JPH11258192A - 半導体ガスセンサ - Google Patents
半導体ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH11258192A JPH11258192A JP5821998A JP5821998A JPH11258192A JP H11258192 A JPH11258192 A JP H11258192A JP 5821998 A JP5821998 A JP 5821998A JP 5821998 A JP5821998 A JP 5821998A JP H11258192 A JPH11258192 A JP H11258192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas sensor
- gas
- metal oxide
- semiconductor
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 12
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 abstract description 6
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 abstract description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 93
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- -1 zinc chloride Chemical class 0.000 description 3
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 3
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】機械的強度が高く且つ高感度で、耐湿性及び経
時安定性に優れ、被毒ガスに対する耐久性の高い半導体
ガスセンサを提供する。 【解決手段】感応部６は、楕円球状に形成され、白金な
どの貴金属線の電極コイルからなるヒータ２５が埋設さ
れるとともに、ヒータ２５の内部に白金などの貴金属線
からなる芯線２０が設けられている。ヒータ２５はリー
ド線２０1 ，２０3 間に設けられ、芯線２０は上述のリ
ード線２０2 により形成されている。感応部６は、アル
ミナなどの金属酸化物粒子よりなる担体６ａの表面に酸
化錫などの金属酸化物半導体６ｂを付着して形成されて
いる。
時安定性に優れ、被毒ガスに対する耐久性の高い半導体
ガスセンサを提供する。 【解決手段】感応部６は、楕円球状に形成され、白金な
どの貴金属線の電極コイルからなるヒータ２５が埋設さ
れるとともに、ヒータ２５の内部に白金などの貴金属線
からなる芯線２０が設けられている。ヒータ２５はリー
ド線２０1 ，２０3 間に設けられ、芯線２０は上述のリ
ード線２０2 により形成されている。感応部６は、アル
ミナなどの金属酸化物粒子よりなる担体６ａの表面に酸
化錫などの金属酸化物半導体６ｂを付着して形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属酸化物半導体
を感応部とし感応部の電気抵抗値の変化によりガスを検
出する半導体ガスセンサに関するものである。
を感応部とし感応部の電気抵抗値の変化によりガスを検
出する半導体ガスセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、金属酸化物半導体を感応部
（ガス検出材料）とする半導体ガスセンサが各所で研究
・開発されている。この種の半導体ガスセンサとして、
高感度化を図るために図１２に示すように絶縁性の基板
１上に金属酸化物半導体薄膜よりなる感応部６’を成膜
するとともに感応部６’に電気抵抗測定用の一対の電極
４を設けたいわゆる平板型薄膜ガスセンサ（以下、薄膜
ガスセンサと略称する）の研究が数多くなされ、スパッ
タリング法を用いて感応部６’を成膜したもの（例えば
特開昭６１−１５５８４８号公報参照）や、ゾルゲル法
を用いて感応部６’を成膜したもの（例えば特開平８−
１４５９３３号公報参照）や、有機金属化合物熱分解法
を用いて感応部６’を成膜したものなどが提案されてい
る。
（ガス検出材料）とする半導体ガスセンサが各所で研究
・開発されている。この種の半導体ガスセンサとして、
高感度化を図るために図１２に示すように絶縁性の基板
１上に金属酸化物半導体薄膜よりなる感応部６’を成膜
するとともに感応部６’に電気抵抗測定用の一対の電極
４を設けたいわゆる平板型薄膜ガスセンサ（以下、薄膜
ガスセンサと略称する）の研究が数多くなされ、スパッ
タリング法を用いて感応部６’を成膜したもの（例えば
特開昭６１−１５５８４８号公報参照）や、ゾルゲル法
を用いて感応部６’を成膜したもの（例えば特開平８−
１４５９３３号公報参照）や、有機金属化合物熱分解法
を用いて感応部６’を成膜したものなどが提案されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜ガスセ
ンサは、一般に基板１や電極４に対する感応部６’の付
着強度を十分に大きくすることが難しく、基板１や電極
４から感応部６’が剥離したり、感応部６’にクラック
が生じるなどの問題点（以下、第１の問題点と称す）が
ある。第１の問題点を解決するものとしては、スパッタ
時のガス圧を従来の成膜条件よりも高くして感応部６’
を成膜したもの（特開昭５８−１４３２５５号公報参
照）や、金属酸化物層と絶縁性酸化物層とを交互に積層
しアニール処理を行ったもの（特開平７−１９０９７７
号公報参照）などが提案されている。
ンサは、一般に基板１や電極４に対する感応部６’の付
着強度を十分に大きくすることが難しく、基板１や電極
４から感応部６’が剥離したり、感応部６’にクラック
