JPH11258630A - カラー液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
カラー液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11258630A JPH11258630A JP6268698A JP6268698A JPH11258630A JP H11258630 A JPH11258630 A JP H11258630A JP 6268698 A JP6268698 A JP 6268698A JP 6268698 A JP6268698 A JP 6268698A JP H11258630 A JPH11258630 A JP H11258630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- color filter
- liquid crystal
- crystal display
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタへの損傷を招くことなく、Ｔ
ＦＴの信号電極と画素電極とが良好に接続されたカラー
液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程と、前記薄膜トランジスタを含む前記基板上に前
記薄膜トランジスタの信号電極に対応する箇所にコンタ
クトホールが開口されたカラーフィルタを一体的に形成
する工程と、前記カラーフィルタを含む全面に透明導電
膜を成膜し、パターニングすることにより前記薄膜トラ
ンジスタの信号電極と前記コンタクトホールを通して接
続された画素電極を形成する工程とを具備したカラー液
晶表示装置の製造方法において、前記カラーフィルタの
形成後、前記透明導電膜の成膜前に前記カラーフィルタ
に最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長を有する紫外
線を照射することを特徴とする。
ＦＴの信号電極と画素電極とが良好に接続されたカラー
液晶表示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程と、前記薄膜トランジスタを含む前記基板上に前
記薄膜トランジスタの信号電極に対応する箇所にコンタ
クトホールが開口されたカラーフィルタを一体的に形成
する工程と、前記カラーフィルタを含む全面に透明導電
膜を成膜し、パターニングすることにより前記薄膜トラ
ンジスタの信号電極と前記コンタクトホールを通して接
続された画素電極を形成する工程とを具備したカラー液
晶表示装置の製造方法において、前記カラーフィルタの
形成後、前記透明導電膜の成膜前に前記カラーフィルタ
に最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長を有する紫外
線を照射することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー液晶表示装
置の製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
上にカラーフィルタを形成した構造のカラー液晶表示装
置の製造方法の改良に係わる。
置の製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
上にカラーフィルタを形成した構造のカラー液晶表示装
置の製造方法の改良に係わる。
【０００２】
【従来の技術】カラー液晶表示装置においては、ガラス
基板のような透明基板上にマトリックス状に配列された
スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
および透明導電材からなる画素電極を選択駆動すること
により、画面上に表示パターンが形成される。例えば、
アクティブマトリックス型のカラー液晶表示装置では透
明基板にＴＦＴ、画素電極およびこれらに信号を与える
配線が形成されたアレイ基材と透明板に赤、青、緑のカ
ラーフィルタを形成した対向基材とを所定のギャップを
あけて配置し、これらのギャップに液晶を封入した構造
を有する。
基板のような透明基板上にマトリックス状に配列された
スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
および透明導電材からなる画素電極を選択駆動すること
により、画面上に表示パターンが形成される。例えば、
アクティブマトリックス型のカラー液晶表示装置では透
明基板にＴＦＴ、画素電極およびこれらに信号を与える
配線が形成されたアレイ基材と透明板に赤、青、緑のカ
ラーフィルタを形成した対向基材とを所定のギャップを
あけて配置し、これらのギャップに液晶を封入した構造
を有する。
【０００３】これに対し、透明基板にＴＦＴとカラーフ
ィルタとを一体的に形成したアレイ基材に透明基板から
なる対向基材を所定のギャップをあけて配置し、これら
のギャップに液晶を封入した構造を有するカラー液晶表
示装置は、開口率が大きく、かつ省電力化を図ることが
できるという特徴を有する。
ィルタとを一体的に形成したアレイ基材に透明基板から
なる対向基材を所定のギャップをあけて配置し、これら
