JPH11271806A - アクティブマトリクス基板、液晶装置及び電子機器並びに該アクティブマトリクス基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に走査線、データ線、ＴＦＴ等が形成
されてなり、液晶装置を構成するためのアクティブマト
リクス基板において、検査機能とプリチャージ機能とを
基板上の狭い領域で実現する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板は、複数のデ
ータ線（３５）の一端側に設けられたデータ線駆動回路
（１０１）と、その他端側に設けられており、液晶装置
の組み立て工程前などに行われる検査時に、データ線に
検査信号を供給すると共に、通常動作時に、データ線に
プリチャージ信号を供給する検査兼プリチャージ回路
（２０１）とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に走査線や
データ線などの各種配線、薄膜トランジスタ（以下適
宜、ＴＦＴと称する）などの駆動素子等が形成されてお
り、対向基板との間に液晶を挟持することにより、アク
ティブマトリクス駆動方式の液晶装置等を構成するアク
ティブマトリクス基板、これを備えた液晶装置及び電子
機器、並びにこのようなアクティブマトリクス基板にお
ける各種の電気特性検査方法の技術分野に属し、特に、
プリチャージ回路及び検査回路などの周辺回路が基板上
に形成される形式のアクティブマトリクス基板等の技術
分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶装置用のアクティブマトリクス基
板においては、縦横に夫々配列された多数の走査線及び
データ線並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電
極やＴＦＴがガラス基板上に設けられるのが一般的であ
る。このようなアクティブマトリクス基板は、対向基板
とシール材により貼り合わされ且つ両基板間に液晶が封
入されることにより、液晶装置を構成する。ここで特
に、基板上に形成された各種配線等が断線や短絡してい
たり、或いはＴＦＴがリーク電流を生じていたりする不
良なアクティブマトリクス基板は、当該アクティブマト
リクス基板を液晶装置に組み立てる組み立て工程の前
や、マザー基板上に複数形成された当該アクティブマト
リクス基板を相互に切り離すスクライブ工程等の前に発
見して、次工程に持ち込まないことが製造の効率化や低
コスト化等の観点から望ましい。そこで、この種のアク
ティブマトリクス基板には、走査線駆動回路、データ線
駆動回路、サンプリング回路、プリチャージ回路等に加
えて、画面表示領域の周辺領域に形成される周辺回路の
一つとして、液晶装置に組み立てられる前における当該
アクティブマトリクス基板の電気特性検査を実行可能に
構成された検査回路が設けられる場合がある。

【０００３】このような検査回路は例えば、複数のデー
タ線に夫々接続された複数のＴＦＴ等のスイッチング素
子を備えており、また、これらのスイッチング素子を駆
動するための検査用駆動信号やこれらのスイッチング素
子等を介してデータ線に供給される検査信号を入力した
り測定したりするための複数の検査用端子が基板上に専
用に設けられ、更にこれらの検査用端子から検査回路ま
でを結ぶ検査用配線が専用に設けられる。そして、例え
ば検査用端子にプローブを当てて所定電圧の検査用信号
を入力しつつ検査用駆動信号を所定のタイミングで入力
することにより、複数のデータ線の開放検査、断線検
査、更にはサンプリングスイッチのリーク検査などの電
気特性検査を各データ線の単位で或いは複数のデータ線
のグループの単位で行えるように構成されている。

【０００４】他方、上述の周辺回路のうち、プリチャー
ジ回路は特に、コントラスト比の向上、データ線の電位
レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等を目的
として、データ線に対し、データ線駆動回路から供給さ
れる画像信号に先行するタイミングで、プリチャージ信
号を供給することにより、画像信号をデータ線に書き込
む際の負荷を軽減する回路である。特に液晶を交流駆動
するために通常行われるデータ線の電圧極性を所定周期
で反転して駆動する、例えば走査線毎に液晶に印加する
電圧を反転する、１Ｈ反転駆動方式においては、プリチ
ャージ信号をデータ線に予め書き込んでおけば、画像信
号をデータ線に書き込む際に必要な電気量を顕著に少な
くできる。例えば、特開平７−２９５５２０号公報に、
このようなプリチャージ回路の一例が開示されている。
また、サンプリング回路は、高周波数の画像信号を各デ
ータ線に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期し
て供給するために、画像信号をサンプリングする回路で
ある。

【０００５】ここで、上述のように周辺回路を基板上に
備えた液晶装置の基板サイズが同じであれば、マトリク
ス状に配置された複数の画素部により規定される画面表
示領域、即ち液晶装置上で実際に液晶の配向状態の変化
により画像が表示される領域は、表示装置の基本的要請
として大きい程よいとされている。従って、上述した検
査回路やプリチャージ回路を含めて周辺回路は、画面表
示領域の周囲に位置する基板の狭く細長い周辺部分に設
けられるのが一般的である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た検査回路とプリチャージ回路との両方をアクティブマ
トリクス基板の周辺部分に設けようとすると、これらの
回路を構成するＴＦＴの形成領域の確保や配線の引き回
しなどが困難になるという問題点が生じる。即ち、走査
線駆動回路やデータ線駆動回路に加えてサンプリング回
路、プリチャージ回路、検査回路等までも前述の狭く細
長い周辺部分に設けると、特定の仕様に沿うようにこれ
らの周辺回路を設計することが困難になるという問題点
がある。

【０００７】特に検査回路を設ける場合に必要となる検
査用端子については、プローブを立てること等との関係
から、端子部の面積が例えば１００μｍ×１００μｍ程
度にもなる。即ち、液晶装置の組み立て前に行われる検
査のために、このような基板面上の貴重な領域が占めら
れてしまうという問題点がある。加えて、このように基
板面上に設けられた検査用端子は、通常Ａｌ（アルミニ
ウム）等の金属薄膜などからなり、検査後の不使用時に
もそのまま残されるため、製品化された後に腐食して液
晶装置を不良化させたり、表示画像の品質を低下させか
ねないという問題点もある。

【０００８】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、基板上における比較的狭い領域を用いてプリ
チャージ機能と検査機能とを実現する液晶装置用のアク
ティブマトリクス基板、これを用いた液晶装置及び電子
機器並びに該アクティブマトリクス基板の検査方法を提
供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のアクテ
ィブマトリクス基板は上記課題を解決するために、一対
の基板間に液晶が挟持されてなる液晶装置を構成するた
めのアクティブマトリクス基板であって、前記一対の基
板のうちの一方の基板上に、相交差する複数の走査線及
び複数のデータ線と、前記複数の走査線に走査信号を供
給する走査線駆動回路と、前記複数のデータ線の一端側
に設けられており、前記複数のデータ線に画像信号を供
給する画像信号供給手段と、マトリクス状に設けられて
おり、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線を介し
て供給される前記走査信号及び前記画像信号に基づいて
夫々能動駆動される複数の画素部と、前記複数のデータ
線の他端側に設けられており、検査時に少なくとも前記
複数のデータ線に検査信号を夫々供給すると共に通常動
作時に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信
号に先行して前記複数のデータ線に夫々供給する検査兼
プリチャージ回路とを備えたことを特徴とする。

【００１０】請求項１に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、複数のデータ線に画像信号を供給する画像
信号供給手段は、複数のデータ線の一端側に設けられて
おり、検査兼プリチャージ回路は、複数のデータ線の他
端側に設けられている。ここで、検査時には、少なくと
も複数のデータ線に、所定種類の電気特性検査を行うた
めの検査信号が、検査兼プリチャージ回路により夫々供
給される。従って、検査兼プリチャージ回路と画像信号
供給手段とを用いて、両者間に夫々位置する各データ線
やこれに接続された画素部に対する開放又は断線検査や
短絡検査などの所定種類の電気特性検査を行うことが出
来る。