が生じるなどの問題点（以下、第１の問題点と称す）が
ある。第１の問題点を解決するものとしては、スパッタ
時のガス圧を従来の成膜条件よりも高くして感応部６’
を成膜したもの（特開昭５８−１４３２５５号公報参
照）や、金属酸化物層と絶縁性酸化物層とを交互に積層
しアニール処理を行ったもの（特開平７−１９０９７７
号公報参照）などが提案されている。
【０００４】また、薄膜ガスセンサは上記第１の問題点
とは別に、バルク型ガスセンサや厚膜ガスセンサと比較
して耐湿性、耐被毒ガス性などが劣るという問題点（以
下、第２の問題点と称す）がある。第２の問題点を解決
するものとしては、感応部６’の上にＳｉＯ2 膜を積層
したものが提案されている（特開平６−５０９１９号公
報参照）。
とは別に、バルク型ガスセンサや厚膜ガスセンサと比較
して耐湿性、耐被毒ガス性などが劣るという問題点（以
下、第２の問題点と称す）がある。第２の問題点を解決
するものとしては、感応部６’の上にＳｉＯ2 膜を積層
したものが提案されている（特開平６−５０９１９号公
報参照）。
【０００５】さらに、薄膜ガスセンサは、熱的な劣化が
大きく経時安定性が低いという問題点（以下、第３の問
題点と称す）がある。第３の問題点を解決するものとし
ては、水蒸気を含有する空気流中において３５０℃以上
の温度で熱処理を行うもの（特開平６−２１３８５３号
公報参照）、感応部６’と電極４との界面への雰囲気ガ
スの侵入を防ぐように金薄膜を成膜したもの（特開平８
−８６７６７号公報参照）、感応部６’を構成するＳｎ
Ｏ2 薄膜にタングステン酸化物、モリブデン酸化物、バ
ナジウム酸化物などを添加したもの（特開平６−３３１
０号公報参照）、感応部６’上に絶縁性薄膜を被着した
もの（特開平４−１２７０４７号公報参照）などが提案
されている。
大きく経時安定性が低いという問題点（以下、第３の問
題点と称す）がある。第３の問題点を解決するものとし
ては、水蒸気を含有する空気流中において３５０℃以上
の温度で熱処理を行うもの（特開平６−２１３８５３号
公報参照）、感応部６’と電極４との界面への雰囲気ガ
スの侵入を防ぐように金薄膜を成膜したもの（特開平８
−８６７６７号公報参照）、感応部６’を構成するＳｎ
Ｏ2 薄膜にタングステン酸化物、モリブデン酸化物、バ
ナジウム酸化物などを添加したもの（特開平６−３３１
０号公報参照）、感応部６’上に絶縁性薄膜を被着した
もの（特開平４−１２７０４７号公報参照）などが提案
されている。
【０００６】一方で、機械的強度の高いバルク型ガスセ
ンサや厚膜ガスセンサは、薄膜ガスセンサに比べて感度
が低いという問題点（以下、第４の問題点と称す）があ
った。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、
その目的は、機械的強度が高く且つ高感度で、耐湿性及
び経時安定性に優れ、被毒ガスに対する耐久性の高い半
導体ガスセンサを提供することにある。
ンサや厚膜ガスセンサは、薄膜ガスセンサに比べて感度
が低いという問題点（以下、第４の問題点と称す）があ
った。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、
その目的は、機械的強度が高く且つ高感度で、耐湿性及
び経時安定性に優れ、被毒ガスに対する耐久性の高い半
導体ガスセンサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、金属酸化物半導体よりなる感応
部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半導体ガスセ
ンサであって、感応部は、酸化物粒子よりなる担体の表
面に前記金属酸化物半導体を付着して形成されて成るこ
とを特徴とするものであり、酸化物粒子よりなる担体の
表面に前記金属酸化物半導体を付着して感応部を形成し
てあることにより、感応部を厚膜にして機械的強度を高
めた場合であってもガス検出に関わる抵抗値変化は担体
の表面に付着された前記金属酸化物半導体によって支配
されるから、感応部を厚膜または焼結体にすることによ
って機械的強度を高めるとともに薄膜ガスセンサと同様
に感度を高めることができ、しかも、感応部を厚膜また
は焼結体にすることによって従来の厚膜型ガスセンサや
バルク型ガスセンサと同様に耐湿性、経時安定性、被毒
ガスに対する耐久性を高めることができる。
目的を達成するために、金属酸化物半導体よりなる感応
部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半導体ガスセ
ンサであって、感応部は、酸化物粒子よりなる担体の表
面に前記金属酸化物半導体を付着して形成されて成るこ
とを特徴とするものであり、酸化物粒子よりなる担体の
表面に前記金属酸化物半導体を付着して感応部を形成し
てあることにより、感応部を厚膜にして機械的強度を高
めた場合であってもガス検出に関わる抵抗値変化は担体
の表面に付着された前記金属酸化物半導体によって支配
されるから、感応部を厚膜または焼結体にすることによ
って機械的強度を高めるとともに薄膜ガスセンサと同様
に感度を高めることができ、しかも、感応部を厚膜また
は焼結体にすることによって従来の厚膜型ガスセンサや
バルク型ガスセンサと同様に耐湿性、経時安定性、被毒
ガスに対する耐久性を高めることができる。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記金属酸化物半導体は前記担体に担持されている
ことを特徴とする。請求項３の発明は、請求項１の発明
において、前記金属酸化物半導体は前記担体の表面を覆
うように形成されて成ることを特徴とする。請求項４の
発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記
酸化物粒子は、前記金属酸化物半導体の電気抵抗よりも
十分に大きな電気抵抗を有する粒子であることを特徴と
する。
て、前記金属酸化物半導体は前記担体に担持されている
ことを特徴とする。請求項３の発明は、請求項１の発明
