JPH11258787A - ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板との現像時の密着性に優れ、厳密な酸素
濃度の管理を行わないで硬化しても硬化後に充分な密着
性が得られるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いた半
導体装置を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示されるポリアミド
（Ａ）１００重量部と感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）
１〜１００重量部と一般式（II）で表わされる有機ケイ
素化合物（Ｃ）０．１〜１０重量部と一般式（III）で
表わされる有機ケイ素化合物（Ｄ）０．１〜１０重量部
からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化１】 【化２】 【化３】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、現像工程において
基板との密着性に優れ、かつ、硬化工程において厳密な
酸素濃度の管理を行わないで硬化しても充分な密着性が
得られるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いた半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体素子の表面保護膜、層
間絶縁膜として耐熱性が優れ、卓越した電気特性、機械
特性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近
年半導体素子の高集積化、大型化、パッケージの薄型
化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等に
より耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の
要求があり、更に高性能の樹脂が必要とされるようにな
ってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与す
る技術が最近注目を集めてきており、例えば下記式
（Ｘ）に示される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。

【０００３】

【化９】

【０００４】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−
メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全性、取扱い性に問題がある。そこで最近、アルカリ水
溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発されてい
る。例えば、特公平１−４６８６２号公報においてはポ
リベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合物より
構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェ
ハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性
も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズ
ムは、未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液
に不溶であるが、露光することによりジアゾキノン化合
物が化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となる。
この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部
を溶解除去することにより、未露光部のみの塗膜パター
ンの作成が可能となるものである。

【０００５】この特公平１−４６８６２号公報に示され
ている感光性樹脂を実際に使用する場合、特に問題とな
るのは基板、特にシリコンウエハーとの密着性である。
つまり現像工程において現像液を用いたウエットエッチ
ングを行う際、本来残すべき未露光部の塗膜が剥がれ落
ちたり、浮き上がったりする問題がある。またパターン
加工を行った後、熱処理（硬化）工程でオキサゾール環
を形成させるが、硬化後の密着性が不充分で、特に高温
吸湿処理を行うと塗膜が基板から剥離するというも問題
もある。

【０００６】日本国特許第２６２７６３２号にはポリイ
ミド樹脂用の接着助剤としてシラン変性カルボン酸誘導
体が示されている。これを特公平１−４６８６２号公報
に示されている感光性樹脂に加えると現像時の密着性、
硬化後の密着性について改善が見られる。しかし、硬化
工程中の酸素雰囲気濃度の管理が重要で、酸素濃度を１
０ｐｐｍ以下にしないと充分な密着性が得られない。こ
の酸素濃度１０ｐｐｍ以下という雰囲気条件で硬化を行
うには、気密性の優れたオーブンや拡散炉が必要でかな
り高額の投資が必要となる。このため半導体製造側よ
り、簡易な酸素濃度管理で硬化を行っても充分な密着性
がえられる表面コート材料が望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、現像工程に
おいて基板との密着性に優れ、かつ硬化工程において厳
密な酸素濃度の管理を行わないで硬化しても充分な密着
性が得られるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いた半
導体装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部と一般式（II）
で表わされる有機ケイ素化合物（Ｃ）０．１〜１０重量
部と一般式（III）で表わされる有機ケイ素化合物
（Ｄ）０．１〜１０重量部からなることを特徴とするポ
ジ型感光性樹脂組成物である。

【０００９】

【化１０】

【００１０】

【化１１】

【００１１】

【化１２】

【００１２】式（Ｉ）のポリアミドは、Ｘの構造を有す
るジアミンとＹの構造を有するジカルボン酸と更にＥの
構造を有するカルボン酸誘導体から合成され、このポリ
アミドを約３００〜４００℃で加熱すると脱水閉環し、
ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化する。
本発明のポリアミド（１）のＸは、例えば、

【００１３】

【化１３】

【００１４】等であるがこれらに限定されるものではな
い。この中で特に好ましいものは、

【００１５】

【化１４】

【００１６】より選ばれるものである。又式（Ｉ）のＹ
は、例えば、

【００１７】

【化１５】

【００１８】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に好ましいものは、

【００１９】

【化１６】

【００２０】より選ばれるものである。又式（ ）のＥ
は、Ｙの構造を有するジカルボン酸誘導体とＸの構造を
有するジアミンを反応させてポリアミドを合成した後、
末端アミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なく
とも１個有するカルボン酸誘導体を反応させ、末端封止
を行うもので、カルボン酸誘導体としては５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸等
が挙げられるが、特に５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボン酸無水物が好ましい。更に、式（１）のＺは、例
えば

【００２１】

【化１７】

【００２２】等であるがこれらに限定されるものではな
い。式（１）のＺは、更により高い密着性が必要な場合
に用いるが、その使用割合ｂは最大４０．０モル％まで
である。４０．０モル％を越えると樹脂の溶解性が極め
て低下し、現像残り（スカム）が発生し、パターン加工
ができない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｅ、Ｚの使用にあた
っては、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合物
であっても構わない。

【００２３】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１
３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。

【００２４】

【化１８】

【００２５】

【化１９】

【００２６】これらの中で特に好ましいものとしては下
記のものがある。

【００２７】

【化２０】

【００２８】感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）のポリア
ミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に対
し、１〜１００重量部であり、配合量が１重量部未満だ
と樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量
部を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下す
る。

【００２９】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジアセチル−
４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６−ジメチ
ル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）−２，６
−ジメチル−３，５−ジカルボメトキシ−１，４−ジヒ
ドロピリジン等を挙げることができる。

【００３０】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は更に一般式（II）で示される有機ケイ素化合物（Ｃ）
と一般式（III）で示される有機ケイ素化合物（Ｄ）と
を併用することが重要である。一般式（II）で示される
ケイ素化合物（Ｃ）は日本国特許第２６２７６３２号、
特開平１−２１５８６９号公報に記載されている公知物
質である。また一般式（III）で示されるケイ素化合物
（Ｄ）は米国特許第３７５５３５４号及び第４４６０７
３９号明細書に開示されている公知物質である。本発明
では、これら両有機ケイ素化合物をポリベンゾオキサゾ
ール前駆体と感光性ジアゾキノンからなる樹脂組成物に
加えることにより従来のシランカップリング剤等では見
られないような、現像時における優れた密着性と硬化時
に厳密な酸素濃度の管理を行わないでも充分な密着性が
得られるポジ型感光性樹脂組成物が得られることを見い
だした。

【００３１】一般式（II）で示されるケイ素化合物
（Ｃ）をポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾ
キノンからなる樹脂組成物に単独に加えた場合、現像時
の密着性、硬化後の密着性は改善できる。しかし、硬化
の際に酸素濃度が１０ｐｐｍ以下にできるような硬化オ
ーブンが必要で、例えば酸素濃度が１〜３％レベルにし
か下げれないオーブンでは剥がれが生じる。酸素濃度が
１〜３％レベルにしか下げれないオーブンで硬化しても
剥がれないようにするにはポリアミド１００重量部に対
してケイ素化合物（Ｃ）を２０重量部以上添加する必要
がある。ところが、そのように添加量を増やすと室温保
存安定性が極めて悪くなり、凝集物が発生するという問
題がある。一方、一般式（III）で示されるケイ素化合
物（Ｄ）は単独では現像時の密着性が悪く剥がれが生じ
る。更に酸素濃度が１〜３％レベルで硬化を行っても硬
化後に充分な密着性が得られるためにはポリアミド１０
０重量部に対して１０重量部以上の添加が必要であり、
そのように添加量を増やすと現像時の残膜率が著しく低
下するという問題がある。

【００３２】ところが、一般式（II）で示されるケイ素
化合物（Ｃ）と一般式（III）で示されるケイ素化合物
（Ｄ）を併用すると、酸素濃度１〜３％レベルで硬化を
行っても、硬化後に充分な密着性が得られるということ
を見いだした。更に両ケイ素化合物の添加量の合計量が
ポリアミド１００重量部に対して２０重量部以下でよい
ため、現像時の残膜率の著しい低下や室温での保存安定
性が低下することはない。両有機ケイ素化合物併用によ
るこの密着性向上の原因は不明である。

【００３３】一般式（II）に示される有機ケイ素化合物
はアミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物とを反応
して得る。アミノ基を有するケイ素化合物としてはたと
えば３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ
−（２−アミノエチル）―３−アミノプロピルトリエト
キシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン等
があげられるがこれらに限定されない。

【００３４】また酸二無水物としては例えば、ピロメリ
ット酸二無水物、ベンゼン−１，２，３,４−テトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−
２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレ
ン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ナフ
タレン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン−１，２，６，７−テトラカルボン酸二
無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−
ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，
６，７−ヘキサヒドロナフタレン−２，３，６，７−テ
トラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン
−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７
−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボ
ン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレ
ン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、１，
４，５，８−テトラクロロナフタレン−２，３，６，７
−テトラカルボン酸二無水物、３,３’,４，４’−ジフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、２,２’,３，３’−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２,３，３’,
４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３”, ４，４”−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二
無水物, ２，２”, ３，３”−ｐ−テルフェニルテトラ
カルボン酸二無水物, ２，３，３”,４”−ｐ−テルフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，
３−ジカルボキシフェニル）−プロパン二無水物、２，
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−プロパン
二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフ
ェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
ペリレン−２，３，８，９−テトラカルボン酸二無水
物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二
無水物、ペリレン−４，５，１０，１１−テトラカルボ
ン酸二無水物、ペリレン−５，６，１１，１２−テトラ
カルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，７，８
−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，
２，６，７,８−テトラカルボン酸二無水物、フェナン
スレン−１，２，９，１０−テトラカルボン酸二無水
物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無
水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
二無水物、チオフェン−２，３，４，５，−テトラカル
ボン酸二無水物、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピ
リデンジフタル酸二無水物等などが挙げられるが、これ
らに限定されるものでない。また、使用にあたっては１
種類でも２種類以上の混合物でもかまわない。

【００３５】これらの中で特に、好ましいものとして
は、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、３，３’, ４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物である。一般式（II）に示される
有機ケイ素化合物のポジ型感光性樹脂組成物への配合量
はポリアミド（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０
重量部である。配合量が０．１重量部未満だと基板に対
して充分な密着性が得られず、また１０重量部を超える
と室温保存安定性が悪くなり好ましくない。

【００３６】一般式（III）に示される有機ケイ素化合
物はアミノ基を有するケイ素化合物を酸無水物に反応さ
せて得ることができる。アミノ基を有するケイ素化合物
としてはたとえば３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）―３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリエト
キシシラン等があげられるがこれらに限定されない。

【００３７】また酸無水物としては例えば、無水マレイ
ン酸、クロロ無水マレイン酸、シアノ無水マレイン酸、
シトラコン酸、無水フタル酸等を挙げることができ、こ
れらを単独で又は２種類以上を併用して使用することが
できる。これらの中で特に好ましいのは無水マレイン酸
である。一般式（II）に示される有機ケイ素化合物のポ
ジ型感光性樹脂組成物への配合量はポリアミド（Ａ）１
００重量部に対して０．１〜１０重量部である。配合量
が０．１重量部未満だと基板に対して充分な密着性が得
られず、また１０重量部を超えると現像時の膜減りが大
きくなり好ましくない。

【００３８】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用い
てもよい。

【００３９】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプ
レーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコ
ーティング等がある。次に、６０〜１３０℃でプリベー
クして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照
射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視
光線等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のも
のが好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去すること
によりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピル
アミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等
のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノ
ールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活
性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することがで
きる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超
音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成し
たレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、
蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール
環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明
によるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例１》 ＊ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−４、４’−ジカルボン酸１モルと
１−ヒドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応させ
て得られたジカルボン酸誘導体４４３．２ｇ（０．９モ
ル）とヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン３６６．３ｇ（１．０
モル）とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス
導入管を備えた４つ口のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン３０００ｇを加えて溶解させ
た。その後オイルバスを用いて７５℃にて１２時間反応
させた。次にＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｇに溶
解させた５−ノルボルネン−２、３−ジカルボン酸無水
物３２．８ｇ（０．２モル）を加え、更に１２時間攪拌
し反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反応混合
物を水／メタノール＝３／１の溶液に投入、沈殿物を濾
集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリ
アミド（Ａ−１）を得た。

【００４１】＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド（Ａ−1）１００ｇ、下記式の構造
を有するジアゾキノン（Ｂ−１）２５ｇ、下記式の構造
を有する有機ケイ素化合物（Ｃ−１）５ｇ、下記式の構
造を有する有機ケイ素化合物（Ｄ−１）５ｇをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン２５０ｇに溶解した後、０．２μｍ
のテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得
た。

