JPH1125437A - 磁気ヘッドの製法およびその製造装置 - Google Patents
磁気ヘッドの製法およびその製造装置Info
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- JPH1125437A JPH1125437A JP17930997A JP17930997A JPH1125437A JP H1125437 A JPH1125437 A JP H1125437A JP 17930997 A JP17930997 A JP 17930997A JP 17930997 A JP17930997 A JP 17930997A JP H1125437 A JPH1125437 A JP H1125437A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ヘッドのスライダ加工精度を向上すると共
に、製造コストを下げることにある。 【解決手段】磁気ヘッドのスライダ加工を行う方法にお
いて、フォトリソグラフィ技術を用いず、イオンビーム
加工装置の光学系のアパーチャ部にスライダパターンを
形成しておき、このアパーチャのスライダパターンを縮
小投影して、磁気ヘッドのスライダ面にエッチングガス
を吹き付けながら照射し、直接スライダ面を加工するこ
とにより達成される。
に、製造コストを下げることにある。 【解決手段】磁気ヘッドのスライダ加工を行う方法にお
いて、フォトリソグラフィ技術を用いず、イオンビーム
加工装置の光学系のアパーチャ部にスライダパターンを
形成しておき、このアパーチャのスライダパターンを縮
小投影して、磁気ヘッドのスライダ面にエッチングガス
を吹き付けながら照射し、直接スライダ面を加工するこ
とにより達成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに係
わり、特に磁気記録媒体と対向する面に磁気ヘッド素子
を浮上させるためのスライダの加工方法に関するもので
ある。
わり、特に磁気記録媒体と対向する面に磁気ヘッド素子
を浮上させるためのスライダの加工方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録再生装置は高密度化、小
型化が進み、そのため小型の薄膜磁気ヘッド素子と記録
媒体との間隔を一定に保つためスライダの形状が複雑に
なってきている。従来、薄膜磁気ヘッドのスライダ加工
方法として、特開平７−１４１３７号公報に述べられて
いるようにフォトリソグラフィ技術及びイオンミリング
技術が用いられている。
型化が進み、そのため小型の薄膜磁気ヘッド素子と記録
媒体との間隔を一定に保つためスライダの形状が複雑に
なってきている。従来、薄膜磁気ヘッドのスライダ加工
方法として、特開平７−１４１３７号公報に述べられて
いるようにフォトリソグラフィ技術及びイオンミリング
技術が用いられている。
【０００３】アルミナチタンカーバイト基板６０１に薄
膜磁気ヘッド素子６０２を形成した後、磁気ヘッド素子
を一列ずつ切断分離し、スライダ形成面を上にして、ホ
ルダ上に並べる。そして図６（ａ）に示すようにアルミ
ナチタンカーバイト基板６０１上にレジスト６０３を塗
布する。
膜磁気ヘッド素子６０２を形成した後、磁気ヘッド素子
を一列ずつ切断分離し、スライダ形成面を上にして、ホ
ルダ上に並べる。そして図６（ａ）に示すようにアルミ
ナチタンカーバイト基板６０１上にレジスト６０３を塗
布する。
【０００４】そしてフォトリソグラフィ技術により図６
（ｂ）のようにレジスト６０３を所望のパターンに露光
現像する。
（ｂ）のようにレジスト６０３を所望のパターンに露光
現像する。
【０００５】しかる後図６（ｃ）のように露光されたレ
ジスト６０３をマスクとしてイオンミリング技術を用
い、アルミナチタンカーバイト基板６０１をイオン６０
４によってエッチングする。
ジスト６０３をマスクとしてイオンミリング技術を用
い、アルミナチタンカーバイト基板６０１をイオン６０
４によってエッチングする。
【０００６】最後に図６（ｄ）のようにレジスト６０３
を溶剤等によって剥離することにより、スライダ加工が
終了する。
を溶剤等によって剥離することにより、スライダ加工が
終了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では、スライダの溝の深さが数ミクロンと深いために、
レジストの膜厚が１０μｍ程度必要となり、イオンミリ
ング中にレジストが削られ、寸法精度が低下する問題が
ある。
では、スライダの溝の深さが数ミクロンと深いために、
レジストの膜厚が１０μｍ程度必要となり、イオンミリ
ング中にレジストが削られ、寸法精度が低下する問題が
ある。
【０００８】アルミナチタンカーバイト基板をエッチン
グした際、スパッタされた粒子がレジストの側壁に付着
して、その付着物がレジスト除去後も残り、バリとなっ
てしまいスライダの浮上特性を低下させたり、磁気記録
媒体に傷を付けてしまう問題があった。
グした際、スパッタされた粒子がレジストの側壁に付着
して、その付着物がレジスト除去後も残り、バリとなっ
てしまいスライダの浮上特性を低下させたり、磁気記録
媒体に傷を付けてしまう問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題はフォトリソグ
