JPH11255774A - ジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物及びそれを含有してなる光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍのレーザーで良好な
高密度記録再生が可能な追記型光記録媒体及びこれに使
用される新規なジベンゾピロメテンホウ素キレート化合
物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるジベンゾピ
ロメテンホウ素キレート化合物を記録層に含有してなる
光記録媒体。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジベンゾピ
ロメテンホウ素キレート化合物、及びこれを用いた、従
来に比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＣＤと比較して大容量な光記録媒
体として、容量４．７ＧＢであるＤＶＤが開発され、商
品化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはＤＶＤ−Ｒと呼ぶ。

【０００３】ＤＶＤでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発振波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
４−７４６９０号公報、特開平５−３８８７８号公報、
特開平６−４０１６１号公報、特開平６−４０１６２号
公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平６−３３
６０８６号公報、特開平７−７６１６９号公報、特開平
７−１２５４４１号公報、特開平７−２６２６０４号公
報、特開平９−１５６２１８号公報、特開平９−１９３
５４４号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平
９−１９３５４７号公報、特開平９−１９４７４８号公
報、特開平９−２０２０５２号公報、特開平９−２６７
５６２号公報、特開平９−２７４７３２号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なり、ジッターが大きくなったり、半径方向へのクロス
トークが悪化する、あるいはピットが極端に小さくなっ
て十分な変調度がとれない、などについてはなんら解決
されていないのが現状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物、及びこれ
を含有する、波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザー
での記録および再生が可能な高密度記録に適した光記録
媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるジベンゾピロメテンホ
ウ素キレート化合物、

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁は各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、アミノ基、カルボキシ基、スルホン基、炭素数１〜
２０のアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、ア
リールオキシ基、ジアルキルアミノアルコキシ基、アル
キルチオアルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノ
カルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリール
アミノカルボニル基、アリールカルボニルアミノ基、ア
リールオキシカルボニル基、アラルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、アルケニルオキシカルボニル基、アラルキルオキシ
カルボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボ
ニル基、アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、
モノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基、ジ
（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基、モノ（ア
ルコキシアルキル）アミノカルボニル基、ジ（アルコキ
シアルキル）アミノカルボニル基または炭素数２〜２０
のアルケニル基を表わす。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₃はフッ素原子、炭
素数１〜２０のアルキル基、アラルキル基、アリール
基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロアリー
ル基、又はアルコキシ基を表わすが、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₃の少な
くとも１つはフッ素原子以外の前記置換基を示す。但
し、Ｒ₂とＲ₃又はＲ₃とＲ₄又はＲ₄とＲ₅又はＲ₇とＲ₈又
はＲ₈とＲ₉又はＲ₉とＲ₁₀結合して芳香環を形成しても
よい。）

【０００８】 基板上に少なくとも記録層及び反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、に記載の
ジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物を含有する光
記録媒体、 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択されるレー
ザー光に対して記録及び再生が可能であるに記載の光
記録媒体、に関するものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の記録層に含有される一般
式（１）で示されるジベンゾピロメテンホウ素キレート
化合物の具体例を次に述べる。

【００１０】Ｒ₁〜Ｒ₁₁の具体例としては、水素原子；
ニトロ基；シアノ基；ヒドロキシ基；アミノ基；カルボ
キシ基；スルホン基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブ
チル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピ
ル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−
メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチル
ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメ
チルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジ
メチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−
ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブ
チル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリエチル
ブチル基、１，１，２−トリエチルブチル基、１−エチ
ル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、
ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘ
キシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル
基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２
−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、
２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチル
ヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−
ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デ
シル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−
ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル
基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブ
チルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−ト
リデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，
６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペ
ンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−
ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、
２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃ
ｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃ
ｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の
炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；

【００１１】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プ
ロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−
メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−
ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓ
ｏ−ペントキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシ
ルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、３−メトキ
シプロピルオキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）
プロピルオキシ基等のアルコキシアルコキシ基；フェノ
キシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキ
シ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェ
ノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基等のアリ
ールオキシ基；２−ジメチルアミノエトキシ基、２−
（２−ジメチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−ジメ
チルアミノブトキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−
２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロポキシ基、
２−ジメチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、２−ジ
エチルアミノエトキシ基、２−（２−ジエチルアミノエ
トキシ）エトキシ基、３−ジエチルアミノプロポキシ
基、１−ジエチルアミノプロポキシ基、２−ジ−ｉｓｏ
−プロピルアミノエトキシ基、２−ジ−ｎ−ブチルアミ
ノエトキシ基等の直鎖又は分岐のジアルキルアミノアル
コキシ基；

