JPH11255577A - シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シリコン融液を少ない電力で所定の温度にし、
シリコン融液の熱がチャンバ内へ放散されることを防ぐ
ことによりシリコン単結晶の有転位化率を下げる。 【解決手段】シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１
３を上昇又は下降させるるつぼ昇降手段１７と、シリコ
ン融液１２から成長するシリコン単結晶棒２５を包囲す
る筒状の熱遮蔽体２６とを備える。熱遮蔽体２６が石英
るつぼ１３の内面と熱遮蔽体２６の外面の間を覆う面積
を有する環状の熱輻射体２７を有する。熱輻射体昇降手
段４１により熱輻射体２７を熱遮蔽体２６と独立して上
昇又は下降して熱輻射体２７を石英るつぼ１３の所定の
位置に維持する。所定の位置は石英るつぼ１３の上端で
あることが好ましく、熱輻射体２７には１又は２以上の
通孔２７ｃを形成することが更に好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶棒
を引上げて育成するシリコン単結晶の引上げ装置及びそ
の引上げ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコン単結晶棒の育成としてるつぼ内
のシリコン融液から半導体用の高純度シリコン単結晶棒
を成長させるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法とい
う）が知られている。このＣＺ方法では、ミラーエッチ
ングされた種結晶をシリコン融液に接触させ、種結晶を
引上げてシリコン融液から種絞り部を作製し、その後目
的とするシリコン棒の直径まで結晶を徐々に太らせて成
長させることにより、必要な面方位を有する無転位の単
結晶棒を得るものである。このＣＺ方法におけるシリコ
ン単結晶棒の品質及び生産性を向上させるために、従来
この種の装置には、チャンバ内に設けられたシリコン融
液を貯留する石英るつぼを上昇又は下降させるるつぼ昇
降手段と、シリコン融液から成長するシリコン単結晶棒
を包囲する筒状の熱遮蔽体とを備えたものが知られてい
る。

【０００３】このように構成されたシリコン単結晶の引
上げ装置では、石英るつぼの周囲に設けられたカーボン
ヒータにより石英るつぼ内のシリコン融液を加熱して所
定温度に維持し、シリコン単結晶棒の引上げに伴うシリ
コン融液表面の低下を昇降手段が石英るつぼを上昇させ
ることによりシリコン融液の表面を所定位置に維持して
均一なシリコン単結晶棒を得るとともに、熱遮蔽体がシ
リコン単結晶棒を包囲することにより、シリコン融液の
熱が成長したシリコン単結晶棒に到達しないように熱遮
蔽体が遮蔽する。熱遮蔽体がシリコン融液の熱を遮蔽し
てシリコン単結晶棒の熱履歴を制御することにより、シ
リコン単結晶棒中の点欠陥の核化析出を抑制するととも
に、シリコン単結晶棒の冷却速度を向上させて引上げ速
度を増大し、シリコン単結晶棒の生産性を向上できるよ
うになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のシリコン単結晶
の引上げ装置では、シリコン融液を貯留する石英るつぼ
の上部が開口されているため、その石英るつぼの上部か
らカーボンヒータにより加熱されたシリコン融液の熱が
チャンバ内へ放散される。このため、シリコン融液を所
定の温度に加熱維持するためにはカーボンヒータから多
大の電力を供給する必要があり、特に大口径のシリコン
単結晶棒を引上げる際にはカーボンヒータの電力消費量
が極めて増大する不具合がある。

【０００５】この点を解消するために、筒状の熱遮蔽体
と石英るつぼとの間にシールド部材を設けた単結晶引上
げ装置を本出願人は提案した（特開平１−１４５３９
１）。このシールド部材は、熱遮蔽体の下部にこの熱遮
蔽体の外径より大径の円筒部と、この円筒部の下端に連
続して設けられ内方に先細りして熱遮蔽体とシリコン融
液との間を遮断する傾斜筒部とを有する。そしてシール
ド部材は熱遮蔽体に対して回転しながら昇降できるよう
になっている。しかし、上記シールド部材は傾斜筒部を
有するため、昇降させるとシリコン融液表面に流れるキ
ャリアガスの流速が変化する。その結果シリコン単結晶
中の酸素濃度が変化するなどの悪影響を生じる。またシ
ールド部材の昇降は熱遮蔽体の外周に設けられたねじ部
に沿った回転により行われるため、単結晶引上げ中にの
シールド部材を昇降させる場合、その駆動が複雑化す
る。

