JPH11265931A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH11265931A JPH11265931A JP10324533A JP32453398A JPH11265931A JP H11265931 A JPH11265931 A JP H11265931A JP 10324533 A JP10324533 A JP 10324533A JP 32453398 A JP32453398 A JP 32453398A JP H11265931 A JPH11265931 A JP H11265931A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温のプロセスにおいてもＯリングの変質を
抑え、また面内均一性の高い真空処理を行うこと。 【解決手段】 冷媒流路３２が設けられた冷却部３１の
上面にＯリング３３を介して２枚の中間誘電体プレ−ト
４Ａ，４Ｂを設け、この上に誘電体プレ−ト５を設け
る。これら誘電体プレ−ト４、４Ｂ、５には、夫々表面
部に電極４１、５１が埋設され、内部にヒ−タ４２、５
２が埋設されている。中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ同
士及び、中間誘電体プレ−ト４Ｂと誘電体プレ−ト５と
は静電吸着力により接合されているので、接合部分にお
いて両者間に形成される真空雰囲気の隙間は無くなるか
又は小さくなる。このため熱伝導が面内において均一に
なると共に、Ｏリング３３の接触する中間誘電体プレ−
ト４Ａの裏面側は２００℃以下となるのでＯリングの熱
による変質が抑えられる。
抑え、また面内均一性の高い真空処理を行うこと。 【解決手段】 冷媒流路３２が設けられた冷却部３１の
上面にＯリング３３を介して２枚の中間誘電体プレ−ト
４Ａ，４Ｂを設け、この上に誘電体プレ−ト５を設け
る。これら誘電体プレ−ト４、４Ｂ、５には、夫々表面
部に電極４１、５１が埋設され、内部にヒ−タ４２、５
２が埋設されている。中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ同
士及び、中間誘電体プレ−ト４Ｂと誘電体プレ−ト５と
は静電吸着力により接合されているので、接合部分にお
いて両者間に形成される真空雰囲気の隙間は無くなるか
又は小さくなる。このため熱伝導が面内において均一に
なると共に、Ｏリング３３の接触する中間誘電体プレ−
ト４Ａの裏面側は２００℃以下となるのでＯリングの熱
による変質が抑えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理基板を載置台に静電吸着させて真空処理を
行う装置に関する。
ハ等の被処理基板を載置台に静電吸着させて真空処理を
行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハに集積回路を形成する工程
として、成膜やエッチングなどを行うために真空中で処
理する工程がある。このような真空処理はウエハＷを真
空チャンバ内の載置台に載置させて行われるが、載置台
に設けられた温調手段によりウエハを所定の温度に均一
に維持させるためには、ウエハを載置台に押し付けるこ
とが必要である。真空中では真空チャックを使用できな
いため、例えば静電気力でウエハを載置台表面に吸着保
持する静電チャックが使用されている。
として、成膜やエッチングなどを行うために真空中で処
理する工程がある。このような真空処理はウエハＷを真
空チャンバ内の載置台に載置させて行われるが、載置台
に設けられた温調手段によりウエハを所定の温度に均一
に維持させるためには、ウエハを載置台に押し付けるこ
とが必要である。真空中では真空チャックを使用できな
いため、例えば静電気力でウエハを載置台表面に吸着保
持する静電チャックが使用されている。
【０００３】図１３に真空処理装置としてＥＣＲ（電子
サイクロトロン共鳴）を利用したプラズマ処理装置を例
にとって、載置台も含めた全体の概略構成を示す。この
真空処理装置は、プラズマ生成室１Ａ内に例えば２．４
５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１１を介して供給すると
共に、例えば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２によ
り印加して、マイクロ波と磁界との相互作用でプラズマ
生成用ガス例えばＡｒガスやＯ2 ガスを高密度プラズマ
化し、このプラズマにより成膜室１Ｂ内に導入された反
応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスを活性化させて半導体ウエ
ハＷ表面に薄膜を形成するものである。
サイクロトロン共鳴）を利用したプラズマ処理装置を例
にとって、載置台も含めた全体の概略構成を示す。この
真空処理装置は、プラズマ生成室１Ａ内に例えば２．４
５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１１を介して供給すると
共に、例えば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２によ
り印加して、マイクロ波と磁界との相互作用でプラズマ
生成用ガス例えばＡｒガスやＯ2 ガスを高密度プラズマ
化し、このプラズマにより成膜室１Ｂ内に導入された反
応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスを活性化させて半導体ウエ
ハＷ表面に薄膜を形成するものである。
【０００４】ここで載置台１０について説明すると、載
置台１０は例えばアルミニウムからなる載置台本体１３
の上面に、例えばバイトン、カルレッツ等の樹脂製のＯ
リング１４を介して誘電体プレ−ト１５を設けて構成さ
れている。この誘電体プレ−ト１５は、その内部の表面
近傍に例えばタングステンからなる金属電極１６が設け
られており、表面部が静電チャックとして構成されてい
る。また前記載置台本体１３内には冷媒流路１７が設け
られると共に、誘電体プレ−ト１５内には例えばタング
ステンの電極からなるヒ−タ１８が設けられている。
置台１０は例えばアルミニウムからなる載置台本体１３
の上面に、例えばバイトン、カルレッツ等の樹脂製のＯ
リング１４を介して誘電体プレ−ト１５を設けて構成さ
れている。この誘電体プレ−ト１５は、その内部の表面
近傍に例えばタングステンからなる金属電極１６が設け
られており、表面部が静電チャックとして構成されてい
る。また前記載置台本体１３内には冷媒流路１７が設け
られると共に、誘電体プレ−ト１５内には例えばタング
ステンの電極からなるヒ−タ１８が設けられている。
【０００５】前記載置台本体１３の表面と誘電体プレ−
ト１５の裏面とは共に完全な平坦面ではないので、両者
を単に重ねただけでは両者の間にはわずかな隙間が形成
されることになるが、この載置台１０は真空中に置かれ
るため、この隙間が断熱領域となってしまう。このため
既述のようにＯリング１４を介在させ、Ｏリング１４に
より閉じ込められた領域にＨｅガスを供給して均一な熱
伝導を確保するようにしている。
ト１５の裏面とは共に完全な平坦面ではないので、両者
を単に重ねただけでは両者の間にはわずかな隙間が形成
されることになるが、この載置台１０は真空中に置かれ
るため、この隙間が断熱領域となってしまう。このため
既述のようにＯリング１４を介在させ、Ｏリング１４に
より閉じ込められた領域にＨｅガスを供給して均一な熱
伝導を確保するようにしている。
【０００６】このような載置台１０は、既述のようにウ
エハＷを静電気力で載置面上に吸着保持するものである
が、ウエハＷを所定温度に加熱するという役割をも果た
しており、冷媒を冷媒流路１７に通流させることにより
載置台本体１３の表面を１５０℃に調整して基準温度を
得、ヒ−タ１８との組み合わせによりウエハを常に一定
温度にコントロ−ルしている。
エハＷを静電気力で載置面上に吸着保持するものである
が、ウエハＷを所定温度に加熱するという役割をも果た
しており、冷媒を冷媒流路１７に通流させることにより
載置台本体１３の表面を１５０℃に調整して基準温度を
得、ヒ−タ１８との組み合わせによりウエハを常に一定
温度にコントロ−ルしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の載置台１０で
は、載置台本体１３と誘電体プレ−ト１５の間にＯリン
グ１４が設けられているが、このＯリング１４は樹脂製
であって耐熱温度がせいぜい２００℃であるため、それ
以上の温度になると変質してしまい、気密性を保持でき
なくなってしまう。従ってＯリング１４と接触する誘電
体プレ−ト１５の裏面側を２００℃以上にすることはで
きない。
は、載置台本体１３と誘電体プレ−ト１５の間にＯリン
グ１４が設けられているが、このＯリング１４は樹脂製
であって耐熱温度がせいぜい２００℃であるため、それ
以上の温度になると変質してしまい、気密性を保持でき
なくなってしまう。従ってＯリング１４と接触する誘電
体プレ−ト１５の裏面側を２００℃以上にすることはで
きない。
【０００８】ところで近年デバイスの動作についてより
一層の高速化を図るために、層間絶縁膜をＳｉＯ2 膜よ
りも比誘電率が低いＳｉＯＦ膜又はＣＦｘ膜により形成
することが進められている。このＳｉＯＦ膜又はＣＦｘ
膜も上述のＥＣＲプラズマ装置において成膜できるが、
処理はＳｉＯ2 膜よりも高温で行なわれ、プロセス中の
誘電体プレ−ト１５の表面は３２０〜４００℃程度の温
度にすることが要求される。
一層の高速化を図るために、層間絶縁膜をＳｉＯ2 膜よ
りも比誘電率が低いＳｉＯＦ膜又はＣＦｘ膜により形成
することが進められている。このＳｉＯＦ膜又はＣＦｘ
膜も上述のＥＣＲプラズマ装置において成膜できるが、
処理はＳｉＯ2 膜よりも高温で行なわれ、プロセス中の
誘電体プレ−ト１５の表面は３２０〜４００℃程度の温
度にすることが要求される。
【０００９】ここで前記誘電体プレ−ト１５は焼結体で
あるため厚さの大きいものを製造することは困難であ
り、厚くてもせいぜい十数ｍｍ程度が限度である。この
程度の厚さでは、仮に誘電体プレ−ト１５の表面が３２
０℃程度になるまで加熱すると、当該プレ−ト１５の裏
面側の温度は３００℃程度になってしまうので、このよ
うな高温プロセスでは上述の載置台１０を用いることが
できない。
あるため厚さの大きいものを製造することは困難であ
り、厚くてもせいぜい十数ｍｍ程度が限度である。この
程度の厚さでは、仮に誘電体プレ−ト１５の表面が３２
０℃程度になるまで加熱すると、当該プレ−ト１５の裏
面側の温度は３００℃程度になってしまうので、このよ
うな高温プロセスでは上述の載置台１０を用いることが