のギャップに液晶を封入した構造を有するカラー液晶表
示装置は、開口率が大きく、かつ省電力化を図ることが
できるという特徴を有する。
【０００４】ところで、前記構造のカラー液晶表示装置
は、次のような方法により製造される。まず、ガラス板
のような透明基板上にＴＦＴをマトリックス状に形成す
る。つづいて、これらのＴＦＴを含む前記透明基板上に
顔料分散レジストを用いて赤、青、緑のカラーフィルタ
をそれぞれ形成する。この時、後述する画素電極と前記
ＴＦＴの信号電極とを接続するためのコンタクトホール
を前記カラーフィルタに開口する。ひきつづき、全面に
ＩＴＯのような透明導電膜を堆積し、パターニングする
ことにより前記カラーフィルタ上に前記コンタクトホー
ルを通して前記ＴＦＴの信号電極と接続された画素電極
を形成する。次いで、前記画素電極を含む面に配向処理
がなされた膜を形成してアレイ基材を作製する。この
後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされた膜を有
するガラス基板からなる対向基材とをスペーサを介在し
て所定のギャップをあけて配置し、これらギャップに液
晶を封入することによりカラー液晶表示装置を製造す
る。
は、次のような方法により製造される。まず、ガラス板
のような透明基板上にＴＦＴをマトリックス状に形成す
る。つづいて、これらのＴＦＴを含む前記透明基板上に
顔料分散レジストを用いて赤、青、緑のカラーフィルタ
をそれぞれ形成する。この時、後述する画素電極と前記
ＴＦＴの信号電極とを接続するためのコンタクトホール
を前記カラーフィルタに開口する。ひきつづき、全面に
ＩＴＯのような透明導電膜を堆積し、パターニングする
ことにより前記カラーフィルタ上に前記コンタクトホー
ルを通して前記ＴＦＴの信号電極と接続された画素電極
を形成する。次いで、前記画素電極を含む面に配向処理
がなされた膜を形成してアレイ基材を作製する。この
後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされた膜を有
するガラス基板からなる対向基材とをスペーサを介在し
て所定のギャップをあけて配置し、これらギャップに液
晶を封入することによりカラー液晶表示装置を製造す
る。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、前述し
た方法により製造されたカラー液晶表示装置はカラーフ
ィルタのコンタクトホールにおいてＴＦＴの信号電極と
画素電極との接触抵抗が大きくなるため、表示時に多数
の輝点が現れるという表示不良を生じる。
た方法により製造されたカラー液晶表示装置はカラーフ
ィルタのコンタクトホールにおいてＴＦＴの信号電極と
画素電極との接触抵抗が大きくなるため、表示時に多数
の輝点が現れるという表示不良を生じる。
【０００６】本発明は、カラーフィルタへの損傷を招く
ことなくＴＦＴの信号電極と画素電極とが良好に接続さ
れたカラー液晶表示装置の製造方法を提供しようとする
ものである。
ことなくＴＦＴの信号電極と画素電極とが良好に接続さ
れたカラー液晶表示装置の製造方法を提供しようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるカラー液
晶表示装置の製造方法は、透明基板上に薄膜トランジス
タを形成する工程と、前記薄膜トランジスタを含む前記
基板上に前記薄膜トランジスタの信号電極に対応する箇
所にコンタクトホールが開口されたカラーフィルタを一
体的に形成する工程と、前記カラーフィルタを含む全面
に透明導電膜を成膜し、パターニングすることにより前
記薄膜トランジスタの信号電極と前記コンタクトホール
を通して接続された画素電極を形成する工程とを具備し
たカラー液晶表示装置の製造方法において、前記カラー
フィルタの形成後、前記透明導電膜の成膜前に前記カラ
ーフィルタに最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長を
有する紫外線を照射することを特徴とするものである。
晶表示装置の製造方法は、透明基板上に薄膜トランジス
タを形成する工程と、前記薄膜トランジスタを含む前記
基板上に前記薄膜トランジスタの信号電極に対応する箇
所にコンタクトホールが開口されたカラーフィルタを一
体的に形成する工程と、前記カラーフィルタを含む全面
に透明導電膜を成膜し、パターニングすることにより前
記薄膜トランジスタの信号電極と前記コンタクトホール
を通して接続された画素電極を形成する工程とを具備し
たカラー液晶表示装置の製造方法において、前記カラー
フィルタの形成後、前記透明導電膜の成膜前に前記カラ
ーフィルタに最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長を
有する紫外線を照射することを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるカラー液晶
表示装置の製造方法を詳細に説明する。 （第１工程）まず、ガラス基板のような透明基板上にゲ
ート電極を形成した後、少なくともこのゲート電極上に
ゲート絶縁膜を形成する。つづいて、前記ゲート電極に
対応する前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン、
