JPH11265522A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH11265522A JPH11265522A JP10085017A JP8501798A JPH11265522A JP H11265522 A JPH11265522 A JP H11265522A JP 10085017 A JP10085017 A JP 10085017A JP 8501798 A JP8501798 A JP 8501798A JP H11265522 A JPH11265522 A JP H11265522A
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- JP
- Japan
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- dielectric layer
- recording medium
- optical recording
- recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライトによるマークエッジ歪を防止
し、高密度記録が行なえる相変化型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 透明基板上に第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層、半透過反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順次積層した相変化型光記録媒体であって、記
録層の結晶相部分の反射率をＲｃ、記録層に記録される
アモリファス相記録マークの反射率をＲａ、結晶相部分
の吸収率をＡｃ、アモルファス相記録マークの吸収率を
Ａａとしたとき Ｒｃ＞ＲａかつＡｃ＞Ａａ であることを特徴とする。
し、高密度記録が行なえる相変化型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 透明基板上に第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層、半透過反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順次積層した相変化型光記録媒体であって、記
録層の結晶相部分の反射率をＲｃ、記録層に記録される
アモリファス相記録マークの反射率をＲａ、結晶相部分
の吸収率をＡｃ、アモルファス相記録マークの吸収率を
Ａａとしたとき Ｒｃ＞ＲａかつＡｃ＞Ａａ であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体にレーザ
光を集光照射して、記録層材料に結晶相とアモルファス
相との可逆的相変化を生じさせて、情報の記録再生を行
う書換え可能な相変化型光記録媒体に関する。
光を集光照射して、記録層材料に結晶相とアモルファス
相との可逆的相変化を生じさせて、情報の記録再生を行
う書換え可能な相変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の相変化型光記録媒体では、反射光
量差を利用して再生する場合、アモルファス相の反射率
を結晶相の反射率よりも小さくした光ディスクが用いら
れ、このため結晶相の吸収率がアモルファス相の吸収率
よりも小さくなっていた。このような特性をもつディス
クにオーバライトによりマークエッジ記録を行ったと
き、後述する吸収率差に起因したマークエッジの歪が発
生し、高密度記録を妨げていた。
量差を利用して再生する場合、アモルファス相の反射率
を結晶相の反射率よりも小さくした光ディスクが用いら
れ、このため結晶相の吸収率がアモルファス相の吸収率
よりも小さくなっていた。このような特性をもつディス
クにオーバライトによりマークエッジ記録を行ったと
き、後述する吸収率差に起因したマークエッジの歪が発
生し、高密度記録を妨げていた。
【０００３】この問題を解決するために、相変化型光デ
ィスクの吸収率制御をほどこしたディスクとして、透明
基板／第１保護層（第１誘電体層）／記録層／第２保護
層（第２誘電体層）／反射層の層構成で、アモルファス
相記録マークの反射率Ｒａ、結晶相の反射率をＲｃ、ア
モルファス相記録マークの吸収率をＡａ、結晶相の吸収
率をＡｃとしたとき、Ｒｃ＞ＲａならびにＡｃ＞Ａａを
みたす相変化型光ディスクが特開平８−６３７８１号に
開示されている。そして、この光ディスクによれば、オ
ーバライト時のマークエッジ歪が改善され、ジッターを
小さくし、高密度記録が可能であると記述されている。
しかし、この光ディスクは実際にはアモルファス相の反
