JPH1125863A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH1125863A JPH1125863A JP9173692A JP17369297A JPH1125863A JP H1125863 A JPH1125863 A JP H1125863A JP 9173692 A JP9173692 A JP 9173692A JP 17369297 A JP17369297 A JP 17369297A JP H1125863 A JPH1125863 A JP H1125863A
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- Japan
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- discharge gas
- discharge
- plasma display
- display panel
- xenon
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/50—Filling, e.g. selection of gas mixture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ネオンの放つ可視光の相対強度を低減して色純
度を改善するとともに、キセノンの放つ近赤外光の相対
強度を低減することを目的とする。 【解決手段】一対の基板の対向間隙に、主成分のネオン
（Ｎｅ）にキセノン（Ｘｅ）を混合したペニングガスを
放電ガスとして用いるＰＤＰにおいて、放電ガスにさら
にキセノンの放つ近赤外線を抑制するようにクリプトン
（Ｋｒ）を２乃至１４％の範囲内の割合で混合する。
度を改善するとともに、キセノンの放つ近赤外光の相対
強度を低減することを目的とする。 【解決手段】一対の基板の対向間隙に、主成分のネオン
（Ｎｅ）にキセノン（Ｘｅ）を混合したペニングガスを
放電ガスとして用いるＰＤＰにおいて、放電ガスにさら
にキセノンの放つ近赤外線を抑制するようにクリプトン
（Ｋｒ）を２乃至１４％の範囲内の割合で混合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）に関す
る。
レイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）に関す
る。
【０００２】ＰＤＰは、カラー画面の実用化を機にテレ
ビジョン映像やコンピュータのモニターなどの用途に広
く用いられるようになってきた。今後のいっそうの普及
を目指して構造及び材質の改良が進められている。
ビジョン映像やコンピュータのモニターなどの用途に広
く用いられるようになってきた。今後のいっそうの普及
を目指して構造及び材質の改良が進められている。
【０００３】
【従来の技術】カラー表示デバイスとして、３電極構造
のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マトリク
ス表示のライン（行）毎に一対のサステイン電極が配置
され、列毎にアドレス電極が配置されたものである。表
示色は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各蛍光体の発光量を制御すること
によって設定される。
のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マトリク
ス表示のライン（行）毎に一対のサステイン電極が配置
され、列毎にアドレス電極が配置されたものである。表
示色は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各蛍光体の発光量を制御すること
によって設定される。
【０００４】一般に、この種のＰＤＰでは、放電ガスと
してネオン（Ｎｅ）に微量のキセノン（Ｘｅ）を混合し
たペニングガスが用いられている。サステイン電極間で
放電が起こると、放電ガスが紫外線を放つ。その紫外線
で蛍光体が励起されて発光する。キセノンの混合量は、
駆動マージン、イオン衝撃による蛍光体や誘電体保護膜
の劣化の度合いなどを考慮して最適化される。実用範囲
は２〜１０％である。
してネオン（Ｎｅ）に微量のキセノン（Ｘｅ）を混合し
たペニングガスが用いられている。サステイン電極間で
放電が起こると、放電ガスが紫外線を放つ。その紫外線
で蛍光体が励起されて発光する。キセノンの混合量は、
駆動マージン、イオン衝撃による蛍光体や誘電体保護膜
の劣化の度合いなどを考慮して最適化される。実用範囲
は２〜１０％である。
【０００５】また、従来において、上述のペニングガス
（Ｎｅ＋Ｘｅ）にヘリウム（Ｈｅ）を混合した３成分ガ
スが知られている。ヘリウムの混合により、発光効率を
高め且つ色純度を改善することができる。
（Ｎｅ＋Ｘｅ）にヘリウム（Ｈｅ）を混合した３成分ガ
スが知られている。ヘリウムの混合により、発光効率を
高め且つ色純度を改善することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】キセノンの混合量を増
やすと、ネオンの励起発光が軽減されて相対的に蛍光体
の発光強度が増大して表示の色純度が良好になる。反
面、放電開始電圧の上昇が顕著であるので、実用上の駆
動電圧範囲では色純度の大幅な改善は望めなかった。加
えて、キセノンは紫外線とともに近赤外線を放つので、
キセノンの増量によって、ＰＤＰの周辺に置かれた電気
製品の赤外リモートコントロール及び赤外光データ通信
