JPH0963141A - 光学ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型に構成でき、しかも製造の簡略化，信頼
性の向上，さらに光検出器への戻り光の入射光量の増大
により、光検出器の検出出力の増大，発光部の低パワー
化そして消費電力の低減化を図るようにした、光学ピッ
クアップを提供すること。 【解決手段】 発光部２１と、この発光部から出射され
た光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に集光させ
る対物レンズ１３と、前記発光部と対物レンズとの間に
配設され、前記入射光を０次光及びプラスマイナス１次
光に分離する偏光性ホログラム素子１２と、前記偏光性
ホログラム素子により分離された戻り光ビームの０次光
及びプラスマイナス１次光を共焦点近傍で受光する第一
及び第二の光検出器２３，２４とを含む光学ピックアッ
プ１０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学ピックアップ
に関し、特に光磁気ディスク（ＭＯ）等の光磁気ディス
ク状記録媒体に記憶情報を記録及び／または再生を行な
うための光学ピックアップに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような光磁気ディスクの記録
／再生を行なうための光学ピックアップは、図８に示す
ように構成されている。図において、光学ピックアップ
１は、半導体レーザ素子２，回折格子３，ビームスプリ
ッタ４，コリメータレンズ５，対物レンズ６，ウォラス
トンプリズム７，マルチレンズ８及び光検出器９を備え
ており、これらの各光学部品が個別にマウントされてい
る。

【０００３】このような構成の光学ピックアップ１によ
れば、半導体レーザ素子２から出射された光ビームは、
回折格子３を透過して、ビームスプリッタ４に入射し、
ビームスプリッタ４で半導体レーザ素子２から出射され
た光ビームと光磁気ディスクＭＯからの戻り光ビームと
が分離される。ここで、ビームスプリッタ４は、一般
に、一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムの
間に蒸着，スパッタリング等により形成された多層誘電
体層から成る反射面４ａから構成されている。

【０００４】上記ビームスプリッタ４により分離され透
過した半導体レーザ素子２からの例えばＰ偏光成分の光
ビームは、コリメータレンズ５に入射し、コリメータレ
ンズ５によって平行光に変換された後、対物レンズ６に
入射する。対物レンズ６は、入射光を光磁気ディスクＭ
Ｏの信号記録面のある一点に収束して照射すると共に、
図示しない駆動手段によって、フォーカス方向及びトラ
ッキング方向に駆動されるようになっている。

【０００５】光磁気ディスクＭＯの信号記録面で反射さ
れると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光
成分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、
再び対物レンズ６及びコリメータレンズ５を介して、ビ
ームスプリッタ４に入射する。ここで、戻り光ビーム
は、ビームスプリッタ４の反射面４ａにより、Ｓ偏光成
分が反射される。

【０００６】ビームスプリッタ４の反射面４ａにより反
射されたＳ偏光成分は、ウォラストンプリズム７によ
り、複数本（例えば３本）の光ビームに分離され、各光
ビームがそれぞれマルチレンズ７に入射する。マルチレ
ンズ８に入射した各光ビームは、フォーカスエラー検出
のために、非点収差が付与されると共に、光検出器９ま
での戻り光ビームの光路長を短縮するようになってい
る。光検出器９は、マルチレンズ８を介して入射される
各光ビームを受光するために、その受光面が、複数個の
受光部に分割されている。これにより、光検出器９の各
受光部からの検出信号に基づいて、差動法等によって、
ＭＯ信号と、フォーカスエラー信号，トラッキングエラ
ー信号等のエラー信号が検出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された光学ピックアップ１においては、光磁気
ディスクＭＯからの戻り光ビームを、ビームスプリッタ
４により分離して、ウォラストンプリズム７により分割
することにより、各分割ビームを検出することにより、
ＭＯ信号が得られるようになっている。ウォラストンプ
リズム７は、比較的高価であるために、光学ピックアッ
プ１全体のコストが高くなってしまうと共に、ウォラス
トンプリズム７は、ＭＯ信号（光磁気信号）の分離角が
制限されることから、比較的大型になってしまうという
問題があった。さらに、ウォラストンプリズム７による
光ビームの分割は、非点収差及びコマ収差が不可避であ
ることから、分割されたサイドビームの歪みが比較的大
きくなってしまうと共に、分割されたビーム同士が重な
ってしまうことがあるという問題があった。