射率Ｒａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくなる（Ｒｃ
＜Ｒａ）ことから、実用上問題がある。これを図３によ
り説明する。
ィスクの吸収率制御をほどこしたディスクとして、透明
基板／第１保護層（第１誘電体層）／記録層／第２保護
層（第２誘電体層）／反射層の層構成で、アモルファス
相記録マークの反射率Ｒａ、結晶相の反射率をＲｃ、ア
モルファス相記録マークの吸収率をＡａ、結晶相の吸収
率をＡｃとしたとき、Ｒｃ＞ＲａならびにＡｃ＞Ａａを
みたす相変化型光ディスクが特開平８−６３７８１号に
開示されている。そして、この光ディスクによれば、オ
ーバライト時のマークエッジ歪が改善され、ジッターを
小さくし、高密度記録が可能であると記述されている。
しかし、この光ディスクは実際にはアモルファス相の反
射率Ｒａが結晶相の反射率Ｒｃよりも大きくなる（Ｒｃ
＜Ｒａ）ことから、実用上問題がある。これを図３によ
り説明する。
【０００４】図３は透明基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、紫外線硬化樹脂層（保護
層）を順次積層した相変化型光記録媒体である。従来技
術によれば、記録層のアモルファス相反射率Ｒａを結晶
相反射率Ｒｃよりも小さくなるように（Ｒｃ＞Ｒａ）各
層の膜厚が設定されていた。しかし、この光記録媒体に
おいては反射率変化による良好な再生信号が得られる反
面、反射層でほとんどの光が反射されてしまうため、光
学定数変化に伴う反射率差を大きくしようとすると、記
録膜の吸収率はアモルファス相に比べて結晶相の方が小
さくなってしまう（Ａｃ＜Ａａ）という欠点があった。
このため、通常結晶相の方がアモルファス相に比べて熱
伝導率が大きく、溶融に必要な潜熱も大きいのでオーバ
ライト時の位置が結晶相がアモルファス相かによって記
録膜の昇温状態に差が生じる。また、マークエッジに情
報を持たせるためにはエッジ形状を精度よく形成するこ
とが必要である。吸収率制御が不十分な記録膜では、オ
ーバライト信号がオーバライト前の信号成分によって変
調され、マークエッジ近傍でのエッジ形状歪が発生す
る。図５にその様子を示した。
層、第２誘電体層、反射層、紫外線硬化樹脂層（保護
層）を順次積層した相変化型光記録媒体である。従来技
術によれば、記録層のアモルファス相反射率Ｒａを結晶
相反射率Ｒｃよりも小さくなるように（Ｒｃ＞Ｒａ）各
層の膜厚が設定されていた。しかし、この光記録媒体に
おいては反射率変化による良好な再生信号が得られる反
面、反射層でほとんどの光が反射されてしまうため、光
学定数変化に伴う反射率差を大きくしようとすると、記
録膜の吸収率はアモルファス相に比べて結晶相の方が小
さくなってしまう（Ａｃ＜Ａａ）という欠点があった。
このため、通常結晶相の方がアモルファス相に比べて熱
伝導率が大きく、溶融に必要な潜熱も大きいのでオーバ
ライト時の位置が結晶相がアモルファス相かによって記
録膜の昇温状態に差が生じる。また、マークエッジに情
報を持たせるためにはエッジ形状を精度よく形成するこ
とが必要である。吸収率制御が不十分な記録膜では、オ
ーバライト信号がオーバライト前の信号成分によって変
調され、マークエッジ近傍でのエッジ形状歪が発生す
る。図５にその様子を示した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような不都合な現象（エッジ形状歪の発生など）がみ
られず、良好な記録が繰り返し行なえる相変化型光記録
媒体を提供することである。
のような不都合な現象（エッジ形状歪の発生など）がみ
られず、良好な記録が繰り返し行なえる相変化型光記録
媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体
層、半透過性反射層、第３誘電体層、紫外線硬化樹脂層
が順次積層され、その記録層がレーザ光の照射を受けて
アモルファス相と結晶相とで可逆的相変化を生じて情報
の記録又は消去が行なわれる相変化型光記録媒体であっ
て、該記録層に記録されるアモルファス相記録マークの
反射率をＲａ、該記録層の結晶相部分の反射率をＲｃ、
該アモルファス相記録マークの吸収率をＡａ、該結晶相
部分の吸収率をＡｃとしたとき、
に、透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体
層、半透過性反射層、第３誘電体層、紫外線硬化樹脂層
が順次積層され、その記録層がレーザ光の照射を受けて
アモルファス相と結晶相とで可逆的相変化を生じて情報
の記録又は消去が行なわれる相変化型光記録媒体であっ
て、該記録層に記録されるアモルファス相記録マークの
反射率をＲａ、該記録層の結晶相部分の反射率をＲｃ、
該アモルファス相記録マークの吸収率をＡａ、該結晶相
部分の吸収率をＡｃとしたとき、