【０００６】更に、一般的にシリコン単結晶棒の引上げ
に伴ってシリコン融液量が減少してその液面が低下した
場合に、カーボンヒータからの加熱が十分でないと、石
英るつぼの内周面にシリコン融液の一部が固化して付着
することがある。シリコン単結晶棒の引上げ途中にこの
付着したシリコンが石英るつぼの内周面から剥離してシ
リコン融液中に落下すると、シリコン融液中に温度差に
基づく熱的ストレスが発生してシリコン単結晶の有転位
化率を下げることができない恐れがある。

【０００７】本発明の目的は、シリコン融液を少ない電
力で所定の温度にするシリコン単結晶の引上げ装置及び
その引上げ方法を提供することにある。本発明の別の目
的は、シリコン融液の熱がチャンバ内へ放散されること
を防ぐことによりシリコン単結晶の有転位化率を下げる
ことのできるシリコン単結晶の引上げ装置及びその引上
げ方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、シリコン融液１２を貯留する石英る
つぼ１３を上昇又は下降させるるつぼ昇降手段１７と、
シリコン融液１２から成長するシリコン単結晶棒２５を
包囲する筒状の熱遮蔽体２６とを備えたシリコン単結晶
の引上げ装置の改良である。その特徴ある構成は、熱遮
蔽体２６が石英るつぼ１３の内面と熱遮蔽体２６の外面
の間を覆う面積を有する環状の熱輻射体２７を有し、熱
輻射体２７を熱遮蔽体２６と独立して上昇又は下降して
熱輻射体２７を石英るつぼ１３の所定の位置に維持する
熱輻射体昇降手段４１が設けられたところにある。請求
項５に係る発明は、石英るつぼ１３に貯留されたシリコ
ン融液１２から成長するシリコン単結晶棒２５を筒状の
熱遮蔽体２６で包囲した状態で引上げる方法の改良であ
る。その特徴ある構成は、石英るつぼ１３の内面と熱遮
蔽体２６の外面の間を覆う面積を有する環状の熱輻射体
２７をシリコン単結晶棒２５の引上げ中に石英るつぼ１
３の所定の位置に維持するように上昇させるところにあ
る。請求項１及び請求項５に係る発明では、熱輻射体昇
降手段４１で熱輻射体２７を上昇又は下降して熱輻射体
２７を石英るつぼ１３の所定の位置に維持させることに
より、シリコン融液１２の熱が放散することを防ぎ、熱
が石英るつぼ１３を介して効率良くシリコン融液１２に
伝達され、シリコン融液１２が少ない電力で所定の温度
になる。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、熱輻射体昇降手段４１が、チャンバ１１の
上部から吊り下げられ周囲にラックギヤが形成され下端
に熱輻射体２７が取付けられた支持棒４２と、チャンバ
１１の上部に設けられ上記ラックギヤに歯合する駆動ギ
ヤが内蔵されこの駆動ギヤの回転により支持棒４２を上
下動させるギヤボックス４３と、チャンバ１１の上部に
設けられ上記駆動ギヤを駆動する駆動モータ４６とを有
するシリコン単結晶の引上げ装置である。ラックギヤに
歯合する駆動ギヤの回転により支持棒４２が昇降するた
め、容易に熱輻射体２７の位置を制御できる。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、所定の位置が石英るつぼ１３の上端
であるシリコン単結晶の引上げ装置である。石英るつぼ
１３の上端に熱輻射体２７を位置させることにより、シ
リコン融液１２への加熱を石英るつぼ１３の全体で効率
よく行うことができる。また、石英るつぼ１３内の側部
上端までの温度を均一にする。これにより、石英るつぼ
１３の上端内周面にシリコン融液１２の一部が固化して
付着することが防止され、シリコン単結晶の有転位化率
が低下しない。

