JPH11256370A - 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 - Google Patents
放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板Info
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- JPH11256370A JPH11256370A JP5659598A JP5659598A JPH11256370A JP H11256370 A JPH11256370 A JP H11256370A JP 5659598 A JP5659598 A JP 5659598A JP 5659598 A JP5659598 A JP 5659598A JP H11256370 A JPH11256370 A JP H11256370A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも均一にエッチングを行うことがで
きるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 【解決手段】 シリコン電極板１と冷却板３の間に冷却
板よりも熱伝導性の優れた金属膜２を介在させることに
より、プラズマエッチング中のシリコン電極板１の温度
上昇を阻止し、中心部と周辺部とに生じる温度差が少な
くし、ウエハ４のエッチング深さがウエハ全体として均
一となる。
きるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 【解決手段】 シリコン電極板１と冷却板３の間に冷却
板よりも熱伝導性の優れた金属膜２を介在させることに
より、プラズマエッチング中のシリコン電極板１の温度
上昇を阻止し、中心部と周辺部とに生じる温度差が少な
くし、ウエハ４のエッチング深さがウエハ全体として均
一となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、放熱性を有する
プラズマエッチング用シリコン電極板に関するものであ
り、従来よりも温度分布が均一となり、したがって従来
よりも均一にエッチングを行うことができるプラズマエ
ッチング用シリコン電極板に関するものである。
プラズマエッチング用シリコン電極板に関するものであ
り、従来よりも温度分布が均一となり、したがって従来
よりも均一にエッチングを行うことができるプラズマエ
ッチング用シリコン電極板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造する際
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするためのプラズマエッチング用シリコン
電極板として、近年、図４の断面図に示されるようなシ
リコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定したプラズ
マエッチング用シリコン電極板９が用いられている。こ
のシリコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定してな
るプラズマエッチング用シリコン電極板９を真空容器
（図示せず）内のほぼ中央に固定し、一方、架台８の上
にウエハ４を載置し、エッチングガス７をシリコン電極
板１および冷却板３に設けられた貫通細孔５を通してウ
エハ４に向って流しながら高周波電圧を印加することに
よりシリコン電極板１とウエハ４の間にプラズマ１１を
発生させ、このプラズマ１１がウエハ４に当ってウエハ
４の表面をエッチングするようになっている。この時、
シリコン電極板１の熱は冷却板３を通して放熱される。
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするためのプラズマエッチング用シリコン
電極板として、近年、図４の断面図に示されるようなシ
リコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定したプラズ
マエッチング用シリコン電極板９が用いられている。こ
のシリコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定してな
るプラズマエッチング用シリコン電極板９を真空容器
（図示せず）内のほぼ中央に固定し、一方、架台８の上
にウエハ４を載置し、エッチングガス７をシリコン電極
板１および冷却板３に設けられた貫通細孔５を通してウ
エハ４に向って流しながら高周波電圧を印加することに
よりシリコン電極板１とウエハ４の間にプラズマ１１を
発生させ、このプラズマ１１がウエハ４に当ってウエハ
４の表面をエッチングするようになっている。この時、
シリコン電極板１の熱は冷却板３を通して放熱される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のシ
リコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定してなるプ
ラズマエッチング用シリコン電極板９を用いてウエハ４
をプラズマエッチングすると、エッチング中にプラズマ
エッチング用シリコン電極板９を構成するシリコン電極
板１のの温度が上昇すると共に、中心部と周辺部とに温
度差が生じ、ウエハ４のエッチング深さが場所により異
なってウエハ全体が均一にエッチングされない。
リコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定してなるプ
ラズマエッチング用シリコン電極板９を用いてウエハ４
をプラズマエッチングすると、エッチング中にプラズマ
エッチング用シリコン電極板９を構成するシリコン電極
板１のの温度が上昇すると共に、中心部と周辺部とに温
度差が生じ、ウエハ４のエッチング深さが場所により異
なってウエハ全体が均一にエッチングされない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる観点から、ウエハ全体を従来よりも一層均一にプ
