JPH11251120A - 積層チップバリスタの製造方法 - Google Patents
積層チップバリスタの製造方法Info
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- JPH11251120A JPH11251120A JP10071337A JP7133798A JPH11251120A JP H11251120 A JPH11251120 A JP H11251120A JP 10071337 A JP10071337 A JP 10071337A JP 7133798 A JP7133798 A JP 7133798A JP H11251120 A JPH11251120 A JP H11251120A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程で積層バリスタ素子の4つの側面
に厚みのばらつきの少ないガラス絶縁膜を形成すること
ができ、しかも製造コストの低減を図ることができる積
層チップバリスタの製造方法を得る。 【解決手段】 保持プレート40に複数の積層バリスタ
素子12を保持し、内部電極露出面の一方側からガラス
ペースト42に浸漬する。積層バリスタ素子12を引き
上げ、内部電極露出面に付着したガラスペーストを濾紙
で拭き取り、乾燥させる。積層バリスタ素子の内部電極
露出面に外部電極用ペーストを塗布し、ガラスペースト
と外部電極用ペーストとを積層バリスタ素子12に焼き
付ける。このとき、焼き付け用プレートのキャビティ
に、積層バリスタ素子12を立てるようにして収納す
る。
に厚みのばらつきの少ないガラス絶縁膜を形成すること
ができ、しかも製造コストの低減を図ることができる積
層チップバリスタの製造方法を得る。 【解決手段】 保持プレート40に複数の積層バリスタ
素子12を保持し、内部電極露出面の一方側からガラス
ペースト42に浸漬する。積層バリスタ素子12を引き
上げ、内部電極露出面に付着したガラスペーストを濾紙
で拭き取り、乾燥させる。積層バリスタ素子の内部電極
露出面に外部電極用ペーストを塗布し、ガラスペースト
と外部電極用ペーストとを積層バリスタ素子12に焼き
付ける。このとき、焼き付け用プレートのキャビティ
に、積層バリスタ素子12を立てるようにして収納す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は積層チップバリス
タの製造方法に関し、特にたとえば、サージ吸収用とし
て用いられる積層チップバリスタの製造方法に関する。
タの製造方法に関し、特にたとえば、サージ吸収用とし
て用いられる積層チップバリスタの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図10は、積層チップバリスタの一例を
示す斜視図であり、図11はその断面図解図である。積
層チップバリスタ10は、積層バリスタ素子12を含
む。積層バリスタ素子12は、たとえば酸化亜鉛系の材
料で形成されたセラミック層14と複数の内部電極16
との積層体として形成される。内部電極16は、積層バ
リスタ素子12の長手方向の両端に交互に露出するよう
に形成される。積層バリスタ素子12の内部電極16が
露出した両端面には、外部電極18が形成される。した
がって、これらの外部電極18には、内部電極16が交
互に接続される。さらに、積層バリスタ素子12の外部
電極18が形成されていない側面には、ガラス絶縁膜2
0が形成される。なお、外部電極18は、Agなどで形
成される電極層22を含み、さらに半田付け時に発生す
る半田くわれを防止するため、SnやNiなどによっ
て、めっき層24が形成される。
示す斜視図であり、図11はその断面図解図である。積
層チップバリスタ10は、積層バリスタ素子12を含
む。積層バリスタ素子12は、たとえば酸化亜鉛系の材
料で形成されたセラミック層14と複数の内部電極16
との積層体として形成される。内部電極16は、積層バ
リスタ素子12の長手方向の両端に交互に露出するよう
に形成される。積層バリスタ素子12の内部電極16が
露出した両端面には、外部電極18が形成される。した
がって、これらの外部電極18には、内部電極16が交
互に接続される。さらに、積層バリスタ素子12の外部
電極18が形成されていない側面には、ガラス絶縁膜2
0が形成される。なお、外部電極18は、Agなどで形
成される電極層22を含み、さらに半田付け時に発生す
る半田くわれを防止するため、SnやNiなどによっ
て、めっき層24が形成される。
【0003】このような積層チップバリスタ10は、電
圧が上昇すると抵抗が急激に低下する電圧非直線性の抵
抗体であり、静電気サージ、雷サージ、リレーが発生す
る開閉サージなどの異常電圧から電子機器を保護するサ
ージアブソーバとして、重要な役割を果している。中で
も、積層チップバリスタは面実装が可能であり、薄層
化,高積層化によりバリスタ電圧の低い素子を安定的に
作製でき、かつサージ電流耐量の大きい小型の素子を作
製することが可能であるため、近年の電子機器の小型
化,面実装化,低電圧化の流れから、広く普及し始めて
いる。
圧が上昇すると抵抗が急激に低下する電圧非直線性の抵
抗体であり、静電気サージ、雷サージ、リレーが発生す
る開閉サージなどの異常電圧から電子機器を保護するサ
ージアブソーバとして、重要な役割を果している。中で
も、積層チップバリスタは面実装が可能であり、薄層
化,高積層化によりバリスタ電圧の低い素子を安定的に
作製でき、かつサージ電流耐量の大きい小型の素子を作
製することが可能であるため、近年の電子機器の小型
化,面実装化,低電圧化の流れから、広く普及し始めて
いる。
【0004】しかしながら、ガラス絶縁膜20がない場
合、積層チップバリスタ10は、酸やアルカリに弱く、
半田付け時のフラックスの還元作用により表面リークが
発生するという問題がある。また、積層チップバリスタ
10に用いられる抵抗体は半導体であるため、絶縁体に
比べて電気抵抗が低く、外部電極18にめっきを施すと
きに、外部電極18が形成されていない積層バリスタ素
子12の側面にもめっき層が形成されるという問題があ
る。そこで、このような問題を解決するために、外部電
極18が形成されていない積層バリスタ素子12の側面
に、保護膜としてガラス絶縁膜20が形成されている。