ラフィ技術を用いず、エネルギビーム加工装置の光学系
のアパーチャ部にスライダパターンを形成しておき、こ
のアパーチャのスライダパターンを縮小投影して、磁気
ヘッドのスライダ面にエッチングガスを吹き付けながら
照射し、直接スライダ面を加工することにより達成され
る。
ラフィ技術を用いず、エネルギビーム加工装置の光学系
のアパーチャ部にスライダパターンを形成しておき、こ
のアパーチャのスライダパターンを縮小投影して、磁気
ヘッドのスライダ面にエッチングガスを吹き付けながら
照射し、直接スライダ面を加工することにより達成され
る。
【００１０】
〔実施例１〕本発明の磁気ヘッド素子のスライダ加工を
行うエネルギビームとしてイオンビームを用いた加工装
置の構成および動作を図１を用いて説明する。
行うエネルギビームとしてイオンビームを用いた加工装
置の構成および動作を図１を用いて説明する。
【００１１】まず、イオンビームはイオン源１０１から
引き出し電極により引き出され照射レンズ１０３により
集束してアパーチャ１０４に照射される。アパーチャ１
０４は切り替え機構を有し、イオンビーム１０９をスポ
ット状に集束するための丸アパーチャとスライダパター
ンが形成されたマスクの部分とを切り替えられる構成と
なっている。アパーチャ１０４を通過したイオンビーム
１０９は照射位置を決めるための偏向電極１０５を通
り、投射レンズ１０７によって試料上に照射される。な
お、偏向電極１０５の下部にはイオンビーム１０９の電
流値を測定するための電極１０６が設けられ、外部に取
り付けた電流計１１０によって電流値が測定できる。
引き出し電極により引き出され照射レンズ１０３により
集束してアパーチャ１０４に照射される。アパーチャ１
０４は切り替え機構を有し、イオンビーム１０９をスポ
ット状に集束するための丸アパーチャとスライダパター
ンが形成されたマスクの部分とを切り替えられる構成と
なっている。アパーチャ１０４を通過したイオンビーム
１０９は照射位置を決めるための偏向電極１０５を通
り、投射レンズ１０７によって試料上に照射される。な
お、偏向電極１０５の下部にはイオンビーム１０９の電
流値を測定するための電極１０６が設けられ、外部に取
り付けた電流計１１０によって電流値が測定できる。
【００１２】イオンビーム光学系は高圧電源１２５およ
びイオンビームコントローラ１２６から成る制御部によ
って制御されている。これらのイオンビーム光学系はコ
ラムチャンバ１１１内に設けられ、図示しない真空排気
装置により１０~6Ｐａ台の高真空に排気されている。
びイオンビームコントローラ１２６から成る制御部によ
って制御されている。これらのイオンビーム光学系はコ
ラムチャンバ１１１内に設けられ、図示しない真空排気
装置により１０~6Ｐａ台の高真空に排気されている。
【００１３】メインチャンバ１２２内には試料１１２を
搭載して、任意の位置に移動させるためのＸＹステージ
１１３があり、そのＸＹステージ１１３にはレーザ測長
器１１６用のレーザ光を反射するミラー１１４が取り付
けられ、メインチャンバ１２２の外から窓１１５を介し
てレーザ測長器１１６からレーザ光が導入され、レーザ
測長器１１６によってＸＹステージ１１３位置が計測さ
れる構成となっている。
搭載して、任意の位置に移動させるためのＸＹステージ
１１３があり、そのＸＹステージ１１３にはレーザ測長
器１１６用のレーザ光を反射するミラー１１４が取り付
けられ、メインチャンバ１２２の外から窓１１５を介し
てレーザ測長器１１６からレーザ光が導入され、レーザ
測長器１１６によってＸＹステージ１１３位置が計測さ
れる構成となっている。
【００１４】ＸＹステージ１１３はＸＹステージコント
ローラ１２７によって制御され、レーザ測長器はレーザ
測長器コントローラ１２８によって、測定した座標を読
み出せるようになっている。
ローラ１２７によって制御され、レーザ測長器はレーザ
測長器コントローラ１２８によって、測定した座標を読
み出せるようになっている。
【００１５】さらにメインチャンバ１２２内には２次粒
子ディテクタとして例えばマイクロチャンネルプレート
１０８がイオンビーム１０９の光軸の下に設けられ、イ
オンビーム１０９の照射によって試料１１２から放出さ
れる２次粒子を検出して、走査イオン顕微鏡像が観察で
きる。
子ディテクタとして例えばマイクロチャンネルプレート
１０８がイオンビーム１０９の光軸の下に設けられ、イ
オンビーム１０９の照射によって試料１１２から放出さ
れる２次粒子を検出して、走査イオン顕微鏡像が観察で
きる。
【００１６】また、試料１１２にエッチングガスを吹き
付けるためのガスノズル１１７が設けられ、ガスノズル
１１７の先にはバルブ１２０、１２１、流量制御装置１
１９を介してガスボンベ１１８が取り付けられ、ガスボ
ンベ１１８内のエッチングガスが試料１１２を吹き付け
られる構成となっている。エッチングガスの供給、流量
制御はガスコントローラ１２９によって制御されてい
る。なお、メインチャンバ１２２内も図示しない真空排
気装置により１０~4Ｐａ台の高真空に排気されている。
付けるためのガスノズル１１７が設けられ、ガスノズル
１１７の先にはバルブ１２０、１２１、流量制御装置１
１９を介してガスボンベ１１８が取り付けられ、ガスボ
ンベ１１８内のエッチングガスが試料１１２を吹き付け