ラズマエッチングを行うことのできるプラズマエッチン
グ用シリコン電極板を開発すべく研究を行った結果、
（イ）図１に示されるように、シリコン電極板１と冷却
板３の間に冷却板よりも熱伝導性の優れた金属膜２を介
在させると、プラズマエッチング中のシリコン電極板１
の温度上昇が阻止されると共に、中心部と周辺部とに生
じる温度差が少なくなり、ウエハ４のエッチング深さが
ウエハ全体として均一となる、（ロ）図２に示されるよ
うに、前記シリコン電極板１と冷却板３の間に形成する
金属膜２に設けられた貫通細孔１５の径は、シリコン電
極板１に設けられた貫通細孔５の径および冷却板３に設
けられた貫通細孔５´の径のいずれよりも大きい貫通細
孔の径となるようにして金属膜が貫通細孔から離れるよ
うにし、金属膜のイオンによりウエハが汚染されるのを
防止することが好ましい、という知見を得たのである。
かかる観点から、ウエハ全体を従来よりも一層均一にプ
ラズマエッチングを行うことのできるプラズマエッチン
グ用シリコン電極板を開発すべく研究を行った結果、
（イ）図１に示されるように、シリコン電極板１と冷却
板３の間に冷却板よりも熱伝導性の優れた金属膜２を介
在させると、プラズマエッチング中のシリコン電極板１
の温度上昇が阻止されると共に、中心部と周辺部とに生
じる温度差が少なくなり、ウエハ４のエッチング深さが
ウエハ全体として均一となる、（ロ）図２に示されるよ
うに、前記シリコン電極板１と冷却板３の間に形成する
金属膜２に設けられた貫通細孔１５の径は、シリコン電
極板１に設けられた貫通細孔５の径および冷却板３に設
けられた貫通細孔５´の径のいずれよりも大きい貫通細
孔の径となるようにして金属膜が貫通細孔から離れるよ
うにし、金属膜のイオンによりウエハが汚染されるのを
防止することが好ましい、という知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）貫通細孔が設けられたシリコン
電極板を貫通細孔が設けられた冷却板にボルトで固定し
てなるプラズマエッチング用シリコン電極板において、
シリコン電極板と冷却板の間に貫通細孔を有する熱伝導
率の高い金属膜を介在させてなる放熱性を有するプラズ
マエッチング用シリコン電極板、に特徴を有するもので
ある。
たものであって、（１）貫通細孔が設けられたシリコン
電極板を貫通細孔が設けられた冷却板にボルトで固定し
てなるプラズマエッチング用シリコン電極板において、
シリコン電極板と冷却板の間に貫通細孔を有する熱伝導
率の高い金属膜を介在させてなる放熱性を有するプラズ
マエッチング用シリコン電極板、に特徴を有するもので
ある。
【０００６】この発明のプラズマエッチング用シリコン
電極板は、貫通細孔が設けられているシリコン電極板と
貫通細孔が設けられている冷却板の間に貫通細孔が設け
られている熱伝導性の優れた金属膜を挟んでボルトで固
定しても良いが、図３に示されるように、あらかじめシ
リコン電極板１の片面の貫通細孔のない部分にスクリー
ン印刷、ペースト焼き付けして金属膜２を形成してお
き、これを金属膜のあるシリコン電極板の面に冷却板を
重ねてボルトでシリコン電極板と冷却板を固定しても良
い。
電極板は、貫通細孔が設けられているシリコン電極板と
貫通細孔が設けられている冷却板の間に貫通細孔が設け
られている熱伝導性の優れた金属膜を挟んでボルトで固
定しても良いが、図３に示されるように、あらかじめシ
リコン電極板１の片面の貫通細孔のない部分にスクリー
ン印刷、ペースト焼き付けして金属膜２を形成してお
き、これを金属膜のあるシリコン電極板の面に冷却板を
重ねてボルトでシリコン電極板と冷却板を固定しても良
い。
【０００７】したがって、この発明は、（２）厚さ方向
に貫通細孔が設けられたシリコン電極板の表面に貫通細
孔を有する熱伝導率の高い金属膜を形成したシリコン電
極板と、このシリコン電極板の熱伝導率の高い金属膜を
挟むように厚さ方向に貫通細孔が設けられた冷却板をボ
ルトで固定してなる放熱性を有するプラズマエッチング
用シリコン電極板、に特徴を有するものである。
に貫通細孔が設けられたシリコン電極板の表面に貫通細
孔を有する熱伝導率の高い金属膜を形成したシリコン電
極板と、このシリコン電極板の熱伝導率の高い金属膜を
挟むように厚さ方向に貫通細孔が設けられた冷却板をボ
ルトで固定してなる放熱性を有するプラズマエッチング
用シリコン電極板、に特徴を有するものである。
【０００８】また、この発明は、前記（１）または
（２）において、シリコン電極板と冷却板の間に形成す
る金属膜に設けられた貫通細孔の径は、シリコン電極板
に設けられた貫通細孔および冷却板に設けられた貫通細
孔の径のいずれよりも大きい貫通細孔の径となる放熱性
を有するプラズマエッチング用シリコン電極板、に特徴
を有するものである。
（２）において、シリコン電極板と冷却板の間に形成す
る金属膜に設けられた貫通細孔の径は、シリコン電極板
に設けられた貫通細孔および冷却板に設けられた貫通細
孔の径のいずれよりも大きい貫通細孔の径となる放熱性
を有するプラズマエッチング用シリコン電極板、に特徴
を有するものである。
【０００９】この発明のプラズマエッチング用シリコン
電極板を図面に基づいて一層詳細に説明する。図１は、
この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板の断面
図であり、図１において、１はシリコン電極板、２は熱
伝導率の高い金属膜、３は鍔部１０を有する冷却板であ
る。また、図２は、この発明のプラズマエッチング用シ
リコン電極板の貫通細孔部分の拡大断面図であり、図２
において、１はシリコン電極板、２は熱伝導率の高い金
属膜、３は冷却板、５はシリコン電極板１に設けられた
貫通細孔、５´は冷却板に設けられた貫通細孔、１５は
金属膜に設けられた貫通細孔である。
電極板を図面に基づいて一層詳細に説明する。図１は、
この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板の断面
