JPH11251505A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11251505A JPH11251505A JP10052086A JP5208698A JPH11251505A JP H11251505 A JPH11251505 A JP H11251505A JP 10052086 A JP10052086 A JP 10052086A JP 5208698 A JP5208698 A JP 5208698A JP H11251505 A JPH11251505 A JP H11251505A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7438—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードが封止樹脂からはがれることを防止し
て半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体チップ１０と、ボンディングワイ
ヤ２０を介して半導体チップ１０の電極に接続されたリ
ード金属膜３０と、リード金属膜３０に上面の全面が接
続されたリード４０と、リード４０の下面から一体的か
つ突出して形成された柱状端子５０と、柱状端子５０の
下面の全面に形成された柱状端子金属膜６０と、半導体
チップ１０とボンディングワイヤ２０とリード金属膜３
０とリード４０とを封止して形成された封止樹脂８０と
を備える。したがって、柱状端子５０と一体的に形成さ
れたリード４０が封止樹脂８０に埋設されるので、リー
ド４０の密着強度が増大する。
て半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体チップ１０と、ボンディングワイ
ヤ２０を介して半導体チップ１０の電極に接続されたリ
ード金属膜３０と、リード金属膜３０に上面の全面が接
続されたリード４０と、リード４０の下面から一体的か
つ突出して形成された柱状端子５０と、柱状端子５０の
下面の全面に形成された柱状端子金属膜６０と、半導体
チップ１０とボンディングワイヤ２０とリード金属膜３
０とリード４０とを封止して形成された封止樹脂８０と
を備える。したがって、柱状端子５０と一体的に形成さ
れたリード４０が封止樹脂８０に埋設されるので、リー
ド４０の密着強度が増大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部へ信号を授受
するための外部端子が平面上に配列された半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
するための外部端子が平面上に配列された半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型薄型化、高速化、
及び高機能化へのニーズが高まる中で、電子機器を構成
する主要部品の一つである半導体装置に対して、小型
化、高密度化、高機能化が要求されている。そこで、半
導体装置の小型化に伴って、信頼性や電気的特性等の向
上が望まれている。
及び高機能化へのニーズが高まる中で、電子機器を構成
する主要部品の一つである半導体装置に対して、小型
化、高密度化、高機能化が要求されている。そこで、半
導体装置の小型化に伴って、信頼性や電気的特性等の向
上が望まれている。
【０００３】図６は、従来の半導体装置の構成を示す断
面図である。図６において、１１０は半導体チップ、１
２０はボンディングワイヤ、１３０はリード金属膜、１
５０は柱状端子、１６０は柱状端子金属膜、１８０は封
止樹脂である。
面図である。図６において、１１０は半導体チップ、１
２０はボンディングワイヤ、１３０はリード金属膜、１
５０は柱状端子、１６０は柱状端子金属膜、１８０は封
止樹脂である。
【０００４】図７は、従来の半導体装置の製造方法にお
ける各工程を示す断面図である。まず、図７（ａ）に示
すように、金属基板１９０の上面と下面とにそれぞれレ
ジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂを形成し、図７（ｂ）に示
すように、それぞれレジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂの所
定の領域を除去して開口１９２Ａ，１９２Ｂを形成す
る。次に、図７（ｃ）に示すように、それぞれ開口１９
２Ａ，１９２Ｂに金属膜１９３Ａ，１９３Ｂを形成し、
図７（ｄ）に示すように、金属基板１９０の両面におい
てレジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂをすべて除去して、そ
れぞれ上面にはリード金属膜１３０を、下面には柱状端
子金属膜１６０を形成する。次に、図７（ｅ）に示すよ
うに、金属基板１９０の上面に半導体チップ１１０をダ
イボンディングし、ワイヤーボンディングしてボンディ
ングワイヤ１２０により半導体チップの電極（図示せ
ず）とリード金属膜１３０とを接続し、金属基板１９０
の上面を封止樹脂１８０を用いて封止する。次に、図７
（ｆ）に示すように、柱状端子金属膜１６０が存在する
部分を残すように金属基板１９０をエッチングして、柱
状端子１５０を形成する。これにより、リード金属膜１
３０と柱状端子金属膜１６０とが柱状端子１５０を介し
て接続された半導体装置が得られる。
