に到達しない反射光量とはエアギャップＴに大き
く依存することとなる。

【００１１】ここで、被照射面１３の媒質としてレジス
トを用いた場合の被照射面１３での反射率とエアギャッ
プＴとの関係を図４に示す。図４では、ＳＩＬ８内を光
軸ｚと角度θ＝４５°で通過する光束をモニター光とし
て薄膜理論を用いて計算したものである（Born & Wolf:
Principles of Optics Chap.1,Pergamon Press 1980参
照）。なお、図４中のＲｐ及びＲｓは、各々ｐ偏光及び
ｓ偏光の反射率を示している。また、計算条件は次の通
りである。 使用する光の波長：λ＝４８８ｎｍ ＳＩＬ８の屈折率：ｎ_s＝１．８ レジストの屈折率：ｎ_r＝１．７ この場合、モニター光では、 ｎ・ｓｉｎθ＝１．８×ｓｉｎ４５°＝１．２７ となるから、通常はＳＩＬ８の境界面８ａで全反射する
はずであるが、前述したようにエアギャップＴが小さい
とエバネッセント波が被照射面１３側に漏れ出るため、
全反射とはならない。

【００１２】このような光学系ではエアギャップＴが使
用する光の波長λに比べて小さいほど照射面１３での反
射率の変動は大きい。例えばエアギャップＴ＝１００ｎ
ｍとし、エアギャップＴの変動幅を±２５ｎｍとする
と、図４より、これに伴う被照射面１３での反射率Ｒ
ｐ、Ｒｓの変動は５０〜８０％と非常に大きい。したが
って、この大きく変動する反射率Ｒｐ、Ｒｓをモニター
し、その反射率の値に基づいてエアギャップＴをナノオ
ーダーで測定することが可能となる。なお、本実施例で
は、ｐ偏光の反射率Ｒｐ及びｓ偏光の反射率Ｒｓは共に
大きく変動するので、いずれか一方をモニターしてもよ
く、又は両方を同時にモニターしてもよい。

【００１３】なお、被照射面１３でのｐ偏光の反射率Ｒ
ｐ、ｓ偏光の反射率Ｒｓとは、被照射面１３に入射する
光束の入射面に対して定義され、入射面に平行な電気ベ
クトルを有するものがｐ偏光であり、このｐ偏光の反射
率をＲｐで表現している。同様に、入射面に垂直な電気
ベクトルを有するものがｓ偏光であり、このｓ偏光の反
射率をＲｓで表現している。一方、光路中のｐ偏光、ｓ
偏光は、偏光ビームスプリッタ１の接合面に対して定義
されるものであり、偏光ビームスプリッタ１の接合面に
入射する光束の入射面に平行な電気ベクトルを有するも
のがｐ偏光であり、入射面に垂直な電気ベクトルを有す
るものがｓ偏光である。したがって、図４においてｐ偏
光の反射率Ｒｐ及びｓ偏光の反射率Ｒｓは、光路中での
ｐ偏光、ｓ偏光に対する反射率と同義ではない。以下に
述べる実施例においても同様である。

【００１４】つぎに１＞ｎ・ｓｉｎθ≧０．８なる入射
角θの光束について説明する。１＞ｎ・ｓｉｎθ≧０．
８なる入射角θの光束は、ＳＩＬ８の境界面８ａを透過
し、境界面８ａでは全反射しないためエバネッセント波
は生じないが、境界面８ａを透過した透過光が被照射面
１３で反射される反射光量は、エアギャップＴの変化に
伴って変動する。したがって、１＞ｎ・ｓｉｎθ≧０．
８なる入射角θの光束についても反射光量を測定するこ
とによってエアギャップＴを測定することができる。す
なわち、被照射面１３表面で反射される反射光束のう
ち、ＳＩＬ８内部での開口数が０．８以上の光束の光量
を測定することによって、エアギャップＴをモニターす
ることができ、その測定値に基づいてエアギャップＴを
制御することが可能となる。

【００１５】なお、１＞ｎ・ｓｉｎθなる入射角θの光
束は、ｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射角θの光束に比べエア
ギャップＴの変化に伴う被照射面１３からの反射光量の
変動は小さい。したがって、ｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射
光束の反射光量のみを測定すればエアギャップＴの測定
精度及び制御精度を向上させる上で有効であるが、ｎ・
ｓｉｎθ≧１なる入射光束の反射光量のみを測定するよ
うに第２受光器３を配置するのは製造上高い精度が必要
となる。これに対し、１＞ｎ・ｓｉｎθなる入射角θの
光束の中でもｎ・ｓｉｎθ≧０．８なる入射角θの光束
であれば、エアギャップＴの変化に伴う被照射面１３か
らの反射光量の変動はｎ・ｓｉｎθ≧１なる入射角θの
光束に比べ低くはあるが、エアギャップＴの測定精度及
び制御精度を実用上低下させることはない。このためｎ
・ｓｉｎθ≧０．８なる入射角θの光束を用いても十分
な精度でエアギャップＴの測定が可能であり、しかも第
２受光器３を配置する際の製造上のラチチュードを広げ
ることができるという利点がある。

