JPH11260304A - 荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器Info
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- JPH11260304A JPH11260304A JP10060840A JP6084098A JPH11260304A JP H11260304 A JPH11260304 A JP H11260304A JP 10060840 A JP10060840 A JP 10060840A JP 6084098 A JP6084098 A JP 6084098A JP H11260304 A JPH11260304 A JP H11260304A
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- secondary electron
- electrode
- electron detector
- charged particle
- particle beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 補集電極の形状を最適化し、２次電子の検出
効率の極めて高い荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器
を実現する。 【解決手段】 補集電極３０は金属性の板で形成されて
おり、金属性板には多数の開口３１が穿たれている。こ
の六角形の開口３１は、各辺が隣り合った六角形の開口
の辺と幅の短い金属性板を隔てて対向して配置される最
密充填とされている。また、各開口３１の六角形が接す
る円の半径をＲ、六角形を隔てる金属性板の幅をｄ、隣
り合った六角形開口の中心間の間隔をＴとする。いま、
金属性電極板３０の厚さｔを０．１ｍｍ程度とすると、
電極構造を維持するためには、ｄは０．１ｍｍ程度は必
要となる。この時、Ｒを０．４ｍｍとすると、Ｔは０．
７９ｍｍとなり、透過率は７６．３％となる。更に、半
径Ｒが１．３ｍｍでは、透過率は９１．７％に達する。
効率の極めて高い荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器
を実現する。 【解決手段】 補集電極３０は金属性の板で形成されて
おり、金属性板には多数の開口３１が穿たれている。こ
の六角形の開口３１は、各辺が隣り合った六角形の開口
の辺と幅の短い金属性板を隔てて対向して配置される最
密充填とされている。また、各開口３１の六角形が接す
る円の半径をＲ、六角形を隔てる金属性板の幅をｄ、隣
り合った六角形開口の中心間の間隔をＴとする。いま、
金属性電極板３０の厚さｔを０．１ｍｍ程度とすると、
電極構造を維持するためには、ｄは０．１ｍｍ程度は必
要となる。この時、Ｒを０．４ｍｍとすると、Ｔは０．
７９ｍｍとなり、透過率は７６．３％となる。更に、半
径Ｒが１．３ｍｍでは、透過率は９１．７％に達する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームやイオ
ンビームを試料に照射した結果、試料から得られる２次
電子を効率良く検出することができる荷電粒子ビーム装
置用２次電子検出器に関する。
ンビームを試料に照射した結果、試料から得られる２次
電子を効率良く検出することができる荷電粒子ビーム装
置用２次電子検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡や走査イオン顕微鏡（集
束イオンビーム装置ともいう）は、励起粒子ビーム（電
子ビームあるいはイオンビーム）を試料表面上に細く集
束し、更にビームを試料上で２次元的に走査している。
そして、試料へのビームの照射によって発生した２次電
子を検出し、この検出信号に基づいて試料の走査像を得
るようにしている。
束イオンビーム装置ともいう）は、励起粒子ビーム（電
子ビームあるいはイオンビーム）を試料表面上に細く集
束し、更にビームを試料上で２次元的に走査している。
そして、試料へのビームの照射によって発生した２次電
子を検出し、この検出信号に基づいて試料の走査像を得
るようにしている。
【０００３】図１はこのような走査イオン顕微鏡を示し
ている。図中１は収束レンズを兼ねたイオン源であり、
イオン源１から発生し加速されたイオンビームＩＢは、
静電型の対物レンズ２により細く集束され、スポット状
ビームとして試料３上に照射される。試料３は、Ｘ−Ｙ
移動ステージ４上に載せられている。
ている。図中１は収束レンズを兼ねたイオン源であり、
イオン源１から発生し加速されたイオンビームＩＢは、
静電型の対物レンズ２により細く集束され、スポット状