できない。
【００１０】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、高温のプロセスにおいても載
置台に設けられたＯリングの変質を抑え、また面内均一
性の高い真空処理を行うことができる真空処理装置を提
供することにある。
ものであり、その目的は、高温のプロセスにおいても載
置台に設けられたＯリングの変質を抑え、また面内均一
性の高い真空処理を行うことができる真空処理装置を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、真空
室と、この真空室内に設けられた被処理基板の載置台と
を備え、誘電体プレ−トに加熱手段と被処理基板吸着用
の静電チャックを構成するための電極とを設け、この誘
電体プレ−トを冷却手段を備えた載置台本体の上に設け
て前記載置台を構成した真空処理装置において、前記載
置台本体の表面にリング状の樹脂製シ−ル材を介して接
合され、静電チャックを構成するための電極が表面部に
埋め込まれた中間誘電体プレ−トと、前記シ−ル材で囲
まれた領域に熱伝導用の気体を供給するための手段とを
備え、前記中間誘電体プレ−トの表面に、当該中間誘電
体プレ−トの静電チャックによる静電気力により前記誘
電体プレ−トを接合したことを特徴とする。この際前記
中間誘電体プレ−トは複数枚設けてもよいし、前記中間
誘電体プレ−トに加熱手段を設けてもよい。
室と、この真空室内に設けられた被処理基板の載置台と
を備え、誘電体プレ−トに加熱手段と被処理基板吸着用
の静電チャックを構成するための電極とを設け、この誘
電体プレ−トを冷却手段を備えた載置台本体の上に設け
て前記載置台を構成した真空処理装置において、前記載
置台本体の表面にリング状の樹脂製シ−ル材を介して接
合され、静電チャックを構成するための電極が表面部に
埋め込まれた中間誘電体プレ−トと、前記シ−ル材で囲
まれた領域に熱伝導用の気体を供給するための手段とを
備え、前記中間誘電体プレ−トの表面に、当該中間誘電
体プレ−トの静電チャックによる静電気力により前記誘
電体プレ−トを接合したことを特徴とする。この際前記
中間誘電体プレ−トは複数枚設けてもよいし、前記中間
誘電体プレ−トに加熱手段を設けてもよい。
【００１２】また本発明は、真空室と、この真空室内に
設けられた被処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ−
トに加熱手段と被処理基板吸着用の静電チャックを構成
するための電極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却手
段を備えた載置台本体の上に設けて前記載置台を構成し
た真空処理装置において、前記載置台本体と誘電体プレ
−トとの間に設けられた中間誘電体プレ−トと、前記中
間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導
用の気体を供給するための手段とを備え、前記中間誘電
体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導用の気
体を供給し、当該接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力
を調整することにより、前記中間誘電体プレ−トと誘電
体プレ−トとの間の熱伝導度を制御することを特徴とす
る。
設けられた被処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ−
トに加熱手段と被処理基板吸着用の静電チャックを構成
するための電極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却手
段を備えた載置台本体の上に設けて前記載置台を構成し
た真空処理装置において、前記載置台本体と誘電体プレ
−トとの間に設けられた中間誘電体プレ−トと、前記中
間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導
用の気体を供給するための手段とを備え、前記中間誘電
体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導用の気
体を供給し、当該接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力
を調整することにより、前記中間誘電体プレ−トと誘電
体プレ−トとの間の熱伝導度を制御することを特徴とす
る。
【００１３】この際前記中間誘電体プレ−トと誘電体プ
レ−トとの接合面に凹凸が形成され、これにより前記中
間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に形成さ
れた隙間に熱伝導用の気体が供給されるようにしてもよ
い。また前記中間誘電体プレ−トに静電チャックを構成
するための電極が埋め込み、前記中間誘電体プレ−トと
誘電体プレ−トとを静電チャックの静電気力により接合
するようにしてもよい。
レ−トとの接合面に凹凸が形成され、これにより前記中
間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に形成さ
れた隙間に熱伝導用の気体が供給されるようにしてもよ
い。また前記中間誘電体プレ−トに静電チャックを構成
するための電極が埋め込み、前記中間誘電体プレ−トと
誘電体プレ−トとを静電チャックの静電気力により接合
するようにしてもよい。
【００１４】さらに本発明は、真空室と、この真空室内
に設けられた被処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ
−トに加熱手段と被処理基板吸着用の静電チャックを構
成するための電極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却
手段を備えた冷却部の上に設けて前記載置台を構成した
真空処理装置において、前記誘電体プレ−トの被処理基
板の載置面と反対の面側に設けられ、静電チャックを構
成するための電極が埋め込まれた中間誘電体プレ−トを
備え、前記中間誘電体プレ−トと冷却部とを静電チャッ
クの静電気力により接合したことを特徴とする。
に設けられた被処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ
−トに加熱手段と被処理基板吸着用の静電チャックを構
成するための電極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却
手段を備えた冷却部の上に設けて前記載置台を構成した
真空処理装置において、前記誘電体プレ−トの被処理基
板の載置面と反対の面側に設けられ、静電チャックを構
成するための電極が埋め込まれた中間誘電体プレ−トを
備え、前記中間誘電体プレ−トと冷却部とを静電チャッ
クの静電気力により接合したことを特徴とする。
【００１５】ここで本発明においては前記冷却部と中間
誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導用の気体を供給し、
当該接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力を調整するこ
とにより、前記冷却部と中間誘電体プレ−トとの間の熱
伝導度を制御するようにしてもよいし、誘電体プレ−ト
と中間誘電体プレ−トとの間に導電性プレ−トを設け、
さらにこれらの接合面に熱伝導用の気体を供給し、当該
接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力を調整することに
より、前記中間誘電体プレ−トと導電性プレ−トとの間
の熱伝導度を制御するようにしてもよい。
誘電体プレ−トとの接合面に熱伝導用の気体を供給し、
当該接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力を調整するこ
とにより、前記冷却部と中間誘電体プレ−トとの間の熱
伝導度を制御するようにしてもよいし、誘電体プレ−ト
と中間誘電体プレ−トとの間に導電性プレ−トを設け、
さらにこれらの接合面に熱伝導用の気体を供給し、当該
接合面内の前記熱伝導用の気体の圧力を調整することに
より、前記中間誘電体プレ−トと導電性プレ−トとの間
の熱伝導度を制御するようにしてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施の形態
について説明するが、本実施の形態は真空処理装置にお
いて、静電チャック用電極と加熱手段とを埋め込んだ誘
電体プレ−トとリング状の樹脂製シ−ル材との間に、静
電チャック用の電極が埋め込まれた中間誘電体プレ−ト
を介在させ、この中間誘電体プレ−トと前記誘電体プレ
−トとを静電気力により接合させることにより、中間誘
電体プレ−トと誘電体プレ−トとの熱伝導の面内均一性
を向上させながら、加熱手段とシ−ル材との間を熱的に
分離し、高温のプロセスにおいてもシ−ル材が熱により
変質しないようにするものである。
について説明するが、本実施の形態は真空処理装置にお
いて、静電チャック用電極と加熱手段とを埋め込んだ誘
電体プレ−トとリング状の樹脂製シ−ル材との間に、静
電チャック用の電極が埋め込まれた中間誘電体プレ−ト
を介在させ、この中間誘電体プレ−トと前記誘電体プレ
−トとを静電気力により接合させることにより、中間誘
電体プレ−トと誘電体プレ−トとの熱伝導の面内均一性
を向上させながら、加熱手段とシ−ル材との間を熱的に
分離し、高温のプロセスにおいてもシ−ル材が熱により
変質しないようにするものである。
【００１７】図１は本発明を真空処理装置例えばＥＣＲ
プラズマ装置に適用した実施の形態を示す概略断面図で
あり、図２は被処理基板例えば半導体ウエハ（以下ウエ
ハという）の載置台を示す断面図である。先ずＥＣＲプ
ラズマ装置の全体構成について簡単に説明すると、この
装置は真空容器２の上部側のプラズマ室２１内に、高周
波電源部２０よりの例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
Ｍを導波管２２から透過窓２３を介して導くと共に、プ
ラズマガス用ノズル２４からプラズマ室２１内にＡｒガ
スやＯ2 ガス等のプラズマガスを供給し、更にプラズマ
室２１の外側に設けた電磁コイル２５により磁界Ｂを印
加して電子サイクロトロン共鳴を発生させるように構成
されている。また真空容器２の下部側の反応室２６にお
いては、反応性ガスノズル２７が突入されて反応性ガス
供給部２８を介して反応性ガスが供給されるように構成
されている。また反応室２６の底部には排気管２９が接
続されている。
プラズマ装置に適用した実施の形態を示す概略断面図で