ける各工程を示す断面図である。まず、図７（ａ）に示
すように、金属基板１９０の上面と下面とにそれぞれレ
ジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂを形成し、図７（ｂ）に示
すように、それぞれレジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂの所
定の領域を除去して開口１９２Ａ，１９２Ｂを形成す
る。次に、図７（ｃ）に示すように、それぞれ開口１９
２Ａ，１９２Ｂに金属膜１９３Ａ，１９３Ｂを形成し、
図７（ｄ）に示すように、金属基板１９０の両面におい
てレジスト膜１９１Ａ，１９１Ｂをすべて除去して、そ
れぞれ上面にはリード金属膜１３０を、下面には柱状端
子金属膜１６０を形成する。次に、図７（ｅ）に示すよ
うに、金属基板１９０の上面に半導体チップ１１０をダ
イボンディングし、ワイヤーボンディングしてボンディ
ングワイヤ１２０により半導体チップの電極（図示せ
ず）とリード金属膜１３０とを接続し、金属基板１９０
の上面を封止樹脂１８０を用いて封止する。次に、図７
（ｆ）に示すように、柱状端子金属膜１６０が存在する
部分を残すように金属基板１９０をエッチングして、柱
状端子１５０を形成する。これにより、リード金属膜１
３０と柱状端子金属膜１６０とが柱状端子１５０を介し
て接続された半導体装置が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置によれば、リード金属膜１３０が封止樹
脂１８０にほとんど埋設されず単に接着されているだけ
なので、リード金属膜１３０の密着強度が低い。そのた
め、リード金属膜１３０が封止樹脂１８０からはがれや
すいという課題があった。
来の半導体装置によれば、リード金属膜１３０が封止樹
脂１８０にほとんど埋設されず単に接着されているだけ
なので、リード金属膜１３０の密着強度が低い。そのた
め、リード金属膜１３０が封止樹脂１８０からはがれや
すいという課題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、リードの密着強度が高く優れた信頼性を有する半導
体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
で、リードの密着強度が高く優れた信頼性を有する半導
体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置は、請求項１に記載されてい
るように、電極を有する半導体チップと、上面が電極へ
電気的に接続され、横方向に延びるように形成されたリ
ードと、リードの下面よりも下方へ突出しリードと一体
的に形成された柱状端子と、リードと半導体チップとを
封止する封止樹脂とを備え、柱状端子は封止樹脂の裏面
から突出していることとしたものである。 これによ
り、リードが封止樹脂に埋設されるので、リードの密着
強度が向上して信頼性が高い半導体装置が実現される。
めに、本発明の半導体装置は、請求項１に記載されてい
るように、電極を有する半導体チップと、上面が電極へ
電気的に接続され、横方向に延びるように形成されたリ
ードと、リードの下面よりも下方へ突出しリードと一体
的に形成された柱状端子と、リードと半導体チップとを
封止する封止樹脂とを備え、柱状端子は封止樹脂の裏面
から突出していることとしたものである。 これによ
り、リードが封止樹脂に埋設されるので、リードの密着
強度が向上して信頼性が高い半導体装置が実現される。
【０００８】請求項２に記載されているように、請求項
１記載の半導体装置において、リードは上面の上にリー
ド金属膜を備え、柱状端子はリードと一体的に形成され
た面の反対面上に柱状端子金属膜を備え、各々リード金
属膜と柱状端子金属膜とは、リードと柱状端子とをそれ
ぞれ構成する材料を溶融する薬液に対するレジストとし
て作用する材料により構成されていることが好ましい。
１記載の半導体装置において、リードは上面の上にリー
ド金属膜を備え、柱状端子はリードと一体的に形成され
た面の反対面上に柱状端子金属膜を備え、各々リード金
属膜と柱状端子金属膜とは、リードと柱状端子とをそれ
ぞれ構成する材料を溶融する薬液に対するレジストとし
て作用する材料により構成されていることが好ましい。
【０００９】これにより、リードとリード金属膜とが、
及び柱状端子と柱状端子金属膜とがそれぞれ自己整合的
に形成されるので、リード上にリード金属膜が確実に形
成され、柱状端子上に柱状端子金属膜が確実に形成され
た半導体装置が実現される。
及び柱状端子と柱状端子金属膜とがそれぞれ自己整合的
に形成されるので、リード上にリード金属膜が確実に形
成され、柱状端子上に柱状端子金属膜が確実に形成され
た半導体装置が実現される。
【００１０】本発明の第１の半導体装置の製造方法は、
請求項３に記載されているように、複数の電極を有する
半導体チップを内蔵した半導体装置の製造方法であっ
て、各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜
を、下面に複数の第２の金属膜を、各々第１の金属膜と
第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよう
にそれぞれ形成する工程と、第１の金属膜をレジストと
して金属基板を上面側からハーフエッチングすることに
より、第１の金属膜の下方に金属基板から突出したリー