合、積層チップバリスタ10は、酸やアルカリに弱く、
半田付け時のフラックスの還元作用により表面リークが
発生するという問題がある。また、積層チップバリスタ
10に用いられる抵抗体は半導体であるため、絶縁体に
比べて電気抵抗が低く、外部電極18にめっきを施すと
きに、外部電極18が形成されていない積層バリスタ素
子12の側面にもめっき層が形成されるという問題があ
る。そこで、このような問題を解決するために、外部電
極18が形成されていない積層バリスタ素子12の側面
に、保護膜としてガラス絶縁膜20が形成されている。
【0005】この積層チップバリスタ10を作製するに
は、電圧非直線性を有する抵抗体の材料となるセラミッ
クグリーンシートが準備される。このセラミックグリー
ンシート上に、内部電極となる電極ペーストを印刷し、
電極ペーストを印刷した複数のセラミックグリーンシー
トが積層圧着される。積層圧着されたセラミックグリー
ンシートは、両端部に交互に内部電極用の電極ペースト
が露出するように、チップ状に切断される。そして、得
られたチップを焼成することにより、積層バリスタ素子
12が得られる。
は、電圧非直線性を有する抵抗体の材料となるセラミッ
クグリーンシートが準備される。このセラミックグリー
ンシート上に、内部電極となる電極ペーストを印刷し、
電極ペーストを印刷した複数のセラミックグリーンシー
トが積層圧着される。積層圧着されたセラミックグリー
ンシートは、両端部に交互に内部電極用の電極ペースト
が露出するように、チップ状に切断される。そして、得
られたチップを焼成することにより、積層バリスタ素子
12が得られる。
【0006】この積層バリスタ素子12にガラス絶縁膜
20を形成するために、図12に示すように、積層バリ
スタ素子12の1つの側面Aに、スクリーン印刷によっ
てガラスペーストが印刷される。そして、積層バリスタ
素子12に印刷されたガラスペーストが、乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の他の3
つの側面B,C,Dについて順次行われる。つまり、ガ
ラスペーストの印刷および乾燥を4回行うことにより、
積層バリスタ素子12の内部電極16が露出していない
側面に、ガラスペーストの層が形成される。さらに、積
層バリスタ素子12の内部電極16が露出した面に、外
部電極用ペーストが塗布される。そして、外部電極用ペ
ーストおよびガラスペーストを積層バリスタ素子12に
焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁膜
20が形成される。さらに、電極層22にめっき層24
を形成することにより外部電極18が形成され、積層チ
ップバリスタ10が完成する
20を形成するために、図12に示すように、積層バリ
スタ素子12の1つの側面Aに、スクリーン印刷によっ
てガラスペーストが印刷される。そして、積層バリスタ
素子12に印刷されたガラスペーストが、乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の他の3
つの側面B,C,Dについて順次行われる。つまり、ガ
ラスペーストの印刷および乾燥を4回行うことにより、
積層バリスタ素子12の内部電極16が露出していない
側面に、ガラスペーストの層が形成される。さらに、積
層バリスタ素子12の内部電極16が露出した面に、外
部電極用ペーストが塗布される。そして、外部電極用ペ
ーストおよびガラスペーストを積層バリスタ素子12に
焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁膜
20が形成される。さらに、電極層22にめっき層24
を形成することにより外部電極18が形成され、積層チ
ップバリスタ10が完成する
【0007】また、図13に示すように、積層バリスタ
素子12の側面に、ガラスペーストを転写してもよい。
この場合、転写パッド26にガラスペースト層28を形
成し、これを積層バリスタ素子12の側面に押しつける
ことにより、ガラスペースト層28が転写される。この
とき、転写パッド26が積層バリスタ素子12を包み込
むように押しつけられるため、図14に示すように、積
層バリスタ素子12の3つの側面にわたって、ガラスペ
ースト層28が形成される。そして、積層バリスタ素子
12に形成されたガラスペースト層28が乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の反対側
の側面についても行われ、図15に示すように、積層バ
リスタ素子12の4つの側面がガラスペースト層28で
覆われる。次に、図16に示すように、積層バリスタ素
子12の内部電極16が露出した面に、外部電極用ペー
スト30が塗布される。そして、外部電極用ペースト3
0およびガラスペースト層28を積層バリスタ素子12
に焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁
膜20が形成される。さらに、電極層22にめっき層2
4を形成することにより外部電極18が形成され、積層
チップバリスタ10が完成する。
素子12の側面に、ガラスペーストを転写してもよい。
この場合、転写パッド26にガラスペースト層28を形
成し、これを積層バリスタ素子12の側面に押しつける
ことにより、ガラスペースト層28が転写される。この
とき、転写パッド26が積層バリスタ素子12を包み込
むように押しつけられるため、図14に示すように、積
層バリスタ素子12の3つの側面にわたって、ガラスペ
ースト層28が形成される。そして、積層バリスタ素子
12に形成されたガラスペースト層28が乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の反対側
の側面についても行われ、図15に示すように、積層バ
リスタ素子12の4つの側面がガラスペースト層28で
覆われる。次に、図16に示すように、積層バリスタ素
子12の内部電極16が露出した面に、外部電極用ペー
スト30が塗布される。そして、外部電極用ペースト3
0およびガラスペースト層28を積層バリスタ素子12
に焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁
膜20が形成される。さらに、電極層22にめっき層2
4を形成することにより外部電極18が形成され、積層
チップバリスタ10が完成する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スクリ
ーン印刷によってガラスペースト層を形成する場合、積
層バリスタ素子の4つの面にガラスペーストを印刷しな
ければならないため、この印刷,乾燥の工程を4回繰り
返す必要があり、コストアップの原因となる。また、転
写によってガラスペースト層を形成する場合、2回の転
写で積層バリスタ素子の4つの面にガラスペースト層を
形成することができるが、積層バリスタ素子のチップサ
イズが大きくなると、ガラスペースト層の側面への回り
込みが安定せず、側面のガラスペースト層の転写量にば
らつきが生じ、膜厚不良や外観不良が多くなるという不
具合があった。
ーン印刷によってガラスペースト層を形成する場合、積
層バリスタ素子の4つの面にガラスペーストを印刷しな
ければならないため、この印刷,乾燥の工程を4回繰り
返す必要があり、コストアップの原因となる。また、転
写によってガラスペースト層を形成する場合、2回の転
写で積層バリスタ素子の4つの面にガラスペースト層を
形成することができるが、積層バリスタ素子のチップサ
イズが大きくなると、ガラスペースト層の側面への回り
込みが安定せず、側面のガラスペースト層の転写量にば
らつきが生じ、膜厚不良や外観不良が多くなるという不
具合があった。
【0009】また、いずれの方法においても、積層バリ
スタ素子をプレート上に寝かせた状態でガラスペースト
の塗布が行われるため、1つの積層バリスタ素子が占め
る専有面積が大きく、1回で処理できる個数が少なく、
コストアップの原因となっていた。
スタ素子をプレート上に寝かせた状態でガラスペースト
の塗布が行われるため、1つの積層バリスタ素子が占め
る専有面積が大きく、1回で処理できる個数が少なく、
コストアップの原因となっていた。
【0010】それゆえに、この発明の主たる目的は、少
ない工程で積層バリスタ素子の4つの側面に厚みのばら
つきの少ないガラス絶縁膜を形成することができ、しか
も製造コストの低減を図ることができる積層チップバリ
スタの製造方法を提供することである。
ない工程で積層バリスタ素子の4つの側面に厚みのばら
つきの少ないガラス絶縁膜を形成することができ、しか
も製造コストの低減を図ることができる積層チップバリ
スタの製造方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明は、両端に内部
電極が露出した積層バリスタ素子を準備する工程と、積
層バリスタ素子の内部電極露出面の一方側から積層バリ
スタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程と、積層バ
リスタ素子の内部電極露出面に付着したガラスペースト
を拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストを乾燥させる工程と、積層バリスタ素子の2つ
の内部電極露出面に外部電極用ペーストを塗布する工程
と、ガラスペーストおよび外部電極用ペーストを積層バ
リスタ素子に焼き付けることにより、バリスタ素子に内
部電極に接続された外部電極が形成されるとともに外部
電極形成部以外の表面にガラス絶縁膜が形成される、積
層チップバリスタの製造方法である。この積層チップバ
リスタの製造方法では、積層バリスタ素子をガラスペー
スト中に浸漬する工程において、積層バリスタ素子の2
つの内部電極露出面間の距離をLとし、積層バリスタ素
子の内部電極露出面以外の側面に形成される外部電極の
寸法をeとしたとき、ガラスペースト中への積層バリス
タ素子の浸漬深さDを、L−e<D<Lの範囲とするこ
とができる。また、ガラスペーストを乾燥させる工程の
後に、積層バリスタ素子の内部電極露出面の他方側から
積層バリスタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程
と、積層バリスタ素子の内部電極露出面に付着したガラ
スペーストを拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着
したガラスペーストを乾燥させる工程とを含み、積層バ
リスタ素子の2つの内部電極露出面間の距離をLとした
とき、ガラスペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深
さDを、D≧L/2の範囲としてもよい。また、ガラス
ペーストおよび外部電極用ペーストを積層バリスタ素子
に焼き付けるために、焼き付け用プレートに形成された
キャビティにガラスペーストおよび外部電極用ペースト
が塗布された積層バリスタ素子を立てるように収納する
ことが好ましい。
電極が露出した積層バリスタ素子を準備する工程と、積
層バリスタ素子の内部電極露出面の一方側から積層バリ
スタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程と、積層バ
リスタ素子の内部電極露出面に付着したガラスペースト
を拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストを乾燥させる工程と、積層バリスタ素子の2つ
の内部電極露出面に外部電極用ペーストを塗布する工程
と、ガラスペーストおよび外部電極用ペーストを積層バ
リスタ素子に焼き付けることにより、バリスタ素子に内
部電極に接続された外部電極が形成されるとともに外部
電極形成部以外の表面にガラス絶縁膜が形成される、積
層チップバリスタの製造方法である。この積層チップバ
リスタの製造方法では、積層バリスタ素子をガラスペー
スト中に浸漬する工程において、積層バリスタ素子の2
つの内部電極露出面間の距離をLとし、積層バリスタ素
子の内部電極露出面以外の側面に形成される外部電極の
寸法をeとしたとき、ガラスペースト中への積層バリス
タ素子の浸漬深さDを、L−e<D<Lの範囲とするこ
とができる。また、ガラスペーストを乾燥させる工程の
後に、積層バリスタ素子の内部電極露出面の他方側から
積層バリスタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程
と、積層バリスタ素子の内部電極露出面に付着したガラ
