JPH11261302A - 接続電極構造およびそれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接続電極と接地電極間の浮遊容量を小さくす
ることのできる接続電極構造を提供する。 【解決手段】 高誘電率の誘電体基板２上に接続電極で
あるボンディングパッド５を形成し、誘電体基板２のボ
ンディングパッド５およびその周辺の下部に低誘電率の
柱状の誘電体１５を設ける。 【効果】 ボンディングパッド５と接地電極３との間に
形成される浮遊容量である静電容量Ｃ２を小さくするこ
とができるため、使用周波数が高くなっても静電容量Ｃ
２のインピーダンスはあまり小さくならず、ボンディン
グパッド５の電気的な特性の劣化を防ぐことができ、さ
らにはボンディングパッド５を形成した回路全体の電気
的な特性の劣化を防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は接続電極構造および
それを用いた電子装置、特に移動体通信機器のＲＦ段な
どの高周波帯で用いられる部品の接続電極構造およびそ
れを用いた電子装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の移動体通信機器の発達にともなっ
て、使用される周波数の高周波化が進み、それにともな
って高周波に特有の問題点が出てくるようになってきて
いる。

【０００３】図５に、従来の接続電極としてボンディン
グパッドを有する２つの電子装置を電気的に接続してい
る状態を示す。図５において、電子装置１は高誘電率の
誘電体基板２の一方主面のほぼ全面に接地電極３を形成
し、誘電体基板２の他方主面に回路（図示せず）を形成
して構成されている。誘電体基板２の他方主面の端部に
は接続電極であるボンディングパッド５が形成され、接
続配線４を介して回路と接続されている。また、電子装
置７は誘電体基板８の一方主面のほぼ全面に接地電極９
を形成し、誘電体基板８の他方主面に回路（図示せず）
を形成して構成されている。誘電体基板８の他方主面の
端部にはボンディングパッド１１が形成され、接続配線
１０を介して回路と接続されている。そして、電子装置
１のボンディングパッド５と電子装置７のボンディング
パッド１１はワイヤー１３を介して接続されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ここで、図６に、図５
の電子装置１のＡ−Ａ断面図を示す。これより分かるよ
うに、誘電体基板２のボンディングパッド５の下には接
地電極３が大きく形成されている。しかも両者の間には
高誘電率の誘電体基板２が存在する。そのため、ボンデ
ィングパッド５と接地電極３との間には浮遊容量として
比較的大きな静電容量Ｃ１が形成される。

【０００５】ボンディングパッド５と接地電極３との間
に形成される静電容量Ｃ１は、電子装置１を低い周波数
で使用する場合には、そのインピーダンスが高くなるた
めに電気的な影響はほとんど無い。しかしながら、電子
装置１の使用周波数が高くなるにつれてボンディングパ
ッド５と接地電極３との間に形成される静電容量Ｃ１の
インピーダンスは小さくなるため、ボンディングパッド
５から接地電極３の方に信号が流れるようになり、電子
装置１およびそれを使用した回路全体の電気的な特性に
悪影響を与えるようになるという問題がある。

【０００６】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、接続電極と接地電極との間の浮遊容量
を小さくすることのできる接続電極構造およびそれを用
いた電子装置を提供する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の接続電極構造は、高誘電率の誘電体基板上
に接続電極を形成するとともに、前記誘電体基板の前記
接続電極の下部およびその周辺の下部の少なくともいず
れか一方に低誘電率の誘電体を設けたことを特徴とす
る。

【０００８】また、本発明の接続電極構造は、前記接続
電極をボンディングパッドとしたことを特徴とする。

【０００９】また、本発明の電子装置は、上記の接続電
極構造を用いたことを特徴とする。

【００１０】このように構成することにより、本発明の
接続電極構造においては、接続電極と接地電極間の浮遊
容量を小さくすることができる。

【００１１】また、本発明の電子装置においては、接続
電極と接地電極との間の浮遊容量による高周波特性の劣
化を防止することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の接続電極構造の
一実施例の斜視図を示す。また、図２に、図１のＢ−Ｂ
断面図を示す。図１および図２において、図５および図
６と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その
説明は省略する。

【００１３】図１および図２において、誘電体基板２の
接続電極であるボンディングパッド５およびその周辺の
下部には角穴が誘電体基板２を貫通して形成され、角穴
内には角穴を埋めるように四角柱状の低誘電率の誘電体
１５が設けられている。低誘電率の誘電体１５の高さは
誘電体基板２の厚みと同じに形成されている。そのた
め、ボンディングパッド５、接続電極４の一部および接
地電極３の一部は低誘電率の誘電体１５の表面上に直接
形成されている。

【００１４】このように構成された接続電極構造の製造
方法の例を以下に述べる。まず、高誘電率の誘電体基板
のボンディングパッドを形成する位置に金型などであら
かじめ角穴を形成しておく。次に、この角穴にたとえば
低誘電率の誘電体である樹脂を充填して硬化させる。こ
れはあらかじめ誘電体基板の角穴に合わせて形成された
四角柱状の低誘電率の誘電体を圧入するような方法でも
構わない。その上で、高誘電率の誘電体基板および低誘
電率の誘電体の上に接地電極やボンディングパッド、接
続電極などを形成する。

【００１５】このように、誘電体基板２のボンディング
パッド５およびその周辺の下部に低誘電率の誘電体１５
を設けることにより、ボンディングパッド５と接地電極
３との間に形成される浮遊容量としての静電容量Ｃ２
を、従来例における静電容量Ｃ１に比べて小さくするこ
とができる。その結果、使用周波数が高くなっても静電
容量Ｃ２のインピーダンスはあまり小さくならず、ボン
ディングパッドすなわち接続電極の電気的な特性の劣化
を防ぐことができる。

【００１６】図３に、本発明の接続電極構造の別の実施
例の断面図を示す。図３で、図２と同一もしくは同等の
部分には同じ記号を付し、その説明は省略する。

【００１７】図３において、誘電体基板２のボンディン
グパッド５およびその周辺の下部には誘電体基板２を貫
通しない角穴が形成され、角穴内には角穴を埋めるよう
に、四角柱状で、高さが誘電体基板２の厚みより小さい
低誘電率の誘電体１６が設けられている。そのため、ボ
ンディングパッド５、接続電極４の一部は誘電体１６の
表面上に直接形成されている。

【００１８】なお、このように構成された接続電極構造
も、基本的に図１の接続電極構造と同様の方法で作るこ
とができる。

【００１９】このように、低誘電率の誘電体１６が誘電
体基板２を貫通せず、誘電体基板２の一部にのみ形成さ
れていても、ボンディングパッド５と接地電極３との間
に形成される浮遊容量としての静電容量Ｃ３を、従来例
における静電容量Ｃ１に比べて小さくすることができ
る。その結果、使用周波数が高くなっても静電容量Ｃ３
のインピーダンスはあまり小さくならず、ボンディング
パッド、すなわち接続電極の電気的な特性の劣化を防ぐ
ことができる。

【００２０】なお、図１ないし図３の実施例においては
低誘電率の誘電体を四角柱状としたが、これは四角柱に
限るものではなく円柱や三角柱など別の形状であっても
構わない。また、低誘電率の誘電体をボンディングパッ
ドおよびその周辺の下部の全面に設けているが、これも
必ずしも全面に設ける必要はなく、ボンディングパッド
およびその周辺の下部の一部に設けたものであっても構
わないものである。

【００２１】また、接続電極はボンディングパッドに限
るものではなく、半田付けランドなどの別の接続電極で
あっても同様の作用効果を生じるものである。

【００２２】図４に、本発明の電子装置の一実施例を示
す。図４において、電子装置２０は高誘電率の誘電体基
板２１と、誘電体基板２１の一方主面のほぼ全面に形成
された接地電極２２、誘電体基板２１の他方主面に互い
に平行に並べて形成した２本のマイクロストリップ線路
２３および２４、マイクロストリップ線路２３の両端に
接続して形成された接続電極であるボンディングパッド
２５および２６、マイクロストリップ線路２４の両端に
接続して形成されたボンディングパッド２７および２
８、誘電体基板２１のボンディングパッド２５、２６、
２７、２８の下部およびその周辺の下部に設けられた低
誘電率の誘電体２５ｘ、２６ｘ、２７ｘ、２８ｘから構
成されている。ここで、低誘電率の誘電体２５ｘ、２６
ｘ、２７ｘ、２８ｘは図１の誘電体１５と同様に誘電体
基板２１を貫通して形成されている。

【００２３】このように構成された電子装置２０におい
て、マイクロストリップ線路２３と２４の長さは目的の
周波数における波長の約１／４に形成されており、互い
に結合することによって方向性結合器として機能する。
そして、誘電体基板２１のボンディングパッド２５、２
６、２７、２８の下に低誘電率の誘電体２５ｘ、２６
ｘ、２７ｘ、２８ｘをそれぞれ設けることによってボン
ディングパッドと接地電極との間に形成される浮遊容量
が小さくなり、各ボンディングパッド２５、２６、２
７、２８と接地電極２２との間の浮遊容量による電子装
置２０、すなわち方向性結合器の高周波特性の劣化を防
止することができる。

【００２４】なお、図４に示した方向性結合器は１つの
例であって、本発明の電子装置は、高誘電率の誘電体基
板の接続電極の下部およびその周辺の下部の少なくとも
いずれか一方に低誘電率の誘電体を設けたものであれば
方向性結合器に限るものではない。

【００２５】

【発明の効果】本発明の接続電極構造によれば、誘電体
基板の接続電極の下部およびその周辺の下部の少なくと
も一方に低誘電率の誘電体を設けることにより、接続電
極と接地電極との間に形成される浮遊容量を小さくする
ことができ、接続電極の電気的な特性の劣化を防ぐこと
ができる。これによって、このような接続電極構造を用
いて構成された電子装置においても、高周波における回
路全体の電気的な特性の劣化を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のボンディングパッドの構造の一実施例
を示す一部透過斜視図である。

【図２】図１のボンディングパッドの構造のＢ−Ｂ断面
図である。

【図３】本発明のボンディングパッドの構造の別の実施
例を示す断面図である。

【図４】本発明の電子装置の一実施例を示す斜視図であ
る。

【図５】従来のボンディングパッドの構造を示す斜視図
である。

【図６】図５のボンディングパッドの構造のＡ−Ａ断面
図である。

【符号の説明】

２…誘電体基板 ３…接地電極 ４…接続電極 ５…ボンディングパッド １５、１６…低誘電率の誘電体 ２０…電子装置

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高誘電率の誘電体基板上に接続電極を形
   成するとともに、前記誘電体基板の前記接続電極の下部
   およびその周辺の下部の少なくともいずれか一方に低誘
   電率の誘電体を設けたことを特徴とする接続電極構造。
2. 【請求項２】 前記接続電極をボンディングパッドとし
   たことを特徴とする、請求項１に記載の接続電極構造。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の接続電極構造
   を用いたことを特徴とする電子装置。