られる構成となっている。エッチングガスの供給、流量
制御はガスコントローラ１２９によって制御されてい
る。なお、メインチャンバ１２２内も図示しない真空排
気装置により１０~4Ｐａ台の高真空に排気されている。
【００１７】試料１１２の導入はゲートバルブ１２３を
介してロードロックチャンバ１２４から行われる。
介してロードロックチャンバ１２４から行われる。
【００１８】上記イオンビーム加工装置の各コントロー
ラは、制御装置１３０によってそれぞれ制御されてお
り、加工位置の設定や条件の設定が行える構成となって
いる。
ラは、制御装置１３０によってそれぞれ制御されてお
り、加工位置の設定や条件の設定が行える構成となって
いる。
【００１９】本装置を用いた実施例１の磁気ヘッドの製
造方法を図２を用いて説明する。まず図２（ａ）に示す
ように磁気ヘッド素子部をアルミナチタンカーバイト基
板２０１上に形成する。
造方法を図２を用いて説明する。まず図２（ａ）に示す
ように磁気ヘッド素子部をアルミナチタンカーバイト基
板２０１上に形成する。
【００２０】次に磁気ヘッド素子を一列ずつ切断分離
し、図２（ｂ）のようにスライダブロック２０４を形成
する。このとき、スライダ面には薄膜磁気ヘッド素子形
成時に同時に形成したアライメントマーク２０５が見え
るように切断研磨する。
し、図２（ｂ）のようにスライダブロック２０４を形成
する。このとき、スライダ面には薄膜磁気ヘッド素子形
成時に同時に形成したアライメントマーク２０５が見え
るように切断研磨する。
【００２１】この切断したスライダブロック２０４を図
２（ｃ）のように試料ホルダ２０７上に並べて設置す
る。この試料ホルダ２０７上には位置決め用の複数個の
アライメントマーク２０６が設けられており、薄膜磁気
ヘッド素子が搭載された状態で、レーザ測長器等を用い
た寸法測定装置により、試料ホルダ２０７のアライメン
トマーク２０６と、磁気ヘッド素子のアライメントマー
ク２０５との相対位置を測定する。しかる後、試料ホル
ダ２０７をイオンビーム加工装置内に導入する。
２（ｃ）のように試料ホルダ２０７上に並べて設置す
る。この試料ホルダ２０７上には位置決め用の複数個の
アライメントマーク２０６が設けられており、薄膜磁気
ヘッド素子が搭載された状態で、レーザ測長器等を用い
た寸法測定装置により、試料ホルダ２０７のアライメン
トマーク２０６と、磁気ヘッド素子のアライメントマー
ク２０５との相対位置を測定する。しかる後、試料ホル
ダ２０７をイオンビーム加工装置内に導入する。
【００２２】試料ホルダ２０７はまずＸＹステージ１１
３により試料ホルダ２０７のアライメントマーク２０６
がイオンビームの光軸の下に来るように移動せしめ、図
２（ｄ）のようにφ０．１μｍ以下に集束した集束イオ
ンビーム２０８を走査しながら照射して、試料ホルダ２
０７のアライメントマーク２０６を観察する。
３により試料ホルダ２０７のアライメントマーク２０６
がイオンビームの光軸の下に来るように移動せしめ、図
２（ｄ）のようにφ０．１μｍ以下に集束した集束イオ
ンビーム２０８を走査しながら照射して、試料ホルダ２
０７のアライメントマーク２０６を観察する。
【００２３】試料ホルダ２０７の複数のアライメントマ
ーク２０６を観察して、アライメントマーク２０６の位
置とイオンビーム加工装置のＸＹステージ１１３の位置
との相関を求める。こうすることにより上記寸法測定装
置で測定した試料ホルダ２０７のアライメントマーク２
０６からの磁気ヘッド素子のアライメントマーク２０５
位置がわかり、ＸＹステージ１１３により自動的に加工
位置に磁気ヘッド素子を移動させることが出来る。
ーク２０６を観察して、アライメントマーク２０６の位
置とイオンビーム加工装置のＸＹステージ１１３の位置
との相関を求める。こうすることにより上記寸法測定装
置で測定した試料ホルダ２０７のアライメントマーク２
０６からの磁気ヘッド素子のアライメントマーク２０５
位置がわかり、ＸＹステージ１１３により自動的に加工
位置に磁気ヘッド素子を移動させることが出来る。
【００２４】そして、図２（ｅ）のようにイオンビーム
の光学系のアパーチャを所望のスライダのパターンが形
成されたアパーチャに切換え、そのアパーチャの像を縮
小投影するモードに切り換え、イオンビーム２０９を磁
気ヘッド２０４のスライダ面に照射する。このとき、加
工のスループットを向上させるために、イオンビーム２
０９を照射する前にガスノズル１１７からエッチングガ
ス２１０を供給して加工面に吹き付ける。
の光学系のアパーチャを所望のスライダのパターンが形
成されたアパーチャに切換え、そのアパーチャの像を縮
小投影するモードに切り換え、イオンビーム２０９を磁
気ヘッド２０４のスライダ面に照射する。このとき、加
工のスループットを向上させるために、イオンビーム２
０９を照射する前にガスノズル１１７からエッチングガ
ス２１０を供給して加工面に吹き付ける。
【００２５】この結果、エッチングガス２１０はイオン
ビーム２０９により活性化し、基板であるアルミナチタ
ンカーバイト膜の加工を促進して、短時間でエッチング
が終了する。なお、加工時間はあらかじめ実験によりイ
オンビーム２０９の電流値とガス流量による加工速度を
求めておき、イオンビーム２０９を基板に照射する前に
偏向電極１０５によって電流値を測定するための電極１
０６にイオンビーム２０９を偏向し、電流計１１０で電
流値を測定することにより、加工速度とガス流量との関
係から、任意の深さ加工する時間が決定される。
ビーム２０９により活性化し、基板であるアルミナチタ
ンカーバイト膜の加工を促進して、短時間でエッチング
が終了する。なお、加工時間はあらかじめ実験によりイ
オンビーム２０９の電流値とガス流量による加工速度を
求めておき、イオンビーム２０９を基板に照射する前に
偏向電極１０５によって電流値を測定するための電極１
０６にイオンビーム２０９を偏向し、電流計１１０で電
流値を測定することにより、加工速度とガス流量との関
係から、任意の深さ加工する時間が決定される。
【００２６】加工が終了した後、イオンビーム２０９の
照射を一旦停止し、ＸＹステージ１１３を移動させて、
次の磁気ヘッド素子を同様のプロセスにより加工する。
照射を一旦停止し、ＸＹステージ１１３を移動させて、
次の磁気ヘッド素子を同様のプロセスにより加工する。
【００２７】なお、アルミナチタンカーバイト膜と反応
するエッチングガスとしては、例えばＸｅＦ2等のフッ
素系ガスやＣｌ2やＢＣｌ3等の塩素系ガス、酸素ガスを
用いれば良い。またはこれらの混合ガスを用いても良
い。
するエッチングガスとしては、例えばＸｅＦ2等のフッ
素系ガスやＣｌ2やＢＣｌ3等の塩素系ガス、酸素ガスを
用いれば良い。またはこれらの混合ガスを用いても良
い。
【００２８】本実施例において、イオンビーム加工装置
に光学顕微鏡やレーザ顕微鏡等の光学的観察手段を設
け、本光学的観察手段により試料ホルダ２０７のアライ
メントマーク２０６と磁気ヘッド素子のアライメントマ
ーク２０５をそれぞれ観察して、マーク位置とＸＹステ
ージ１１３との相関位置を求めることでも、加工位置決
めが行える。
に光学顕微鏡やレーザ顕微鏡等の光学的観察手段を設
け、本光学的観察手段により試料ホルダ２０７のアライ
メントマーク２０６と磁気ヘッド素子のアライメントマ
ーク２０５をそれぞれ観察して、マーク位置とＸＹステ
ージ１１３との相関位置を求めることでも、加工位置決
めが行える。
【００２９】〔実施例２〕次に本発明の第２の実施例に
ついて述べる。イオンビーム加工装置の構成は実施例１
の図１と同様である。加工方法は実施例１と同様に磁気
ヘッド素子を切り出し、試料ホルダ上に搭載した後、寸
法測定装置により、アライメントマークの相対位置を測
定した後、イオンビーム加工装置内に導入する。
ついて述べる。イオンビーム加工装置の構成は実施例１
の図１と同様である。加工方法は実施例１と同様に磁気
ヘッド素子を切り出し、試料ホルダ上に搭載した後、寸
法測定装置により、アライメントマークの相対位置を測
定した後、イオンビーム加工装置内に導入する。
【００３０】イオンビーム加工装置内でイオンビームを
細く絞り、アライメントマークの位置とＸＹステージの
相対位置を測定する。そして、アパーチャをスライダパ
ターンに切換え、このスライダパターンを縮小投影する
モードにイオンビーム光学系のパラメータを切り換えて
スライダパターンに形成されたイオンビームを磁気ヘッ
ドのスライダ加工面に照射する。このとき、照射するイ
オンビーム２０９がスライダ加工面で焦点を結ぶ条件の
場合、図３（ａ）のようにビーム電流密度分布は乱れの
無い状態である。
細く絞り、アライメントマークの位置とＸＹステージの
相対位置を測定する。そして、アパーチャをスライダパ
ターンに切換え、このスライダパターンを縮小投影する
モードにイオンビーム光学系のパラメータを切り換えて
スライダパターンに形成されたイオンビームを磁気ヘッ
ドのスライダ加工面に照射する。このとき、照射するイ
オンビーム２０９がスライダ加工面で焦点を結ぶ条件の
場合、図３（ａ）のようにビーム電流密度分布は乱れの
無い状態である。
【００３１】これに対し、投射レンズの条件を磁気ヘッ
ドのスライダ加工面で焦点を結ぶ条件より僅かにずら
し、照射するイオンビーム３０１の焦点がずれた状態に
する。この結果、照射されるイオンビーム３０１の電流
密度分布は図３（ｂ）のように、イオンビーム３０１の
端において、精度が悪くなり、ビームのダレが生じる。
ドのスライダ加工面で焦点を結ぶ条件より僅かにずら
し、照射するイオンビーム３０１の焦点がずれた状態に
する。この結果、照射されるイオンビーム３０１の電流
密度分布は図３（ｂ）のように、イオンビーム３０１の
端において、精度が悪くなり、ビームのダレが生じる。
【００３２】このイオンビーム３０１でスライダの加工
を行うことにより、加工されたスライダの断面形状は図
３（ｃ）のように、イオンビーム３０１の電流密度パタ
ーンにならって、側壁に傾斜を生じさせることが出来
る。この側壁の傾斜角はあらかじめ実験により、投射レ
ンズ１０７の条件と加工されたスライダの断面形状を調
べることにより、任意の傾斜角を形成することが可能と
なる。
を行うことにより、加工されたスライダの断面形状は図
３（ｃ）のように、イオンビーム３０１の電流密度パタ
ーンにならって、側壁に傾斜を生じさせることが出来
る。この側壁の傾斜角はあらかじめ実験により、投射レ
ンズ１０７の条件と加工されたスライダの断面形状を調
べることにより、任意の傾斜角を形成することが可能と
なる。
【００３３】なお、実施例１と同様にイオンビームの照
射時にエッチングガスを供給して加工を行うことによ