あり、図２は被処理基板例えば半導体ウエハ（以下ウエ
ハという）の載置台を示す断面図である。先ずＥＣＲプ
ラズマ装置の全体構成について簡単に説明すると、この
装置は真空容器２の上部側のプラズマ室２１内に、高周
波電源部２０よりの例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
Ｍを導波管２２から透過窓２３を介して導くと共に、プ
ラズマガス用ノズル２４からプラズマ室２１内にＡｒガ
スやＯ2 ガス等のプラズマガスを供給し、更にプラズマ
室２１の外側に設けた電磁コイル２５により磁界Ｂを印
加して電子サイクロトロン共鳴を発生させるように構成
されている。また真空容器２の下部側の反応室２６にお
いては、反応性ガスノズル２７が突入されて反応性ガス
供給部２８を介して反応性ガスが供給されるように構成
されている。また反応室２６の底部には排気管２９が接
続されている。
【００１８】そして反応室２６の内部には、被処理基板
であるウエハを保持するための載置台３が昇降自在に設
けられている。この載置台３は、例えば冷却部３１の上
に１枚以上例えば２枚の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂ
を積層して設け、この上面にウエハＷ載置用の誘電体プ
レ−ト５を設けて構成されている。なお前記誘電体とは
一般にいう絶縁体の他に半導体をも含むものである。こ
のような載置台３は円柱状の支持部材３３の上部に設け
られており、前記支持部材３３は真空容器２の底壁Ｔを
貫通するように設けられていて、真空容器２に対して気
密性を保持しつつ昇降できるように構成されている。
であるウエハを保持するための載置台３が昇降自在に設
けられている。この載置台３は、例えば冷却部３１の上
に１枚以上例えば２枚の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂ
を積層して設け、この上面にウエハＷ載置用の誘電体プ
レ−ト５を設けて構成されている。なお前記誘電体とは
一般にいう絶縁体の他に半導体をも含むものである。こ
のような載置台３は円柱状の支持部材３３の上部に設け
られており、前記支持部材３３は真空容器２の底壁Ｔを
貫通するように設けられていて、真空容器２に対して気
密性を保持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１９】続いて載置台３の詳細について図２により
説明する。前記冷却部３１は例えばアルミニウムにより
構成され、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路３２
が設けられている。この冷媒は例えば１５０℃に正確に
温度調整されて、冷却部３１の表面を均一な基準温度面
とする役割を果たしている。この冷却部３１の上面には
例えばバイトン、カルレッツ等の樹脂により構成された
樹脂製シ−ル材をなすＯリング３３を介して第１の中間
誘電体プレ−ト４Ａと第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂと
が積層して設けられている。
説明する。前記冷却部３１は例えばアルミニウムにより
構成され、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路３２
が設けられている。この冷媒は例えば１５０℃に正確に
温度調整されて、冷却部３１の表面を均一な基準温度面
とする役割を果たしている。この冷却部３１の上面には
例えばバイトン、カルレッツ等の樹脂により構成された
樹脂製シ−ル材をなすＯリング３３を介して第１の中間
誘電体プレ−ト４Ａと第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂと
が積層して設けられている。
【００２０】この両プレ−ト４Ａ、４Ｂ間のＯリング３
３により囲まれた気密な領域には、真空雰囲気に対して
陽圧例えば２００Ｔｏｒｒの圧力をかけた状態で熱伝導
ガス例えばＨｅ（ヘリウム）ガスが封入されている。こ
のＨｅガスは冷却部３１と第１の中間誘電体プレ−ト４
Ａとの間において熱を均一に伝導する役割を果たしてい
る。
３により囲まれた気密な領域には、真空雰囲気に対して
陽圧例えば２００Ｔｏｒｒの圧力をかけた状態で熱伝導
ガス例えばＨｅ（ヘリウム）ガスが封入されている。こ
のＨｅガスは冷却部３１と第１の中間誘電体プレ−ト４
Ａとの間において熱を均一に伝導する役割を果たしてい
る。
【００２１】前記各誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、５は、
例えばいずれもＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の誘電体
により構成され、例えば厚さ１５ｍｍ、直径１９６〜２
０５ｍｍ（８インチのウエハを処理する場合）の円形状
に成形されている。これら誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、
５には、表面側に近い位置に例えばタングステン箔より
なる静電チャック用の電極４１（５１）が埋設されて表
面部が静電チャックとして構成されると共に、さらにそ
の内部に加熱手段である抵抗発熱体よりなるヒ−タ４２
（５２）が埋設されている。
例えばいずれもＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の誘電体
により構成され、例えば厚さ１５ｍｍ、直径１９６〜２
０５ｍｍ（８インチのウエハを処理する場合）の円形状
に成形されている。これら誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、
５には、表面側に近い位置に例えばタングステン箔より
なる静電チャック用の電極４１（５１）が埋設されて表
面部が静電チャックとして構成されると共に、さらにそ
の内部に加熱手段である抵抗発熱体よりなるヒ−タ４２
（５２）が埋設されている。
【００２２】前記電極４１（５１）及びヒ−タ４２（５
２）については図示の便宜上略解的に記載してあるが、
実際には図３にて誘電体プレ−ト５を代表して示すよう
に、電極５１（５１ａ，５１ｂ）は例えば双極であり、
これらの電極５１には給電線５３によりスイッチ５４を
介して静電チャック用の直流電源５５が接続されてい
る。さらに電極５１にはウエハＷにイオンを引き込むた
めのバイアス電圧を印加するように高周波電源部５６も
接続されている。またヒ−タ５２を構成する抵抗発熱体
の両端には夫々給電線５７が接続されており、この給電
線５７を介して電源部５８が接続されている。なお給電
線５３、５７は夫々筒状体５３ａ、５７ａ内に挿入され
ている。また誘電体プレ−ト５の裏面側（第２の中間誘
電体プレ−ト４Ｂ側）の表面に近い位置には、便宜上図
示はしていないが、第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの電
極４１の対向電極が埋設されており、この対向電極には
図示しない静電チャック用の直流電源が接続されてい
る。同様に第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの裏面側（第
１の中間誘電体プレ−ト４Ａ側）の表面に近い位置に
は、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａの電極４１の対向電
極が埋設されている。これにより誘電体プレ−ト５と第
２の中間誘電体プレ−ト４Ｂとの間、及び第２の中間誘
電体プレ−ト４Ｂと第１の中間誘電体プレ−ト４Ａとの
間では静電気力が発生し、静電吸着が行われるが、仮に
誘電体プレ−ト５や第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの裏
面側に対向電極を設けない場合であっても、これらのプ
レ−トにヒ−タ５２，４２が設けられているので、この
ヒ−タ５２，４２と電極４１とにより静電吸着が行われ
る。
２）については図示の便宜上略解的に記載してあるが、
実際には図３にて誘電体プレ−ト５を代表して示すよう
に、電極５１（５１ａ，５１ｂ）は例えば双極であり、
これらの電極５１には給電線５３によりスイッチ５４を
介して静電チャック用の直流電源５５が接続されてい
る。さらに電極５１にはウエハＷにイオンを引き込むた
めのバイアス電圧を印加するように高周波電源部５６も
接続されている。またヒ−タ５２を構成する抵抗発熱体
の両端には夫々給電線５７が接続されており、この給電
線５７を介して電源部５８が接続されている。なお給電
線５３、５７は夫々筒状体５３ａ、５７ａ内に挿入され
ている。また誘電体プレ−ト５の裏面側（第２の中間誘
電体プレ−ト４Ｂ側）の表面に近い位置には、便宜上図
示はしていないが、第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの電
極４１の対向電極が埋設されており、この対向電極には
図示しない静電チャック用の直流電源が接続されてい
る。同様に第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの裏面側（第
１の中間誘電体プレ−ト４Ａ側）の表面に近い位置に
は、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａの電極４１の対向電
極が埋設されている。これにより誘電体プレ−ト５と第
２の中間誘電体プレ−ト４Ｂとの間、及び第２の中間誘
電体プレ−ト４Ｂと第１の中間誘電体プレ−ト４Ａとの
間では静電気力が発生し、静電吸着が行われるが、仮に
誘電体プレ−ト５や第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂの裏
面側に対向電極を設けない場合であっても、これらのプ
レ−トにヒ−タ５２，４２が設けられているので、この
ヒ−タ５２，４２と電極４１とにより静電吸着が行われ
る。
【００２３】このような載置台３は、冷却部３１と第１
及び第２の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを貫通して誘
電体プレ−ト５の下部側に至るように、各部材の周縁領
域例えば電極４１、５１の外側の領域に形成された図示
しないネジ孔にネジ３６を螺合させることにより、各部
材がネジ止めによって着脱自在に接合されるように構成
されている。
及び第２の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを貫通して誘
電体プレ−ト５の下部側に至るように、各部材の周縁領
域例えば電極４１、５１の外側の領域に形成された図示
しないネジ孔にネジ３６を螺合させることにより、各部