多結晶シリコンからなる半導体層を形成する。ひきつづ
き、全面に金属膜を形成し、パターニングすることによ
りソース、ドレイン電極を形成して複数の薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）を作製する。
表示装置の製造方法を詳細に説明する。 （第１工程）まず、ガラス基板のような透明基板上にゲ
ート電極を形成した後、少なくともこのゲート電極上に
ゲート絶縁膜を形成する。つづいて、前記ゲート電極に
対応する前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン、
多結晶シリコンからなる半導体層を形成する。ひきつづ
き、全面に金属膜を形成し、パターニングすることによ
りソース、ドレイン電極を形成して複数の薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）を作製する。
【０００９】前記ゲート電極材料としては、例えばＭ
ｏ，Ｔａ，ＭｏＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＭｏＷ
のような金属を挙げることができる。これらの電極材料
は、スパッタ法や真空蒸着法により成膜され、この金属
膜を写真蝕刻法により形成したレジストパターンをマス
クとして選択的にエッチングすることによりゲート電極
が形成される。
ｏ，Ｔａ，ＭｏＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＭｏＷ
のような金属を挙げることができる。これらの電極材料
は、スパッタ法や真空蒸着法により成膜され、この金属
膜を写真蝕刻法により形成したレジストパターンをマス
クとして選択的にエッチングすることによりゲート電極
が形成される。
【００１０】なお、前記ソース、ドレイン電極の形成に
先立って、前記半導体層にｎ型またはｐ型の不純物を含
むソース、ドレインの半導体領域を形成してもよい。 ( 第２工程)次いで、前記ＴＦＴを含む前記基板上に顔
料レジストを用いて赤、青、緑のカラーフィルタを形成
する。この時、前記カラーフィルタの前記ＴＦＴの信号
電極に対応する箇所にコンタクトホールを開口する。つ
づいて、全面に最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長
を有する紫外線を照射することにより、前記コンタクト
ホールから露出された前記信号電極部分に付着されたレ
ジスト残渣が除去される。
先立って、前記半導体層にｎ型またはｐ型の不純物を含
むソース、ドレインの半導体領域を形成してもよい。 ( 第２工程)次いで、前記ＴＦＴを含む前記基板上に顔
料レジストを用いて赤、青、緑のカラーフィルタを形成
する。この時、前記カラーフィルタの前記ＴＦＴの信号
電極に対応する箇所にコンタクトホールを開口する。つ
づいて、全面に最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波長
を有する紫外線を照射することにより、前記コンタクト
ホールから露出された前記信号電極部分に付着されたレ
ジスト残渣が除去される。
【００１１】前記最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎｍの波
長を有する紫外線としては、例えばエキシマランプを光
源として放出されたものが挙げられる。 （第３工程）次いで、前記カラーフィルタを含む全面に
透明導電膜を成膜し、パターニングすることにより前記
ＴＦＴの信号電極と前記コンタクトホールを通して接続
された画素電極を形成する。つづいて、前記画素電極上
に配向処理された被膜を形成してアレイ基材を作製す
る。この後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされ
た膜を有するガラス基板からなる対向基材とをスペーサ
を介在して所定のギャップをあけて配置し、これらギャ
ップに液晶を封入することにによりカラー液晶表示装置
を製造する。
長を有する紫外線としては、例えばエキシマランプを光
源として放出されたものが挙げられる。 （第３工程）次いで、前記カラーフィルタを含む全面に
透明導電膜を成膜し、パターニングすることにより前記
ＴＦＴの信号電極と前記コンタクトホールを通して接続
された画素電極を形成する。つづいて、前記画素電極上
に配向処理された被膜を形成してアレイ基材を作製す
る。この後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされ
た膜を有するガラス基板からなる対向基材とをスペーサ
を介在して所定のギャップをあけて配置し、これらギャ
ップに液晶を封入することにによりカラー液晶表示装置
を製造する。
【００１２】以上説明した本発明によれば、コンタクト
ホールが開口されたカラーフィルタの形成後、前記透明
導電膜の成膜前にカラーフィルタに最大ピークが１７２
ｎｍ±２ｎｍの波長を有する紫外線を照射することによ
って、前記カラーフィルタ表面を損傷することなく、前
記コンタクトホールから露出されたＴＦＴの信号電極部
分に付着されたレジスト残渣を除去することができる。
その結果、その後前記カラーフィルタを含む全面に透明