り、高速にスライダの加工が行える。
射時にエッチングガスを供給して加工を行うことによ
り、高速にスライダの加工が行える。
【００３４】なお、実施例１および２においてエネルギ
ビームとしてイオンビームを用いたが電子ビームを用い
ても同様の加工が行える。
ビームとしてイオンビームを用いたが電子ビームを用い
ても同様の加工が行える。
【００３５】〔実施例３〕本発明の第３の実施例のエネ
ルギビームとしてレーザビームを用いた方法を図４、図
５を用いて説明する。図４は本実施例の装置構成の概略
図である。
ルギビームとしてレーザビームを用いた方法を図４、図
５を用いて説明する。図４は本実施例の装置構成の概略
図である。
【００３６】図４においてレーザ発振器４０１からレー
ザ光４０２が発振され、ビームエキスパンダ４０３によ
りビーム径を拡げる。そして、ハーフミラー４０６を透
過してスライダのパターンが形成されたスリットを通
り、ミラー４０５によって反射され、対物レンズ４０８
によって集光されて、レーザ導入窓４０９を介して試料
１１２上に照射される。参照光源４１０から出た光はハ
ーフミラー４０６によって、レーザ光４０２と光軸が同
じになり、レーザ光４０２と同様にして試料１１２上に
照射される。
ザ光４０２が発振され、ビームエキスパンダ４０３によ
りビーム径を拡げる。そして、ハーフミラー４０６を透
過してスライダのパターンが形成されたスリットを通
り、ミラー４０５によって反射され、対物レンズ４０８
によって集光されて、レーザ導入窓４０９を介して試料
１１２上に照射される。参照光源４１０から出た光はハ
ーフミラー４０６によって、レーザ光４０２と光軸が同
じになり、レーザ光４０２と同様にして試料１１２上に
照射される。
【００３７】また別の参照光源４１１から出た光はハー
フミラー４０７によって試料１１２を照明し、試料１１
２の像は結像レンズ４１２とＣＣＤカメラ４１３によっ
て撮像され、モニタ４１４によって観察される。このと
き、参照光源４１０から出た光によって、スリット４０
４の像がモニタ４１４で観察できる。
フミラー４０７によって試料１１２を照明し、試料１１
２の像は結像レンズ４１２とＣＣＤカメラ４１３によっ
て撮像され、モニタ４１４によって観察される。このと
き、参照光源４１０から出た光によって、スリット４０
４の像がモニタ４１４で観察できる。
【００３８】メインチャンバ４１３内には実施例１と同
様にＸＹステージ１１３とガスノズル１１７が設けられ
ている。
様にＸＹステージ１１３とガスノズル１１７が設けられ
ている。
【００３９】〔実施例４〕次に本装置を用いた磁気ヘッ
ドのスライダ加工の方法について図５により説明する。
まず、実施例１と同様に図５（ａ）に示すように磁気ヘ
ッド素子部をアルミナチタンカーバイト基板２０１上に
形成する。
ドのスライダ加工の方法について図５により説明する。
まず、実施例１と同様に図５（ａ）に示すように磁気ヘ
ッド素子部をアルミナチタンカーバイト基板２０１上に
形成する。
【００４０】次に磁気ヘッド素子を一列ずつ切断分離
し、図５（ｂ）のようにスライダブロック２０４を形成
する。このとき、スライダ面には薄膜磁気ヘッド素子形
成時に同時に形成したアライメントマーク２０５が見え
るように切断研磨する。
し、図５（ｂ）のようにスライダブロック２０４を形成
する。このとき、スライダ面には薄膜磁気ヘッド素子形
成時に同時に形成したアライメントマーク２０５が見え
るように切断研磨する。
【００４１】この切断したスライダブロック２０４を図
５（ｃ）のように試料ホルダ２０７上に並べて設置す
る。そしてこの試料ホルダ２０７を図４の磁気ヘッド製
造装置内に導入し、ＸＹステージ１１３によって光軸位
置に移動させる。
５（ｃ）のように試料ホルダ２０７上に並べて設置す
る。そしてこの試料ホルダ２０７を図４の磁気ヘッド製
造装置内に導入し、ＸＹステージ１１３によって光軸位
置に移動させる。
【００４２】参照光源４１１によって照明し、磁気ヘッ
ドの観察を行い、図５（ｄ）のようにモニタ４１４で観
察される。モニタ４１４上には磁気ヘッドのアライメン
トマーク２０５と位置合わせを行うためのクロスマーク
５０１があり、クロスマーク５０１とアライメントマー
ク２０５が合うようにＸＹステージ１１３を移動させて
加工位置決めを行う。
ドの観察を行い、図５（ｄ）のようにモニタ４１４で観
察される。モニタ４１４上には磁気ヘッドのアライメン
トマーク２０５と位置合わせを行うためのクロスマーク
５０１があり、クロスマーク５０１とアライメントマー
ク２０５が合うようにＸＹステージ１１３を移動させて
加工位置決めを行う。
【００４３】また、モニタ４１４の画面には、参照光源
４１０によるスリット４０４の像５０２が投影されて見
えており、このスリット像５０２の部分にレーザ光４０
２が照射される。次にガスノズル１１７よりエッチング
ガス２１０を吹き付けながら、スリット４０４の像を投
影したレーザ光４０２を照射して、スライダ２１１の加
工を行う。
４１０によるスリット４０４の像５０２が投影されて見
えており、このスリット像５０２の部分にレーザ光４０
２が照射される。次にガスノズル１１７よりエッチング
ガス２１０を吹き付けながら、スリット４０４の像を投
影したレーザ光４０２を照射して、スライダ２１１の加
工を行う。
【００４４】１ヶ所の加工が終了した後、前記位置決め