において、前記金属酸化物半導体は前記担体の表面を覆
うように形成されて成ることを特徴とする。請求項４の
発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記
酸化物粒子は、前記金属酸化物半導体の電気抵抗よりも
十分に大きな電気抵抗を有する粒子であることを特徴と
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本実施形態の半導体ガスセンサＳ
は例えば、図２に示すような構成であって、有底筒体か
らなるセンサ筐体（図示せず）の底部を兼ねるベース３
０と、ベース３０を貫通してセンサ筐体内外に突出する
３本の端子１０1 ，１０2 ，１０3 と、端子１０1 ，１
０2 ，１０3 にリード線２０1 ，２０2 ，２０3 を接続
固定して支持された感応部６とを備えている。感応部６
は、楕円球状に形成され、白金などの貴金属線の電極コ
イルからなるヒータ２５が埋設されるとともに、ヒータ
２５の内部に白金などの貴金属線からなる芯線２０が設
けられている。ここに、ヒータ２５は上述のリード線２
０1 ，２０3 間に設けられ、芯線２０は上述のリード線
２０2 により形成されている。なお、図２の構成では、
リード線２０2 と、リード線２０1 ，２０3 のいずれか
一方とで電気抵抗測定用の電極を構成し、リード線２０
1 とリード線２０3 とがヒータ加熱用の電極を構成して
いる。
は例えば、図２に示すような構成であって、有底筒体か
らなるセンサ筐体（図示せず）の底部を兼ねるベース３
０と、ベース３０を貫通してセンサ筐体内外に突出する
３本の端子１０1 ，１０2 ，１０3 と、端子１０1 ，１
０2 ，１０3 にリード線２０1 ，２０2 ，２０3 を接続
固定して支持された感応部６とを備えている。感応部６
は、楕円球状に形成され、白金などの貴金属線の電極コ
イルからなるヒータ２５が埋設されるとともに、ヒータ
２５の内部に白金などの貴金属線からなる芯線２０が設
けられている。ここに、ヒータ２５は上述のリード線２
０1 ，２０3 間に設けられ、芯線２０は上述のリード線
２０2 により形成されている。なお、図２の構成では、
リード線２０2 と、リード線２０1 ，２０3 のいずれか
一方とで電気抵抗測定用の電極を構成し、リード線２０
1 とリード線２０3 とがヒータ加熱用の電極を構成して
いる。
【００１０】ところで、本実施形態の半導体ガスセンサ
Ｓは、感応部６が、図１に示すように、金属酸化物粒子
よりなる担体６ａの表面に金属酸化物半導体６ｂを付着
して形成されている点に特徴がある。以下、感応部６の
形成方法について（１）〜（３）の３例を説明する。 （１）エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノ
ール溶液５ｃｃを１ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）に対し
て添加し、溶媒を蒸発させた後、空気中において例えば
４００℃で焼成して、Ａｌ2 Ｏ3 粒子よりなる担体６ａ
の表面にＳｎＯ2よりなる金属酸化物半導体６ｂが付着
した粉体を得る。ここに、担体６ａ表面への金属酸化物
半導体６ｂの付着の形態は、焼成温度によって変化し担
体６ａ表面に金属酸化物半導体６ｂが担持された形態で
あってもよいし、担体６ａ表面を覆うように金属酸化物
半導体６ｂ薄膜が形成された形態であってもよい。次
に、得られた粉体をエチレングリコールを用いてペース
ト化してペースト状の感ガス材料を得て、該ペースト状
の感ガス材料をヒータ２５及び芯線２０に塗布し、ヒー
タ２５に電圧を印加することにより約４００〜５００℃
で焼結させ感応部６を得る。
Ｓは、感応部６が、図１に示すように、金属酸化物粒子
よりなる担体６ａの表面に金属酸化物半導体６ｂを付着
して形成されている点に特徴がある。以下、感応部６の
形成方法について（１）〜（３）の３例を説明する。 （１）エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノ
ール溶液５ｃｃを１ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）に対し
て添加し、溶媒を蒸発させた後、空気中において例えば
４００℃で焼成して、Ａｌ2 Ｏ3 粒子よりなる担体６ａ
の表面にＳｎＯ2よりなる金属酸化物半導体６ｂが付着
した粉体を得る。ここに、担体６ａ表面への金属酸化物
半導体６ｂの付着の形態は、焼成温度によって変化し担
体６ａ表面に金属酸化物半導体６ｂが担持された形態で
あってもよいし、担体６ａ表面を覆うように金属酸化物
半導体６ｂ薄膜が形成された形態であってもよい。次
に、得られた粉体をエチレングリコールを用いてペース
ト化してペースト状の感ガス材料を得て、該ペースト状
の感ガス材料をヒータ２５及び芯線２０に塗布し、ヒー
タ２５に電圧を印加することにより約４００〜５００℃
で焼結させ感応部６を得る。
【００１１】なお、エチルエキサン酸スズにとともにＰ
ｔ、Ｒｈ、Ａｕ等の貴金属触媒あるいは塩化亜鉛などの
塩を加えることにより、各ガスに対して適切な感度を持
たせたり、応答速度を改善することができる。また、焼
成後に、シリカゾル、アルミナゾルを塗布しその後、再
焼成することにより、感応部６の機械機強度が高くな
る。 （２）Ａｌ2 Ｏ3 をエチレングリコールを用いてペース
ト化し、ペースト状の感ガス材料をヒータ２５及び芯線
２０に塗布し、その後、エチルエキサン酸スズを２０ｗ
ｔ％含んだエタノール溶液を含浸させ、焼成する。その
後、エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノー
ル溶液を含浸させ焼成するという操作を数回繰り返すこ
とにより感応部６が形成される。ここにおいて、繰り返
し回数が多いほど感応部６の抵抗値が低くなるが感度は
変わらない。
ｔ、Ｒｈ、Ａｕ等の貴金属触媒あるいは塩化亜鉛などの