導電膜を成膜し、パターニングすることにより前記ＴＦ
Ｔの前記信号電極と前記コンタクトホールを通して良好
に接続された画素電極を形成することができる。したが
って、多数の輝点が現れたり、画面のざらつきなどの不
良を解消した高い表示性能を有するカラー液晶表示装置
を製造することができる。
ホールが開口されたカラーフィルタの形成後、前記透明
導電膜の成膜前にカラーフィルタに最大ピークが１７２
ｎｍ±２ｎｍの波長を有する紫外線を照射することによ
って、前記カラーフィルタ表面を損傷することなく、前
記コンタクトホールから露出されたＴＦＴの信号電極部
分に付着されたレジスト残渣を除去することができる。
その結果、その後前記カラーフィルタを含む全面に透明
導電膜を成膜し、パターニングすることにより前記ＴＦ
Ｔの前記信号電極と前記コンタクトホールを通して良好
に接続された画素電極を形成することができる。したが
って、多数の輝点が現れたり、画面のざらつきなどの不
良を解消した高い表示性能を有するカラー液晶表示装置
を製造することができる。
【００１３】なお、前記コンタクトホールから露出され
たＴＦＴの信号電極部分に付着されたレジスト残渣を除
去する方法としては、オゾンガス雰囲気に曝した状態で
ＵＶ照射を施す方法または酸素プラズマ処理を施す方法
が考えられる。しかしながら、これららの方法ではカラ
ーフィルタの表面荒れが生じるため、このカラーフィル
上に成膜された透明導電膜が虫食い状態になる。その結
果、前記透明導電膜をパタニーングすることにより形成
された画素電極を有するカラー液晶表示装置は表示時に
おいて画面のざらつきや線欠陥を生じる。
たＴＦＴの信号電極部分に付着されたレジスト残渣を除
去する方法としては、オゾンガス雰囲気に曝した状態で
ＵＶ照射を施す方法または酸素プラズマ処理を施す方法
が考えられる。しかしながら、これららの方法ではカラ
ーフィルタの表面荒れが生じるため、このカラーフィル
上に成膜された透明導電膜が虫食い状態になる。その結
果、前記透明導電膜をパタニーングすることにより形成
された画素電極を有するカラー液晶表示装置は表示時に
おいて画面のざらつきや線欠陥を生じる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して詳細に説明する。 （実施例１）まず、図１の（ａ）に示すようにガラス基
板１上にスパッタ法によりＭｏＴａ膜を堆積し、パター
ニングすることにより複数のゲート電極２を前記ガラス
基板１上に形成した後、 前記ゲート電極２を含む全面
にＳｉＯx からなるゲート絶縁膜３をＣＶＤ法により形
成した。つづいて、ＣＶＤ法によりアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を形成した後、バターニングすること
により前記各ゲート電極２を覆う半導体層４を形成し
た。ひきつづき、前記半導体層４を含む全面に上にＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯx 膜を堆積し、パターニングすること
により前記ゲート電極２に対応する前記半導体層４上に
エッチングストッパ部５を形成した。さらに、全面にＣ
ＶＤ法によりｎ型不純物を含むアモルファスシリコン
（ｎ+ 型ａ−Ｓｉ）膜を形成し、パターニングすること
によりｎ+ 型ａ−Ｓｉからなるソース、ドレイン領域
６，７を形成した。その後、全面にＣＶＤ法によりＡｌ
膜を堆積し、パターニングすることにより前記ソース、
ドレイン領域６，７とそれぞれ接続されたソース、ドレ
イン電極（信号電極）８，９を形成して複数のＴＦＴ１
０を作製した。
して詳細に説明する。 （実施例１）まず、図１の（ａ）に示すようにガラス基
板１上にスパッタ法によりＭｏＴａ膜を堆積し、パター
ニングすることにより複数のゲート電極２を前記ガラス
基板１上に形成した後、 前記ゲート電極２を含む全面
にＳｉＯx からなるゲート絶縁膜３をＣＶＤ法により形
成した。つづいて、ＣＶＤ法によりアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を形成した後、バターニングすること
により前記各ゲート電極２を覆う半導体層４を形成し
た。ひきつづき、前記半導体層４を含む全面に上にＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯx 膜を堆積し、パターニングすること
により前記ゲート電極２に対応する前記半導体層４上に
エッチングストッパ部５を形成した。さらに、全面にＣ
ＶＤ法によりｎ型不純物を含むアモルファスシリコン
（ｎ+ 型ａ−Ｓｉ）膜を形成し、パターニングすること
によりｎ+ 型ａ−Ｓｉからなるソース、ドレイン領域
６，７を形成した。その後、全面にＣＶＤ法によりＡｌ
膜を堆積し、パターニングすることにより前記ソース、
ドレイン領域６，７とそれぞれ接続されたソース、ドレ
イン電極（信号電極）８，９を形成して複数のＴＦＴ１
０を作製した。
【００１５】次いで、図１の（ｂ）に示すように複数の
ＴＦＴ１０を含む基板１上に赤色顔料分散レジスト（富
士ハント社製商品名；カラーモザイクＲＥＤ）を６００
ｒｐｍ, １５秒のスピン塗布を行い、ホットプレート上
で９０℃、３分間プリベークを行って赤色顔料分散レジ