スペーストを拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着
したガラスペーストを乾燥させる工程とを含み、積層バ
リスタ素子の2つの内部電極露出面間の距離をLとした
とき、ガラスペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深
さDを、D≧L/2の範囲としてもよい。また、ガラス
ペーストおよび外部電極用ペーストを積層バリスタ素子
に焼き付けるために、焼き付け用プレートに形成された
キャビティにガラスペーストおよび外部電極用ペースト
が塗布された積層バリスタ素子を立てるように収納する
ことが好ましい。
【0012】内部電極露出面の一方からガラスペースト
中に積層バリスタ素子を浸漬することにより、その内部
電極露出面と内部電極が露出していない側面とに、ガラ
スペーストを付着させることができる。そして、内部電
極露出面に付着したガラスペーストを拭き取ることによ
り、外部電極と内部電極との間の電気的接続を得ること
ができる。積層バリスタ素子をガラスペーストに浸漬す
ることにより、チップサイズの大小にかかわらず、安定
した厚みのガラス絶縁層を形成することができる。ガラ
スペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、L
−e<D<Lの範囲とすることにより、外部電極形成部
分を除いて、1回の浸漬で積層バリスタ素子の側面にガ
ラスペーストを付着させることができる。また、ガラス
ペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、D≧
L/2の範囲とすれば、2つの内部電極露出面の両側か
らガラスペースト中に浸漬することにより、積層バリス
タ素子の側面に、安定した厚みのガラス絶縁層を形成す
ることができる。さらに、焼き付け用プレートのキャビ
ティに積層バリスタ素子を立てるようにして収納し、ガ
ラスペーストおよび外部電極ペーストを焼き付けること
により、焼き付け用プレート上における1個の積層バリ
スタ素子の占める面積が小さくなり、1回で作製できる
積層チップバリスタの量を多くすることができる。
中に積層バリスタ素子を浸漬することにより、その内部
電極露出面と内部電極が露出していない側面とに、ガラ
スペーストを付着させることができる。そして、内部電
極露出面に付着したガラスペーストを拭き取ることによ
り、外部電極と内部電極との間の電気的接続を得ること
ができる。積層バリスタ素子をガラスペーストに浸漬す
ることにより、チップサイズの大小にかかわらず、安定
した厚みのガラス絶縁層を形成することができる。ガラ
スペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、L
−e<D<Lの範囲とすることにより、外部電極形成部
分を除いて、1回の浸漬で積層バリスタ素子の側面にガ
ラスペーストを付着させることができる。また、ガラス
ペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、D≧
L/2の範囲とすれば、2つの内部電極露出面の両側か
らガラスペースト中に浸漬することにより、積層バリス
タ素子の側面に、安定した厚みのガラス絶縁層を形成す
ることができる。さらに、焼き付け用プレートのキャビ
ティに積層バリスタ素子を立てるようにして収納し、ガ
ラスペーストおよび外部電極ペーストを焼き付けること
により、焼き付け用プレート上における1個の積層バリ
スタ素子の占める面積が小さくなり、1回で作製できる
積層チップバリスタの量を多くすることができる。
【0013】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0014】
【発明の実施の形態】図10および図11に示す積層チ
ップバリスタ10を作製するために、積層バリスタ素子
12がガラスペースト中に浸漬され、内部電極露出面に
付着したガラスペーストが拭き取られるが、このような
方法による積層チップバリスタ10の製造方法の例を次
に示す。
ップバリスタ10を作製するために、積層バリスタ素子
12がガラスペースト中に浸漬され、内部電極露出面に
付着したガラスペーストが拭き取られるが、このような
方法による積層チップバリスタ10の製造方法の例を次
に示す。
【0015】
【実施例】(実施例1)まず、積層バリスタ素子12の
セラミック層14の原料として、ZnO100に対し
て、Bi2 O3 1.0mol%、MnO0.5mol
%、CoO0.5mol%、SiO2 1.0mol%、
B2 O3 0.1mol%、Sb2 O3 0.5mol%、
Al2 O3 100ppmを配合した。得られた配合原料
をボールミルで20時間混合,粉砕したのち、脱水を行
い、乾燥後♯60の篩で造粒した。この粉体を750℃
で2時間仮焼し、できあがった仮焼物を粗粉砕したの
ち、ボールミルで再度混合,粉砕して、スラリーを得
た。このスラリーを脱水,乾燥して、粉体を得た。
セラミック層14の原料として、ZnO100に対し
て、Bi2 O3 1.0mol%、MnO0.5mol
%、CoO0.5mol%、SiO2 1.0mol%、
B2 O3 0.1mol%、Sb2 O3 0.5mol%、
Al2 O3 100ppmを配合した。得られた配合原料
をボールミルで20時間混合,粉砕したのち、脱水を行
い、乾燥後♯60の篩で造粒した。この粉体を750℃
で2時間仮焼し、できあがった仮焼物を粗粉砕したの
ち、ボールミルで再度混合,粉砕して、スラリーを得
た。このスラリーを脱水,乾燥して、粉体を得た。
【0016】この粉体に溶剤,バインダおよび分散剤を
加え、ドクターブレード法により厚さ50μmのシート
を成形し、このシートを所定の大きさに打ち抜いて、グ
リーンシートを得た。このグリーンシートの一部にPt
ペーストをスクリーン印刷法で印刷し、内部電極用パタ
ーンを形成した。内部電極用パターンを形成したグリー
ンシートを、内部電極引き出し部が交互に配置されるよ
うに所定枚数積み重ね、2ton/cm2 の圧力で圧着
して積層体とした。この積層体を所定の大きさのチップ
状に切断した。得られたチップを500℃で熱処理して
バインダを飛ばしたのち、1000℃で3時間焼成し、
積層バリスタ素子12を得た。