ドを形成する工程と、上面側において金属基板の上に半
導体チップを載置する工程と、半導体チップの電極と第
１の金属膜とをそれぞれ電気的に接続する工程と、金属
基板の上において半導体チップとリードとを封止する工
程と、第２の金属膜をレジストとして金属基板を下面側
からエッチングすることにより、第２の金属膜とリード
とに各々電気的に接続された柱状端子を形成し、該柱状
端子とリードとからなる部分以外の金属基板を除去する
工程とを備えている。
請求項３に記載されているように、複数の電極を有する
半導体チップを内蔵した半導体装置の製造方法であっ
て、各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜
を、下面に複数の第２の金属膜を、各々第１の金属膜と
第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよう
にそれぞれ形成する工程と、第１の金属膜をレジストと
して金属基板を上面側からハーフエッチングすることに
より、第１の金属膜の下方に金属基板から突出したリー
ドを形成する工程と、上面側において金属基板の上に半
導体チップを載置する工程と、半導体チップの電極と第
１の金属膜とをそれぞれ電気的に接続する工程と、金属
基板の上において半導体チップとリードとを封止する工
程と、第２の金属膜をレジストとして金属基板を下面側
からエッチングすることにより、第２の金属膜とリード
とに各々電気的に接続された柱状端子を形成し、該柱状
端子とリードとからなる部分以外の金属基板を除去する
工程とを備えている。
【００１１】この方法によれば、リードフレームから突
出したリードを封止樹脂によって封止した後にリードに
接続された柱状端子を形成するので、リードの密着強度
を向上させ信頼性が高い半導体装置を製造できる。
出したリードを封止樹脂によって封止した後にリードに
接続された柱状端子を形成するので、リードの密着強度
を向上させ信頼性が高い半導体装置を製造できる。
【００１２】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
請求項４に記載されているように、複数の電極を有する
半導体チップを内蔵した半導体装置の製造方法であっ
て、各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜
を、下面に複数の第２の金属膜を、各々第１の金属膜と
第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよう
にそれぞれ形成する工程と、第１の金属膜と第２の金属
膜とを各々レジストとして金属基板を上面と下面との両
側からハーフエッチングすることにより、第１の金属膜
に接続され金属基板から突出したリードと第２の金属膜
に接続され金属基板から突出した突起とをそれぞれ形成
する工程と、上面側において金属基板の上に半導体チッ
プを載置する工程と、半導体チップの電極と第１の金属
膜とをそれぞれ電気的に接続する工程と、金属基板の上
において半導体チップとリードとを封止する工程と、第
２の金属膜をレジストとして金属基板を下面側からエッ
チングすることにより、突起を含み第２の金属膜とリー
ドとに各々電気的に接続された柱状端子を形成し、該柱
状端子とリードとからなる部分以外の金属基板を除去す
る工程とを備えている。
請求項４に記載されているように、複数の電極を有する
半導体チップを内蔵した半導体装置の製造方法であっ
て、各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜
を、下面に複数の第２の金属膜を、各々第１の金属膜と
第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよう
にそれぞれ形成する工程と、第１の金属膜と第２の金属
膜とを各々レジストとして金属基板を上面と下面との両
側からハーフエッチングすることにより、第１の金属膜
に接続され金属基板から突出したリードと第２の金属膜
に接続され金属基板から突出した突起とをそれぞれ形成
する工程と、上面側において金属基板の上に半導体チッ
プを載置する工程と、半導体チップの電極と第１の金属
膜とをそれぞれ電気的に接続する工程と、金属基板の上
において半導体チップとリードとを封止する工程と、第
２の金属膜をレジストとして金属基板を下面側からエッ
チングすることにより、突起を含み第２の金属膜とリー
ドとに各々電気的に接続された柱状端子を形成し、該柱
状端子とリードとからなる部分以外の金属基板を除去す
る工程とを備えている。
【００１３】この方法によれば、第１の半導体装置の製
造方法と同様に、リードフレームから突出したリードを
封止樹脂によって封止した後にリードに接続された柱状
端子を形成するので、リードの密着強度を向上させ信頼
性が高い半導体装置を製造できる。
造方法と同様に、リードフレームから突出したリードを
封止樹脂によって封止した後にリードに接続された柱状
端子を形成するので、リードの密着強度を向上させ信頼
性が高い半導体装置を製造できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明に係る
半導体装置の第１の実施形態を、図１〜図３を参照して
説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の構成
