JPH1127006A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH1127006A JPH1127006A JP22110297A JP22110297A JPH1127006A JP H1127006 A JPH1127006 A JP H1127006A JP 22110297 A JP22110297 A JP 22110297A JP 22110297 A JP22110297 A JP 22110297A JP H1127006 A JPH1127006 A JP H1127006A
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、機械的強度が強く、しかも回路定数
の設定が容易な誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体磁器ブロック２の開放端面８に、
多数の誘電体層１１ａ〜１１ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１
ａ〜３１ｆ，を積層してなる回路積層体１０ａ，１０
ｂ，１０ｃを配設して、その結合回路Ｌ，Ｂ，Ｈを共振
器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、フィルタ
を構成するようにしたものであるから、整一な単純形状
とすることができて、小型化が可能となり回路設計が容
易となると共に、回路積層体により、ＬＣ結合回路を構
成するものであるから、任意の回路定数のものを容易に
構成することができる。
の設定が容易な誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体磁器ブロック２の開放端面８に、
多数の誘電体層１１ａ〜１１ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１
ａ〜３１ｆ，を積層してなる回路積層体１０ａ，１０
ｂ，１０ｃを配設して、その結合回路Ｌ，Ｂ，Ｈを共振
器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、フィルタ
を構成するようにしたものであるから、整一な単純形状
とすることができて、小型化が可能となり回路設計が容
易となると共に、回路積層体により、ＬＣ結合回路を構
成するものであるから、任意の回路定数のものを容易に
構成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話、携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる、共振器を複数並
設してなる誘電体フィルタに関する。
電話等の移動体通信機器に用いられる、共振器を複数並
設してなる誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１で示すように、誘電体磁器ブロッ
クａに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することにより
構成される共振器ｂを複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体ｃ
を被覆すると共に、一端側の共振器ｔと結合する入力端
子パッドＰ1 をアース導体ｃと区画して側面に形成し、
他端側の共振器ｔと結合する出力端子パッドＰ2 をアー
ス導体ｃと区画して側面に形成してなる誘電体フィルタ
は種々提案されている。この構成は、同図で示すよう
に、開放端面で、各貫通孔の口端に形成したザグリｄの
表面に導電被膜を被覆したり、該開放面にパターン導体
を印刷する等により、各共振器の内導体に接続する導電
層ｅを形成し、各導電層ｅ相互を結合して、これにより
バンドパスフィルタを構成するようにしている。
クａに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することにより
構成される共振器ｂを複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体ｃ
を被覆すると共に、一端側の共振器ｔと結合する入力端
子パッドＰ1 をアース導体ｃと区画して側面に形成し、
他端側の共振器ｔと結合する出力端子パッドＰ2 をアー
ス導体ｃと区画して側面に形成してなる誘電体フィルタ
は種々提案されている。この構成は、同図で示すよう
に、開放端面で、各貫通孔の口端に形成したザグリｄの
表面に導電被膜を被覆したり、該開放面にパターン導体
を印刷する等により、各共振器の内導体に接続する導電
層ｅを形成し、各導電層ｅ相互を結合して、これにより
バンドパスフィルタを構成するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、ザグリやパターンの形成によって、共振器相互を結
合するための結合回路を形成した場合には、得られる回
路定数に限界があり、設計に制約を生じる。そこで、こ
の問題を解決するために、コイルやコンデンサ等の集中
定数部品を使用したものが提案された。しかるにかかる
構成にあっては、設計に自由度が与えられる反面、組み
付け工数が増加し、かつ形態も直方体のような整一な形
状とならず、寸法が大きくなり、かつ雑然とした回路配
列となって、回路設計が複雑化し、さらには機械的強度
も低下する等の問題があった。本発明は、かかる問題点
を除去することを目的とするものである。
に、ザグリやパターンの形成によって、共振器相互を結
合するための結合回路を形成した場合には、得られる回