図であり、図１において、１はシリコン電極板、２は熱
伝導率の高い金属膜、３は鍔部１０を有する冷却板であ
る。また、図２は、この発明のプラズマエッチング用シ
リコン電極板の貫通細孔部分の拡大断面図であり、図２
において、１はシリコン電極板、２は熱伝導率の高い金
属膜、３は冷却板、５はシリコン電極板１に設けられた
貫通細孔、５´は冷却板に設けられた貫通細孔、１５は
金属膜に設けられた貫通細孔である。
【００１０】図２に示されるように、この発明のプラズ
マエッチング用シリコン電極板の金属膜２に設けられた
貫通細孔１５の径は、シリコン電極板１に設けられた貫
通細孔５および冷却板３に設けられた貫通細孔５´の径
のいずれよりも大きい貫通細孔の径となるようになって
おり、金属膜２がシリコン電極板１に設けられた貫通細
孔５および冷却板３に設けられた貫通細孔５´から突出
しないようになっている。その理由は金属膜２が貫通細
孔５、５´の内部に突出すると金属膜２のイオンがエッ
チングガスにより運ばれてウエハが汚染される恐れがあ
るためである。なお、金属膜２は、厚さが１００〜２０
０μｍの範囲内にあることが好ましく、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕおよびそれらの合金からなることが好ましい。
マエッチング用シリコン電極板の金属膜２に設けられた
貫通細孔１５の径は、シリコン電極板１に設けられた貫
通細孔５および冷却板３に設けられた貫通細孔５´の径
のいずれよりも大きい貫通細孔の径となるようになって
おり、金属膜２がシリコン電極板１に設けられた貫通細
孔５および冷却板３に設けられた貫通細孔５´から突出
しないようになっている。その理由は金属膜２が貫通細
孔５、５´の内部に突出すると金属膜２のイオンがエッ
チングガスにより運ばれてウエハが汚染される恐れがあ
るためである。なお、金属膜２は、厚さが１００〜２０
０μｍの範囲内にあることが好ましく、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕおよびそれらの合金からなることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施例１ 直径：２８０mm、厚さ：５mmの寸法を有し、直径：０．
５mmの貫通細孔を設けたシリコン電極板、直径：２８０
mm、厚さ：２７mmの寸法を有し、直径：１mmの貫通細孔
を設けた鍔部を有するＡｌ製冷却板、直径：２５０mm、
厚さ：０．１mmの寸法を有し、直径：３mmの貫通細孔を
設けた純Ｃｕ膜、を用意し、前記純Ｃｕ膜をシリコン電
極板とＡｌ製冷却板の間に挟み、純Ｃｕ膜、シリコン電
極板およびＡｌ製冷却板に設けられた貫通細孔が同心円
上になるようにボルト６で固定して図１に示される構造
の本発明プラズマエッチング用シリコン電極板（以下、
本発明電極という）１を作製した。
５mmの貫通細孔を設けたシリコン電極板、直径：２８０
mm、厚さ：２７mmの寸法を有し、直径：１mmの貫通細孔
を設けた鍔部を有するＡｌ製冷却板、直径：２５０mm、
厚さ：０．１mmの寸法を有し、直径：３mmの貫通細孔を
設けた純Ｃｕ膜、を用意し、前記純Ｃｕ膜をシリコン電
極板とＡｌ製冷却板の間に挟み、純Ｃｕ膜、シリコン電
極板およびＡｌ製冷却板に設けられた貫通細孔が同心円
上になるようにボルト６で固定して図１に示される構造
の本発明プラズマエッチング用シリコン電極板（以下、
本発明電極という）１を作製した。
【００１２】この本発明電極１をプラズマエッチング装
置にセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：８００
Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件で４０秒間プラ
ズマを発生させ、本発明電極１の中心部の温度および周
辺部の温度を測定し、その結果を表１に示した。
置にセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：８００
Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件で４０秒間プラ
ズマを発生させ、本発明電極１の中心部の温度および周
辺部の温度を測定し、その結果を表１に示した。
【００１３】実施例２ 直径：２５０mm、厚さ：０．１mmの寸法を有し、直径：
３mmの貫通細孔を設けた純Ａｇ膜を用意し、この純Ａｇ
膜を実施例１の純Ｃｕ膜に代えて使用し、実施例１と同
様にして本発明電極２を作製し、実施例１と同じ条件で
４０秒間プラズマを発生させ、本発明電極２の中心部の
温度および周辺部の温度を測定し、その結果を表１に示
した。
３mmの貫通細孔を設けた純Ａｇ膜を用意し、この純Ａｇ
膜を実施例１の純Ｃｕ膜に代えて使用し、実施例１と同
様にして本発明電極２を作製し、実施例１と同じ条件で
４０秒間プラズマを発生させ、本発明電極２の中心部の
温度および周辺部の温度を測定し、その結果を表１に示
した。
【００１４】従来例１ 実施例１で用意した電極板とＡｌ製冷却板をボルトで結
合し、従来プラズマエッチング用電極（以下、従来電極
という）１を作製し、この従来電極を使用し、実施例１
と同じ条件で４０秒間プラズマを発生させ、従来電極１
の中心部の温度および周辺部の温度を測定し、その結果
を表１に示した。
合し、従来プラズマエッチング用電極（以下、従来電極
という）１を作製し、この従来電極を使用し、実施例１
と同じ条件で４０秒間プラズマを発生させ、従来電極１
の中心部の温度および周辺部の温度を測定し、その結果
を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】表１に示される結果から、純Ｃｕ膜を挟
んだ本発明電極１および純Ａｇ膜を挟んだ本発明電極２
を使用して４０秒間チャージしてプラズマを発生させた
場合と金属膜を挾まない従来電極１を使用して４０秒間
チャージしてプラズマを発生させた場合を比較すると、