材がネジ止めによって着脱自在に接合されるように構成
されている。
【００２４】続いて上述の実施の形態の作用について、
ウエハＷ上に層間絶縁膜であるＳｉＯＦ膜を成膜する場
合を例にとって説明する。先ず図示しないロ−ドロック
室から図示しない搬送ア−ムにより、ウエハＷの受け渡
し位置にある載置台３の誘電体プレ−ト５上に、載置台
３に内蔵された図示しないリフトピンとの協動作用によ
りウエハＷを受け渡し、ウエハＷを当該誘電体プレ−ト
５上に静電吸着させる。このとき電極４１の印加電圧は
例えば１．５ｋＶであり、電極５１の印加電圧は例えば
１．５ｋＶである。
ウエハＷ上に層間絶縁膜であるＳｉＯＦ膜を成膜する場
合を例にとって説明する。先ず図示しないロ−ドロック
室から図示しない搬送ア−ムにより、ウエハＷの受け渡
し位置にある載置台３の誘電体プレ−ト５上に、載置台
３に内蔵された図示しないリフトピンとの協動作用によ
りウエハＷを受け渡し、ウエハＷを当該誘電体プレ−ト
５上に静電吸着させる。このとき電極４１の印加電圧は
例えば１．５ｋＶであり、電極５１の印加電圧は例えば
１．５ｋＶである。
【００２５】続いて載置台３を支持部材３３によりプロ
セス位置まで上昇させ、冷却手段である冷媒流路３２の
冷媒及びヒ−タ４２、５２の組み合わせによりウエハＷ
の温度を所定の温度例えば３４０℃に加熱する。一方排
気管２９により真空容器２内を所定の真空度に維持しな
がら、プラズマガス用ノズル２４からプラズマガス例え
ばＡｒガス及びＯ2 ガスと、反応性ガス用ノズル２７か
ら反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＦ4
ガスとを夫々所定の流量で導入する。そして反応室２６
内に流れ込んだプラズマイオンにより前記反応性ガスを
活性化させてウエハＷ上にＳｉＯＦ膜を生成する。
セス位置まで上昇させ、冷却手段である冷媒流路３２の
冷媒及びヒ−タ４２、５２の組み合わせによりウエハＷ
の温度を所定の温度例えば３４０℃に加熱する。一方排
気管２９により真空容器２内を所定の真空度に維持しな
がら、プラズマガス用ノズル２４からプラズマガス例え
ばＡｒガス及びＯ2 ガスと、反応性ガス用ノズル２７か
ら反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガス、Ｏ2 ガス、ＳｉＦ4
ガスとを夫々所定の流量で導入する。そして反応室２６
内に流れ込んだプラズマイオンにより前記反応性ガスを
活性化させてウエハＷ上にＳｉＯＦ膜を生成する。
【００２６】この際載置台３では、図４に示すように、
冷却部３１の表面は冷媒により１５０℃に調整されてお
り、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａの表面はヒ−タ４２
により例えば２００℃程度、第２の中間誘電体プレ−ト
４Ｂの表面はヒ−タ４２により例えば２７０℃程度、誘
電体プレ−ト５の表面はヒ−タ５２により例えば３４０
℃程度に調整されている。
冷却部３１の表面は冷媒により１５０℃に調整されてお
り、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａの表面はヒ−タ４２
により例えば２００℃程度、第２の中間誘電体プレ−ト
４Ｂの表面はヒ−タ４２により例えば２７０℃程度、誘
電体プレ−ト５の表面はヒ−タ５２により例えば３４０
℃程度に調整されている。
【００２７】ここで冷却部３１と第１の中間誘電体プレ
−ト４Ａとの間にはＯリング３３が設けられており、既
述のようにＨｅガスにより均一に熱が伝導されている
が、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａと第２の中間誘電体
プレ−ト４Ｂとの間、第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂと
誘電体プレ−ト５との間では、誘電体プレ−トが２００
℃以上の温度となるのでＯリング３３は用いることがで
きず、誘電体プレ−ト同士の面接触により熱が伝導され
ている。
−ト４Ａとの間にはＯリング３３が設けられており、既
述のようにＨｅガスにより均一に熱が伝導されている
が、第１の中間誘電体プレ−ト４Ａと第２の中間誘電体
プレ−ト４Ｂとの間、第２の中間誘電体プレ−ト４Ｂと
誘電体プレ−ト５との間では、誘電体プレ−トが２００
℃以上の温度となるのでＯリング３３は用いることがで
きず、誘電体プレ−ト同士の面接触により熱が伝導され
ている。
【００２８】この際各誘電体プレ−トはネジ止めにより
接合されているが、誘電体プレ−トの表面は完全な平坦
面ではないので、例えば図５（ａ）に第１及び第２の中
間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを代表して示すように、両
者の間にはわずかな隙間が形成されており、周縁領域を
ネジ止めしているため、中央領域の接合力は周縁領域に
比べて弱くなり、中央領域ではこの隙間が大きくなって
しまう。
接合されているが、誘電体プレ−トの表面は完全な平坦
面ではないので、例えば図５（ａ）に第１及び第２の中
間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを代表して示すように、両
者の間にはわずかな隙間が形成されており、周縁領域を
ネジ止めしているため、中央領域の接合力は周縁領域に
比べて弱くなり、中央領域ではこの隙間が大きくなって
しまう。
【００２９】ところが本実施の形態では、第１及び第２
の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂの間と、第２の誘電体
プレ−ト４Ｂと誘電体プレ−ト５との間を静電吸着力に
より接合させているので、例えば図５（ｂ）に示すよう
に、中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂが静電力により互い
に引き付けられ、当該プレ−ト４Ａ、４Ｂ間に存在する
隙間が小さくなる。
の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂの間と、第２の誘電体
プレ−ト４Ｂと誘電体プレ−ト５との間を静電吸着力に
より接合させているので、例えば図５（ｂ）に示すよう
に、中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂが静電力により互い
に引き付けられ、当該プレ−ト４Ａ、４Ｂ間に存在する
隙間が小さくなる。
【００３０】ここで誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、５の接
合部分における隙間は真空雰囲気であるため、この部分
では熱はほとんど伝導されず、従って接触している部位
と接触していない部位との間で熱伝導の面内均一性が悪
くなる。このため隙間が小さいと熱伝導の面内均一性が
高くなり、この結果誘電体プレ−ト５の表面の温度の均
一化が図られ、面内均一性の高い真空処理を行うことが
できる。
合部分における隙間は真空雰囲気であるため、この部分
では熱はほとんど伝導されず、従って接触している部位
と接触していない部位との間で熱伝導の面内均一性が悪
くなる。このため隙間が小さいと熱伝導の面内均一性が
高くなり、この結果誘電体プレ−ト５の表面の温度の均
一化が図られ、面内均一性の高い真空処理を行うことが
できる。
【００３１】また各誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、５をネ
ジ止めにより接合した場合には、周縁領域ではネジ止め
により大きな接合力が得られ、ネジ３３よりも内側であ
って電極４１、５１が設けられている中央領域では静電
吸着力による大きな接合力が得られるので、面内全体に
亘って大きな接合力が得られる。これにより各誘電体プ
レ−ト４Ａ、４Ｂ、５の接合部分の隙間が面内に亘って
小さいものとなり、熱伝導の面内均一性が高くなる。こ
のようにネジ止めによる接合はより有効であると考えら
れるが、本実施の形態においてはネジ止めによる接合は
必ずしも必要な構成ではない。
ジ止めにより接合した場合には、周縁領域ではネジ止め
により大きな接合力が得られ、ネジ３３よりも内側であ
って電極４１、５１が設けられている中央領域では静電
吸着力による大きな接合力が得られるので、面内全体に
亘って大きな接合力が得られる。これにより各誘電体プ
レ−ト４Ａ、４Ｂ、５の接合部分の隙間が面内に亘って
小さいものとなり、熱伝導の面内均一性が高くなる。こ
のようにネジ止めによる接合はより有効であると考えら
れるが、本実施の形態においてはネジ止めによる接合は
必ずしも必要な構成ではない。
【００３２】さらに第１及び第２の中間誘電体プレ−ト
４Ａ、４Ｂと誘電体プレ−ト５に夫々ヒ−タ４２、５２
を設け、各誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、５を独立して温
度コントロ−ルを行っているため、各プレ−ト間の熱伝
導が均一になりやすい。何故ならプレ−トの接合面には
隙間の存在する部位と接触している部位とがあって熱の
伝わり方を完全に均一にすることはできないが、プレ−
ト自体に内蔵されているヒ−タによりある程度各プレ−
トの表面（裏面）の温度の均一化が図られているため、
プレ−ト間の温度勾配つまり接合部分の対向している面
同士の温度勾配を制御できる。このため前記温度勾配を
小さくすることにより熱の伝わり方の差を小さく抑える
ことができるので、この結果熱伝導の面内均一性を高
め、面内均一性の高い真空処理を行うことができる。
４Ａ、４Ｂと誘電体プレ−ト５に夫々ヒ−タ４２、５２
を設け、各誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂ、５を独立して温
度コントロ−ルを行っているため、各プレ−ト間の熱伝
導が均一になりやすい。何故ならプレ−トの接合面には
隙間の存在する部位と接触している部位とがあって熱の
伝わり方を完全に均一にすることはできないが、プレ−
ト自体に内蔵されているヒ−タによりある程度各プレ−
トの表面（裏面）の温度の均一化が図られているため、
プレ−ト間の温度勾配つまり接合部分の対向している面
同士の温度勾配を制御できる。このため前記温度勾配を
小さくすることにより熱の伝わり方の差を小さく抑える
ことができるので、この結果熱伝導の面内均一性を高
め、面内均一性の高い真空処理を行うことができる。
【００３３】さらにまた誘電体プレ−ト５のみにヒ−タ
５２を設けると、誘電体プレ−ト５の表面を所定の温度
まで上昇させようとしても、当該誘電体プレ−ト５と中
間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂとの温度勾配が大きいの