スト膜１１を形成した。つづいて、カラーフィルタおよ
びコンタクトホール形成用の開口を有するフォトマスク
１２を用い、ｉ線のアライナー露光装置（キャノン社製
商品名；ＰＬＡ５０１）で照射エネルギー２５０ｍＪ／
ｃｍ2 で露光を行った。ひきつづき、図1 の（ｃ）に示
すように露光後のレジスト膜に現像液（富士ハント社製
商品名；ＣＤ２０００）を８０秒間スプレーし、流水で
６０秒間洗浄し、さらにスピン乾燥した。この後、大気
中、オーブンで２３０℃、１時間ポストベークを行うこ
とによりＴＦＴ１０のドレイン電極９に対応する箇所に
コンタクトホール１３が開口された赤色フィルタ１４を
形成した。
ＴＦＴ１０を含む基板１上に赤色顔料分散レジスト（富
士ハント社製商品名；カラーモザイクＲＥＤ）を６００
ｒｐｍ, １５秒のスピン塗布を行い、ホットプレート上
で９０℃、３分間プリベークを行って赤色顔料分散レジ
スト膜１１を形成した。つづいて、カラーフィルタおよ
びコンタクトホール形成用の開口を有するフォトマスク
１２を用い、ｉ線のアライナー露光装置（キャノン社製
商品名；ＰＬＡ５０１）で照射エネルギー２５０ｍＪ／
ｃｍ2 で露光を行った。ひきつづき、図1 の（ｃ）に示
すように露光後のレジスト膜に現像液（富士ハント社製
商品名；ＣＤ２０００）を８０秒間スプレーし、流水で
６０秒間洗浄し、さらにスピン乾燥した。この後、大気
中、オーブンで２３０℃、１時間ポストベークを行うこ
とによりＴＦＴ１０のドレイン電極９に対応する箇所に
コンタクトホール１３が開口された赤色フィルタ１４を
形成した。
【００１６】次いで、図１の（ｄ）に示すように青色顔
料分散レジスト（富士ハント社製商品名；カラーモザイ
クＢＬＵＥ）および緑色顔料分散レジスト（富士ハント
社製商品名；カラーモザイクＧＲＥＥＮ）を用いて前記
赤色フィルタと同様な操作により前記赤色フィルタ１４
に隣接してコンタクトホール１５を有する青色フィルタ
１６およびコンタクトホール（図示せず）を有する緑色
フィルタ１７を形成した。この時、同図（ｄ）に示すよ
うに前記コンタクトホール１３，１５から露出された前
記ＴＦＴ１０のドレイン電極（信号電極）９部分にレジ
スト残渣１８が付着されていた。
料分散レジスト（富士ハント社製商品名；カラーモザイ
クＢＬＵＥ）および緑色顔料分散レジスト（富士ハント
社製商品名；カラーモザイクＧＲＥＥＮ）を用いて前記
赤色フィルタと同様な操作により前記赤色フィルタ１４
に隣接してコンタクトホール１５を有する青色フィルタ
１６およびコンタクトホール（図示せず）を有する緑色
フィルタ１７を形成した。この時、同図（ｄ）に示すよ
うに前記コンタクトホール１３，１５から露出された前
記ＴＦＴ１０のドレイン電極（信号電極）９部分にレジ
スト残渣１８が付着されていた。
【００１７】次いで、前記基板１を１００℃に加熱しな
がら、大気中で前記カラーフィルタ１４，１６，１７に
誘電体バリア放電エキシマランプ（東芝ライテック社製
商品名；ゼノンクロライド）を光源として最大ピークが
１７２ｎｍの波長を有する紫外線を２分間照射すること
により、図２の（ｅ）に示すように前記カラーフィルタ
１４，１６，１７のコンタクトホール１３，１５から露
出されたドレイン電極（信号電極）９部分に付着された
レジスト残渣１８を除去した。
がら、大気中で前記カラーフィルタ１４，１６，１７に
誘電体バリア放電エキシマランプ（東芝ライテック社製
商品名；ゼノンクロライド）を光源として最大ピークが
１７２ｎｍの波長を有する紫外線を２分間照射すること
により、図２の（ｅ）に示すように前記カラーフィルタ
１４，１６，１７のコンタクトホール１３，１５から露
出されたドレイン電極（信号電極）９部分に付着された
レジスト残渣１８を除去した。
【００１８】次いで、図２の（ｆ）に示すように全面に
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜１９を成膜した。この時の成
膜条件は、チャンバの到達真空度１．０×１０-3Ｐａ、
Ａｒ流量１５．０ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量３０ｓｃｃｍ、ス
パッタ圧力０．４２Ｐａ、ＤＣパワー５００Ｗとした。
つづいて、全面にレジスト膜を被覆し、フォトリソグラ
フィ技術によりレジストパターン２０を形成した前記Ｉ
ＴＯ膜１９上に形成した。その後、図２の（ｇ）に示す
ように前記レジストパターン２０をマスクとして前記Ｉ
ＴＯ膜１９を２５℃の王水（ＨＣｌ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ
＝３０：１：１００）で１００秒間処理することにより
前記ＩＴＯ膜１９をを選択的にエッチング除去すること
により前記ＴＦＴ１０の信号電極９とコンタクトホール
を通して接続された複数の画素電極２１を前記カラーフ
ィルタ１４，１６，１７上に形成した。
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜１９を成膜した。この時の成
膜条件は、チャンバの到達真空度１．０×１０-3Ｐａ、
Ａｒ流量１５．０ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量３０ｓｃｃｍ、ス
