JPH11260992A - リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法

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JPH11260992A JP10085966A JP8596698A JPH11260992A JP H11260992 A JPH11260992 A JP H11260992A JP 10085966 A JP10085966 A JP 10085966A JP 8596698 A JP8596698 A JP 8596698A JP H11260992 A JPH11260992 A JP H11260992A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップがリードおよびアイランドに確
実に接続されて内部に接続不良のない小型の半導体装置
を容易に製造することが可能なリードフレームおよび半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数のリードとその1つの先端に設けら
れた半導体チップ載置用のアイランドを有するリードフ
レームにおいて、リードに平行なアイランドの側辺に突
起を形成し、アイランドへの半導体チップの載置および
半導体チップとリードやアイランドとのワイヤボンディ
ングに際して、突起を押し付けてアイランドのステージ
からの浮き上がりを防止する。突起はリードから遠い位
置に形成することが好ましく、リードに平行な2側辺の
いずれか一方または両方に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップを載置
するためのリードフレーム、これを用いた半導体装置、
および半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】トランジスタ、ダイオード、集積回路
(IC)等の種々の回路を内部に形成された半導体チッ
プは、一般に、製造の最終段階で必要な数のリードを取
り付けられ、保護のために樹脂でモールドされて、完成
品である半導体装置とされる。この工程では、リードの
原形と半導体チップ取り付け用の部位とを有する金属製
のリードフレームが用いられる。半導体チップ取り付け
用の部位はアイランドと呼ばれ、1本のリードの先端部
に形成される。他のリードは先端部がアイランド近傍に
位置するように形成される。
【0003】半導体チップの上面には、入力または出力
のために、内部の回路に接続された複数のボンディング
パッドが設けられる。半導体チップは接着剤によりアイ
ランドに固着された後、ワイヤボンディングによってリ
ードの先端部と接続される。内部に形成される回路によ
っては、例えば入出力用の端子、電源用端子等を下面か
ら導出させた構成の半導体チップもあり、このような半
導体チップは、導電性の接着剤によりアイランドに固定
され、固定と同時に1本のリードに電気的に接続され
る。下面に露出した端子をもたない半導体チップの場
合、1つのボンディングパッドとアイランドの周辺部と
をワイヤで接続する場合もある。
【0004】樹脂モールドは、半導体チップ、アイラン
ドおよびリードの先端部を内包するように形成される。
リードのうち、樹脂モールドの内部に存在する部位はイ
ンナーリード、樹脂モールドの外部に存在する部位はア
ウターリードと呼ばれる。
【0005】量産性を高めるためには、半導体チップの
アイランドへの固着、半導体チップとリードの接続、お
よび樹脂モールドの形成の工程を半導体チップごとに個
別に行うのではなく、1つの工程を多くの半導体チップ
について連続してあるいは並行して行うことが望まし
い。このため、1つのリードフレームには、アイランド
とリードから成る組が多数、並列して規則正しく形成さ
れる。全てのリードは、基端部で連結されるとともに、
リードフレームの撓みとリード間の間隔の変動を防止す
るために、基端部と先端部の中間部でも連結される。こ
の中間部を連結する部位はタイバーと呼ばれる。
【0006】樹脂モールドを形成した状態の従来のリー
ドフレームを図5に示す。図5において、27は樹脂モ