いずれも同一条件で４０秒間チャージしてプラズマを発
生させたにもかかわらず、従来電極１では中心部の温度
が２２５℃まで上がるに対し、本発明電極１では中心部
の温度が８８℃までしか上がらず、また本発明電極２で
は中心部の温度が７８℃までしか上がらず、さらに本発
明電極１および本発明電極２の中心部と周辺部の温度差
が従来電極１の温度差に比べて格段に小さいところか
ら、ウエハのエッチングの均一性が一段と改善されるこ
とが分かる。
んだ本発明電極１および純Ａｇ膜を挟んだ本発明電極２
を使用して４０秒間チャージしてプラズマを発生させた
場合と金属膜を挾まない従来電極１を使用して４０秒間
チャージしてプラズマを発生させた場合を比較すると、
いずれも同一条件で４０秒間チャージしてプラズマを発
生させたにもかかわらず、従来電極１では中心部の温度
が２２５℃まで上がるに対し、本発明電極１では中心部
の温度が８８℃までしか上がらず、また本発明電極２で
は中心部の温度が７８℃までしか上がらず、さらに本発
明電極１および本発明電極２の中心部と周辺部の温度差
が従来電極１の温度差に比べて格段に小さいところか
ら、ウエハのエッチングの均一性が一段と改善されるこ
とが分かる。
【００１７】なお、この実施例では単結晶シリコンから
なるシリコン電極板を使用したが、多結晶シリコンから
なるシリコン電極板についても同じ結果が得られた。
なるシリコン電極板を使用したが、多結晶シリコンから
なるシリコン電極板についても同じ結果が得られた。
【００１８】上述のように、この発明のプラズマエッチ
ング用シリコン電極板によると、従来よりもウエハを均
一にむらなくエッチングでき、半導体集積回路の不良品
発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
ング用シリコン電極板によると、従来よりもウエハを均
一にむらなくエッチングでき、半導体集積回路の不良品
発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明の放熱性を有するプラズマエッチング
用シリコン電極板を説明するための一部断面説明図であ
る。
用シリコン電極板を説明するための一部断面説明図であ
る。
【図２】この発明の放熱性を有するプラズマエッチング
用シリコン電極板の貫通細孔部の一部断面説明図であ
る。
用シリコン電極板の貫通細孔部の一部断面説明図であ
る。
【図３】シリコン電極板の表面にあらかじめ熱伝導率の
高い金属膜を形成したシリコン電極板の断面説明図であ
る。
高い金属膜を形成したシリコン電極板の断面説明図であ
る。
【図４】従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の
使用状態を説明するための説明図である。
使用状態を説明するための説明図である。
１ シリコン電極板 ２ 金属膜 ３ 冷却板 ４ ウエハ ５ 貫通細孔 ５´ 貫通細孔 １５ 貫通細孔 ６ ボルト ７ エッチングガス ８ 架台 ９ プラズマエッチング用シリコン電極板 １０ 鍔 １１ プラズマ
Claims (4)
- 【請求項１】 貫通細孔を有するシリコン電極板を貫通
細孔を有する冷却板にボルトで固定してなるプラズマエ
ッチング用シリコン電極板において、 シリコン電極板と冷却板の間に貫通細孔を有する熱伝導
率の高い金属膜を介在させてなることを特徴とする放熱
性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 【請求項２】 貫通細孔を有するシリコン電極板の表面
に貫通細孔を有する熱伝導率の高い金属膜を被覆したシ
リコン電極板と、この熱伝導率の高い金属膜を挟むよう
に貫通細孔を有する冷却板をシリコン電極板にボルトで
固定してなることを特徴とする放熱性を有するプラズマ
エッチング用シリコン電極板。 - 【請求項３】 前記貫通細孔を有する冷却板はＡｌまた
はＡｌ合金からなり、前記貫通細孔を有する熱伝導率の
高い金属膜はＣｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの合金から
なる金属膜で構成されていることを特徴とする請求項１
または２記載の放熱性を有するプラズマエッチング用シ
リコン電極板。 - 【請求項４】 前記熱伝導率の高い金属膜に設けられた
貫通細孔の径は、シリコン電極板に設けられた貫通細孔
および冷却板に設けられた貫通細孔の径のいずれよりも
大きいことを特徴とする請求項１、２または３記載の放
熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05659598A JP3981967B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05659598A JP3981967B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11256370A true JPH11256370A (ja) | 1999-09-21 |
| JP3981967B2 JP3981967B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=13031565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05659598A Expired - Fee Related JP3981967B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3981967B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246371A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法 |
| JP2005033167A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Tadahiro Omi | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法 |