塩を加えることにより、各ガスに対して適切な感度を持
たせたり、応答速度を改善することができる。また、焼
成後に、シリカゾル、アルミナゾルを塗布しその後、再
焼成することにより、感応部６の機械機強度が高くな
る。 （２）Ａｌ2 Ｏ3 をエチレングリコールを用いてペース
ト化し、ペースト状の感ガス材料をヒータ２５及び芯線
２０に塗布し、その後、エチルエキサン酸スズを２０ｗ
ｔ％含んだエタノール溶液を含浸させ、焼成する。その
後、エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノー
ル溶液を含浸させ焼成するという操作を数回繰り返すこ
とにより感応部６が形成される。ここにおいて、繰り返
し回数が多いほど感応部６の抵抗値が低くなるが感度は
変わらない。
【００１２】なお、白金などの貴金属塩の水溶液、塩化
亜鉛などの金属塩の水溶液を含浸させた後に焼成するこ
とにより、各ガスに対して適切な感度を持たせたり、応
答速度を改善することができる。また、焼成後に、シリ
カゾル、アルミナゾルを塗布しその後、再焼成すること
により、感応部６の機械的強度が高くなる。 （３）エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノ
ール溶液５ｃｃを１ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）に対し
て添加し、溶媒を蒸発させた後、焼成する。得られた粉
体をエチレングリコールを用いてペースト化し、ペース
ト状の粉体をヒータ２５及び芯線２０に塗布し、ヒータ
２５に電圧を印加して感ガス材料を焼結させる。その
後、エチルエキサン酸スズの２０ｗｔ％エタノール溶液
を含浸させ、焼成する。その後、エチルエキサン酸スズ
を２０ｗｔ％含んだエタノール溶液を含浸させ焼成する
という操作を数回繰り返すことにより感応部６が形成さ
れる。
亜鉛などの金属塩の水溶液を含浸させた後に焼成するこ
とにより、各ガスに対して適切な感度を持たせたり、応
答速度を改善することができる。また、焼成後に、シリ
カゾル、アルミナゾルを塗布しその後、再焼成すること
により、感応部６の機械的強度が高くなる。 （３）エチルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノ
ール溶液５ｃｃを１ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）に対し
て添加し、溶媒を蒸発させた後、焼成する。得られた粉
体をエチレングリコールを用いてペースト化し、ペース
ト状の粉体をヒータ２５及び芯線２０に塗布し、ヒータ
２５に電圧を印加して感ガス材料を焼結させる。その
後、エチルエキサン酸スズの２０ｗｔ％エタノール溶液
を含浸させ、焼成する。その後、エチルエキサン酸スズ
を２０ｗｔ％含んだエタノール溶液を含浸させ焼成する
という操作を数回繰り返すことにより感応部６が形成さ
れる。
【００１３】ところで、上述の（１）〜（３）において
は、担体６ａとして、アルミナを用いているが、担体６
ａはアルミナに限定されるものではなく、金属酸化物半
導体６ｂに比べて十分に大きな抵抗値を有していればよ
く、シリカ、酸化ジルコニウム、高温焼成した酸化錫な
どであってもよい。また、金属酸化物半導体６ｂも酸化
錫に限定されるものではなく、酸化インジウム、酸化タ
ングステン、酸化亜鉛などであってもよい。
は、担体６ａとして、アルミナを用いているが、担体６
ａはアルミナに限定されるものではなく、金属酸化物半
導体６ｂに比べて十分に大きな抵抗値を有していればよ
く、シリカ、酸化ジルコニウム、高温焼成した酸化錫な
どであってもよい。また、金属酸化物半導体６ｂも酸化
錫に限定されるものではなく、酸化インジウム、酸化タ
ングステン、酸化亜鉛などであってもよい。
【００１４】また、上述の半導体ガスセンサＳは感応部
６内にヒータ２５を埋設した焼結体型ガスセンサである
が、焼結体型ガスセンサに限定されるものではなく、図
３に示すような平板型厚膜ガスセンサであってもよい。
図３に示す構成では、正方形のアルミナ基板１の裏面に
図３（ｂ）に示すように電気抵抗測定用の一対の金電極
４Ａ’，４Ｂ’及びヒータ用の一対の金電極２Ａ，２Ｂ
を設け、金電極２Ａ，２Ｂ間には酸化ルテニウムからな
るヒータ２５’を形成している。また、表面にはスルー
ホールを利用して裏面の金電極４Ａ’，４Ｂ’に接続さ
れた金電極４Ａ，４Ｂを図３（ａ）に示すように設け、
金電極４Ａ，４Ｂにわたるように厚膜の感応部６を設け
てある。ここで、感応部６は、上述のペースト状の粉体
を塗布して焼成することにより形成される。図３中の５
はリードワイヤを示す。
６内にヒータ２５を埋設した焼結体型ガスセンサである
が、焼結体型ガスセンサに限定されるものではなく、図
３に示すような平板型厚膜ガスセンサであってもよい。
図３に示す構成では、正方形のアルミナ基板１の裏面に
図３（ｂ）に示すように電気抵抗測定用の一対の金電極
４Ａ’，４Ｂ’及びヒータ用の一対の金電極２Ａ，２Ｂ
を設け、金電極２Ａ，２Ｂ間には酸化ルテニウムからな
るヒータ２５’を形成している。また、表面にはスルー
ホールを利用して裏面の金電極４Ａ’，４Ｂ’に接続さ
れた金電極４Ａ，４Ｂを図３（ａ）に示すように設け、
金電極４Ａ，４Ｂにわたるように厚膜の感応部６を設け
てある。ここで、感応部６は、上述のペースト状の粉体
を塗布して焼成することにより形成される。図３中の５
はリードワイヤを示す。
【００１５】本実施形態の半導体ガスセンサでは、感応
部６が、担体６ａの表面に金属酸化物半導体６ｂを付着
して形成されているので、感応部６を厚膜または焼結体
にして機械的強度を高めた場合であってもガス検出に関
わる抵抗値変化は担体６ａの表面に付着された金属酸化
物半導体６ｂによって支配されるから、感応部６を厚膜
にすることによって機械的強度を高めるとともに薄膜ガ
スセンサと同様に感度を高めることができ、しかも、感
応部６を厚膜または焼結体にすることによって従来の厚