が乱れるおそれが高まってしまうという問題もあった。
やすと、ネオンの励起発光が軽減されて相対的に蛍光体
の発光強度が増大して表示の色純度が良好になる。反
面、放電開始電圧の上昇が顕著であるので、実用上の駆
動電圧範囲では色純度の大幅な改善は望めなかった。加
えて、キセノンは紫外線とともに近赤外線を放つので、
キセノンの増量によって、ＰＤＰの周辺に置かれた電気
製品の赤外リモートコントロール及び赤外光データ通信
が乱れるおそれが高まってしまうという問題もあった。
【０００７】一方、ヘリウムの混合は上述のように発光
効率及び色純度の改善効果を有するものの、ヘリウムの
混合量が増えるにつれて蛍光体や保護膜のスパッタリン
グが進み、ＰＤＰの寿命が短くなるという問題があっ
た。また、ＡＣ駆動の動作マージンが小さくなるという
問題もあった。さらに、キセノンによる近赤外線放射に
対する抑制効果が小さく、近赤外線放射の抑制に十分な
量のヘリウムを混合すると、寿命が大幅に短くなり、し
かも動作マージンが無くなって駆動が困難になった。
効率及び色純度の改善効果を有するものの、ヘリウムの
混合量が増えるにつれて蛍光体や保護膜のスパッタリン
グが進み、ＰＤＰの寿命が短くなるという問題があっ
た。また、ＡＣ駆動の動作マージンが小さくなるという
問題もあった。さらに、キセノンによる近赤外線放射に
対する抑制効果が小さく、近赤外線放射の抑制に十分な
量のヘリウムを混合すると、寿命が大幅に短くなり、し
かも動作マージンが無くなって駆動が困難になった。
【０００８】本発明は、ネオンの放つ可視光の相対強度
を低減して色純度を改善するとともに、キセノンの放つ
近赤外光の相対強度を低減することを目的としている。
他の目的は、ＡＣ駆動における動作マージンを拡大する
ことにある。
を低減して色純度を改善するとともに、キセノンの放つ
近赤外光の相対強度を低減することを目的としている。
他の目的は、ＡＣ駆動における動作マージンを拡大する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のＰＤＰ
は、一対の基板の対向間隙に、ネオン（Ｎｅ）にキセノ
ン（Ｘｅ）を混合した放電ガスが封入されたＰＤＰであ
って、前記放電ガスがさらに放電時にキセノンの放つ近
赤外線を抑制するようにクリプトン（Ｋｒ）を２乃至１
４％の範囲内の割合で含んだものである。
は、一対の基板の対向間隙に、ネオン（Ｎｅ）にキセノ
ン（Ｘｅ）を混合した放電ガスが封入されたＰＤＰであ
って、前記放電ガスがさらに放電時にキセノンの放つ近
赤外線を抑制するようにクリプトン（Ｋｒ）を２乃至１
４％の範囲内の割合で含んだものである。
【００１０】請求項２の発明のＰＤＰは、一対の基板の
対向間隙に、放電ガスを封入するとともに、前記放電ガ
スの放つ紫外線で励起されて発光する蛍光体を設けたＰ
ＤＰであって、前記放電ガスとして、ネオンを主成分に
キセノンとクリプトンとが混合され、クリプトンを２乃
至１４％の範囲内の割合で含んだ３成分ガスが封入され
たものである請求項３の発明のＰＤＰは、放電ガスの封
入された放電空間を介して対向配置した一対の基板の一
方に、面放電のための電極と、当該面放電用の電極を覆
う誘電体層と、当該誘電体層の表面を覆う二次電子放射
係数の大きな保護膜とを積層し、他方の基板に前記放電
ガスの放つ紫外線で励起されて発光する蛍光体を設けた
ＰＤＰであって、前記放電ガスとして、ネオンを主成分
にキセノンとクリプトンとが混合され、クリプトンを２
乃至１４％の範囲内の割合で含んだ３成分ガスが封入さ
れたものである請求項４の発明のＰＤＰにおいては、前
記放電ガスにおけるクリプトンの割合が６乃至１０％で
ある。
対向間隙に、放電ガスを封入するとともに、前記放電ガ
スの放つ紫外線で励起されて発光する蛍光体を設けたＰ
ＤＰであって、前記放電ガスとして、ネオンを主成分に
キセノンとクリプトンとが混合され、クリプトンを２乃
至１４％の範囲内の割合で含んだ３成分ガスが封入され
たものである請求項３の発明のＰＤＰは、放電ガスの封
入された放電空間を介して対向配置した一対の基板の一
方に、面放電のための電極と、当該面放電用の電極を覆
う誘電体層と、当該誘電体層の表面を覆う二次電子放射
係数の大きな保護膜とを積層し、他方の基板に前記放電
ガスの放つ紫外線で励起されて発光する蛍光体を設けた
ＰＤＰであって、前記放電ガスとして、ネオンを主成分
にキセノンとクリプトンとが混合され、クリプトンを２
乃至１４％の範囲内の割合で含んだ３成分ガスが封入さ
れたものである請求項４の発明のＰＤＰにおいては、前
記放電ガスにおけるクリプトンの割合が６乃至１０％で
ある。
【００１１】請求項５の発明のＰＤＰにおいては、前記
放電ガスにおけるキセノンの割合が２乃至１０％であ
る。請求項６の発明のＰＤＰにおいては、前記保護膜
が、酸化マグネシウム、又はストロンチウム化合物とカ
ルシウム化合物との混合物である。
放電ガスにおけるキセノンの割合が２乃至１０％であ
る。請求項６の発明のＰＤＰにおいては、前記保護膜
が、酸化マグネシウム、又はストロンチウム化合物とカ
ルシウム化合物との混合物である。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明のＰＤＰ１の内部構
造を示す斜視図である。ＰＤＰ１は、対となるサステイ
ン電極Ｘ，Ｙが平行配置された面放電形式のＡＣ型ＰＤ
Ｐであり、各セルにサステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電
極Ａとが対応する３電極構造の電極マトリクスを有して