【００１１】他方、通常動作時には、所定電圧レベルの
プリチャージ信号が、画像信号供給手段から供給される
画像信号に先行して、検査兼プリチャージ回路により複
数のデータ線に夫々供給される。そして、画像信号が複
数のデータ線に画像信号供給手段により供給される。即
ち、検査兼プリチャージ回路により、各データ線につい
てのプリチャージが行われ、プリチャージされた各デー
タ線に対する画像信号の供給が画像信号供給手段により
良好に行われることになる。

【００１２】以上のように、検査兼プリチャージ回路
は、液晶装置への組み立て工程前やスクライブ工程前な
どに実施される検査の際には検査機能を持ち、液晶装置
への組み立て後の通常動作の際にはプリチャージ機能を
持つので、従来のように検査回路とプリチャージ回路と
を別々に基板の周辺部分に設ける場合と比較して、これ
ら二つの機能を実現するために必要な基板上領域が顕著
に小さくて済む。

【００１３】請求項２に記載のアクティブマトリクス基
板は請求項１に記載のアクティブマトリクス基板におい
て、前記検査兼プリチャージ回路は、プリチャージ信号
線を介して入力されるプリチャージ信号をプリチャージ
回路駆動信号に応じて夫々スイッチング出力して前記検
査信号又は前記プリチャージ信号として前記複数のデー
タ線に夫々供給する複数のプリチャージスイッチを含ん
で構成されており、前記画像信号供給手段は、画像信号
線を介して入力される画像信号をサンプリング回路駆動
信号に応じて夫々サンプリングして前記画像信号として
前記複数のデータ線に夫々供給する複数のサンプリング
スイッチを持つサンプリング回路と、前記サンプリング
回路駆動信号を前記複数のサンプリングスイッチに夫々
供給するデータ線駆動回路とを含んで構成されているこ
とを特徴とする。

【００１４】請求項２に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、サンプリング回路における複数のサンプリ
ングスイッチは、画像信号線を介して入力される画像信
号をサンプリング回路駆動信号に応じて夫々サンプリン
グするように構成されており、データ線駆動回路は、サ
ンプリング回路駆動信号を複数のサンプリングスイッチ
に夫々供給するように構成されている。ここで、検査時
には、プリチャージ回路において、プリチャージ信号線
を介して入力されるプリチャージ信号は夫々、プリチャ
ージ回路駆動信号に応じて、複数のプリチャージスイッ
チによりスイッチング出力されて、検査信号として複数
のデータ線に夫々供給される。従って、プリチャージス
イッチ、サンプリングスイッチ及びデータ線駆動回路を
用いて、複数のプリチャージスイッチと複数のサンプリ
ングスイッチとの間に夫々位置する各データ線に対する
所定種類の電気特性検査を行うことが出来る。

【００１５】他方、通常動作時には、プリチャージ回路
において、プリチャージ信号線を介して入力されるプリ
チャージ信号は夫々、プリチャージ回路駆動信号に応じ
て、複数のプリチャージスイッチによりスイッチング出
力されて、プリチャージ信号として複数のデータ線に夫
々供給される。そして、画像信号供給手段において、サ
ンプリング回路駆動信号が複数のサンプリングスイッチ
にデータ線駆動回路により夫々供給されると、画像信号
線を介して入力される画像信号は、サンプリング回路駆
動信号に応じて、複数のサンプリングスイッチにより夫
々サンプリングされて、画像信号として複数のデータ線
に夫々供給される。即ち、検査兼プリチャージ回路によ
り各データ線についてのプリチャージが行われ、プリチ
ャージされた各データ線に対する画像信号の供給が画像
信号供給手段により良好に行われることになる。

【００１６】請求項３に記載のアクティブマトリクス基
板は請求項２に記載のアクティブマトリクス基板におい
て、前記複数のプリチャージスイッチは夫々、前記デー
タ線がソース電極に接続され、前記プリチャージ信号線
がドレイン電極に接続され、前記プリチャージ回路駆動
信号線がゲート電極に接続された薄膜トランジスタから
なることを特徴とする。

【００１７】請求項３に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、複数のプリチャージスイッチをなす薄膜ト
ランジスタは夫々、プリチャージ回路駆動信号線を介し
てゲート電極にプリチャージ回路駆動信号が供給される
とオン状態となり、プリチャージ信号線を介してドレイ
ン電極に供給されるプリチャージ信号を、ソース電極か
らデータ線に対して、検査時には検査信号として、或い
は通常動作時にはプリチャージ信号として供給する。

【００１８】従って、検査時には、これらの薄膜トラン
ジスタのスイッチング動作を利用して、これらの薄膜ト
ランジスタと複数のサンプリングスイッチとの間に夫々
位置する各データ線に対する所定種類の電気特性検査を
行うことが出来る。また通常動作時には、これらの薄膜
トランジスタのスイッチング動作を利用して、各データ
線についてのプリチャージが行われ、プリチャージされ
た各データ線に対する画像信号の供給が画像信号供給手
段により良好に行われることになる。

【００１９】請求項４に記載のアクティブマトリクス基
板は請求項３に記載のアクティブマトリクス基板におい
て、前記薄膜トランジスタは、Ｎチャネル型トランジス
タ、Ｐチャネル型トランジスタ及び相補型トランジスタ
のうちの一つからなることを特徴とする。

【００２０】請求項４に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、Ｎチャネル型トランジスタ、Ｐチャネル型
トランジスタ、即ち片チャネルのＴＦＴや、Ｎチャネル
型トランジスタ及びＰチャネル型トランジスタで構成す
る相補型トランジスタからなるプリチャージスイッチの
スイッチング動作を利用して、検査時には所定種類の電
気特性検査を確実に行え、通常動作時にはプリチャージ
を確実に行える。

【００２１】請求項５に記載のアクティブマトリクス基
板は請求項２から４のいずれか一項に記載のアクティブ
マトリクス基板において、前記データ線駆動回路は、各
段から転送信号を順次出力する１系列のシフトレジスタ
と、該シフトレジスタにおける相隣接する二つの段から
相前後して出力される前記転送信号が時間的に相互に重
ならないように前記転送信号の時間長さを制限した後に
前記サンプリング回路駆動信号として出力する波形制御
回路とを備えたことを特徴とする。

【００２２】請求項５に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、１系列のシフトレジスタの各段から転送信
号を順次出力されると、該シフトレジスタから相前後し
て出力される転送信号が時間的に相互に重ならないよう
に、波形制御回路により、転送信号の時間長さが制限さ
れた後、サンプリング回路駆動信号として出力される。
従って、相前後する転送信号における時間的な重なりに
対応したサンプリングスイッチの動作に起因して、画像
信号、検査信号やプリチャージ信号が複数のデータ線に
跨って供給されてしまう事態を未然に防げる。そして、
このように構成すれば、検査兼プリチャージ回路に供給
するプリチャージ信号やプリチャージ回路駆動信号は夫
々、前述の如き１Ｈ反転駆動を行わない場合であれば１
系列で済み、前述の１Ｈ反転駆動を行う場合でもプリチ
ャージ信号を２系列にすれば（プリチャージ回路駆動信
号は１系列のままで）足りる。従って、複数系列のシフ
トレジスタから出力される複数系列の転送信号に基づい
てデータ線駆動回路によりサンプリングスイッチを駆動
する場合と比較して、検査兼プリチャージ回路に係る、
プリチャージ信号やプリチャージ回路駆動信号用の入出
力配線や入出力端子の数を大幅に減らすことが出来る。