膜型ガスセンサやバルク型ガスセンサと同様に耐湿性、
経時安定性、被毒ガスに対する耐久性を高めることがで
きる。
部６が、担体６ａの表面に金属酸化物半導体６ｂを付着
して形成されているので、感応部６を厚膜または焼結体
にして機械的強度を高めた場合であってもガス検出に関
わる抵抗値変化は担体６ａの表面に付着された金属酸化
物半導体６ｂによって支配されるから、感応部６を厚膜
にすることによって機械的強度を高めるとともに薄膜ガ
スセンサと同様に感度を高めることができ、しかも、感
応部６を厚膜または焼結体にすることによって従来の厚
膜型ガスセンサやバルク型ガスセンサと同様に耐湿性、
経時安定性、被毒ガスに対する耐久性を高めることがで
きる。
【００１６】（実施例１）本実施例では、上述の実施形
態で説明した（１）の方法において焼成時の感ガス材料
の温度を５００℃として感応部６を形成したガスセンサ
を作製した。ここに、本実施例では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子が
担体６ａを構成しており、担体６ａの表面に酸化錫より
なる金属酸化物半導体６ｂが付着している。なお、本実
施例では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子としては、３０００メッシュ
ないし３００メッシュのものを用いている。
態で説明した（１）の方法において焼成時の感ガス材料
の温度を５００℃として感応部６を形成したガスセンサ
を作製した。ここに、本実施例では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子が
担体６ａを構成しており、担体６ａの表面に酸化錫より
なる金属酸化物半導体６ｂが付着している。なお、本実
施例では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子としては、３０００メッシュ
ないし３００メッシュのものを用いている。
【００１７】（実施例２）本実施例では、上述の実施形
態で説明した（１）の方法において焼成時の感ガス材料
の温度を５００℃としてＡｌ2 Ｏ3 粒子よりなる担体６
ａの表面にＳｎＯ 2 よりなる金属酸化物半導体６ｂを付
着した後、０．６ｍｏｌ／リットルの塩化亜鉛水溶液を
用いて亜鉛を添加して焼成することにより感応部６を形
成した焼結体型ガスセンサを作製した。なお、本実施例
では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子としては、３０００メッシュない
し３００メッシュのものを用いている。
態で説明した（１）の方法において焼成時の感ガス材料
の温度を５００℃としてＡｌ2 Ｏ3 粒子よりなる担体６
ａの表面にＳｎＯ 2 よりなる金属酸化物半導体６ｂを付
着した後、０．６ｍｏｌ／リットルの塩化亜鉛水溶液を
用いて亜鉛を添加して焼成することにより感応部６を形
成した焼結体型ガスセンサを作製した。なお、本実施例
では、Ａｌ2 Ｏ3 粒子としては、３０００メッシュない
し３００メッシュのものを用いている。
【００１８】（比較例１）ＳｎＯ2 の粉体に５０ｗｔ％
のアルミナを混合した粉体をエチレングリコールを用い
てペースト化し、ペースト状の感ガス材料をヒータ２５
及び芯線２０に塗布し、７００℃で感ガス材料を焼結す
ることにより感応部を形成した一般的な焼結体型ガスセ
ンサを作製した。なお、基本構成は、実施例１と略同じ
であり、感応部６の構成が異なるだけである。
のアルミナを混合した粉体をエチレングリコールを用い
てペースト化し、ペースト状の感ガス材料をヒータ２５
及び芯線２０に塗布し、７００℃で感ガス材料を焼結す
ることにより感応部を形成した一般的な焼結体型ガスセ
ンサを作製した。なお、基本構成は、実施例１と略同じ
であり、感応部６の構成が異なるだけである。
【００１９】（比較例２）平板状の絶縁性基板上にエチ
ルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノール溶液を
塗布し５００℃で焼成するという操作を４回繰り返して
感応部を形成した平板型の薄膜ガスセンサを作製した。
ここで、上述の実施例１、実施例２、比較例１、比較例
２の特性測定を行った結果について説明する。
ルエキサン酸スズを２０ｗｔ％含んだエタノール溶液を
塗布し５００℃で焼成するという操作を４回繰り返して
感応部を形成した平板型の薄膜ガスセンサを作製した。
ここで、上述の実施例１、実施例２、比較例１、比較例
２の特性測定を行った結果について説明する。
【００２０】図４ないし図７は半導体ガスセンサの空気
中での感応部６の抵抗値Ｒsairに対するガス中での感応
部６の抵抗値Ｒs の割合（Ｒs ／Ｒsair）を示し、図４
は実施例１を、図５は実施例２を、図６は比較例１を、
図７は比較例２を、それぞれ示す。また、図４ないし図
７中の横軸はガス濃度、縦軸はＲs ／Ｒsairであって、
各図中のイ（○）はＨ2 Ｓガスに対する測定結果を、ロ
（△）はＣＨ3 ＳＨガスに対する測定結果を、ハ（▼）
はＣ2 Ｈ5 ＯＨガスに対する測定結果を、それぞれ示
す。ここにおいて、Ｒs ／Ｒsairは、同じガス濃度にお
いて値が小さいほど感度が高いことを示す。図４、図
５、図６、図７を比較することにより、実施例１、実施
例２の半導体ガスセンサは、比較例１、比較例２の半導
体ガスセンサに比べてＨ2 Ｓガス、ＣＨ3 ＳＨガス、Ｃ
2 Ｈ5 ＯＨガスのいずれのガスについても感度が高いこ
とがわかった。
中での感応部６の抵抗値Ｒsairに対するガス中での感応
部６の抵抗値Ｒs の割合（Ｒs ／Ｒsair）を示し、図４
は実施例１を、図５は実施例２を、図６は比較例１を、
図７は比較例２を、それぞれ示す。また、図４ないし図
７中の横軸はガス濃度、縦軸はＲs ／Ｒsairであって、
各図中のイ（○）はＨ2 Ｓガスに対する測定結果を、ロ
（△）はＣＨ3 ＳＨガスに対する測定結果を、ハ（▼）
はＣ2 Ｈ5 ＯＨガスに対する測定結果を、それぞれ示