いる。サステイン電極Ｘ，Ｙは画面のライン方向（水平
方向）に延び、一方のサステイン電極Ｙはアドレッシン
グに際してライン単位にセルを選択するためのスキャン
電極として用いられる。アドレス電極Ａは列単位にセル
を選択するためのデータ電極であり、列方向（垂直方
向）に延びている。
造を示す斜視図である。ＰＤＰ１は、対となるサステイ
ン電極Ｘ，Ｙが平行配置された面放電形式のＡＣ型ＰＤ
Ｐであり、各セルにサステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電
極Ａとが対応する３電極構造の電極マトリクスを有して
いる。サステイン電極Ｘ，Ｙは画面のライン方向（水平
方向）に延び、一方のサステイン電極Ｙはアドレッシン
グに際してライン単位にセルを選択するためのスキャン
電極として用いられる。アドレス電極Ａは列単位にセル
を選択するためのデータ電極であり、列方向（垂直方
向）に延びている。
【００１３】ＰＤＰ１では、放電空間３０を挟む基板対
のうちの前面側のガラス基板１１の内面に、画面の水平
方向のセル列であるラインＬ毎に一対ずつサステイン電
極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙは、
それぞれが透明導電膜４１と抵抗値を低減するための金
属膜４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１７で
被覆されている。誘電体層１７の材料はＰｂＯ系低融点
ガラス（誘電率は約１０）である。誘電体層１７の表面
には二次電子放射係数の大きな保護膜（表面層ともい
う）としてＭｇＯ膜１８が被着されている。誘電体層１
７及びＭｇＯ膜１８は透光性を有している。背面側のガ
ラス基板２１の内面には、下地層２２、アドレス電極
Ａ、絶縁層２４、隔壁２９、及びカラー表示のための３
色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが
設けられている。各隔壁２９は平面視において直線状で
ある。これら隔壁２９によって放電空間３０がライン方
向にサブピクセル（単位発光領域）毎に区画され、且つ
放電空間３０の間隙寸法が一定値（１５０μｍ程度）に
規定されている。ＰＤＰ１において、放電空間３０に
は、ネオン、キセノン、及びクリプトンを後述の割合で
混合した本発明に特有の放電ガスが充填されている。ガ
ス圧力は約５００Ｔｏｒｒである。蛍光体層２８Ｒ，２
８Ｇ，２８Ｂは、表１に例示する蛍光体を主成分とする
ペーストを印刷して焼成したものであり、所定色の可視
光を放つ。
のうちの前面側のガラス基板１１の内面に、画面の水平
方向のセル列であるラインＬ毎に一対ずつサステイン電
極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙは、
それぞれが透明導電膜４１と抵抗値を低減するための金
属膜４２とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層１７で
被覆されている。誘電体層１７の材料はＰｂＯ系低融点
ガラス（誘電率は約１０）である。誘電体層１７の表面
には二次電子放射係数の大きな保護膜（表面層ともい
う）としてＭｇＯ膜１８が被着されている。誘電体層１
７及びＭｇＯ膜１８は透光性を有している。背面側のガ
ラス基板２１の内面には、下地層２２、アドレス電極
Ａ、絶縁層２４、隔壁２９、及びカラー表示のための３
色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが
設けられている。各隔壁２９は平面視において直線状で
ある。これら隔壁２９によって放電空間３０がライン方
向にサブピクセル（単位発光領域）毎に区画され、且つ
放電空間３０の間隙寸法が一定値（１５０μｍ程度）に
規定されている。ＰＤＰ１において、放電空間３０に
は、ネオン、キセノン、及びクリプトンを後述の割合で
混合した本発明に特有の放電ガスが充填されている。ガ
ス圧力は約５００Ｔｏｒｒである。蛍光体層２８Ｒ，２
８Ｇ，２８Ｂは、表１に例示する蛍光体を主成分とする
ペーストを印刷して焼成したものであり、所定色の可視
光を放つ。
【００１４】
【表１】
【００１５】表示の１ピクセルはライン方向に並ぶ３つ
のサブピクセルで構成される。各サブピクセルの範囲内
の構造体がセルである。隔壁２９の配置パターンがスト
ライプパターンであることから、放電空間３０のうちの
各列に対応した部分は、全てのラインに跨がって列方向
に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同一
である。
のサブピクセルで構成される。各サブピクセルの範囲内
の構造体がセルである。隔壁２９の配置パターンがスト
ライプパターンであることから、放電空間３０のうちの
各列に対応した部分は、全てのラインに跨がって列方向
に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同一
である。
【００１６】以上の構造のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体を作製し、両基板構体を重ね合わ
せて対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガス
の充填を行う一連の工程によって製造される。そして、
図示しない駆動ユニットと接続され、壁掛け式テレビジ
ョン受像機・コンピュータシステムのモニターなどの表
示デバイスとして利用される。
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体を作製し、両基板構体を重ね合わ
せて対向間隙の周縁を封止し、内部の排気及び放電ガス
の充填を行う一連の工程によって製造される。そして、
図示しない駆動ユニットと接続され、壁掛け式テレビジ
ョン受像機・コンピュータシステムのモニターなどの表
示デバイスとして利用される。
【００１７】ＰＤＰ１による表示に際して、１フレーム
に割当てられる表示期間は、以前の点灯状態の影響を防
ぐために画面全体の壁電荷を均等化するリセット期間、
表示内容に応じて各セルに対するアドレッシング（点灯
／非点灯の設定）を行うアドレス期間、及び階調レベル
に応じた輝度を確保するために点灯状態を維持するサス
テイン期間に分かれる。
に割当てられる表示期間は、以前の点灯状態の影響を防
ぐために画面全体の壁電荷を均等化するリセット期間、
表示内容に応じて各セルに対するアドレッシング（点灯
／非点灯の設定）を行うアドレス期間、及び階調レベル
に応じた輝度を確保するために点灯状態を維持するサス
テイン期間に分かれる。
【００１８】リセット期間においては、例えば全てのラ
インのサステイン電極Ｘに波高値が面放電開始電圧を越
えるリセットパルスを印加する。リセットパルスの立上
がりに呼応して全てのラインで強い面放電（サステイン
電極間の放電）が生じ、セル内に多量の壁電荷が生じ
る。壁電圧と印加電圧との相殺によって実効電圧が下が
る。リセットパルスが立下がると、壁電圧がそのまま実
効電圧となって自己放電が生じ、全てのセルにおいてほ
とんどの壁電荷が消失し、画面全体が一様な非帯電状態
となる。
インのサステイン電極Ｘに波高値が面放電開始電圧を越
えるリセットパルスを印加する。リセットパルスの立上
がりに呼応して全てのラインで強い面放電（サステイン
電極間の放電）が生じ、セル内に多量の壁電荷が生じ
る。壁電圧と印加電圧との相殺によって実効電圧が下が
る。リセットパルスが立下がると、壁電圧がそのまま実
効電圧となって自己放電が生じ、全てのセルにおいてほ
とんどの壁電荷が消失し、画面全体が一様な非帯電状態
となる。
【００１９】アドレス期間においては、配列の一端側の
ラインから１ラインずつ順に各ラインを選択し、該当す
るサステイン電極Ｙにスキャンパルスを印加する。ライ
ンの選択と同時に、点灯すべきセルに対応したアドレス
電極Ａに対してアドレスパルスを印加する。選択された
ライン内のアドレスパルスの印加されたセルでは、サス
テイン電極Ｙとアドレス電極Ａとの間で対向放電が起こ
り、それが面放電に移行する。これら一連の放電がアド
レス放電である。アドレス放電によって点灯すべきセル
のみに壁電荷の存在する帯電分布が形成される。
ラインから１ラインずつ順に各ラインを選択し、該当す
るサステイン電極Ｙにスキャンパルスを印加する。ライ
ンの選択と同時に、点灯すべきセルに対応したアドレス
電極Ａに対してアドレスパルスを印加する。選択された
ライン内のアドレスパルスの印加されたセルでは、サス
テイン電極Ｙとアドレス電極Ａとの間で対向放電が起こ
り、それが面放電に移行する。これら一連の放電がアド
レス放電である。アドレス放電によって点灯すべきセル
のみに壁電荷の存在する帯電分布が形成される。
【００２０】サステイン期間においては、サステイン電
極Ｘとサステイン電極Ｙとに対して交互にサステインパ
ルスを印加する。サステインパルスの波高値は面放電開
始電圧より低い。サステインパルスの印加毎に、アドレ
ス期間において帯電状態とされたセルのみで面放電が生
じる。サステインパルスの印加周期は一定であり、輝度
の重みに応じて設定された個数のサステインパルスが印
加される。面放電において放電ガス中のキセノンが放つ
紫外線によって蛍光体が励起され、Ｒ、Ｇ、又はＢの発
光が生じる。１つのピクセルにおけるＲ，Ｇ，Ｂの各セ
ルの輝度比によって表示色が決まる。
極Ｘとサステイン電極Ｙとに対して交互にサステインパ
ルスを印加する。サステインパルスの波高値は面放電開
始電圧より低い。サステインパルスの印加毎に、アドレ
ス期間において帯電状態とされたセルのみで面放電が生
じる。サステインパルスの印加周期は一定であり、輝度
の重みに応じて設定された個数のサステインパルスが印
加される。面放電において放電ガス中のキセノンが放つ
紫外線によって蛍光体が励起され、Ｒ、Ｇ、又はＢの発
光が生じる。１つのピクセルにおけるＲ，Ｇ，Ｂの各セ
ルの輝度比によって表示色が決まる。
【００２１】以下、放電ガスの組成について説明する。
図２はＫｒ濃度と表示特性との関係を示すグラフ、図３
はＫｒ濃度と発光効率との関係を示すグラフである。
図２はＫｒ濃度と表示特性との関係を示すグラフ、図３
はＫｒ濃度と発光効率との関係を示すグラフである。
【００２２】放電ガスにおけるＸｅの濃度（分圧比率）
を４％に固定し、Ｋｒの濃度をパラメータとして、Ｎｅ
の放つ赤色域の可視光（波長５８０ｎｍ）のスペクトル
強度Ｓ５８０と蛍光体層２８Ｒの放つ赤色域の可視光
（波長５９０ｎｍ）のスペクトル強度Ｓ５９０との比Ｓ
Ｒ（＝Ｓ５８０／Ｓ５９０）を調べた。スペクトル強度
Ｓ５９０は紫外線の放射強度に対応する。
を４％に固定し、Ｋｒの濃度をパラメータとして、Ｎｅ
の放つ赤色域の可視光（波長５８０ｎｍ）のスペクトル
強度Ｓ５８０と蛍光体層２８Ｒの放つ赤色域の可視光
（波長５９０ｎｍ）のスペクトル強度Ｓ５９０との比Ｓ
Ｒ（＝Ｓ５８０／Ｓ５９０）を調べた。スペクトル強度
Ｓ５９０は紫外線の放射強度に対応する。
【００２３】Ｋｒ濃度を０％〔Ｎｅ＋Ｘｅ（４％）〕と
した場合、上述のスペクトル強度比ＳＲは０．３３であ
った。この試料において、全面を点灯させたスタティッ
ク表示状態でサステイン電圧（サステインパルス波高
値）を徐々に下げていったときに初めて消灯するセルが
現れる消灯時最低サステイン電圧ＶsmN は２０８Ｖであ
った。消灯時最低サステイン電圧ＶsmN は実使用におけ
るダイナミック表示でのサステイン電圧マージンの下限
値Ｖｓmin に相当する。
した場合、上述のスペクトル強度比ＳＲは０．３３であ
った。この試料において、全面を点灯させたスタティッ
ク表示状態でサステイン電圧（サステインパルス波高
値）を徐々に下げていったときに初めて消灯するセルが
現れる消灯時最低サステイン電圧ＶsmN は２０８Ｖであ
った。消灯時最低サステイン電圧ＶsmN は実使用におけ
るダイナミック表示でのサステイン電圧マージンの下限
値Ｖｓmin に相当する。
【００２４】一旦、放電ガスを排気し、あらためてＫｒ
濃度が２％〔Ｎｅ＋Ｘｅ（４％）＋Ｋｒ（２％）〕とな
るように放電ガスを充填した。この試料の場合、スペク
トル強度比ＳＲは０．２４であった。同様の要領でＫｒ
濃度を変更してスペクトル強度比ＳＲを求めると、図２
において黒丸（●）で示されるように、Ｋｒ濃度が増大
するにつれてスペクトル強度比ＳＲが低下した。つま
り、Ｎｅの放つ不要の可視光のスペクトル強度Ｓ５８０
が相対的に低下し、言い換えれば蛍光体を励起する紫外
線強度が相対的に増大し、蛍光体の発光が強まって表示
色の色純度が高まる。ただし、図２において黒三角
（▲）で示されるように、Ｋｒ濃度が増大するにつれ
て、消灯時最低サステイン電圧ＶsmN が上昇する傾向に
ある。図２から明らかなように、Ｋｒ濃度が２％以上で
あれば、Ｋｒを含まない場合に対して色純度（スペクト
ル強度比ＳＲ）について３０％以上の改善効果がある。
一方、現状での駆動系の制約などの上からサステイン電
圧の上限は概ね２３０Ｖである。２３０Ｖ以下のサステ
イン電圧で安定した表示を行うには、Ｋｒ濃度を１４％
以下とする必要がある。つまり、本発明の目的を達する
上でのＫｒ濃度範囲は２〜１４％であり、図３に示され
る発光効率の差異を加味したときの、より好ましい範囲
は８±２％、すなわち６〜１０％である。Ｋｒを混合す
ることの効果の度合いはＸｅ濃度によって若干変わる
が、実用的なＸｅ濃度範囲（２〜１０％）では、Ｋｒ濃
度に関する適正範囲は概ね上述の値である。
濃度が２％〔Ｎｅ＋Ｘｅ（４％）＋Ｋｒ（２％）〕とな
るように放電ガスを充填した。この試料の場合、スペク
トル強度比ＳＲは０．２４であった。同様の要領でＫｒ
濃度を変更してスペクトル強度比ＳＲを求めると、図２
において黒丸（●）で示されるように、Ｋｒ濃度が増大
するにつれてスペクトル強度比ＳＲが低下した。つま
り、Ｎｅの放つ不要の可視光のスペクトル強度Ｓ５８０
が相対的に低下し、言い換えれば蛍光体を励起する紫外
線強度が相対的に増大し、蛍光体の発光が強まって表示
色の色純度が高まる。ただし、図２において黒三角
（▲）で示されるように、Ｋｒ濃度が増大するにつれ
て、消灯時最低サステイン電圧ＶsmN が上昇する傾向に
ある。図２から明らかなように、Ｋｒ濃度が２％以上で
あれば、Ｋｒを含まない場合に対して色純度（スペクト
ル強度比ＳＲ）について３０％以上の改善効果がある。
一方、現状での駆動系の制約などの上からサステイン電
圧の上限は概ね２３０Ｖである。２３０Ｖ以下のサステ
イン電圧で安定した表示を行うには、Ｋｒ濃度を１４％
以下とする必要がある。つまり、本発明の目的を達する
上でのＫｒ濃度範囲は２〜１４％であり、図３に示され
る発光効率の差異を加味したときの、より好ましい範囲
は８±２％、すなわち６〜１０％である。Ｋｒを混合す
ることの効果の度合いはＸｅ濃度によって若干変わる
が、実用的なＸｅ濃度範囲（２〜１０％）では、Ｋｒ濃
度に関する適正範囲は概ね上述の値である。
【００２５】なお、上述の消灯時最低サステイン電圧Ｖ
smN の上昇は、保護膜の材料にストロンチウム化合物と
カルシウム化合物との混合物を使用することにより抑え
ることができ、その場合にはクリプトンを導入したこと
による効果がより発揮される（当該化合物は米国特許公
報ｕｓｐ４１９８５８５号に詳しく述べられている）。
smN の上昇は、保護膜の材料にストロンチウム化合物と
カルシウム化合物との混合物を使用することにより抑え
ることができ、その場合にはクリプトンを導入したこと
による効果がより発揮される（当該化合物は米国特許公
報ｕｓｐ４１９８５８５号に詳しく述べられている）。
【００２６】ここで、従来の技術で述べたとおり、Ｘｅ
の電子−原子衝突断面積は大きいので、Ｘｅ濃度のわず
かの増加でもスペクトル強度比ＳＲは低下する。しか
し、それに伴う最低サステイン電圧ＶsmN の上昇の度合
いがＫｒ濃度を増大した場合と比べて大きいので、Ｘｅ
濃度の増大では色純度の大幅な改善は望めない。
の電子−原子衝突断面積は大きいので、Ｘｅ濃度のわず
かの増加でもスペクトル強度比ＳＲは低下する。しか
し、それに伴う最低サステイン電圧ＶsmN の上昇の度合
いがＫｒ濃度を増大した場合と比べて大きいので、Ｘｅ
濃度の増大では色純度の大幅な改善は望めない。
【００２７】図４は第３成分濃度と近赤外抑制効果との
関係を示すグラフである。Ｘｅの放つ近赤外光（波長８
２０ｎｍ、８８０ｎｍ、９８０ｎｍ）のスペクトル強度
の和ＳIRと上述の赤色域のスペクトル強度Ｓ５９０との
比ＳＳ（＝ＳIR／Ｓ５９０）を調べた。なお、この比較
測定においては、ＫｒとＨｅとが混ざり合うのを避ける
ため、Ｋｒを含む放電ガスを充填する試料とＨｅを含む
放電ガスを充填する試料とを同一構造の互いに異なるＰ
ＤＰ構造体（パネル）Ａ，Ｂを用いて作製した。
関係を示すグラフである。Ｘｅの放つ近赤外光（波長８
２０ｎｍ、８８０ｎｍ、９８０ｎｍ）のスペクトル強度
の和ＳIRと上述の赤色域のスペクトル強度Ｓ５９０との
比ＳＳ（＝ＳIR／Ｓ５９０）を調べた。なお、この比較
測定においては、ＫｒとＨｅとが混ざり合うのを避ける
ため、Ｋｒを含む放電ガスを充填する試料とＨｅを含む
放電ガスを充填する試料とを同一構造の互いに異なるＰ
ＤＰ構造体（パネル）Ａ，Ｂを用いて作製した。
【００２８】図４のように、Ｋｒ濃度を増大するにつれ
てスペクトル強度ＳＳが大幅に低下した。つまり、赤外
リモートコントロールなどの障害となる近赤外光の放射
が抑制される。これに対して、Ｈｅを第３成分として混
合した場合には、濃度の増大につれてスペクトル強度Ｓ
Ｓが低下するものの、その度合いは小さい。
てスペクトル強度ＳＳが大幅に低下した。つまり、赤外
リモートコントロールなどの障害となる近赤外光の放射
が抑制される。これに対して、Ｈｅを第３成分として混
合した場合には、濃度の増大につれてスペクトル強度Ｓ
Ｓが低下するものの、その度合いは小さい。
【００２９】ＨｅはＮｅよりも衝突断面積が小さいの
で、Ｈｅの相対量が増えることによって放電空間３０内
でのイオンどうしの衝突による運動エネルギーの損失量
が減少し、その分だけ蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ
及びＭｇＯ膜１８のスパッタリングが進み、寿命が短く
なる。これに対して、ＫｒはＮｅよりの衝突断面積が大
きいので、Ｋｒの混合によってスパッタリングが抑制さ
れる。つまり、Ｋｒは近赤外光の抑制と長寿命化に貢献
する。
で、Ｈｅの相対量が増えることによって放電空間３０内
でのイオンどうしの衝突による運動エネルギーの損失量
が減少し、その分だけ蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ
及びＭｇＯ膜１８のスパッタリングが進み、寿命が短く
なる。これに対して、ＫｒはＮｅよりの衝突断面積が大
きいので、Ｋｒの混合によってスパッタリングが抑制さ
れる。つまり、Ｋｒは近赤外光の抑制と長寿命化に貢献
する。
【００３０】また、表２及び表３のように、Ｋｒの混合
によって、Ｈｅを混合したときと同程度の発光効率の改
善が可能であり、しかも、所定の動作マージンを確保す
ることができる。なお、表２，３の数値は、発光効率が
最も大きかった試料における値である。表３中のＶ
f1は、全面点灯アドレッシングの後、サステイン電圧を
徐々に上げていったときに初めて点灯するセルが現れる
点灯時最低サステイン電圧（サステイン電圧マージンの
上限値Ｖｓｍａｘに相当）である。この点灯時最低サス
テイン電圧Ｖf1と上述の消灯時最低サステイン電圧Ｖ
smN との差が動作マージン（電圧マージン）である。Ｈ
ｅを混合すると、電圧マージンが１５Ｖから３Ｖに低下
したが、Ｋｒを混合すると、０Ｖから１５Ｖに上昇し
た。
によって、Ｈｅを混合したときと同程度の発光効率の改
善が可能であり、しかも、所定の動作マージンを確保す
ることができる。なお、表２，３の数値は、発光効率が
最も大きかった試料における値である。表３中のＶ
f1は、全面点灯アドレッシングの後、サステイン電圧を
徐々に上げていったときに初めて点灯するセルが現れる
点灯時最低サステイン電圧（サステイン電圧マージンの
上限値Ｖｓｍａｘに相当）である。この点灯時最低サス
テイン電圧Ｖf1と上述の消灯時最低サステイン電圧Ｖ
smN との差が動作マージン（電圧マージン）である。Ｈ
ｅを混合すると、電圧マージンが１５Ｖから３Ｖに低下
したが、Ｋｒを混合すると、０Ｖから１５Ｖに上昇し
た。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】以上の説明のとおり、Ｋｒの混合によっ
て、発光効率を高め、色純度を改善し、電圧マー
ジンを確保し、近赤外光を抑制することができる。上
述の実施形態においては、ＡＣ型の面放電形式のＰＤＰ
１を例示したが、本発明はＤＣ型の面放電形式のＰＤ
Ｐ、ＡＣ型及びＤＣ型の対向放電形式のＰＤＰにも適用
可能である。また、プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ：
Plasma Addressed LiquidCrystal ) に応用することも
できる。
て、発光効率を高め、色純度を改善し、電圧マー
ジンを確保し、近赤外光を抑制することができる。上
述の実施形態においては、ＡＣ型の面放電形式のＰＤＰ
１を例示したが、本発明はＤＣ型の面放電形式のＰＤ
Ｐ、ＡＣ型及びＤＣ型の対向放電形式のＰＤＰにも適用
可能である。また、プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ：
Plasma Addressed LiquidCrystal ) に応用することも
できる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１乃至請求項６の発明によれば、
ネオンの放つ可視光の相対強度を低減して色純度を改善
するとともに、キセノンの放つ近赤外光の相対強度を低
減することができる。
ネオンの放つ可視光の相対強度を低減して色純度を改善
するとともに、キセノンの放つ近赤外光の相対強度を低
減することができる。
【００３５】請求項３の発明によれば、ＡＣ駆動におけ
る動作マージンを拡大することができる。
る動作マージンを拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＰＤＰの内部構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】Ｋｒ濃度と表示特性との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図３】Ｋｒ濃度と発光効率との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図４】第３成分濃度と近赤外抑制効果との関係を示す
グラフである。
グラフである。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １１ ガラス基板（基板） １７ 誘電体層 ２１ ガラス基板（基板） ２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ 蛍光体層（蛍光体） ３０ 放電空間（対向間隙） Ｘ，Ｙ サステイン電極（電極）
Claims (6)
- 【請求項１】一対の基板の対向間隙に、ネオンにキセノ
ンを混合した放電ガスが封入されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、 前記放電ガスは、さらに放電時にキセノンの放つ近赤外
線を抑制するようにクリプトンを２乃至１４％の範囲内
の割合で含んでいることを特徴とするプラズマディスプ
レイパネル。 - 【請求項２】一対の基板の対向間隙に、放電ガスを封入
するとともに、前記放電ガスの放つ紫外線で励起されて
発光する蛍光体を設けたプラズマディスプレイパネルに
おいて、 前記放電ガスは、ネオンを主成分にキセノンとクリプト
ンとが混合され、クリプトンを２乃至１４％の範囲内の
割合で含んだ３成分ガスであることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項３】放電ガスの封入された放電空間を介して対
向配置した一対の基板の一方に、面放電のための電極
と、当該面放電用の電極を覆う誘電体層と、当該誘電体
層の表面を覆う二次電子放射係数の大きな保護膜とを積
層し、他方の基板に前記放電ガスの放つ紫外線で励起さ
れて発光する蛍光体を設けたプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、 前記放電ガスは、ネオンを主成分にキセノンとクリプト
ンとが混合され、クリプトンを２乃至１４％の範囲内の
割合で含んだ３成分ガスであることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項４】前記放電ガスにおけるクリプトンの割合が
６乃至１０％である請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】前記放電ガスにおけるキセノンの割合が２
乃至１０％である請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】前記保護膜は、酸化マグネシウム、又はス
トロンチウム化合物とカルシウム化合物との混合物であ
る請求項３記載のプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173692A JPH1125863A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマディスプレイパネル |
| US09/012,546 US6057643A (en) | 1997-06-30 | 1998-01-23 | Discharge gas mixture for a fluorescent gas-discharge plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173692A JPH1125863A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125863A true JPH1125863A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15965351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9173692A Pending JPH1125863A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6057643A (ja) |
| JP (1) | JPH1125863A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000221478A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Sharp Corp | プラズマアドレス型液晶表示装置 |
| JP2002311890A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-25 | Chuka Eikan Kofun Yugenkoshi | プラズマディスプレーパネル上の色純度および色温度の補正方法 |
| KR20040025452A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 오리온전기 주식회사 | 크립톤-네온 계의 방전 가스를 적용한 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR20050074792A (ko) * | 2004-01-14 | 2005-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2008262892A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1034454A2 (en) * | 1998-06-05 | 2000-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| KR100341313B1 (ko) * | 1998-11-16 | 2002-06-21 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널과 구동장치 및 방법 |
| JP3565740B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2004-09-15 | 富士通株式会社 | ガス放電表示パネル及び表示パネルの製造方法 |
| JP3384390B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2003-03-10 | ソニー株式会社 | 交流駆動型プラズマ表示装置 |
| US6873106B2 (en) * | 2000-06-01 | 2005-03-29 | Pioneer Corporation | Plasma display panel that inhibits false discharge |
| KR100370397B1 (ko) * | 2000-06-10 | 2003-01-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 엑시머 개스를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2002260535A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| US6964742B2 (en) * | 2001-05-01 | 2005-11-15 | The Dial Corporation | Method for reducing malodors in hydrotropic compositions |
| TW200409164A (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| KR20050036450A (ko) * | 2003-10-16 | 2005-04-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3904915A (en) * | 1972-08-11 | 1975-09-09 | Owens Illinois Inc | Gas mixture for gas discharge device |
| JPS63205031A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
| DE69214040T2 (de) * | 1991-07-18 | 1997-03-06 | Japan Broadcasting Corp | Gleichfeld-Gasentladungsanzeigeeinrichtung und diese verwendende Gasentladungsanzeigevorrichtung |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9173692A patent/JPH1125863A/ja active Pending
-
1998
- 1998-01-23 US US09/012,546 patent/US6057643A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000221478A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Sharp Corp | プラズマアドレス型液晶表示装置 |
| JP2002311890A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-25 | Chuka Eikan Kofun Yugenkoshi | プラズマディスプレーパネル上の色純度および色温度の補正方法 |
| KR20040025452A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 오리온전기 주식회사 | 크립톤-네온 계의 방전 가스를 적용한 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR20050074792A (ko) * | 2004-01-14 | 2005-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2008262892A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6057643A (en) | 2000-05-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040706 |