【００２３】請求項６に記載のアクティブマトリクス基
板は請求項１から５のいずれか一項に記載のアクティブ
マトリクス基板において、前記複数の画素部は夫々、能
動駆動用の薄膜トランジスタを含んで構成されており、
前記検査兼プリチャージ回路は、前記画素部の薄膜トラ
ンジスタと同じ膜から同時に形成された薄膜トランジス
タを含んで構成されていることを特徴とする。

【００２４】請求項６に記載のアクティブマトリクス基
板によれば、画素部における薄膜トランジスタと検査兼
プリチャージ回路における薄膜トランジスタとは、同じ
膜から同時に形成されているので、これらの薄膜トラン
ジスタの製造は、比較的容易であり、装置全体の低コス
ト化を図れる。

【００２５】請求項７に記載の液晶装置は、請求項１か
ら６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板
と、前記一対の基板のうちの他方の基板と、前記液晶と
を備えたことを特徴とする。

【００２６】請求項７に記載の液晶装置によれば、上述
した本発明のアクティブマトリクス基板を備えて構成さ
れており、組み立て工程前における各種の電気特性検査
が確実に行われているために、信頼性が高い。また、検
査回路や検査回路専用の入出力配線や入出力端子などが
存在しないため、プリチャージ回路、サンプリング回
路、データ線駆動回路、走査線駆動回路等の通常動作を
行うための周辺回路が余裕を持って形成できる。

【００２７】請求項８に記載の液晶装置は、請求項７に
記載の液晶装置において、前記複数の画素部により規定
される画面表示領域の周囲において前記一対の基板を貼
り合わせて前記液晶を包囲するシール部材と、前記シー
ル部材と前記画面表示領域との間において前記画面表示
領域の輪郭に沿って前記他方の基板に形成された遮光性
の周辺見切りとを更に備えており、前記検査兼プリチャ
ージ回路及び前記検査兼プリチャージ回路の入出力配線
のうちの少なくとも一方が前記周辺見切りに対向する位
置に設けられたことを特徴とする。

【００２８】請求項８に記載の液晶装置によれば、遮光
性の周辺見切りは、他方の基板（即ち、対向基板）上で
シール部材と画面表示領域との間において画面表示領域
の輪郭に沿って、第２基板に形成されている。そして、
検査兼プリチャージ回路及びその入出力配線のうちの少
なくとも一方が、周辺見切りに対向する位置（以下、
“周辺見切り下”という）において一方の基板に設けら
れている。ここで、検査兼プリチャージ回路は、通常動
作時には基本的に交流駆動の回路である。このため、シ
ール部材により包囲され両基板間に挟持された液晶に面
する一方の基板部分に、検査兼プリチャージ回路やその
入出力配線を設けても、直流電圧印加による液晶の劣化
という問題は生じない。そして、このように周辺見切り
下に、検査兼プリチャージ回路やその入出力配線を設け
ることで、例えば、走査線駆動回路やデータ線駆動回路
を狭く細長い基板の周辺部分に余裕を持って形成するこ
とができる。

【００２９】請求項９に記載の電子機器は、請求項８に
記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。

【００３０】請求項９に記載の電子機器によれば、上述
した本発明の液晶装置を備えて構成されるため、小型化
が図られており高品位動作が可能であり、しかも信頼性
が高い。

【００３１】請求項１０に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法は、請求項２から６に記載のアクティブ
マトリクス基板を検査する検査方法であって、(i)前記
データ線駆動回路を通常動作させると共に前記複数のプ
リチャージスイッチ全てをオン状態としつつ、前記プリ
チャージ信号線に所定電圧を印加して前記画像信号線に
流れる電流を測定することにより、或いは、(ii)前記デ
ータ線駆動回路を通常動作させると共に前記プリチャー
ジ回路駆動信号により同時に駆動される複数のプリチャ
ージスイッチ全てをオン状態としつつ、前記画像信号線
に所定電圧を印加して前記プリチャージ信号線に流れる
電流を測定することにより、前記複数のデータ線の開放
又は断線検査を行うことを特徴とする。

【００３２】請求項１０に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法によれば、(i)データ線駆動回路を通常
動作させると共に複数のプリチャージスイッチ全てをオ
ン状態としつつ、プリチャージ信号線に所定電圧を印加
する。すると、プリチャージ信号線に印加された所定電
圧は、オン状態とされたプリチャージスイッチを介して
各データ線に印加される。そして、サンプリングスイッ
チがデータ線単位又は複数のデータ線からなるグループ
単位でオンされているので、各データ線と各画像信号線
とが導通状態とされた時点で、画像信号線に電流が流れ
る。そこで、この画像信号線に流れる電流を測定して、
データ線やこれに接続された画素部が正常状態にある場
合に得られる基準電流と比較すれば、データ線単位又は
複数のデータ線からなるグループ単位で、データ線の開
放又は断線を検査できる。

【００３３】或いは、(ii)データ線駆動回路を通常動作
させると共にプリチャージ回路駆動信号により同時に駆
動される複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態と
しつつ、画像信号線に所定電圧を印加する。すると、画
像信号線に印加された所定電圧は、サンプリングスイッ
チによりサンプリングされて、各データ線に印加され
る。そして、プリチャージスイッチがオンされているた
め各データ線とプリチャージ信号線とが導通状態とされ
ているので、各データ線に印加された電圧により、プリ
チャージ信号線に電流が流れる。そこで、このプリチャ
ージ信号線に流れる電流を測定して、データ線等が正常
状態にある場合に得られる基準電流と比較すれば、デー
タ線単位又は複数のデータ線からなるグループ単位で、
データ線の開放又は断線を検査できる。

【００３４】請求項１１に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法は、請求項２から６に記載のアクティブ
マトリクス基板を検査する検査方法であって、(i)前記
サンプリングスイッチ全てをオン状態とすると共に前記
複数のプリチャージスイッチ全てをオフ状態としつつ、
相隣接するデータ線に電気的接続される画像信号線の間
に所定電圧を印加して該相隣接するデータ線に電気的接
続される画像信号線間に流れる電流を測定することによ
り、或いは、(ii)前記サンプリングスイッチ全てをオフ
状態とすると共に前記複数のプリチャージスイッチ全て
をオン状態としつつ、相隣接するデータ線に電気的接続
されるプリチャージ信号線の間に所定電圧を印加して該
相隣接するデータ線に電気的接続されるプリチャージ信
号線間に流れる電流を測定することにより、前記複数の
データ線の短絡検査を行うことを特徴とする。

【００３５】請求項１１に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法によれば、(i)サンプリングスイッチ全
てをオン状態とすると共に複数のプリチャージスイッチ
全てをオフ状態としつつ、相隣接するデータ線に電気的
接続される画像信号線の間に所定電圧を印加する。する
と、サンプリングスイッチを介して画像信号線からデー
タ線に所定電圧が印加されるが、プリチャージスイッチ
が全てオフされているため、相隣接するデータ線は相互
にほぼ絶縁されており画像信号線間には電流は流れない
筈である。そこで、この状態で、相隣接するデータ線に
電気的接続される画像信号線間に流れる電流を測定し
て、データ線等が正常状態にある場合に得られる（ほぼ
零に近い）基準電流と比較すれば、データ線単位又は複
数のデータ線からなるグループ単位で、データ線の短絡
を検査できる。