方法により次の磁気ヘッドのスライダの加工を行う。
方法により次の磁気ヘッドのスライダの加工を行う。
【００４５】なお、本実施例のレーザ光としては例えば
Ａｒレーザの基本波、ＹＡＧレーザの第２高調波を用い
れば良く、エッチングガスは実施例１と同様で良い。
Ａｒレーザの基本波、ＹＡＧレーザの第２高調波を用い
れば良く、エッチングガスは実施例１と同様で良い。
【００４６】本実施例では、磁気ヘッド素子に荷電ビー
ムが照射されることが無いため、素子にダメージが生じ
ない効果もある。
ムが照射されることが無いため、素子にダメージが生じ
ない効果もある。
【００４７】本発明では、縮小投影したエネルギビーム
により磁気ヘッドのスライダ加工を行ったが、例えばマ
イクロメカニズム部品の加工にも適用可能である。
により磁気ヘッドのスライダ加工を行ったが、例えばマ
イクロメカニズム部品の加工にも適用可能である。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ヘッドのスライダ
加工を行う際、フォトリソグラフィ工程を省くことが可
能となり、プロセスの簡略化が行え、製造コストを低く
する効果がある。また、スライダ加工時にバリが生ぜ
ず、精度の高い磁気ヘッドのスライダが形成可能とな
り、さらにスライダのパターンはアパーチャの形状を変
更するだけであるため、パターンの変更への対応が迅速
に行える効果もある。
加工を行う際、フォトリソグラフィ工程を省くことが可
能となり、プロセスの簡略化が行え、製造コストを低く
する効果がある。また、スライダ加工時にバリが生ぜ
ず、精度の高い磁気ヘッドのスライダが形成可能とな
り、さらにスライダのパターンはアパーチャの形状を変
更するだけであるため、パターンの変更への対応が迅速
に行える効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のイオンビーム加工装置の構成図。
【図２】本発明のスライダ加工方法のプロセス概略図。
【図３】本発明の実施例２のスライダ加工の概略図。
【図４】従来の磁気ヘッドのスライダ加工方法のプロセ
ス概略図。
ス概略図。
１０１…イオン源、 １０２…引き出し電極、１０３
…照射レンズ、１０４…アパーチャ、 １０５…偏向電
極、 １０６…電極、１０７…投射レンズ、 １０８
…マイクロチャンネルプレート、１０９…イオンビー
ム、１１０…電流計、 １１１…コラムチャンバ、
１１２…試料、１１３…ＸＹステージ、１１４…ミラ
ー、１１５…窓、１１６…レーザ測長器、１１７…ガス
ノズル、 １１８…ガスボンベ、１１９…電量制御装
置、１２０，１２１…バルブ、１２２…メインチャン
バ、１２３…ゲートバルブ、１２４…ロードロックチャ
ンバ、１２５…高圧電源、１２６…イオンビームコント
ローラ、１２７…ＸＹステージコントローラ、１２８…
レーザ測長器コントローラ、１２９…ガス供給コントロ
ーラ、１３０…制御装置、 ２０１…アルミナチタ
ンカーバイト基板、２０２…磁気ヘッド素子、２０３…
素子部、 ２０４…スライダブロック、２０５…スライ
ダブロック上アライメントマーク、２０６…試料ホルダ
上のアライメントマーク、２０７…試料ホルダ、２０８
…集束イオンビーム、２０９…成形されたイオンビー
ム、２１０…エッチングガス、 ２１１…スライダ、３
０１…焦点位置をずらした成形イオンビーム、３０２…
側壁傾斜角を有するスライダ、 ４０１…レ
ーザ発振器、４０２…レーザ光、４０３…ビームエキス
パンダ、 ４０４…スリット、４０５…ミラー、 ４０
６，４０７…ハーフミラー、４０８…対物レンズ、４０
９…レーザ光導入窓、４１０，４１１…参照光源、４１
２…結像レンズ、４１３…ＣＣＤカメラ、 ４１４…モ
ニタ、４１５…レーザ発振器コントローラ、 ５
０１…クロスマーク、５０２…スリット像、 ６０１
…アルミナチタンカーバイト基板、６０２…磁気ヘッド
素子、６０３…レジスト、６０４…イオン、６０５…ス
ライダ。
…照射レンズ、１０４…アパーチャ、 １０５…偏向電
極、 １０６…電極、１０７…投射レンズ、 １０８
…マイクロチャンネルプレート、１０９…イオンビー
ム、１１０…電流計、 １１１…コラムチャンバ、
１１２…試料、１１３…ＸＹステージ、１１４…ミラ
ー、１１５…窓、１１６…レーザ測長器、１１７…ガス
ノズル、 １１８…ガスボンベ、１１９…電量制御装
置、１２０，１２１…バルブ、１２２…メインチャン
バ、１２３…ゲートバルブ、１２４…ロードロックチャ
ンバ、１２５…高圧電源、１２６…イオンビームコント
ローラ、１２７…ＸＹステージコントローラ、１２８…
レーザ測長器コントローラ、１２９…ガス供給コントロ
ーラ、１３０…制御装置、 ２０１…アルミナチタ
ンカーバイト基板、２０２…磁気ヘッド素子、２０３…
素子部、 ２０４…スライダブロック、２０５…スライ
ダブロック上アライメントマーク、２０６…試料ホルダ
上のアライメントマーク、２０７…試料ホルダ、２０８
…集束イオンビーム、２０９…成形されたイオンビー
ム、２１０…エッチングガス、 ２１１…スライダ、３
０１…焦点位置をずらした成形イオンビーム、３０２…
側壁傾斜角を有するスライダ、 ４０１…レ
ーザ発振器、４０２…レーザ光、４０３…ビームエキス
パンダ、 ４０４…スリット、４０５…ミラー、 ４０