加え、ドクターブレード法により厚さ50μmのシート
を成形し、このシートを所定の大きさに打ち抜いて、グ
リーンシートを得た。このグリーンシートの一部にPt
ペーストをスクリーン印刷法で印刷し、内部電極用パタ
ーンを形成した。内部電極用パターンを形成したグリー
ンシートを、内部電極引き出し部が交互に配置されるよ
うに所定枚数積み重ね、2ton/cm2 の圧力で圧着
して積層体とした。この積層体を所定の大きさのチップ
状に切断した。得られたチップを500℃で熱処理して
バインダを飛ばしたのち、1000℃で3時間焼成し、
積層バリスタ素子12を得た。
【0017】得られた積層バリスタ素子12を、図1に
示すように、粘着性ゴムが貼られた平面状の保持プレー
ト40に貼り付けた。このとき、保持プレート40に
は、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面を貼り
付けた。そして、保持プレート40をガラスペースト4
2に近づけ、積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2に浸漬した。このとき、保持プレート40とガラスペ
ースト42の面とが平行となるように配置し、この状態
で保持プレート40をガラスペースト42に近づけた。
なお、ガラスペースト42としては、ホウ珪酸鉛系のガ
ラスペーストを用いた。
示すように、粘着性ゴムが貼られた平面状の保持プレー
ト40に貼り付けた。このとき、保持プレート40に
は、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面を貼り
付けた。そして、保持プレート40をガラスペースト4
2に近づけ、積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2に浸漬した。このとき、保持プレート40とガラスペ
ースト42の面とが平行となるように配置し、この状態
で保持プレート40をガラスペースト42に近づけた。
なお、ガラスペースト42としては、ホウ珪酸鉛系のガ
ラスペーストを用いた。
【0018】積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2中に浸漬するとき、図2に示すように、その浸漬深さ
Dは、L−e<D<Lとなるように設定される。ここ
で、図10に示すように、Lは積層バリスタ素子12の
2つの内部電極16露出面の間の距離であり、eは積層
バリスタ素子12の内部電極16が露出していない側面
に形成された外部電極18の寸法である。
2中に浸漬するとき、図2に示すように、その浸漬深さ
Dは、L−e<D<Lとなるように設定される。ここ
で、図10に示すように、Lは積層バリスタ素子12の
2つの内部電極16露出面の間の距離であり、eは積層
バリスタ素子12の内部電極16が露出していない側面
に形成された外部電極18の寸法である。
【0019】積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2に浸漬したのち、保持プレート40に衝撃を与えて、
積層バリスタ素子12に過剰に付着したガラスペースト
42を振り切った。そして、図3に示すように、保持プ
レート40ごと濾紙44の上に置き、積層バリスタ素子
12の内部電極16露出面に付着したガラスペースト4
2を拭き取った。
2に浸漬したのち、保持プレート40に衝撃を与えて、
積層バリスタ素子12に過剰に付着したガラスペースト
42を振り切った。そして、図3に示すように、保持プ
レート40ごと濾紙44の上に置き、積層バリスタ素子
12の内部電極16露出面に付着したガラスペースト4
2を拭き取った。
【0020】そののち、保持プレート40ごとオーブン
に入れ、100℃で積層バリスタ素子12の側面に付着
したガラスペースト42を乾燥させた。そして、外部電
極18の電極層22となるAgペースト46を積層バリ
スタ素子12の両端部の内部電極16露出面に塗布し、
積層バリスタ素子12を、アルミナ製の焼き付け用プレ
ート48に保持した。焼き付け用プレート48には、図
4に示すように、複数の円筒状のキャビティ50が形成
され、このキャビティ50に積層バリスタ素子12を立
てるように収納した。つまり、図5に示すように、キャ
ビティ50内に、積層バリスタ素子12のAgペースト
46塗布面が上下となるように収納した。
に入れ、100℃で積層バリスタ素子12の側面に付着
したガラスペースト42を乾燥させた。そして、外部電
極18の電極層22となるAgペースト46を積層バリ
スタ素子12の両端部の内部電極16露出面に塗布し、
積層バリスタ素子12を、アルミナ製の焼き付け用プレ
ート48に保持した。焼き付け用プレート48には、図
4に示すように、複数の円筒状のキャビティ50が形成
され、このキャビティ50に積層バリスタ素子12を立
てるように収納した。つまり、図5に示すように、キャ
ビティ50内に、積層バリスタ素子12のAgペースト
46塗布面が上下となるように収納した。
【0021】そして、800℃で、ガラスペースト42
およびAgペースト46を積層バリスタ素子12に焼き
付け、ガラス絶縁膜20および外部電極18の電極層2
2を形成した。さらに、電気めっきにより、電極層22
にNiめっき,Snめっきを施し、めっき層24を形成
して、積層チップバリスタ10を得た。
およびAgペースト46を積層バリスタ素子12に焼き
付け、ガラス絶縁膜20および外部電極18の電極層2
2を形成した。さらに、電気めっきにより、電極層22
にNiめっき,Snめっきを施し、めっき層24を形成
して、積層チップバリスタ10を得た。
【0022】この積層チップバリスタ10の製造方法で
は、積層バリスタ素子12の浸漬深さDを、L−e<D
とすることにより、1回の浸漬のみで、少なくとも外部
電極18の形成部以外の全ての側面に、ガラスペースト
42を付着させることができる。したがって、従来のス
クリーン印刷や転写によってガラスペーストを付着させ
る場合に比べて、製造工程を簡略化することができ、製
造コストの低減を図ることができる。
は、積層バリスタ素子12の浸漬深さDを、L−e<D
とすることにより、1回の浸漬のみで、少なくとも外部
電極18の形成部以外の全ての側面に、ガラスペースト
42を付着させることができる。したがって、従来のス
