JPH11265938A5 - - Google Patents

Description

【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、ＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜と、上記第１の導電膜上に形成されたＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜と、上記第１のバリアメタル膜上を含む全面に形成された層間絶縁膜と、上記第１のバリアメタル膜が露出するように上記層間絶縁膜に形成された開口部と、上記開口部を埋めるように設けられ、上記第１の導電膜と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の導電膜とを具備したことを特徴とする。

本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板上にＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜を形成する工程と、上記第１の導電膜上にＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜を形成する工程と、上記第１の導電膜及び第１のバリアメタル膜からなる積層膜を所望の形状にパターニングして第１の配線を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、選択エッチング法により上記層間絶縁膜に上記第１のバリアメタル膜が露出するような開口部を形成する工程と、上記開口部を埋めて上記第１の配線と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の配線を形成する工程とを具備したことを特徴とする。

Claims (17)

1. ＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜と、
   上記第１の導電膜上に形成されたＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜と、
   上記第１のバリアメタル膜上に形成された層間絶縁膜と、
   上記第１のバリアメタル膜が露出するように上記層間絶縁膜に形成された開口部と、
   上記開口部を埋めるように設けられ、上記第１の導電膜と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の導電膜と
   を具備したことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１のバリアメタル膜がＷ膜、Ｎｂ膜、Ｔａ膜のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の導電膜の下層には第２のバリアメタル膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記第２のバリアメタル膜が、Ｔｉ膜及びその上に形成されたＴｉＮ膜からなる積層膜で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第２のバリアメタル膜がＷ、Ｎｂ、Ｔａのうちのいずれか１つからなる膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 少なくとも前記第１のバリアメタル膜上にさらに絶縁膜が形成され、前記開口部はこの絶縁膜を貫通して形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
7. 前記絶縁膜がＳｉＮ膜であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記絶縁膜がＳｉＯ ₂ 膜であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 半導体基板上にＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜を形成する工程と、
   上記第１の導電膜上にＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜を形成する工程と、
   上記第１の導電膜及び第１のバリアメタル膜からなる積層膜を所望の形状にパターニングして第１の配線を形成する工程と、
   全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
   選択エッチング法により上記層間絶縁膜に上記第１のバリアメタル膜が露出するような開口部を形成する工程と、
   上記開口部を埋めて上記第１の配線と同じ材料からなり、第１のバリアメタル膜と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に配線膜を設けて第２の配線を形成する工程
   とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 前記第１のバリアメタル膜はＷ、Ｎｂ、Ｔａのいずれかを堆積して形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記第１の導電膜を形成する工程の前に、前記半導体基板上に第２のバリアメタル膜を形成する工程をさらに具備したことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第２のバリアメタル膜を形成する工程は、
    Ｔｉ膜を形成する工程と、
    このＴｉ膜上にＴｉＮ膜を形成する工程とからなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第２のバリアメタル膜はＷ、Ｎｂ、Ｔａのうちのいずれか１つからなるを堆積して形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記第２の配線を形成する工程が、
    選択成長法により前記開口部内に成長させて埋め込み層を形成する工程と、
    全面に第２の導電膜を形成する工程と、
    上記第２の導電膜をパターニングする工程
    とを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記第１のバリアメタル膜を形成する工程の後に前記第１のバリアメタル膜上に絶縁膜を形成する工程をさらに具備し、
    前記開口部を形成する際に前記開口部はこの絶縁膜を貫通するように形成されることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記絶縁膜はＳｉＮを堆積して形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記絶縁膜はＳｉＯ ₂ を堆積して形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。