【式１】Ｒｃ＞ＲａかつＡｃ≧Ａａ であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【０００７】第二に、半透過性反射層が金属膜あるいは
半導体膜であることを特徴とする上記第一の光記録媒体
が提供される。第三に、半透過性反射層がその単膜での
透過率をＴとしたとき、
半導体膜であることを特徴とする上記第一の光記録媒体
が提供される。第三に、半透過性反射層がその単膜での
透過率をＴとしたとき、
【式２】２０％≦Ｔ≦７０％ をみたすことを特徴とする上記第一又は第二の光記録媒
体が提供される。第四に、半透過性反射層がＳｉあるい
はＧｅの半導体膜であることを特徴とする上記第一、第
二又は第三の光記録媒体が提供される。第五に、第３誘
電体層の屈折率が紫外線硬化樹脂層の屈折率よりも大き
いことを特徴とする上記第一〜第四のいずれかの光記録
媒体が提供される。第六に、第１誘電体層、第２誘電体
層及び第３誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、前記
記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅを、前記半透過性反射層
としてＳｉをそれぞれ使用したことを特徴とする上記第
一〜第五のいずれかの光記録媒体が提供される。第七
に、記録層の厚さが１０〜２５ｎｍ、第１誘電体層の厚
さが２５０〜８００ｎｍ、第２誘電体層の厚さが１０〜
３０ｎｍ、第３誘電体層の厚さが２０〜２００ｎｍ、半
透過性反射層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特
徴とする上記第一〜第六のいずれかの光記録媒体が提供
される。
体が提供される。第四に、半透過性反射層がＳｉあるい
はＧｅの半導体膜であることを特徴とする上記第一、第
二又は第三の光記録媒体が提供される。第五に、第３誘
電体層の屈折率が紫外線硬化樹脂層の屈折率よりも大き
いことを特徴とする上記第一〜第四のいずれかの光記録
媒体が提供される。第六に、第１誘電体層、第２誘電体
層及び第３誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、前記
記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅを、前記半透過性反射層
としてＳｉをそれぞれ使用したことを特徴とする上記第
一〜第五のいずれかの光記録媒体が提供される。第七
に、記録層の厚さが１０〜２５ｎｍ、第１誘電体層の厚
さが２５０〜８００ｎｍ、第２誘電体層の厚さが１０〜
３０ｎｍ、第３誘電体層の厚さが２０〜２００ｎｍ、半
透過性反射層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特
徴とする上記第一〜第六のいずれかの光記録媒体が提供
される。
【０００８】本発明の光記録媒体は、記録層の吸収率制
御を行なうため、図３の反射層に代えて半透過性反射層
と、その反射層上に第３の誘電体層を形成し５層構成に
して、アモルファス相記録マークと結晶相との反射光量
差による再生を行なってマークエッジ歪を防止し、高密
度記録を実現したものである。
御を行なうため、図３の反射層に代えて半透過性反射層
と、その反射層上に第３の誘電体層を形成し５層構成に
して、アモルファス相記録マークと結晶相との反射光量
差による再生を行なってマークエッジ歪を防止し、高密
度記録を実現したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明をさらに詳細に説明す
る。図１は本発明による一実施例を示したもので、相変
化型光記録媒体の反射率特性、吸収率特性を表わした図
である。図１において、結晶相からの反射率をＲｃ、ア
モルファス相記録マークからの反射率をＲａ、記録膜の
結晶相吸収率をＡｃ、アモルファス相記録マークの吸収
率をＡａとした。そして、結晶相の反射率Ｒｃをアモル
ファス相記録マークの反射率Ｒａよりも大きくして、同
時に結晶相の吸収率をＡｃをアモルファス相記録マーク
の吸収率Ａａよりも大きく設定してある。
る。図１は本発明による一実施例を示したもので、相変
化型光記録媒体の反射率特性、吸収率特性を表わした図
である。図１において、結晶相からの反射率をＲｃ、ア
モルファス相記録マークからの反射率をＲａ、記録膜の
結晶相吸収率をＡｃ、アモルファス相記録マークの吸収
率をＡａとした。そして、結晶相の反射率Ｒｃをアモル
ファス相記録マークの反射率Ｒａよりも大きくして、同
時に結晶相の吸収率をＡｃをアモルファス相記録マーク
の吸収率Ａａよりも大きく設定してある。
【００１０】図２は本発明の相変化型光記録媒体の層構
成を表わした図で、透明基板１上に第１誘電体層２、記
録層３、第２誘電体層４、半透過性反射層５、第３誘電
体層６をスパッタにより順次形成した構成をとってい
る。第３誘電体体層上には保護層用として紫外線硬化樹
脂層７がスピンコートされている。
成を表わした図で、透明基板１上に第１誘電体層２、記
録層３、第２誘電体層４、半透過性反射層５、第３誘電
体層６をスパッタにより順次形成した構成をとってい
る。第３誘電体体層上には保護層用として紫外線硬化樹
脂層７がスピンコートされている。
【００１１】透明基板はアクリル系やポリカーボネート
（ＰＣ）等のプラスチック基板もしくはガラス基板が使
用される。第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層
の材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ
2、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4 などが使用される。
（ＰＣ）等のプラスチック基板もしくはガラス基板が使
用される。第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層
の材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ
2、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4 などが使用される。
【００１２】記録層としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、Ｇ
ｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ
系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などのカルコ
ゲナイド系材料を用いることができる。
ｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ
系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などのカルコ
ゲナイド系材料を用いることができる。
【００１３】半透過性反射層としては、熱伝導率の大き
い材料が好ましく、極薄の金属膜であり、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ等の材料が使用されるか、
又は半導体膜としてＳｉ、Ｇｅ等の材料を使用する。
い材料が好ましく、極薄の金属膜であり、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ等の材料が使用されるか、
又は半導体膜としてＳｉ、Ｇｅ等の材料を使用する。
【００１４】半透過性反射層は、その層自体の（単膜に
おける）透過率をＴとすると、２０％≦Ｔ≦７０％の範
囲となるように、材料と膜厚を設定することが重要であ
る。これは、透過率Ｔが２０％より小さくなると反射光
量が増加し、本来の目的である吸収率制御ができなくな
り、逆に、透過率Ｔが７０％より大きくなると透明膜に
近くなって、反射光が減少し、吸収率制御はできるもの
の、再生信号光が小さくなって実用的でなくなるためで
ある。
おける）透過率をＴとすると、２０％≦Ｔ≦７０％の範
囲となるように、材料と膜厚を設定することが重要であ
る。これは、透過率Ｔが２０％より小さくなると反射光
量が増加し、本来の目的である吸収率制御ができなくな
り、逆に、透過率Ｔが７０％より大きくなると透明膜に
近くなって、反射光が減少し、吸収率制御はできるもの
の、再生信号光が小さくなって実用的でなくなるためで
ある。
【００１５】半透過性反射層の他の機能として、冷却機
能があり、溶融した記録マークを急冷してアモルファス
化する。このため、熱伝導率、熱容量の大きいことが光
記録媒体の熱特性をより良好なものにする。上記の光学
特性をみたしつつ、熱特性のよい材料として金属材料
（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなど）、半導体材料が使用さ
れ、特に後者の半導体材料が使用がよく、これにはＳ
ｉ、Ｇｅがあげられる。Ｓｉの熱伝導率はＧｅよりも大
きく、１６８Ｗ・ｍ-1・ｋ-1の値をもち、熱特性上好ま
しい。
能があり、溶融した記録マークを急冷してアモルファス
化する。このため、熱伝導率、熱容量の大きいことが光
記録媒体の熱特性をより良好なものにする。上記の光学
特性をみたしつつ、熱特性のよい材料として金属材料
（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなど）、半導体材料が使用さ
れ、特に後者の半導体材料が使用がよく、これにはＳ
ｉ、Ｇｅがあげられる。Ｓｉの熱伝導率はＧｅよりも大
きく、１６８Ｗ・ｍ-1・ｋ-1の値をもち、熱特性上好ま
しい。
【００１６】半導体薄膜の熱容量は、膜厚を厚くするこ
とにより、大きくすることができる。極薄金属膜を使用
した場合、その膜厚が所望の透過率をみたすためには、
１０ｎｍ以下にする必要があるため、熱容量を大きくす
ることには限界がある。これに対して、Ｓｉ半導体薄膜
を使用した場合、１０ｎｍから２００ｎｍの膜厚にして
も、透過率等の光学的特性は問題なく、熱容量を十分に
大きくすることができる。
とにより、大きくすることができる。極薄金属膜を使用
した場合、その膜厚が所望の透過率をみたすためには、
１０ｎｍ以下にする必要があるため、熱容量を大きくす
ることには限界がある。これに対して、Ｓｉ半導体薄膜
を使用した場合、１０ｎｍから２００ｎｍの膜厚にして
も、透過率等の光学的特性は問題なく、熱容量を十分に
大きくすることができる。
【００１７】図１は図２の光記録媒体においてＳｉを半
透過性反射層として用いた場合の光学特性の実施例であ
る。具体的には、図１は、基板としてＰＣ基板を用い、
第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層としてＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 を、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅを、半
透過性反射層としてＳｉをそれぞれ使用し、第３誘導体
層の膜厚を変えたとき、光記録媒体の結晶相とアモルフ
ァス相の反射率及び吸収率を示した図である。一例とし
て例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層の膜厚１７ｎｍ、第１誘
電体の膜厚を２００ｎｍ、第２誘電体の膜厚を１８ｎ
ｍ、半透過性反射層Ｓｉの膜厚を４０ｎｍにすると、第
３誘電体層の膜厚が２０ｎｍから２００ｎｍの範囲で所
望の条件が実現される。図１によると、第３誘電体層の
膜厚を変えることによりＡｃ／Ａａ（Ａｃ＞Ａａ）の値
を変化させることができる。このような光学的効果は、
半透過性反射層として、極薄金属膜や高屈折率の半透過
性材料を使用したときに実現される。
透過性反射層として用いた場合の光学特性の実施例であ
る。具体的には、図１は、基板としてＰＣ基板を用い、
第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層としてＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 を、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅを、半
透過性反射層としてＳｉをそれぞれ使用し、第３誘導体
層の膜厚を変えたとき、光記録媒体の結晶相とアモルフ
ァス相の反射率及び吸収率を示した図である。一例とし
て例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ層の膜厚１７ｎｍ、第１誘
電体の膜厚を２００ｎｍ、第２誘電体の膜厚を１８ｎ
ｍ、半透過性反射層Ｓｉの膜厚を４０ｎｍにすると、第
３誘電体層の膜厚が２０ｎｍから２００ｎｍの範囲で所
望の条件が実現される。図１によると、第３誘電体層の
膜厚を変えることによりＡｃ／Ａａ（Ａｃ＞Ａａ）の値
を変化させることができる。このような光学的効果は、
半透過性反射層として、極薄金属膜や高屈折率の半透過
性材料を使用したときに実現される。
【００１８】第３誘電体層の上の保護膜としては屈折率
１．５程度の紫外線硬化樹脂層を使用するのがよく、ま
た、第３誘導体層との上述した光学的な効果を大きくす
るために、第３誘導体層の屈折率は紫外線硬化樹脂層の
屈折率１．５より大きくする必要がある。第３誘導体層
の屈折率ηが１．５より大きい誘電体材料として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（η＝２．１）、Ａｌ2Ｏ3（＝１．７）、
ＡｌＮ（η＝２．０）、ＴｉＯ2（η＝２．８）を使用
することができる。
１．５程度の紫外線硬化樹脂層を使用するのがよく、ま
た、第３誘導体層との上述した光学的な効果を大きくす
るために、第３誘導体層の屈折率は紫外線硬化樹脂層の
屈折率１．５より大きくする必要がある。第３誘導体層
の屈折率ηが１．５より大きい誘電体材料として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（η＝２．１）、Ａｌ2Ｏ3（＝１．７）、
ＡｌＮ（η＝２．０）、ＴｉＯ2（η＝２．８）を使用
することができる。
【００１９】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されない。
説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００２０】実施例１ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に厚さ２
００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１誘電体層、厚
さ１７ｎｍのＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層、厚さ１８ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２誘電体層、厚さ４０ｎｍ
のＳｉからなる半透過性反射層、厚さ１６０ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 からなる第３誘電体層を順次スパッタリン
グ法により成膜し、ついで反射層表面を紫外線硬化樹脂
でスピンコートした後、初期化処理を行って相変化型光
記録媒体を作成した。こうして作成した光ディスクを線
速８ｍ／ｓで回転させ、トラック上に４０ＭＨｚの信号
をオーバライトした。このときの光学系は波長λ＝６３
５ｎｍ、対物レンズＮＡ＝０．６で、レーザーパワーは
消去パワー６ｍＷ、記録パワー１２ｍＷに設定した。そ
のときの記録波形を図４に示す。オーバライト時の再生
信号ジッタの値として、初期のジッタ値と同じ程度の値
が得られ、良好なオーバライトジッタ特性が実現した。
００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１誘電体層、厚
さ１７ｎｍのＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層、厚さ１８ｎｍの
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２誘電体層、厚さ４０ｎｍ
のＳｉからなる半透過性反射層、厚さ１６０ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 からなる第３誘電体層を順次スパッタリン
グ法により成膜し、ついで反射層表面を紫外線硬化樹脂
でスピンコートした後、初期化処理を行って相変化型光
記録媒体を作成した。こうして作成した光ディスクを線
速８ｍ／ｓで回転させ、トラック上に４０ＭＨｚの信号
をオーバライトした。このときの光学系は波長λ＝６３
５ｎｍ、対物レンズＮＡ＝０．６で、レーザーパワーは
消去パワー６ｍＷ、記録パワー１２ｍＷに設定した。そ
のときの記録波形を図４に示す。オーバライト時の再生
信号ジッタの値として、初期のジッタ値と同じ程度の値
が得られ、良好なオーバライトジッタ特性が実現した。
【００２１】
【発明の効果】（１）請求項１の発明によれば、半透過
性反射層と第３誘電体層を用いて、結晶相の吸収率Ａｃ
をアモルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも大きく
し、かつ結晶相の反射率Ｒｃが記録マークの反射率Ｒａ
よりも大きくなっているので、オーバライト時のマーク
形状歪を抑え、再生信号のジッタを小さくでき、高密度
記録が実現できる。 （２）請求項２、３、４の発明によれば、半透過性反射
層に金属膜あるいは半導体膜を用い熱的、光学的特性を
向上させているので、より効果的に吸収率制御が実現さ
れ、高密度記録が可能となる。 （３）請求項５の発明によれば、第３誘電体層の屈折率
を紫外線硬化樹脂層の屈折率よりも大きくしているの
で、光学的効果が大きくなり、Ａｃ／Ａａ（Ａｃ＞Ａ
ａ）を効率的に可変制御することができる。 （４）請求項６、７の発明によれば、記録層にＡｇＩｎ
ＳｂＴｅを使用しているので消去特性にすぐれ、かつ吸
収率制御が効果的に行われる層構成、膜厚を設定してい
るため、オーバライト時の再生信号ジッタを小さく抑え
ることができ、高密度記録が実現できる。
性反射層と第３誘電体層を用いて、結晶相の吸収率Ａｃ
をアモルファス相記録マークの吸収率Ａａよりも大きく
し、かつ結晶相の反射率Ｒｃが記録マークの反射率Ｒａ
よりも大きくなっているので、オーバライト時のマーク
形状歪を抑え、再生信号のジッタを小さくでき、高密度
記録が実現できる。 （２）請求項２、３、４の発明によれば、半透過性反射
層に金属膜あるいは半導体膜を用い熱的、光学的特性を
向上させているので、より効果的に吸収率制御が実現さ
れ、高密度記録が可能となる。 （３）請求項５の発明によれば、第３誘電体層の屈折率
を紫外線硬化樹脂層の屈折率よりも大きくしているの
で、光学的効果が大きくなり、Ａｃ／Ａａ（Ａｃ＞Ａ
ａ）を効率的に可変制御することができる。 （４）請求項６、７の発明によれば、記録層にＡｇＩｎ
ＳｂＴｅを使用しているので消去特性にすぐれ、かつ吸
収率制御が効果的に行われる層構成、膜厚を設定してい
るため、オーバライト時の再生信号ジッタを小さく抑え
ることができ、高密度記録が実現できる。
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の反射率及び吸収
率特性を表わした図。
率特性を表わした図。
【図２】本発明の相変化型光記録媒体の一例の層構成を
表わした図。
表わした図。
【図３】従来の相変化型光記録媒体の一例の層構成を表
わした図。
わした図。
【図４】オーバライト時の信号を表わした図。
【図５】マークエッジ近傍でエッジ形状歪が発生するこ
との説明図。
との説明図。
１ 透明基板 ２ 第１誘電体層 ３ 記録層 ４ 第２誘電体層 ５ 半透過性反射層 ６ 第３誘電体層 ７ 紫外線硬化樹脂層
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板上に第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層、半透過性反射層、第３誘電体層、紫外線硬
化樹脂層が順次積層され、その記録層がレーザ光の照射
を受けてアモルファス相と結晶相とで可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行なわれる相変化型光記録媒
体であって、該記録層に記録されるアモルファス相記録
マークの反射率をＲａ、該記録層の結晶相部分の反射率
をＲｃ、該アモルファス相記録マークの吸収率をＡａ、
該結晶相部分の吸収率をＡｃとしたとき、 【式１】Ｒｃ＞ＲａかつＡｃ≧Ａａ であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記半透過性反射層が金属膜あるいは半
導体膜であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項３】 前記半透過性反射層がその単膜での透過
率をＴとしたとき、 【式２】２０％≦Ｔ≦７０％ をみたすことを特徴とする請求項１又は２記載の光記録
媒体。 - 【請求項４】 前記半透過性反射層がＳｉあるいはＧｅ
の半導体膜であることを特徴とする請求項１、２又は３
記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記第３誘電体層の屈折率が紫外線硬化
樹脂層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 前記第１誘電体層、第２誘電体層及び第
３誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、前記記録層と
してＡｇＩｎＳｂＴｅを、前記半透過性反射層としてＳ
ｉをそれぞれ使用したことを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 前記記録層の厚さが１０〜２５ｎｍ、前
記第１誘電体層の厚さが２５０〜８００ｎｍ、前記第２
誘電体層の厚さが１０〜３０ｎｍ、前記第３誘電体層の
厚さが２０〜２００ｎｍ、前記半透過性反射層の厚さが
１０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６
のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085017A JPH11265522A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085017A JPH11265522A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265522A true JPH11265522A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13846977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085017A Pending JPH11265522A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265522A (ja) |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP10085017A patent/JPH11265522A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040122 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20040706 |