【００１６】本発明の第２実施例に係る光記録装置とし
て、光ディスクの記録再生光学系の主要部を図５に示
す。図５において、不図示のレーザー光源から出射され
た光束は透過軸が紙面からわずかに傾いて配置された偏
光子Ｐを透過した後にビームスプリッタ１５に入射し、
光束の一部はビームスプリッタ１５で反射され、残りの
光束はビームスプリッタ１５を透過する。ビームスプリ
ッタ１５で反射された光束は第１受光器２に導かれる。
一方、ビームスプリッタ１５を透過した光束は偏光ビー
ムスプリッタ１６に入射する。偏光ビームスプリッタ１
６はｐ偏光に対する反射率がほぼ２０％（すなわち透過
率がほぼ８０％）、ｓ偏光に対する反射率が９０〜１０
０％に形成されている。したがって、偏光ビームスプリ
ッタ１６に入射した光束のｓ偏光の殆どは偏光ビームス
プリッタ１６で反射され、残りの光束のｐ偏光のみが偏
光ビームスプリッタ１６を透過する。偏光ビームスプリ
ッタ１６を透過したｐ偏光は反射板５で反射されて対物
レンズ系６を構成する対物レンズ７及びＳＩＬ８に入射
する。そして対物レンズ７及びＳＩＬ８によって光磁気
ディスク１４上に集光される。

【００１７】光磁気ディスク１４上に集光された直線偏
光（ｐ偏光）は光磁気ディスク１４で反射されるが、そ
の際、光磁気ディスク１４媒体は信号の有無に応じて磁
化方向が上向きか、又は下向きに形成されているため、
磁気カー効果によって磁化の向きに応じて偏光面が左右
に回転して反射される。そのため、光磁気ディスク１４
で反射された光束には、ｐ偏光と、光磁気ディスク１４
媒体に記録された信号に応じて生じたｓ偏光とが含まれ
ている。反射光束はＳＩＬ８及び対物レンズ７を逆行
し、反射板５を経て偏光ビームスプリッタ１６に入射す
る。偏光ビームスプリッタ１６に入射する光束のうち、
ｓ偏光は偏光ビームスプリッタ１６で反射されて信号検
出系１７に導かれる。一方、ｐ偏光は偏光ビームスプリ
ッタ１６を透過し、ビームスプリッタ１５に入射する。
ビームスプリッタ１５に入射したｐ偏光の一部はビーム
スプリッタ１５で反射され、かかる反射光束のうち、瞳
の周縁部、すなわちＳＩＬ８内部での開口数が０．８以
上の光束の一部は第２受光器３に導かれる。

【００１８】本実施例の構成により、第１受光器２で
は、対物レンズ系６に入射する入射光束の光量が測定さ
れる。また第２受光器３では、光磁気ディスク１４表面
で反射される反射光束のうち、ＳＩＬ８内部での開口数
が０．８以上の光束の光量が測定される。そして第１受
光器２及び第２受光器３で測定された入射光量の測定値
と反射光量の測定値とは制御装置１０に伝送され、制御
装置１０において入射光量の測定値と反射光量の測定値
とに基づいて光磁気ディスク１４表面での反射率が計算
される。そして第１実施例の場合と同様に、かかる反射
率からＳＩＬ８と光磁気ディスク１４とのエアギャップ
を測定することができる。なお、光磁気ディスク１４媒
体に記録された信号に応じた生じたｓ偏光成分は非常に
小さいため、光磁気ディスク１４表面で反射される反射
光量の測定に与える影響は無視することができる。

【００１９】ここで、被照射面の媒質として光磁気膜を
用いた場合の光磁気ディスク１４での反射率とエアギャ
ップＴとの関係を図６に示す。図４の場合と同様にＳＩ
Ｌ８内を光軸ｚと角度θ＝４５°で通過する光束をモニ
ター光として計算したものである。通常、光磁気媒質は
基板上に形成されているために多層膜構造となっている
が、図６では簡単のために全体が光磁気媒質で形成され
たバルクとして計算を行った。なお、図６中のＲｐ及び
Ｒｓは、各々ｐ偏光及びｓ偏光の反射率を示している。
また、計算条件は次の通りである。 使用する光の波長：λ＝６８０ｎｍ ＳＩＬ８の屈折率：ｎ_s＝１．８ 光磁気媒質の屈折率：ｎ_r＝２＋３ｉ この場合の反射率Ｒｐ、Ｒｓもエアギャップ依存性を有
するが、図６においてはｐ偏光の変化率が大きいので、
ｐ偏光の反射率の変動をモニターすればエアギャップＴ
をより高精度で制御することが可能である。