【０００８】また、回折格子３，ビームスプリッタ４，
ウォラストンプリズム７，マルチレンズ８等の多数の光
学部品が個別に組み立てられることから、装置全体の構
成が複雑になるので、装置が大型化し、コストが高くな
ってしまうと共に、光学的な配置設定が煩雑で、量産性
の点で問題があった。

【０００９】さらには、上述した従来の光学ピックアッ
プ１においては、光磁気ディスクＭＯからの戻り光ビー
ムが、ビームスプリッタ４により光源である半導体レー
ザ素子２に向かう光路から分離されるので、ビームスプ
リッタ４の反射率に基づいて、光量低下が発生し、光検
出器９への入射光量が低下するという問題があった。

【００１０】また、光学ピックアップを構成する光学素
子を基板上にマウントして取り付けて、一体型の受発光
素子を構成することも考えられる。しかし、発光部，受
光部を別基板上に設けると、受光効率が低下し、また、
各光学素子を取り付けるにあたっての位置決めも煩雑
で、厳格なアライメント精度が必要になり、コストが高
くなってしまう。

【００１１】本発明は、以上の点に鑑み、小型に構成で
き、しかも製造の簡略化，信頼性の向上，さらに光検出
器への戻り光の入射光量の増大により、光検出器の検出
出力の増大，発光部の低パワー化そして消費電力の低減
化を図るようにした、光学ピックアップを提供すること
を目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、光ビームを出射する発光部と、この発光部から出
射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に集
光するように照射する対物レンズと、前記発光部と対物
レンズとの間に配設され、前記発光部からの光ビームを
０次光とプラスマイナス１次光とに分離すると共に、光
磁気記録媒体からの戻り光ビームを常光と異常光とし
て、それぞれ０次光とプラスマイナス１次光とに分離す
る偏光性ホログラム素子と、前記偏光性ホログラム素子
により分離された戻り光ビームの０次光を共焦点近傍で
受光する第一の光検出器と、前記偏光性ホログラム素子
により分離された戻り光ビームのプラスマイナス１次光
を共焦点近傍で受光する第二の光検出器とを備えてい
る、光学ピックアップにより、達成される。

【００１３】上記構成によれば、発光部から出射された
光ビームは、偏光性ホログラム素子によって３つの光ビ
ーム即ち０次光及びプラスマイナス１次光に分離された
後、０次光が対物レンズを介して光磁気記録媒体の信号
記録面に照射される。光磁気記録媒体の信号記録面によ
り反射されると共にカー効果によって偏光面が回転され
た光磁気信号を含む戻り光ビームは、再び対物レンズを
介して偏光性ホログラム素子に入射する。そして、戻り
光ビームは、偏光性ホログラム素子によって、３つの光
ビーム即ち０次光とプラスマイナス１次光に分離され
る。

【００１４】従って、０次光ビームが、第一の光検出器
に入射すると共に、プラスマイナス１次光ビームが、第
二の光検出器に入射することになる。かくして、第一の
光検出器の０次光が入射する分割受光面の各出力信号に
基づいて、フォーカシングエラー信号及びトラッキング
エラー信号が検出されると共に、第一の光検出器及び第
二の光検出器の検出信号に基づいて、光磁気信号あるい
は再生信号が検出されることになる。

【００１５】上記発光部及び第一及び第二の光検出器
が、一つの基板上に一体に形成されていると共に、上記
発光部が、水平共振器を有する半導体レーザと反射鏡と
を有しており、上記光検出器が、フォトダイオードから
構成されていて、上記フォトダイオードの受光面の少な
くとも一部が戻り光の回折限界内に配設されている場合
には、発光部及び第一及び第二の光検出器が、共通の基
板上に一体化した構造となる。このため、組立の際の発
光部及び光検出器の相互の位置決めすることなく、製造
時のマスクの精度による位置決め精度が得られることに
なり、光学ピックアップの組立が容易に行われる。ま
た、組立コストが低減されると共に、発光部に向かって
進む戻り光が直接に第一の光検出器に入射することにな
り、且つ第一の光検出器が共焦点近傍に配設されている
ことにより、受光効率が高められることになる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図７を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。