を示す断面図である。図１において、１０はトランジス
タ等の半導体素子を有する半導体集積回路を内蔵した半
導体チップ、２０は半導体チップ１０の電極（図示せ
ず）とリード金属膜３０とに接続され、半導体チップ１
０の外部に対して信号を授受するためのボンディングワ
イヤ、３０はボンディングワイヤ２０が接続されるため
のボンディングパッドとして機能するリード金属膜、４
０は一方の面がリード金属膜３０に接続されたリード、
５０はリード４０と一体的に、かつリード４０の他方の
面からほぼ直角に延びるように形成され、リード金属膜
３０からリード４０を介して信号を授受するための柱状
端子、６０は柱状端子５０の表面へ形成され、ハンダ等
を介して外部装置の電極に接続されるための外部電極と
して機能する柱状端子金属膜、７０は半導体チップ１０
を固定するためのボンディングペースト、８０は半導体
チップ１０とボンディングワイヤ２０とリード金属膜３
０とリード４０とを封止する封止樹脂である。
半導体装置の第１の実施形態を、図１〜図３を参照して
説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の構成
を示す断面図である。図１において、１０はトランジス
タ等の半導体素子を有する半導体集積回路を内蔵した半
導体チップ、２０は半導体チップ１０の電極（図示せ
ず）とリード金属膜３０とに接続され、半導体チップ１
０の外部に対して信号を授受するためのボンディングワ
イヤ、３０はボンディングワイヤ２０が接続されるため
のボンディングパッドとして機能するリード金属膜、４
０は一方の面がリード金属膜３０に接続されたリード、
５０はリード４０と一体的に、かつリード４０の他方の
面からほぼ直角に延びるように形成され、リード金属膜
３０からリード４０を介して信号を授受するための柱状
端子、６０は柱状端子５０の表面へ形成され、ハンダ等
を介して外部装置の電極に接続されるための外部電極と
して機能する柱状端子金属膜、７０は半導体チップ１０
を固定するためのボンディングペースト、８０は半導体
チップ１０とボンディングワイヤ２０とリード金属膜３
０とリード４０とを封止する封止樹脂である。
【００１５】ここで、本実施形態に係る半導体装置の特
徴は、リード４０が封止樹脂８０に埋設され、柱状端子
金属膜６０を有する柱状端子５０のみが封止樹脂８０か
ら突出している点である。このように、柱状端子５０と
一体的に形成されたリード４０が封止樹脂８０に埋設さ
れているので、リード４０の密着強度が向上する。した
がって、柱状端子５０へ応力が印加された場合、例えば
半導体装置が外部装置に実装された後に熱応力が印加さ
れた場合等においてリード４０がはがれないので、信頼
性が高い半導体装置が実現される。
徴は、リード４０が封止樹脂８０に埋設され、柱状端子
金属膜６０を有する柱状端子５０のみが封止樹脂８０か
ら突出している点である。このように、柱状端子５０と
一体的に形成されたリード４０が封止樹脂８０に埋設さ
れているので、リード４０の密着強度が向上する。した
がって、柱状端子５０へ応力が印加された場合、例えば
半導体装置が外部装置に実装された後に熱応力が印加さ
れた場合等においてリード４０がはがれないので、信頼
性が高い半導体装置が実現される。
【００１６】図２及び図３は、本実施形態に係る半導体
装置の製造方法における各工程を示す断面図である。図
１と同じ構成要素には、図１における符号と同じ符号を
付している。
装置の製造方法における各工程を示す断面図である。図
１と同じ構成要素には、図１における符号と同じ符号を
付している。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、４２アロ
イ（４２％ニッケル−鉄合金）又は銅からなる金属基板
９０の上面と下面とに、それぞれメッキレジストを塗布
してレジスト膜９１Ａ，９１Ｂを形成する。
イ（４２％ニッケル−鉄合金）又は銅からなる金属基板
９０の上面と下面とに、それぞれメッキレジストを塗布
してレジスト膜９１Ａ，９１Ｂを形成する。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、それぞれ
レジスト膜９１Ａ，９１Ｂの所定の領域を除去して開口
９２Ａ，９２Ｂを形成する。
レジスト膜９１Ａ，９１Ｂの所定の領域を除去して開口
９２Ａ，９２Ｂを形成する。
【００１９】次に、図２（ｃ）に示すように、メッキ法
を用いてそれぞれ開口９２Ａ，９２Ｂに金属膜９３Ａ，
９３Ｂを形成し、図２（ｄ）に示すように、金属基板９
０の上面のレジスト膜９１Ａをすべて除去して、上面に
リード金属膜３０を残す。このことにより、リード金属
膜３０が形成された部分以外において、金属基板９０の
上面が露出する。ここで、金属膜９３Ａ，９３Ｂは、例
えばＮｉ層、Ａｌ層、又はＴｉ層に対してＡｕ層、Ａｇ
層、又はＰｄ層が積層された構成を有する。
を用いてそれぞれ開口９２Ａ，９２Ｂに金属膜９３Ａ，
９３Ｂを形成し、図２（ｄ）に示すように、金属基板９
０の上面のレジスト膜９１Ａをすべて除去して、上面に
リード金属膜３０を残す。このことにより、リード金属
膜３０が形成された部分以外において、金属基板９０の
上面が露出する。ここで、金属膜９３Ａ，９３Ｂは、例
えばＮｉ層、Ａｌ層、又はＴｉ層に対してＡｕ層、Ａｇ
層、又はＰｄ層が積層された構成を有する。
【００２０】次に、図２（ｅ）に示すように、４２アロ