パッタ圧力０．４２Ｐａ、ＤＣパワー５００Ｗとした。
つづいて、全面にレジスト膜を被覆し、フォトリソグラ
フィ技術によりレジストパターン２０を形成した前記Ｉ
ＴＯ膜１９上に形成した。その後、図２の（ｇ）に示す
ように前記レジストパターン２０をマスクとして前記Ｉ
ＴＯ膜１９を２５℃の王水（ＨＣｌ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ
＝３０：１：１００）で１００秒間処理することにより
前記ＩＴＯ膜１９をを選択的にエッチング除去すること
により前記ＴＦＴ１０の信号電極９とコンタクトホール
を通して接続された複数の画素電極２１を前記カラーフ
ィルタ１４，１６，１７上に形成した。
【００１９】次いで、前記画素電極２１上に配向処理さ
れた被膜（図示せず）を形成してアレイ基材を作製した
後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされた被膜
（図示せず）を有するガラス基板からなる対向基材２２
とをスペーサ２３を介在して所定のギャップをあけて配
置し、これらギャップに液晶２４を封入することにによ
りカラー液晶表示装置を製造した（図２の（ｈ）図
示）。
れた被膜（図示せず）を形成してアレイ基材を作製した
後、前記アレイ基材と同様に配向処理がなされた被膜
（図示せず）を有するガラス基板からなる対向基材２２
とをスペーサ２３を介在して所定のギャップをあけて配
置し、これらギャップに液晶２４を封入することにによ
りカラー液晶表示装置を製造した（図２の（ｈ）図
示）。
【００２０】（比較例１）ガラス基板上にＴＦＴを形成
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、紫外線
処理を施さずに、ＩＴＯ膜を成膜し、パターニングして
画素電極を形成した以外、実施例１と同様な方法により
カラー液晶表示装置を製造した。
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、紫外線
処理を施さずに、ＩＴＯ膜を成膜し、パターニングして
画素電極を形成した以外、実施例１と同様な方法により
カラー液晶表示装置を製造した。
【００２１】（比較例２）ガラス基板上にＴＦＴを形成
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、前記基
板を１５０℃に加熱し、オゾンを２０Ｌ／分の流量で流
しながら、８５ｍＷの低圧水銀ランプから２５４ｎｍの
ＵＶを９０秒間照射し、ひきつづきＩＴＯ膜を成膜し、
パターニングして画素電極を形成した以外、実施例１と
同様な方法によりカラー液晶表示装置を製造した。
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、前記基
板を１５０℃に加熱し、オゾンを２０Ｌ／分の流量で流
しながら、８５ｍＷの低圧水銀ランプから２５４ｎｍの
ＵＶを９０秒間照射し、ひきつづきＩＴＯ膜を成膜し、
パターニングして画素電極を形成した以外、実施例１と
同様な方法によりカラー液晶表示装置を製造した。
【００２２】（比較例３）ガラス基板上にＴＦＴを形成
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、酸素プ
ラズマ処理を施し、ひきつづきＩＴＯ膜を成膜し、パタ
ーニングして画素電極を形成した以外、実施例１と同様
な方法によりカラー液晶表示装置を製造した。なお、前
記酸素プラズマ処理条件はμ波１ｋＷ、チャンバ圧力７
０Ｐａ、 Ｏ2 流量１０００ｓｃｃｍ、処理時間３０秒
間とした。
し、このガラス基板上にコンタクトホールを有する赤
色、青色、緑色のカラーフィルタを形成した後、酸素プ
ラズマ処理を施し、ひきつづきＩＴＯ膜を成膜し、パタ
ーニングして画素電極を形成した以外、実施例１と同様
な方法によりカラー液晶表示装置を製造した。なお、前
記酸素プラズマ処理条件はμ波１ｋＷ、チャンバ圧力７
０Ｐａ、 Ｏ2 流量１０００ｓｃｃｍ、処理時間３０秒
間とした。
【００２３】以上の実施例１および比較例１〜３により
得られたカラー液晶表示装置について、前記アレイ基材
のコンタクト部の炭素濃度、コンタクト抵抗、画素電極
のサイドエッチング、画素電極のシート抵抗、画素電極
の外観および画質を調べた。その結果を下記表１に示
す。
得られたカラー液晶表示装置について、前記アレイ基材
のコンタクト部の炭素濃度、コンタクト抵抗、画素電極
のサイドエッチング、画素電極のシート抵抗、画素電極
の外観および画質を調べた。その結果を下記表１に示
す。
【００２４】
【表１】
【００２５】前記表１から明らかなように実施例１によ
り得られたカラー液晶表示装置は、比較例１〜３により
得られたカラー液晶表示装置に比べて画素電極とＴＦＴ
の信号電極とのコンタクト抵抗が低く、画素電極のシー
ト抵抗が低く、画素電極の外観性に優れ、さらに良好な
画質を有することがわかる。なお、前記実施例ではＴＦ
Ｔが逆スタガ型である構造のものを例にして説明した
が、これに限定されず、正スタガ型のＴＦＴを有する構
造にしてもよい。
り得られたカラー液晶表示装置は、比較例１〜３により
得られたカラー液晶表示装置に比べて画素電極とＴＦＴ
の信号電極とのコンタクト抵抗が低く、画素電極のシー