で、誘電体プレ−ト４Ｂ等へ伝導していく熱量が多く、
なかなか誘電体プレ−ト５の表面の温度が上昇しない
が、中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂにもヒ−タ４２を設
けて所定の温度まで加熱するようにすれば、初期段階に
おいても誘電体プレ−ト５と第２の中間誘電体プレ−ト
４Ｂとの温度勾配が小さくなるので、その分当該プレ−
ト４Ｂへ伝導していく熱量が減り、この結果誘電体プレ
−ト５が所定の温度に安定するまでの時間が短縮され
る。従って上述実施の形態のように中間誘電体プレ−ト
４Ａ、４Ｂにもヒ−タ４２を設けることは有効である。
５２を設けると、誘電体プレ−ト５の表面を所定の温度
まで上昇させようとしても、当該誘電体プレ−ト５と中
間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂとの温度勾配が大きいの
で、誘電体プレ−ト４Ｂ等へ伝導していく熱量が多く、
なかなか誘電体プレ−ト５の表面の温度が上昇しない
が、中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂにもヒ−タ４２を設
けて所定の温度まで加熱するようにすれば、初期段階に
おいても誘電体プレ−ト５と第２の中間誘電体プレ−ト
４Ｂとの温度勾配が小さくなるので、その分当該プレ−
ト４Ｂへ伝導していく熱量が減り、この結果誘電体プレ
−ト５が所定の温度に安定するまでの時間が短縮され
る。従って上述実施の形態のように中間誘電体プレ−ト
４Ａ、４Ｂにもヒ−タ４２を設けることは有効である。
【００３４】このように本実施の形態の載置台３では、
Ｏリング３３とウエハＷとの間に第１及び第２の中間誘
電体プレ−ト４Ａ、４Ｂと誘電体プレ−ト５を介在さ
せ、各誘電体プレ−トの温度をウエハＷに近付くに連れ
て高くなるように制御することにより、Ｏリング３３と
ウエハＷとの間の温度差を大きくとることができる。こ
の際載置台３では誘電体プレ−ト５から冷却部３１に向
けて温度が低くなるように温度勾配があるので、各誘電
体プレ−トでは表面側よりも裏面側の方が温度が低くな
っている。
Ｏリング３３とウエハＷとの間に第１及び第２の中間誘
電体プレ−ト４Ａ、４Ｂと誘電体プレ−ト５を介在さ
せ、各誘電体プレ−トの温度をウエハＷに近付くに連れ
て高くなるように制御することにより、Ｏリング３３と
ウエハＷとの間の温度差を大きくとることができる。こ
の際載置台３では誘電体プレ−ト５から冷却部３１に向
けて温度が低くなるように温度勾配があるので、各誘電
体プレ−トでは表面側よりも裏面側の方が温度が低くな
っている。
【００３５】従ってウエハＷの載置面を３４０℃と３０
０℃以上の温度としながらもＯリング３３と接触する中
間誘電体プレ−ト４Ａの温度は２００℃以下とすること
ができる。これによりＯリング３３は２００℃以下の面
と１５０℃の面（冷却部３１の表面）との間に介在する
ことになるので、Ｏリング３３自身は２００℃よりもか
なり低い温度になり、Ｏリング３３の変質を防止するこ
とができ、この結果気密性を保持できる。
０℃以上の温度としながらもＯリング３３と接触する中
間誘電体プレ−ト４Ａの温度は２００℃以下とすること
ができる。これによりＯリング３３は２００℃以下の面
と１５０℃の面（冷却部３１の表面）との間に介在する
ことになるので、Ｏリング３３自身は２００℃よりもか
なり低い温度になり、Ｏリング３３の変質を防止するこ
とができ、この結果気密性を保持できる。
【００３６】なお上述の第１及び第２の中間誘電体プレ
−ト４Ａ、４Ｂ間の接合を、従来の装置において誘電体
プレ−ト５と冷却部３１との間に適用する構成（第１及
び第２の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを用いない構
成）とすると、冷却部３１の表面のいわば装置の温度の
基準となる１５０℃程度の基準冷却面に、直接３００℃
以上の温度の誘電体プレ−ト５が接合されることにな
る。従って誘電体プレ−ト５から基準冷却面に直接大き
な熱量が伝わってしまうので、当該基準冷却面の温度均
一性が崩れ、温度調整が行いにくいという不都合が生じ
る。
−ト４Ａ、４Ｂ間の接合を、従来の装置において誘電体
プレ−ト５と冷却部３１との間に適用する構成（第１及
び第２の中間誘電体プレ−ト４Ａ、４Ｂを用いない構
成）とすると、冷却部３１の表面のいわば装置の温度の
基準となる１５０℃程度の基準冷却面に、直接３００℃
以上の温度の誘電体プレ−ト５が接合されることにな
る。従って誘電体プレ−ト５から基準冷却面に直接大き
な熱量が伝わってしまうので、当該基準冷却面の温度均
一性が崩れ、温度調整が行いにくいという不都合が生じ
る。
【００３７】また本発明の真空処理装置では、中間誘電
体プレ−ト同士の接合面のいずれか一方あるいは、中間
誘電体プレ−トと誘電体プレ−トの接合面のいずれか一
方に、例えば図６に示すような凹凸加工を施すようにし
てもよい。このような構成では、凹部は真空雰囲気の隙
間となるので、この部分での熱伝導はほとんど起こらな
いため、熱伝導の程度を制御することができる。例えば
各誘電体プレ−トをネジ止めにより接合した場合には、
ネジ止めした領域の方が接合力が強くて熱伝導率が大き
くなるが、この場合例えばネジ止めした領域以外の領域
では凸部の面積を大きくすることにより、面内における
熱伝導率を均一にすることができる。
体プレ−ト同士の接合面のいずれか一方あるいは、中間
誘電体プレ−トと誘電体プレ−トの接合面のいずれか一
方に、例えば図６に示すような凹凸加工を施すようにし
てもよい。このような構成では、凹部は真空雰囲気の隙
間となるので、この部分での熱伝導はほとんど起こらな
いため、熱伝導の程度を制御することができる。例えば
各誘電体プレ−トをネジ止めにより接合した場合には、
ネジ止めした領域の方が接合力が強くて熱伝導率が大き
くなるが、この場合例えばネジ止めした領域以外の領域
では凸部の面積を大きくすることにより、面内における
熱伝導率を均一にすることができる。
【００３８】続いて本発明の第２の実施の形態について
図７により説明する。本実施の形態が上述の実施の形態
と異なる点は、載置台６において、冷却部３１とウエハ
Ｗ載置用の誘電体プレ−ト５との間に中間誘電体プレ−
ト６０を設け、この中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プ
レ−ト５との間の隙間に熱伝導ガス例えばＨｅガスを充
填し、このＨｅガスの圧力を調整することにより両者の
間の熱伝導度を調整して誘電体プレ−ト５の温度を制御
し、結果としてウエハＷの温度を制御するようにしたこ
とである。本実施の形態の載置台６を具体的に説明する
と、冷却部３１と誘電体プレ−ト５との間に設けられた
中間誘電体プレ−ト６０の誘電体プレ−ト５と接合する
面のほぼ全面には例えば四角柱形状の凹部６１ａが多数
形成されており、こうして当該接合面に凹凸が形成さ
れ、これにより中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−
ト５との間には隙間が形成されることとなる。ここで中
間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは凸部６１
ｂの上面を介して接合されるが、この接合部分の面積は
誘電体プレ−ト５と冷却部３１の温度差に応じて決定さ
れ、例えば誘電体プレ−ト５の接合面の面積の２０％〜
５０％程度に設定される。また中間誘電体プレ−ト６０
の内部には通気室６２が形成されており、この通気室６
２と前記凹部６１ａのいくつかとは通気管６３により連
通されている。
図７により説明する。本実施の形態が上述の実施の形態
と異なる点は、載置台６において、冷却部３１とウエハ
Ｗ載置用の誘電体プレ−ト５との間に中間誘電体プレ−
ト６０を設け、この中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プ
レ−ト５との間の隙間に熱伝導ガス例えばＨｅガスを充
填し、このＨｅガスの圧力を調整することにより両者の
間の熱伝導度を調整して誘電体プレ−ト５の温度を制御
し、結果としてウエハＷの温度を制御するようにしたこ
とである。本実施の形態の載置台６を具体的に説明する
と、冷却部３１と誘電体プレ−ト５との間に設けられた
中間誘電体プレ−ト６０の誘電体プレ−ト５と接合する
面のほぼ全面には例えば四角柱形状の凹部６１ａが多数
形成されており、こうして当該接合面に凹凸が形成さ
れ、これにより中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−
ト５との間には隙間が形成されることとなる。ここで中
間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは凸部６１
ｂの上面を介して接合されるが、この接合部分の面積は
誘電体プレ−ト５と冷却部３１の温度差に応じて決定さ
れ、例えば誘電体プレ−ト５の接合面の面積の２０％〜
５０％程度に設定される。また中間誘電体プレ−ト６０
の内部には通気室６２が形成されており、この通気室６
２と前記凹部６１ａのいくつかとは通気管６３により連
通されている。
【００３９】さらに例えば通気室６２の底部には例えば
載置台６の中央部から下側に向けて伸びるガス供給管６
４が接続されており、このガス供給管６４の他端側は載
置台６の外部において、バルブＶ１，圧力調整バルブＶ
２を介してＨｅガス供給源６５に接続されている。この
際圧力調整バルブＶ２は、例えば圧力調整バルブＶ２と
Ｈｅガス供給源６５との間のガス供給管６４内の圧力を
圧力計６６により検出し、この検出値に基づいて圧力コ
ントロ−ラ６７により開度が調整されるように構成され
ている。本実施の形態では、Ｈｅガス供給源６５やガス
供給管６４、通気室６２や通気管６３により誘電体プレ
−ト５と中間誘電体プレ−ト６０との隙間にＨｅガスを
供給する手段が構成されている。
載置台６の中央部から下側に向けて伸びるガス供給管６
４が接続されており、このガス供給管６４の他端側は載
置台６の外部において、バルブＶ１，圧力調整バルブＶ
２を介してＨｅガス供給源６５に接続されている。この
際圧力調整バルブＶ２は、例えば圧力調整バルブＶ２と
Ｈｅガス供給源６５との間のガス供給管６４内の圧力を
圧力計６６により検出し、この検出値に基づいて圧力コ
ントロ−ラ６７により開度が調整されるように構成され
ている。本実施の形態では、Ｈｅガス供給源６５やガス
供給管６４、通気室６２や通気管６３により誘電体プレ
−ト５と中間誘電体プレ−ト６０との隙間にＨｅガスを
供給する手段が構成されている。
【００４０】このような中間誘電体プレ−ト６０は、第