路定数に限界があり、設計に制約を生じる。そこで、こ
の問題を解決するために、コイルやコンデンサ等の集中
定数部品を使用したものが提案された。しかるにかかる
構成にあっては、設計に自由度が与えられる反面、組み
付け工数が増加し、かつ形態も直方体のような整一な形
状とならず、寸法が大きくなり、かつ雑然とした回路配
列となって、回路設計が複雑化し、さらには機械的強度
も低下する等の問題があった。本発明は、かかる問題点
を除去することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体磁器ブ
ロックに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することによ
り構成される共振器を複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体を
被覆してなる誘電体磁器ブロックの、その開放端面に、
複数の誘電体層を積層してなる回路積層体を配設し、該
回路積層体により結合回路を構成して、結合回路を所要
共振器と結合することにより所要濾波回路を構成するよ
うにしたことを特徴とする誘電体フィルタである。
ロックに、貫通孔の内周面に内導体を被覆することによ
り構成される共振器を複数個一方向に並設し、かつ貫通
孔が開口する開放端面を除く所要外周面にアース導体を
被覆してなる誘電体磁器ブロックの、その開放端面に、
複数の誘電体層を積層してなる回路積層体を配設し、該
回路積層体により結合回路を構成して、結合回路を所要
共振器と結合することにより所要濾波回路を構成するよ
うにしたことを特徴とする誘電体フィルタである。
【０００５】かかる構成にあって、誘電体磁器ブロック
の開口端面に誘電体層が配設された単純構成により、結
合回路が構成されることとなり、整一な形状の誘電体フ
ィルタが形成されると共に、回路積層体の構造を選定す
ることににより、任意の回路定数のものを構成すること
ができる。
の開口端面に誘電体層が配設された単純構成により、結
合回路が構成されることとなり、整一な形状の誘電体フ
ィルタが形成されると共に、回路積層体の構造を選定す
ることににより、任意の回路定数のものを構成すること
ができる。
【０００６】上述の構成にあって、前記誘電体磁器ブロ
ックの開放端面に、複数の誘電体層を積層して焼結し
て、１チップ構造とした回路積層体を接合したものが提
案される。このように、回路積層体を１チップ構造とす
ることにより、誘電体磁器ブロックの開口端面に、該チ
ップを接合するだけで、容易に誘電体フィルタを構成し
得ることとなる。
ックの開放端面に、複数の誘電体層を積層して焼結し
て、１チップ構造とした回路積層体を接合したものが提
案される。このように、回路積層体を１チップ構造とす
ることにより、誘電体磁器ブロックの開口端面に、該チ
ップを接合するだけで、容易に誘電体フィルタを構成し
得ることとなる。
【０００７】前記回路積層体により構成される結合回路
は、各共振器と結合して、ローパスフィルタを構成する
ローパスフィルタ結合回路，バンドパスフィルタを構成
するバンドパスフィルタ結合回路又はハイパスフィルタ
を構成するハイパスフィルタ結合回路を適用することが
できる。
は、各共振器と結合して、ローパスフィルタを構成する
ローパスフィルタ結合回路，バンドパスフィルタを構成
するバンドパスフィルタ結合回路又はハイパスフィルタ
を構成するハイパスフィルタ結合回路を適用することが
できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１〜３は、本発明の第一実施例
を示し、酸化チタン系，酸化バリウム系等の誘電体セラ
ミック材料を焼結してなる扁平状の直方体形状誘電体磁
器ブロック２に、三つの共振器３Ａ〜３Ｃ一方向に平行
に配設し、その開放端面８に回路積層体１０ａを接合し
てなる誘電体フィルタ１ａを示す。この誘電体フィルタ
１ａは、図４で示すローパスフィルタを構成するもので
ある。
を示し、酸化チタン系，酸化バリウム系等の誘電体セラ
ミック材料を焼結してなる扁平状の直方体形状誘電体磁
器ブロック２に、三つの共振器３Ａ〜３Ｃ一方向に平行
に配設し、その開放端面８に回路積層体１０ａを接合し
てなる誘電体フィルタ１ａを示す。この誘電体フィルタ
１ａは、図４で示すローパスフィルタを構成するもので
ある。
【０００９】この共振器３Ａ〜３Ｃは、図３で示すよう
に、円管状の貫通孔５に夫々内導体６を塗着形成してな
り、さらに、その貫通孔５が開口する開放端面８を除く
所要外周面にアース導体７を被覆している。この共振器
３Ａ〜３Ｃは、共振周波数のλ／４に相当する共振長寸
法にほぼ一致させている。そして、この共振器３Ａ〜３
Ｃにより、図４で示す共振器回路Ｘが構成される。
に、円管状の貫通孔５に夫々内導体６を塗着形成してな
り、さらに、その貫通孔５が開口する開放端面８を除く
所要外周面にアース導体７を被覆している。この共振器
３Ａ〜３Ｃは、共振周波数のλ／４に相当する共振長寸
法にほぼ一致させている。そして、この共振器３Ａ〜３
Ｃにより、図４で示す共振器回路Ｘが構成される。
【００１０】前記開放端面８には、ローパスフィルタ結
合回路Ｌを構成する回路積層体１０ａが接合される。こ
の回路積層体１０ａは、ガラスセラミック，ガラスと誘
電体セラミック材料の複合材料、あるいは低融点酸化物
等の誘電体セラミック材料からなり、しかも誘電体磁器
ブロック２の開放端面８の形状と一致した長方形状の複
数の誘電体層１１ａ〜１１ｆを積層し、これを一体焼結
して、１チップ構造とすることにより形成される。ま
た、この回路積層体１０ａは、誘電体層１１ａ〜１１ｆ
の積層により、ローパスフィルタ結合回路Ｌが共振器回