す。ここにおいて、Ｒs ／Ｒsairは、同じガス濃度にお
いて値が小さいほど感度が高いことを示す。図４、図
５、図６、図７を比較することにより、実施例１、実施
例２の半導体ガスセンサは、比較例１、比較例２の半導
体ガスセンサに比べてＨ2 Ｓガス、ＣＨ3 ＳＨガス、Ｃ
2 Ｈ5 ＯＨガスのいずれのガスについても感度が高いこ
とがわかった。
【００２１】図８及び図９は半導体ガスセンサの応答特
性図を示し、図８は実施例１を、図９は比較例１を、そ
れぞれ示す。また、図８及び図９の横軸は時間、縦軸は
ガス中での感応部６の抵抗値Ｒs であって、図８及び図
９の（ａ）はＨ2 Ｓガスに対する応答特性を、（ｂ）は
ＣＨ3 ＳＨガスに対する応答特性を、（ｃ）はＣ2 Ｈ 5
ＯＨガスに対する応答特性を、それぞれ示す。なお、応
答特性の測定温度は３２０℃一定とした。
性図を示し、図８は実施例１を、図９は比較例１を、そ
れぞれ示す。また、図８及び図９の横軸は時間、縦軸は
ガス中での感応部６の抵抗値Ｒs であって、図８及び図
９の（ａ）はＨ2 Ｓガスに対する応答特性を、（ｂ）は
ＣＨ3 ＳＨガスに対する応答特性を、（ｃ）はＣ2 Ｈ 5
ＯＨガスに対する応答特性を、それぞれ示す。なお、応
答特性の測定温度は３２０℃一定とした。
【００２２】ここにおいて、図８及び図９それぞれの
（ａ）の抵抗値Ｒs の１回目の急激な変化（低下）は、
雰囲気を空気中からＨ2 Ｓガス濃度を０．３ｐｐｍとし
たことによるものであり、２回目の急激な変化（低下）
は、Ｈ2 Ｓガス濃度を０．３ｐｐｍから１ｐｐｍに変化
させたことによるものである。また、図８及び図９それ
ぞれの（ｂ）の抵抗値Ｒs の１回目の急激な変化は、雰
囲気を空気中からＣＨ3 ＳＨガス濃度を０．３ｐｐｍと
したことによるものであり、２回目の急激な変化は、Ｃ
Ｈ3 ＳＨガス濃度を０．３ｐｐｍから１ｐｐｍに変化さ
せたことによるものである。
（ａ）の抵抗値Ｒs の１回目の急激な変化（低下）は、
雰囲気を空気中からＨ2 Ｓガス濃度を０．３ｐｐｍとし
たことによるものであり、２回目の急激な変化（低下）
は、Ｈ2 Ｓガス濃度を０．３ｐｐｍから１ｐｐｍに変化
させたことによるものである。また、図８及び図９それ
ぞれの（ｂ）の抵抗値Ｒs の１回目の急激な変化は、雰
囲気を空気中からＣＨ3 ＳＨガス濃度を０．３ｐｐｍと
したことによるものであり、２回目の急激な変化は、Ｃ
Ｈ3 ＳＨガス濃度を０．３ｐｐｍから１ｐｐｍに変化さ
せたことによるものである。
【００２３】また、図８及び図９それぞれの（ｃ）の抵
抗値Ｒs の１回目の急激な変化は、雰囲気を空気中から
Ｃ2 Ｈ5 ＯＨガス濃度を３ｐｐｍとしたことによるもの
であり、２回目の急激な変化は、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨガス濃度
を３ｐｐｍから１０ｐｐｍに変化させたことによるもの
である。図８及び図９を比較することにより、実施例１
の半導体ガスセンサは比較例１の半導体ガスセンサに比
べて抵抗値Ｒs の変化が急峻で応答性が速いことがわか
った。
抗値Ｒs の１回目の急激な変化は、雰囲気を空気中から
Ｃ2 Ｈ5 ＯＨガス濃度を３ｐｐｍとしたことによるもの
であり、２回目の急激な変化は、Ｃ2 Ｈ5 ＯＨガス濃度
を３ｐｐｍから１０ｐｐｍに変化させたことによるもの
である。図８及び図９を比較することにより、実施例１
の半導体ガスセンサは比較例１の半導体ガスセンサに比
べて抵抗値Ｒs の変化が急峻で応答性が速いことがわか
った。
【００２４】図１０は上述の実施例１、実施例２、比較
例１、比較例２それぞれの耐湿性を調べた結果を示すも
のであり、試験前後の抵抗値Ｒsair及びＲs ／Ｒsairを
比較したものである。なお、抵抗値Ｒs は、Ｈ2 Ｓガス
の濃度を１ｐｐｍとして測定した。ここにおいて、試験
の条件としては、雰囲気の温度を４０℃一定とし、雰囲
気の相対湿度を９０％一定として３日間放置することと
した。図１０の測定結果から、実施例１、実施例２は、
比較例２に比べて試験前後における抵抗値Ｒsair及びＲ
s ／Ｒsairそれぞれの変化率が小さく耐湿性及び耐被毒
ガス性に優れていることが確認された。
例１、比較例２それぞれの耐湿性を調べた結果を示すも
のであり、試験前後の抵抗値Ｒsair及びＲs ／Ｒsairを
比較したものである。なお、抵抗値Ｒs は、Ｈ2 Ｓガス
の濃度を１ｐｐｍとして測定した。ここにおいて、試験
の条件としては、雰囲気の温度を４０℃一定とし、雰囲
気の相対湿度を９０％一定として３日間放置することと
した。図１０の測定結果から、実施例１、実施例２は、
比較例２に比べて試験前後における抵抗値Ｒsair及びＲ
s ／Ｒsairそれぞれの変化率が小さく耐湿性及び耐被毒
ガス性に優れていることが確認された。
【００２５】図１１は実施例１、実施例２、比較例１、
比較例２それぞれについて、空気中での抵抗値Ｒsair及
び１ｐｐｍのＨ2 Ｓガス雰囲気中での抵抗値Ｒs の経時
変化を示すグラフであり、横軸は経過日数、縦軸は抵抗
値を示す。また、図１１中ののイ（●）は実施例１の抵
抗値Ｒsairを、ロ（▲）は実施例２の抵抗値Ｒsairを、
ハ（○）は比較例１の抵抗値Ｒsairを、ニ（△）は比較
例２の抵抗値Ｒsairを、それぞれ示し、さらに、図１１
中のホ（●）は実施例１の抵抗値Ｒs を、ヘ（▲）は実
施例２の抵抗値Ｒs を、ト（○）は比較例１の抵抗値Ｒ
s を、チ（△）は比較例２の抵抗値Ｒs を、それぞれ示
す。
比較例２それぞれについて、空気中での抵抗値Ｒsair及
び１ｐｐｍのＨ2 Ｓガス雰囲気中での抵抗値Ｒs の経時
変化を示すグラフであり、横軸は経過日数、縦軸は抵抗
値を示す。また、図１１中ののイ（●）は実施例１の抵
抗値Ｒsairを、ロ（▲）は実施例２の抵抗値Ｒsairを、
ハ（○）は比較例１の抵抗値Ｒsairを、ニ（△）は比較
例２の抵抗値Ｒsairを、それぞれ示し、さらに、図１１
中のホ（●）は実施例１の抵抗値Ｒs を、ヘ（▲）は実
施例２の抵抗値Ｒs を、ト（○）は比較例１の抵抗値Ｒ