| WO2005067022A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Tadahiro Ohmi | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法 |
| JP2009527107A (ja) * | 2006-02-13 | 2009-07-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 誘電体エッチングにおいて粒子汚染を低減させる封止エラストマー接合Ｓｉ電極およびその類似物 |
| JP2010507231A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材 |
| CN102077696A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-05-25 | 朗姆研究公司 | 整修多部件电极的方法 |
| JP2011517834A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-06-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ |
| JP2011129556A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ処理装置用電極板 |
| JP2012216607A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 天井電極板及び基板処理載置 |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP05659598A patent/JP3981967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246371A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法 |
| JP2005033167A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Tadahiro Omi | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法 |
| KR101172334B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2012-08-14 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 샤워 플레이트, 플라즈마 처리 장치, 및 제품의 제조방법 |
| WO2005067022A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Tadahiro Ohmi | シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法 |
| US7879182B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-02-01 | Foundation For Advancement Of International Science | Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method |
| JP2009527107A (ja) * | 2006-02-13 | 2009-07-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 誘電体エッチングにおいて粒子汚染を低減させる封止エラストマー接合Ｓｉ電極およびその類似物 |
| US8789493B2 (en) | 2006-02-13 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch |
| US8709202B2 (en) | 2006-10-16 | 2014-04-29 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
| JP2010507231A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材 |
| JP2011517834A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-06-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ |
| KR101489987B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2015-02-04 | 램 리써치 코포레이션 | 열전도 개스킷을 이용하는 전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 챔버 |
| JP2011527080A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 多要素電極を再生するプロセス |
| CN102077696A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-05-25 | 朗姆研究公司 | 整修多部件电极的方法 |
| JP2011129556A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ処理装置用電極板 |
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