【００１７】図１は、本発明による光学ピックアップの
一実施形態を示しており、この場合、光学ピックアップ
１０は、往復透過型の光学ピックアップである。図１に
おいて、光学ピックアップ１０は、受発光素子１１，偏
光性ホログラム素子１２及び対物レンズ１３含んでい
る。

【００１８】上記受発光素子１１は、図示のように、一
つの半導体基板２０上に一体に構成されている。即ち、
受発光素子１１は、発光部が、半導体基板２０上に形成
された半導体レーザ素子２１と、半導体基板２０の表面
から斜めに傾斜するように形成された反射鏡２２とを備
え、また光検出器が、半導体基板２０上に形成されたフ
ォトダイオードから成る第一の光検出器２３及び第二の
光検出器２４とから構成されている。半導体レーザ素子
２１は、半導体の再結合発光を利用した発光素子であ
り、図示の場合には、水平共振器を有する構成であっ
て、発光部として使用される。半導体レーザ素子２１か
ら水平方向に出射した光ビームは、反射鏡２２に導かれ
る。

【００１９】反射鏡２２は、例えば４５度の傾斜角を有
するように、半導体基板２０に設けられた斜面に対し
て、例えば金属膜や誘電体多層膜等から成る反射膜を形
成することにより、構成されている。これにより、反射
鏡２２は、半導体レーザ素子２１からの光ビームの例え
ばＳ偏光成分を、図面にて上方に全反射するようになっ
ている。上方に全反射されたレーザ光は、上述のよう
に、偏光性ホログラム素子１２及び対物レンズ１３を介
して、光磁気記録媒体としての光磁気ディスクＭＯの信
号記録面に収束され、光磁気ディスクＭＯの信号記録面
に照射されたレーザ光は、光磁気ディスクＭＯ上で反射
される際に、カー効果を受けて、偏光面が回転されたＰ
成分（光磁気信号を含む成分）となる。このＰ成分を含
む光磁気ディスクＭＯからの戻り光は、再び、対物レン
ズ１３及び偏光性ホログラム素子１２を介して、受発光
素子１１の第一の光検出器２３及び第二の光検出器２４
に入射するようになっている。

【００２０】上記偏光性ホログラム素子１２は、常光を
透過させ且つ異常光を回折するように構成されている。
これにより、偏光性ホログラム素子１２は、光磁気ディ
スクＭＯの信号記録面からの戻り光を０次光及びプラス
マイナス１次回折光に分離するようになっている。

【００２１】この偏光性ホログラム素子１２は、例えば
図２に示すように、複屈折回折格子型素子として構成さ
れており、ニオブ酸リチウムから成る基板１２ａと、こ
の基板１２ａの入射側に、例えば安息香酸によるプロト
ン交換法により形成された格子１２ｂとから構成されて
いる。これにより、この格子１２ｂの領域にて、常光に
対する屈折率は、０．１３程度増大し、また異常光に対
する屈折率は、０．０４程度減少する。

【００２２】さらに、偏光性ホログラム素子１２は、上
記プロトン交換による格子１２ｂの上に、透過する常光
線が受ける位相差をキャンセルするように選定された厚
さの誘電体から成る位相補償膜１２ｃが設けられてい
る。これにより、見かけ上、異常光線に対してのみプロ
トン交換による屈折率変化が生ずるように、観察される
ことになる。

【００２３】ここで、偏光性ホログラム素子は、図３に
示すようにして、製造される。即ち、図５において、偏
光性ホログラム素子３０は、先づニオブ酸リチウム等の
一軸性結晶から成る基板３０ａに対して、その両面にア
ルミニウム薄膜３０ｂがコーティングされる。その後、
この基板３０ａの一面に、アルミニウム薄膜３０ｂの上
から、レジスト膜３０ｃがコーティングされる。このレ
ジスト膜３０ｃに対して、格子状のパターンマスクが載
置され露光されることにより、レジスト膜３０ｃのパタ
ーニングが行なわれる。続いて、エッチング等により、
アルミニウム薄膜３０ｂのパターニングが行なわれた
後、レジスト膜３０ｃが除去される。