ールド、21aおよび21bは1本のリード20のアウ
ターリード21、23はタイバーである。インナーリー
ドは樹脂モールド27に埋没しており、図には現れてい
ない。また、ここではリードフレームの一部のみを示し
ており、左右に連なる部位およびリード20の基端部は
省略している。この例では、1つの半導体装置は3本の
リード20を有する。
【0007】リード20を連結するタイバー23を切除
し、アウターリード21を基端部側で切断することによ
り、個々の半導体装置が分離される。分離された半導体
装置のアウターリード21は、必要に応じて、樹脂モー
ルド27の外面に沿うように折曲げられる。完成品であ
る半導体装置は、他の部品とともに、基板に取り付けら
れる。基板への取り付けは、基板に形成されている配線
パターンとアウターリード21を接続し、かつ半導体装
置を強固に固定するために半田が使用される。
【0008】半導体チップは小さく、また半導体装置は
小さいことが望ましく、インナーリードの配列ピッチ
(図5のA)は小さく設定される。一方、基板への取り
付けに際しては半田を用いることから、短絡を防止する
ために、アウターリード21のアイランドから遠い部位
21bの配列ピッチ(図5のB)は広く設定する必要が
ある。したがって、全てのリード20を直線状に形成す
るのではなく、少なくとも外側に位置するリードは屈曲
部を有するように形成される。
【0009】リードフレームは金属板を所望の形状に打
ち抜くことにより形成されるが、従来は、図5に示した
ように、リード20を連結するタイバー23の一部をリ
ード20の屈曲部21cとして兼用することにより、構
成を簡素化している。その結果、アウターリード21の
配列ピッチはタイバー23を境として変化し、部位21
aではインナーリードのピッチAに等しく、部位21b
ではより大きなピッチBとなっている。タイバー23を
切除した後のリード20を拡大して図6に示す。タイバ
ー23のうち、隣合うリードを連結している部位のみが
切除され、一部は外側の2本のリードの屈曲部21cと
して残存している。
【0010】半導体チップに取り付けるリードが3本程
度と少ない場合、リードを屈曲させても、隣合うリード
間でピッチの大きい部位21bとピッチの小さい部位2
1aが接近することはない。したがって、タイバー23
をリード20の辺縁に平行に切断して、切除部位のリー
ド間の間隔を広く保つことができる。
【0011】ところが、半導体チップに取り付けるリー
ドが多くなると、リードを屈曲させることにより、1本
のリードのピッチの大きい部位が、隣のリードのピッチ
の小さい部位に接近する。4本のリードを取り付ける場
合のリードフレームを図7に示し、そのタイバー23を
切除した後のリード20を拡大して図8に示す。この場
合、外側の2本のリードのみならず、内側の2本のリー
ドも屈曲部21cを有しており、内側の2本のリードの
部位21bは外側の2本のリードの部位21aに接近し
ている。したがって、タイバー23を切除した後のリー
ドの間隔をできるだけ広くするためには、図8に示した
如く、タイバー23をリード20の辺縁に平行ではなく
斜めに切断しなければならない。
【0012】しかしながら、斜めに切断してもタイバー
切除部のリードの間隔を広くするには限界がある。しか
も、斜めに切断するためには厳密な位置合わせが必要で
あり、位置合わせが正確になされないとリード間の間隔
が一様でなくなって、所定の間隔に達しない個所が生じ
る。リード間の間隔が狭いと、基板への取り付けに際
し、半田が盛り上がって隣合うリードが接触し、短絡す
るという不都合が生じ易い。
【0013】このリード間の短絡を防止するために、タ
イバーを切除した部位のリードの表面に電気絶縁性の樹
脂を塗着して、絶縁コートを形成することが行われてい
る。図8の例では破線で囲った部位に絶縁コートが形成
される。
【0014】タイバー切除部に絶縁コートを形成する方
法は、リード間の絶縁を確保するのに有用である。しか
しながら、絶縁コートの形成はタイバーを切除した後に
行わなければならず、換言すれば、半導体装置ごとに個
別に行わなければならない。このため、単なる工程数の
増加にとどまらず、半導体装置の製造効率の大きな低下