ビームとして試料３上に照射される。試料３は、Ｘ−Ｙ
移動ステージ４上に載せられている。
【０００４】イオン源１としては、例えば、電界放射型
液体ガリウム（Ｇａ）イオン源が使用されており、細く
尖ったエミッタ５の先端に強い電界を印加して、Ｇａイ
オンを引き出している。また、イオン源１は制御系６に
接続されており、制御系６からイオン源１には高電圧の
加速電圧、収束レンズ電圧が印加されている。
液体ガリウム（Ｇａ）イオン源が使用されており、細く
尖ったエミッタ５の先端に強い電界を印加して、Ｇａイ
オンを引き出している。また、イオン源１は制御系６に
接続されており、制御系６からイオン源１には高電圧の
加速電圧、収束レンズ電圧が印加されている。
【０００５】静電型の対物レンズ２は、中心電極とその
外側の外側電極とから構成されており、中心電極には制
御系６から高電圧が印加されている。また、外側電極は
接地されている。
外側の外側電極とから構成されており、中心電極には制
御系６から高電圧が印加されている。また、外側電極は
接地されている。
【０００６】イオンビームＩＢの光路に沿って、ビーム
制限絞り（図示せず）や静電偏向器７が配置されてい
る。静電偏向器７にはビーム走査装置８から走査信号が
供給されるように構成されている。
制限絞り（図示せず）や静電偏向器７が配置されてい
る。静電偏向器７にはビーム走査装置８から走査信号が
供給されるように構成されている。
【０００７】試料３へのイオンビームの照射によって２
次電子が発生するが、この２次電子ｅは２次電子検出器
９によって検出される。検出器９の検出信号は、増幅器
やコントラスト調整回路等が含まれる２次電子検出系１
０を介して陰極線管等の表示装置１１に供給される。こ
のような構成の動作を次に説明する。
次電子が発生するが、この２次電子ｅは２次電子検出器
９によって検出される。検出器９の検出信号は、増幅器
やコントラスト調整回路等が含まれる２次電子検出系１
０を介して陰極線管等の表示装置１１に供給される。こ
のような構成の動作を次に説明する。
【０００８】上記した構成で、イオン源１には、制御系
６から例えば３０ｋＶの高電圧が印加されていて、イオ
ン源１から放出されたイオンビームＩＢを３０ｋｅＶま
で加速する。このイオンビームは、対物レンズ２によっ
て試料３面上で焦点を結ぶようにしている。
６から例えば３０ｋＶの高電圧が印加されていて、イオ
ン源１から放出されたイオンビームＩＢを３０ｋｅＶま
で加速する。このイオンビームは、対物レンズ２によっ
て試料３面上で焦点を結ぶようにしている。
【０００９】更に、イオンビームの光路上には静電型偏
向器７が設けられており、この偏向器７にはビーム走査
装置８から走査信号が供給される。この結果、試料３面
上に集束されるイオンビームはラスター状に走査され、
加工のためのイオンビームの照射領域が制御されたり、
イオンビームの走査に基づく走査像が得られる。
向器７が設けられており、この偏向器７にはビーム走査
装置８から走査信号が供給される。この結果、試料３面
上に集束されるイオンビームはラスター状に走査され、
加工のためのイオンビームの照射領域が制御されたり、
イオンビームの走査に基づく走査像が得られる。
【００１０】イオンビームの走査像は、試料面上で偏向
器７を用いてイオンビームを走査し、この走査に基づい
て試料から発生した２次電子を検出器９によって検出す
る。検出器９の検出信号は２次電子検出系１０を経て表
示装置１１に供給される。陰極線管１１にはビーム走査
装置８から走査信号が供給されており、したがって陰極
線管１１には試料３のイオンビームによる走査像が表示
される。
器７を用いてイオンビームを走査し、この走査に基づい
て試料から発生した２次電子を検出器９によって検出す
る。検出器９の検出信号は２次電子検出系１０を経て表
示装置１１に供給される。陰極線管１１にはビーム走査
装置８から走査信号が供給されており、したがって陰極
線管１１には試料３のイオンビームによる走査像が表示
される。
【００１１】上記した構成で、荷電粒子ビーム光学系の
性質から、ビーム電流量が少ないほど細いビームが得ら
れる。すなわち、結果として分解能の高い像を得ること
ができる。一方、試料からの２次電子信号量は、ビーム
電流量が少ないほど少なくなり、画質は劣化する。した
がって、高分解能で良い画質の画像を得るためには、２
次電子信号の検出効率が高いことが望まれる。
性質から、ビーム電流量が少ないほど細いビームが得ら
れる。すなわち、結果として分解能の高い像を得ること
ができる。一方、試料からの２次電子信号量は、ビーム
電流量が少ないほど少なくなり、画質は劣化する。した
がって、高分解能で良い画質の画像を得るためには、２
次電子信号の検出効率が高いことが望まれる。
【００１２】２次電子の検出方式はいく通りかあるが、
図２に良く用いられている２次電子検出器の構成を示
す。図中１５は２次電子の入射によって光を発生するシ
ンチレータであり、シンチレータ１５の周囲部分には、
２次電子を加速してシンチレータに衝突させるための加
速電極１６が配置されている。加速電極１６には数ｋＶ
の正の電圧が印加される。
図２に良く用いられている２次電子検出器の構成を示
す。図中１５は２次電子の入射によって光を発生するシ
ンチレータであり、シンチレータ１５の周囲部分には、
２次電子を加速してシンチレータに衝突させるための加
速電極１６が配置されている。加速電極１６には数ｋＶ
の正の電圧が印加される。
【００１３】シンチレータ１５はライトガイド１７に取
り付けられており、シンチレータ１５からの光はライト
ガイド１７を通って試料室壁１８の外側に導かれる。試
料室壁１８の外側でライトガイド１７の端部にはフォト
マルチプライア１９が配置され、ライトガイド１７を通
った光は、フォトマルチプライア１９で電子に変換さ
れ、更にその電子は増倍される。フォトマルチプライア
１９の出力信号が２次電子の検出信号出力とされる。
り付けられており、シンチレータ１５からの光はライト
ガイド１７を通って試料室壁１８の外側に導かれる。試
料室壁１８の外側でライトガイド１７の端部にはフォト
マルチプライア１９が配置され、ライトガイド１７を通
った光は、フォトマルチプライア１９で電子に変換さ
れ、更にその電子は増倍される。フォトマルチプライア
１９の出力信号が２次電子の検出信号出力とされる。
【００１４】シンチレータ１５の前方には、試料からの
２次電子を効率良くシンチレータ１５に向かわせるため
に補集電極２０が配置されている。補集電極２０には数
十Ｖの正の電圧が印加されている。補集電極２０として
は、図３（ａ）に示すように金属性の板２１に多数の開
口２２を穿った電極２３か、図３（ｂ）のように、金属
性のワイヤー２４をメッシュ状にした電極２５が用いら
れている。
２次電子を効率良くシンチレータ１５に向かわせるため
に補集電極２０が配置されている。補集電極２０には数
十Ｖの正の電圧が印加されている。補集電極２０として
は、図３（ａ）に示すように金属性の板２１に多数の開
口２２を穿った電極２３か、図３（ｂ）のように、金属
性のワイヤー２４をメッシュ状にした電極２５が用いら
れている。
【００１５】このような検出器において、２次電子は補
集電極２０によって効率良くシンチレータ１５に向け集
められる。補集電極２０によって集められた２次電子は
加速電極１６に印加された比較的高い電圧によって加速
され、シンチレータ１５に衝突する。
集電極２０によって効率良くシンチレータ１５に向け集
められる。補集電極２０によって集められた２次電子は
加速電極１６に印加された比較的高い電圧によって加速
され、シンチレータ１５に衝突する。
【００１６】シンチレータ１５は２次電子の衝突によっ
て発光し、この発光はライトガイド１７を介して試料室
の外側に配置されたフォトマルチプライア１９に入射す
る。フォトマルチプライア１９に入射した光を電子に変
換し、更にその電子を増倍する。増倍された電子は最終
的に電気信号に変換され検出器出力となる。
て発光し、この発光はライトガイド１７を介して試料室
の外側に配置されたフォトマルチプライア１９に入射す
る。フォトマルチプライア１９に入射した光を電子に変
換し、更にその電子を増倍する。増倍された電子は最終
的に電気信号に変換され検出器出力となる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図２に示したごとき２
次電子検出器は、図４に示すように対物レンズ２、試料
３などと干渉しない位置に置かれる。この検出器の２次
電子信号の検出効率は、補集電極２０の形状、透過率
（開口率）、電極２０への印加電圧などに依存する。印
加電圧は装置の事情に応じて最適化されるが、補集電極
の形状は検出効率に少なからず影響を与える。図３
（ａ）では６０％程度、（ｂ）ではそれ以下である。本
発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、補集電極の形状を最適化し、２次電子の検出効率
の極めて高い荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器を実
現するにある。
次電子検出器は、図４に示すように対物レンズ２、試料
３などと干渉しない位置に置かれる。この検出器の２次
電子信号の検出効率は、補集電極２０の形状、透過率
（開口率）、電極２０への印加電圧などに依存する。印
加電圧は装置の事情に応じて最適化されるが、補集電極
の形状は検出効率に少なからず影響を与える。図３
（ａ）では６０％程度、（ｂ）ではそれ以下である。本
発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、補集電極の形状を最適化し、２次電子の検出効率
の極めて高い荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器を実
現するにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく荷電
粒子ビーム装置用２次電子検出器は、荷電粒子ビームを
試料に照射することによって試料から発生する２次電子
を検出する検出器であって、２次電子の衝突によって発
光するシンチレータと、シンチレータの光を導くライト
ガイドと、ライトガイドからの光を電子に変換し増倍す
るフォトマルチプライアと、シンチレータの前面に配置
され、正の電圧が印加される補集電極とを備えた２次電
子検出器において、補集電極には正六角形の多数の開口
が穿たれており、各六角形の開口は、隣り合った正六角
形の辺同志が対向する最密充填で配置されていることを
特徴としている。
粒子ビーム装置用２次電子検出器は、荷電粒子ビームを
試料に照射することによって試料から発生する２次電子
を検出する検出器であって、２次電子の衝突によって発
光するシンチレータと、シンチレータの光を導くライト
ガイドと、ライトガイドからの光を電子に変換し増倍す
るフォトマルチプライアと、シンチレータの前面に配置
され、正の電圧が印加される補集電極とを備えた２次電
子検出器において、補集電極には正六角形の多数の開口
が穿たれており、各六角形の開口は、隣り合った正六角
形の辺同志が対向する最密充填で配置されていることを
特徴としている。
【００１９】第１の発明では、シンチレータの前面に配
置され、正の電圧が印加される補集電極として、正六角
形の多数の開口を穿った電極を用い、各六角形の開口
を、隣り合った正六角形の辺同志が対向する最密充填で
配置した。
置され、正の電圧が印加される補集電極として、正六角
形の多数の開口を穿った電極を用い、各六角形の開口
を、隣り合った正六角形の辺同志が対向する最密充填で
配置した。
【００２０】第２の発明では、第１の発明において、正
六角形が接する円の半径をＲ、隣り合った六角形の開口
を隔てる電極板部分の幅をｄ、六角形の中心間の間隔
（周期）をＴとすると、Ｒを０．４〜１．３ｍｍの範囲
とし、ｄとＴを、 ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ とした。
六角形が接する円の半径をＲ、隣り合った六角形の開口
を隔てる電極板部分の幅をｄ、六角形の中心間の間隔
（周期）をＴとすると、Ｒを０．４〜１．３ｍｍの範囲
とし、ｄとＴを、 ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ とした。
【００２１】第３の発明では、第２の発明において、補
集電極の厚さをｔとすると、ｔを、 ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ とした。
集電極の厚さをｔとすると、ｔを、 ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ とした。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図５は、本発明に基づく２
次電子検出器の補集電極３０の形状を示している。この
補集電極は図２で示した２次電子検出器の補集電極２０
の代わりに用いられるものである。
施の形態を詳細に説明する。図５は、本発明に基づく２
次電子検出器の補集電極３０の形状を示している。この
補集電極は図２で示した２次電子検出器の補集電極２０
の代わりに用いられるものである。
【００２３】補集電極３０は金属性の板で形成されてお
り、金属性板には多数の開口３１が穿たれている。この
六角形の開口３１は、各辺が隣り合った六角形の開口の
辺と幅の短い金属性板を隔てて対向して配置される最密
充填とされている。
り、金属性板には多数の開口３１が穿たれている。この
六角形の開口３１は、各辺が隣り合った六角形の開口の
辺と幅の短い金属性板を隔てて対向して配置される最密
充填とされている。
【００２４】さて、図５の電極構造において、各開口３
１の六角形が接する円の半径をＲ、六角形を隔てる金属
性板の幅をｄ、隣り合った六角形開口の中心間の間隔を
Ｔとする。いま、金属性電極板３０の厚さｔを０．１ｍ
ｍ程度とすると、電極構造を維持するためには、ｄは
０．１ｍｍ程度は必要となる。
１の六角形が接する円の半径をＲ、六角形を隔てる金属
性板の幅をｄ、隣り合った六角形開口の中心間の間隔を
Ｔとする。いま、金属性電極板３０の厚さｔを０．１ｍ
ｍ程度とすると、電極構造を維持するためには、ｄは
０．１ｍｍ程度は必要となる。
【００２５】この時、Ｒを０．４ｍｍとすると、Ｔは
０．７９ｍｍとなり、透過率は７６．３％となる。図６
はｄ＝０．１ｍｍとしたとき、Ｒを０．４〜１．３ｍｍ
変化させたときの透過率（開口率…％）を示している。
また、図７には、六角形の中心間の間隔（周期）Ｔおよ
びＴ／２と円の半径Ｒとの関係を示した。
０．７９ｍｍとなり、透過率は７６．３％となる。図６
はｄ＝０．１ｍｍとしたとき、Ｒを０．４〜１．３ｍｍ
変化させたときの透過率（開口率…％）を示している。
また、図７には、六角形の中心間の間隔（周期）Ｔおよ
びＴ／２と円の半径Ｒとの関係を示した。
【００２６】図６に示したように、半径Ｒが１．３ｍｍ
では、透過率は９１．７％に達する。Ｒをあまり大きく
すると、大きな開口となり、電界のはみだしの影響が現
れ好ましくない。また、ｄをある程度大きく取らなけれ
ば、電極構造を維持できなくなる。逆に、ｄを大きく取
ると、透過率を下げることになり、２次電子の検出効率
が低くなる。
では、透過率は９１．７％に達する。Ｒをあまり大きく
すると、大きな開口となり、電界のはみだしの影響が現
れ好ましくない。また、ｄをある程度大きく取らなけれ
ば、電極構造を維持できなくなる。逆に、ｄを大きく取
ると、透過率を下げることになり、２次電子の検出効率
が低くなる。
【００２７】このような考察により、補集電極としての
最適な形状は、電極に多数の同一形状の正六角形の開口
を穿ち、この六角形を最密充填の状態で配置すること、
各六角形の大きさが次の条件を備えることである。な
お、下記の条件の前提として、Ｒは０．１〜１．３ｍｍ
の範囲とされる。
最適な形状は、電極に多数の同一形状の正六角形の開口
を穿ち、この六角形を最密充填の状態で配置すること、
各六角形の大きさが次の条件を備えることである。な
お、下記の条件の前提として、Ｒは０．１〜１．３ｍｍ
の範囲とされる。
【００２８】ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ 上記の条件の補集電極とすることにより、６０〜９０％
以上の透過率が可能となり、その結果、２次電子の検出
効率を従来に比して数十％改善することができる。
以上の透過率が可能となり、その結果、２次電子の検出
効率を従来に比して数十％改善することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に基づ
く荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器では、シンチレ
ータの前面に配置され、正の電圧が印加される補集電極
として、正六角形の多数の開口を穿った電極を用い、各
六角形の開口を、隣り合った正六角形の辺同志が対向す
る最密充填で配置したので、補集電極において６０〜９
０％以上の２次電子の高い透過率が可能となり、２次電
子の検出効率を大幅に改善することができる。
く荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器では、シンチレ
ータの前面に配置され、正の電圧が印加される補集電極
として、正六角形の多数の開口を穿った電極を用い、各
六角形の開口を、隣り合った正六角形の辺同志が対向す
る最密充填で配置したので、補集電極において６０〜９
０％以上の２次電子の高い透過率が可能となり、２次電
子の検出効率を大幅に改善することができる。
【００３０】第２の発明では、第１の発明において、正
六角形が接する円の半径をＲ、隣り合った六角形の開口
を隔てる電極板部分の幅をｄ、六角形の中心間の間隔
（周期）をＴとすると、Ｒを０．４〜１．３ｍｍの範囲
とし、ｄとＴを、 ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ としたので、補集電極において６０〜９０％以上の２次
電子の高い透過率が可能となり、２次電子の検出効率を
大幅に改善することができる。
六角形が接する円の半径をＲ、隣り合った六角形の開口
を隔てる電極板部分の幅をｄ、六角形の中心間の間隔
（周期）をＴとすると、Ｒを０．４〜１．３ｍｍの範囲
とし、ｄとＴを、 ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ としたので、補集電極において６０〜９０％以上の２次
電子の高い透過率が可能となり、２次電子の検出効率を
大幅に改善することができる。
【００３１】第３の発明では、第２の発明において、補
集電極の厚さをｔとすると、ｔを、 ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ としたので、補集電極において６０〜９０％以上の２次
電子の高い透過率が可能となり、２次電子の検出効率を