【００３６】或いは、(ii)サンプリングスイッチ全てを
オフ状態とすると共に複数のプリチャージスイッチ全て
をオン状態としつつ、相隣接するデータ線に電気的接続
されるプリチャージ信号線の間に所定電圧を印加する。
すると、プリチャージスイッチを介してプリチャージ信
号線からデータ線に所定電圧が印加されるが、サンプリ
ングスイッチが全てオフされているため、相隣接するデ
ータ線は相互にほぼ絶縁されておりプリチャージ信号線
間には電流は流れない筈である。そこで、この状態で、
相隣接するデータ線に電気的接続されるプリチャージ信
号線間に流れる電流を測定して、データ線が正常状態に
ある場合に得られる（ほぼ零に近い）基準電流と比較す
れば、データ線単位又は複数のデータ線からなるグルー
プ単位で、データ線の短絡を検査できる。

【００３７】請求項１２に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法は、請求項２から６に記載のアクティブ
マトリクス基板を検査する検査方法であって、(i)前記
サンプリングスイッチ全てをオフ状態とすると共に前記
複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態としつつ、
前記プリチャージ信号線に所定電圧を印加して前記画像
信号線に流れる電流を測定することにより、或いは、(i
i)前記サンプリングスイッチ全てをオフ状態とすると共
に前記プリチャージ回路駆動信号により同時に駆動され
る複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態としつ
つ、前記画像信号線に所定電圧を印加して前記プリチャ
ージ信号線に流れる電流を測定することにより、前記サ
ンプリングスイッチのリーク検査を行うことを特徴とす
る。

【００３８】請求項１２に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法によれば、(i)サンプリングスイッチ全
てをオフ状態とすると共に複数のプリチャージスイッチ
全てをオン状態としつつ、プリチャージ信号線に所定電
圧を印加する。すると、プリチャージスイッチを介して
プリチャージ信号線からデータ線に所定電圧が印加され
るが、サンプリングスイッチが全てオフされているた
め、データ線の所定電圧によりデータ線から画像信号線
に電流が流れない筈である。そこで、この状態で、画像
信号線に流れる電流を測定して、サンプリングスイッチ
が正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近い）基準
電流と比較すれば、データ線単位又は複数のデータ線か
らなるグループ単位で、サンプリングスイッチのリーク
を検査できる。

【００３９】或いは、(ii)サンプリングスイッチ全てを
オフ状態とすると共にプリチャージ回路駆動信号により
同時に駆動される複数のプリチャージスイッチ全てをオ
ン状態としつつ、画像信号線に所定電圧を印加する。す
ると、サンプリングスイッチが全てオフされているた
め、画像信号線の所定電圧によりデータ線及びプリチャ
ージスイッチを介してプリチャージ信号線に電流が流れ
ない筈である。そこで、この状態で、プリチャージ信号
線に流れる電流を測定して、サンプリングスイッチが正
常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近い）基準電流
と比較すれば、データ線単位又は複数のデータ線からな
るグループ単位で、サンプリングスイッチのリークを検
査できる。

【００４０】請求項１３に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法は、請求項２から６に記載のアクティブ
マトリクス基板を検査する検査方法であって、(i)前記
サンプリングスイッチ全てをオン状態とすると共に前記
複数のプリチャージスイッチ全てをオフ状態としつつ、
前記プリチャージ信号線に所定電圧を印加して前記画像
信号線に流れる電流を測定することにより、或いは、(i
i)前記サンプリングスイッチ全てをオン状態とすると共
に前記複数のプリチャージスイッチ全てをオフ状態とし
つつ、前記画像信号線に所定電圧を印加して前記プリチ
ャージ信号線に流れる電流を測定することにより、前記
プリチャージスイッチのリーク検査を行うことを特徴と
する。

【００４１】請求項１３に記載のアクティブマトリクス
基板の検査方法によれば、(i)サンプリングスイッチ全
てをオン状態とすると共に複数のプリチャージスイッチ
全てをオフ状態としつつ、プリチャージ信号線に所定電
圧を印加する。すると、プリチャージスイッチが全てオ
フされているため、プリチャージ信号線の所定電圧によ
りデータ線及びサンプリングスイッチを介して画像信号
線に電流が流れない筈である。そこで、この状態で、画
像信号線に流れる電流を測定して、プリチャージスイッ
チが正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近い）基
準電流と比較すれば、データ線単位又は複数のデータ線
からなるグループ単位で、プリチャージスイッチのリー
クを検査できる。

【００４２】或いは、(ii)サンプリングスイッチ全てを
オン状態とすると共に複数のプリチャージスイッチ全て
をオフ状態としつつ、画像信号線に所定電圧を印加す
る。すると、サンプリングスイッチを介して画像信号線
からデータ線に所定電圧が印加されるが、プリチャージ
スイッチが全てオフされているため、データ線の所定電
圧によりデータ線からプリチャージ信号線に電流が流れ
ない筈である。そこで、この状態で、プリチャージ信号
線に流れる電流を測定して、プリチャージスイッチが正
常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近い）基準電流
と比較すれば、データ線単位又は複数のデータ線からな
るグループ単位で、プリチャージスイッチのリークを検
査できる。

【００４３】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにする。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００４５】（アクティブマトリクス基板の構成）本発
明のアクティブマトリクス基板の実施の形態の構成につ
いて図１から図３に基づいて説明する。

【００４６】先ず、アクティブマトリクス基板全体の回
路構成について、図１を参照して説明する。図１は、ア
クティブマトリクス基板に設けられた各種配線、周辺回
路等の等価回路図である。

【００４７】図１において、アクティブマトリクス基板
は、例えば石英基板、ハードガラス、シリコン基板等か
らなるＴＦＴアレイ基板１を備えている。ＴＦＴアレイ
基板１上には、マトリクス状に設けられた複数の画素電
極１１と、Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に
沿って伸びるデータ線３５と、Ｙ方向に複数配列されて
おり夫々がＸ方向に沿って伸びる走査線３１と、各デー
タ線３５と画素電極１１との間に夫々介在すると共に該
間における導通状態及び非導通状態を、走査線３１を介
して夫々供給される走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍに応
じて夫々制御するスイッチング素子の一例としての複数
のＴＦＴ３０とが形成されている。またＴＦＴアレイ基
板１上には、蓄積容量７０のための配線である容量線３
１’が、走査線３１に沿ってほぼ平行に形成されてお
り、画素電極１１に蓄積容量７０が付加されるようにす
る。これにより、寄生容量が原因で生じるフリッカ等の
表示品位の劣化を防ぐことができる。尚、蓄積容量７０
を形成するのに、前段の走査線３１を蓄積容量形成のた
めの電極として用いてもよい。このような構成を採れ
ば、容量線３１’を設ける必要がないため、画素開口率
を向上させることができ、明るい液晶装置を提供するこ
とができる。ところで、データ線３５に書込まれる画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給し
ても良いし、相隣接する複数のデータ線３５同士に対し
てグループ毎に供給するようにしても良い。このよう
に、相隣接する複数のデータ線３５を同時に駆動し、画
像信号の位相をずらすことで、データ線駆動回路の駆動
周波数を低減することが可能となり、回路の信頼性や低
消費電力化が実現できる。

【００４８】ＴＦＴアレイ基板１上には更に、液晶装置
２００（後述する）に組み立てられる前段階における検
査時に、データ線３５やこれに接続された画素部のＴＦ
Ｔ３０等の開放又は断線検査、短絡検査などの各種の電
気的検査を行う検査機能と、液晶装置２００の通常動作
時に複数のデータ線３５に所定電圧レベルのプリチャー
ジ信号ＮＲＳを画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに先行し
て夫々供給するプリチャージ機能との両機能を備えた検
査兼プリチャージ回路２０１と、画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎをサンプリングして複数のデータ線３５に夫々
供給するサンプリング回路３０１と、データ線駆動回路
１０１と、走査線駆動回路１０４とが形成されている。

【００４９】走査線駆動回路１０４は、外部制御回路か
ら供給される電源、基準クロックＣＬＹ及びその反転ク
ロック等に基づいて、所定タイミングで走査線３１（ゲ
ート電極線）に走査信号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍをパルス
的に線順次で印加する。

【００５０】データ線駆動回路１０１は、外部制御回路
から供給される電源、基準クロックＣＬＸ及びその反転
クロック等に基づいて、走査線駆動回路１０４が走査信
号Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍを印加するタイミングに合わせ
て、画像信号線３０４夫々について、データ線３５毎に
サンプリング回路駆動信号ＳＨ１、ＳＨ２、…、ＳＨｎ
をサンプリング回路３０１にサンプリング回路駆動信号
線３０６を介して所定タイミングで供給する。

【００５１】検査兼プリチャージ回路２０１は、スイッ
チング素子として、例えばＴＦＴ２０２を各データ線３
５毎に備えており、プリチャージ信号線２０４がＴＦＴ
２０２のドレイン又はソース電極に接続されており、プ
リチャージ回路駆動信号線２０６がＴＦＴ２０２のゲー
ト電極に接続されている。そして、通常動作時には、プ
リチャージ信号線２０４を介して、外部電源からプリチ
ャージ信号ＮＲＳを書き込むために必要な所定電圧の電
源が供給され、プリチャージ回路駆動信号線２０６を介
して、各データ線３５について画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎに先行するタイミングでプリチャージ信号ＮＲ
Ｓを書き込むように、外部制御回路からプリチャージ回
路駆動信号ＮＲＧが供給される。検査兼プリチャージ回
路２０１は、好ましくは中間階調レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎに相当するプリチャージ信号ＮＲＳ
（画像補助信号）を供給する。また、検査兼プリチャー
ジ回路２０１は、検査時には、後述のように所定種類の
電気的検査を実施すべく検査用の電圧をデータ線３５に
印加したり、検査用の電流を流すことが可能なように構
成されている。

【００５２】サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ３０２
を各データ線３５毎に備えており、画像信号線３０４が
ＴＦＴ３０２のソース電極に接続されており、サンプリ
ング回路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲート電極
に接続されている。そして、画像信号線３０４を介し
て、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが入力されると、こ
れらをサンプリングする。即ち、サンプリング回路駆動
信号線３０６を介してデータ線駆動回路１０１からサン
プリング回路駆動信号ＳＨ１、ＳＨ２、…、ＳＨｎが入
力されると、画像信号線３０４夫々について画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線３５に順次印加する。

【００５３】このように本実施の形態では、データ線３
５を一本毎に選択するように構成されているが、データ
線３５を複数本毎にまとめて同時選択するように構成し
てもよい。例えば、サンプリング回路３０１を構成する
ＴＦＴ３０２の書き込み特性及び画像信号の周波数に応
じて、複数相（例えば、３相、６相、１２相、…）に相
展開された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを画像信号線
３０４から供給して、これらをグループ毎に同時にサン
プリングするように構成してもよい。この際、少なくと
も相展開数だけ画像信号線３０４が必要なことは言うま
でもない。

【００５４】次に、検査兼プリチャージ回路２０１及び
サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２及び３
０２の具体的な回路構成について図２及び図３を参照し
て夫々説明する。尚、図２は、検査兼プリチャージ回路
２０１のＴＦＴ２０２を構成する各種のＴＦＴを示す回
路図であり、図３は、サンプリング回路３０１のＴＦＴ
３０２を構成する各種のＴＦＴを示す回路図である。

【００５５】図２（１）に示すようにプリチャージ回路
２０１のＴＦＴ２０２（図１参照）は、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ２０２ａから構成されてもよいし、図２（２）に示
すようにＰチャネル型ＴＦＴ２０２ｂから構成されても
よいし、図２（３）に示すようにＮチャネル型ＴＦＴ及
びＰチャネル型ＴＦＴから成る相補型ＴＦＴ２０２ｃか
ら構成されてもよい。なお、図２（１）から図２（３）
において、図１に示したプリチャージ回路駆動信号線２
０６を介して入力されるプリチャージ回路駆動信号２０
６ａ、２０６ｂは、ゲート電圧として各ＴＦＴ２０２ａ
〜２０２ｃに入力される。同じく図１に示したプリチャ
ージ信号線２０４を介して入力されるプリチャージ信号
ＮＲＳは、ソース電圧として各ＴＦＴ２０２ａ〜２０２
ｃに入力される。Ｎチャネル型ＴＦＴ２０２ａにゲート
電圧として印加されるプリチャージ回路駆動信号２０６
ａと、Ｐチャネル型ＴＦＴ２０２ｂにゲート電圧として
印加されるプリチャージ回路駆動信号２０６ｂとは、相
互に反転信号である。従って、プリチャージ回路２０１
を相補型ＴＦＴ２０２ｃで構成する場合には、プリチャ
ージ回路駆動信号線２０６が少なくとも２本以上必要と
なる。このようにプリチャージ回路駆動信号線２０６が
２本以上になる場合、画面表示領域の一方の側に集中し
て配線してもよいし、プリチャージ信号線２０４と組み
合わせて、画面表示領域の両側から配線してもよい。或
いは、例えば、各々の或いは複数の相隣接する相補型Ｔ
ＦＴ２０２ｃの手前でプリチャージ回路駆動信号２０６
ａをインバータにより反転させて、プリチャージ回路駆
動信号２０６ｂを形成してもよい。

【００５６】図３（１）に示すようにサンプリング回路
３０１のＴＦＴ３０２（図１参照）は、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ３０２ａから構成されてもよいし、図３（２）に示
すようにＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｂから構成されても
よいし、図３（３）に示すように相補型ＴＦＴ３０２ｃ
から構成されてもよい。なお、図３（１）から図３
（３）において、図１に示した画像信号線３０４を介し
て入力される画像信号ＶＩＤは、ソース電圧として各Ｔ
ＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入力される。同じく図１に示
したデータ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動
信号線３０６を介して入力されるサンプリング回路駆動
信号３０６ａ、３０６ｂは、ゲート電圧として各ＴＦＴ
３０２ａ〜３０２ｃに入力される。また、サンプリング
回路３０１においても、前述のプリチャージ回路２０１
の場合と同様に、Ｎチャネル型ＴＦＴ３０２ａにゲート
電圧として印加されるサンプリング回路駆動信号３０６
ａと、Ｐチャネル型ＴＦＴ３０２ｂにゲート電圧として
印加されるサンプリング回路駆動信号３０６ｂとは、相
互に反転信号である。従って、サンプリング回路３０１
を相補型ＴＦＴ３０２ｃで構成する場合には、サンプリ
ング回路駆動信号３０６ａ、３０６ｂ用のサンプリング
回路駆動信号線３０６が少なくとも２本以上必要とな
る。

【００５７】次に、液晶装置２００に備えられた検査兼
プリチャージ回路２０１の構成及び動作について更に詳
細に説明する。

【００５８】（検査兼プリチャージ回路のプリチャージ
機能）先ず、図４を参照して、液晶装置２００の通常動
作時における検査兼プリチャージ回路２０１によるプリ
チャージ機能について説明する。尚、図４は、検査兼プ
リチャージ回路の通常動作時における各種信号のタイミ
ングチャートである。

【００５９】図４に示すように、データ線駆動回路１０
１が有するシフトレジスタには、一画素当りの選択時間
ｔ１（ドット周波数）を規定するクロック信号（ＣＬ
Ｘ）が水平走査の基準として入力されるが、転送スター
ト信号（ＤＸ）が入力されると、このシフトレジスタか
ら転送信号Ｘ１、Ｘ２、…が順次供給される。各水平走
査期間において、このような転送スタート信号（ＤＸ）
の入力に先行するタイミングで、プリチャージ回路駆動
信号（ＮＲＧ）が供給される。より具体的には、垂直走
査の基準とされるクロック信号（ＣＬＹ）がハイレベル
となると共に画像信号（ＶＩＤ）が信号の電圧中心値
（ＶＩＤ中心）を基準として極性反転した後、この極性
反転からプリチャージをするまでのマージンである時間
ｔ３経過後に、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ）
は、ハイレベルとされる。他方、プリチャージ信号（Ｎ
ＲＳ）は、画像信号（ＶＩＤ）の反転に対応して、水平
帰線期間で画像信号（ＶＩＤ）と同極性の所定レベルと
される。従って、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ）
がハイレベルとされる時間ｔ２において、プリチャージ
が行われる。そして、水平帰線期間が終了して有効表示
期間が始まる時点よりも時間ｔ４だけ前に、即ち、プリ
チャージが終了してから画像信号が書き込まれるまでの
マージンを時間ｔ４として、プリチャージ回路駆動信号
（ＮＲＧ）は、ローレベルとされる。以上のように、検
査兼プリチャージ回路２０１は、各水平帰線期間におい
て、プリチャージ信号（ＮＲＳ）を画像信号に先行して
複数のデータ線３５に供給する。

【００６０】（検査兼プリチャージ回路の検査機能）次
に、図５から図８を参照して、検査兼プリチャージ回路
２０１の検査機能について説明する。尚、図５（ａ）
は、データ線の開放検査を行っている状態における、デ
ータ線駆動回路１０１の一構成例及び検査兼プリチャー
ジ回路２０１の回路図であり、図５（ｂ）は、そのタイ
ミングチャートである。図６は、データ線の短絡検査を
行っている状態における、データ線駆動回路１０１の一
構成例及び検査兼プリチャージ回路２０１の回路図であ
る。図７は、データ線駆動回路１０１の他の構成例及び
検査兼プリチャージ回路２０１の回路図である。図８
（ａ）は、当該他の構成例が備えたシフトレジスタの一
系列部分の回路図であり、図８（ｂ）は、そのタイミン
グチャートである。

【００６１】本実施の形態では特に、図１に示したよう
にデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１
は、複数のデータ線３５の一端側に設けられており、検
査兼プリチャージ回路２０１は、複数のデータ線の他端
側に設けられている。また、図５から図７では、データ
線の中央に位置する画素領域を省略し、データ線の一端
側の回路構成と他端側の回路構成とを示している。そし
て、検査時には、検査兼プリチャージ回路２０１に含ま
れるＴＦＴ２０２は夫々、プリチャージ回路駆動信号線
２０６を介してゲート電極にプリチャージ回路駆動信号
（ＮＲＧ）が供給されるとオン状態となり、プリチャー
ジ信号線２０４を介してドレイン電極に供給されるプリ
チャージ信号（ＮＲＳ）を、ソース電極からデータ線３
５に対して、検査時には検査信号として供給する。或い
は、プリチャージ信号線２０４を介して流れる電流が検
査電流として測定される。

【００６２】従って、検査兼プリチャージ回路２０１の
ＴＦＴ２０２のスイッチング動作を利用して、これらの
ＴＦＴ２０２とサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２
との間に夫々位置する各データ線３５やこれに接続され
た画素部のＴＦＴ等に対する所定種類の電気特性検査を
以下に説明するように行うことが出来る。

【００６３】尚、本実施の形態では、６相展開された画
像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に対応して画像信号線３０４
が６本並列に設けられている場合について説明するが、
相展開数や画像信号線３０４の本数は、これに限られる
ものではない。

【００６４】（１）第１の検査方法 先ず、データ線駆動回路１０１が、図５及び図６に示す
ように、各段から転送信号を順次出力する１系列のシフ
トレジスタ３０３と、シフトレジスタ３０３における相
隣接する二つの段から相前後して出力される転送信号が
時間的に相互に重ならないように転送信号の時間長さを
制限した後に、サンプリング回路駆動信号Ｑｎ（ｎ＝
１、２、３、…）として出力する波形制御回路３０７を
備えた場合について説明する。

【００６５】この場合、図５（ｂ）に示したタイミング
で、シフトレジスタ３０３は、スタート信号ＤＸが入力
されると、クロック信号ＣＬＸ及びその反転信号に同期
して順次転送信号を出力する。そして、図５（ａ）にお
いて、波形制御回路３０７では、一方で、イネーブル信
号ＥＮＢ１と奇数段から出力される転送信号との非論理
積をＮＡＮＤ回路によりとり更にバッファ回路３０８に
より波形を整形し、他方で、イネーブル信号ＥＮＢ２と
偶数段から出力される転送信号との非論理積をＮＡＮＤ
回路によりとり更にバッファ回路３０８により波形を整
形して、時間的に相互に重ならないサンプリング回路駆
動信号Ｑｎ（ｎ＝１、２、３、…）を順次出力する。こ
のようにデータ線駆動回路１０１を構成すると、相前後
する転送信号における時間的な重なりに対応して画像信
号及び検査信号やプリチャージ信号（ＮＲＳ）が複数の
データ線３５に跨って供給されてしまう事態を未然に防
げる。そして、このように構成すれば、検査兼プリチャ
ージ回路２０１に供給するプリチャージ信号（ＮＲＳ）
やプリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ）は夫々、前述の
如き１Ｈ反転駆動を行わない場合であれば１系列で足り
る。また、前述の１Ｈ反転駆動を行う場合でもプリチャ
ージ信号（ＮＲＳ）を２系列にすれば（プリチャージ回
路駆動信号（ＮＲＧ）は１系列のままで）足りる。従っ
て、後述する複数系列のシフトレジスタから出力される
複数系列の転送信号に基づいてデータ線駆動回路により
サンプリング回路を駆動する場合（図７参照）と比較し
て、検査兼プリチャージ回路２０１に係る、プリチャー
ジ信号やプリチャージ回路駆動信号用の入出力配線や入
出力端子の数を大幅に減らすことが出来る。尚、図２
（３）に示したように相補型ＴＦＴからＴＦＴ２０２を
構成する場合には、プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧと
その反転信号を各ＴＦＴ２０２の二つのゲートに入力す
る必要がある。この場合、プリチャージ回路駆動信号Ｎ
ＲＧとその反転信号とは、２本のプリチャージ回路駆動
信号線２０６を介して供給してもよいし、液晶装置２０
０の内部で、プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧから反転
信号を生成するようにしてもよい。

【００６６】本実施の形態では、１系列のシフトレジス
タ３０３及び波形制御回路３０７を用いているので、画
像信号線３０４における電流を測定して以下に説明する
検査をデータ線３５毎に行う（即ち、データ線の単位で
不良箇所を発見する）ために、プリチャージ回路駆動信
号（ＮＲＧ）やプリチャージ信号（ＮＲＳ）の系列数を
次式を満たすように設定する。

【００６７】「 画像信号系列数≧ シフトレジスタ
の系列数 × 同時にオンするデータ線数」 或いは、画像信号線３０４における電流測定の代わり
に、後述の第２の検査方法と同様にプリチャージ信号線
２０４における電流測定により検査をデータ線毎に行う
のであれば、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ）やプ
リチャージ信号（ＮＲＳ）の系列数を次式を満たすよう
に設定する。

【００６８】「 プリチャージ信号の系列数 × プ
リチャージ回路駆動信号の系列数≧ シフトレジスタの
系列数 × 同時にオンするデータ線数」 尚、これらの式を満たさない場合でも、複数のデータ線
からなるグループ単位での検査（不良箇所の発見）は可
能であり、単純に製造ラインにおいて不良品を発見して
組立工程等の次工程に回さない目的は達成される。但
し、不良箇所の分析は、その後の製造技術における不良
品率の改善に大変役立つので、本実施の形態のようにデ
ータ線の単位で不良箇所を発見することは非常に重要で
ある。

【００６９】（１−１）データ線の開放又は断線検査 この場合、図５（ａ）に示すように、データ線駆動回路
１０１及び走査線駆動回路１０４を通常動作させる。そ
して、プリチャージ回路２０２における複数のＴＦＴ２
０２全てをオン状態としつつ（即ち、プリチャージ回路
駆動信号（ＮＲＧ）をハイレベルとしつつ）、プリチャ
ージ信号線２０４に例えば５Ｖといった所定電圧を持つ
プリチャージ信号（ＮＲＳ）を印加する。すると、プリ
チャージ信号線２０４に印加された所定電圧は、オン状
態とされたＴＦＴ２０２を介して各データ線３５に印加
される。そして、各データ線３５に印加された電圧によ
り、サンプリング回路３０１における複数のＴＦＴ３０
１がサンプリング回路駆動信号Ｓｎ（ｎ＝１、２、…）
により順次オンされることにより各データ線３５と各画
像信号線３０４とが導通状態とされた時点で、画像信号
線３０４に電流が流れる。そこで、この画像信号線３０
４に流れる電流を測定して、データ線３５やこれに接続
された画素部のＴＦＴ３０等が正常状態にある場合に得
られる基準電流Ｉと比較する。そして、測定電流が基準
電流Ｉ±εの範囲（ε：許容或いは誤差範囲）に入って
いれば、各データ線３５には、開放又は断線がないと判
定できる。逆にこの範囲に入っていなければ各データ線
３５には、開放又は断線があると判定できる。

【００７０】尚、この例では、画像信号線３０４の総数
が偶数であるので、これらに順にＨ（ハイレベル）、Ｌ
（ローレベル）、Ｈ、Ｌ、Ｈ、Ｌのように交互にレベル
の異なる電圧を印加すれば一回で、検査が可能である。
仮に、画像信号線３０４の総数が奇数であれば、これら
にＨ、Ｈ、Ｌ、Ｈ、Ｈ、Ｌ、Ｈ、Ｈ、Ｌ、…のようにレ
ベルの異なる電圧を一回印加した後、Ｌ、Ｌ、Ｈ、Ｌ、
Ｌ、Ｈ、Ｌ、Ｌ、Ｈ、…のようにレベルの異なる電圧を
もう一回印加すれば、合計２回の電圧印加により同内容
の検査が可能となる。

【００７１】（１−２）データ線の短絡検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止させ
る。そして、図６に示すように、サンプリング回路３０
１のＴＦＴ３０２全てをオン状態とする（即ち、シフト
レジスタ３０３のスタート信号ＤＸをハイレベルとす
る）と共にプリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２全て
をオフ状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号
（ＮＲＧ）をローレベルとしつつ）、相隣接する画像信
号線３０４間に所定電圧を印加する。具体的には、画像
信号ＶＩＤ１、３、５に対応する画像信号線３０４に例
えば、１５Ｖのハイレベル電圧を印加すると共に画像信
号ＶＩＤ２、４、６に対応する画像信号線３０４に例え
ば、０Ｖのローレベル電圧を印加する。すると、ＴＦＴ
３０２を介して画像信号線３０４からデータ線３５に所
定電圧が印加されるが、ＴＦＴ２０２が全てオフされて
いるため、相隣接するデータ線３５は相互にほぼ絶縁さ
れておりこれらの相隣接する画像信号線３０４間には電
流は流れない筈である。そこで、この状態で、相隣接す
る画像信号線３０４間に流れる電流を測定して、データ
線３５等が正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近
い）基準電流±ｉと比較する。そして、測定電流が基準
電流±ｉの範囲に入っていれば、各データ線３５には、
短絡がないと判定できる。逆にこの範囲に入っていなけ
れば各データ線３５には、短絡があると判定できる。

【００７２】（１−３）サンプリング回路のＴＦＴのリ
ーク検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止させ
る。そして、図６において、サンプリング回路３０１の
ＴＦＴ３０２全てをオフ状態とする（即ち、シフトレジ
スタ３０３のスタート信号ＤＸをローレベルとする）と
共にプリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２全てをオン
状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲ
Ｇ）をハイレベルとしつつ）、プリチャージ信号線２０
４に、例えば１２Ｖといった所定電圧を印加する。する
と、ＴＦＴ２０２を介してプリチャージ信号線２０４か
らデータ線３５に所定電圧が印加されるが、サンプリン
グ回路３０１のＴＦＴ３０２スイッチが全てオフされて
いるため、データ線３５の所定電圧によりデータ線３５
から画像信号線３０４に電流が流れない筈である。そこ
で、この状態で、画像信号線３０４に流れる電流を測定
して、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２等が正常
状態にある場合に得られる（ほぼ零に近い）基準電流±
ｉと比較する。そして、測定電流が基準電流±ｉの範囲
に入っていれば、各ＴＦＴ３０２には、リークがないと
判定できる。逆にこの範囲に入っていなければ各ＴＦＴ
３０２には、リークがあると判定できる。

【００７３】（１−４）プリチャージ回路のＴＦＴのリ
ーク検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止させ
る。そして、図６において、サンプリング回路３０１の
ＴＦＴ３０２全てをオン状態とする（即ち、シフトレジ
スタのスタート信号ＤＸをハイレベルとする）と共にプ
リチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２全てをオフ状態と
しつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ）を
ローレベルとしつつ）、プリチャージ信号線２０４に、
例えば１２Ｖといった所定電圧を印加する。すると、Ｔ
ＦＴ２０２が全てオフされているため、プリチャージ信
号線２０４の所定電圧によりデータ線３５及びサンプリ
ング回路３０１のＴＦＴ３０２を介して画像信号線３０
４に電流が流れない筈である。そこで、この状態で、画
像信号線３０４に流れる電流を測定して、プリチャージ
回路２０１のＴＦＴ２０２等が正常状態にある場合に得
られる（ほぼ零に近い）基準電流±ｉと比較する。そし
て、測定電流が基準電流±ｉの範囲に入っていれば、各
ＴＦＴ２０２には、リークがないと判定できる。逆にこ
の範囲に入っていなければ各ＴＦＴ２０２には、リーク
があると判定できる。

【００７４】（２）第２の検査方法 次に、データ線駆動回路１０１が、図７に示すように、
例えば各段から転送信号を順次出力する４系列８相のシ
フトレジスタ３０３’を備えた場合（即ち、図５及び図
６に示したような波形制御回路３０７を備えない場合）
における検査方法について説明する。

【００７５】図７において、シフトレジスタ３０３’の
各系列は、スタート信号ＤＸが入力されると、クロック
信号ＣＬＸ１及びその反転信号、クロック信号ＣＬＸ２
及びその反転信号、クロック信号ＣＬＸ３及びその反転
信号、クロック信号ＣＬＸ４及びその反転信号に同期し
て夫々、順次転送信号（即ち、サンプリング回路駆動信
号Ｑ１、Ｑ２、…）を出力する。