路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、ローパスフィ
ルタを構成している。このように、この回路積層体１０
ａは誘電体層１１ａ〜１１ｆを一体焼結して、１チップ
化されているため、開放端面８上への接合により、全体
が一様な直方体をなす、整一な誘電体フィルタ１ａを容
易に構成し得ることとなる。
合回路Ｌを構成する回路積層体１０ａが接合される。こ
の回路積層体１０ａは、ガラスセラミック，ガラスと誘
電体セラミック材料の複合材料、あるいは低融点酸化物
等の誘電体セラミック材料からなり、しかも誘電体磁器
ブロック２の開放端面８の形状と一致した長方形状の複
数の誘電体層１１ａ〜１１ｆを積層し、これを一体焼結
して、１チップ構造とすることにより形成される。ま
た、この回路積層体１０ａは、誘電体層１１ａ〜１１ｆ
の積層により、ローパスフィルタ結合回路Ｌが共振器回
路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、ローパスフィ
ルタを構成している。このように、この回路積層体１０
ａは誘電体層１１ａ〜１１ｆを一体焼結して、１チップ
化されているため、開放端面８上への接合により、全体
が一様な直方体をなす、整一な誘電体フィルタ１ａを容
易に構成し得ることとなる。
【００１１】各誘電体層１１ａ〜１１ｆは、その表面に
所要のパターン導体を印刷形成し、さらに、スルホール
を穿設してなるものであり、その具体的構成につき説明
する。
所要のパターン導体を印刷形成し、さらに、スルホール
を穿設してなるものであり、その具体的構成につき説明
する。
【００１２】誘電体層１１ａの表面には、共振器３Ａ〜
３Ｃに対向する部位に、電極層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ
が形成されると共に、スルホールが貫通状に形成され、
各共振器の内導体と接続される。
３Ｃに対向する部位に、電極層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ
が形成されると共に、スルホールが貫通状に形成され、
各共振器の内導体と接続される。
【００１３】また、誘電体層１１ｂの表面にも、共振器
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層１３ａ，１３ｂ，
１３ｃが形成され、これにより、共振器３Ａ〜３Ｂ、電
極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間で、誘電体層１１ｂの厚
さと、電極層１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの電極面
積により容量が定まるローパスフィルタ結合回路Ｌのコ
ンデンサＣ1 〜Ｃ3 （図４参照）が構成されることとな
る。
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層１３ａ，１３ｂ，
１３ｃが形成され、これにより、共振器３Ａ〜３Ｂ、電
極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ間で、誘電体層１１ｂの厚
さと、電極層１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの電極面
積により容量が定まるローパスフィルタ結合回路Ｌのコ
ンデンサＣ1 〜Ｃ3 （図４参照）が構成されることとな
る。
【００１４】さらに、誘電体層１１ｃには、前記電極層
１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接続するスルホールｈが貫通
状に形成され、その表面で各スルホールｈ間に、蛇行状
の導電路からなるインダクタＬ1 ，Ｌ2 が形成される。
１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接続するスルホールｈが貫通
状に形成され、その表面で各スルホールｈ間に、蛇行状
の導電路からなるインダクタＬ1 ，Ｌ2 が形成される。
【００１５】誘電体層１１ｄの表面には、前記電極層１
３ａとスルホールｈを介して接続される入出力延出路１
５ａと、同じく前記電極層１３ｃとスルホールｈを介し
て接続される入出力延出路１５ｂとが形成される。
３ａとスルホールｈを介して接続される入出力延出路１
５ａと、同じく前記電極層１３ｃとスルホールｈを介し
て接続される入出力延出路１５ｂとが形成される。
【００１６】誘電体層１１ｅの表面には、電極層２０
ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されて、夫々誘電体層１１
ｃ，１１ｄ，１１ｅを貫通するスルホールｈを介して電
極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接続される。
ａ，２０ｂ，２０ｃが形成されて、夫々誘電体層１１
ｃ，１１ｄ，１１ｅを貫通するスルホールｈを介して電
極層１３ａ，１３ｂ，１３ｃと接続される。
【００１７】さらに誘電体層１１ｆは、その表面にアー
ス導体２１が形成され、このアース導体２１と、電極層
２０ａ，２０ｂ，２０ｃが誘電体層１１ｆを介して対峙
してコンデンサＣ4 〜Ｃ6 を構成している。
ス導体２１が形成され、このアース導体２１と、電極層
２０ａ，２０ｂ，２０ｃが誘電体層１１ｆを介して対峙
してコンデンサＣ4 〜Ｃ6 を構成している。
【００１８】かかる誘電体層１１ａ〜１１ｆが積層され