【００１２】２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチ
オエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−
ｉｓｏ−プロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオ
エトキシ基、２−ｉｓｏ−ブチルチオエトキシ基のアル
キルチオアルコキシ基；ホルミル基、アセチル基、エチ
ルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−
プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｎ−
ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル
基、ｎｅｏ−ペンチルカルボニル基、２−メチルブチル
カルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシル
基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イ
ソプロピルオキシカルボニル基、２，４−ジメチルブチ
ルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メ
チルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、
ｎ−プロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルアミノカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基；ジメチルアミノカルボニル
基、ジエチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−プロピルア
ミノカルボニル基、ジ−ｎ−ブチルアミノカルブニル
基、Ｎ−メチル−Ｎ−シクロヘキシルアミノカルボニル
基等のジアルキルアミノカルボニル基；アセチルアミノ
基、エチルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミ
ノ基等のアルキルカルボニルアミノ基；フェニルアミノ
カルボニル基、４−メチルフェニルアミノカルボニル
基、２−メトキシフェニルアミノカルボニル基、４−ｎ
−プロピルフェニルアミノカルボニル基等のアリールア
ミノカルボニル基；フェニルカルボニルアミノ基、４−
エチルフェニルカルボニルアミノ基、３−ブチルフェニ
ルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ
基；フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカ
ルボニル基、４−メトキシフェニルカルボニル基、４−
ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基等のアリールオキシ
カルボニル基；

【００１３】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
トリメチルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシ
ベンジル基、エトキシベンジル基、トリフルオロメチル
ベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル
基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチ
ル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナ
フチルメチル基等のアラルキル基；フェニル基、ニトロ
フェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチ
ルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ジイソプロ
ピルフェニル基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニ
ル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチルフェニ
ル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基等のアリール基；ピロリル基、チエニル基、フ
ラニル基、オキサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキ
サジアゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル
基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベン
ゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダ
ゾイル基、ベンゾフラニル基、インドイル基等のヘテロ
アリール基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピ
ルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ
基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ
−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチ
ルチオ基、２−メチルブチルチオ基、１−メチルブチル
チオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプ
ロピルチオ基、１，１−ジメチルプロピルチオ基等のア
ルキルチオ基；フェニルチオ基、４−メチルフェニルチ
オ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフ
ェニルチオ基等のアリールチオ基；アリルオキシカルボ
ニル基、２−ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオ
キシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェ
ネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボ
ニル基；メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニルメトキシカルボニル基、ｎ−プロポキ
シカルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキシカ
ルボニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ルアルコキシカルボニル基；

【００１４】メチルカルボニルメトキシカルボニル基、
エチルカルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカ
ルボニルアルコキシカルボニル基；ヒドロキシエチルア
ミノカルボニル基、２−ヒドロキシプロピルアミノカル
ボニル基、３−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基
等のモノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基；
ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（２−
ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基、ジ（３−ヒ
ドロキシプロピル）アミノカルボニル基等のジ（ヒドロ
キシアルキル）アミノカルボニル基；メトキシメチルア
ミノカルボニル基、メトキシエチルアミノカルボニル
基、エトキシメチルアミノカルボニル基、エトキシエチ
ルアミノカルボニル基、プロポキシエチルアミノカルボ
ニル基等のモノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニ
ル基；ジ（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ
（エトキシメチル）アミノカルボニル基、ジ（エトキシ
エチル）アミノカルボニル基、ジ（プロポキシエチル）
アミノカルボニル基等のジ（アルコキシアルキル）アミ
ノカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、１−ブテニ
ル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペ
ンテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル
−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２，
２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチルカルボ
キシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニ
ル基等の炭素数２〜２０のアルケニル等を挙げることが
できる。

【００１５】Ｒ₁₂及びＲ₁₃の具体例としては、フッ素原
子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペ
ンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、
ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、
１，１−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチ
ルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペン
チル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチル
ブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメ
チルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル
基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリエチルブチ
ル基、１，１，２−トリエチルブチル基、１−エチル−
２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシ
ル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、
２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，
５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキ
シル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニ
ル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル
基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメ
チルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、
１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチル
オクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデ
シル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−
ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタ
デシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメ
チルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，
２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ
−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃ
ｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素
数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；