【００２４】そして、アルミニウム薄膜３０ｂが除去さ
れた格子状の部分に関して、例えば安息香酸によるプロ
トン交換が行なわれて、プロトン交換層３０ｄが形成さ
れる。続いて、表面全体に亘って、ニオブ酸Ｎｂ₂ Ｏ₅
等の誘電体から成る位相補償膜３０ｅのコーティングが
行なわれた後、リフトオフにより、アルミニウム薄膜３
０ｂが除去される。最後に、表面全体に亘って、ＳｉＯ
₂ 層３０ｆがスパッタリングにより形成される。これに
より、基板３０ａの一面（上面）に、偏光性ホログラム
素子３０が形成されることになる。尚、上記の製造工程
及び構成材料は、例示したものであり、他の工程や材料
が使用されることは明らかである。

【００２５】かくして、偏光性ホログラム素子１２は、
図２に示すように、入射光を、光学軸Ｘの方向に関し
て、垂直な方向の常光と平行な方向の異常光に分割する
ことになる。即ち、入射する戻り光ビームは、図示のよ
うに、常光が０次光として透過すると共に、異常光がプ
ラスマイナス１次光として、回折されることになる。こ
れに対して、前述した第一の光検出器２３及び第二の光
検出器２４は、それぞれ偏光性ホログラム素子１２によ
り分割された０次光とプラスマイナス１次光が入射し得
るように、共焦点近傍に配設されている。尚、第二の光
検出器２４は、−１次光に対しては焦点位置の前側に、
また＋１次光に対しては焦点位置の後側に配設されてい
る。

【００２６】さらに、偏光性ホログラム素子１２は、そ
の光学軸が、入射光の偏光方向に対して４５度傾斜する
ように配設されている。

【００２７】対物レンズ１３は、凸レンズであって、偏
光性ホログラム素子１２からの光ビームを、回転駆動さ
れる光磁気ディスクＭＯの記録面の所望のトラック上に
集光させる。

【００２８】前記第一の光検出器２３と第二の光検出器
２４は、図４に示すように、それぞれ分割されて形成さ
れている。すなわち、第一の光検出器２３は、４つのセ
ンサ部ａ，ｂ，ｃ，ｄに分割されており、第二の光検出
器２４は、それぞれ３つのセンサ部ｅ，ｆ，ｇとｈ，
ｉ，ｊに分割されている。

【００２９】そして、第一及び第二の光検出器２３，２
４の各センサ部ａ乃至ｊの検出信号は、図示しない処理
回路において、それぞれヘッドアンプにより増幅された
後、出力信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，Ｓｅ，Ｓｆ，Ｓ
ｇ，Ｓｈ，Ｓｉ，Ｓｊとなり、さらに演算回路によっ
て、それぞれ光磁気（ＭＯ）信号そしてフォーカスエラ
ー信号及びトラッキングエラー信号が演算されるように
なっている。尚、第一の光検出器２３は、その受光面の
少なくとも一部が、半導体レーザ素子２１から光ビーム
の波長をλ，対物レンズ１４の開口数をＮＡとすると
き、この受光面の配置基準面を横切る光ビームの光軸か
らの距離が、例えば１．２２λ／開口数（ＮＡ）以内の
位置に設けられている。

【００３０】本実施形態による光学ピックアップ１０は
以上のように構成されており、半導体レーザ素子２１か
ら出射されたＰ偏光の光ビームは、半導体基板２０上の
反射鏡２２により反射され、偏光性ホログラム素子１２
に入射する。ここで、偏光性ホログラム素子１２は、入
射光のうち、常光は透過させ、異常光のみを回折させ
る。即ち、入射する光ビームの常光成分をＩｏ：（１−
Ｘ），異常光成分Ｉｅ：Ｘとし、また異常光線に対する
回折効率を（１−η）とすると、図５に示すように、半
導体レーザ素子２１からの光ビームは、偏光性ホログラ
ム素子１２を通過後に、その０次光は、常光成分Ｉｏ
０：（１−Ｘ），異常光成分Ｉｅ０：Ｘ×ηとなり、プ
ラスマイナス１次光は、常光成分Ｉｏ１：０，異常光成
分Ｉｅ１：Ｘ×（１−η）／２となる。

【００３１】この場合、偏光性ホログラム素子１２は、
矩形断面構造を有する薄い位相格子を有していることか
ら、その０次回折効率ηは、一般に

【数１】 で表わされ、γは格子を形成する二つの領域を透過する
光の位相差である。従って、偏光性ホログラム素子１２
を透過した０次光の常光成分Ｉｏ０と異常光成分Ｉｅ０
の間には、γなる位相差が生ずることになる。