大幅に改善することができる。
集電極の厚さをｔとすると、ｔを、 ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ としたので、補集電極において６０〜９０％以上の２次
電子の高い透過率が可能となり、２次電子の検出効率を
大幅に改善することができる。
【図１】一般的な走査イオン顕微鏡を示す図である。
【図２】フォトマルチプライアを用いた２次電子検出器
を示す図である。
を示す図である。
【図３】従来用いられている補集電極の形状の例を示す
図である。
図である。
【図４】図２に示した検出器の配置状態を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明に用いられる補集電極の形状を示す図で
ある。
ある。
【図６】正六角形が接する円の半径Ｒと透過率との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図７】正六角形が接する円の半径Ｒと六角形の中心間
の間隔Ｔとの関係を示すグラフである。
の間隔Ｔとの関係を示すグラフである。
１５ シンチレータ １７ ライトガイド １９ フォトマルチプライア ２０，３０ 補集電極 ３１ 開口
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを試料に照射することに
よって試料から発生する２次電子を検出する検出器であ
って、２次電子の衝突によって発光するシンチレータ
と、シンチレータの光を導くライトガイドと、ライトガ
イドからの光を電子に変換し増倍するフォトマルチプラ
イアと、シンチレータの前面に配置され、正の電圧が印
加される補集電極とを備えた２次電子検出器において、
補集電極には正六角形の多数の開口が穿たれており、各
六角形の開口は、隣り合った正六角形の辺同志が対向す
る最密充填で配置されていることを特徴とする荷電粒子
ビーム装置用２次電子検出器。 - 【請求項２】 正六角形が接する円の半径をＲ、隣り合
った六角形の開口を隔てる電極板部分の幅をｄ、六角形
の中心間の間隔（周期）をＴとすると、Ｒは０．４〜
１．３ｍｍの範囲であり、ｄとＴは、 ｄ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ Ｔ＝２（Ｒｃｏｓ３０°＋ｄ／２）ｍｍ とされていることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子
ビーム装置用２次電子検出器。 - 【請求項３】 補集電極の厚さをｔとすると、ｔは、 ｔ＝０．１（１±０．１Ｒ）ｍｍ とされていることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子
ビーム装置用２次電子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10060840A JPH11260304A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10060840A JPH11260304A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260304A true JPH11260304A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13153974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10060840A Withdrawn JPH11260304A (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 荷電粒子ビーム装置用２次電子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103003911A (zh) * | 2010-06-03 | 2013-03-27 | 离子射线服务公司 | 高能次生电子检测器 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP10060840A patent/JPH11260304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103003911A (zh) * | 2010-06-03 | 2013-03-27 | 离子射线服务公司 | 高能次生电子检测器 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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