イ又は銅に対するエッチング液、例えばアルカリ系エッ
チング液を用いて、金属基板９０の上面に対してハーフ
エッチングを行う。この場合において、エッチング液に
対してレジスト性を有する上述のような材料を用いて、
予めリード金属膜３０を形成しておく。したがって、エ
ッチング液に対するレジストとしてリード金属膜３０を
用いることになって、金属基板９０の上面が露出した部
分のみがハーフエッチングされる。このことにより、金
属基板９０の上面においてリード金属膜３０が形成され
た部分だけを上方に突出させて、この突出したリード４
０を有するリードフレーム９４を形成する。
イ又は銅に対するエッチング液、例えばアルカリ系エッ
チング液を用いて、金属基板９０の上面に対してハーフ
エッチングを行う。この場合において、エッチング液に
対してレジスト性を有する上述のような材料を用いて、
予めリード金属膜３０を形成しておく。したがって、エ
ッチング液に対するレジストとしてリード金属膜３０を
用いることになって、金属基板９０の上面が露出した部
分のみがハーフエッチングされる。このことにより、金
属基板９０の上面においてリード金属膜３０が形成され
た部分だけを上方に突出させて、この突出したリード４
０を有するリードフレーム９４を形成する。
【００２１】次に、図３（ａ）に示すように、リードフ
レーム９４の上面のリード４０以外の領域へボンディン
グペースト７０を用いて半導体チップ１０を固定し、ボ
ンディングワイヤ２０を用いてワイヤボンディングする
ことにより半導体チップ１０の電極（図示せず）とリー
ド金属膜３０とを接続し、封止樹脂８０を用いてリード
フレーム９４の上面を樹脂封止する。
レーム９４の上面のリード４０以外の領域へボンディン
グペースト７０を用いて半導体チップ１０を固定し、ボ
ンディングワイヤ２０を用いてワイヤボンディングする
ことにより半導体チップ１０の電極（図示せず）とリー
ド金属膜３０とを接続し、封止樹脂８０を用いてリード
フレーム９４の上面を樹脂封止する。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、リードフ
レーム９４の下面のレジスト膜９１Ｂをすべて除去し
て、金属膜９３Ｂからなる柱状端子金属膜６０を残す。
このことによって、柱状端子金属膜６０が形成された部
分以外において、リードフレーム９４の下面が露出す
る。
レーム９４の下面のレジスト膜９１Ｂをすべて除去し
て、金属膜９３Ｂからなる柱状端子金属膜６０を残す。
このことによって、柱状端子金属膜６０が形成された部
分以外において、リードフレーム９４の下面が露出す
る。
【００２３】次に、図３（ｃ）に示すように、４２アロ
イ又は銅に対するエッチング液を用いて、リードフレー
ム９４の下面に対してエッチングを行う。この場合にお
いて、エッチング液に対してレジスト性を有する材料を
用いて、予め柱状端子金属膜６０を形成しておく。した
がって、エッチング液に対するレジストとして柱状端子
金属膜６０を用いることになって、リードフレーム９４
の下面が露出した部分のみがエッチングされる。このこ
とにより、リードフレーム９４の下面において、柱状端
子金属膜６０が形成された部分だけが下方に突出し、こ
の突出した部分が柱状端子５０となる。すなわち、適当
なエッチング条件により、リードフレーム９４の下面
を、柱状端子金属膜６０と柱状端子５０とリード４０と
のみが残るようにしてエッチングすることによって、図
１の半導体装置が得られる。
イ又は銅に対するエッチング液を用いて、リードフレー
ム９４の下面に対してエッチングを行う。この場合にお
いて、エッチング液に対してレジスト性を有する材料を
用いて、予め柱状端子金属膜６０を形成しておく。した
がって、エッチング液に対するレジストとして柱状端子
金属膜６０を用いることになって、リードフレーム９４
の下面が露出した部分のみがエッチングされる。このこ
とにより、リードフレーム９４の下面において、柱状端
子金属膜６０が形成された部分だけが下方に突出し、こ
の突出した部分が柱状端子５０となる。すなわち、適当
なエッチング条件により、リードフレーム９４の下面
を、柱状端子金属膜６０と柱状端子５０とリード４０と
のみが残るようにしてエッチングすることによって、図
１の半導体装置が得られる。
【００２４】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、金属基板９０をエッチングしてリード４０と柱状端
子５０とを一体的に形成し、リード４０を封止樹脂８０
に埋設させることにより、リード４０がはがれない図１
に示す半導体装置を容易に製造できる。
ば、金属基板９０をエッチングしてリード４０と柱状端
子５０とを一体的に形成し、リード４０を封止樹脂８０
に埋設させることにより、リード４０がはがれない図１
に示す半導体装置を容易に製造できる。
【００２５】（第２の実施形態）本発明に係る半導体装
置の第２の実施形態を、図４及び図５を参照して説明す
る。図４及び図５は、本実施形態に係る半導体装置の製
造方法における各工程を示す断面図である。本実施形態
に係る半導体装置は第１の実施形態の場合と同じであ
り、図４及び図５において図１と同じ構成要素には図１
における符号と同じ符号を付している。
置の第２の実施形態を、図４及び図５を参照して説明す
る。図４及び図５は、本実施形態に係る半導体装置の製
造方法における各工程を示す断面図である。本実施形態
に係る半導体装置は第１の実施形態の場合と同じであ