s を、チ（△）は比較例２の抵抗値Ｒs を、それぞれ示
す。
【００２６】図１１において、空気中での抵抗値Ｒsair
の経時変化について比較すると、実施例１（イ）、実施
例２（ロ）は、従来の焼結体型ガスセンサである比較例
１（ハ）と同様に経時安定性が良く、平板型薄膜ガスセ
ンサである比較例２（ニ）に比べて経時安定性が高いこ
とが確認された。また、図１１において、１ｐｐｍのＨ
2 Ｓガス雰囲気中での抵抗値Ｒs の経時変化について比
較すると、実施例１（ホ）、実施例２（ヘ）は、従来の
焼結体型ガスセンサである比較例１（ト）と同様に経時
安定性が良く、平板型薄膜ガスセンサである比較例２
（チ）に比べて経時安定性が高いことが確認された。
の経時変化について比較すると、実施例１（イ）、実施
例２（ロ）は、従来の焼結体型ガスセンサである比較例
１（ハ）と同様に経時安定性が良く、平板型薄膜ガスセ
ンサである比較例２（ニ）に比べて経時安定性が高いこ
とが確認された。また、図１１において、１ｐｐｍのＨ
2 Ｓガス雰囲気中での抵抗値Ｒs の経時変化について比
較すると、実施例１（ホ）、実施例２（ヘ）は、従来の
焼結体型ガスセンサである比較例１（ト）と同様に経時
安定性が良く、平板型薄膜ガスセンサである比較例２
（チ）に比べて経時安定性が高いことが確認された。
【００２７】
【発明の効果】請求項１の発明は、金属酸化物半導体よ
りなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半
導体ガスセンサであって、感応部は、酸化物粒子よりな
る担体の表面に前記金属酸化物半導体を付着して形成さ
れているので、酸化物粒子よりなる担体の表面に前記金
属酸化物半導体を付着して感応部を形成してあることに
より、感応部を厚膜にして機械的強度を高めた場合であ
ってもガス検出に関わる抵抗値変化は担体の表面に付着
された前記金属酸化物半導体によって支配されるから、
感応部を厚膜または焼結体にすることによって機械的強
度を高めるとともに薄膜ガスセンサと同様に感度を高め
ることができ、しかも、感応部を厚膜または焼結体にす
ることによって従来の厚膜型ガスセンサやバルク型ガス
センサと同様に耐湿性、経時安定性、被毒ガスに対する
耐久性を高めることができるという効果がある。
りなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半
導体ガスセンサであって、感応部は、酸化物粒子よりな
る担体の表面に前記金属酸化物半導体を付着して形成さ
れているので、酸化物粒子よりなる担体の表面に前記金
属酸化物半導体を付着して感応部を形成してあることに
より、感応部を厚膜にして機械的強度を高めた場合であ
ってもガス検出に関わる抵抗値変化は担体の表面に付着
された前記金属酸化物半導体によって支配されるから、
感応部を厚膜または焼結体にすることによって機械的強
度を高めるとともに薄膜ガスセンサと同様に感度を高め
ることができ、しかも、感応部を厚膜または焼結体にす
ることによって従来の厚膜型ガスセンサやバルク型ガス
センサと同様に耐湿性、経時安定性、被毒ガスに対する
耐久性を高めることができるという効果がある。
【図１】実施形態を示し、（ａ）は要部概略構成図、
（ｂ）は（ａ）の要部Ｂの拡大図である。
（ｂ）は（ａ）の要部Ｂの拡大図である。
【図２】同上の概略構成図である。
【図３】同上の他の構成を示し、（ａ）は表面側から見
た斜視図、（ｂ）は裏面側から見た斜視図である。
た斜視図、（ｂ）は裏面側から見た斜視図である。
【図４】実施例１の抵抗値変化のガス濃度依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】実施例２の抵抗値変化のガス濃度依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】比較例１の抵抗値変化のガス濃度依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】比較例２の抵抗値変化のガス濃度依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図８】実施例１の応答特性図である。
【図９】比較例１の応答特性図である。
【図１０】上記各例の耐湿性の評価結果の比較図であ
る。
る。
【図１１】上記各例の抵抗値の経時変化の測定結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１２】従来の薄膜ガスセンサの概略断面図である。
６ 感応部 ６ａ 担体 ６ｂ 金属酸化物半導体 ２０ 芯線 ２０1 ，２０2 ，２０3 リード線 ２５ ヒータ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属酸化物半導体よりなる感応部に電気
抵抗測定用の一対の電極を設けた半導体ガスセンサであ
って、感応部は、酸化物粒子よりなる担体の表面に前記
金属酸化物半導体を付着して形成されて成ることを特徴
とする半導体ガスセンサ。 - 【請求項２】 前記金属酸化物半導体は前記担体に担持
されて成ることを特徴とする請求項１記載の半導体ガス
センサ。 - 【請求項３】 前記金属酸化物半導体は前記担体の表面
を覆うように形成されて成ることを特徴とする請求項１
記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項４】 前記酸化物粒子は、前記金属酸化物半導
体の電気抵抗よりも十分に大きな電気抵抗を有する粒子
であることを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の
