JPH1126667A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH1126667A
JPH1126667A JP19494997A JP19494997A JPH1126667A JP H1126667 A JPH1126667 A JP H1126667A JP 19494997 A JP19494997 A JP 19494997A JP 19494997 A JP19494997 A JP 19494997A JP H1126667 A JPH1126667 A JP H1126667A
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JP
Japan
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semiconductor device
suction
semiconductor
manufacturing
state
Prior art date
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Application number
JP19494997A
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English (en)
Inventor
Satoshi Matsubayashi
敏 松林
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数個の半導体装置を連結した状態で形成
し、その後プレス金型によるパンチング法によって各半
導体装置を個別に分断する半導体装置の製造方法におい
て、分断時の各半導体装置の位置ずれを防止する。 【解決手段】 本発明は、プレス金型の上型に設けたキ
ッカーピン8により半導体装置1を押圧した状態で分断
する工程と、分断後各半導体装置1の側面をパンチ2に
より支持した状態で上方に持ち上げ保持する工程と、キ
ッカーピン8にて各半導体装置1を下方に排出する工程
とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に複数の半導体装置を連結した状態で形成
される半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造方法としては、各半導
体装置を完全に個別に形成する方法と、一旦複数の半導
体装置を連結した状態で形成し、その後個別に分離する
方法とがある。このうち作業能率の向上という観点か
ら、主に後者の製造方法が一般的には用いられている。
【0003】例えばBGA型半導体装置に係る従来例に
ついて説明すると、一般にBGA型半導体装置は、複数
の配線パターンを格子状に形成してなる1枚の絶縁性フ
ィルムの各配線パターンそれぞれに半導体チップの搭載
や外部接続端子として機能する半田ボールの装着などが
行われ、その後エポキシなどの樹脂により必要領域を封
止した後、個別製品とするための分断作業がプレス金型
によるパンチング法を用いて行われる。
【0004】この分断方法につき図2(a)乃至(c)
を参照しつつ説明すると、各半導体装置1は、上型(図
示せず)に設けられた方形のパンチ2により各半導体装
置1周縁の絶縁性フィルム3を切断することによって個
別に分断されるが、このとき半導体装置1を支えるもの
が何もない場合には、打ち抜かれる絶縁性フィルム3は
弾性材料であるので、自身が持つ弾性力によって容易に
パンチ2の間にはまり込んでしまう。これを防ぐため
に、上型にスプリングなどの弾性体4によりパンチ2の
打ち抜き方向に付勢されているプッシュロッド5を設
け、このプッシュロッド5により各半導体装置1を押
圧、位置決めし、かつ打ち抜かれた半導体装置1がパン
チ2間にはまり込むことがないような状態で各半導体装
置1を個別に分断するようにしていた。
【0005】
【この発明が解決しようとする課題】しかしこのように
プッシュロッド5を用いた場合でも、半導体装置1が完
全にパンチ2間にはまり込まないまでも、打ち抜き後パ
ンチ2が上昇する際に各半導体装置1周縁の絶縁性フィ
ルム3がパンチ2に引っかかって上方に引っ張られた
り、あるいはプッシュロッド5に設けられている弾性体
4の弾性力により半導体装置1が上下左右にブレてしま
い、その結果打ち抜き後の各半導体装置1の位置精度が
悪くなり、これが製品の取り出しの自動化を阻害する要
因となって、つまるところ製品の取り出しは専ら人手に
頼らねばならないという状況にあった。
【0006】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
であり、前記分断時の各半導体装置の位置精度を良好に
維持することにより、製品取り出しの自動化を容易に
し、もって生産性を向上することのできる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、複数個の半導体装置を連結した
状態で形成し、その後上型及び下型からなるプレス金型
によるパンチング法によって各半導体装置を個別に分断
する半導体装置の製造方法において、上型に設けたキッ
カーピンで各半導体装置を押圧した状態で分断する工程
と、分断された各半導体装置の側面をパンチにより支持
した状態で上方に持ち上げ保持する工程と、前記キッカ
ーピンにて各半導体装置を下方に排出する工程とを具備
するようにしている。
【0008】また望ましくは、前記キッカーピンには吸
着機構と接続された吸引孔が設けられており、各半導体
装置を吸着した状態で持ち上げ保持し、排出の際吸着を
解くようにしている。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、従来例と同一
箇所には同一符号を付してある。図1は本発明による半
導体装置1の分断方法を示す図である。本発明では、プ
レス金型の上型に、中心に吸着機構と接続された吸引孔
7を具備するキッカーピン8を設けている。
【0010】まず図1(a)に示すように、半導体装置
1の半田ボール6設置部分を保護するため当該部分に凹
部が形成されたダイ9に、絶縁性フィルム3により連結
された状態の各半導体装置1をセットする。そしてキッ
カーピン8により各半導体装置1を適度に押圧し、かつ
位置決めした状態で方形のパンチ2により各半導体装置
1周縁の絶縁性フィルム3を打ち抜き、各半導体装置1
を絶縁性フィルム3から個別に分断する。
【0011】次に、図1(b)に示すように、吸着機構