ト抵抗が低く、画素電極の外観性に優れ、さらに良好な
画質を有することがわかる。なお、前記実施例ではＴＦ
Ｔが逆スタガ型である構造のものを例にして説明した
が、これに限定されず、正スタガ型のＴＦＴを有する構
造にしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、カ
ラーフィルタへの損傷を招くことなくＴＦＴの信号電極
と画素電極とを良好に接続でき、ひいては多数の輝点が
現れたり、画面のざらつきなどの不良を解消した優れた
表示性能を有するカラー液晶表示装置の製造方法を提供
できる。
ラーフィルタへの損傷を招くことなくＴＦＴの信号電極
と画素電極とを良好に接続でき、ひいては多数の輝点が
現れたり、画面のざらつきなどの不良を解消した優れた
表示性能を有するカラー液晶表示装置の製造方法を提供
できる。
【図１】本発明の実施例１におけるカラー液晶表示装置
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１におけるカラー液晶表示装置
の製造工程を示す断面図。
の製造工程を示す断面図。
１…ガラス基板、 ２…ゲート電極、 ９…ドレイン電極（信号電極）、 １０…薄膜トランジスタ、 １３，１５…コンタクトホール、 １４…赤色フィルタ １６…青色フィルタ、 １７…緑色フィルタ、 ２１…画素電極、 ２２…対向基材、 ２４…液晶。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程と、 前記薄膜トランジスタを含む前記基板上に前記薄膜トラ
ンジスタの信号電極に対応する箇所にコンタクトホール
が開口されたカラーフィルタを一体的に形成する工程
と、 前記カラーフィルタを含む全面に透明導電膜を成膜し、
パターニングすることにより前記薄膜トランジスタの信
号電極と前記コンタクトホールを通して接続された画素
電極を形成する工程とを具備したカラー液晶表示装置の
製造方法において、 前記カラーフィルタの形成後、前記透明導電膜の成膜前
に前記カラーフィルタに最大ピークが１７２ｎｍ±２ｎ
ｍの波長を有する紫外線を照射することを特徴とするカ
ラー液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6268698A JPH11258630A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | カラー液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6268698A JPH11258630A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | カラー液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258630A true JPH11258630A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13207427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6268698A Pending JPH11258630A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | カラー液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11258630A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001264801A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法 |
| JP2001337347A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100628679B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2006-09-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치 |
| KR100638525B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2006-10-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| US7215401B2 (en) * | 2002-04-12 | 2007-05-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP6268698A patent/JPH11258630A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628679B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2006-09-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 어레이 패널, 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에따른액정표시장치 |