クリーン印刷や転写によってガラスペーストを付着させ
る場合に比べて、製造工程を簡略化することができ、製
造コストの低減を図ることができる。
【0023】また、D<Lとすることにより、保持プレ
ート40へのガラスペースト42の付着がなくなり、保
持プレート40に保持された内部電極16露出面にガラ
スペースト42が付着しない。さらに、保持プレート4
0と反対側の積層バリスタ素子12の端部にはガラスペ
ースト42が付着しているが、この面のガラスペースト
42を濾紙44で拭き取ることによりガラスペースト4
2が濾紙44に吸収され、簡単に内部電極18露出面を
表面に現すことができる。したがって、積層バリスタ素
子12の両端に外部電極18を形成することにより、内
部電極16と外部電極18とが接続される。ガラスペー
スト42が付着したままでは、外部電極18と内部電極
16との接続ができず、バリスタの重要特性であるサー
ジ耐量が低下するが、この方法で積層チップバリスタ1
0を作製すれば、サージ耐量の低下を防ぐことができ
る。
ート40へのガラスペースト42の付着がなくなり、保
持プレート40に保持された内部電極16露出面にガラ
スペースト42が付着しない。さらに、保持プレート4
0と反対側の積層バリスタ素子12の端部にはガラスペ
ースト42が付着しているが、この面のガラスペースト
42を濾紙44で拭き取ることによりガラスペースト4
2が濾紙44に吸収され、簡単に内部電極18露出面を
表面に現すことができる。したがって、積層バリスタ素
子12の両端に外部電極18を形成することにより、内
部電極16と外部電極18とが接続される。ガラスペー
スト42が付着したままでは、外部電極18と内部電極
16との接続ができず、バリスタの重要特性であるサー
ジ耐量が低下するが、この方法で積層チップバリスタ1
0を作製すれば、サージ耐量の低下を防ぐことができ
る。
【0024】さらに、ガラスペースト42およびAgペ
ースト46を付着させた積層バリスタ素子12を、焼き
付け用プレート48のキャビティ50に立てるように収
納することにより、1つの焼き付け用プレート48を用
いて作製できる積層チップバリスタ10の数を多くする
ことができる。つまり、対向する内部電極16露出面間
の距離Lは、通常、他の幅方向の寸法Wや高さ方向の寸
法Tより長いため、積層バリスタ素子12を立てるよう
に収納することにより、積層バリスタ素子12を他の向
きに並べる場合に比べて、焼き付け用プレート48上に
占める面積が小さくなる。そのため、1枚の焼き付け用
プレート48上に多数の積層バリスタ素子12を保持す
ることができ、1枚の焼き付け用プレート48から得ら
れる積層チップバリスタ10の数を多くすることができ
る。
ースト46を付着させた積層バリスタ素子12を、焼き
付け用プレート48のキャビティ50に立てるように収
納することにより、1つの焼き付け用プレート48を用
いて作製できる積層チップバリスタ10の数を多くする
ことができる。つまり、対向する内部電極16露出面間
の距離Lは、通常、他の幅方向の寸法Wや高さ方向の寸
法Tより長いため、積層バリスタ素子12を立てるよう
に収納することにより、積層バリスタ素子12を他の向
きに並べる場合に比べて、焼き付け用プレート48上に
占める面積が小さくなる。そのため、1枚の焼き付け用
プレート48上に多数の積層バリスタ素子12を保持す
ることができ、1枚の焼き付け用プレート48から得ら
れる積層チップバリスタ10の数を多くすることができ
る。
【0025】また、キャビティ50に、積層バリスタ素
子12を立てるように収納することにより、外部電極用
のAgペースト46塗布面がキャビティ50の底面に接
触することになり、ガラスペースト42が付着した側面
が焼き付け用プレート48に接触しない。そのため、焼
き付け工程において、溶融したガラスが焼き付け用プレ
ート48に付着することを防ぐことができる。なお、キ
ャビティ50に積層バリスタ素子12を収納するのは、
積層バリスタ素子12が倒れることを防ぐためである。
したがって、キャビティ50の形状は、円筒状に限ら
ず、楕円状や多角形状など、他の形状であってもよい。
子12を立てるように収納することにより、外部電極用
のAgペースト46塗布面がキャビティ50の底面に接
触することになり、ガラスペースト42が付着した側面
が焼き付け用プレート48に接触しない。そのため、焼
き付け工程において、溶融したガラスが焼き付け用プレ
ート48に付着することを防ぐことができる。なお、キ
ャビティ50に積層バリスタ素子12を収納するのは、
積層バリスタ素子12が倒れることを防ぐためである。
したがって、キャビティ50の形状は、円筒状に限ら
ず、楕円状や多角形状など、他の形状であってもよい。
【0026】(実施例2)図6に示すように、ゴム状の
保持プレート52に貫通孔を形成し、保持プレート52
の弾性を利用して、この貫通孔に積層バリスタ素子12
を保持した。この保持プレート52に保持された積層バ
リスタ素子12を、その内部電極16露出面の一方側か
ら、ガラスペースト42に浸漬した。このとき、図7に
示すように、積層バリスタ素子12の浸漬深さDは、D
=L/2〜2L/3となるように浸漬される。
保持プレート52に貫通孔を形成し、保持プレート52
の弾性を利用して、この貫通孔に積層バリスタ素子12
を保持した。この保持プレート52に保持された積層バ
リスタ素子12を、その内部電極16露出面の一方側か
ら、ガラスペースト42に浸漬した。このとき、図7に
示すように、積層バリスタ素子12の浸漬深さDは、D
=L/2〜2L/3となるように浸漬される。
【0027】ガラスペースト42に積層バリスタ素子1
2を浸漬したのち、保持プレート52に衝撃を与え、過
剰に付着したガラスペースト42を振り切った。そし
て、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面に付着
したガラスペースト42を、濾紙44で拭き取った。そ
ののち、保持プレート52ごとオーブンに入れ、100
℃でガラスペーストを乾燥させた。積層バリスタ素子1
2を上方に押し出す、または別の保持プレート52に移
し替え、積層バリスタ素子12の向きを逆にして、この
ような浸漬,拭き取り,乾燥の作業を行った。
2を浸漬したのち、保持プレート52に衝撃を与え、過