【００１１】請求項４に係る発明は、請求項１ないし３
いずれかに係る発明であって、図３に示すように、熱輻
射体２７に１又は２以上の通孔２７ｃが形成されたシリ
コン単結晶の引上げ装置である。熱輻射体２７に１又は
２以上の通孔２７ｃを形成することにより、不活性ガス
をこの通孔２７ｃに流通させてシリコン融液１２の表面
から蒸発したガスをこの不活性ガスとともに有効に排出
する。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１及び図２に示すように、
シリコン単結晶の引上げ装置１０のチャンバ１１内に
は、シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１３が設け
られ、この石英るつぼ１３の外面は黒鉛サセプタ１４に
より被覆される。石英るつぼ１３の下面は黒鉛サセプタ
１４を介して支軸１６の上端に固定され、この支軸１６
の下部はるつぼ昇降手段１７に接続される。るつぼ昇降
手段１７は図示しないが石英るつぼ１３を回転させる第
１回転用モータと、石英るつぼ１３を昇降させる昇降用
モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１３
が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可
能となっている。石英るつぼ１３の外周面は石英るつぼ
１３から所定の間隔をあけてカーボンヒータ１８により
包囲され、このカーボンヒータ１８は保温筒１９により
包囲される。カーボンヒータ１８は石英るつぼ１３に投
入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・溶融してシ
リコン融液１２にする。

【００１３】またチャンバ１１の上端には円筒状のケー
シング２１が接続される。このケーシング２１には引上
げ手段２２が設けられる。引上げ手段２２はケーシング
２１の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げ
ヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させる第２回
転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１３
の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２３と、
上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２３を巻取り又
は繰出す引上げ用モータ（図示せず）とを有する。ワイ
ヤケーブル２３の下端にはシリコン融液１２に浸してシ
リコン単結晶棒２５を引上げるための種結晶２４が取付
けられる。

【００１４】更に、チャンバ１１にはこのチャンバ１１
のシリコン単結晶棒側に不活性ガスを供給しかつ上記不
活性ガスをチャンバ１１のるつぼ内周面側から排出する
ガス給排手段２８が接続される（図１）。ガス給排手段
２８は一端がケーシング２１の周壁に接続され他端が上
記不活性ガスを貯留するタンク（図示せず）に接続され
た供給パイプ２９と、一端がチャンバ１１の下壁に接続
され他端が真空ポンプ（図示せず）に接続された排出パ
イプ３０とを有する。供給パイプ２９及び排出パイプ３
０にはこれらのパイプ２９，３０を流れる不活性ガスの
流量を調整する第１及び第２流量調整弁３１，３２がそ
れぞれ設けられる。一方、シリコン単結晶棒２５の外周
面と石英るつぼ１３の内周面との間には、シリコン単結
晶棒２５を包囲する筒状の熱遮蔽体２６が設けられる。
熱遮蔽体２６はシリコン融液１２の熱をシリコン単結晶
棒２５に到達しないように遮蔽するために設けられ、こ
の熱遮蔽体２６の上縁には外方に略水平方向に張り出す
フランジ部２６ｂが連設される。このフランジ部２６ｂ
を保温筒１９上に載置することにより熱遮蔽体２６はチ
ャンバ１１内に固定され、熱遮蔽体２６の下縁は石英る
つぼ１３の上昇によりシリコン融液１２表面から所定の
距離だけ上方に位置するように構成される。

【００１５】熱遮蔽体２６には環状の熱輻射体２７が遊
嵌して設けられる。図４に示すように、熱輻射体２７は
環状のカーボンのケーシング２７ｂの内部に断熱材２７
ａを充填することにより作られる。熱輻射体２７はシリ
コン融液１２からの放熱を反射しかつシリコン融液１２
からの輻射熱を蓄熱する。これにより、シリコン融液１
２の熱がチャンバ１１内に放散するのを防ぐようになっ
ている。更に図３に示すように、熱輻射体２７は石英る
つぼ１３の内面と熱遮蔽体２６の外面の間を覆う面積を
有するように構成され、ガス給排手段２８により供給さ
れた不活性ガスを流通させるために下部から上部に向っ
て互いに広がるように斜めに形成された複数の通孔２７
ｃと、後述する熱輻射体昇降手段４１で支持するための
一対の支持孔２７ｄが形成される。