６，４０７…ハーフミラー、４０８…対物レンズ、４０
９…レーザ光導入窓、４１０，４１１…参照光源、４１
２…結像レンズ、４１３…ＣＣＤカメラ、 ４１４…モ
ニタ、４１５…レーザ発振器コントローラ、 ５
０１…クロスマーク、５０２…スリット像、 ６０１
…アルミナチタンカーバイト基板、６０２…磁気ヘッド
素子、６０３…レジスト、６０４…イオン、６０５…ス
ライダ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年９月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のイオンビーム加工装置の構成図。
【図２】本発明のスライダ加工方法のプロセス概略図。
【図３】本発明の実施例２のスライダ加工の概略図。
【図４】本発明の実施例３のレーザビーム加工装置の概
略図。
略図。
【図５】本発明の実施例３のスライダ加工方法のプロセ
ス概略図。
ス概略図。
【図６】従来の磁気ヘッドのスライダ加工方法のプロセ
ス概略図。
ス概略図。
【符号の説明】 １０１…イオン源、 １０２…引き出し電極、１０３
…照射レンズ、１０４…アパーチャ、 １０５…偏向電
極、 １０６…電極、１０７…投影レンズ、 １０８
…マイクロチャンネルプレート、１０９…イオンビー
ム、１１０…電流計、 １１１…コラムチャンバ、
１１２…試料、１１３…ＸＹステージ、１１４…ミラ
ー、１１５…窓、１１６…レーザ測長器、１１７…ガス
ノズル、 １１８…ガスボンベ、１１９…電量制御装
置、１２０，１２１…バルブ、１２２…メインチャン
バ、１２３…ゲートバルブ、１２４…ロードロックチャ
ンバ、１２５…高圧電源、１２６…イオンビームコント
ローラ、１２７…ＸＹステージコントローラ、１２８…
レーザ測長器コントローラ、１２９…ガス供給コントロ
ーラ、１３０…制御装置、 ２０１…アルミナチタ
ンカーバイト基板、２０２…磁気ヘッド素子、２０３…
素子部、 ２０４…スライダブロック、２０５…スライ
ダブロック上アライメントマーク、２０６…基板ホルダ
上のアライメントマーク、２０７…試料ホルダ、２０８
…集束イオンビーム、２０９…成形されたイオンビー
ム、２１０…エッチングガス、 ２１１…スライダ、３
０１…焦点位置をずらした成形イオンビーム、３０２…
側壁傾斜角を有するスライダ、 ４０１…レーザ
発振器、４０２…レーザ光、４０３…ビームエキスパン
ダ、 ４０４…スリット、４０５…ミラー、 ４０６，
４０７…ハーフミラー、４０８…対物レンズ、４０９…
レーザ光導入窓、４１０，４１１…参照光源、４１２…
結像レンズ、４１３…ＣＣＤカメラ、 ４１４…モニ
タ、４１５…レーザ発振器コントローラ、 ５０
１…クロスマーク、５０２…スリット像、 ６０１…
アルミナチタンカーバイト基板、６０２…磁気ヘッド素
子、６０３…レジスト、６０４…イオン、６０５…スラ
イダ。
…照射レンズ、１０４…アパーチャ、 １０５…偏向電
極、 １０６…電極、１０７…投影レンズ、 １０８
…マイクロチャンネルプレート、１０９…イオンビー
ム、１１０…電流計、 １１１…コラムチャンバ、
１１２…試料、１１３…ＸＹステージ、１１４…ミラ
ー、１１５…窓、１１６…レーザ測長器、１１７…ガス
ノズル、 １１８…ガスボンベ、１１９…電量制御装
置、１２０，１２１…バルブ、１２２…メインチャン
バ、１２３…ゲートバルブ、１２４…ロードロックチャ
ンバ、１２５…高圧電源、１２６…イオンビームコント
ローラ、１２７…ＸＹステージコントローラ、１２８…
レーザ測長器コントローラ、１２９…ガス供給コントロ
ーラ、１３０…制御装置、 ２０１…アルミナチタ
ンカーバイト基板、２０２…磁気ヘッド素子、２０３…
素子部、 ２０４…スライダブロック、２０５…スライ
ダブロック上アライメントマーク、２０６…基板ホルダ
上のアライメントマーク、２０７…試料ホルダ、２０８
…集束イオンビーム、２０９…成形されたイオンビー
ム、２１０…エッチングガス、 ２１１…スライダ、３
０１…焦点位置をずらした成形イオンビーム、３０２…
側壁傾斜角を有するスライダ、 ４０１…レーザ
発振器、４０２…レーザ光、４０３…ビームエキスパン
ダ、 ４０４…スリット、４０５…ミラー、 ４０６，
４０７…ハーフミラー、４０８…対物レンズ、４０９…
レーザ光導入窓、４１０，４１１…参照光源、４１２…
結像レンズ、４１３…ＣＣＤカメラ、 ４１４…モニ
タ、４１５…レーザ発振器コントローラ、 ５０
１…クロスマーク、５０２…スリット像、 ６０１…
アルミナチタンカーバイト基板、６０２…磁気ヘッド素
子、６０３…レジスト、６０４…イオン、６０５…スラ
イダ。
Claims (9)
- 【請求項１】磁気記録媒体への磁気情報の記録再生を行
う磁気ヘッドの製法において、磁気記録媒体と対向する
面にスライダパターンをマスクの像を縮小投影するエネ
ルギビームの照射により加工方法であって、マスクの像
を縮小投影する際、試料ホルダ上のアライメントマーク
と磁気ヘッド素子のアライメントマークとの位置関係を
あらかじめ測定しておき、その座標情報に基づき、加工
位置を設定することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２】請求項１において、マスクの像を縮小投影
する際、（１）磁気ヘッドを試料ホルダに搭載し、試料