(図示せず)を作動させ、この吸着機構と接続されてい
るキッカーピン8の吸引孔7を介して半導体装置1を吸
着し、かつパンチ2により半導体装置1の側面を支持し
た状態で各半導体装置1を上方に持ち上げ保持する。
【0012】なお、図示はしないが、この状態で受け皿
となる製品取り出しトレイなどの製品取り出し手段が半
導体装置1の下方にセットされる。そしてそれら製品取
り出し手段と各半導体装置1とが位置決めされた状態で
吸着機構による吸着を解放しかつキッカーピン8により
半導体装置1を下方に押し出すことにより、半導体装置
1が製品取り出しトレイなどの製品取り出し手段上の所
定位置に精度良く落下移行する。
【0013】このような方法によれば、各半導体装置1
が絶縁性フィルム3から分断される際、各半導体装置1
はその側面をパンチ2により支持された状態で一旦上方
に持ち上げ保持されるので、各半導体装置1の位置精度
が良好に保たれ、その結果製品取り出しの際にも製品取
り出し手段との位置合わせが容易にできるので、製品取
り出しの自動化を図ることが可能となる。
【0014】なお、本実施形態においては従来例との兼
ね合いから弾性力のある絶縁性フィルム3により連結さ
れたBGA型半導体装置1の分断例につき説明したが、
本発明はこれに限定されず、例えばCuやFe−Ni合
金などの金属材料により連結された半導体装置の分断に
も適用可能であるし、その他の材料により連結された半
導体装置の分断にも適用可能である。
【0015】また本実施形態では、各半導体装置1の持
ち上げ保持を、キッカーピン8に設けられた吸引孔7を
介して吸着機構により半導体装置1を吸着することによ
って行ったが、これは例えば半導体装置1を連結してい
る材料が本実施形態の絶縁性フィルム3などのように弾
性材料である場合は、これら絶縁性フィルム3などは自
身が持つ弾性力によりパンチ2間にはまり込む特性があ
るので、特に吸着機構を利用しなくてもよい。なお、こ
の場合はキッカーピン8に吸引孔7を設ける必要はな
い。
【0016】また、本実施例ではキッカーピン8は各半
導体装置1に対し1本ずつしか設けていないが、これに
限定されることなく、例えば2本、3本、4本と設けて
もよい。なお、この場合吸引孔7はキッカーピン8の全
てに設けても、任意のものにのみ設けてもよい。
【0017】更に、本実施形態においては図1(b)に
示すように分断された半導体装置1を上方に持ち上げる
ときにのみ吸着を行うこととしたが、それ以前の、図1
(a)に示す各半導体装置1分断時のキッカーピン8に
よる押圧及び位置決めのときから吸着を行うようにして
もよい。この方法によれば、更に良好に各半導体装置を
位置決めすることができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の半導
体装置の製造方法によれば、各半導体装置が絶縁性フィ
ルムから個別に分断された後、各半導体装置はその側面
をパンチにより支持された状態で一旦上方に持ち上げ保
持され、その後下方に排出されるので、各半導体装置の
位置精度が良好に保たれ、その結果製品取り出しの際に
も製品取り出し手段との位置合わせが正確に行えるの
で、製品取り出しが容易に自動化でき、もって生産性を
向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による製造工程を示す図
【図2】従来技術による製造工程を示す図
【符号の説明】
1 半導体装置 2 パンチ 3 絶縁性フィルム 4 弾性体 5 プッシュロッド 6 半田ボール 7 吸引孔 8 キッカーピン 9 ダイ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個の半導体装置を連結した状態で形
    成し、その後上型及び下型からなるプレス金型によるパ
    ンチング法によって各半導体装置を個別に分断する半導
    体装置の製造方法において、前記製造方法は、上型に設
    けたキッカーピンで各半導体装置を押圧した状態で分断
    する工程と、分断された各半導体装置の側面をパンチに
    より支持した状態で上方に持ち上げ保持する工程と、前
    記キッカーピンにて各半導体装置を下方に排出する工程
    とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記キッカーピンには吸着機構と接続さ
    れた吸引孔が設けられており、各半導体装置を吸着した
    状態で持ち上げ保持し、排出の際吸着を解くことを特徴
    とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
JP19494997A 1997-07-04 1997-07-04 半導体装置の製造方法 Pending JPH1126667A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8772816B2 (en) 2009-12-01 2014-07-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8772816B2 (en) 2009-12-01 2014-07-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
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US9978921B2 (en) 2009-12-01 2018-05-22 LG Innotek, Co. Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10230036B2 (en) 2009-12-01 2019-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10388840B1 (en) 2009-12-01 2019-08-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10446730B2 (en) 2009-12-01 2019-10-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10749092B2 (en) 2009-12-01 2020-08-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same

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