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路１
５ａと接続する入出力端子パッド１８ａと、入出力延出
路１５ｂと接続する入出力端子パッド１８ｂと、さらに
回路積層体１０ａのアース導体２１と誘電体ブロック２
のアース導体７を接続するアース導体１９とが形成され
る。尚、誘電体層１１ａ〜１１ｆに、入出力端子パッド
１８ａ，１８ｂ及びアース導体１９をその積層により生
ずることとなる導電層をあらかじめ形成するようにして
も良い。
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路１
５ａと接続する入出力端子パッド１８ａと、入出力延出
路１５ｂと接続する入出力端子パッド１８ｂと、さらに
回路積層体１０ａのアース導体２１と誘電体ブロック２
のアース導体７を接続するアース導体１９とが形成され
る。尚、誘電体層１１ａ〜１１ｆに、入出力端子パッド
１８ａ，１８ｂ及びアース導体１９をその積層により生
ずることとなる導電層をあらかじめ形成するようにして
も良い。
【００１９】而して、誘電体磁器ブロック２の開放端に
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆからなる回路積層体１０
ａを接合するだけで、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 ，Ｃ4 〜Ｃ
6 ，インダクタＬ1 〜Ｌ3 からなるローパスフィルタ結
合回路Ｌが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Ｌが
共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図６
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆからなる回路積層体１０
ａを接合するだけで、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 ，Ｃ4 〜Ｃ
6 ，インダクタＬ1 〜Ｌ3 からなるローパスフィルタ結
合回路Ｌが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Ｌが
共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図６
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
【００２０】図５，６は本発明の第二実施例に係る誘電
体フィルタ１ｂを示し、複数の誘電体層２１ａ〜２１ｅ
を積層してなる回路積層体１０ｂによりバンドパスフィ
ルタ結合回路Ｂを実現し、誘電体磁器ブロック２に回路
積層体１０ｂを接合することにより、共振器回路Ｘの所
要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図７で示すバンドパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック２の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
体フィルタ１ｂを示し、複数の誘電体層２１ａ〜２１ｅ
を積層してなる回路積層体１０ｂによりバンドパスフィ
ルタ結合回路Ｂを実現し、誘電体磁器ブロック２に回路
積層体１０ｂを接合することにより、共振器回路Ｘの所
要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図７で示すバンドパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック２の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
【００２１】ここで誘電体層２１ａには、共振器３Ａ〜
３Ｃに対向する部位に、夫々スルホールｈが形成され
る。
３Ｃに対向する部位に、夫々スルホールｈが形成され
る。
【００２２】誘電体層２１ｂにも、共振器３Ａ〜３Ｃに
対向する部位に、スルホールｈが形成され、その表面に
各スルホールｈ間で、該スルホールｈに接続するコ字状
電極を、夫々対向してなるコンデンサＣ12，Ｃ13が形成
される。
対向する部位に、スルホールｈが形成され、その表面に
各スルホールｈ間で、該スルホールｈに接続するコ字状
電極を、夫々対向してなるコンデンサＣ12，Ｃ13が形成
される。
【００２３】また、誘電体層２１ｃには、各誘電体層２
１ａ，２１ｂに貫通形成したスルホールｈを介して共振
器３Ａ，３Ｃと接続する電極層２２ａ，２２ｂが形成さ
れる。
１ａ，２１ｂに貫通形成したスルホールｈを介して共振
器３Ａ，３Ｃと接続する電極層２２ａ，２２ｂが形成さ
れる。
【００２４】さらに、誘電体層２１ｄの表面には、電極
層２２ａ，２２ｂと対向して、電極層２１ｄの厚みによ
りコンデンサＣ11，Ｃ14を構成する電極層２３ａ，２３
ｂが形成され、該電極層２３ａには入出力延出路２６ａ
が延成され、同じく前記電極層２３ｂには入出力延出路
２６ｂが延成される。
層２２ａ，２２ｂと対向して、電極層２１ｄの厚みによ
りコンデンサＣ11，Ｃ14を構成する電極層２３ａ，２３
ｂが形成され、該電極層２３ａには入出力延出路２６ａ
が延成され、同じく前記電極層２３ｂには入出力延出路
２６ｂが延成される。
【００２５】そして、誘電体層２１ｅには、その表面に
アース導体２５が形成される。
アース導体２５が形成される。
【００２６】かかる誘電体層２１ａ〜２１ｅが積層され
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路２
６ａと接続する入出力端子パッド２７ａと、入出力延出
路２６ｂと接続する入出力端子パッド２７ｂと、回路積
層体１０ｂのアース導体２５と誘電体ブロック２のアー
ス導体７を接続するアース導体２８とが形成される。
尚、誘電体層２１ａ〜２１ｅに、入出力端子パッド２７
ａ，２７ｂ及びアース導体２８をその積層により生ずる
こととなる導電層をあらかじめ形成するようにしても良
い。
た後に、その積層体の上側面には、前記入出力延出路２
６ａと接続する入出力端子パッド２７ａと、入出力延出
路２６ｂと接続する入出力端子パッド２７ｂと、回路積
層体１０ｂのアース導体２５と誘電体ブロック２のアー
ス導体７を接続するアース導体２８とが形成される。
尚、誘電体層２１ａ〜２１ｅに、入出力端子パッド２７
ａ，２７ｂ及びアース導体２８をその積層により生ずる
こととなる導電層をあらかじめ形成するようにしても良
い。
【００２７】而して、誘電体磁器ブロック２の開放端に
複数の誘電体層２１ａ〜２１ｅからなる回路積層体１０
ｂを接合するだけで、コンデンサＣ11〜Ｃ14からなるバ
ンドパスフィルタ結合回路Ｂを構成することができ、こ
れが共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図７で示す構成のバ
ンドパスフィルタが構成されることとなる。
複数の誘電体層２１ａ〜２１ｅからなる回路積層体１０
ｂを接合するだけで、コンデンサＣ11〜Ｃ14からなるバ
ンドパスフィルタ結合回路Ｂを構成することができ、こ
れが共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図７で示す構成のバ
ンドパスフィルタが構成されることとなる。
【００２８】図８〜１０は本発明の第三実施例に係る誘
電体フィルタ１ｃを示し、複数の誘電体層３１ａ〜３１
ｆを積層してなる回路積層体１０ｃによりハイパスフィ
ルタ結合回路Ｈを実現し、誘電体磁器ブロック２に回路
積層体１０ｃを接合することにより、共振器回路Ｘの所
要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図１０で示すハイパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック２の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
電体フィルタ１ｃを示し、複数の誘電体層３１ａ〜３１
ｆを積層してなる回路積層体１０ｃによりハイパスフィ
ルタ結合回路Ｈを実現し、誘電体磁器ブロック２に回路
積層体１０ｃを接合することにより、共振器回路Ｘの所
要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図１０で示すハイパス
フィルタを構成するようにしたものである。尚、誘電体
磁器ブロック２の構造は第一実施例と同様であり、同一
符号を付して説明を省略する。
【００２９】ここで誘電体層３１ａには、共振器３Ａ〜
３Ｃの内導体に接続するスルホールｈが貫通状に形成さ
れ、かつその表面に各スルホールｈと絶縁させて、アー
ス導体３２を形成している。
３Ｃの内導体に接続するスルホールｈが貫通状に形成さ
れ、かつその表面に各スルホールｈと絶縁させて、アー
ス導体３２を形成している。
【００３０】誘電体層３１ｂの表面には、共振器３Ａ〜
３Ｃに対向する部位に、電極層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ
が形成される。
３Ｃに対向する部位に、電極層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ
が形成される。
【００３１】また、誘電体層３１ｃの表面にも、共振器
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層３４ａ，３４ｂ，
３４ｃが形成され、これにより、電極層３３ａ〜３３ｃ
と電極層３４ａ〜３４ｃ間で、誘電体層３１ｃの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路ＬのコンデンサＣ21〜Ｃ23（図１０参
照）が構成されることとなる。また、電極層３４ａ，３
４ｃは、電極層３４ｂと間隔を置いて段間結合し、その
間で、コンデンサＣ24，Ｃ25を形成している。
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層３４ａ，３４ｂ，
３４ｃが形成され、これにより、電極層３３ａ〜３３ｃ
と電極層３４ａ〜３４ｃ間で、誘電体層３１ｃの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路ＬのコンデンサＣ21〜Ｃ23（図１０参
照）が構成されることとなる。また、電極層３４ａ，３
４ｃは、電極層３４ｂと間隔を置いて段間結合し、その
間で、コンデンサＣ24，Ｃ25を形成している。
【００３２】さらにまた、誘電体層３１ｄには、前記電
極層３４ａ，３４ｂ，３４ｃと接続するスルホールｈが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールｈを介
して電極層３４ａ，３４ｃと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタＬ21，Ｌ23が形成されてい
る。そして、その一端を誘電体層３１ｄの下側縁に形成
したアース導体３７を構成する電極層と接続し、その他
端を誘電体層３１ｄの上側縁に形成した入出力端子パッ
ド３８ａ，３８ｂ（図１０参照）を構成する導電層と接
続している。
極層３４ａ，３４ｂ，３４ｃと接続するスルホールｈが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールｈを介
して電極層３４ａ，３４ｃと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタＬ21，Ｌ23が形成されてい
る。そして、その一端を誘電体層３１ｄの下側縁に形成
したアース導体３７を構成する電極層と接続し、その他
端を誘電体層３１ｄの上側縁に形成した入出力端子パッ
ド３８ａ，３８ｂ（図１０参照）を構成する導電層と接
続している。
【００３３】誘電体層３１ｅにも蛇行状の導電路からな
るインダクタＬ22が形成され、その一端を誘電体層３１
ｄ，３１ｅに形成されたスルホールｈを介して電極層３
４ｂと接続し、その他端を誘電体層３１ｅの下側縁に形
成したアース導体３７を構成する導電層と接続してい
る。
るインダクタＬ22が形成され、その一端を誘電体層３１
ｄ，３１ｅに形成されたスルホールｈを介して電極層３
４ｂと接続し、その他端を誘電体層３１ｅの下側縁に形
成したアース導体３７を構成する導電層と接続してい
る。
【００３４】さらに誘電体層３１ｆは、その表面にアー
ス導体３９が形成されている。
ス導体３９が形成されている。
【００３５】かかる誘電体層３１ａ〜３１ｆが積層され
た状態で、図９で示すように、回路積層体１０ｃの上側
面の両側には、インダクタＬ21と接続する入出力端子パ
ッド３８ａと、インダクタＬ23と接続する入出力端子パ
ッド３８ｂが形成され、さらに回路積層体１０ｃの上側
面の中央部及び下側面には、アース導体３７が積層方向
に渡って形成され、アース導体３９と誘電体ブロック２
のアース導体７を接続している。このアース導体３７に
は、上述したように、インダクタＬ21，Ｌ22，Ｌ23の一
端が夫々接続される。
た状態で、図９で示すように、回路積層体１０ｃの上側
面の両側には、インダクタＬ21と接続する入出力端子パ
ッド３８ａと、インダクタＬ23と接続する入出力端子パ
ッド３８ｂが形成され、さらに回路積層体１０ｃの上側
面の中央部及び下側面には、アース導体３７が積層方向
に渡って形成され、アース導体３９と誘電体ブロック２
のアース導体７を接続している。このアース導体３７に
は、上述したように、インダクタＬ21，Ｌ22，Ｌ23の一
端が夫々接続される。
【００３６】而して、誘電体磁器ブロック２の開放端に
複数の誘電体層３１ａ〜３１ｆからなる回路積層体１０
ｃを接合するだけで、コンデンサＣ21〜Ｃ25，インダク
タＬ21〜Ｌ23からなるハイパスフィルタ結合回路Ｈが形
成され、該ハイパスフィルタ結合回路Ｈが共振器回路Ｘ
の所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図１０で示すハイ
パスフィルタ回路が構成されることとなる。
複数の誘電体層３１ａ〜３１ｆからなる回路積層体１０
ｃを接合するだけで、コンデンサＣ21〜Ｃ25，インダク
タＬ21〜Ｌ23からなるハイパスフィルタ結合回路Ｈが形
成され、該ハイパスフィルタ結合回路Ｈが共振器回路Ｘ
の所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図１０で示すハイ
パスフィルタ回路が構成されることとなる。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、上述のように、誘電体磁器ブ
ロック２の開放端面８に、複数の誘電体層１１ａ〜１１
ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１ａ〜３１ｆを積層してなる回
路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃを配設して、その結合
回路Ｌ，Ｂ，Ｈを共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃ
と結合して、ローパスフィルタ，バンドパスフィルタま
たはハイパスフィルタを構成するようにしたものである
から、 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、小型
化が可能となって、省スペース化することができる。 2) 誘電体磁器ブロック及び誘電体層のみによるもので
あるから、機械的強度が向上する。 3) 結合回路Ｌ，Ｂ，Ｈが回路積層体１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ内に閉じ込められた構造となるため、外部雰囲気
と遮断され、湿度やメカニカルショック等の外部の影響
が受けにくくなり、特性上安定する。 4) 回路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより、結合回
路を構成するものであるから、任意の回路定数のものを
容易に構成することができ、フィルタの設計に自由度が
与えられる。 5) 回路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃを複数の誘電体
層１１ａ〜１１ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１ａ〜３１ｆを
積層して焼結することにより１チップ化した場合には、
誘電体磁器ブロック２の開放端面８に、回路積層体１０
ａ，１０ｂ，１０ｃを接合するだけで組み付けることが
でき、製造容易で量産性に優れる。
ロック２の開放端面８に、複数の誘電体層１１ａ〜１１
ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１ａ〜３１ｆを積層してなる回
路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃを配設して、その結合
回路Ｌ，Ｂ，Ｈを共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃ
と結合して、ローパスフィルタ，バンドパスフィルタま
たはハイパスフィルタを構成するようにしたものである
から、 1) その全体を整一な単純形状とすることができ、小型
化が可能となって、省スペース化することができる。 2) 誘電体磁器ブロック及び誘電体層のみによるもので
あるから、機械的強度が向上する。 3) 結合回路Ｌ，Ｂ，Ｈが回路積層体１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ内に閉じ込められた構造となるため、外部雰囲気
と遮断され、湿度やメカニカルショック等の外部の影響
が受けにくくなり、特性上安定する。 4) 回路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより、結合回
路を構成するものであるから、任意の回路定数のものを
容易に構成することができ、フィルタの設計に自由度が
与えられる。 5) 回路積層体１０ａ，１０ｂ，１０ｃを複数の誘電体
層１１ａ〜１１ｆ，２１ａ〜２１ｅ，３１ａ〜３１ｆを
積層して焼結することにより１チップ化した場合には、
誘電体磁器ブロック２の開放端面８に、回路積層体１０
ａ，１０ｂ，１０ｃを接合するだけで組み付けることが
でき、製造容易で量産性に優れる。
【図１】本発明の第一実施例に係る誘電体フィルタ１ａ
の分離斜視図である。
の分離斜視図である。
【図２】本発明の第一実施例に係る誘電体フィルタ１ａ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】誘電体磁器ブロック２の一部の縦断側面図であ
る。
る。
【図４】第一実施例に係るローパスフィルタの等価回路
図である。
図である。
【図５】本発明の第二実施例に係る誘電体フィルタ１ｂ
の分離斜視図である。
の分離斜視図である。
【図６】本発明の第二実施例に係る誘電体フィルタ１ｂ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図７】第二実施例に係るバンドパスフィルタの等価回
路図である。
路図である。
【図８】本発明の第三実施例に係る誘電体フィルタ１ｃ
の分離斜視図である。
の分離斜視図である。
【図９】本発明の第三実施例に係る誘電体フィルタ１ｃ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図１０】第三実施例に係るハイパスフィルタの等価回
路図である。
路図である。
【図１１】従来構成の誘電体フィルタＤの斜視図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ，１ｃ 誘電体フィルタ ２ 誘電体磁器ブロック ３Ａ〜３Ｃ 共振器 ７ アース導体 ８ 開放端面 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ 回路積層体 １１ａ〜１１ｆ 誘電体層 ２１ａ〜２１ｅ 誘電体層 ３１ａ〜３１ｆ 誘電体層 １８ａ，１８ｂ 入出力端子パッド ２７ａ，２７ｂ 入出力端子パッド ３８ａ，３８ｂ 入出力端子パッド Ｌ ローパスフィルタ結合回路 Ｂ バンドパスフィルタ結合回路 Ｈ ハイパスフィルタ結合回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】而して、誘電体磁器ブロック２の開放端に
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆからなる回路積層体１０
ａを接合するだけで、コンデンサＣ１〜Ｃ３，Ｃ４〜Ｃ
６，インダクタＬ１〜Ｌ３からなるローパスフィルタ結
合回路Ｌが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Ｌが
共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図４
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
複数の誘電体層１１ａ〜１１ｆからなる回路積層体１０
ａを接合するだけで、コンデンサＣ１〜Ｃ３，Ｃ４〜Ｃ
６，インダクタＬ１〜Ｌ３からなるローパスフィルタ結
合回路Ｌが形成され、該ローパスフィルタ結合回路Ｌが
共振器回路Ｘの所要共振器３Ａ〜３Ｃと結合して、図４
で示すローパスフィルタ回路が構成されることとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】また、誘電体層３１ｃの表面にも、共振器
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層３４ａ，３４ｂ，
３４ｃが形成され、これにより、電極層３３ａ〜３３ｃ
と電極層３４ａ〜３４ｃ間で、誘電体層３１ｃの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路ＨのコンデンサＣ２１〜Ｃ２３（図１０
参照）が構成されることとなる。また、電極層３４ａ，
３４ｃは、電極層３４ｂと間隔を置いて段間結合し、そ
の間で、コンデンサＣ２４，Ｃ２５を形成している。
３Ａ〜３Ｃに対向する部位に、電極層３４ａ，３４ｂ，
３４ｃが形成され、これにより、電極層３３ａ〜３３ｃ
と電極層３４ａ〜３４ｃ間で、誘電体層３１ｃの厚さ
