JPH11265501A

JPH11265501A - 磁気記録再生システム

Info

Publication number: JPH11265501A
Application number: JP6551098A
Authority: JP
Inventors: Makoto Nagao; 信長尾; Kazuyuki Usuki; 一幸臼杵; Shoichi Nishikawa; 正一西川
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1998-03-16
Filing date: 1998-03-16
Publication date: 1999-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】可撓性支持体のＦＤを用いて、ＴＡの発生を
抑制すると共に耐久性を高め、かつ安価な高回転で使用
する高密度な記録再生が可能な磁気記録再生システムを
提供すること。【解決手段】可撓性支持体の両面に少なくとも真空成
膜法により形成された強磁性金属薄膜を設けた磁気ディ
スクを回転可能な状態でカートリッジに収納させた状態
で３０００ｒｐｍ以上に回転させて記録を行い、ＭＲ
（磁気抵抗型）ヘッドで再生を行う磁気記録再生システ
ムにおいて、該可撓性支持体上に真空成膜法で形成され
た薄膜の合計厚さ（ｔ）が０．０８〜０．３６μｍであ
り、該可撓性支持体の厚さ（ｄ）が３０〜１００μｍで
あり、さらに、（ｔ³／ｄ³）が３．５×１０^-7〜１×１
０^-9であって、該強磁性金属薄膜の表面には微小な突起
があることを特徴とする磁気記録再生システム

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は強磁性金属薄膜と可
撓性支持体を有する高密度フロッピーディスク（ＦＤ）
と、ＭＲ（磁気抵抗型）ヘッドを用いた再生を行う磁気
記録再生システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】超高密度記録ディスクの１つであるハー
ドディスク（ＨＤ）においてはスパッタ法で作成した強
磁性金属薄膜を記録層とすることとＭＲヘッドを用いる
ことで高密度記録を実現している。ＭＲヘッドを使用し
た磁気記録再生システムとしてはアルミ板やガラス板な
どの合成基板上に強磁性金属薄膜の磁性層を有する媒体
上にヘッドを浮上させて直接磁性層に接触しないように
して、５０００〜７０００回転の高速回転させる方式で
ある。そのような記録再生システムにより、高容量で高
転送レートを実現してパソコンの外部記憶媒体として普
及している。

【０００３】ＭＲヘッドは高感度、即ち高い出力を提供
するが、媒体とヘッドが接触した場合、ヘッドの温度上
昇に伴って、出力のベースラインが上昇し、読みとりエ
ラーを生じる。このような現象は、いわゆるサーマルア
スペリティ（以後ＴＡと略す）として知られている。従
ってＨＤではこの接触が生じないようにヘッドを媒体か
ら離すこと、磁気ディスクの基板を厚く且つ剛性の高い
材質を用いてディスクが安定するようにして、ヘッドと
ディスクの接触を防いでいる。しかし、この基板の剛性
の高さが逆に衝突した場合の衝撃の強さとなり、前述し
たベースラインの大きな上昇を生じる原因ともなってい
る。更に、ヘッド又はディスクの破損にも結びつく結果
となる。ＨＤは通常、固定形態で使用することで、上記
の難しさを乗り越え実用となっている。また、ＨＤの問
題点として、基板の仕上げのためにどうしても高価にな
ること、また、基板が剛直であるので衝撃などの外力を
吸収しにくく、ヘッドから衝撃により磁性層が傷ついた
り、付着したゴミやほこりでも磁性層に傷が付きやす
い。

【０００４】磁気記録媒体はＦＤにように可換であるこ
とが望まれるが、この場合は媒体を移動するためにどう
しても衝撃が生じ、ヘッドと媒体との接触が起こる機会
が増す。従って、ＨＤのように剛直な基板を有する媒体
は、致命的な障害となる懸念を有している。且つＨＤは
高価格であるとの欠点も有している。可撓性基板を用い
たＦＤは、ＭＲヘッドが実用化された後も、ＭＲヘッド
固有の問題（ＴＡの発生、静電気に弱い、素子が薄いた
め接触に弱い）のため約０．１Ｇbit/inch²の記録密度
程度のものしか実用化出来ていないのが現状であり、更
に高密度の磁気記録再生システムが望まれていた。この
ＴＡの発生は、高回転にすると媒体が可撓性であるため
にＭＲヘッドが磁性層表面に当たる頻度がＨＤより高
く、その当たりによりＭＲヘッドに生じた熱により抵抗
が変わって出力が瞬間的に変化し、しかもその熱が元に
戻るのに時間が掛かるのでその間、出力レベルが変化す
る頻度が増加するのである。また、ＭＲヘッドと磁気記
録ディスクとの当たりにより両者がダメージを受け易く
耐久性が低いという問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、可撓性支持
体のＦＤを用いて、ＴＡの発生を抑制すると共に耐久性
を高め、かつ安価な高回転で使用する高密度な記録再生
が可能な磁気記録再生システムを提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、可撓性
支持体の両面に少なくとも真空成膜法により形成された
強磁性金属薄膜を設けた磁気ディスクを回転可能な状態
でカートリッジに収納させた状態で３０００ｒｐｍ以上
に回転させて記録を行い、ＭＲ（磁気抵抗型）ヘッドで
再生を行う磁気記録再生システムにおいて、該可撓性支
持体上に真空成膜法で形成された薄膜の合計厚さ（ｔ）
が０．０８〜０．３６μｍであり、該可撓性支持体の厚
さ（ｄ）が３０〜１００μｍであり、さらに、（ｔ³／
ｄ³）が３．５×１０^-7〜１×１０^-9であって、該強磁
性金属薄膜の表面には微小な突起があることを特徴とす
る磁気記録再生システムにより達成できる。

【０００７】本発明は、まず、強磁性金属薄膜（以下、
「磁性膜」ともいう）表面に摩擦係数を低下するための
微小な突起（以下、「微小突起」という）を形成しヘッ
ドが衝突したとしてもその影響が軽減されるようにす
る。そして、本発明は、可撓性支持体の厚さ（ｄ）と支
持体上に真空成膜法で形成される薄膜の合計厚さ（ｔ）
を特定範囲にして、さらに（ｔ³／ｄ³）を特定して媒体
全体の剛直性を特定範囲に規定することによりＭＲヘッ
ドの衝撃を適度に和らげ、かつ、媒体の面ブレが生じな
い程度に剛性を保持させたことを特徴とする。

【０００８】本発明では、上記構成によりＭＲヘッドと
磁気ディスク間のスペーシングを好適に選定することに
より、高出力を得ることができる。また、ＭＲヘッドは
素子の厚みが薄いため、接触に弱い、メカニズム上熱に
弱い、弱点を有するが、本発明は、接触を出来るだけ避
けることが出きると共に接触した場合でもＴＡのレベル
を少なくし、かつ磁気記録ディスクがＭＲヘッドに強く
当たらないので、両者の耐久性が向上する。

【０００９】また、本発明は、記録再生上からも再生ア
ンプの飽和の問題からは、通常の出力の約３倍までは信
号処理で、ＴＡを取り除くことは可能である。即ち、
本発明は、ＴＡ発生を少なく、且つ発生したときのレベ
ルの上昇を少なくでき、信号処理で十分その部分を補償
する事が出来ると共に耐久性を確保することができる。

【００１０】本発明において、薄膜の合計厚さ（ｔ）と
は、真空成膜法により可撓性支持体の両面上に設けられ
る任意の薄膜の全ての合計を意味し、少なくとも磁性膜
を含む。ｔは、０．０８〜０．３６μｍ、好ましくは
０．０６〜０．１５μｍ／片面の範囲である。薄膜は、
磁性膜のみでもよいが、好ましくは、可撓性支持体上に
順次、下地膜、磁性膜、保護膜を設けることが好まし
い。これら各々の薄膜は、単膜でも組成乃至結晶構造の
異なる複膜でもよく、また、所望によりこれら薄膜の形
成順序を任意に選定してもよい。

【００１１】また、本発明において、可撓性支持体の厚
さ（ｄ）は、３０〜１００μｍ、好ましくは４５〜９５
μｍ／片面の範囲である。また、本発明は、（ｔ³／
ｄ³）が３．５×１０^-7〜１×１０^-9、好ましくは１×
１０^-7〜２×１０^-9の範囲である。本発明において、ｔ
とｄに上記のように適切な範囲があることのメカニズム
は、定かではないが、以下のように推測している。

【００１２】本システムではヘッドと磁気記録媒体が接
触するため、高速回転時のその薄膜の強度が影響する。
又、薄膜は、内部歪みを有しているため、ｔが厚すぎる
とその影響が大きく現れ、平坦な磁気ディスクとなら
ず、ヘッドに接触した場合の衝撃強度が強く、ヘッド及
び磁気ディスクにダメージが入りやすい。又、ｔが厚す
ぎると膜の内部歪みが大きくなり、ある膜厚以上で密着
力を凌いでしまうか又は近づくため、少しの外部力が働
いたときに膜剥がれが生じ易くなる。逆にｔが薄すぎる
と真空成膜自体の膜強度が十分でなく、ヘッドとの接触
で膜にダメージが生じ易くなる。また、面ブレが生じ易
くなる。

【００１３】一方、可撓性支持体は弾性を有している。
この弾性が薄膜の内部歪みの吸収を起こす利点とヘッド
との接触時に可撓性支持体が縮み、いわばクッション効
果を生んでいる可能性を有する。しかし、ｄが厚すぎる
と磁気ディスク全体としては硬くなり曲がり難くなるた
め、回転時に受ける遠心力により平坦化の効果が享受で
きない。そのため、一旦ヘッドと接触した場合の衝撃力
も強く、緩和作用が低下して大きなＴＡの発生と共にヘ
ッドと磁性膜にダメージが生じることが考えられる。

【００１４】ｄが薄い場合は回転により平坦化し易い利
点を有するが、薄膜の内部歪みを吸収する許容度が小さ
いことから、回転前から平坦な形状に作成しずらくな
る。このため磁気ディスク全体の内部歪みが大きく現
れ、回転時に不均一な空気流を受けていわゆるバタ着き
（面ブレ）が生じる。また、ＴＡも多く発生する。薄膜
は弾性が無く、硬いため、膜厚効果が薄い領域で現れ
る。可撓性支持体は弾性を有しているため、しなやかで
薄膜の内部歪みを吸収する利点も有するが、厚すぎると
磁気ディスク全体の曲げ硬さが上がりすぎる。このため
両者のバランスが不可欠になる。真空成膜の厚みの３乗
と高分子支持体の厚みの３乗の関係が、見出されたのも
上記のメカニズムに起因していると推定している。

【００１５】次に磁性膜の表面に設けられる微小突起に
ついて説明する。本発明において、微小突起とは、磁性
膜表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察される高さ
が、１〜５０ｎｍ、好ましくは５〜４０ｎｍのものを言
う。微小突起の形状は、特に制限されるべきものではな
く、表面を垂直方向から見て円形が好ましいが、楕円形
であっても良い。

【００１６】本発明においては、微小突起の存在の態
様、例えば、微小突起の分布、微小突起の密度等を制御
することにより、上記本発明の目的を効果的に達成する
ことができる。例えば、微小突起の分布については、あ
る方向に偏在して微小突起密度を高く乃至低くし、摩擦
係数低減作用に加え、薄膜の内部応力を調整する手段と
して使用することも可能である。微小突起密度は、通
常、０．０５〜１０個／μｍ²、好ましくは０．１〜１
０個／μｍ²の範囲に調整される。

【００１７】微小突起密度の調整手段としては、特に制
限されるべきものではないが、可撓性支持体の表面性を
調整する手段が好適な手段として挙げられる。可撓性支
持体の表面性を調整する具体的方法としては、フィルム
ベースに耐熱性微粒子（フィラー）を含む樹脂からなる
下塗り膜を設けることが好ましい態様として例示され
る。この場合、フィルムベースが十分に平滑であること
が好ましく、そうでない場合は、耐熱性微粒子を含まな
い樹脂のみの下塗り膜ａを設け、そして更にその下塗り
膜ａの上に上記フィラーを含む樹脂からなる下塗り膜ｂ
を設けることが好ましい。

【００１８】下塗り膜ａおよび／または下塗り膜ｂに用
いられる樹脂としては、特に制限されるべきものではな
いが、フィルムベースと同種の樹脂が好ましい。これら
樹脂は、ポリマーの状態で用いることもできるが、フィ
ルムベース上でポリマー化し得る樹脂モノマーの状態で
使用することが好ましく、下塗り膜ａの場合は、樹脂モ
ノマーを溶剤に溶解した塗料を、下塗り膜ｂの場合は、
フィラーを含む樹脂モノマー塗料を調製してこれをフィ
ルムベース上に塗布することにより同フィルムベース上
に形成することができる。

【００１９】例えば、分子内に末端不飽和基を２つ以上
有するイミドモノマーの重合物であるポリイミド樹脂を
主成分とする下塗り膜とすることができ、さらに前記イ
ミドモノマーを下記化学式１で表されるビスアリルナジ
イミドとすることでより優れた特性を達成することがで
きる。

【００２０】

【化１】式中、Ｒ¹、Ｒ²は独立に選択された水素またはメチル
基、Ｒ³は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価の
連結基であって特に限定はされず、例えば直鎖または分
岐構造のアルキレン基およびアルケニレン基、シクロア
ルキレン基、アルキレン基を有するシクロアルキレン
基、芳香族基、アルキレン基を有する芳香族基、ポリオ
キシアルキレン基、カルボニル基、エーテル基等などが
あげられる。

【００２１】下塗り膜の厚さは、通常、０〜５μｍ／片
面、好ましくは０．５〜３μｍ／片面の範囲である。ま
た、ベースに元々微小突起がついており、粗大突起がな
い場合は、下塗り膜はなくても良い。また下塗り膜塗料
には樹脂モノマーやフィラー以外の成分が含有されてい
ても良い。例えば重合を促進するための硬化剤、密着を
改善するためのカップリング剤、磁性膜の酸化を防止す
る防錆剤等を含有させることができる。

【００２２】硬化剤としてはｐートルエンスルホン酸、
ｐーキシレンスルホン酸、トルエンスルホン酸メチル、
ピリジニウムｐートルエンスルホネート、ピリジニウム
ｍーニトロベンゼンスルホネート、硫酸メチルヒドラジ
ンなどが使用できる。また可撓性支持体の表面に微小突
起を設けるためのフィラーとしてはシリカ、アルミナ、
チタニア、ジルコニアなどの無機酸化物、炭酸カルシウ
ム、炭素、樹脂等の高分子有機化合物などが挙げられ
る。この形状としては単分散で球状であることが好まし
い。その粒子径は上記微小突起の大きさに応じて適宜選
定される。

【００２３】フィルムベースとしては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾキシア
ゾール等の材料が挙げられるが、高密度記録を行うため
に熱収縮そのもの及びその異方性が少ないことが望まれ
る。磁性膜は成膜時に高温に保つことが好ましいため耐
熱高分子が望ましい。従って上記の中でもポリイミド、
ポリアミドが好ましい。

【００２４】本発明のシステムは、記録用の電磁誘導を
動作原理とする磁気ヘッド（インダクティブヘッド）と
再生用のＭＲヘッドを一体化したヘッド、即ち、マージ
型ＭＲヘッドを用いても、記録と再生を別のヘッドを用
いても良いが、記録再生の安定性、価格の点からマージ
型を用いる方が好ましい。また、ＭＲのタイプには通常
の構成のＡＭＲとスピンバルブ等のＧＭＲがあるが、ど
ちらでもかまわない。また他の構造形態としてＭＲ素
子の磁気ディスク側に磁束の通路を設けたヨーク型ＭＲ
でも、ＭＲ素子２つを別位相で取り込むデュアルストラ
イプ型ＭＲでも良い。

【００２５】磁気ディスクの回転数は一般に高速ほど、
転送速度が上がるため、高速が望ましい。また回転によ
る風の流れにより磁気ディスクが平坦化される効果も有
するため、３０００ｒｐｍ以上に設定される。高すぎる
と磁気ディスクに面ブレが生じる可能性があるため、３
０００〜７０００ｒｐｍが好ましい。次に本発明に使用
される磁気ディスクの構成について述べる。

【００２６】高記録密度を得るために、かつ磁性膜の配
向を制御するために磁性膜と可撓性支持体の間に下地膜
があることが望ましい。下地膜材料としては、Ｃｒ、Ｃ
ｒ合金例えばつぎの金属との合金、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｖ，Ｔ
ａ、Ｂ、Ｓｉ、及びＭｏまたはＭｏと上記の元素との合
金等が好ましい。

【００２７】下地膜の厚さは、磁気ディスク片面に通
常、０．０１〜０．１５μｍ、好ましくは０．０３〜
０．１０μｍである。また、この上に設けられる磁性膜
の結晶性を高めるために非磁性のＣｒが３０原子％より
多く含有するＣｏＣｒを更に別の下地膜として複膜構造
として設けることが好ましい。またＡｌ、ＮｉＡｌ、Ｎ
ｉＰ等を下地膜の最下部（可撓性支持体上）に用いても
磁性膜の微粒子化に役立つ。

【００２８】磁性膜材料としては、ＣｏＣｒ合金、特に
Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｏとの合金、中でもＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ−Ｎｂが好ましい。
また、更に特性を改良するために必要に応じてＳｉＯ₂
とＣｏのように非磁性物質と強磁性物質を共にスパッタ
リングしてもよい。

【００２９】この磁性膜の厚さは、磁気ディスク片面に
好ましくは０．０１〜０．１０μｍ、特に好ましくは
０．０１５〜０．０３０μｍである。下地膜と磁性膜は
共に真空成膜法で設けることが好ましい。真空成膜法と
しては、真空蒸着法や、スパッタリングが挙げられる
が、特にスパッタリングが多くの元素の組成を変えるこ
となく成膜できるため好ましい。

【００３０】またスパッタ法で磁性膜を作成する場合に
は、支持体を加熱した状態で成膜する事が好ましく、そ
のときの温度は１００℃〜２５０℃が好適である。ま
た、本発明の磁性膜は電磁変換特性を改善するため重層
構成としても良い。また、磁性膜上には薄膜として、保
護膜を設けることが好ましい。保護膜としてはシリカ、
アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化
ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化
ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホ
ウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの
炭素からなる保護膜が挙げられる。

【００３１】前記炭素保護膜は、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタリング法等で作成したアモルファス、グラファイ
ト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からな
るカーボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモン
ドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。こ
の硬質炭素膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ ²
以上、好ましくは２０００ｋｇ／ｍｍ²以上の硬質の炭
素膜である。また、その結晶構造はアモルファス構造で
あり、かつ非導電性である。そして、ダイヤモンド状炭
素膜の構造をラマン光分光分析によって測定した場合に
は、１５２０〜１５６０ｃｍ^-1にピークが検出されるこ
とによって確認することができる。炭素膜の構造がダイ
ヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析によ
り検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、炭
素膜の硬度も低下する。この硬質炭素保護膜はメタ
ン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、あるいは
エチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチレン
等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を原料とし
たプラズマＣＶＤや、水素や炭化水素雰囲気下で炭素を
ターゲットとしたスパッタリング等によって形成するこ
とができる。

【００３２】炭素膜には、Ｈ、Ｆ、Ｎなどを含ませても
良い。硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特性の悪
化や磁性膜に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと
耐磨耗性が不足するために、磁気ディスク片面の保護膜
膜厚は０．００２５〜０．０３μｍが好ましく、とくに
好ましくは０．００５〜０．０１０μｍである。

【００３３】また、この硬質炭素保護膜上に付与する潤
滑剤との密着をさらに向上させる目的で硬質炭素保護膜
表面を酸化性もしくは不活性気体によって表面処理して
も良い。本発明の磁気記録媒体において、走行耐久性お
よび耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保護膜
上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。

【００３４】潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、
フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。炭化水
素系潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン酸等のカル
ボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタ
デシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタ
デシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、
オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸ア
ミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のア
ミン類などが挙げられる。

【００３５】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロ
エチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレ
ンオキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフ
ルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）
ＣＦ₂Ｏ）_nまたはこれらの共重合体等である。

【００３６】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。上記潤滑剤
は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤
滑剤を磁性膜もしくは保護膜上に付与する方法としては
潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア
法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布する
か、真空蒸着法によって付着させればよい。

【００３７】潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ
²が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。本
発明で使用できる防錆剤としてはベンゾトリアゾール、
ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有
複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入し
た誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾ
チアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル
化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導
体等が挙げられる。

【００３８】本発明において、磁気ディスクのサイズと
しては３．５吋から１．８吋までの仕様に適する。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。実施例１ベース厚み（ｂ）７５μｍのポリイミド（ＰＩ）（三菱
化成（株）ノバックス）上にポリイミドアミド（ＰＩ
Ａ）樹脂（東洋紡社製ＭＴ５０５０）をエタノールとト
ルエンの混合溶剤に溶解し、固形分濃度１０重量％の塗
布液を作成した。これをグラビアコート法で塗布した
後、１００℃で乾燥し、１．５μｍの膜厚の下塗り膜を
作成した。更にこの上に粒子径２０ｎｍの球状シリカ粒
子を０．００５重量％含有した上記塗布液を塗布し、１
００℃で乾燥し、下塗り膜上に微小突起を形成した。つ
いで３００℃で５分加熱し、硬化と脱溶剤処理を行っ
た。ベースの反対面に同様な膜の形成を行った。これに
より両面の下塗り膜の厚さの合計（ｕ）が３．０μｍ、
可撓性支持体の厚さ（ｄ）が７８μｍのものを作成し
た。

【００４０】このフィルムをスパッタ装置に設置し、基
板温度２００℃でＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて
Ｃｒ−Ｔｉ下地膜を０．０６μｍ成膜し、さらに引き続
きＣｏーＣｒ−Ｐｔ―Ｔａ磁性膜を０．０３μｍ成膜し
た。次にこのフィルムをプラズマＣＶＤ装置に設置し、
磁性膜上にエチレンを原料としたプラズマＣＶＤ法で硬
質炭素保護膜を０．０２μｍ成膜した。次にこの保護膜
上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント
社製ＦＯＭＢＬＩＮＺ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友
３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップコート
法で塗布して厚み２ｎｍの潤滑膜を作成した。この下地
膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜はフィルムの両面に対して
成膜し、薄膜の合計厚さ（ｔ）を０．２２μｍとした。
これを２．５吋のディスクに打ち抜き、ライナーを有す
るカートリッジに挿入し、実施例１の試料を得た。

【００４１】実施例２〜７、比較例１〜１０実施例１と同じ作成方法で下地膜材料、磁性膜材料を変
更した以外は厚みを変えてサンプルを作成した（表１及
び２）。実施例８〜１３イミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）を
トルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した
後、１００℃で乾燥して塗膜を作成し、次に塗膜を２２
０℃で１時間加熱し、イミドモノマーを重合を行いポリ
イミド（ＰＩ）の下塗り膜を作成し、更にこの上に球状
シリカ粒子を含有する上記イミドモノマー溶液を塗布
し、下塗り膜上に微小突起を形成した。その後、可撓性
支持体上に実施例１と同様に薄膜を作成した。

【００４２】以上の試料を以下により評価した。ＴＡ（頻度、大きさ）：トラック幅５μｍ、ギャップ長
０．３μｍのインダクティブヘッド、トラック幅３μ
ｍ、ギャップ長０．３μｍのＭＲヘッドが一体となった
マージ型ＭＲヘッドを用いて４０００ｒｐｍで１４０KF
RPIの記録再生を行った。ＴＡの頻度は、１周の再生信
号を１０回測定し、平均して、１周１回当たりの発生回
数を求めた。ＴＡの大きさ（信号強度）は、オシロスコ
ープのエンベロープの平均の値を求めた。

【００４３】モジュレーション：上記記録再生におい
て、ＴＡの発生が無いときのレベルはエンベロープを写
真でとり｛C(max)-C(min)｝/｛C(max)+C(min)｝でモデ
ュレーションとした。尚、この際、ＴＡは除外した。再
生波形の１周における最大値をC(max)、最小値をC(min)
とした。

【００４４】連続耐久性：常温常湿で２レールのテーパ
ーフラット型ヘッドを用い、３６００ｒｐｍで回転しな
がら、再生信号をモニターし、その値が初期の値から６
ｄＢ以上低下するまでの値とした。結果を表３に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】上記の結果から、本発明の実施例は連続耐久性、ＴＡ及
びモジュレーションの全てに優れた特性を示し、本発明
により高い耐久性と良好なヘッド当たりが実現できたこ
とがわかる。一方、可撓性支持体の厚さ、薄膜の合計厚
さ及び（ｔ³／ｄ³）の少なくとも１つを満足しない比較
例は、連続耐久性、ＴＡ及びモジュレーションを全て良
好に満足するものは得られず、少なくとも１つは本発明
よりも劣ることが分かる。

【００４８】

【発明の効果】本発明は、可撓性支持体の両面に少なく
とも真空成膜法により形成された強磁性金属薄膜を設け
た磁気ディスクを回転可能な状態でカートリッジに収納
させた状態で３０００ｒｐｍ以上に回転させて記録を行
い、ＭＲ（磁気抵抗型）ヘッドで再生を行う磁気記録再
生システムにおいて、該可撓性支持体上に真空成膜法で
形成された薄膜の合計厚さ（ｔ）を０．０８〜０．３６
μｍ、該可撓性支持体の厚さ（ｄ）を３０〜１００μ
ｍ、さらに、（ｔ³／ｄ³）を３．５×１０^-7〜１×１０
^-9とし、該強磁性金属薄膜の表面に微小突起を設けるこ
とにより、ＴＡの発生を抑制すると共に耐久性を高め、
かつ安価な高回転で使用する高密度な記録再生が可能な
磁気記録再生システムを提供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性支持体の両面に少なくとも真空成
膜法により形成された強磁性金属薄膜を設けた磁気ディ
スクを回転可能な状態でカートリッジに収納させた状態
で３０００ｒｐｍ以上に回転させて記録を行い、ＭＲ
（磁気抵抗型）ヘッドで再生を行う磁気記録再生システ
ムにおいて、該可撓性支持体上に真空成膜法で形成され
た薄膜の合計厚さ（ｔ）が０．０８〜０．３６μｍであ
り、該可撓性支持体の厚さ（ｄ）が３０〜１００μｍで
あり、さらに、（ｔ³／ｄ³）が３．５×１０^-7〜１×１
０^-9であって、該強磁性金属薄膜の表面には微小な突起
があることを特徴とする磁気記録再生システム。