| KR100638525B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2006-10-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| US7193668B2 (en) | 1999-11-15 | 2007-03-20 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device with color filter in direct contact with drain and source electrode of TFT |
| JP2001264801A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Toshiba Corp | アレイ基板の製造方法 |
| JP2001337347A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7215401B2 (en) * | 2002-04-12 | 2007-05-08 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6272167A (ja) | 薄膜電界効果トランジスタ用のゲ−ト電極材料を沈積及び硬化する方法 | |
| KR101274708B1 (ko) | 평판 표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
| WO2018090482A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2008166671A (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法 | |
| US7388227B2 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device using two masks | |
| US20060046460A1 (en) | Method of fabricating poly-crystal ito film and polycrystal ito electrode | |
| TWI226965B (en) | Semi-transmission type liquid crystal display and fabrication method thereof | |
| JPH0282571A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| US7342637B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| WO2013123786A1 (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
| JPH11258630A (ja) | カラー液晶表示装置の製造方法 | |
| US7655947B2 (en) | Thin film transistor used as a switching element in an active matrix type liquid crystal display device | |
| TWI342071B (ja) | ||
| TWI396916B (zh) | 薄膜電晶體陣列基板之製作方法 | |
| US20090200558A1 (en) | Method and apparatus of fabricating liquid crystal display device | |
| JPH0918006A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP3612529B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| CN101424847B (zh) | Tft-lcd像素结构及其制造方法 | |
| JPH07120806B2 (ja) | 薄膜電界効果トランジスターの製造方法 | |
| CN100557787C (zh) | 像素结构的制作方法 | |
| JP2004012711A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH1195239A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US7625823B1 (en) | Method of patterning a metal layer in a semiconductor device | |
| US7049163B1 (en) | Manufacture method of pixel structure | |
| JPH05283693A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |