JPH11260976A - コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置 - Google Patents
コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置Info
- Publication number
- JPH11260976A JPH11260976A JP11009092A JP909299A JPH11260976A JP H11260976 A JPH11260976 A JP H11260976A JP 11009092 A JP11009092 A JP 11009092A JP 909299 A JP909299 A JP 909299A JP H11260976 A JPH11260976 A JP H11260976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- sink device
- microprocessor
- electromagnetic radiation
- ground plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント回路板上に実装された論理回路の動
作を妨害する可能性のある電磁放射を放出しない、プリ
ント回路板上に実装された半導体構成要素用の金属ヒー
トシンクを提供すること。 【解決手段】 接地面（３４）を含むプリント回路板
（２２）上に実装されたマイクロプロセッサ（２０）の
ためのヒートシンク装置（２４）であって、熱伝導性で
あり、マイクロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上
部に固定され、周囲の空気との熱交換を可能にする外表
面を備えたヒートシンク装置（２４）。ヒートシンク装
置（２４）は、アンテナとして動作する前記装置がマイ
クロプロセッサ（２０）から受け取った電磁放射を再放
出するのを防止するファラデー・タイプの放射遮断手段
と、電磁放射によって誘導されたエネルギーを排出する
ために前記装置を接地面（３４）に接続するための接続
手段（２８、３０、３２）とを含む。
作を妨害する可能性のある電磁放射を放出しない、プリ
ント回路板上に実装された半導体構成要素用の金属ヒー
トシンクを提供すること。 【解決手段】 接地面（３４）を含むプリント回路板
（２２）上に実装されたマイクロプロセッサ（２０）の
ためのヒートシンク装置（２４）であって、熱伝導性で
あり、マイクロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上
部に固定され、周囲の空気との熱交換を可能にする外表
面を備えたヒートシンク装置（２４）。ヒートシンク装
置（２４）は、アンテナとして動作する前記装置がマイ
クロプロセッサ（２０）から受け取った電磁放射を再放
出するのを防止するファラデー・タイプの放射遮断手段
と、電磁放射によって誘導されたエネルギーを排出する
ために前記装置を接地面（３４）に接続するための接続
手段（２８、３０、３２）とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路板上
に実装する半導体構成要素用のヒートシンクに関し、詳
細には、マイクロプロセッサが発生する電磁波妨害を防
止するマイクロプロセッサ用のヒートシンク装置に関す
る。
に実装する半導体構成要素用のヒートシンクに関し、詳
細には、マイクロプロセッサが発生する電磁波妨害を防
止するマイクロプロセッサ用のヒートシンク装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビジネスおよびマルチメディア・ア
プリケーション・ソフトウェアの成功によって、当業界
は大容量のデータ・ファイルをやり取りするためのより
広い帯域とスループットをユーザに提供する新世代の高
速マイクロプロセッサを開発するに至っている。約７〜
１０ワットの電力を使用するこれらのマイクロプロセッ
サはエネルギーを消費し、このエネルギーを放散させる
信頼性の高いヒートシンクを必要とする。
プリケーション・ソフトウェアの成功によって、当業界
は大容量のデータ・ファイルをやり取りするためのより
広い帯域とスループットをユーザに提供する新世代の高
速マイクロプロセッサを開発するに至っている。約７〜
１０ワットの電力を使用するこれらのマイクロプロセッ
サはエネルギーを消費し、このエネルギーを放散させる
信頼性の高いヒートシンクを必要とする。
【０００３】これと同時に、技術の進歩と論理回路の集
積によって、高速セル・スイッチングが可能になり、そ
の結果、電磁エネルギー放射が生じる。一般に、マイク
ロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上に、鋼やアル
ミニウム合金などの熱伝導材料でできたヒートシンクが
搭載され、マイクロプロセッサが発生した電磁放射の一
部を捕捉する。
積によって、高速セル・スイッチングが可能になり、そ
の結果、電磁エネルギー放射が生じる。一般に、マイク
ロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上に、鋼やアル
ミニウム合金などの熱伝導材料でできたヒートシンクが
搭載され、マイクロプロセッサが発生した電磁放射の一
部を捕捉する。
【０００４】空気との熱交換は、重要な熱交換領域を備
える必要があるため、ヒートシンクの上部は一般に複数
のフィンまたはスパイクから成り、その結果、マイクロ
プロセッサの面積の４〜１０倍の面積になる。しかし、
このようなフィンは捕捉した電磁放射を再放出するアン
テナとして機能する。この放射は、近傍にある論理回路
を妨害する可能性があり、ＥＭＣ規格の必要条件を満た
すことがきわめて困難になる。この問題を克服する技法
は、マイクロプロセッサをファラデー遮蔽で被うことで
あるが、残念なことにそれによって冷却管理が悪くな
る。
える必要があるため、ヒートシンクの上部は一般に複数
のフィンまたはスパイクから成り、その結果、マイクロ
プロセッサの面積の４〜１０倍の面積になる。しかし、
このようなフィンは捕捉した電磁放射を再放出するアン
テナとして機能する。この放射は、近傍にある論理回路
を妨害する可能性があり、ＥＭＣ規格の必要条件を満た
すことがきわめて困難になる。この問題を克服する技法
は、マイクロプロセッサをファラデー遮蔽で被うことで
あるが、残念なことにそれによって冷却管理が悪くな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、プリント回路板上に実装された論理回路の動作
を妨害する可能性のある電磁放射を放出しない、プリン
ト回路板上に実装された半導体構成要素用の金属ヒート
シンクを提供することである。
目的は、プリント回路板上に実装された論理回路の動作
を妨害する可能性のある電磁放射を放出しない、プリン
ト回路板上に実装された半導体構成要素用の金属ヒート
シンクを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
接地面を含むプリント回路板上に実装されたマイクロプ
ロセッサ用のヒートシンク装置であって、熱伝導性であ
り、マイクロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上部
に固定され、周囲との熱交換を可能にする外表面を含む
ヒートシンク装置に関する。この装置は、アンテナとし
て機能するヒートシンク装置がマイクロプロセッサから
受け取った電磁放射を再放出するのを防ぐ放射遮断手段
と、電磁放射によって誘導されたエネルギーを排出する
ためにヒートシンク装置を接地面に接続する接続手段と
を含む。
接地面を含むプリント回路板上に実装されたマイクロプ
ロセッサ用のヒートシンク装置であって、熱伝導性であ
り、マイクロプロセッサを内蔵する誘電体ケースの上部
に固定され、周囲との熱交換を可能にする外表面を含む
ヒートシンク装置に関する。この装置は、アンテナとし
て機能するヒートシンク装置がマイクロプロセッサから
受け取った電磁放射を再放出するのを防ぐ放射遮断手段
と、電磁放射によって誘導されたエネルギーを排出する
ためにヒートシンク装置を接地面に接続する接続手段と
を含む。
【０００７】本発明の好ましい実施形態では、ヒートシ
ンク装置は、回路板の接地面に直接接続された接続ピン
を備えたファラデー遮蔽の機能を有する。
ンク装置は、回路板の接地面に直接接続された接続ピン
を備えたファラデー遮蔽の機能を有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に示すような従来のヒートシ
ンクは、一般には鋼またはアルミニウム合金の熱伝導性
装置１０であり、主として、マイクロプロセッサ１４が
発生した熱を周囲の空気中に放散させることができるよ
うにするきわめて重要な領域となるフィンまたはスパイ
ク１２から成る。
ンクは、一般には鋼またはアルミニウム合金の熱伝導性
装置１０であり、主として、マイクロプロセッサ１４が
発生した熱を周囲の空気中に放散させることができるよ
うにするきわめて重要な領域となるフィンまたはスパイ
ク１２から成る。
【０００９】プリント回路板１６上に実装されたマイク
ロプロセッサ１４は、誘電体ケース内に内蔵されてい
る。この誘電体ケースのために、マイクロプロセッサは
マイクロプロセッサ・チップに容量結合される。次に、
ヒートシンク・フィン１２がそれぞれの寄生キャパシタ
ンスを介して環境に結合される。したがって、ヒートシ
ンク１０によって捕捉された電磁エネルギーの一部は、
そのようなキャパシタンスのためにアンテナとして機能
するフィン１２によって再放出される。
ロプロセッサ１４は、誘電体ケース内に内蔵されてい
る。この誘電体ケースのために、マイクロプロセッサは
マイクロプロセッサ・チップに容量結合される。次に、
ヒートシンク・フィン１２がそれぞれの寄生キャパシタ
ンスを介して環境に結合される。したがって、ヒートシ
ンク１０によって捕捉された電磁エネルギーの一部は、
そのようなキャパシタンスのためにアンテナとして機能
するフィン１２によって再放出される。
【００１０】図１の矢印１８で示されている電磁放射の
放出は、マイクロプロセッサ・チップが発生する高調波
の波長と比較したフィン１２の大きさに依存する。経験
則により、この波長の１０分の１を超える長さを有する