半導体ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821998A JPH11258192A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5821998A JPH11258192A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258192A true JPH11258192A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13077969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5821998A Pending JPH11258192A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 半導体ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11258192A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064908A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Ritsumeikan | 半導体式薄膜ガスセンサ |
| JPWO2006011202A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2008-07-31 | エフアイエス株式会社 | 半導体ガスセンサ |
| JP2009300107A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Kobe Univ | 基板型ガス検知素子およびガス感応層の構成粒子の製造方法 |
| JP2012522242A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | インダストリアル コーペレーション ファウンデーション チョンブク ナショナル ユニバーシティー | コア−シェル構造の複合ナノ粒子をセンサ材料として用いた薄膜型高活性ガスセンサーおよびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP5821998A patent/JPH11258192A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006011202A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2008-07-31 | エフアイエス株式会社 | 半導体ガスセンサ |
| JP2007064908A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Ritsumeikan | 半導体式薄膜ガスセンサ |
| JP2009300107A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Kobe Univ | 基板型ガス検知素子およびガス感応層の構成粒子の製造方法 |
| JP2012522242A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | インダストリアル コーペレーション ファウンデーション チョンブク ナショナル ユニバーシティー | コア−シェル構造の複合ナノ粒子をセンサ材料として用いた薄膜型高活性ガスセンサーおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0102067B1 (en) | Co gas detecting device and circuit for driving the same | |
| JP3956435B2 (ja) | 酸素センサ素子 | |
| JP6224311B2 (ja) | 半導体ガスセンサ素子 | |
| US20060065526A1 (en) | Gas sensor | |
| JP3795944B2 (ja) | 半導体式ガスセンサの製造方法 | |
| CN111656172A (zh) | 氧化铝掺杂的金属氧化物气体传感器 | |
| JPH11258192A (ja) | 半導体ガスセンサ | |
| JP2947381B2 (ja) | 二酸化炭素センサ | |
| JP4041228B2 (ja) | フロンガスセンサおよびその製造方法 | |
| JP3197457B2 (ja) | アンモニアガスセンサ及びその製造方法 | |
| US4509034A (en) | Gas sensor | |
| EP0115953A2 (en) | Gas sensor | |
| JP2005127743A (ja) | アンモニアガスセンサ | |
| JPS6036017B2 (ja) | 還元性ガス検知素子の製造方法 | |
| JPH0658900A (ja) | 湿度センサ | |
| JPH07198651A (ja) | 薄膜ガスセンサー及びその製造方法 | |
| JP3026523B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP3046387B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2001074681A (ja) | 半導体ガスセンサ | |
| JP2726886B2 (ja) | 接触燃焼式一酸化炭素センサ | |
| JPH07209163A (ja) | ガス検出用センサ | |
| JPH0611474A (ja) | 湿度センサ | |
| JPH06118045A (ja) | 湿度センサ | |
| JPH07140103A (ja) | 湿度センサ | |
| JP3074901B2 (ja) | 湿度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060901 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |