JPH1125865A - Plasma display panel - Google Patents

Plasma display panel

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JPH1125865A
JPH1125865A JP9171486A JP17148697A JPH1125865A JP H1125865 A JPH1125865 A JP H1125865A JP 9171486 A JP9171486 A JP 9171486A JP 17148697 A JP17148697 A JP 17148697A JP H1125865 A JPH1125865 A JP H1125865A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode
glass layer
dielectric
dielectric glass
oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP9171486A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaki Aoki
正樹 青木
Mitsuhiro Otani
光弘 大谷
Hiroyuki Kawamura
浩幸 河村
Katsuyoshi Yamashita
勝義 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Glass Compositions (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレイパネルの高信頼性化を
図ることを目的とする。 【解決手段】 従来ガラス基板上に形成されてきた表示
電極やアドレス電極をガラス基板中に没設することによ
って、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧を確保
し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプラ
ズマディスプレイパネルを得ることができる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To improve the reliability of a plasma display panel. SOLUTION: Display electrodes and address electrodes conventionally formed on a glass substrate are immersed in the glass substrate to ensure a dielectric strength even when the dielectric glass layer is formed thin, and to further reduce the discharge voltage. It is possible to obtain a plasma display panel which suppresses a rise and has high brightness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特にプラ
ズマディスプレイパネルの電極の配置構造の改良及び誘
電体ガラス層の材料の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel used for a display device or the like, and more particularly to an improvement in an electrode arrangement structure of a plasma display panel and an improvement in a material of a dielectric glass layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。CRTは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で40インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに40インチクラスの製品が開発されている(例え
ば、機能材料1996年2月号Vol.16,No.2
7ページ)。
2. Description of the Related Art In recent years, expectations for high-definition and large-screen televisions including high-definition televisions have been increasing. CRTs are superior to plasma displays and liquid crystals in terms of resolution and image quality, but are not suitable for large screens of 40 inches or more in terms of depth and weight. On the other hand, liquid crystal has excellent performance of low power consumption and low driving voltage,
There are limitations on screen size and viewing angle. On the other hand, the plasma display is capable of realizing a large screen, and a 40-inch class product has already been developed (for example, Functional Materials, February, 1996, Vol. 16, No. 2).
7 pages).

【0003】図6は、従来の交流型(AC型)のプラズ
マディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図6において51は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスよりなる前面ガラス基板(フロントカバ
ープレート)であり、この前面ガラス基板51上に銀電
極から成る表示電極52が存在し、この上をコンデンサ
の働きをする誘電体ガラス層53と酸化マグネシウム
(MgO)誘電体保護層54が覆っている。55は背面
ガラス基板(バックプレート)であり、この背面ガラス
基板55上にアドレス電極(銀電極)56,誘電体ガラ
ス層57が設けられ、その上に隔壁58、蛍光体層59
が設けられており、隔壁58間が放電ガスを封入する放
電空間60となっている。
FIG. 6 is a perspective view of a main part of a conventional alternating current (AC) type plasma display panel. In FIG. 6, reference numeral 51 denotes a front glass substrate (front cover plate) made of a sodium borosilicate glass by a float method, and a display electrode 52 made of a silver electrode is present on the front glass substrate 51, and a capacitor is placed on the display electrode 52. A dielectric glass layer 53 and a magnesium oxide (MgO) dielectric protection layer 54 which function as the above are covered. Reference numeral 55 denotes a back glass substrate (back plate) on which an address electrode (silver electrode) 56 and a dielectric glass layer 57 are provided, on which a partition wall 58 and a phosphor layer 59 are provided.
Are provided, and a space between the partition walls 58 is a discharge space 60 in which a discharge gas is sealed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年期待されているフ
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が1920×1125となり、セルピッチも42イン
チクラスで、0.15mm×0.48mmで1セルの面
積は0.072mm2の細かさになる。同じ42インチ
の大きさでハイビジョンテレビを作製したとき、1画素
の面積で従来のNTSC(画素数640×480個、セ
ルピッチ0.43mm×1.29mm、1セルの面積
0.55mm2)と比較すると、1/7〜1/8の細か
さとなる。
The pixel level of the high-definition television of full specs which is expected in recent years is 1920 × 1125 pixels, the cell pitch is also 42 inch class, and 0.15 mm × 0.48 mm. The area is as fine as 0.072 mm 2 . When prepared the HDTV in the same size of 42 inches, compared with the area of one pixel conventional NTSC (480 pieces several pixels 640 ×, cell pitch 0.43 mm × 1.29 mm, 1 area of the cell 0.55 mm 2) and Then, the resolution becomes 1/7 to 1/8.

【0005】従って、放電電極(表示電極)間距離が短
かくなるばかりでなく放電空間も狭くなるため、特に誘
電体ガラス層は、セル面積が減少するためにコンデンサ
としての同一容量を確保しようとすれば、膜厚を従来よ
りも薄くすることが必要となる。ところが、表示電極お
よびアドレス電極それぞれが前面・背面ガラス基板上に
作製されていた(図6の52,56)従来のプラズマデ
ィスプレイパネルにおいては、通常、誘電体ガラス層側
には電極がその厚み相当突入しているので、誘電体ガラ
ス層の電極周辺で電界が局所的に大きくなりやすく、例
えば、表示電極とアドレス電極間に信号を送る時(アド
レス放電をおこす時)などに、絶縁破壊が惹起されやす
いという絶縁耐圧の点で課題があった。
Therefore, not only the distance between the discharge electrodes (display electrodes) is shortened, but also the discharge space is narrowed. In particular, the dielectric glass layer has a reduced cell area, so that an attempt is made to secure the same capacitance as a capacitor. Then, it is necessary to make the film thickness thinner than before. However, in the conventional plasma display panel in which the display electrode and the address electrode are respectively formed on the front and rear glass substrates (52 and 56 in FIG. 6), usually, the electrodes correspond to the thickness on the dielectric glass layer side. Because of the intrusion, the electric field tends to be locally large around the electrodes of the dielectric glass layer. For example, when a signal is sent between a display electrode and an address electrode (when an address discharge occurs), dielectric breakdown occurs. There was a problem in terms of withstand voltage, which is easy to perform.

【0006】そこで本発明は、このような絶縁耐圧の課
題等を克服することによって、精細なセル構造の場合に
も信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを提供する
ことを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a highly reliable plasma display panel even in the case of a fine cell structure by overcoming the problem of the withstand voltage and the like.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、第1の電極と当該第1の電極を覆う誘電
体ガラス層とを配したフロントカバープレートと、第2
の電極と蛍光体層とを配したバックプレートとが対向し
てなるプラズマディスプレイパネルにおいて、前記第1
の電極が配されるフロントカバープレート部位が凹入さ
れ、当該凹部に第1の電極が没設されていることを特徴
としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a front cover plate having a first electrode and a dielectric glass layer covering the first electrode;
The plasma display panel, in which the electrodes and the back plate on which the phosphor layers are arranged face each other,
The front cover plate portion where the electrode is disposed is recessed, and the first electrode is buried in the recess.

【0008】このような構成のプラズマディスプレイと
することにより、誘電体ガラス層側への第1の電極の突
入量を少なくできるので、誘電体ガラス層の電極周辺に
おいて電界が局所的に大きくなりにくくなる。これによ
り、誘電体ガラス層の膜厚を薄く形成しても絶縁破壊さ
れにくいという効果を奏する。そして、このように誘電
体ガラス層を薄く形成することによって放電電圧を低く
すると同時に、アドレッシングの信頼性の向上を図るこ
とができ、又、パネル輝度の向上を図ることができる。
With the plasma display having such a configuration, the amount of the first electrode entering the dielectric glass layer can be reduced, so that the electric field hardly locally increases around the electrodes of the dielectric glass layer. Become. Thereby, there is an effect that even if the thickness of the dielectric glass layer is reduced, the dielectric breakdown is hardly caused. By thus forming a thin dielectric glass layer, the discharge voltage can be reduced, and at the same time, the reliability of addressing can be improved, and the panel luminance can be improved.

【0009】また、前記バックプレートに第2の電極を
覆う第2の誘電体ガラス層を配する場合、前記第2の電
極が配されるバックプレート部位を凹入し、当該凹部に
第2の電極を没設する構成とすることにより、更に、信
頼性の向上を図ることができる。ここで、誘電率が13
以上の誘電体ガラス層を形成すれば、放電電圧を低減す
る効果とパネル輝度を向上させる効果は一層向上する。
When a second dielectric glass layer covering the second electrode is provided on the back plate, a portion of the back plate where the second electrode is provided is recessed, and the second dielectric glass layer is provided in the recess. By adopting a configuration in which the electrodes are submerged, the reliability can be further improved. Here, the dielectric constant is 13
By forming the above dielectric glass layer, the effect of reducing the discharge voltage and the effect of improving the panel luminance are further improved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

〔はじめに〕はじめに、本発明について概説する。まず
図6において、表示電極52の面積をS,表示電極上の
誘電体ガラス層の厚みをd,誘電体ガラス層の誘電率を
ε,誘電体ガラス層上の電荷をQとすると表示電極52
とアドレス電極56との間の静電容量Cは、下記式で
表される。
[Introduction] First, the present invention will be outlined. First, in FIG. 6, assuming that the area of the display electrode 52 is S, the thickness of the dielectric glass layer on the display electrode is d, the dielectric constant of the dielectric glass layer is ε, and the charge on the dielectric glass layer is Q,
The capacitance C between the address and the address electrode 56 is represented by the following equation.

【0011】 C=εS/d 又、表示電極52とアドレス電極56との間に印加され
る電圧をV,表示電極52上の誘電体ガラス層上にたま
る電荷量Qとすると、VとQとの間には下記式の関係
がある。
C = εS / d Further, if the voltage applied between the display electrode 52 and the address electrode 56 is V, and the charge amount Q accumulated on the dielectric glass layer on the display electrode 52 is V, Q Has the following relationship:

【0012】 V=dQ/εS (ただし放電空間は、放電中はプラズマ状態なので導電
体となる。) 上記式,式においてdを小さくするとコンデンサー
としての静電容量Cが大きくなり、又アドレス時や表示
時の放電電圧Vが低下することになる。
V = dQ / εS (However, the discharge space becomes a conductor because it is in a plasma state during the discharge.) In the above formulas and formulas, when d is reduced, the capacitance C as a capacitor becomes large, The discharge voltage V at the time of display is reduced.

【0013】つまり、誘電体ガラス層の厚さを薄くする
ことにより、同じ電圧を印加しても電荷がたくさん溜ま
るので、高容量化と放電電圧の低減を図ることができ
る。しかし、単に誘電体ガラス層の膜厚を薄くすると絶
縁耐圧が低減し、アドレスパルスや表示パルスを印加す
る時に誘電体層が絶縁破壊されやすくなってしまう。
In other words, by reducing the thickness of the dielectric glass layer, a large amount of electric charge is accumulated even when the same voltage is applied, so that a higher capacity and a lower discharge voltage can be achieved. However, if the thickness of the dielectric glass layer is simply reduced, the dielectric strength is reduced, and the dielectric layer is easily broken down when an address pulse or a display pulse is applied.

【0014】そこで、発明者らは、フロントカバープレ
ート及びバックプレートに凹部を形成し、当該凹部に表
示電極やアドレス電極を没設させることによって、従来
のNTSC並以下の放電電圧とセルの静電容量を確保し
つつ、絶縁耐圧の向上を図った。即ち、電極をフロント
カバープレート及びバックプレートに形成された凹部に
没設させれば、誘電体ガラス層側への電極の突入量を少
なくできるので絶縁破壊が発生しにくくなる。従って、
絶縁耐圧の向上を図りながら、誘電体ガラス層を従来の
20μm程度の厚みから更に薄くすることが可能とな
る。これによって放電電圧を低くすると共に、アドレッ
シングの信頼性を向上させることが可能となり、又、パ
ネル輝度の向上を図るとこともできる。
Therefore, the present inventors formed a concave portion in the front cover plate and the back plate, and submerged the display electrode and the address electrode in the concave portion, thereby providing a discharge voltage lower than that of the conventional NTSC and a static electricity of the cell. The isolation voltage has been improved while securing the capacity. In other words, if the electrodes are submerged in the recesses formed in the front cover plate and the back plate, the amount of the electrodes protruding into the dielectric glass layer can be reduced, so that the dielectric breakdown does not easily occur. Therefore,
It is possible to further reduce the thickness of the dielectric glass layer from the conventional thickness of about 20 μm while improving the withstand voltage. This makes it possible to lower the discharge voltage, improve the reliability of the addressing, and improve the panel luminance.

【0015】ここで、従来用いられてきた誘電率εが約
10のPbO−B23−SiO2系,PbO−B23
SiO2−ZnO又は、PbO−B23−SiO2−Al
23系の誘電体ガラスに変え、誘電率εが13以上の誘
電体ガラスを用いれば、輝度の向上及び放電電圧を低く
する効果はより顕著になる。なお、フロントガバープレ
ート,バックプレートの凹部に電極を没設する方法とし
ては、まず、フォトレジスト法を用いて凹部を形成し、
次に、各電極をこの凹部にスクリーン印刷法で形成する
方法を挙げることができる。
Here, a PbO—B 2 O 3 —SiO 2 system, PbO—B 2 O 3 —, which has been conventionally used and has a dielectric constant ε of about 10, is used.
SiO 2 —ZnO or PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —Al
If a dielectric glass having a dielectric constant ε of 13 or more is used instead of a 2 O 3 -based dielectric glass, the effects of improving the luminance and lowering the discharge voltage become more remarkable. As a method of immersing the electrodes in the concave portions of the front governor plate and the back plate, first, the concave portions are formed by using a photoresist method,
Next, a method of forming each electrode in the concave portion by a screen printing method can be cited.

【0016】〔実施の形態〕図1は、本実施の形態に係
る交流面放電型プラズマディスプレイパネル(以下「P
DP」という)の要部斜視図、図2は、図1におけるX
−X線矢視断面図、図3は、図1におけるY−Y線矢視
断面図である。なお、これらの図では便宜上セルが3つ
だけ示されているが、実際には赤(R),緑(G),青
(B)の各色を発光するセルが多数配列されてPDPが
構成されている。
[Embodiment] FIG. 1 shows an AC surface discharge type plasma display panel (hereinafter referred to as "P") according to this embodiment.
DP ”). FIG. 2 is a perspective view of X in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line X-Y in FIG. 1. In these figures, only three cells are shown for the sake of convenience. However, a PDP is constituted by arranging a large number of cells emitting red (R), green (G), and blue (B) in actuality. ing.

【0017】このPDPは、各図に示すように前面ガラ
ス基板(フロントカバープレート)11に放電電極(表
示電極)12が没設され、その上に誘電体ガラス層13
が配されてなる前面パネル10と、背面ガラス基板(バ
ックプレート)21にアドレス電極22が没設され、そ
の上に誘電体ガラス層23,隔壁24,R,G,B各色
の蛍光体層25が配されてなる背面パネル20とを張り
合わせ、前面パネル10と背面パネル20の間に形成さ
れる放電空間30内に放電ガスが封入された構成となっ
ており、以下に示すように作製される。
In this PDP, a discharge electrode (display electrode) 12 is submerged on a front glass substrate (front cover plate) 11 as shown in each figure, and a dielectric glass layer 13
Are disposed on a front panel 10 on which a substrate is disposed and a rear glass substrate (back plate) 21, and a dielectric glass layer 23, partition walls 24, and phosphor layers 25 of each color of R, G, and B are formed thereon. Are bonded to each other, and a discharge gas is sealed in a discharge space 30 formed between the front panel 10 and the back panel 20, and is manufactured as described below. .

【0018】前面パネル10の作製:前面パネル10
は、前面ガラス基板11に放電電極(表示電極)12を
没設し、その上を本実施の形態では誘電率εが13以上
の誘電体ガラス層13で覆い、更に誘電体ガラス層13
の表面上に保護層14を形成することによって作製す
る。
Preparation of Front Panel 10: Front Panel 10
In this embodiment, a discharge electrode (display electrode) 12 is immersed in a front glass substrate 11, which is covered with a dielectric glass layer 13 having a dielectric constant ε of 13 or more in the present embodiment.
It is produced by forming a protective layer 14 on the surface of.

【0019】放電電極12は、以下のようにして、前面
ガラス基板11に没設する。図4を用いながら説明す
る。まず、前面ガラス基板11上に厚さ5μmのフォト
レジストを塗布し、放電電極12が形成されるところだ
けをフォトレジストがなくなるように露光、現像してフ
ォトレジストを取り除き、次にその部分をフッ酸を用い
てエッチングし、ガラス基板11上に例えば5μmの深
さの凹部を形成する。
The discharge electrode 12 is immersed in the front glass substrate 11 as follows. This will be described with reference to FIG. First, a photoresist having a thickness of 5 μm is applied on the front glass substrate 11, and only the portions where the discharge electrodes 12 are to be formed are exposed and developed so as to eliminate the photoresist, and the photoresist is removed. Etching is performed using an acid to form a concave portion having a depth of, for example, 5 μm on the glass substrate 11.

【0020】次に銀電極用ペーストをスクリーン印刷法
にて前面ガラス基板11の前記凹部に埋め込み、乾燥後
レジストのみを剥離液を用いるなどして剥離し、その後
Agを焼成することによって、第1の電極としての銀電
極(放電電極)12を形成する。このように焼成したの
ち、電極のガラス基板表面から突出した部分を研磨し
て、ガラス基板表面と電極表面とを面一にかつ平坦にす
る。
Next, a paste for a silver electrode is embedded in the concave portion of the front glass substrate 11 by screen printing, and after drying, only the resist is peeled off by using a peeling liquid or the like. A silver electrode (discharge electrode) 12 is formed. After the firing, the portion of the electrode protruding from the glass substrate surface is polished to make the glass substrate surface and the electrode surface flush and flat.

【0021】このように放電電極を前面ガラス基板11
に没設することで、誘電体ガラス層13側に放電電極1
2が突入量が極めて少ない構成となるので、上述したよ
うに誘電体ガラス層の絶縁耐圧の向上を図ることができ
る。次に、これに本実施の形態では誘電率εが13以上
の誘電体ガラス層13を形成する。
As described above, the discharge electrodes are connected to the front glass substrate 11.
The discharge electrode 1 on the dielectric glass layer 13 side.
2 has an extremely small amount of intrusion, so that the dielectric withstand voltage of the dielectric glass layer can be improved as described above. Next, in this embodiment, a dielectric glass layer 13 having a dielectric constant ε of 13 or more is formed thereon.

【0022】この誘電体ガラス層13の素材としては例
えば、酸化鉛(PbO),酸化硼素(B23),酸化硅
素(SiO2),酸化チタン(TiO2)及び酸化アルミ
ニウム(Al23)からなるガラス、あるいは、酸化ビ
スマス(Bi23),酸化亜鉛(ZnO),酸化硼素
(B23),酸化硅素(SiO2),酸化カルシウム
(CaO)及び酸化チタン(TiO2)からなるガラス
を用いて焼成されたガラスを用いる。
The material of the dielectric glass layer 13 is, for example, lead oxide (PbO), boron oxide (B 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), and aluminum oxide (Al 2 O). 3 ) Glass, or bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), calcium oxide (CaO), and titanium oxide (TiO 2) ) Is used.

【0023】このようにTiO2が含有されている組成
のガラスは、誘電率εを13以上に調整することが容易
となる(以下の表1を参照)。TiO2の含有量が5重
量%以上になれば誘電率εは顕著に向上するが、含有量
が10重量%を越えると誘電体ガラス層の光透過率が低
下するので、TiO2の含有量が5〜10重量%のガラ
スを用いることが望ましい。
As described above, the glass having the composition containing TiO 2 can easily adjust the dielectric constant ε to 13 or more (see Table 1 below). Since the TiO 2 content is significantly improved dielectric constant ε if more than 5 wt%, the light transmittance of the content exceeds 10 wt% dielectric glass layer is decreased, the content of TiO 2 Is desirably 5 to 10% by weight of glass.

【0024】この誘電体ガラス層13は、前記各酸化物
を有機バインダと混合した誘電体ガラスペーストをスク
リーン印刷し、例えば540℃で焼成して形成される。
誘電体ガラス層の厚みは、薄いほどパネル輝度の向上と
放電電圧を低減するという効果は顕著になるので、絶縁
耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ薄く設定す
るのが望ましい。
The dielectric glass layer 13 is formed by screen-printing a dielectric glass paste in which each of the above oxides is mixed with an organic binder and baking it at 540 ° C., for example.
As the thickness of the dielectric glass layer becomes thinner, the effect of improving the panel luminance and reducing the discharge voltage becomes remarkable, so that it is desirable to set the thickness as thin as possible within a range where the withstand voltage does not decrease.

【0025】従って、本実施の形態では、誘電体ガラス
層13の厚みを、従来の厚み略20μmよりも薄い所定
厚み(例えば、15μm)に設定する。次に、誘電体ガ
ラス層13上にアルカリ土類の酸化物からなる保護層1
4を形成する。本実施の形態では、CVD法(熱CVD
法あるいはプラズマCVD法)を用いて、(100)面
あるいは(110)面配向の酸化マグネシウム(Mg
O)からなる保護層を形成する。CVD法による保護層
14の形成についての詳細は後述する。
Therefore, in the present embodiment, the thickness of the dielectric glass layer 13 is set to a predetermined thickness (for example, 15 μm) smaller than the conventional thickness of approximately 20 μm. Next, the protective layer 1 made of an alkaline earth oxide is formed on the dielectric glass layer 13.
4 is formed. In this embodiment, the CVD method (thermal CVD)
(100) or (110) plane oriented magnesium oxide (Mg
A protective layer made of O) is formed. Details of the formation of the protective layer 14 by the CVD method will be described later.

【0026】背面パネル20の作製:まず、背面ガラス
基板21に前述したフォトレジスト法により凹部を形成
し、この凹部に放電電極12と同様にして第2の電極と
してのアドレス電極22を形成し、その上に前面パネル
10の場合と同様にスクリーン印刷法と焼成によって前
記PbO−B23−SiO2−TiO2−Al23系或は
前記Bi23−ZnO−B23−SiO2−CaO−T
iO2系の誘電体ガラス層23を形成する。
Preparation of back panel 20: First, a concave portion is formed on the rear glass substrate 21 by the above-described photoresist method, and an address electrode 22 as a second electrode is formed in this concave portion in the same manner as the discharge electrode 12. The PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —TiO 2 —Al 2 O 3 system or the Bi 2 O 3 —ZnO—B 2 O 3 is further formed thereon by screen printing and baking in the same manner as in the case of the front panel 10. -SiO 2 -CaO-T
An iO 2 -based dielectric glass layer 23 is formed.

【0027】そして、ガラス製の隔壁24を所定のピッ
チで固着する。そして、隔壁24に挟まれた各空間内
に、赤色(R)蛍光体,緑色(G)蛍光体,青色(B)
蛍光体の中の1つを配設することによって蛍光体層25
を形成する。各色R,G,Bの蛍光体としては、一般的
にPDPに用いられている蛍光体を用いることができる
が、ここでは次の蛍光体を用いる。
Then, the partition walls 24 made of glass are fixed at a predetermined pitch. The red (R) phosphor, the green (G) phosphor, and the blue (B) are placed in each space between the partition walls 24.
By disposing one of the phosphors, the phosphor layer 25 is formed.
To form As the phosphors of the respective colors R, G, and B, phosphors generally used in PDPs can be used. Here, the following phosphors are used.

【0028】赤色蛍光体 : (YXGd1-X)BO3
Eu3+ 緑色蛍光体 : Zn2SiO4:Mn 青色蛍光体 : BaMgAl1017:Eu2+或はBa
MgAl1423:Eu2+ 前面パネル10及び背面パネル20の張り合わせによる
PDPの作製:次に、前述のようにして作製した前面パ
ネル10と背面パネル20とを封着用ガラスを用いて張
り合せると共に、隔壁24で仕切られた放電空間30内
を高真空(8×10-7Torr)に排気した後、所定の
組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによってP
DPを作製する。
Red phosphor: (YXGd 1-X ) BO 3 :
Eu 3+ green phosphor: Zn 2 SiO 4 : Mn Blue phosphor: BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ or Ba
Production of PDP by laminating MgAl 14 O 23 : Eu 2+ front panel 10 and rear panel 20: Next, front panel 10 and rear panel 20 produced as described above are laminated together with sealing glass. After the inside of the discharge space 30 partitioned by the partition wall 24 is evacuated to a high vacuum (8 × 10 −7 Torr), a discharge gas having a predetermined composition is sealed at a predetermined pressure, thereby reducing the pressure.
Prepare DP.

【0029】このようにして作製されたPDPは、各電
極(表示電極及びアドレス電極)が誘電体ガラス層側に
突入量が極めて少なく、図1〜図3に示すように各電極
と誘電体ガラス層との境界面は略面一の電極配置構造を
なしている。なお、本実施の形態では、PDPのセルサ
イズは、40インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを0.2mm以下、放電電極12
の電極間距離dを0.1mm以下に設定する。
In the PDP manufactured as described above, the amount of each electrode (display electrode and address electrode) protruding into the dielectric glass layer side is extremely small, and as shown in FIGS. The boundary surface with the layer has a substantially flat electrode arrangement structure. In the present embodiment, the cell size of the PDP is set to 0.2 mm or less and the discharge electrode 12 is adapted to a 40-inch class high-definition television.
Is set to 0.1 mm or less.

【0030】また、封入する放電ガスの組成は、従来か
ら用いられているHe−Xe系であるが、Xeの含有量
を10体積%以上に、封入圧力は500〜760Tor
rに設定することで、セルの発光輝度の向上を図ってい
る。 (CVD装置による保護層14の形成について)図5
は、保護層14を形成する際に用いるCVD装置40の
概略図である。
The composition of the discharge gas to be filled is a He-Xe type conventionally used, but the content of Xe is 10% by volume or more, and the filling pressure is 500 to 760 Torr.
By setting r, the light emission luminance of the cell is improved. (Regarding Formation of Protective Layer 14 by CVD Apparatus) FIG.
FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus 40 used when forming the protective layer 14.

【0031】このCVD装置40は、熱CVD及びプラ
ズマCVDの何れも行うことができるものであって、C
VD装置本体45の中には、ガラス基板47(図1にお
ける放電電極12及び誘電体ガラス層13を形成した前
面ガラス基板11)を加熱するヒータ部46が設けら
れ、CVD装置本体45内は排気装置49で減圧にする
ことができるようになっている。また、CVD装置本体
45の中にプラズマを発生させるための高周波電源48
が設置されている。
The CVD apparatus 40 can perform both thermal CVD and plasma CVD.
A heater section 46 for heating a glass substrate 47 (the front glass substrate 11 on which the discharge electrodes 12 and the dielectric glass layer 13 are formed in FIG. 1) is provided in the VD apparatus main body 45, and the inside of the CVD apparatus main body 45 is exhausted. The pressure can be reduced by the device 49. Further, a high frequency power supply 48 for generating plasma in the CVD apparatus main body 45 is provided.
Is installed.

【0032】Arガスボンベ41a,41bは、キャリ
アであるアルゴン[Ar]ガスを、気化器(バブラー)
42,43を経由してCVD装置本体45に供給するも
のである。気化器42は、アルカリ土類の酸化物の原料
(ソース)となる金属キレートあるいはシクロペンタジ
エニル化合物を加熱して蓄え、Arガスボンベ41aか
らArガスを吹き込むことによって、この金属キレート
あるいはシクロペンタジエニル化合物を蒸発させてCV
D装置本体45に送り込むことができるようになってい
る。
The Ar gas cylinders 41a and 41b convert argon [Ar] gas as a carrier into a vaporizer (bubbler).
This is supplied to the CVD apparatus main body 45 via 42 and 43. The vaporizer 42 heats and stores a metal chelate or a cyclopentadienyl compound serving as a raw material (source) of the alkaline earth oxide, and blows Ar gas from an Ar gas cylinder 41a to form the metal chelate or cyclopentadienyl compound. Evaporate the enyl compound to obtain CV
It can be sent to the D device main body 45.

【0033】気化器43は、アルカリ土類の酸化物の原
料(ソース)となるシクロペンタジエニル化合物を加熱
して貯え、Arガスボンベ41bからArガスを吹き込
むことによって、このシクロペンタジエニル化合物を蒸
発させてCVD装置本体45に送り込むことができるよ
うになっている。酸素ボンベ44は、反応ガスである酸
素[O2]をCVD装置本体45に供給するものであ
る。
The vaporizer 43 heats and stores the cyclopentadienyl compound, which is a raw material (source) of the alkaline earth oxide, and blows the cyclopentadienyl compound by blowing Ar gas from an Ar gas cylinder 41b. It can be evaporated and sent to the CVD apparatus main body 45. The oxygen cylinder 44 supplies oxygen [O 2 ] as a reaction gas to the main body 45 of the CVD apparatus.

【0034】(1) 熱CVD法 前記CVD装置40を用いて熱CVD法を行う場合、ヒ
ータ部46の上に、放電電極12が没設されその上に誘
電体ガラス層13が形成されたガラス基板47を誘電体
ガラス層13を上にして置き、所定の温度(350℃〜
400℃)に加熱すると共に、反応容器内を排気装置4
9で所定圧(数十Torr程度)に減圧する。
(1) Thermal CVD In the case of performing thermal CVD using the CVD apparatus 40, a glass in which the discharge electrode 12 is immersed on the heater section 46 and the dielectric glass layer 13 is formed thereon is formed. The substrate 47 is placed with the dielectric glass layer 13 facing upward and at a predetermined temperature (350 ° C.
400 ° C.), and an exhaust device 4
At 9, the pressure is reduced to a predetermined pressure (about several tens Torr).

【0035】そして、気化器42または気化器43で、
ソースとなるアルカリ土類の金属キレートまたはシクロ
ペンタジエニル化合物を所定の温度(80℃〜125
℃)に加熱しながら、Arガスボンベ41aまたは41
bからArガスを送り込む。また、これと同時に、酸素
ボンベ44から酸素を流す。これによって、CVD装置
本体45内に送り込まれる金属キレート若しくはシクロ
ペンタジエニル化合物が酸素と反応し、ガラス基板47
の誘電体ガラス層13の表面上にアルカリ土類の酸化物
からなる保護層14が形成される。
Then, in the vaporizer 42 or the vaporizer 43,
An alkaline earth metal chelate or cyclopentadienyl compound as a source is heated to a predetermined temperature (80 ° C. to 125 ° C.).
C) while heating to the Ar gas cylinder 41a or 41a.
Ar gas is sent from b. At the same time, oxygen is supplied from the oxygen cylinder 44. As a result, the metal chelate or cyclopentadienyl compound fed into the CVD apparatus main body 45 reacts with oxygen, and the glass substrate 47
A protective layer 14 made of an alkaline earth oxide is formed on the surface of the dielectric glass layer 13.

【0036】(2) プラズマCVD法 上記構成のCVD装置40を用いて、プラズマCVDを
行う場合も、熱CVDの場合とほぼ同様に行うが、ヒー
タ部46によるガラス基板47の加熱温度は250〜3
00℃程度に、排気装置49を用いて減圧(10Tor
r程度)し、高周波電源48を駆動して、例えば、1
3.56MHzの高周波電界を印加することにより、C
VD装置本体45内にプラズマを発生させながら、アル
カリ土類の酸化物からなる保護層14を形成する。
(2) Plasma CVD Method The plasma CVD method using the CVD apparatus 40 having the above structure is performed in substantially the same manner as the thermal CVD method. 3
The pressure was reduced to about 00 ° C. using the exhaust device 49 (10 Torr).
r), and driving the high-frequency power supply 48 to, for example, 1
By applying a high frequency electric field of 3.56 MHz, C
The protective layer 14 made of alkaline earth oxide is formed while generating plasma in the VD device main body 45.

【0037】気化器42或は気化器43から供給するソ
ース(金属キレート及びシクロペンタジエニル化合物)
の具体例としては、アルカリ土類のジピバロイルメタン
化合物[M(C111922]、アルカリ土類のアセチ
ルアセトン化合物[M(C5722]、アルカリ土類
のトリフルオロアセチルアセトン化合物[M(C5 5
322]、アルカリ土類のシクロペンタジエン化合物
[M(C552]を挙げることができる(上記化学式
で、Mはアルカリ土類の元素を表す)。
The source supplied from the vaporizer 42 or the vaporizer 43
(Metal chelates and cyclopentadienyl compounds)
Examples of the alkaline earth dipivaloylmethane
Compound [M (C11H19OTwo)Two], Alkaline earth acetylene
Luacetone compound [M (CFiveH7OTwo)Two], Alkaline earth
Trifluoroacetylacetone compound [M (CFiveH FiveF
ThreeOTwo)Two], Alkaline earth cyclopentadiene compounds
[M (CFiveHFive)Two] (The above chemical formula
And M represents an alkaline earth element).

【0038】なお、本実施の形態では、アルカリ土類は
マグネシウムであって、MagnesiumDipivaloyl Methane
[Mg(C111922]、Magnesium Acetylacetone
[Mg(C5722]、Cyclopentadienyl Magnesium
[Mg(C552]、Magnesium Trifluoroacetylacet
one[Mg(C55322]を挙げることができる。
In this embodiment, the alkaline earth is magnesium, and Magnesium Dipivaloyl Methane
[Mg (C 11 H 19 O 2 ) 2 ], Magnesium Acetylacetone
[Mg (C 5 H 7 O 2) 2], Cyclopentadienyl Magnesium
[Mg (C 5 H 5 ) 2 ], Magnesium Trifluoroacetylacet
one [Mg (C 5 H 5 F 3 O 2) 2] can be exemplified.

【0039】保護層14の膜厚は、耐スパッタリング性
を確保できる範囲で、2次電子放出量の向上を図るため
にできるだけ薄く形成することが望ましく、本実施の形
態では0.3μmの厚みに形成してある。以上のように
本実施の形態のPDPは、放電電圧の低減を図れるの
で、動作時にパネル各構成部位に掛かる負荷が低減され
る。しかも絶縁耐圧が向上されているので、例えば長期
に及ぶ繰り返し使用に対して、高いパネル輝度や低い放
電電圧等の優れた初期性能を維持することができ信頼性
に優れたものである。
The thickness of the protective layer 14 is desirably as small as possible in order to improve the amount of secondary electrons emitted within a range in which the sputtering resistance can be ensured. In the present embodiment, the protective layer 14 has a thickness of 0.3 μm. It is formed. As described above, the PDP of the present embodiment can reduce the discharge voltage, so that the load applied to each component of the panel during operation is reduced. In addition, since the withstand voltage is improved, excellent initial performance such as high panel luminance and low discharge voltage can be maintained for, for example, repeated use over a long period of time, and the reliability is excellent.

【0040】なお、上記図面では各電極と誘電体ガラス
層との境界面は完全面一に図示しているが、これに限定
されないのは言うまでもなく、電極12及び22が誘電
体ガラス層側に僅かに突入しているような場合や、各電
極と誘電体ガラス層との境界面で誘電体ガラス層がガラ
ス基板側に突入するような場合にも前記同様の効果を奏
する。
In the above drawings, the boundary surface between each electrode and the dielectric glass layer is illustrated as being completely flush, but it is needless to say that the electrodes 12 and 22 are not necessarily placed on the dielectric glass layer side. The same effect as described above can be obtained in the case where the dielectric glass layer slightly protrudes, or in the case where the dielectric glass layer protrudes toward the glass substrate at the interface between each electrode and the dielectric glass layer.

【0041】更に、放電電極12およびアドレス電極2
2の双方を没設しなくても、放電電極12のみあるいは
アドレス電極22のみを没設する構成とすることもでき
るが、双方の電極を没設する方が、絶縁耐圧を向上させ
る効果は顕著である。また、背面パネル20側の誘電体
ガラス層23よりも、前面パネル10側の誘電体ガラス
層13の方が、輝度及び放電電圧に与える影響が大きい
ので、それら双方に誘電率εが大きなものを用いなくて
も、少なくとも前面パネル10側に誘電率εが大きな誘
電体ガラス層は配すれば、輝度向上効果及び放電電圧低
減の効果を得ることができる。
Further, the discharge electrode 12 and the address electrode 2
Even if both electrodes 2 and 2 are not buried, only the discharge electrode 12 or only the address electrode 22 may be buried, but burying both electrodes has a remarkable effect of improving the dielectric strength. It is. In addition, since the dielectric glass layer 13 on the front panel 10 has a greater effect on luminance and discharge voltage than the dielectric glass layer 23 on the back panel 20, the dielectric glass layer 13 having a larger dielectric constant ε is used for both of them. Even if not used, if a dielectric glass layer having a large dielectric constant ε is arranged at least on the front panel 10 side, it is possible to obtain the effect of improving brightness and the effect of reducing discharge voltage.

【0042】[0042]

【実施例】【Example】

〔実施例1〜12及び比較例13〕 [Examples 1 to 12 and Comparative Example 13]

【0043】[0043]

【表1】 [Table 1]

【0044】表1に示した試料No.1〜6のPDP
は、前記実施の形態に基づいて放電電極及びアドレス電
極双方をガラス基板に没設し、PbO−B23−SiO
2−TiO2−Al23系からなる誘電率εが15,1
7,20,16,13,10で膜厚15μmの誘電体ガ
ラス層を有するものであって、PDPのセルサイズは、
42インチのハイビジョンテレビ用のディスプレイに合
わせて、隔壁24の高さは0.15mm、隔壁24の間
隔(セルピッチ)は0.15mmに設定し、放電電極1
2の電極間距離dは0.05mmに設定した。
Sample No. shown in Table 1 1-6 PDP
Is based on the above embodiment, in which both the discharge electrode and the address electrode are immersed in a glass substrate, and PbO—B 2 O 3 —SiO
The dielectric constant ε of a 2- TiO 2 —Al 2 O 3 system is 15,1
It has a dielectric glass layer of 7, 20, 16, 13, 10 and a film thickness of 15 μm, and the cell size of the PDP is
According to the display for a 42-inch high-definition television, the height of the partition walls 24 is set to 0.15 mm, the interval between the partition walls 24 (cell pitch) is set to 0.15 mm.
The distance d between the two electrodes was set to 0.05 mm.

【0045】そして、Xeの含有量が10体積%のHe
−Xe系の混合ガスを封入圧600Torrに封入し
た。MgO保護層14の形成方法については、試料N
o.1〜3のPDPでは保護層を熱CVD法で作製し、
試料No.4,5,6のPDPについてはプラズマCV
D法で作製した。
Then, the content of Xe is 10% by volume of He.
An -Xe-based mixed gas was sealed at a sealing pressure of 600 Torr. For the method of forming the MgO protective layer 14, see Sample N
o. In PDPs 1 to 3, the protective layer is formed by a thermal CVD method,
Sample No. Plasma CV for 4, 5, and 6 PDPs
It was prepared by Method D.

【0046】また、熱CVD法においてはMagnesium Di
pivaloyl Methane[Mg(C111922]を、プラズ
マCVD法においては、Cyclopentadienyl Magnesium
[Mg(C552]を、ソースとして用いた。その他
の条件としては、熱CVD法では気化器の温度125
℃、ガラス基板47の加熱温度は350℃、Arガスは
1L/分、酸素は2L/分で1分間ガラス基板47上に
流し、膜形成速度1.0μm/分に調整して、厚さ0.
3μmのMgO保護層を形成した。
In the thermal CVD method, Magnesium Di is used.
pivaloyl methane [Mg (C 11 H 19 O 2 ) 2 ] is used in plasma CVD to prepare cyclopentadienyl magnesium.
[Mg (C 5 H 5 ) 2 ] was used as a source. As other conditions, in the thermal CVD method, the vaporizer temperature 125
C., the heating temperature of the glass substrate 47 is 350 ° C., Ar gas is flowed at 1 L / min, and oxygen is flowed at 2 L / min over the glass substrate 47 for 1 minute, and the film formation speed is adjusted to 1.0 μm / min. .
A 3 μm MgO protective layer was formed.

【0047】プラズマCVD法では、気化器の温度12
5℃、ガラス基板47の加熱温度は250℃、Arガス
は1L/分、酸素は2L/分で1分間ガラス基板47上
に流し、10Torrに減圧し、高周波電源48から1
3.56MHzの高周波電界300Wで20秒間印加し
て膜厚0.3μmのMgO保護層を形成した(膜形成速
度1.0μm/分)。
In the plasma CVD method, the vaporizer temperature 12
5 ° C., the heating temperature of the glass substrate 47 is 250 ° C., Ar gas is supplied at a rate of 1 L / min, and oxygen is supplied at a rate of 2 L / min over the glass substrate 47 for 1 minute.
By applying a 3.56 MHz high frequency electric field of 300 W for 20 seconds, an MgO protective layer having a thickness of 0.3 μm was formed (film formation speed: 1.0 μm / min).

【0048】このようにして形成したMgO保護層をX
線解析で結晶面を調べたところ、全ての試料において
(100)面に配向した結晶であった。試料No.7〜
12のPDPは、誘電体ガラス層にPbO−B23−S
iO2−TiO2−Al23系に代えてBi23−ZnO
−B23−SiO2−CaO−TiO2系の誘電率εが1
8,24,20,19,20,12のものを用い、放電
ガスにXeを20体積%混合してある以外は、試料N
o.1〜6のPDPと同様の設定にしてある。なお、M
gO保護層の形成は全てプラズマCVD法で行った。
The MgO protective layer thus formed is
When the crystal plane was examined by line analysis, all the samples were crystals oriented to the (100) plane. Sample No. 7 ~
12 of the PDP, PbO-B 2 O 3 -S a dielectric glass layer
Bi 2 O 3 —ZnO instead of iO 2 —TiO 2 —Al 2 O 3
-B 2 O 3 -SiO 2 -CaO- TiO 2 based dielectric constant of ε is 1
8, 24, 20, 19, 20, and 12 except that the discharge gas was mixed with 20% by volume of Xe.
o. The settings are the same as those of the PDPs 1 to 6. Note that M
The formation of the gO protective layer was all performed by the plasma CVD method.

【0049】試料No.13のPDPは比較例であっ
て、電極を没設していない以外は、試料No.9のPD
Pと同様の設定にしてある。 〔実験〕 実験1;以上のようにして作製した試料No.1〜13
のPDPについて、パネル輝度を測定した。この輝度
は、各試作PDPで絶縁破壊しにくい条件である放電維
持電圧150V程度,周波数30Hz程度で放電させた
時の測定値である。前記表1に結果を併記した。
Sample No. PDP No. 13 is a comparative example, except that the electrode was not immersed. 9 PD
The settings are the same as P. [Experiment] Experiment 1; 1-13
About PDP, panel luminance was measured. The luminance is a value measured when a discharge is performed at a discharge sustaining voltage of about 150 V and a frequency of about 30 Hz, which is a condition under which dielectric breakdown is difficult in each prototype PDP. Table 1 also shows the results.

【0050】実験2;次に、試料No.1〜13のPD
Pと同様のものを20枚づつ作製し、これらを加速寿命
テストに供した。この加速寿命テストは、通常の使用条
件よりもかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧25
0V、周波数50KHzで4時間連続で放電した。その
後、パネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況(パネルの
欠陥)を調べた。この結果も表1に併記した。
Experiment 2: Sample No. PD of 1-13
Twenty sheets of the same material as P were produced, and these were subjected to an accelerated life test. This accelerated life test was performed under severer conditions than normal use conditions, and the discharge sustaining voltage was 25%.
The battery was discharged continuously at 0 V and a frequency of 50 KHz for 4 hours. Thereafter, the state of breakage of the dielectric glass layer and the like in the panel (panel defect) was examined. The results are also shown in Table 1.

【0051】考察;試料No.1〜13の輝度の測定結
果では、従来のPDPのパネル輝度が400cd/m2
程度(日経エレクトロニクス 1997年 Vol.5
−5 106頁参照)であるのに比べ、優れたパネルの
輝度を示している。これより誘電体ガラス層を薄く形成
することにより、パネル輝度を向上できることが分か
る。
Consideration: Sample No. According to the luminance measurement results of 1 to 13, the panel luminance of the conventional PDP is 400 cd / m 2.
Degree (Nikkei Electronics 1997 Vol.5
-5 Refer to page 106). This indicates that the panel brightness can be improved by forming the dielectric glass layer thin.

【0052】加速寿命テストの結果から電極をガラス基
板に没設して作製した試料No1〜12のPDPでは、
電極をガラス基板に没設していない試料No.13のP
DPと比べて、絶縁耐圧に優れていることが明らかであ
る。これらの結果から、電極を没設すれば誘電体ガラス
層を従来よりも薄い15μmに形成して輝度の向上を図
る場合でも、絶縁耐圧の向上を図ることができることが
分かる。
From the results of the accelerated life test, in the PDPs of Sample Nos. 1 to 12 produced by immersing the electrodes in the glass substrate,
Sample No. in which the electrode was not immersed in the glass substrate 13 P
It is clear that the dielectric strength is superior to DP. From these results, it is understood that if the electrode is immersed, the dielectric withstand voltage can be improved even when the dielectric glass layer is formed to be 15 μm thinner than the conventional one and the luminance is improved.

【0053】次に、電極をガラス基板に没設した試料N
o.1〜12のパネルを相互に比較してみると、誘電率
εが13以上の誘電体ガラス層を配した試料No.1〜
5及び試料No.7〜11のPDPにおいて、試料N
o.6や試料No.12のPDPと比べて、特に、絶縁
耐圧の向上は顕著であり、又、パネル輝度も500cd
/m2以上と一層向上している。これは、誘電率εの大
きな誘電体ガラス層を薄く形成することによって、輝度
により優れ、放電電圧もより低いPDPが得られること
を裏付けている。
Next, the sample N in which the electrode was immersed in a glass substrate was used.
o. Comparing the panels Nos. 1 to 12 with each other, Sample No. 1 in which a dielectric glass layer having a dielectric constant ε of 13 or more was disposed. 1 to
5 and sample no. In PDPs 7 to 11, sample N
o. 6 and sample no. Compared to the PDP of No. 12, the improvement of the withstand voltage is particularly remarkable, and the panel luminance is also 500 cd.
/ M 2 or more. This confirms that a thinner dielectric glass layer having a large dielectric constant ε can provide a PDP having better luminance and a lower discharge voltage.

【0054】なお、試料No.13のPDPで、誘電率
εが20と大きく、かつ、電極上の誘電体ガラス層の実
効的な厚みが、試料No.1〜12と比べて薄いにも関
らず輝度が低いのは、従来の電極配置で誘電体ガラス層
を薄くしてあるので、他の試作PDPと比べて絶縁破壊
しやすく、従って、輝度の測定を放電維持電圧より低い
電圧で測定せざるをえないからである。
The sample No. In the PDP of Sample No. 13, the dielectric constant ε was as large as 20, and the effective thickness of the dielectric glass layer on the electrode was as large as that of Sample No. 13. The reason why the luminance is low in spite of being thin as compared with 1 to 12 is that the dielectric glass layer is thinned by the conventional electrode arrangement, so that the dielectric breakdown is easy compared with other prototype PDPs. This is because the measurement must be performed at a voltage lower than the discharge maintaining voltage.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のプラズ
マディスプレイパネルによると、第1の電極と当該第1
の電極を覆う誘電体ガラス層とを配したフロントカバー
プレートと、第2の電極と蛍光体層とを配したバックプ
レートとが対向してなるプラズマディスプレイパネルに
おいて、前記第1の電極が配されるフロントカバープレ
ート部位が凹入され、当該凹部に第1の電極を没設する
ことにより、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧
の低下を招くことないので、低い放電電圧で高輝度の、
又、アドレッシングや耐久性における信頼性が高いプラ
ズマディスプレイパネルが得られる。
As described above, according to the plasma display panel of the present invention, the first electrode and the first electrode
In a plasma display panel in which a front cover plate provided with a dielectric glass layer covering the electrodes and a back plate provided with a second electrode and a phosphor layer face each other, the first electrode is provided. Since the front cover plate portion is recessed and the first electrode is immersed in the recess, the dielectric withstand voltage does not decrease even if the dielectric glass layer is formed thin. of,
Further, a plasma display panel having high reliability in addressing and durability can be obtained.

【0056】また、前記バックプレートが、第2の電極
を覆う第2の誘電体ガラス層を配してなるものである場
合に、前記第2の電極が配されるバックプレート部位を
凹入し、当該凹部に第2の電極を没設する電極配置構成
をとることにより、更に、信頼性の向上を図ることがで
きる。また、前記第1の誘電体ガラス層及び第2の誘電
体ガラス層の少なくとも一方に誘電率が13以上のもの
を用いれば、放電電圧を低減する効果及びパネル輝度を
向上させる効果は顕著になる。
When the back plate is provided with a second dielectric glass layer covering the second electrode, the back plate portion where the second electrode is provided is recessed. By adopting an electrode arrangement configuration in which the second electrode is immersed in the recess, reliability can be further improved. Further, when at least one of the first dielectric glass layer and the second dielectric glass layer has a dielectric constant of 13 or more, the effect of reducing the discharge voltage and the effect of improving the panel luminance become remarkable. .

【0057】この誘電率13以上の誘電体ガラス層とし
ては、酸化鉛(PbO),酸化硼素(B23),酸化硅
素(SiO2),酸化チタン(TiO2),酸化アルミニ
ウム(Al23)からなるものや、酸化ビスマス(Bi
23),酸化亜鉛(ZnO),酸化硼素(B23),酸
化珪素(SiO2),酸化カルシウム(CaO),酸化
チタン(TiO2)からなるものを用いることもでき
る。
The dielectric glass layer having a dielectric constant of 13 or more includes lead oxide (PbO), boron oxide (B 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or bismuth oxide (Bi
2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), calcium oxide (CaO), and titanium oxide (TiO 2 ) can also be used.

【0058】このような組成の誘電体ガラス層は、特に
酸化チタンの含有量によって誘電率が左右され、酸化チ
タンの含有量を5重量%〜10重量%とすることによっ
て、容易に誘電率を13以上に設定することができる。
The dielectric constant of the dielectric glass layer having such a composition is particularly affected by the content of titanium oxide. By setting the content of titanium oxide to 5% by weight to 10% by weight, the dielectric constant can be easily reduced. It can be set to 13 or more.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの要部斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a main part of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

【図2】前記プラズマディスプレイパネルのX−X線矢
視断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of the plasma display panel taken along line XX.

【図3】前記プラズマディスプレイパネルのY−Y線矢
視断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of the plasma display panel taken along line YY.

【図4】前面ガラス基板への電極の埋設方法を示す模式
図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a method of embedding an electrode in a front glass substrate.

【図5】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるCVD装置の概略図で
ある。
FIG. 5 is a schematic view of a CVD apparatus used when manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

【図6】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
要部斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a main part of a conventional AC type plasma display panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 前面パネル 11 前面ガラス基板 12 放電電極(表示電極) 13 誘電体ガラス層 14 保護膜 20 背面パネル 21 背面ガラス基板 22 アドレス電極 23 誘電体ガラス層 24 隔壁 25 蛍光体層 30 放電空間 40 CVD装置 41 アルゴンガスボンベ 42,43気化器 44 酸素ガスボンベ 45 CVD装置本体 46 基板加熱ヒータ 47 誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板 48 高周波電源 49 排気装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Front panel 11 Front glass substrate 12 Discharge electrode (display electrode) 13 Dielectric glass layer 14 Protective film 20 Back panel 21 Back glass substrate 22 Address electrode 23 Dielectric glass layer 24 Partition wall 25 Phosphor layer 30 Discharge space 40 CVD apparatus 41 Argon gas cylinder 42, 43 Vaporizer 44 Oxygen gas cylinder 45 CVD apparatus main body 46 Substrate heater 47 Front glass substrate on which dielectric glass layer is formed 48 High frequency power supply 49 Exhaust device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 勝義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Katsuyoshi Yamashita 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の電極と当該第1の電極を覆う誘電
体ガラス層とを配したフロントカバープレートと、第2
の電極と蛍光体層とを配したバックプレートとが対向し
てなるプラズマディスプレイパネルにおいて、 前記第1の電極が配されるフロントカバープレート部位
が凹入され、当該凹部に第1の電極が没設されているこ
とを特徴とするプラズマディスプレイ。
A front cover plate provided with a first electrode and a dielectric glass layer covering the first electrode;
In the plasma display panel in which the first electrode and the back plate on which the phosphor layer is disposed face each other, the front cover plate portion where the first electrode is disposed is recessed, and the first electrode is immersed in the recess. A plasma display characterized by being provided.
【請求項2】 前記バックプレートには、更に、第2の
電極を覆う第2の誘電体ガラス層が配され、 前記第2の電極が配されるバックプレート部位が凹入さ
れ、当該凹部に第2の電極が没設されていることを特徴
とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。
2. The back plate further includes a second dielectric glass layer that covers a second electrode, a back plate portion where the second electrode is disposed is recessed, and the recess is formed in the recess. 2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the second electrode is submerged.
【請求項3】 前記第1の誘電体ガラス層及び第2の誘
電体ガラス層の少なくとも一方は、誘電率が13以上で
あることを特徴とする請求項1若しくは2の何れかに記
載のプラズマディスプレイパネル。
3. The plasma according to claim 1, wherein at least one of the first dielectric glass layer and the second dielectric glass layer has a dielectric constant of 13 or more. Display panel.
【請求項4】 前記誘電率が13以上の誘電体ガラス層
は、 酸化鉛(PbO),酸化硼素(B23),酸化硅素(S
iO2),酸化チタン(TiO2),酸化アルミニウム
(Al23)からなることを特徴とする請求項3記載の
プラズマディスプレイパネル。
4. The dielectric glass layer having a dielectric constant of 13 or more includes lead oxide (PbO), boron oxide (B 2 O 3 ), and silicon oxide (S
iO 2), titanium oxide (TiO 2), a plasma display panel according to claim 3, characterized in that it consists of aluminum oxide (Al 2 O 3).
【請求項5】 前記誘電率が13以上の誘電体ガラス層
は、 酸化ビスマス(Bi23),酸化亜鉛(ZnO),酸化
硼素(B23),酸化珪素(SiO2),酸化カルシウ
ム(CaO),酸化チタン(TiO2)からなることを
特徴とする請求項3記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
5. The dielectric glass layer having a dielectric constant of 13 or more includes bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), oxidized calcium (CaO), plasma display panel according to claim 3, characterized in that it consists of titanium oxide (TiO 2).
【請求項6】 前記誘電体ガラス層は、酸化チタン(T
iO2)を5重量%〜10重量%含有していることを特
徴とする請求項4若しくは5の何れかに記載のプラズマ
ディスプレイパネル。
6. The dielectric glass layer is made of titanium oxide (T
6. The plasma display panel according to claim 4, comprising 5% by weight to 10% by weight of (iO 2 ).
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