剰に付着したガラスペースト42を振り切った。そし
て、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面に付着
したガラスペースト42を、濾紙44で拭き取った。そ
ののち、保持プレート52ごとオーブンに入れ、100
℃でガラスペーストを乾燥させた。積層バリスタ素子1
2を上方に押し出す、または別の保持プレート52に移
し替え、積層バリスタ素子12の向きを逆にして、この
ような浸漬,拭き取り,乾燥の作業を行った。
【0028】このとき、積層バリスタ素子12の浸漬深
さDをL/2〜2L/3の範囲とすることにより、1回
目の浸漬によって、図8に示すように、積層バリスタ素
子12の側面の中間部までガラスペースト42を付着さ
せることができる。また、2回目の浸漬によって、図9
に示すように、積層バリスタ素子12の中央部で重なる
ようにして、積層バリスタ素子12の側面の全体にガラ
スペースト42を付着させることができる。
さDをL/2〜2L/3の範囲とすることにより、1回
目の浸漬によって、図8に示すように、積層バリスタ素
子12の側面の中間部までガラスペースト42を付着さ
せることができる。また、2回目の浸漬によって、図9
に示すように、積層バリスタ素子12の中央部で重なる
ようにして、積層バリスタ素子12の側面の全体にガラ
スペースト42を付着させることができる。
【0029】ガラスペースト42を付着させた積層バリ
スタ素子12の内部電極16露出面に外部電極用のAg
ペーストを塗布し、実施例1と同様にして焼き付け、積
層チップバリスタ10を作製した。
スタ素子12の内部電極16露出面に外部電極用のAg
ペーストを塗布し、実施例1と同様にして焼き付け、積
層チップバリスタ10を作製した。
【0030】この積層チップバリスタ10の製造方法で
は、2回の浸漬で積層バリスタ素子12の側面の全体に
ガラスペースト42を付着させることができ、スクリー
ン印刷でガラスペーストを付着させる場合に比べて、工
程を簡略化することができる。さらに、転写によるガラ
スペーストの塗布の場合においても、積層バリスタ素子
12のチップサイズが大きくなると、4つの側面につい
てガラスペーストの転写および乾燥が必要であったが、
この実施例の方法では、チップサイズにかかわらず、2
回の浸漬によって、ガラスペースト42を積層バリスタ
素子12の側面に与えることができる。
は、2回の浸漬で積層バリスタ素子12の側面の全体に
ガラスペースト42を付着させることができ、スクリー
ン印刷でガラスペーストを付着させる場合に比べて、工
程を簡略化することができる。さらに、転写によるガラ
スペーストの塗布の場合においても、積層バリスタ素子
12のチップサイズが大きくなると、4つの側面につい
てガラスペーストの転写および乾燥が必要であったが、
この実施例の方法では、チップサイズにかかわらず、2
回の浸漬によって、ガラスペースト42を積層バリスタ
素子12の側面に与えることができる。
【0031】
【発明の効果】この発明によれば、従来の積層チップバ
リスタの製造方法に比べて、ガラスペーストの塗布工程
を簡略化することができる。しかも、チップサイズの大
小にかかわらず、積層バリスタ素子の側面全面に、ほぼ
均一な厚みのガラス絶縁膜を形成することができる。さ
らに、焼き付け用プレートのキャビティに積層バリスタ
素子を立てるように収納することにより、1回の焼き付
けで作製できる積層チップバリスタの数を多くすること
ができ、製造コストを低減を図ることができる。
リスタの製造方法に比べて、ガラスペーストの塗布工程
を簡略化することができる。しかも、チップサイズの大
小にかかわらず、積層バリスタ素子の側面全面に、ほぼ
均一な厚みのガラス絶縁膜を形成することができる。さ
らに、焼き付け用プレートのキャビティに積層バリスタ
素子を立てるように収納することにより、1回の焼き付
けで作製できる積層チップバリスタの数を多くすること
ができ、製造コストを低減を図ることができる。
【図1】この発明の積層チップバリスタの製造方法にお
いて、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬する工
程を示す図解図である。
いて、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬する工
程を示す図解図である。
【図2】ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬した
ときの浸漬深さを示す図解図である。
ときの浸漬深さを示す図解図である。
【図3】積層バリスタ素子の端部に付着したガラスペー
ストを拭き取る工程を示す図解図である。
ストを拭き取る工程を示す図解図である。
【図4】ガラスペーストおよびAgペーストを積層バリ
スタ素子に焼き付けるための焼き付け用プレートを示す
平面図である。
スタ素子に焼き付けるための焼き付け用プレートを示す
平面図である。
【図5】図4に示す焼き付け用プレートのキャビティに
積層バリスタ素子を収納した状態を示す図解図である。
積層バリスタ素子を収納した状態を示す図解図である。
【図6】この発明の積層チップバリスタの他の製造方法
において、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬す
る工程を示す図解図である。
において、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬す
る工程を示す図解図である。
【図7】ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬した
ときの浸漬深さを示す図解図である。
ときの浸漬深さを示す図解図である。
【図8】図7に示す浸漬深さで積層バリスタ素子に付着
したガラスペーストの状態を示す斜視図である。
したガラスペーストの状態を示す斜視図である。
【図9】積層バリスタ素子をその両側からガラスペース
トに浸漬したときに積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストの状態を示す斜視図である。
トに浸漬したときに積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストの状態を示す斜視図である。