【００１６】図１及び図２に戻って、チャンバ１１の上
部にはケーシング２１を挟むように一対の熱輻射体昇降
手段４１が設けられる。熱輻射体昇降手段４１は周囲に
ラックギヤ（図示せず）が形成され下端が熱輻射体２７
の支持孔２７ｄに挿通された支持棒４２と、チャンバ１
１の上部に設けられラックギヤに歯合する駆動ギヤが内
蔵され駆動ギヤの回転により支持棒４２を上下動させる
ギヤボックス４３と、チャンバ１１の上部にサポート部
材４４を介して取付けられ回転軸４６ａが駆動ギヤに接
続された駆動モータ４６とを有する。熱輻射体２７の支
持孔２７ｄに挿通され支持棒４２の下部には大径部４２
ａが形成され、この大径部４２ａは熱輻射体２７を下面
から支持するように構成される。熱輻射体昇降手段４１
は、駆動モータ４６による回転軸４６ａの回転によりギ
ヤボックス４３に内蔵された図示しない駆動ギヤが回転
し、支持棒４２を上下動させることにより熱輻射体２７
を熱遮蔽体２７と独立して、かつ石英るつぼ１３と同一
速度で上昇又は下降させるように構成される。

【００１７】一方、引上げ手段２２における引上げ用モ
ータの出力軸（図示せず）にはロータリエンコーダ（図
示せず）が設けられ、るつぼ昇降手段１７には石英るつ
ぼ１３内のシリコン融液１２の重量を検出する重量セン
サ（図示せず）と、支軸１６の昇降位置を検出するリニ
ヤエンコーダ（図示せず）とが設けられる。ロータリエ
ンコーダ、重量センサ及びリニヤエンコーダの各検出出
力はコントローラ（図示せず）の制御入力に接続され、
コントローラの制御出力は引上げ手段２２の引上げ用モ
ータ、るつぼ昇降手段の昇降用モータ及び熱輻射体昇降
手段４１の駆動モータ４６にそれぞれ接続される。また
コントローラにはメモリ（図示せず）が設けられ、この
メモリにはロータリエンコーダの検出出力に対するワイ
ヤケーブル２３の巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒２
５の引上げ長さが第１マップとして記憶され、重量セン
サの検出出力に対する石英るつぼ１３内のシリコン融液
１２の液面レベルが第２マップとして記憶される。コン
トローラは重量センサの検出出力に基づいて石英るつぼ
１３内のシリコン融液１２の液面を常に一定のレベルに
保つように、るつぼ昇降手段１７の昇降用モータを制御
するとともに、熱輻射体２７を石英るつぼ１３の所定の
位置に維持するように熱輻射体昇降手段４１の駆動モー
タ４６を制御するように構成される。

【００１８】このように構成されたシリコン単結晶の引
上げ装置の動作を説明する。図１に示すように、石英る
つぼ１３に高純度のシリコン多結晶体を投入し、カーボ
ンヒータ１８によりこの高純度のシリコン多結晶体を加
熱・溶融してシリコン融液１２にする。石英るつぼ１３
にシリコン多結晶体が投入されたならば、熱輻射体昇降
手段４１は支持棒４２を下方に移動させ、この実施の形
態では熱輻射体２７を石英るつぼ１３の上端に位置させ
る。石英るつぼ１３の上端に位置する熱輻射体２７はシ
リコン融液１２の熱がチャンバ１１内へ放散することを
防ぎ、カーボンヒータ１８からの熱が石英るつぼ１３を
介して効率良くシリコン融液１２に伝達され、シリコン
融液１２を少ない電力で所定の温度にする。

【００１９】シリコン多結晶体が溶融してるつぼ１３に
シリコン融液１２が貯留されたならば、次に、第１及び
第２流量調整弁３１，３２を開くことにより不活性ガス
をケーシング２１内に供給してシリコン融液１２の表面
から蒸発したガスをこの不活性ガスとともに排出パイプ
３０から排出させる。この状態で、引上げ手段の図示し
ない引上げ用モータによりワイヤ１９を繰出して種結晶
２４を降下させ、種結晶２４の先端部をシリコン融液２
３に接触させる。その後種結晶２４を徐々に引上げて種
絞り部２５ａを形成した後、更に種結晶２４を引上げる
ことにより種絞り部２５ａの下部に無転位のシリコン単
結晶棒２５を育成させる。