【００１６】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
トリメチルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシ
ベンジル基、エトキシベンジル基、トリフルオロメチル
ベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル
基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチ
ル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナ
フチルメチル基等のアラルキル基；フェニル基、ニトロ
フェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチ
ルフェニル基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル
基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチルフェニル
基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル基、
ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフ
チル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナフチ
ル基等のアリール基；フェノキシ基、２−メチルフェノ
キシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェ
ノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プ
ロピルフェノキシ基等のアリールオキシ基；フェニルチ
オ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニ
ルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基等のアリール
チオ基；ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサ
ゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、
イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾ
イル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル
基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベン
ゾフラニル基、インドイル基等のヘテロアリール基；メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プ
ロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ
基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコ
キシ基を挙げることができる。

【００１７】本発明の一般式（１）で示されるジベンゾ
ピロメテンホウ素キレート化合物は以下のようにして合
成できる。一般式（２）で示される化合物と一般式
（３）で示される化合物、または一般式（４）で示され
る化合物と一般式（５）で示される化合物とを、臭化水
素酸や塩化水素等の酸触媒の存在下、適当な溶媒中で反
応させて、一般式（６）で示されるジピロメテン系化合
物を得る。次いで一般式（６）で示される化合物を、三
フッ化ホウ素類と反応させて一般式（７）で示される化
合物を得た後、フッ素原子を置換して一般式（１）で示
されるジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物を合成
する。

【００１８】

【化３】

【００１９】

【化４】

【００２０】

【化５】

【００２１】

【化６】

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】 ［式（２）〜（７）に於いて、Ｒ₁〜Ｒ₁₁は前記に同
じ。］

【００２４】また、一般式（１）で示されるジベンゾピ
ロメテンホウ素キレート化合物に於いて、Ｒ₁＝Ｒ₁₁、
Ｒ₂＝Ｒ₁₀、Ｒ₃＝Ｒ₉、Ｒ₄＝Ｒ₈、Ｒ₅＝Ｒ₇である対称
型ジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物は以下の様
に合成することもできる。

【００２５】一般式（８）で示される化合物を適当な溶
媒中、酢酸アンモニウム或いはアンモニア水及び酢酸の
混合物と反応させて一般式（９）で示されるジピロメテ
ン系化合物を得る。次いで一般式（９）で示される化合
物を、三フッ化ホウ素類と反応させて一般式（１０）で
示される化合物を得た後、フッ素原子を置換して一般式
（１）で示されるジベンゾピロメテンホウ素キレート化
合物を合成する。

【００２６】

【化９】

【００２７】

【化１０】

【００２８】

【化１１】 ［式（８）〜（１０）に於いて、Ｒ₁〜Ｒ₆は前記に同
じ。］

【００２９】一般式（１）で示されるジベンゾピロメテ
ンホウ素キレート化合物の具体例としては、表−１に示
す置換基を有する化合物が挙げられる。

【００３０】

【表１】

【００３１】

【表２】

【００３２】

【表３】

【００３３】

【表４】

【００３４】

【表５】

【００３５】

【表６】

【００３６】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板１上に記録層２が形
成されており、その上に密着して反射層３が設けられて
おり、さらにその上に接着層４を介して基板５が貼り合
わされている。ただし、記録層２の下または上に別の層
があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良
い。

【００３７】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
ＤＶＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径
８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径
１５ｍｍ程度の穴が開いている。

【００３８】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、その吸収極大が４５０ｎｍ〜
６３０ｎｍ付近に存在する一般式（１）で示されるジベ
ンゾピロメテンホウ素キレート化合物を含有する。中で
も、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および
再生レーザー波長に対して適度な光学定数を有する必要
がある。

【００３９】光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表さ
れる（ｉは虚数単位を表す）。式中のｎ、ｋは、実数部
ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを
屈折率、ｋを消衰係数とする。

【００４０】一般に有機色素の屈折率と消衰係数は大き
な波長依存性を示す。この特徴を考慮して、目的とする
レーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色
素を選択し、記録層を成膜することで、高い反射率を有
し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。

【００４１】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、ｎが１．８以上、
かつ、ｋが０．０４〜０．４０であり、好ましくは、ｎ
が２．０以上で、かつ、ｋが０．０４〜０．２０であ
る。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４
０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用
に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー
波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択
し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、
感度の良い媒体とすることができる。本発明で使用する
一般式（１）で示されるジベンゾピロメテンホウ素キレ
ート化合物は、いずれも上記の好ましい光学定数を有す
るものである。

【００４２】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が２０％あれば一応可能であるが、３０
％以上の反射率が好ましい。

【００４３】また、記録特性などの改善のために、波長
４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を持ち、５２０ｎｍ
〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合
しても良い。具体的には、シアニン系色素、スクアリリ
ウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色
素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系
色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニ
ルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１％〜３０％程度
である。

【００４４】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。

【００４５】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。

【００４６】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。

【００４７】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。

【００４８】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００４９】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物の含有
量は、３０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、
実質的に１００％であることも好ましい。

【００５０】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００５１】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示されるジベンゾピロメテンホウ
素キレート化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３
０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗
布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与え
ないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、
エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロ
ペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどの
アルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デ
カン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチル
シクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族
または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロ
ロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどの
ハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなど
のエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メ
チル−２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、
乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられ
る。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合
しても良い。

【００５２】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００５３】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００５４】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。色素層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００５５】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金族を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【００５６】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【００５７】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【００５８】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００５９】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。

【００６０】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【００６１】また、反射層面に保護シートまたは基板を
張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。

【００６２】また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜しても良い。

【００６３】本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍ
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３
ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レー
ザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【００６４】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れにより何ら限定されるものではない。

【００６５】実施例１ ジベンゾピロメテンホウ素キレ
ート化合物（１−１６）の合成 窒素気流下、エタノール１００ｍＬに１−ホルミル−３
−フェニル−イソインドール２．２ｇ及び１−フェニル
イソインドール１．９ｇを溶解し、臭化水素酸５ｍｌを
滴下し、２０℃で２時間撹拌した。濃縮後、カラムクロ
マトグラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製し、
下記構造式（１−１６ａ）で示される化合物を１．９ｇ
得た。

【００６６】

【化１２】

【００６７】下記の分析結果より（１−１６ａ）である
ことを確認した。

【００６８】

【表７】

【００６９】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９６ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．２０×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。

【００７０】窒素気流下、ジクロロメタン１００ｍＬに
式（１−１６ａ）で示される化合物４．４ｇとＮ，Ｎ−
ジイソプロピルエチルアミン４．３ｇを加え、室温で３
０分間撹拌した後、ボロントリフルオリドエーテル錯体
４．７ｇを加え更に１６時間撹拌した。濃縮後、トルエ
ン２００ｍＬにて抽出し、水洗、トルエンを溜去し、カ
ラムクロマトグラフィー（シリカゲル／クロロホルム）
にて精製し、下記構造式（１−１６ｂ）で示される化合
物を１．７ｇ得た。

【００７１】

【化１３】

【００７２】下記の分析結果より（１−１６ｂ）である
ことを確認した。

【００７３】

【表８】

【００７４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において６４４ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数２．３９×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。

【００７５】次に、窒素気流下、無水テトラヒドロフラ
ン４５ｍＬに式（１−１６ｂ）で示される化合物１．５
ｇを溶解し、５℃冷却下、ｎ−ペンチルマグネシウムブ
ロマイド（１．０ｍｏｌ／Ｌ：テトラヒドロフラン）２
３ｍＬを滴下し、２時間撹拌した。２％塩酸２００ｍＬ
に排出し、トルエン３００ｍＬにて抽出し、水洗後、カ
ラムクロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン：ｎ−
ヘキサン＝１：５）にて精製し、下記構造式（１−１
６）で示される化合物を０．４ｇ得た。

【００７６】

【化１４】

【００７７】下記の分析結果より目的物であることを確
認した。 元素分析値（Ｃ₄₄Ｈ₅₁ＢＮ₂）

【００７８】

【表９】

【００７９】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８８ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数２．１１×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。

【００８０】実施例２ ジベンゾピロメテンホウ素キレ
ート化合物（１−１９）の合成 窒素気流下、無水テトラヒドロフラン２０ｍＬに実施例
１で得た式（１−１６ｂ）で示される化合物１．６ｇを
溶解し、５℃冷却下、ｎ−オクチルマグネシウムブロマ
イド（１．０ｍｏｌ／Ｌ：テトラヒドロフラン）４５ｍ
Ｌを滴下し、４時間撹拌した。２％塩酸２００ｍＬに排
出し、ヘプタン１００ｍＬにて抽出し、水洗後、カラム
クロマトグラフィー（シリカゲル／ｎ−ヘキサン）にて
精製し、下記構造式（１−１９）で示される化合物を
０．７ｇ得た。

【００８１】

【化１５】

【００８２】下記の分析結果より目的物であることを確
認した。 元素分析値（Ｃ₅₃Ｈ₆₉ＢＮ₂）

【００８３】

【表１０】

【００８４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８８ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数１．５７×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。

【００８５】実施例３ ジベンゾピロメテンホウ素キレート化合物（１−１６）
０．２ｇをジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、
色素溶液を調製した。基板には、ポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を
有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のもの
を用いた。

【００８６】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層
を形成した。

【００８７】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【００８８】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。

【００８９】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）およびＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷ
で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録した。
記録後、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率５２％、ジッタ
ー８．８％、変調度０．６７、６３５ｎｍ再生で反射率
５０％、ジッター８．９％、変調度０．６６といずれも
良好な値を示した。また、１００時間のカーボンアーク
での耐光性試験、並びに８０℃、８５％の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。

【００９０】実施例４〜１３ 表−１に記載したジベンゾピロメテンホウ素キレート化
合物を用いる以外は実施例３と同様にして光記録媒体を
作製し、記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用い
て信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定
した結果、いずれも良好な値を示した。また、１００時
間のカーボンアークでの耐光性試験、並びに８０℃、８
５％の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。

【００９１】以上の実施例３〜１３において、各光記録
媒体を６３５ｎｍで記録して、６５０および６３５ｎｍ
で再生したときの反射率、ジッター、変調度を表−２に
まとめて示す。尚、極大吸収は記録層として成膜した状
態で測定したものである。

【００９２】比較例１ 実施例３において、ジベンゾピロメテンホウ素キレート
化合物（１−１６）の代わりに、ペンタメチンシアニン
色素ＮＫ−２９２９「1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-
2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ）インドジカルボシアニン
パークロレート、日本感光色素研究所製」を用いてテト
ラフルオロプロパノールに溶解してスピンコートする以
外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体に
実施例３と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）および、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコー
ダーを用いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録した。記録後、６５０ｎｍおよび６３５ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用い
て信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定
した結果、６５０ｎｍ再生で反射率９％、ジッター２０
％以上、変調度０．１３、６３５ｎｍ再生で反射率９
％、ジッター２０％以上、変調度０．１５と劣ってい
た。また、１００時間のカーボンアークでの耐光性試験
後、信号は劣化し、再生ができなかった。

【００９３】

【表１１】

【００９４】

【表１２】

【００９５】

【発明の効果】本発明のジベンゾピロメテンホウ素キレ
ート化合物を記録層材料として用いることにより、高密
度光記録媒体として非常に注目されている波長５２０〜
６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で耐久性に優れ
た追記型光記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来および本発明の光記録媒体の層構成を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 接着層 ５ 基板

フロントページの続き (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるジベンゾピ
   ロメテンホウ素キレート化合物。 【化１】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁は各々独立に水素原子、ハロゲン原
   子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カ
   ルボキシ基、スルホン基、炭素数１〜２０のアルキル
   基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アル
   コキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ
   基、ジアルキルアミノアルコキシ基、アルキルチオアル
   コキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキ
   ルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル
   基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールアミノカル
   ボニル基、アリールカルボニルアミノ基、アリールオキ
   シカルボニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロア
   リール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
   ルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
   基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、ア
   ルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、モノ（ヒド
   ロキシアルキル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシ
   アルキル）アミノカルボニル基、モノ（アルコキシアル
   キル）アミノカルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）
   アミノカルボニル基または炭素数２〜２０のアルケニル
   基を表わす。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₃はフッ素原子、炭素数１〜２０
   のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アリールオ
   キシ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基、又はアル
   コキシ基を表わすが、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₃の少なくとも１つはフ
   ッ素原子以外の前記置換基を示す。但し、Ｒ₂とＲ₃又は
   Ｒ₃とＲ₄又はＲ₄とＲ₅又はＲ₇とＲ₈又はＲ₈とＲ₉又はＲ
   ₉とＲ₁₀結合して芳香環を形成してもよい。）
2. 【請求項２】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
   有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１に記
   載のピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録媒
   体。
3. 【請求項３】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
   求項２記載の光記録媒体。