り、図４及び図５において図１と同じ構成要素には図１
における符号と同じ符号を付している。
【００２６】まず、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、
第１の実施形態の場合と同様に、金属基板９０の上面と
下面とにそれぞれ金属膜９３Ａ，９３Ｂを形成する。
第１の実施形態の場合と同様に、金属基板９０の上面と
下面とにそれぞれ金属膜９３Ａ，９３Ｂを形成する。
【００２７】次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板
９０の両面のレジスト膜９１Ａ，９１Ｂをすべて除去し
て、上面に金属膜９３Ａからなるリード金属膜３０を、
下面に金属膜９３Ｂからなる柱状端子金属膜６０をそれ
ぞれ残す。このことにより、リード金属膜３０が形成さ
れた部分以外において金属基板９０の上面が露出し、柱
状端子金属膜６０が形成された部分以外において金属基
板９０の下面が露出する。
９０の両面のレジスト膜９１Ａ，９１Ｂをすべて除去し
て、上面に金属膜９３Ａからなるリード金属膜３０を、
下面に金属膜９３Ｂからなる柱状端子金属膜６０をそれ
ぞれ残す。このことにより、リード金属膜３０が形成さ
れた部分以外において金属基板９０の上面が露出し、柱
状端子金属膜６０が形成された部分以外において金属基
板９０の下面が露出する。
【００２８】次に、図５（ａ）に示すように、４２アロ
イ又は銅に対するエッチング液、例えばアルカリ系エッ
チング液を用いて、金属基板９０の両面に対してハーフ
エッチングを行う。この場合において、エッチング液に
対してレジスト性を有する材料、つまり第１の実施形態
の場合と同様の材料を用いて、予めリード金属膜３０と
柱状端子金属膜６０とを形成しておく。したがって、エ
ッチング液に対するレジストとしてリード金属膜３０と
柱状端子金属膜６０とを用いることになって、金属基板
９０の表面が露出した部分のみがハーフエッチングされ
る。このことにより、金属基板９０の両面においてリー
ド金属膜３０と柱状端子金属膜６０とが形成された部分
だけをそれぞれ突出させて、リード４０を上面に、突起
５１を下面にそれぞれ有するリードフレーム９５を形成
する。
イ又は銅に対するエッチング液、例えばアルカリ系エッ
チング液を用いて、金属基板９０の両面に対してハーフ
エッチングを行う。この場合において、エッチング液に
対してレジスト性を有する材料、つまり第１の実施形態
の場合と同様の材料を用いて、予めリード金属膜３０と
柱状端子金属膜６０とを形成しておく。したがって、エ
ッチング液に対するレジストとしてリード金属膜３０と
柱状端子金属膜６０とを用いることになって、金属基板
９０の表面が露出した部分のみがハーフエッチングされ
る。このことにより、金属基板９０の両面においてリー
ド金属膜３０と柱状端子金属膜６０とが形成された部分
だけをそれぞれ突出させて、リード４０を上面に、突起
５１を下面にそれぞれ有するリードフレーム９５を形成
する。
【００２９】次に、図５（ｂ）に示すように、リードフ
レーム９５の上面におけるリード４０以外の領域へボン
ディングペースト７０を用いて半導体チップ１０を固定
し、ボンディングワイヤ２０を用いてワイヤボンディン
グすることにより半導体チップ１０の電極（図示せず）
とリード金属膜３０とを接続し、封止樹脂８０を用いて
リードフレーム９５の上面を樹脂封止する。
レーム９５の上面におけるリード４０以外の領域へボン
ディングペースト７０を用いて半導体チップ１０を固定
し、ボンディングワイヤ２０を用いてワイヤボンディン
グすることにより半導体チップ１０の電極（図示せず）
とリード金属膜３０とを接続し、封止樹脂８０を用いて
リードフレーム９５の上面を樹脂封止する。
【００３０】次に、図５（ｃ）に示すように、４２アロ
イ又は銅に対するエッチング液を用いて適当なエッチン
グ条件により、リードフレーム９５の下面を、柱状端子
金属膜６０と突起５１を含む柱状端子５０とリード４０
とのみが残るようにしてエッチングすることによって、
図１の半導体装置が得られる。
イ又は銅に対するエッチング液を用いて適当なエッチン
グ条件により、リードフレーム９５の下面を、柱状端子
金属膜６０と突起５１を含む柱状端子５０とリード４０
とのみが残るようにしてエッチングすることによって、
図１の半導体装置が得られる。
【００３１】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、金属基板９０の両面に形成されたレジスト膜９１
Ａ，９２Ｂを同時に除去するので、より少ない工程によ
って、リード４０がはがれない図１に示す半導体装置を
製造できる。
ば、金属基板９０の両面に形成されたレジスト膜９１
Ａ，９２Ｂを同時に除去するので、より少ない工程によ
って、リード４０がはがれない図１に示す半導体装置を
製造できる。
【００３２】なお、以上説明した各実施形態において
は、ワイヤボンディングによって半導体チップ１０の電
極をリード金属膜３０に電気的に接続したが、これに代
えてバンプ等を用いたフェイスボンディングによって接
続してもよい。
は、ワイヤボンディングによって半導体チップ１０の電
極をリード金属膜３０に電気的に接続したが、これに代
えてバンプ等を用いたフェイスボンディングによって接
続してもよい。
【００３３】
【発明の効果】請求項１及び２の発明によれば、外部電
極として機能する柱状端子金属膜を有する柱状端子のみ