【００２０】シリコン単結晶棒２５の育成に伴い、シリ
コン融液１２の表面は低下し、減少する融液１２の量に
応じて図示しない昇降用モータはるつぼ１３を上昇さ
せ、図２に示すように、種結晶２４の引上げとともに低
下するシリコン融液１２の表面を所定位置に維持させ
る。この石英るつぼ１３の上昇とともに、熱輻射体昇降
手段４１は石英るつぼ１３と同一速度で熱輻射体２７を
上昇させ、石英るつぼ１３の上端に熱輻射体２７を常に
位置させる。石英るつぼ１３の上端に位置する熱輻射体
２７はシリコン単結晶棒２５の育成時におけるシリコン
融液１２のチャンバ１１内への放熱を防ぎ、カーボンヒ
ータ１８からの熱を石英るつぼ１３を介して効率良くシ
リコン融液１２に伝達し、石英るつぼ１３内の温度を均
一にしてシリコン融液１２を少ない電力で所定の温度に
維持する。

【００２１】なお、上述した実施の形態では、環状のカ
ーボンのケーシング２７ｂの内部に断熱材２７ａを充填
した熱輻射体２７を使用したが、熱輻射体はシリコン融
液１２のチャンバ１１内への放熱を防ぐことができる限
り、図５及び図６に示すような環状のモリブデンからな
る板材であっても良い。このような板状の熱輻射体４７
にあっては、支持孔４７ｄ及びガス給排手段により供給
された不活性ガスを流通させるための複数の通孔４７ｃ
を打抜き又は一部立ち上げにより形成することができ
る。また、上述した実施の形態では、熱輻射体２７を石
英るつぼ１３の上端に位置させたが、シリコン融液への
加熱を効率よく行うことができる限り、熱輻射体２７の
位置は必ずしも石英るつぼ１３の上端でなくても良い。

【００２２】

【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、内径が約４０
０ｍｍの石英るつぼ１３と内径及び高さがともに約４０
０ｍｍの熱遮蔽体２６とを有するシリコン単結晶の引上
げ装置１０に、石英るつぼ１３の内面と熱遮蔽体２６の
外面の間を覆う面積を有する厚さ約３８ｍｍの環状の熱
輻射体２７を熱遮蔽体２６に遊嵌し、熱輻射体昇降手段
４１の支持棒４２に吊持した。この熱輻射体２７は厚さ
約２２ｍｍであって、環状のカーボンのケーシング２７
ｂの内部に断熱材２７ａを充填したものを使用した。こ
のように構成された引上げ装置１０を実施例１とした。 ＜比較例１＞図示しないが熱輻射体２７を設けないこと
を除いて、引上げ装置を上記実施例１と同一に構成し
た。この引上げ装置を比較例１とした。

【００２３】＜比較試験及び評価＞実施例１及び比較例
１の各引上げ装置にて直径約３００ｍｍのシリコン単結
晶棒を引上げ速度０．４ｍｍ／分で２００ｍｍ、６００
ｍｍ及び１０００ｍｍ引上げたときの石英るつぼ内表面
の温度を輻射伝熱を考慮した熱伝導解析プログラムにて
シミュレーション計算し、比較を行った。石英るつぼ内
表面の温度はるつぼ内底部中央（図２のＣ点）、るつぼ
内底部の側部（同Ｄ点）及びるつぼ内側面上部（同Ｅ
点）の温度における平均値により表した。この結果を図
７に示す。図７より明らかなように、実施例１ではシリ
コン単結晶棒引上げ当初に最小値を示し、その後僅かに
温度が上昇する点で、シリコン単結晶棒引上げ当初に最
大値を示し、その後徐々に温度が低下する比較例１と相
違する。また、実施例１の最大値は比較例１の最小値よ
り低い温度であることも判る。比較例１のシリコン単結
晶棒引上げ当初における石英るつぼの温度が最大値を示
すのは、シリコン多結晶体を加熱・溶融する際における
シリコン融液の熱が放散されることに伴い、石英るつぼ
の温度を先行して上昇させる必要があるためと考えられ
る。また、実施例１の最大値は比較例１の最小値より低
い温度であるのは、石英るつぼの上端に位置させた熱輻
射体２７が、シリコン融液１２の熱がチャンバ１１内へ
放散することを防ぎ、カーボンヒータ１８からの熱を石
英るつぼ１３を介して効率良くシリコン融液１２に伝達
したためと考えられる。従って、実施例１は比較例１に
比較してより低い温度でシリコン多結晶体を加熱・溶融
させることができ、シリコン単結晶棒の引上げ時におけ
る温度変化も少ないことが判る。

【００２４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、石
英るつぼの内面と熱遮蔽体の外面の間を覆う面積を有す
る環状の熱輻射体を設け、熱輻射体を熱遮蔽体に独立し
て上昇又は下降して熱輻射体を石英るつぼの所定の位置
に維持するようにしたので、シリコン融液の熱がチャン
バ内へ放散されることが防止され、熱を石英るつぼを介
して効率良くシリコン融液に伝達し、シリコン融液を少
ない電力で所定の温度にすることができる。この結果、
石英るつぼ内表面の温度も従来の熱遮蔽体のみを設けた
引上げ装置と比べて低下させることができ、シリコン単
結晶の有転位化率を下げることができる。また、石英る
つぼの上端に熱輻射体を位置させれば、シリコン融液へ
の加熱を石英るつぼの全体で効率よく行い、石英るつぼ
内の側部上端までの温度を均一にすることができる。更
に、熱輻射体に１又は２以上の通孔を形成すれば、不活
性ガスをこの通孔に流通させてシリコン融液の表面から
蒸発したガスをこの不活性ガスとともに有効に排出する
ことができる。この結果、石英るつぼの上端内周面にシ
リコン融液の一部が固化して付着することを防止して、
シリコン単結晶の有転位化率を下げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のシリコン単結晶の引上げ装置の断面構
成図。

【図２】シリコン単結晶棒が引上げられた状態を示す図
１に対応する断面構成図。

【図３】その熱輻射体の平面図。

【図４】図３のＡ−Ａ線断面図。

【図５】その別の熱輻射体の平面図。

【図６】図５のＢ−Ｂ線断面図。

【図７】シリコン単結晶棒の引上げ長さに対する石英る
つぼ内表面の温度の変化を示す図。

【符号の説明】

１０ シリコン単結晶の引上げ装置 １１ チャンバ １２ シリコン融液 １３ 石英るつぼ １７ るつぼ昇降手段 ２５ シリコン単結晶棒 ２６ 熱遮蔽体 ２７ 熱輻射体 ４１ 熱輻射体昇降手段 ４２ 支持棒 ４３ ギヤボックス ４６ 駆動モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島貫 康 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン融液(12)を貯留する石英るつぼ
   (13)を上昇又は下降させるるつぼ昇降手段(17)と、前記
   シリコン融液(12)から成長するシリコン単結晶棒(25)を
   包囲する筒状の熱遮蔽体(26)とを備えたシリコン単結晶
   の引上げ装置において、 前記熱遮蔽体(26)が前記石英るつぼ(13)の内面と前記熱
   遮蔽体(26)の外面の間を覆う面積を有する環状の熱輻射
   体(27,47)を有し、 前記熱輻射体(27,47)を前記熱遮蔽体(26)と独立して上
   昇又は下降して前記熱輻射体(27,47)を前記石英るつぼ
   (13)の所定の位置に維持する熱輻射体昇降手段(41)が設
   けられたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装
   置。
2. 【請求項２】 熱輻射体昇降手段(41)が、チャンバ(11)
   の上部から吊り下げられ周囲にラックギヤが形成され下
   端に熱輻射体(27)が取付けられた支持棒(42)と、前記チ
   ャンバ(11)の上部に設けられ前記ラックギヤに歯合する
   駆動ギヤが内蔵され前記駆動ギヤの回転により前記支持
   棒(42)を上下動させるギヤボックス(43)と、前記チャン
   バ(11)の上部に設けられ前記駆動ギヤを駆動する駆動モ
   ータ(46)とを有する請求項１記載のシリコン単結晶の引
   上げ装置。
3. 【請求項３】 所定の位置が石英るつぼ(13)の上端であ
   る請求項１又は２記載のシリコン単結晶の引上げ装置。
4. 【請求項４】 熱輻射体(27,47)に１又は２以上の通孔
   (27c,47c)が形成された請求項１ないし３いずれか記載
   のシリコン単結晶の引上げ装置。
5. 【請求項５】 石英るつぼ(13)に貯留されたシリコン融
   液(12)から成長するシリコン単結晶棒(25)を筒状の熱遮
   蔽体(26)で包囲した状態で引上げる方法において、 前記石英るつぼ(13)の内面と前記熱遮蔽体(26)の外面の
   間を覆う面積を有する環状の熱輻射体(27,47)を前記シ
   リコン単結晶棒(25)の引上げ中に前記石英るつぼ(13)の
   所定の位置に維持するように上昇させることを特徴とす
   るシリコン単結晶の引上げ方法。