１の実施の形態の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂと同様
に表面側に近い位置に静電チャック用の電極６８が埋設
されて表面部が静電チャックとして構成されており、こ
うして中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは
静電チャックにより接合されている。
１の実施の形態の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂと同様
に表面側に近い位置に静電チャック用の電極６８が埋設
されて表面部が静電チャックとして構成されており、こ
うして中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは
静電チャックにより接合されている。
【００４１】また誘電体プレ−ト５のウエハＷが載置さ
れる表面は鏡面加工されており、冷却部３１と中間誘電
体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは、上述の実施の
形態の載置台３と同様にネジ３６により周縁領域を着脱
自在に接合されている。この他の構成は上述の第１の実
施の形態と同様である。
れる表面は鏡面加工されており、冷却部３１と中間誘電
体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とは、上述の実施の
形態の載置台３と同様にネジ３６により周縁領域を着脱
自在に接合されている。この他の構成は上述の第１の実
施の形態と同様である。
【００４２】このような載置台６では、バルブＶ１を開
いてＨｅガス供給源６５よりガス供給管６４を介してＨ
ｅガスを供給すると、Ｈｅガスは通気室６２から通気管
６３を介して凹部６１ａ内に供給され、さらに中間誘電
体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５の接合面は完全な平
坦面ではなく、両者の間にはわずかな隙間が形成されて
いるので、この隙間を介して中間誘電体プレ−ト６０と
誘電体プレ−ト５との間の全ての隙間に拡散していく。
いてＨｅガス供給源６５よりガス供給管６４を介してＨ
ｅガスを供給すると、Ｈｅガスは通気室６２から通気管
６３を介して凹部６１ａ内に供給され、さらに中間誘電
体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５の接合面は完全な平
坦面ではなく、両者の間にはわずかな隙間が形成されて
いるので、この隙間を介して中間誘電体プレ−ト６０と
誘電体プレ−ト５との間の全ての隙間に拡散していく。
【００４３】このように前記隙間内にＨｅガスを供給す
ると、中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５との
間はＨｅガスにより熱伝導され、両者の間の熱伝導度は
Ｈｅガスの圧力に応じて変化する。つまりこれらの間の
熱伝導度はＨｅガスの量に依存し、例えば隙間内のＨｅ
ガスの圧力が高い場合には、熱伝導の媒体となるＨｅガ
スの量が多いので熱伝導度が大きくなり、誘電体プレ−
ト５と中間誘電体プレ−ト６０との温度差△Ｔ（図８参
照）が小さくなる。反対に例えば隙間内のＨｅガスの圧
力が低い場合には、熱伝導の媒体となるＨｅガスの量が
少なく、真空に近い状態となるで熱伝導度が小さくな
り、前記△Ｔは大きくなる。
ると、中間誘電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５との
間はＨｅガスにより熱伝導され、両者の間の熱伝導度は
Ｈｅガスの圧力に応じて変化する。つまりこれらの間の
熱伝導度はＨｅガスの量に依存し、例えば隙間内のＨｅ
ガスの圧力が高い場合には、熱伝導の媒体となるＨｅガ
スの量が多いので熱伝導度が大きくなり、誘電体プレ−
ト５と中間誘電体プレ−ト６０との温度差△Ｔ（図８参
照）が小さくなる。反対に例えば隙間内のＨｅガスの圧
力が低い場合には、熱伝導の媒体となるＨｅガスの量が
少なく、真空に近い状態となるで熱伝導度が小さくな
り、前記△Ｔは大きくなる。
【００４４】このように前記隙間内のＨｅガスの圧力と
前記△Ｔとの間には図９に示すような比例関係がある
が、このＨｅガスの圧力は、ガス供給管６４内の圧力を
圧力計６６にて検出し、この検出値６４に基づいて圧力
調整バルブＶ２の開度を圧力コントロ−ラ６７により調
整することにより制御することができる。
前記△Ｔとの間には図９に示すような比例関係がある
が、このＨｅガスの圧力は、ガス供給管６４内の圧力を
圧力計６６にて検出し、この検出値６４に基づいて圧力
調整バルブＶ２の開度を圧力コントロ−ラ６７により調
整することにより制御することができる。
【００４５】ところでウエハＷの温度はプラズマからの
熱の供給量と、誘電体プレ−ト５から冷却部３１へ向け
て流れる熱の放熱量とのバランスで決まってくるので、
前記熱伝導度を調整することによりウエハＷの温度を制
御することができる。従って前記隙間内のＨｅガスの圧
力を調整することにより△Ｔが調整され、これにより誘
電体プレ−ト５から冷却部３１へ向けて伝導する熱量が
制御されるので、誘電体プレ−ト５のヒ−タ５２やプラ
ズマによる加熱と冷却部３１による冷却との組み合わせ
により誘電体プレ−ト５の表面の温度が調整され、ウエ
ハＷの温度が制御される。
熱の供給量と、誘電体プレ−ト５から冷却部３１へ向け
て流れる熱の放熱量とのバランスで決まってくるので、
前記熱伝導度を調整することによりウエハＷの温度を制
御することができる。従って前記隙間内のＨｅガスの圧
力を調整することにより△Ｔが調整され、これにより誘
電体プレ−ト５から冷却部３１へ向けて伝導する熱量が
制御されるので、誘電体プレ−ト５のヒ−タ５２やプラ
ズマによる加熱と冷却部３１による冷却との組み合わせ
により誘電体プレ−ト５の表面の温度が調整され、ウエ
ハＷの温度が制御される。
【００４６】実際のプロセスでは予め前記隙間内のＨｅ
ガスの圧力と前記△Ｔとの関係を求めておき、この関係
に基づいて誘電体プレ−ト５の表面を所定の温度に設定
するための圧力が決定されるので、ウエハＷを載置する
前に前記隙間内のＨｅガスの圧力を決定された圧力範囲
内に維持してウエハＷの温度を制御することができる。
ガスの圧力と前記△Ｔとの関係を求めておき、この関係
に基づいて誘電体プレ−ト５の表面を所定の温度に設定
するための圧力が決定されるので、ウエハＷを載置する
前に前記隙間内のＨｅガスの圧力を決定された圧力範囲
内に維持してウエハＷの温度を制御することができる。
【００４７】ここで誘電体プレ−ト５と中間誘電体プレ
−ト６０との間の隙間にＨｅガスを充填しない場合に
は、当該隙間は真空領域となり熱伝導が起こらないので
当該隙間を熱抵抗とすることができず、誘電体プレ−ト
５の温度制御が困難になる。
−ト６０との間の隙間にＨｅガスを充填しない場合に
は、当該隙間は真空領域となり熱伝導が起こらないので
当該隙間を熱抵抗とすることができず、誘電体プレ−ト
５の温度制御が困難になる。
【００４８】本実施の形態では中間誘電体プレ−ト６０
の表面に凹凸を設け、ここにＨｅガスを供給する構成と
したが、凹凸は誘電体プレ−ト５側に形成するようにし
てもよいし、誘電体プレ−ト５と中間誘電体プレ−ト６
０との両方に形成するようにしてもよい。また両プレ−
ト５，６０の接合面に凹凸を形成せず、両者の接合面の
平面度に応じて存在するわずかな隙間にＨｅガスを供給
するようにしてもよい。
の表面に凹凸を設け、ここにＨｅガスを供給する構成と
したが、凹凸は誘電体プレ−ト５側に形成するようにし
てもよいし、誘電体プレ−ト５と中間誘電体プレ−ト６
０との両方に形成するようにしてもよい。また両プレ−
ト５，６０の接合面に凹凸を形成せず、両者の接合面の
平面度に応じて存在するわずかな隙間にＨｅガスを供給
するようにしてもよい。
【００４９】さらに中間誘電体プレ−ト６０に第１の実
施の形態の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂと同様にヒ−
タを設ける構成としてもよく、この場合には温度制御を
さらに容易に行うことができる。また中間誘電体プレ−
ト６０と誘電体プレ−ト５との間のみならず、ウエハＷ
と誘電体プレ−ト５との間の隙間にＨｅガスを供給し、
その圧力により熱伝導度を変えてウエハＷの温度を制御
するようにしてもよい。さらにまた冷却部３１と中間誘
電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とをネジにより接
合する構成としたが、中間誘電体プレ−ト６０と誘電体
プレ−ト５とを静電チャックのみで接合させるようにし
てもよい。
施の形態の中間誘電体プレ−ト４Ａ，４Ｂと同様にヒ−
タを設ける構成としてもよく、この場合には温度制御を
さらに容易に行うことができる。また中間誘電体プレ−
ト６０と誘電体プレ−ト５との間のみならず、ウエハＷ
と誘電体プレ−ト５との間の隙間にＨｅガスを供給し、
その圧力により熱伝導度を変えてウエハＷの温度を制御
するようにしてもよい。さらにまた冷却部３１と中間誘
電体プレ−ト６０と誘電体プレ−ト５とをネジにより接
合する構成としたが、中間誘電体プレ−ト６０と誘電体
プレ−ト５とを静電チャックのみで接合させるようにし
てもよい。
【００５０】続いて本発明の第３の実施の形態の載置台
７について図１０により説明する。この例の載置台７
は、冷却部３１の上に載置される中間誘電体プレ−ト７
０の冷却部３１側の表面に近い位置に例えばタングステ
ン箔よりなる静電チャック用の第１の電極７１を埋設
し、冷却部３１と中間誘電体プレ−ト７０との間を静電
チャックによる静電吸着力により接合するように構成さ
れている。この場合中間誘電体プレ−ト７０には、上述
の第１の実施の形態の中間誘電体プレ−ト４と同様に、
誘電体プレ−ト５との間を静電吸着するための静電チャ
ック用の第２の電極７２が表面側に埋設されると共に、
加熱手段であるヒ−タ７３が設けられている。また第１
及び第２の電極７１，７２は夫々静電チャック用の直流
電源７４，７５、ヒ−タ７３は電源部７６にに夫々接続
されている。冷却部３１や誘電体プレ−ト５の構成は上
述の実施の形態と同様である。
７について図１０により説明する。この例の載置台７
は、冷却部３１の上に載置される中間誘電体プレ−ト７
０の冷却部３１側の表面に近い位置に例えばタングステ
ン箔よりなる静電チャック用の第１の電極７１を埋設
し、冷却部３１と中間誘電体プレ−ト７０との間を静電
チャックによる静電吸着力により接合するように構成さ
れている。この場合中間誘電体プレ−ト７０には、上述
の第１の実施の形態の中間誘電体プレ−ト４と同様に、
誘電体プレ−ト５との間を静電吸着するための静電チャ