フィンはアンテナになることがわかっている。したがっ
て、約１０ｍｍの長さを有するフィンの場合、３ＧＨｚ
以上の高調波のアンテナとなる。
放出は、マイクロプロセッサ・チップが発生する高調波
の波長と比較したフィン１２の大きさに依存する。経験
則により、この波長の１０分の１を超える長さを有する
フィンはアンテナになることがわかっている。したがっ
て、約１０ｍｍの長さを有するフィンの場合、３ＧＨｚ
以上の高調波のアンテナとなる。
【００１１】上述の問題は、図２に示すヒートシンク装
置によって克服される。前述のように、誘電体ケース内
に内蔵されたマイクロプロセッサ２０がプリント回路板
２２上に実装されている。主としてフィン２６から成る
熱伝導性ヒートシンク２４が、マイクロプロセッサ２０
の上部に、好ましくは熱伝導性接着剤によって固定され
ている。フィン２６の高さとフィン間の間隔は、熱放散
のためにマイクロプロセッサ２０と周囲の空気との間の
熱交換が可能な限り多く行われるように設計されている
ことに留意されたい。
置によって克服される。前述のように、誘電体ケース内
に内蔵されたマイクロプロセッサ２０がプリント回路板
２２上に実装されている。主としてフィン２６から成る
熱伝導性ヒートシンク２４が、マイクロプロセッサ２０
の上部に、好ましくは熱伝導性接着剤によって固定され
ている。フィン２６の高さとフィン間の間隔は、熱放散
のためにマイクロプロセッサ２０と周囲の空気との間の
熱交換が可能な限り多く行われるように設計されている
ことに留意されたい。
【００１２】図１の従来のヒートシンクとは異なり、ヒ
ートシンク２４はマイクロプロセッサ２０よりも大き
い。実際には、マイクロプロセッサ２０は、一定の間隔
をあけて配置され、プリント回路板２２の接地面３４に
接続されたピン２８、３０、または３２などの上部およ
び垂直ピン上のヒートシンク２４によって構成されたフ
ァラデー遮蔽内にカプセル封止されている。したがっ
て、ヒートシンク２４によって捕捉された放射エネルギ
ーの大部分は接地面３４によって放散される。
ートシンク２４はマイクロプロセッサ２０よりも大き
い。実際には、マイクロプロセッサ２０は、一定の間隔
をあけて配置され、プリント回路板２２の接地面３４に
接続されたピン２８、３０、または３２などの上部およ
び垂直ピン上のヒートシンク２４によって構成されたフ
ァラデー遮蔽内にカプセル封止されている。したがっ
て、ヒートシンク２４によって捕捉された放射エネルギ
ーの大部分は接地面３４によって放散される。
【００１３】ピン２８、３０、または３２の数は、主と
して最大高調波波長に依存し、経験則では２つのピンの
間の間隔Ｌは最低波長の１０分の１以下にする。したが
って、現在使用されている２００〜３００ＭＨｚの基本
周波数を有する信号の第１０高調波に相当する３ＧＨｚ
の有効高調波を示す最新のモジュールでは、間隔Ｌは１
ｃｍ以下でなければならない。５ｃｍの大きさのマイク
ロプロセッサ・ケースによる実施態様の例は、一辺が８
ｃｍで、ピン２８、２９、３０などの９個のピンを含む
ファラデー遮蔽である。本発明の目的は、電磁放出を内
部に維持し、接地面と、熱を放散させるためのフィンま
たはスパイクによって構成された上部と、最低波長の放
射が外部に放出されるのを防止する壁面とから成るファ
ラデー遮蔽タイプの放射遮断装置を提供することであ
る。このような装置は、上述の装置とは異なる態様で実
施することもできることに留意されたい。したがって、
ファラデー遮蔽は、ピンではなく中実の側壁を有するこ
ともでき、前記側壁はプリント回路板の上部で直接また
はピンホールによって接地に接続される。あるいは、前
述のように最低波長の１０分の１未満の寸法の網目を持
つ格子によって形成することもできる。最後に、接地面
３４へのヒートシンク２４の接続は、ピン２８、３０、
または３２とは異なる単一のストラップまたはワイヤと
することも可能であろう。
して最大高調波波長に依存し、経験則では２つのピンの
間の間隔Ｌは最低波長の１０分の１以下にする。したが
って、現在使用されている２００〜３００ＭＨｚの基本
周波数を有する信号の第１０高調波に相当する３ＧＨｚ
の有効高調波を示す最新のモジュールでは、間隔Ｌは１
ｃｍ以下でなければならない。５ｃｍの大きさのマイク
ロプロセッサ・ケースによる実施態様の例は、一辺が８
ｃｍで、ピン２８、２９、３０などの９個のピンを含む
ファラデー遮蔽である。本発明の目的は、電磁放出を内
部に維持し、接地面と、熱を放散させるためのフィンま
たはスパイクによって構成された上部と、最低波長の放
射が外部に放出されるのを防止する壁面とから成るファ
ラデー遮蔽タイプの放射遮断装置を提供することであ
る。このような装置は、上述の装置とは異なる態様で実
施することもできることに留意されたい。したがって、
ファラデー遮蔽は、ピンではなく中実の側壁を有するこ
ともでき、前記側壁はプリント回路板の上部で直接また
はピンホールによって接地に接続される。あるいは、前
述のように最低波長の１０分の１未満の寸法の網目を持
つ格子によって形成することもできる。最後に、接地面
３４へのヒートシンク２４の接続は、ピン２８、３０、
または３２とは異なる単一のストラップまたはワイヤと
することも可能であろう。
【００１４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００１５】（１）接地面（３４）を有するプリント回
路板（２２）上に実装された半導体構成要素（２０）、
特にマイクロプロセッサのための、熱伝導性で、前記半
導体構成要素を内蔵する誘電体ケース上に固定され、周
囲の空気との熱交換を可能にする外表面を備えたヒート
シンク装置（２４）であって、アンテナとして機能する
前記ヒートシンク装置が前記半導体構成要素から受け取
った電磁放射を再放出するのを防止する放射遮断手段
（２８、３０、３２）と、前記電磁放射によって誘導さ
れたエネルギーを放散させるために前記ヒートシンク装
置を前記接地面に接続する接続手段とを含むことを特徴
とする、ヒートシンク装置（２４）。 （２）前記放射遮断手段が、前記接地面（３４）に直接
接続された接続ピン（２８、３０、３２）を含むファラ
デー遮蔽である、上記（１）に記載のヒートシンク装置
（２４）。 （３）前記接続ピン（２８、３０、３２）が一定の間隔
をあけて配置され、前記ピンのうちの２つのピンの間の
間隔Ｌが再放出しないように防止する第１０最低電磁放
射波長よりも小さい、上記（２）に記載のヒートシンク
装置（２４）。 （４）最大３ＧＨｚの電磁放射高調波が再放出されるの
を防止するために前記間隔Ｌが１ｃｍ未満である、上記
（３）に記載のヒートシンク装置（２４）。 （５）周囲の空気との熱交換を可能にする前記外表面が
フィン（２６）から成る、上記（１）ないし（４）のい
ずれか一項に記載のヒートシンク装置（２４）。
路板（２２）上に実装された半導体構成要素（２０）、
特にマイクロプロセッサのための、熱伝導性で、前記半
導体構成要素を内蔵する誘電体ケース上に固定され、周
囲の空気との熱交換を可能にする外表面を備えたヒート
シンク装置（２４）であって、アンテナとして機能する
前記ヒートシンク装置が前記半導体構成要素から受け取
った電磁放射を再放出するのを防止する放射遮断手段
（２８、３０、３２）と、前記電磁放射によって誘導さ
れたエネルギーを放散させるために前記ヒートシンク装
置を前記接地面に接続する接続手段とを含むことを特徴
とする、ヒートシンク装置（２４）。 （２）前記放射遮断手段が、前記接地面（３４）に直接
接続された接続ピン（２８、３０、３２）を含むファラ
デー遮蔽である、上記（１）に記載のヒートシンク装置
（２４）。 （３）前記接続ピン（２８、３０、３２）が一定の間隔
をあけて配置され、前記ピンのうちの２つのピンの間の
間隔Ｌが再放出しないように防止する第１０最低電磁放
射波長よりも小さい、上記（２）に記載のヒートシンク
装置（２４）。 （４）最大３ＧＨｚの電磁放射高調波が再放出されるの
を防止するために前記間隔Ｌが１ｃｍ未満である、上記
（３）に記載のヒートシンク装置（２４）。 （５）周囲の空気との熱交換を可能にする前記外表面が
フィン（２６）から成る、上記（１）ないし（４）のい
ずれか一項に記載のヒートシンク装置（２４）。
【図１】電磁放射を放出する従来のヒートシンクを備え
たマイクロプロセッサ・ケースを示す略図である。
たマイクロプロセッサ・ケースを示す略図である。
【図２】本発明によるヒートシンクを備えたマイクロプ
ロセッサ・ケースの部分断面図である。
ロセッサ・ケースの部分断面図である。
２０ マイクロプロセッサ ２２ プリント回路板 ２４ ヒートシンク ２６ フィン ２８ ピン ３０ ピン ３２ ピン ３４ 接地面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンリ・ボニファス フランス 06610 ラ・ゴード シュマ ン・ド・ラドレ (72)発明者 アンリ・ブラケ フランス 06790 アスプルモン レ・テ ンプリエ (72)発明者 ブリュノ・サントラ フランス 06140 ヴァンス アヴニュ・ ド・プロヴァンス 1978
Claims (5)
- 【請求項１】接地面（３４）を有するプリント回路板
（２２）上に実装された半導体構成要素（２０）、特に
マイクロプロセッサのための、熱伝導性で、前記半導体
構成要素を内蔵する誘電体ケース上に固定され、周囲の
空気との熱交換を可能にする外表面を備えたヒートシン
ク装置（２４）であって、 アンテナとして機能する前記ヒートシンク装置が前記半
導体構成要素から受け取った電磁放射を再放出するのを
防止する放射遮断手段（２８、３０、３２）と、 前記電磁放射によって誘導されたエネルギーを放散させ
るために前記ヒートシンク装置を前記接地面に接続する
接続手段とを含むことを特徴とする、ヒートシンク装置
（２４）。 - 【請求項２】前記放射遮断手段が、前記接地面（３４）
に直接接続された接続ピン（２８、３０、３２）を含む
ファラデー遮蔽である、請求項１に記載のヒートシンク
装置（２４）。 - 【請求項３】前記接続ピン（２８、３０、３２）が一定
の間隔をあけて配置され、前記ピンのうちの２つのピン
の間の間隔Ｌが再放出しないように防止する第１０最低
電磁放射波長よりも小さい、請求項２に記載のヒートシ
ンク装置（２４）。 - 【請求項４】最大３ＧＨｚの電磁放射高調波が再放出さ
れるのを防止するために前記間隔Ｌが１ｃｍ未満であ
る、請求項３に記載のヒートシンク装置（２４）。 - 【請求項５】周囲の空気との熱交換を可能にする前記外
表面がフィン（２６）から成る、請求項１ないし４のい
ずれか一項に記載のヒートシンク装置（２４）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98480005.2 | 1998-01-22 | ||
| EP98480005 | 1998-01-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260976A true JPH11260976A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3012867B2 JP3012867B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=8235739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11009092A Expired - Lifetime JP3012867B2 (ja) | 1998-01-22 | 1999-01-18 | コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012867B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515861B1 (en) * | 2001-04-02 | 2003-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for shielding electromagnetic emissions from an integrated circuit |
| FR2828765A1 (fr) * | 2001-08-16 | 2003-02-21 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte |
| US6583987B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Electromagnetic interference and heatsinking |
| KR100789051B1 (ko) * | 2000-04-05 | 2007-12-26 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 전자 부품 내의 고주파 전류 흐름을 상당히 억제할 수 있는 라디에이터 |
| JP2009093157A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 回路基板組立体及びそれを備えるプラズマディスプレイ装置 |
| JP2010062389A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sony Corp | 集積装置および電子機器 |
| JP2010245342A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 集積回路の搭載構造 |
| DE102010016288A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Jena-Optronik Gmbh | Elektronische Baueinheit und Weltraumfahrzeug damit |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP11009092A patent/JP3012867B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583987B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Electromagnetic interference and heatsinking |
| KR100789051B1 (ko) * | 2000-04-05 | 2007-12-26 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 전자 부품 내의 고주파 전류 흐름을 상당히 억제할 수 있는 라디에이터 |
| US6515861B1 (en) * | 2001-04-02 | 2003-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for shielding electromagnetic emissions from an integrated circuit |
| FR2828765A1 (fr) * | 2001-08-16 | 2003-02-21 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Porte-puce de semiconducteur a systeme de refroidissement et radiateur adapte |