【図10】積層チップバリスタの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図11】図10に示す積層チップバリスタの断面図解
図である。
図である。
【図12】従来のスクリーン印刷によって積層バリスタ
素子にガラスペーストを付着させる工程を示す図解図で
ある。
素子にガラスペーストを付着させる工程を示す図解図で
ある。
【図13】従来の転写によって積層バリスタ素子にガラ
スペーストを付着させる工程を示す図解図である。
スペーストを付着させる工程を示す図解図である。
【図14】図13に示す転写によって積層バリスタ素子
の1つの側面からガラスペースト層を転写した状態を示
す斜視図である。
の1つの側面からガラスペースト層を転写した状態を示
す斜視図である。
【図15】図13に示す転写によって積層バリスタ素子
の両側面からガラスペースト層を転写した状態を示す斜
視図である。
の両側面からガラスペースト層を転写した状態を示す斜
視図である。
【図16】図15に示す積層バリスタ素子に外部電極用
ペーストを塗布した状態を示す斜視図である。
ペーストを塗布した状態を示す斜視図である。
10 積層チップバリスタ 12 積層バリスタ素子 14 セラミック層 16 内部電極 18 外部電極 20 ガラス絶縁膜 22 電極層 24 めっき層 40 保持プレート 42 ガラスペースト 44 濾紙 46 Agペースト 48 焼き付け用プレート 50 キャビティ 52 保持プレート
Claims (4)
- 【請求項1】 両端に内部電極が露出した積層バリスタ
素子を準備する工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面の一方側か
ら前記積層バリスタ素子をガラスペースト中に浸漬する
工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面に付着した
前記ガラスペーストを拭き取る工程、 前記積層バリスタ素子に付着した前記ガラスペーストを
乾燥させる工程、 前記積層バリスタ素子の2つの前記内部電極露出面に外
部電極用ペーストを塗布する工程、および前記ガラスペ
ーストおよび前記外部電極用ペーストを前記積層バリス
タ素子に焼き付けることにより、前記バリスタ素子に前
記内部電極に接続された外部電極が形成されるとともに
前記外部電極形成部以外の表面にガラス絶縁膜が形成さ
れる、積層チップバリスタの製造方法。 - 【請求項2】 前記積層バリスタ素子を前記ガラスペー
スト中に浸漬する工程において、前記積層バリスタ素子
の2つの前記内部電極露出面間の距離をLとし、前記積
層バリスタ素子の前記内部電極露出面以外の側面に形成
される前記外部電極の寸法をeとしたとき、前記ガラス
ペースト中への前記積層バリスタ素子の浸漬深さDを、
L−e<D<Lの範囲とした、請求項1に記載の積層チ
ップバリスタの製造方法。 - 【請求項3】 前記ガラスペーストを乾燥させる工程の
後に、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面の他方側か
ら前記積層バリスタ素子を前記ガラスペースト中に浸漬
する工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面に付着した
前記ガラスペーストを拭き取る工程、および前記積層バ
リスタ素子に付着した前記ガラスペーストを乾燥させる
ステップを含み、 前記積層バリスタ素子の2つの前記内部電極露出面間の
距離をLとしたとき、前記ガラスペースト中への前記積
層バリスタ素子の浸漬深さDを、D≧L/2の範囲とし
た、請求項1に記載の積層チップバリスタの製造方法。 - 【請求項4】 前記ガラスペーストおよび前記外部電極
用ペーストを前記積層バリスタ素子に焼き付けるため
に、焼き付け用プレートに形成されたキャビティに前記
ガラスペーストおよび前記外部電極用ペーストが塗布さ
れた前記積層バリスタ素子を立てるように収納される、
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の積層チップ
バリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071337A JPH11251120A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 積層チップバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071337A JPH11251120A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 積層チップバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251120A true JPH11251120A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13457604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10071337A Pending JPH11251120A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 積層チップバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251120A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197406A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Maruwa Co Ltd | チップ型バリスタの製造方法 |
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| CN102244017A (zh) * | 2011-07-22 | 2011-11-16 | 余武 | 片式元件表面玻璃封装方法及其封装喷涂设备 |
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