ック用の第２の電極７２が表面側に埋設されると共に、
加熱手段であるヒ−タ７３が設けられている。また第１
及び第２の電極７１，７２は夫々静電チャック用の直流
電源７４，７５、ヒ−タ７３は電源部７６にに夫々接続
されている。冷却部３１や誘電体プレ−ト５の構成は上
述の実施の形態と同様である。
【００５１】このような載置台７では、冷却部３１と中
間誘電体プレ−ト７０との間が静電吸着力により接合さ
れているので、両者の界面の隙間が小さくなる。このた
め既述のようにこの間の熱伝導の面内均一性が高くなる
ので、冷却部３１の表面の温度（基準温度）が均一性の
高い状態で伝導され、ウエハＷの温度調整が容易にな
る。
間誘電体プレ−ト７０との間が静電吸着力により接合さ
れているので、両者の界面の隙間が小さくなる。このた
め既述のようにこの間の熱伝導の面内均一性が高くなる
ので、冷却部３１の表面の温度（基準温度）が均一性の
高い状態で伝導され、ウエハＷの温度調整が容易にな
る。
【００５２】ここで本実施の形態は第２の実施の形態の
載置台６に適用してもよい。またこの例では、冷却部３
１と中間誘電体プレ−ト７０との間を静電吸着力とネジ
との組み合わせで接合する構成としたが、静電チャック
のみで接合させるようにしてもよい。
載置台６に適用してもよい。またこの例では、冷却部３
１と中間誘電体プレ−ト７０との間を静電吸着力とネジ
との組み合わせで接合する構成としたが、静電チャック
のみで接合させるようにしてもよい。
【００５３】以上において本発明は、図１１や図１２に
示す載置台８，９に適用するようにしてもよい。図１１
に示す載置台は、中間誘電体プレ−ト８０の底面のほぼ
中央部を円筒体の支持部材８１により支持し、この支持
部材８１の外周囲を囲むようにリング状の冷却部８２を
設けるように構成した例であり、中間誘電体プレ−ト８
０の上面にはウエハＷ載置用の誘電体プレ−ト５が設け
られている。
示す載置台８，９に適用するようにしてもよい。図１１
に示す載置台は、中間誘電体プレ−ト８０の底面のほぼ
中央部を円筒体の支持部材８１により支持し、この支持
部材８１の外周囲を囲むようにリング状の冷却部８２を
設けるように構成した例であり、中間誘電体プレ−ト８
０の上面にはウエハＷ載置用の誘電体プレ−ト５が設け
られている。
【００５４】冷却部８２は上述の実施の形態の冷却部３
１と同様に例えばアルミニウムよりなり、接地されてい
ると共に、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路８２
ａが形成されていて、冷却部８２の表面は均一な基準温
度面になるように構成されている。この冷却部８２の上
面には樹脂製のＯリング８３を介して前記中間誘電体プ
レ−ト８０が設けられており、冷却部８２と中間誘電体
プレ−ト８０との接合面には、熱伝導ガスであるＨｅガ
スが供給され、第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト
７０と誘電体プレ−ト５との間と同様に、Ｈｅガスの圧
力制御がなされるように構成されている。
１と同様に例えばアルミニウムよりなり、接地されてい
ると共に、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路８２
ａが形成されていて、冷却部８２の表面は均一な基準温
度面になるように構成されている。この冷却部８２の上
面には樹脂製のＯリング８３を介して前記中間誘電体プ
レ−ト８０が設けられており、冷却部８２と中間誘電体
プレ−ト８０との接合面には、熱伝導ガスであるＨｅガ
スが供給され、第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト
７０と誘電体プレ−ト５との間と同様に、Ｈｅガスの圧
力制御がなされるように構成されている。
【００５５】前記冷却部８２の下面の一部は樹脂製のＯ
リング８４を介して真空容器２の底壁に接合されてい
る。また真空容器２の底壁の一部には前記支持部材８１
の底部に合わせて凹部８５が形成されており、当該凹部
８５と支持部材８１の底面との間は樹脂製のＯリング８
６を介して接合されている。
リング８４を介して真空容器２の底壁に接合されてい
る。また真空容器２の底壁の一部には前記支持部材８１
の底部に合わせて凹部８５が形成されており、当該凹部
８５と支持部材８１の底面との間は樹脂製のＯリング８
６を介して接合されている。
【００５６】前記中間誘電体プレ−ト８０には第３の実
施の形態の中間誘電体プレ−ト７０と同様に、冷却部８
２との間を静電吸着するための第１の電極８０ａと、誘
電体プレ−ト５との間を静電吸着するための第２の電極
８０ｂと、ヒ−タ８０ｃとが埋設されている。誘電体プ
レ−ト５の構成は上述の実施の形態と同様である。
施の形態の中間誘電体プレ−ト７０と同様に、冷却部８
２との間を静電吸着するための第１の電極８０ａと、誘
電体プレ−ト５との間を静電吸着するための第２の電極
８０ｂと、ヒ−タ８０ｃとが埋設されている。誘電体プ
レ−ト５の構成は上述の実施の形態と同様である。
【００５７】このような載置台８では、冷却部８２と中
間誘電体プレ−ト８０との間ではＨｅガスにより熱伝導
され、中間誘電体プレ−ト８０と誘電体プレ−ト５との
間では誘電体プレ−ト同士の面接触により熱伝導され
る。そしてプラズマからの熱の供給量と、誘電体プレ−
ト５から冷却部８２への熱の放熱量とのバランスでウエ
ハＷの温度が調整される。
間誘電体プレ−ト８０との間ではＨｅガスにより熱伝導
され、中間誘電体プレ−ト８０と誘電体プレ−ト５との
間では誘電体プレ−ト同士の面接触により熱伝導され
る。そしてプラズマからの熱の供給量と、誘電体プレ−
ト５から冷却部８２への熱の放熱量とのバランスでウエ
ハＷの温度が調整される。
【００５８】この際冷却部８２と中間誘電体プレ−ト８
０との間は静電チャックの静電吸着により接合されてい
るので、両者の界面の隙間が小さくなり、面内均一性の
高い熱伝導が行われる上、両者の間の熱伝導度は既述の
ようにＨｅガスの圧力により制御される。このためＯリ
ング８３とウエハＷ載置面とを熱的に分離し、Ｏリング
８３の熱による変質を抑えながら、ウエハＷの温度を所
定の処理温度にするための温度制御をより容易に行うこ
とができる。
０との間は静電チャックの静電吸着により接合されてい
るので、両者の界面の隙間が小さくなり、面内均一性の
高い熱伝導が行われる上、両者の間の熱伝導度は既述の
ようにＨｅガスの圧力により制御される。このためＯリ
ング８３とウエハＷ載置面とを熱的に分離し、Ｏリング
８３の熱による変質を抑えながら、ウエハＷの温度を所
定の処理温度にするための温度制御をより容易に行うこ
とができる。
【００５９】また図１２に示す載置台９は、誘電体プレ
−ト５と中間誘電体プレ−ト９０との間に導電性材料例
えばアルミニウムによりなる導電性プレ−ト９１を介在
させた例であり、導電性プレ−ト９１の底面のほぼ中央
部を円筒体の支持部材９２により支持し、この支持部材
９２の外周囲を囲むようにリング状の中間誘電体プレ−
ト９０と冷却部９３とを設けるように構成されている。
−ト５と中間誘電体プレ−ト９０との間に導電性材料例
えばアルミニウムによりなる導電性プレ−ト９１を介在
させた例であり、導電性プレ−ト９１の底面のほぼ中央
部を円筒体の支持部材９２により支持し、この支持部材
９２の外周囲を囲むようにリング状の中間誘電体プレ−
ト９０と冷却部９３とを設けるように構成されている。
【００６０】冷却部９３は例えばアルミニウムよりな
り、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路９３ａが形
成されていて、冷却部９３の表面は均一な基準温度面に
なるように構成されていると共に、冷却部９３の上面に
は樹脂製のＯリング９４を介して前記リング状の中間誘
電体プレ−ト９０が設けられている。
り、内部に冷媒を通流させるための冷媒流路９３ａが形
成されていて、冷却部９３の表面は均一な基準温度面に
なるように構成されていると共に、冷却部９３の上面に
は樹脂製のＯリング９４を介して前記リング状の中間誘
電体プレ−ト９０が設けられている。
【００６１】この中間誘電体プレ−ト９０は冷却部９３
との間を静電吸着するための電極９０ａとヒ−タ９０ｂ
とを備えており、中間誘電体プレ−ト９０と導電性プレ
−ト９１との接合面には、熱伝導ガスであるＨｅガスが
供給され、第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト７０
と誘電体プレ−ト５との間と同様に、Ｈｅガスの圧力制
御がなされるように構成されている。誘電体プレ−ト５
の構成は上述の実施の形態と同様である。
との間を静電吸着するための電極９０ａとヒ−タ９０ｂ
とを備えており、中間誘電体プレ−ト９０と導電性プレ
−ト９１との接合面には、熱伝導ガスであるＨｅガスが
供給され、第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト７０
と誘電体プレ−ト５との間と同様に、Ｈｅガスの圧力制
御がなされるように構成されている。誘電体プレ−ト５
の構成は上述の実施の形態と同様である。
【００６２】このような載置台９では、冷却部９３と中
間誘電体プレ−ト９０との間では面接触により、中間誘
電体プレ−ト９０と導電性プレ−ト９１との間ではＨｅ
ガスにより、導電性プレ−ト９１と誘電体プレ−ト５と
の間は面接触により夫々熱伝導されて、プラズマからの
熱の供給量と誘電体プレ−ト５から冷却部９３への熱の
放熱量とのバランスでウエハＷの温度が調整される。
間誘電体プレ−ト９０との間では面接触により、中間誘
電体プレ−ト９０と導電性プレ−ト９１との間ではＨｅ
ガスにより、導電性プレ−ト９１と誘電体プレ−ト５と
の間は面接触により夫々熱伝導されて、プラズマからの
熱の供給量と誘電体プレ−ト５から冷却部９３への熱の
放熱量とのバランスでウエハＷの温度が調整される。
【００６３】この載置台９においては、冷却部９３と中
間誘電体プレ−ト９０との間や導電性プレ−ト９１と誘
電体プレ−ト５との間は静電チャックの静電吸着により
接合されているので両者の界面の隙間が小さくなり、面
内均一性の高い熱伝導が行われると共に、中間誘電体プ
レ−ト９０と導電性プレ−ト９１との間の熱伝導度はＨ
ｅガスの圧力により制御される。このためＯリング９４
とウエハＷ載置面とを熱的に分離し、Ｏリング９４の熱
による変質を抑えながら、ウエハＷの温度を所定の処理
温度にするための温度制御をより容易に行うことができ
る。
間誘電体プレ−ト９０との間や導電性プレ−ト９１と誘
電体プレ−ト５との間は静電チャックの静電吸着により
接合されているので両者の界面の隙間が小さくなり、面
内均一性の高い熱伝導が行われると共に、中間誘電体プ