【００４２】＊特性評価 このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
１２０℃で４分プリベークし、膜厚約５μｍの塗膜を得
た。この塗膜にｇ線ステッパー露光機ＮＳＲ−１５０５
Ｇ３Ａ（ニコン(株)製）によりレチクルを通して露光を
行った。次に１．４％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液に６０秒浸漬することによって露光部を
溶解除去した後、純水で３０秒間リンスした。その結
果、パターンが成形されていることが確認できた。この
時の残膜率（現像後の膜厚／現像前の膜厚）は８７．６
％と非常に高い値を示した。また残しパターンにおい
て、剥がれは全く観察されず、現像時の密着性が優れて
いることが確認できた。次にポジ型感光性樹脂組成物を
上と同様にしてシリコンウエハー上に塗布し、プリベー
クした後、光洋リンドバーク製のクリーンオーブンを用
い、３０分／１５０℃、３０分／２５０℃、３０分／３
５０℃の順で、加熱、硬化させた。この時の酸素雰囲気
濃度は１〜２％であった。得られた塗膜を１ｍｍ角に１
００個の碁盤目にカットした。これにセロテープを貼り
付け、引き剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数（これ
を「硬化後剥がれ数」と称する）は０であり、硬化膜の
シリコンウエハーへの密着性も優れていることが確認で
きた。更にこのシリコンウエハーを１２５℃、２．３ａ
ｔｍ５００時間のプレッシャークッカー処理（ＰＣＴ）
を施した後、同様にセロハンテープを貼り付け、引き剥
がして評価したところ、剥がれた塗膜の数（これを「高
温高湿処理後剥がれ数」と称する）は０であり、高温高
湿後処理後の密着性も優れていることが確認された。

【００４３】表面にＡｌ回路を備えた模擬素子ウエハー
上に上記ポジ型感光性樹脂を最終５μｍとなるように塗
布した後、パターン加工を施して上と同様に硬化した。
その後、チップサイズ毎に分割、１６Pin DIP(Dual Inl
ine Package)用リードフレームに導電性ペーストを用い
てマウントした後、半導体封止用エポキシ樹脂（住友ベ
ークライト(株)製、ＥＭＥ―６３００Ｈ）で封止して、
１６Pin DIPを得た。これらのパッケージを８５℃／８
５％湿度の条件で１６８時間処理した後、２６０℃半田
浴槽に１０秒浸漬し、ついで高温、高湿のプレッシャー
クッカー処理（１２５℃、２．３ａｔｍ、１００％Ｒ
Ｈ）を施してＡｌ回路のオープン不良をチェックした。
その結果を表１に示すようにＰＣＴ１０００時間でも、
半導体の不良は皆無であった。

【００４４】《実施例２》実施例１における有機ケイ素
化合物Ｃ−１をＣ−２に替えて評価を行った。 《実施例３》実施例１における有機ケイ素化合物Ｃ―１
をＣ−３に替えて評価を行った。 《実施例４》実施例１における有機ケイ素化合物Ｄ―１
をＤ−２に替えて評価を行った。 《実施例５》実施例１における有機ケイ素化合物Ｄ―１
をＤ−３に替えて評価を行った。 《実施例６》実施例１における有機ケイ素化合物Ｃ−１
の添加量を３ｇ、有機ケイ素化合物Ｄ―１を１ｇにして
評価を行った。 《実施例７》実施例１における有機ケイ素化合物Ｃ−１
の添加量を９ｇ、有機ケイ素化合物Ｄ―１を９ｇにして
評価を行った。 《実施例８》実施例１における感光性ジアゾキノン化合
物Ｂ−１をＢ−２に替えて評価を行った。 《実施例９》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、ジフェニルエーテル−４、４’−ジカルボン酸１モ
ルの替わりに、ジフェニルスルホン−４、４’−ジカル
ボン酸１モルを反応させて得られたジカルボン酸誘導体
を用いてポリアミド（Ａ−2）を合成し、その他は実施
例１と同様の評価を行った。

【００４５】《実施例１０》実施例１におけるポリアミ
ドの合成において、ジフェニルエーテル−４、４’−ジ
カルボン酸１モルの替わりに、テレフタル酸０．８モ
ル、イソフタル酸０．２モルを反応させて得られたジカ
ルボン酸誘導体を用いてポリアミド（Ａ−３）を合成
し、その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例１１》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン１モルの替わりに３、
３’−ジアミノ−４、４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン１モルを用いて、ポリアミド（Ａ−４）を合成
し、その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例１２》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン１モルの替わりに３、３
‘−ジアミノ−４、４’−ジヒドロキシジフェニルエー
テル１モルを用いて、ポリアミド（Ａ−５）を合成し、
その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例１３》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを３２９．６ｇ（０．９
モル）に減らし、替わりに１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
２４．９ｇ（０．１モル）を加え、ポリアミド（Ａ−
６）を合成し、その他は実施例１と同様の評価を行っ
た。 《実施例１４》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いて５−ノルボルネン−２、３−ジカルボン酸無水物
０．２モルの替わりに無水マレイン酸０．２モルを用い
てポリアミド（Ａ−７）を合成し、その他は実施例１と
同様の評価を行った。 《実施例１５》実施例１における感光性ジアゾキノン化
合物Ｂ−１をＢ−３に替えて、更に添加量を２５ｇから
１５ｇに減らし、また有機ケイ素化合物Ｄ―１の添加量
を０．５ｇにして評価を行った。 《実施例１６》実施例１における感光性ジアゾキノン化
合物Ｂ−１をＢ−４に替えて、更に添加量を２５ｇから
３２ｇに増やし、また有機ケイ素化合物Ｃ―１の添加量
を０．５ｇにして評価を行った。以上実施例２〜１６の
結果は表１に示すように、全て良好な性能を示した。

【００４６】《比較例１》実施例１において有機ケイ素
化合物Ｃ−１、また有機ケイ素化合物Ｄ−１を添加しな
いで評価を行った。その結果、表１に示すように硬化後
剥がれ数は１００と非常に悪かった。また半導体信頼性
評価でも不良が発生した。 《比較例２》実施例１において有機ケイ素化合物Ｃ−１
を添加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ
数は６６、高温高湿処理後剥がれ数は１００と非常に悪
かった。また半導体信頼性評価でも不良が発生した。 《比較例３》実施例１において有機ケイ素化合物Ｄ−１
を添加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ
数は１００と非常に悪かった。また半導体信頼性評価で
も不良が発生した。 《比較例４》実施例１において有機ケイ素化合物Ｃ−１
の添加量を１５ｇにして、有機ケイ素化合物Ｄ−１を添
加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ数は
５、高温高湿処理後剥がれ数は９０と非常に悪かった。
また半導体信頼性評価でも不良が発生した。 《比較例５》実施例１において有機ケイ素化合物Ｄ−１
の添加量を８ｇにして、有機ケイ素化合物Ｃ−１を添加
しないで評価を行った。その結果、高温高湿処理後剥が
れ数は３７と非常に悪かった。また半導体信頼性評価で
も不良が発生した。 《比較例６》実施例１において有機ケイ素化合物Ｄ−１
の添加量を１５ｇにして、有機ケイ素化合物Ｃ−１を添
加しないで評価を行った。その結果、現像後の残膜率は
６７．１％と非常に悪かった。以上実施例１〜１６、比
較例１〜６の評価結果を表１に示す。

【００４７】

【化２１】

【００４８】

【化２２】

【００４９】

【化２３】

【００５０】

【化２４】

【００５１】

【化２５】

【００５２】

【化２６】

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、現像工程において基板
との密着性に優れ、かつ硬化工程において厳密な酸素濃
度の管理を行わないで硬化しても充分な密着性が得られ
るポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いた高信頼性
の半導体装置を得ることができる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）で示されるポリアミド
   （Ａ）１００重量部と感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）
   １〜１００重量部と一般式（II）で表わされる有機ケイ
   素化合物（Ｃ）０．１〜１０重量部と一般式（III）で
   表わされる有機ケイ素化合物（Ｄ）０．１〜１０重量部
   からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化１】 【化２】 【化３】
2. 【請求項２】 有機ケイ素化合物（Ｃ）におけるＲ
   ₅が、下記より選ばれてなる請求項１記載のポジ型感光
   性樹脂組成物。 【化４】
3. 【請求項３】 有機ケイ素化合物（Ｄ）におけるＲ
   ₉が、下記構造である請求項１記載のポジ型感光性樹脂
   組成物。 【化５】
4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）のポリアミドにおけるＸ
   が、下記より選ばれてなる請求項１、２又は３記載のポ
   ジ型感光性樹脂組成物。 【化６】
5. 【請求項５】 一般式（Ｉ）のポリアミドにおけるＹ
   が、下記より選ばれてなる請求項１、２又は３記載のポ
   ジ型感光性樹脂組成物。 【化７】
6. 【請求項６】 感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）が、下
   記より選ばれてなる請求項１、２、３、４又は５記載の
   ポジ型感光性樹脂組成物。 【化８】
7. 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５又は６記載の
   ポジ型感光性樹脂組成物を、加熱脱水閉環後の膜厚が
   ０．１〜２０μｍになるように半導体素子上に塗布し、
   プリベーク、露光、現像、加熱してなる半導体装置。