ホルダ上に設けたアライメントマークと磁気ヘッド素子
に形成されたアライメントマークとの相対位置を光学手
法を用いた寸法測定器により測定する工程、（２）試料
ホルダを磁気ヘッド製造装置内に導入し、イオンビーム
を微細に集束し、試料ホルダ上のアライメントマークを
走査して、走査イオン顕微鏡像によりアライメントマー
ク位置を確認して、ＸＹステージと試料ホルダの相対位
置を求める工程、（３）ＸＹステージ、試料ホルダ、磁
気ヘッド素子のそれぞれの相対位置から加工位置を決定
する工程、からなる磁気ヘッドの製法。 - 【請求項３】請求項１において、マスクの像を縮小投影
する際、（１）磁気ヘッドを試料ホルダに搭載し、試料
ホルダ上に設けたアライメントマークと磁気ヘッド素子
に形成されたアライメントマークとの相対位置を光学手
法を用いた寸法測定器により測定する工程、（２）試料
ホルダを磁気ヘッド製造装置内に導入し、光学顕微鏡像
によりアライメントマーク位置を確認して、ＸＹステー
ジと試料ホルダの相対位置を求める工程、（３）ＸＹス
テージ、試料ホルダ、磁気ヘッド素子のそれぞれの相対
位置から加工位置を決定する工程、からなる磁気ヘッド
の製法。 - 【請求項４】磁気記録媒体への磁気情報の記録再生を行
う磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体と対向する面にス
ライダパターンを形成する方法が、エッチングガス雰囲
気中で、スライダパターンが形成されたマスクの像を縮
小投影するエネルギビームの照射による反応性エッチン
グであることを特徴とする磁気ヘッドの製法。 - 【請求項５】請求項４において、エネルギビームの照射
と同時に供給するエッチングガスがＸｅＦ2等のフッ素
系ガスあるいはＣｌ2，ＢＣｌ3等の塩素系ガス、酸素ガ
スを単独あるいはこれらの混合ガスを用いる磁気ヘッド
の製法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかにおいて、マスク
の像を縮小投影するエネルギビームがイオンビームであ
る磁気ヘッドの製法。 - 【請求項７】請求項１〜５のいずれかにおいて、マスク
の像を投影するエネルギビームが電子ビームである磁気
ヘッドの製法。 - 【請求項８】請求項１〜８のいずれかにおいて、マスク
のパターンを縮小投影したエネルギビームの焦点位置を
ずらし、スライダの側壁に任意の傾斜角を持たせる磁気
ヘッドの製法。 - 【請求項９】イオンビームをマスクのパターンで縮小投
影する手段と集束して照射する手段を有する磁気ヘッド
の製造装置において、磁気ヘッド素子を搭載する試料ホ
ルダ上に搭載した磁気ヘッド素子と試料ホルダとの相対
位置を測定できるよう試料ホルダ上に複数個のアライメ
ントマークを設けたことを特徴とする磁気ヘッド製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17930997A JPH1125437A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 磁気ヘッドの製法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17930997A JPH1125437A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 磁気ヘッドの製法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125437A true JPH1125437A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16063587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17930997A Pending JPH1125437A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 磁気ヘッドの製法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1125437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419566B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | System for cleaning contamination from magnetic recording media rows |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17930997A patent/JPH1125437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6419566B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | System for cleaning contamination from magnetic recording media rows |
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