と、各電極層の電極面積により容量が定まるハイパスフ
ィルタ結合回路ＨのコンデンサＣ２１〜Ｃ２３（図１０
参照）が構成されることとなる。また、電極層３４ａ，
３４ｃは、電極層３４ｂと間隔を置いて段間結合し、そ
の間で、コンデンサＣ２４，Ｃ２５を形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】さらにまた、誘電体層３１ｄには、前記電
極層３４ａ，３４ｂ，３４ｃと接続するスルホールｈが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールｈを介
して電極層３４ａ，３４ｃと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタＬ２１，Ｌ２３が形成されて
いる。そして、その一端を誘電体層３１ｄの下側縁のア
ース導体３７を構成する電極層と接続し、その他端を誘
電体層３１ｄの上側縁に形成した入出力端子パッド３８
ａ，３８ｂ（図１０参照）を構成する導電層と接続して
いる。
極層３４ａ，３４ｂ，３４ｃと接続するスルホールｈが
貫通状に形成され、その表面で両側のスルホールｈを介
して電極層３４ａ，３４ｃと電気的に接続する蛇行状の
導電路からなるインダクタＬ２１，Ｌ２３が形成されて
いる。そして、その一端を誘電体層３１ｄの下側縁のア
ース導体３７を構成する電極層と接続し、その他端を誘
電体層３１ｄの上側縁に形成した入出力端子パッド３８
ａ，３８ｂ（図１０参照）を構成する導電層と接続して
いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体磁器ブロックに、貫通孔の内周面に
内導体を被覆することにより構成される共振器を複数個
一方向に並設し、かつ貫通孔が開口する開放端面を除く
所要外周面にアース導体を被覆してなる誘電体磁器ブロ
ックの、その開放端面に、複数の誘電体層を積層してな
る回路積層体を配設し、該回路積層体により結合回路を
構成して、結合回路を所要共振器と結合することにより
所要濾波回路を構成するようにしたことを特徴とする誘
電体フィルタ。 - 【請求項２】前記誘電体磁器ブロックの開放端面に、複
数の誘電体層を積層して焼結して、１チップ構造とした
回路積層体を接合したことを特徴とする請求項１記載の
誘電体フィルタ。 - 【請求項３】前記回路積層体により構成される結合回路
が、各共振器と結合するローパスフィルタ結合回路，バ
ンドパスフィルタ結合回路またはハイパスフィルタ結合
回路であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の誘電体フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110297A JPH1127006A (ja) | 1997-05-07 | 1997-07-31 | 誘電体フィルタ |
| EP98303595A EP0877433A1 (en) | 1997-05-07 | 1998-05-07 | Dielectric filter device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-134347 | 1997-05-07 | ||
| JP13434797 | 1997-05-07 | ||
| JP22110297A JPH1127006A (ja) | 1997-05-07 | 1997-07-31 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1127006A true JPH1127006A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=26468475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22110297A Pending JPH1127006A (ja) | 1997-05-07 | 1997-07-31 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1127006A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570473B2 (en) | 2000-08-30 | 2003-05-27 | Tkd Corporation | Band pass filter |
| KR101274661B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2013-06-17 | 시티에스 코포레이션 | 덮개 필터를 구비한 ｒｆ 모노블록 필터 조립체 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP22110297A patent/JPH1127006A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570473B2 (en) | 2000-08-30 | 2003-05-27 | Tkd Corporation | Band pass filter |
| KR101274661B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2013-06-17 | 시티에스 코포레이션 | 덮개 필터를 구비한 ｒｆ 모노블록 필터 조립체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040910 |