レ−ト９０と導電性プレ−ト９１との間の熱伝導度はＨ
ｅガスの圧力により制御される。このためＯリング９４
とウエハＷ載置面とを熱的に分離し、Ｏリング９４の熱
による変質を抑えながら、ウエハＷの温度を所定の処理
温度にするための温度制御をより容易に行うことができ
る。
【００６４】本発明では、図１１に示す載置台８の中間
誘電体プレ−ト８０や図１２に示す載置台９の中間誘電
体プレ−ト９０を、第２の実施の形態の中間誘電体プレ
−ト６０のように構成してもよい。また図１２に示す載
置台９では誘電体プレ−ト５と導電性プレ−ト９１との
間に第１或いは第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト
４，６０を設けるようにしてもよいし、中間誘電体プレ
−ト９０に静電チャック用の電極を埋め込み、導電性プ
レ−ト９１と中間誘電体プレ−ト９０との間を静電吸着
させるようにしてもよい。
誘電体プレ−ト８０や図１２に示す載置台９の中間誘電
体プレ−ト９０を、第２の実施の形態の中間誘電体プレ
−ト６０のように構成してもよい。また図１２に示す載
置台９では誘電体プレ−ト５と導電性プレ−ト９１との
間に第１或いは第２の実施の形態の中間誘電体プレ−ト
４，６０を設けるようにしてもよいし、中間誘電体プレ
−ト９０に静電チャック用の電極を埋め込み、導電性プ
レ−ト９１と中間誘電体プレ−ト９０との間を静電吸着
させるようにしてもよい。
【００６５】以上において本発明はＥＣＲプラズマ装置
以外の真空処理装置にも適用することができる。また第
１の実施の形態及び第２に実施の形態の中間誘電体プレ
−トは１枚であってもよいし、２枚以上積層して設ける
ようにしてもよく、さらに第１の実施の形態の中間誘電
体プレ−トと第２の実施の形態の中間誘電体プレ−トと
を積層して設けるようにしてもよい。さらにまた第１の
実施の形態の中間誘電体プレ−トにはヒ−タを設けない
構成としてもよいし、第１或いは第２の実施の形態の載
置台３，６の誘電体プレ−ト５と中間誘電体プレ−ト
４，６０との間に導電性プレ−トを設ける構成としても
よい。
以外の真空処理装置にも適用することができる。また第
１の実施の形態及び第２に実施の形態の中間誘電体プレ
−トは１枚であってもよいし、２枚以上積層して設ける
ようにしてもよく、さらに第１の実施の形態の中間誘電
体プレ−トと第２の実施の形態の中間誘電体プレ−トと
を積層して設けるようにしてもよい。さらにまた第１の
実施の形態の中間誘電体プレ−トにはヒ−タを設けない
構成としてもよいし、第１或いは第２の実施の形態の載
置台３，６の誘電体プレ−ト５と中間誘電体プレ−ト
４，６０との間に導電性プレ−トを設ける構成としても
よい。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、高温のプロセスにおい
ても載置台に設けられたＯリングの変質を抑え、また面
内均一性の高い真空処理を行うことができ、特に請求項
３〜５の発明によれば、誘電体プレ−トと中間誘電体プ
レ−トとの間の熱伝導度が調整できるので被処理基板の
温度を制御することができる。
ても載置台に設けられたＯリングの変質を抑え、また面
内均一性の高い真空処理を行うことができ、特に請求項
３〜５の発明によれば、誘電体プレ−トと中間誘電体プ
レ−トとの間の熱伝導度が調整できるので被処理基板の
温度を制御することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る真空処理装置の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明の真空処理装置に用いられる載置台の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】前記載置台の一部を示す断面図である。
【図４】層間絶縁膜を成膜する際の載置台の温度を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】前記載置台の作用を説明するための説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の真空処理装置に用いられる載置台の他
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図７】本発明の真空処理装置に用いられる載置台のさ
らに他の例を示す断面図である。
らに他の例を示す断面図である。
【図８】前記載置台の作用を説明するための説明図であ
る。
る。
【図９】前記載置台の作用を説明するための特性図であ
る。
る。
【図１０】本発明の真空処理装置に用いられる載置台の
さらに他の例を示す断面図である。
さらに他の例を示す断面図である。
【図１１】本発明の真空処理装置に用いられる載置台の
さらに他の例を示す断面図である。
さらに他の例を示す断面図である。
【図１２】本発明の真空処理装置に用いられる載置台の
さらに他の例を示す断面図である。
さらに他の例を示す断面図である。
【図１３】従来のＥＣＲプラズマ装置を示す断面図であ
る。
る。
２ 真空容器 ２１ プラズマ室 ２６ 反応室 ３，６，７，８，９ 載置台 ３１，８２，９３ 冷却部 ３２，８２ａ，９３ａ 冷媒流路 ３３，８３，９４ Ｏリング ４Ａ 第１の中間誘電体プレ−ト ４Ｂ 第２の中間誘電体プレ−ト ４１，５１ 電極 ４２，５２ ヒ−タ ５ 誘電体プレ−ト ６０，７０，８０，９０ 中間誘電体プレ−ト ６１ 凹部 ７１，７２，８０ａ，８０ｂ，９０ａ 電極 ９１ 導電性プレ−ト
Claims (11)
- 【請求項１】 真空室と、この真空室内に設けられた被
処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ−トに加熱手段
と被処理基板吸着用の静電チャックを構成するための電
極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却手段を備えた冷
却部の上に設けて前記載置台を構成した真空処理装置に
おいて、 前記冷却部の表面にリング状の樹脂製シ−ル材を介して
接合され、静電チャックを構成するための電極が表面部
に埋め込まれた中間誘電体プレ−トと、 前記シ−ル材で囲まれた領域に熱伝導用の気体を供給す
るための手段とを備え、 前記中間誘電体プレ−トの表面に、当該中間誘電体プレ
−トの静電チャックによる静電気力により前記誘電体プ
レ−トを接合したことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 リング状の樹脂製シ−ル材と誘電体プレ
−トとの間に、静電チャックを構成するための電極が埋
め込まれた中間誘電体プレ−トを複数枚設け、中間誘電
体プレ−ト同士を静電気力により接合したことを特徴と
する請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 真空室と、この真空室内に設けられた被
処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ−トに加熱手段
と被処理基板吸着用の静電チャックを構成するための電
極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却手段を備えた冷
却部の上に設けて前記載置台を構成した真空処理装置に
おいて、 前記誘電体プレ−トの被処理基板の載置面と反対の面側
に設けられた中間誘電体プレ−トと、 前記中間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に
熱伝導用の気体を供給するための手段とを備え、 前記中間誘電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に
熱伝導用の気体を供給し、当該接合面内の前記熱伝導用
の気体の圧力を調整することにより、前記中間誘電体プ
レ−トと誘電体プレ−トとの間の熱伝導度を制御するこ
とを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項４】 前記中間誘電体プレ−トと誘電体プレ−
トとの接合面に凹凸が形成され、これにより前記中間誘
電体プレ−トと誘電体プレ−トとの接合面に形成された
隙間に熱伝導用の気体が供給されることを特徴とする請
求項３記載の真空処理装置。 - 【請求項５】 前記中間誘電体プレ−トに静電チャック
を構成するための電極を埋め込み、前記中間誘電体プレ
−トと誘電体プレ−トとを静電チャックの静電気力によ
り接合したことを特徴とする請求項３又は４記載の真空
処理装置。 - 【請求項６】 真空室と、この真空室内に設けられた被
処理基板の載置台とを備え、誘電体プレ−トに加熱手段
と被処理基板吸着用の静電チャックを構成するための電
極とを設け、この誘電体プレ−トを冷却手段を備えた冷
却部の上に設けて前記載置台を構成した真空処理装置に
おいて、 前記誘電体プレ−トの被処理基板の載置面と反対の面側
に設けられ、静電チャックを構成するための電極が埋め
込まれた中間誘電体プレ−トを備え、 前記中間誘電体プレ−トと冷却部とを静電チャックの静
電気力により接合したことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項７】 前記中間誘電体プレ−トに静電チャック
を構成するための電極を埋め込み、前記中間誘電体プレ
−トと冷却部とを静電チャックの静電気力により接合し
たことを特徴とする請求項１，２，３，４，又は５記載
の真空処理装置。 - 【請求項８】 前記中間誘電体プレ−トに加熱手段を設
けたことを特徴とする請求項１又は２，３，４，５，
６，７記載の真空処理装置。 - 【請求項９】 前記冷却部と中間誘電体プレ−トとの接
合面に熱伝導用の気体を供給し、当該接合面内の前記熱
伝導用の気体の圧力を調整することにより、前記冷却部
と中間誘電体プレ−トとの間の熱伝導度を制御すること
を特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７又は８
記載の真空処理装置。 - 【請求項１０】 誘電体プレ−トと中間誘電体プレ−ト
との間に導電性プレ−トを設けたことを特徴とする請求
項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の真空処
理装置。 - 【請求項１１】 前記中間誘電体プレ−トと導電性プレ
−トとの接合面に熱伝導用の気体を供給し、当該接合面
内の前記熱伝導用の気体の圧力を調整することにより、
前記中間誘電体プレ−トと導電性プレ−トとの間の熱伝
導度を制御することを特徴とする請求項１０記載の真空
処理装置。
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