が封止樹脂から突出し、柱状端子と一体的に形成された
リードが封止樹脂に埋設されているので、リードの密着
強度が向上する。したがって、柱状端子へ応力が印加さ
れた場合等においてリードがはがれないので、信頼性が
高い半導体装置が実現される。
極として機能する柱状端子金属膜を有する柱状端子のみ
が封止樹脂から突出し、柱状端子と一体的に形成された
リードが封止樹脂に埋設されているので、リードの密着
強度が向上する。したがって、柱状端子へ応力が印加さ
れた場合等においてリードがはがれないので、信頼性が
高い半導体装置が実現される。
【００３４】請求項１及び２の構造は、請求項３及び４
の方法によって容易に実現できる。
の方法によって容易に実現できる。
【図１】本発明の第１及び第２の実施形態に係る半導体
装置の構成を示す断面図である。
装置の構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
係る半導体装置の製造方法における各工程を示す断面図
である。
【図６】従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法における各工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
１０ 半導体チップ ２０ ボンディングワイヤ ３０ リード金属膜 ４０ リード ５０ 柱状端子 ５１ 突起 ６０ 柱状端子金属膜 ７０ ボンディングペースト ８０ 封止樹脂 ９０ 金属基板 ９１Ａ，９１Ｂ レジスト膜 ９２Ａ，９２Ｂ 開口 ９３Ａ，９３Ｂ 金属膜 ９４，９５ リードフレーム
Claims (4)
- 【請求項１】 電極を有する半導体チップと、 上面が前記電極へ電気的に接続され、横方向に延びるよ
うに形成されたリードと、 前記リードの下面よりも下方へ突出し前記リードと一体
的に形成された柱状端子と、 前記リードと前記半導体チップとを封止する封止樹脂と
を備え、 前記柱状端子は前記封止樹脂の裏面から突出しているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記リードは前記上面の上にリード金属膜を備え、 前記柱状端子は前記リードと一体的に形成された面の反
対面上に柱状端子金属膜を備え、 各々前記リード金属膜と前記柱状端子金属膜とは、前記
リードと前記柱状端子とをそれぞれ構成する材料を溶融
する薬液に対するレジストとして作用する材料により構
成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 複数の電極を有する半導体チップを内蔵
した半導体装置の製造方法であって、 各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜を、下
面に複数の第２の金属膜を、各々前記第１の金属膜と前
記第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよ
うにそれぞれ形成する工程と、 前記第１の金属膜をレジストとして前記金属基板を前記
上面側からハーフエッチングすることにより、前記第１
の金属膜の下方に前記金属基板から突出したリードを形
成する工程と、 前記上面側において前記金属基板の上に前記半導体チッ
プを載置する工程と、 前記半導体チップの電極と前記第１の金属膜とをそれぞ
れ電気的に接続する工程と、 前記金属基板の上において前記半導体チップと前記リー
ドとを封止する工程と、 前記第２の金属膜をレジストとして前記金属基板を前記
下面側からエッチングすることにより、前記第２の金属
膜と前記リードとに各々電気的に接続された柱状端子を
形成し、該柱状端子と前記リードとからなる部分以外の
前記金属基板を除去する工程とを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 複数の電極を有する半導体チップを内蔵
した半導体装置の製造方法であって、 各々金属基板が有する上面に複数の第１の金属膜を、下
面に複数の第２の金属膜を、各々前記第１の金属膜と前
記第２の金属膜とが平面的にみてオーバーラップするよ
うにそれぞれ形成する工程と、 前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを各々レジスト
として前記金属基板を前記上面と前記下面との両側から
ハーフエッチングすることにより、前記第１の金属膜に
接続され前記金属基板から突出したリードと前記第２の
金属膜に接続され前記金属基板から突出した突起とをそ
れぞれ形成する工程と、 前記上面側において前記金属基板の上に前記半導体チッ
プを載置する工程と、 前記半導体チップの電極と前記第１の金属膜とをそれぞ
れ電気的に接続する工程と、 前記金属基板の上において前記半導体チップと前記リー
ドとを封止する工程と、 前記第２の金属膜をレジストとして前記金属基板を前記
下面側からエッチングすることにより、前記突起を含み
前記第２の金属膜と前記リードとに各々電気的に接続さ
れた柱状端子を形成し、該柱状端子と前記リードとから
なる部分以外の前記金属基板を除去する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052086A JPH11251505A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052086A JPH11251505A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251505A true JPH11251505A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12905028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10052086A Pending JPH11251505A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251505A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308249A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム用中間体、およびその製造方法 |
| JP2001320006A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| KR100404062B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2003-11-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2005038882A2 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device and method of manufacturing thereof |
| JP2005522860A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-07-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | キャリヤ、キャリヤを製造する方法および電子機器 |
| KR100595094B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2006-07-03 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2009515334A (ja) * | 2005-11-03 | 2009-04-09 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 半導体チップパッケージに用いる接点パッドの表面処理およびそれらの表面処理を施す方法 |
| JP2011096892A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013062549A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2021120991A (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-19 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP10052086A patent/JPH11251505A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595094B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2006-07-03 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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| WO2005038882A2 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device and method of manufacturing thereof |
| WO2005038882A3 (en) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electronic device and method of manufacturing thereof |
| JP2009515334A (ja) * | 2005-11-03 | 2009-04-09 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 半導体チップパッケージに用いる接点パッドの表面処理およびそれらの表面処理を施す方法 |
| JP2011096892A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013062549A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-04 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2021120991A (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-19 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030408 |