【００２０】なお、第１及び第２実施例においては、Ｓ
ＩＬ８として半球レンズを用いたが、超半球レンズ（レ
ンズ球心とレンズ表面とを見込む立体角が２πsteradを
超えるもの）を用いても同様にエアギャップＴの精密な
モニター及び制御が可能である。この場合には、対物レ
ンズ７と超半球レンズで形成したＳＩＬ８とをアプラナ
ティック、すなわち対物レンズ７による焦点位置と、Ｓ
ＩＬ８の不遊点とが一致するように配置すればよい。ま
た、第２実施例で用いたビームスプリッタ１５に代えて
偏光ビームスプリッタを用いて構成することも可能であ
る。

【００２１】また、ＳＩＬ８と、レジスト膜１１や光磁
気ディスク１４とのエアギャップＴの制御は、モニター
されたエアギャップＴに基づき、制御装置１０によって
ＳＩＬ８に取り付けられたフォーカスサーボ系９にフィ
ードバックをかけることによって行い、常にエアギャッ
プＴを波長λ以下に制御することができる。その結果、
安定して微小な集光スポットを形成することが可能とな
る。

【００２２】また、本発明は相変化媒体を記録媒体とし
た光記録再生装置に適用することも可能である。相変化
媒体を用いる方式では、相変化媒体の結晶状態とアモル
ファス状態との間の反射率の差を測定するのであるか
ら、集光スポットが結晶領域に照射されるか、又はアモ
ルファス領域に照射されるかによってモニターされる反
射光量は異なる。したがって、この場合には記録媒体に
記録された信号に応じて信号光量も変動していることを
利用し、反射光量を信号光量で規格化して信号処理すれ
ば結晶状態とアモルファス状態との間の反射率の差を正
確に測定することが可能である。

【００２３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、エバネッ
セント波の反射率がＳＩＬと被照射面との間のエアギャ
ップに対して敏感に変動することを利用してエアギャッ
プを精密に測定し、さらにエアギャップの制御を行うこ
とが可能となった。これによって、微小な集光スポット
を形成することができるので、光記録媒体の記録密度の
向上を図ることが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る光ディスク溝のマス
タリング装置の主要部の断面図である。

【図２】受光器の配置を説明する図である。

【図３】対物レンズ系を通過する光束を説明する図であ
る。

【図４】被照射面の媒質としてレジストを用いた場合の
被照射面での反射率とエアギャップＴとの関係を示す図
である。

【図５】本発明の第２実施例に係る光磁気ディスクの記
録再生光学系の主要部の断面図である。

【図６】被照射面の媒質として光磁気膜を用いた場合の
被照射面での反射率とエアギャップＴとの関係を示す図
である。

【図７】ＳＩＬを用いた光学系の概略断面図である。

【符号の説明】

１、１６…偏光ビームスプリッタ ２、３…受光器 ４…λ／４波長板 ５…反射板 ６…対物レンズ系 ７…対物レンズ ８…ＳＩＬ ８ａ…ＳＩＬ境界面 ９…フォーカスサーボ系 １０…制御装置 １１…レジスト膜 １２…光ディスク基
板 １３…被照射面 １４…光磁気ディス
ク １５…ビームスプリッタ １７…信号再生系 Ｐ…偏光子 ｚ…光軸 Ｌ…光束

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光束を光記録媒体表面上に集光させる対物
   レンズ系の最終段に配置したレンズと前記光記録媒体と
   の間隙を測定するためのモニター光学系において、 最終段のレンズと光記録媒体との前記間隙が前記光束の
   波長よりも小さく配置され、 前記対物レンズ系への入射光束の光量を測定する入射光
   量測定系を備え、 前記入射光束のうち、前記最終段のレンズ内部での光軸
   とのなす角度をθとし、該レンズの屈折率をｎとして、 ｎ・ｓｉｎθ≧０．８ を満たす光束についての前記光記録媒体からの反射光束
   の光量を測定する反射光量測定系を備えたことを特徴と
   するモニター光学系。
2. 【請求項２】光源からの光束を対物レンズ系によって光
   記録媒体上に集光させ、情報の記録又は再生を行う光記
   録再生装置において、 前記対物レンズ系は、最後段に配置されたレンズと前記
   光記録媒体との間隙が前記光束の波長よりも小さく配置
   され、 前記対物レンズ系への入射光束の光量と、該入射光束の
   うち、前記最終段のレンズ内部での光軸とのなす角度を
   θとし、該レンズの屈折率をｎとして、 ｎ・ｓｉｎθ≧０．８ を満たす光束についての前記光記録媒体表面からの反射
   光束の光量とを測定し、 前記入射光束の光量の測定値と前記反射光束の光量の測
   定値とに基づいて前記光記録媒体での光束の反射率を算
   出し、 該反射率に基づいて前記最終段のレンズと前記光記録媒
   体との間隙を求めることを特徴とする光記録再生装置。
3. 【請求項３】最終段のレンズと光記録媒体との前記間隙
   に基づいて該間隙を制御する制御手段を有する請求項２
   記載の光記録再生装置。