が避けられない。しかも、発光ダイオード、受光IC、
フォトインタラプタ等の光−電気変換素子を使用した半
導体装置の場合には、絶縁コートの樹脂がはみ出して光
の出入口を塞ぐ恐れもある。
【0015】さらに、タイバーを斜めに切断するために
厳密な位置合わせをする必要があり、これを可能にする
ためにリードフレームの加工精度を高くする必要もあ
る。このような理由により、従来のリードフレームの構
造は、半導体装置製造のコストの低減や歩留まりの向上
の障害の要因となっている。
【0016】半導体チップのアイランドへの固着やワイ
ヤボンディングは、リードフレームを平坦なステージに
載置し、インナーリードのタイバー側をピンで上方から
押し付けて行われる。ワイヤボンディングを行うときの
アイランドを側方から見た様子を図9に示す。図9にお
いて、31はアイランド、32はインナーリード、33
は半導体チップ、34はボンディングパッド、35はワ
イヤ、36はステージ、37はキャピラリツール、38
は押し付け用のピンである。通常の場合、アイランド3
1、リード32はともにステージ36の上面に密接し、
半導体チップ33もアイランド31の上面に密接する。
【0017】この状態で、キャピラリツール37を降下
させて、その先端から突出するワイヤ35を、半導体チ
ップ33を損傷しない程度の力で、ボンディングパッド
34に押し当てる。そしてキャピラリツール37よりワ
イヤ35の先端に超音波を作用させて、ワイヤ35をボ
ンディングパッド34に固定する。次いで、キャピラリ
ツール37を移動させてリード32上に降下させ、同様
に力と超音波を加えてワイヤ35をリード32に固定
し、切断する。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】ところが、アイランド
は他のどのリードの先端部よりもタイバーから遠い位置
にあるため、アイランドの先端は浮き上がり易くステー
ジの上面から離間し易い。アイランド31の先端がステ
ージ36から離間した状態を図9に鎖線で示す。この状
態で半導体チップ33をアイランド31に固着しても両
者が密接せず、強固な固定をすることはできない。
【0019】また、アイランド31の先端がステージ3
6から離間した状態でワイヤボンディングを行うと、ア
イランド31が撓むため、十分な力がワイヤ35に加わ
らなくなり、超音波も散逸してしまう。したがって、ボ
ンディングパッド34とワイヤ35を良好に接続するこ
とはできなくなる。アイランド31の周辺部にワイヤ3
5を接続する場合も同様に、アイランド31とワイヤ3
5を良好に接続することはできない。
【0020】浮き上がりを防止するために、半導体チッ
プのアイランドへの固着やワイヤボンディングに際して
は、アイランドの先端部を別のピンによって上方から押
さえ付けることが行われている。図9において39がそ
のピンであり、アイランド31の先端部をステージ36
に押さえ付ける。このため、アイランド31の面積は、
半導体チップを載置するのに必要な面積より大きく設定
されており、その分樹脂モールドが大きくなって、完成
品である半導体装置も大型化している。
【0021】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、半導体チップがリードおよびアイランドに確実に
接続されて内部に接続不良のない小型の半導体装置を容
易に製造することが可能なリードフレームおよび半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、半導体チップを載置するための略矩形
のアイランド、アイランドの第1の辺縁に連なりこの第
1の辺縁に対して略垂直な方向に延びる第1のリード、
およびアイランドに接近した端部を有し第1のリードと
略同じ方向に延びる複数の第2のリードより成るリード
フレームにおいて、アイランドは第1のリードに略平行
な第2の辺縁に突起部を有するものとする。
【0023】突起部は、半導体チップのアイランドへの
固着またはワイヤボンディングに際して、アイランドの
浮き上がりを防止するためにピンで押さえ付ける部位と
して利用することができる。また、ワイヤと接続する部
位としても利用可能である。したがって、突起部を除く
アイランドを、半導体チップを載置するに足る最小限の
大きさとすることができる。
【0024】通常の場合、第2のリードの一部はアイラ
ンドの第2の辺縁に沿うように設けられるから、突起部
を含むアイランドの幅すなわち第1の辺縁方向の長さ
を、外側の2つの第2のリードの距離以下とすることが
できる。したがって、アイランドの第2の辺縁に突起部
を設けることは樹脂モールドの大きさに影響を及ぼさ
ず、半導体装置の大型化を招くことがない。
【0025】本発明ではまた、上記のリードフレームを
用い、上面に入力または出力のためのボンディングパッ
ドを有する半導体チップをアイランドに固着し、アイラ
ンドおよび第2のリードの端部をステージに載置して突
起部を上方から押さえて、ボンディングパッドと第2の
リードの端部または突起部とをワイヤで接続することに
より半導体装置を製造する。ボンディングパッドとリー
ドとのワイヤボンディングまたはアイランドと半導体チ
ップとの接続を確実に行うことができるから、信頼性の
高い半導体装置を製造することができる上、アイランド
が小さいため、得られる半導体装置が小型になる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図1に、本発明の一実
施形態であるリードフレーム1に樹脂モールド7を形成
した状態を示す。リードフレーム1は、電気導電性の金
属板から不必要な部位をパンチングまたはエッチング処
理により除去して形成されている。
【0027】このリードフレーム1は、多数の半導体チ
ップの各々に4本のリードを取り付けるためのものであ
り、4本で1群の帯状のリード10を多数有している。
全てのリード10は同じ方向に向けて配列されており、
基端部においてこれらと直交する幅広の連結部15によ
り連結されている。全てのリード群は一定のピッチで規
則正しく配列されており、連結部15には各群の位置を
示すための貫通孔15aが上記一定のピッチで形成され
ている。
【0028】リード10の先端部は樹脂モールド7に埋
没しており、全てのリード10は、先端部と基端部の中
間部において、それらと直交する直線状のタイバー13
によって連結されている。タイバー13は、連結部15
によるリード10の連結を補強して、リードフレーム1
の撓みとリード10の間隔の変動を防止するためのもの
である。タイバー13は、リード10の一部を成すもの
ではなく、後に切除される。
【0029】リードフレーム1のうち1つの半導体装置
となる一部分を拡大して図2に示し、これに樹脂モール
ド7を形成した後の状態を図3に示す。図2に示したよ
うに、4本のリード10のうちの1本の先端部は半導体
チップを載置するためのアイランド14として大きく形
成されている。4本のリード10のうちの他の先端部
は、いずれもアイランド14の近傍に位置する。各リー
ド10のうち、図2の破線より上方に位置する部位12
が図3の樹脂モールド7に覆われるインナーリード、破
線よりも下方の部位11が樹脂モールド7の外部に位置
するアウターリードとなる。
【0030】図示しないが、アイランド14に載置され
る半導体チップは入出力端子を含む4つの端子を有して
おり、そのうちの1つは下面として露出し、残りの3つ
は上面に形成された3つのボンディングパッドに接続さ
れている。半導体チップは導電性の接着剤によりアイラ
ンド14に固着され、ボンディングパッドとインナーリ
ード12が例えば金製のワイヤによって接続される。こ
れにより、4つの端子がそれぞれ異なるリード10に電
気的に接続される。
【0031】4本のリード10のどの先端部にアイラン
ド14を形成するかは任意であり、ワイヤとインナーリ
ード12のどの部位を接続するかも任意である。これら
は、ワイヤボンディングを容易に行い得るように、半導
体チップのボンディングパッドの位置に応じて定めると
よい。特に、インナーリード12の接続部位は、樹脂モ
ールド形成時にワイヤを損傷することなく樹脂を注入す
ることができるように、樹脂の注入方向を考慮して定め
るのが好ましい。
【0032】なお、リードフレーム1は、3つの端子の
みを有し各端子が上面に形成されたボンディングパッド
に連なっている半導体チップ、すなわち下面をリード1
0と接続する必要のない半導体チップにも適用可能であ
る。その場合、アイランド14に連なるリードは、樹脂
モールド7を形成するまでアイランド14を固定するた
めの単なる支持部材として機能することになる。したが
って、導電性の接着剤ではなく絶縁性の接着剤で半導体
チップをアイランドに固着してもよく、アイランド14
に連なるリードのアウターリード11は切断して除去す
る。
【0033】リードフレーム1は、また、上面に4つの
ボンディングパッドを有し、4つの端子の全てがボンデ
ィングパッドに接続されている半導体チップにも適用す
ることができる。この場合、導電性または絶縁性の接着
剤で半導体チップをアイランド14に固着し、ボンディ
ングパッドの1つをアイランド14に連なるリードにワ
イヤで接続する。このリードは、当然、樹脂モールド7
を形成した後も保存する。
【0034】アイランド14は略矩形であり、インナー
リード12に平行な2つの辺縁には突起部14a、14
bが形成されている。突起部14a、14bを除くアイ
ランド14の大きさは、半導体チップを載置するために
必要な最小限の大きさに設定されている。突起部14
a、14bはリードに連なる辺縁に対向する辺縁の近傍
に設けられている。
【0035】一方の突起部14aは真っ直ぐで、その辺
縁はアイランド14の辺縁に連続している。他方の突起
部14bはリード10から遠ざかる方向に向かって屈曲
している。突起部14bの先端部および突起部14aは
半導体チップをアイランド14に固着する際および/ま
たはワイヤボンディングを行う際に、ピンで押し付ける
部位として利用される。突起部14bの基端部はワイヤ
と接続するための部位としても使用することができる。
【0036】4本のインナーリード12のうち外側の2
本は、突起部14aまたは14bの近傍にまで達してお
り、突起部14a、14bを形成したアイランド14の
辺縁に沿っている。このように、インナーリード12を
アイランド14に沿わせると、ワイヤと接続する部位を
自由に選択することができる。したがって、ボンディン
グパッドの位置が異なる種々の半導体チップにリードフ
レーム1を用いることが可能になり、また、樹脂モール
ド形成時の樹脂の注入方向を考慮してワイヤとの接続部
位の位置を決定することができる。
【0037】インナーリード12は等しいピッチAで互
いに平行に形成されている。このピッチAは、リード1
0の先端部がアイランド14の近傍に位置するように、
小さく設定されている。これにより、樹脂モールド7を
半導体チップとリード10の先端部の保護に必要な最小
の大きさに形成することが可能になっている。アウター
リード11のうち樹脂モールド7に近い部位11a(以
下、近部位という)はインナーリード12の延長上に形
成されており、インナーリード12と同じピッチAを有
する。
【0038】一方、アウターリード11のうち樹脂モー
ルド7から遠い部位11b(以下、遠部位という)は、
基板への取り付けを容易にするとともにその際の半田に
よる短絡を防止するために、インナーリード12のピッ
チAよりも大きいピッチBにする必要がある。このた
め、アウターリード11には途中に屈曲部11cが形成
されている。屈曲部11cによるアウターリード11の
近部位11aと遠部位11bの位置のずれは、外側の2
本の方が内側の2本よりも大きい。4本のアウターリー
ド11は左右対称に設定されており、このように対称関
係をもたせることで、内側の2本のリードの遠部位11
bを外側にずらす量を等しくして最小にすることができ
る。
【0039】全てのリード10の屈曲部11cはアイラ
ンド14から等距離に形成されており、したがって、隣
合うリードの間隔は屈曲部11c近傍で他のどの部位よ
りも小さくなる。ただし、相互の間隔が最も狭くなる屈
曲部11cは、基板への取り付けに際し半田が盛り上が
ったとしても互いに接触することがないように、十分な
大きさに設計されている。具体的には、間隔の減少を最
小限に抑えるために、屈曲部11cの向かい合う辺縁
を、他の部位の辺縁に対して斜めにして、互いに略平行
になるように設定している。リードフレーム1はパンチ
ングまたはエッチングによって一度に全体が形成される
から、リード10の間隔にばらつきが生じることはな
く、屈曲部11cの間隔も設計どおりとなる。
【0040】タイバー13は、アウターリード11のう
ちアイランド14と屈曲部11cの間、すなわちインナ
ーリード12とピッチが等しい近部位11aを連結する
ように形成されている。タイバー13は樹脂モールドを
形成した後に切除する。切除されるタイバー13の領域
を図3に斜線で示す。タイバー13は、アウターリード
11の近部位11aの辺縁に平行に、かつその辺縁に近
い位置で切断することが可能であり、そのように切断す
る。タイバー13切除後の近部位11aには僅かに幅広
の部位11dが形成されることになるが、隣合う部位1
1dの間隔は、隣合う屈曲部11cの間隔と同程度また
はそれ以上になる。
【0041】基板への取り付けに際し半田が盛り上がっ
た場合でも、タイバー切除後の部位11dは、屈曲部1
1cと同様に、相互に接触することがなく、基板上での
リード10の短絡は防止される。
【0042】タイバー13をリード10の辺縁に対して
平行に切断することで、切断用の装置の刃先とリードフ
レーム1をあまり厳密に位置合わせする必要がなくな
る。例えば、リード10に沿う方向(図3の上下方向)
に多少の位置ずれがあったとしても、タイバー13の切
断される位置はその影響を全く受けず、切除されるタイ
バー13の長さすなわち部位11d間の間隔は設計どお
りとなる。また、リード10に垂直な方向(図3の左右
方向)に多少の位置ずれがあったとしても、そのずれは
タイバーの両方の切断位置に等しく影響するから、その
場合も、切除されるタイバー13の長さすなわち部位1
1d間の間隔は設計どおりとなる。
【0043】位置合わせが簡略化されると、タイバー1
3の切除に要する時間が短縮されて、半導体装置の製造
効率が向上する。また、リードフレーム1を特に高い加
工精度で形成する必要がなくなり、リードフレームの製
造自体も容易になる。
【0044】なお、タイバー13は、切除に際し切断用
装置の刃先が樹脂モールド7や屈曲部11cに触れるの
を避けるために、アウターリード11の近部位11aの
中央付近に形成するのが好ましい。近部位11aを長く
形成するときは、樹脂モールド7と屈曲部11cの双方
からある程度離れていれば、タイバー13を近部位11
aの何処に形成してもよい。
【0045】全てのアイランド14への半導体チップの
固着、各半導体チップとリード10とのワイヤボンディ
ング、全ての半導体チップの樹脂モールド7による封止
をこの順に行った後、上述のようにタイバー13を切除
し、アウターリード11を樹脂モールド7から適切な距
離で切断して、一度に多数の半導体装置を得る。必要に
応じてアウターリード11を樹脂モールド7の下面に沿
うように折曲げて、半導体装置を完成させる。
【0046】半導体チップの固着および/またはワイヤ
ボンディングを行う際には、リードフレーム1を載置し
たステージに突起部14a、14bをピンによって押し
付けることで、アイランド14の先端の浮き上がりを防
止する。したがって、半導体チップはアイランド14に
強固に固定され、半導体チップとリード10のワイヤボ
ンディングも確実になされる。
【0047】こうして製造した半導体装置は、リードの
数が多いにもかかわらずアウターリードが相互に十分な
間隔で離間し、タイバーを切除した部位や屈曲部に絶縁
コートを形成しなくても、基板に固定する際にリード同
士が接触して短絡するという不都合が防止される。基板
への固定および基板上に形成した配線パターンへの接続
には、手作業による半田付けのみならず、ディプソルダ
リング、フローソルダリング等の能率の良い半田付けの
方法も採用することができる。
【0048】図2に示したように、突起部14a、14
bを含むアイランド14の横幅すなわちインナーリード
12に垂直な方向(図2の左右方向)の長さは、最も外
側の2つインナーリード12の間隔と略同じに設定され
ており、また、アイランド14のインナーリード12に
沿う方向(図2の上下方向)の長さは、半導体チップを
載置するに足る最小限に抑えられている。したがって、
樹脂モールド7を小さく形成することができ、半導体装
置も必要最小限の大きさとなる。
【0049】形状を一部変更したアイランド14’に半
導体チップ8を取り付けた状態を図4に示す。このアイ
ランド14’を有するリードフレームの他の部位は上記
のリードフレーム1の対応各部と同じであり、重複する
説明は省略する。アイランド14’は、リードフレーム
1のアイランド14の突起部14bに代えて、突起部1
4cを備えている。突起部14はインナーリード12に
近づく方向に向かって屈曲しており、その基端部の辺縁
はアイランド14’の辺縁14dの延長上にあり辺縁1
4dに連続している。
【0050】8aは半導体チップ8の上面に形成された
ボンディングパッドであり、9はボンディングパッド8
aとインナーリード12や突起部14cの先端部とを接
続するワイヤである。例えばこの半導体チップ8は4つ
の端子を有するフォトICであり、全ての端子は上面の
ボンディングパッド8aに接続されている。4つのボン
ディングパッド8aのうち、1つは突起部14cの先端
部に接続されており、他の3つはそれぞれ異なるインナ
ーリード12に接続されている。
【0051】斜線を付した部位は半導体チップ8の固着
やワイヤボンディングの際に、ピンによって押さえられ
る部位である。このように、突起部14cの基端部をア
イランド14’の先端に連続させると、アイランド1
4’に対するピンの横方向(図4の左右方向)の相対的
な位置をあまり厳密に合わせる必要がなくなり、それだ
け半導体チップの固着やワイヤボンディングが容易にな
る。
【0052】突起部14cの先端部を半導体チップ8の
上面のボンディングパッド8aとワイヤで接続する場合
には、アイランドの浮きが生じるとワイヤボンディング
の不良が生じる危険性が格段に高くなるが、本発明のよ
うに突起部14a、14cを押さえてワイヤボンディン
グすることにより、超音波を良好に作用させて確実なワ
イヤボンディングを実現し得る。
【0053】なお、ここでは、半導体チップに4本のリ
ードを取り付けるためのリードフレームの例について説
明したが、本発明は、より多くのリードを取り付ける場
合にも適用することができる。切除されるタイバーの長
さはインナーリードの間隔によって定まり、屈曲部の間
隔には依存しないから、リードが多くなっても本発明の
リードフレームによる短絡防止の効果は減殺されること
がない。前述のように、アウターリードは左右対称に形
成することが望ましく、奇数本のリードを半導体チップ
に取り付けるときは、中央のリードには屈曲部を設けず
直線とするのがよい。
【0054】上記実施形態では、全てのリードの屈曲部
をアイランドから略等しい距離に形成したが、これはア
ウターリードが過度に長くなるのを回避するためであ
る。アウターリードを長くしてもかまわないときは、ア
イランドからの距離が異なる位置に屈曲部を形成するこ
とができる。その場合、隣合うリードの屈曲部間の距離
が長くなって、多数のリードを有する半導体装置を製造
する場合でも、短絡が確実に防止される。しかも、アイ
ランドとタイバーとの距離は一定であり、タイバーの切
断は、リードが少ない場合と同様に容易である。
【0055】アウターリードのアイランドから遠い部位
の配列ピッチは、基板に形成する配線パターンの間隔を
一定にするために一定にすることが望ましいが、基板の
配線パターンの間隔に応じて変えるようにしても構わな
い。インナーリードおよびその延長であるアウターリー
ドのアイランドに近い部位の配列ピッチは一定にする必
要がなく、半導体チップに形成されているボンディング
パッドの位置に応じて、リード間で異なるように設定す
ることができる。ただし、これらの部位は、タイバーの
切除を容易にするために、相互に平行または平行に近く
形成すべきである。
【0056】また、上記の説明ではアイランドのリード
に平行な2つの辺縁のそれぞれに1つの突起部、すなわ
ち2つの突起部を設けた例を示したが、突起部は少なく
とも全体として1つあればよい。ただし、上記のように
2つの突起部を設ける方が、アイランドの浮きをより確
実に防止することができる。
【0057】
【発明の効果】請求項1のリードフレームによるとき
は、突起部を押さえてアイランドをステージに密接させ
ることができるから、半導体チップのアイランドへの固
着および/またはワイヤボンディングが確実になる。し
たがって、接続不良のない半導体装置が得られる。しか
も、アイランドを半導体チップ載置のために必要最小限
の大きさにすることができるから、得られる半導体装置
も小型化される。
【0058】請求項2の半導体装置は、内部に接続不良
のない小型の半導体装置となる。
【0059】請求項3の半導体装置の製造方法では、内
部に接続不良がなくしかも小型の半導体装置が容易に得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態のリードフレームに樹脂
モールドを形成した状態を示す図。
【図2】 図1のリードフレームの1つの半導体装置と
なる一部分を示す図。
【図3】 図2のリードフレームのアイランドとその周
囲に樹脂モールドを形成した状態を示す図。
【図4】 アイランドの一部の形状を変更したリードフ
レームの一部分を示す図。
【図5】 従来のリードフレームに樹脂モールドを形成
した状態を示す図。
【図6】 図5のリードフレームのタイバー切除後のリ
ードを示す図。
【図7】 従来の他のリードフレームに樹脂モールドを
形成した状態を示す図。
【図8】 図7のリードフレームのタイバー切除後のリ
ードを示す図。
【図9】 ワイヤボンディングを行うときのアイランド
を側方から見た様子を示す図。
【符号の説明】
1 リードフレーム 7 樹脂モールド 10 リード 11 アウターリード 11a アウターリード近部位 11b アウターリード遠部位 11c 屈曲部 12 インナーリード 13 タイバー 14 アイランド 14’ アイランド 14a 突起部 14b 突起部 14c 突起部 15 連結部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを載置するための略矩形の
    アイランド、前記アイランドの第1の辺縁に連なり該第
    1の辺縁に対して略垂直な方向に延びる第1のリード、
    および前記アイランドに接近した端部を有し前記第1の
    リードと略同じ方向に延びる複数の第2のリードより成
    るリードフレームにおいて、 前記アイランドは前記第1のリードに略平行な第2の辺
    縁に突起部を有することを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】 上面に入力または出力のためのボンディ
    ングパッドを有し前記アイランドに載置された半導体チ
    ップ、前記ボンディングパッドと前記第2のリードまた
    は前記突起部を接続するワイヤ、ならびに前記半導体チ
    ップ、前記アイランドおよび前記第2のリードの端部を
    封止する樹脂モールドより成ることを特徴とする請求項
    1に記載のリードフレームを用いた半導体装置。
  3. 【請求項3】 上面に入力または出力のためのボンディ
    ングパッドを有する半導体チップを前記アイランドに固
    着し、前記アイランドおよび前記第2のリードの端部を
    ステージに載置して前記突起部を上方から押さえて、前
    記ボンディングパッドと前記第2のリードの端部または
    前記突起部とをワイヤで接続することを特徴とする請求
    項1に記載のリードフレームを用いた半導体装置の製造
    方法。
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CN102142419A (zh) * 2010-02-03 2011-08-03 亿光电子工业股份有限公司 双边导线架结构
JP2012015202A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 On Semiconductor Trading Ltd 半導体装置およびその製造方法
US9111920B2 (en) 2011-03-09 2015-08-18 Panasonic Intellectual Property Co., Ltd. Semiconductor device

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