| JP2009093157A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 回路基板組立体及びそれを備えるプラズマディスプレイ装置 |
| JP2010062389A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sony Corp | 集積装置および電子機器 |
| JP2010245342A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 集積回路の搭載構造 |
| DE102010016288A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Jena-Optronik Gmbh | Elektronische Baueinheit und Weltraumfahrzeug damit |
| DE102010016288B4 (de) * | 2010-04-01 | 2011-12-15 | Jena-Optronik Gmbh | Elektronische Baueinheit und Weltraumfahrzeug damit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012867B2 (ja) | 2000-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804875A (en) | Computer system with heat sink having an integrated grounding tab | |
| US5815371A (en) | Multi-function heat dissipator | |
| US6577504B1 (en) | Integrated heat sink for different size components with EMI suppression features | |
| US6756669B2 (en) | Heat spreader with down set leg attachment feature | |
| US6583987B2 (en) | Electromagnetic interference and heatsinking | |
| US6573590B1 (en) | Integrated circuit package with EMI containment features | |
| US20240251498A1 (en) | Thermal-Control System Of A Mesh Network Device and Associated Mesh Network Devices | |
| JP3012867B2 (ja) | コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置 | |
| US7616445B2 (en) | Structure and method for efficient thermal dissipation in an electronic assembly | |
| US6944025B2 (en) | EMI shielding apparatus | |
| US20080029244A1 (en) | Heat sinks for dissipating a thermal load | |
| US6646341B2 (en) | Heat sink apparatus utilizing the heat sink shroud to dissipate heat | |
| EP0932200A2 (en) | Heat sink device for microprocessor | |
| JP4958189B2 (ja) | 集積回路の搭載構造 | |
| JP2003060140A (ja) | ヒートシンクおよび放熱装置 | |
| CN218071925U (zh) | 一种组合型散热屏蔽结构及电子组件 | |
| US6501655B1 (en) | High performance fin configuration for air cooled heat sinks | |
| WO2023098503A1 (zh) | 一种屏蔽结构、封装体、板级架构、散热器及电子设备 | |
| JPH05167204A (ja) | プリント基板 | |
| CN210670725U (zh) | 印制电路板散热结构 | |
| JP2000059003A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| JPH1117083A (ja) | Ｅｍｉ対策機能付き放熱装置 | |
| CN217546600U (zh) | 一种散热屏蔽器 | |
| JP2000332476A (ja) | ヒートシンク | |
| JPH04139863A (ja) | 半導体素子の放熱兼用シールドケース |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991012 |