【００３２】かくして、偏光性ホログラム素子１２を透
過した０次光の偏光状態は、図６に示すように、入射偏
光方向に対して４５度傾いた方位角の楕円偏光となる。
ここで、偏光性ホログラム素子１２は、その光学軸が、
入射偏光に対して−４５度傾いているので、位相差γ
は、

【数２】 となっている。これにより、偏光性ホログラム素子１２
を透過した出射偏光は、入射偏光に対して、位相ずれを
生ずることがない。このようにして偏光ホログラム素子
１２により分割された０次光ビームは、対物レンズ１３
を介して、光磁気ディスクＭＯの信号記録面に収束され
る。

【００３３】光磁気ディスクＭＯの信号記録面で反射さ
れると共にカー効果によって偏光面が回転されてＳ偏光
成分のＭＯ信号（光磁気信号）を含む戻り光ビームは、
対物レンズ１３を透過して、再び偏光性ホログラム素子
１２に入射する。この場合、偏光性ホログラム素子１２
に入射する戻り光ビームは、偏光性ホログラム素子１２
により、常光の０次光が透過すると共に、異常光のプラ
スマイナス１次回折光が、それぞれ回折されることにな
る。

【００３４】即ち、入射する光ビームの常光成分をＩｏ
０：（１−Ｘ），異常光成分Ｉｅ０：Ｘ×ηとすると、
図７に示すように、光磁気ディスクＭＯからの戻り光
は、偏光性ホログラム素子１２を通過後に、その０次光
は、常光成分Ｉｏ００：（１−Ｘ），異常光成分Ｉｅ０
０：Ｘ×η² となり、プラスマイナス１次光は、常光成
分Ｉｏ０１：０，異常光成分Ｉｅ０１：Ｘ×（１−η）
・η／２となる。ところで、偏光性ホログラム素子１２
への入射光が、Ｉｏ：０．５，Ｉｅ：０．５であるよう
にした場合、０次光の常光成分Ｉｏ００：０．５，異常
光成分Ｉｅ００：０．５×η² となり、プラスマイナス
１次光の常光成分Ｉｏ０１：０，異常光成分Ｉｅ０１：
０．２５×（１−η）・ηとなり、Ｉｅ０１の最大値を
与えるのは、η＝５０％のときである。

【００３５】また、０次光は、反射鏡２２が存在するこ
とから、第一の光検出器２３での全入射光に対する検出
可能光量が３０％であるとすると、第一の光検出器２３
における光量の総和と第二の光検出器２４における光量
の総和の間には、第二の光検出器２５における電気的増
幅率をＡとすると、

【数３】 から、Ａ＝１．５が決まる。かくして、以上の条件の場
合には、光磁気信号ＭＯは、図４にて、

【数４】 により検出される。また、トラッキングエラー信号ＴＲ
Ｋは、

【数５】 により検出される。

【００３６】さらに、フォーカスエラー信号ＦＣＳは、
偏光性ホログラム素子１２がレンズ効果を有しているこ
とから、＋１次光は光検出器の前側に、また−１次光は
光検出器の後側に焦点を結ぶようになっていることか
ら、

【数６】 により検出される。

【００３７】ここで、図１の実施形態においては、上記
発光部である半導体レーザ素子２１及び反射鏡２２と、
第一及び第二の光検出器２３，２４が、一つの半導体基
板２０上に一体に形成されているので、相互の位置決め
が不要となり、半導体基板２０の製造時のマスクの精度
による位置決め精度が得られることになり、光学ピック
アップ１０の組立が容易に行われる。また、第一及び第
二の光検出器２３，２４が、偏光性ホログラム素子１２
による戻り光の回折限界内に亘って配設されていること
により、発光部に向かって進む戻り光Ｌｒが直接に第一
の光検出器２３に入射することになると共に、第一の光
検出器２３が共焦点近傍に配設されていることにより、
受光効率が高められることになる。

【００３８】上述した実施形態においては、偏光性ホロ
グラム素子１２は、複屈折回折格子型素子として構成さ
れているが、これに限らず、他の構成の偏光性ホログラ
ムとして構成されていてもよいことは明らかである。ま
た、上述した実施形態においては、偏光性ホログラム素
子１２が、異常光に対してのみ、入射光を回折させるよ
うに構成されているが、これに限らず、常光に対しての
み入射光を回折させるような構成の偏光性ホログラム素
子も使用されることは明らかである。

【００３９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、小
型に構成でき、しかも製造の簡略化，信頼性の向上，さ
らに光検出器への戻り光の入射光量の増大により、光検
出器の検出出力の増大，発光部の低パワー化そして消費
電力の低減化を図るようにした、光学ピックアップを提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光学ピックアップの一実施形態の
全体構成を示す概略図である。

【図２】図１の光学ピックアップにおける偏光性ホログ
ラム素子の構成例と入射光線の偏光方向を示す概略斜視
図である。

【図３】図１の光学ピックアップにおける偏光性ホログ
ラム素子の製造工程の一例を順次に示す工程図である。

【図４】図１の光学ピックアップにおける各光検出器の
構成を示す拡大平面図である。

【図５】図４の偏光性ホログラム素子の往路の回折状態
を示す断面図である。

【図６】偏光性ホログラム素子による光ビームの偏光状
態の変化を示す図である。

【図７】図４の偏光性ホログラム素子の複路の回折状態
を示す断面図である。

【図８】従来の光学ピックアップの一例の構成を示す概
略図である。

【符号の説明】

１０ 光学ピックアップ １１ 受発光素子 １２ 偏光性ホログラム素子 １３ 対物レンズ ２０ 半導体基板 ２１ 半導体レーザ素子 ２２ 反射鏡 ２３ 第一の光検出器 ２４ 第二の光検出器

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ビームを出射する発光部と、 この発光部から出射された光ビームを光磁気記録媒体の
   信号記録面上に集光するように照射する対物レンズと、 前記発光部と対物レンズとの間に配設され、前記発光部
   からの光ビームを０次光とプラスマイナス１次光とに分
   離すると共に、光磁気記録媒体からの戻り光ビームを常
   光と異常光として、それぞれ０次光とプラスマイナス１
   次光とに分離する偏光性ホログラム素子と、 前記偏光性ホログラム素子により分離された戻り光ビー
   ムの０次光を共焦点近傍で受光する第一の光検出器と、 前記偏光性ホログラム素子により分離された戻り光ビー
   ムのプラスマイナス１次光を共焦点近傍で受光する第二
   の光検出器とを備えている、光学ピックアップ。
2. 【請求項２】 前記偏光性ホログラム素子が、その回折
   効率が、第二の光検出器にてプラスマイナス１次回折光
   量が最大となるように選定されていることを特徴とする
   請求項１に記載の光学ピックアップ。
3. 【請求項３】 前記偏光性ホログラム素子による戻り光
   のプラスマイナス１次回折光が、任意の焦点距離を有す
   ることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアッ
   プ。
4. 【請求項４】 前記偏光性ホログラム素子は、その光学
   軸が入射光の偏光方向に対して任意の角度だけ傾いて形
   成されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピ
   ックアップ。
5. 【請求項５】 前記偏光性ホログラム素子は、その光学
   軸が入射光の偏光方向に対して４５度だけ傾いて形成さ
   れていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピック
   アップ。
6. 【請求項６】 前記発光部と前記第一及び第二の光検出
   器が、一つの基板上に一体に形成されていると共に、 前記発光部が、水平共振器を有する半導体レーザと反射
   鏡とを有しており、 前記第一及び第二の光検出器が、フォトダイオードから
   構成されていて、 前記フォトダイオードの受光面の少なくとも一部が戻り
   光の回折限界内に配設されていることを特徴とする請求
   項１に記載の光学ピックアップ。
7. 【請求項７】 前記第一及び第二の光検出器が、それぞ
   れ少なくとも三分割されていることを特徴とする請求項
   １に記載の光学ピックアップ。
8. 【請求項８】 前記第一の光検出器の出力信号の総和
   と、第二の光検出器の出力信号の総和から、光磁気信号
   が検出されることを特徴とする請求項７に記載の光学ピ
   ックアップ。
9. 【請求項９】 前記第一の光検出器または第一の光検出
   器及び第二の光検出器の出力信号に基づいて、トラッキ
   ングエラー信号が検出されると共に、 前記第二の光検出器の出力信号の差に基づいて、フォー
   カスエラー信号が検出されることを特徴とする請求項７
   に記載の光学ピックアップ。