【００７６】この場合におけるシフトレジスタの１系列
（サンプリング回路駆動信号Ｑ１、Ｑ５、Ｑ９…を出力
する系列）を構成する回路部分を抜き出して図８（ａ）
に示し、そのタイミングチャートを図８（ｂ）に示す。
図８（ｂ）に示したように、シフトレジスタ３０３’の
各系列において相隣接する二つの段から相前後して出力
される転送信号（即ち、サンプリング回路駆動信号Ｑ
１、Ｑ５、Ｑ９、…）は、時間的に相互に重なる。ま
た、他の系列についても同様に、相隣接する二つの段か
ら相前後して出力される転送信号（即ち、サンプリング
回路駆動信号Ｑ２、Ｑ６、Ｑ１０、…）は、時間的に相
互に重なり、転送信号（即ち、サンプリング回路駆動信
号Ｑ３、Ｑ７、Ｑ１１、…）は、時間的に相互に重な
り、転送信号（即ち、サンプリング回路駆動信号Ｑ２、
Ｑ６、Ｑ１０、…）は、時間的に相互に重なる。

【００７７】従って、データ線駆動回路１０１がこのよ
うに構成された場合には、６相展開された画像信号線３
０４を利用して同時にオンするデータ線３５の数を制限
することにより、図８（ｂ）に示したように相互に重な
るサンプリング回路駆動信号Ｑｉにより同一の画像信号
線３０４に接続されたサンプリング回路３０１のＴＦＴ
３０２を同時に駆動しない構成が採られる。

【００７８】第２の検査方法では、複数系列のシフトレ
ジスタ３０３’を用いているので、プリチャージ信号線
２０４における電流を測定して以下に説明する検査をデ
ータ線３５毎に行う（即ち、データ線の単位で不良箇所
を発見する）ために、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲ
Ｇ）やプリチャージ信号（ＮＲＳ）の系列数を次式を満
たすように設定する。

【００７９】「 プリチャージ信号の系列数 ×（プ
リチャージ回路駆動信号の系列数×２）≧（シフトレジ
スタの系列数×２）× 同時にオンするデータ線数」 従って、図７に示した構成例では、プリチャージ回路駆
動信号（ＮＲＧ）は２系列（ＮＲＧ１及びＮＲＧ２）と
され、プリチャージ信号（ＮＲＳ）は４系列（ＮＲＳ
１、ＮＲＳ２、ＮＲＳ３及びＮＲＳ４）とされる。

【００８０】尚、上記式を満たさない場合でも、或い
は、前述した第１の検査方法と同様に画像信号線３０４
における電流を測定することによっても、複数のデータ
線からなるグループ単位での検査（不良箇所の発見）は
可能であり、単純に製造ラインにおいて不良品を発見し
て組立工程等の次工程に回さない目的は達成される。

【００８１】このように複数系列のシフトレジスタ３０
３’を用いる場合には、前述の１系列のシフトレジスタ
３０３を用いた場合（図５及び図６参照）と比較する
と、プリチャージ信号（ＮＲＳ）やプリチャージ回路駆
動信号（ＮＲＧ）用の入出力配線や入出力端子の数は多
いが、なお検査回路とプリチャージ回路とを兼用するこ
とによる従来の技術に対する本実施の形態における長所
が失われるものではない。

【００８２】（２−１）データ線の開放又は断線検査 この場合、図７において、データ線駆動回路１０１及び
走査線駆動回路１０４を通常動作させる。

【００８３】そして、先ず、プリチャージ回路２０２に
おけるＮＲＧ１系列の複数のＴＦＴ２０２をオン状態と
し（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１）をハ
イレベルとし）且つ、ＮＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０
２をオフ状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信
号（ＮＲＧ２）をローレベルとしつつ）、画像信号線３
０４に例えば５Ｖといった所定電圧を印加する。する
と、画像信号線３０４に印加された所定電圧は、サンプ
リング回路３０１における複数のＴＦＴ３０１がサンプ
リング回路駆動信号Ｓｎ（ｎ＝１、２、…）により順次
オンされることにより各データ線３５と各画像信号線３
０４とが導通状態とされた時点で、ＮＲＧ１系列に対応
するプリチャージ信号線２０４に電流が流れる。そこ
で、このプリチャージ信号線２０４に流れる電流を測定
して、データ線３５等が正常状態にある場合に得られる
基準電流と比較することにより、ＮＲＧ１系列に対応す
る各データ線３５における開放又は断線の有無を判定で
きる。

【００８４】次に、プリチャージ回路２０２におけるＮ
ＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０２をオフ状態とし（即
ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１）をローレベ
ルとし）且つ、ＮＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０２をオ
ン状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（Ｎ
ＲＧ２）をハイレベルとしつつ）、画像信号線３０４に
例えば５Ｖといった所定電圧を印加して、上述のＮＲＧ
１系列の場合と同様に、ＮＲＧ２系列に対応する各デー
タ線３５における開放又は断線の有無を判定できる。

【００８５】（２−２）データ線の短絡検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止させ
る。そして、図７において、サンプリング回路３０１の
ＴＦＴ３０２全てをオフ状態とする（即ち、シフトレジ
スタのスタート信号ＤＸをローレベルとする）と共にプ
リチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２全てをオン状態と
しつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１及
びＮＲＧ２）をハイレベルとしつつ）、相隣接するプリ
チャージ信号線間に所定電圧を印加する。具体的には、
プリチャージ信号ＮＲＳ１及びＮＲＳ３に対応するプリ
チャージ信号線２０４を、例えば１２Ｖのハイレベルに
すると共にプリチャージ信号ＮＲＳ２及びＮＲＳ４に対
応するプリチャージ信号線２０４を例えば０Ｖのローレ
ベルにする。すると、ＴＦＴ２０２を介してプリチャー
ジ信号線２０４からデータ線３５に所定電圧が印加され
るが、ＴＦＴ３０２が全てオフされているため、相隣接
するデータ線３５は相互にほぼ絶縁されておりこれらの
相隣接するプリチャージ信号線２０４間には電流は流れ
ない筈である。そこで、この状態で、相隣接するプリチ
ャージ信号線２０４間に流れる電流を測定して、データ
線３５等が正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近
い）基準電流と比較することにより、各データ線３５に
おける短絡の有無を判定できる。

【００８６】（２−３）サンプリング回路のＴＦＴのリ
ーク検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止さ
せ、図７において、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３
０２全てをオフ状態とする（即ち、シフトレジスタのス
タート信号ＤＸをローレベルとする）。

【００８７】そして、先ず、プリチャージ回路２０２に
おけるＮＲＧ１系列の複数のＴＦＴ２０２をオン状態と
し（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１）をハ
イレベルとし）且つ、ＮＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０
２をオフ状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信
号（ＮＲＧ２）をローレベルとしつつ）、画像信号線３
０４に例えば１２Ｖといった所定電圧を印加する。する
と、画像信号線３０４に印加された所定電圧は、サンプ
リング回路３０１のＴＦＴ３０２スイッチが全てオフさ
れているため、データ線３５及びＴＦＴ２０２を介して
プリチャージ信号線２０４に電流が流れない筈である。
そこで、この状態で、プリチャージ信号線２０４に流れ
る電流を測定して、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３
０２等が正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近
い）基準電流と比較することにより、ＮＲＧ１系列に対
応するサンプリング回路３０１の各ＴＦＴ３０２におけ
るリークの有無を判定できる。

【００８８】次に、プリチャージ回路２０２におけるＮ
ＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０２をオフ状態とし（即
ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１）をローレベ
ルとし）且つ、ＮＲＧ２系列の複数のＴＦＴ２０２をオ
ン状態としつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（Ｎ
ＲＧ２）をハイレベルとしつつ）、画像信号線３０４に
例えば１２Ｖといった所定電圧を印加して、上述のＮＲ
Ｇ１系列の場合と同様に、ＮＲＧ２系列に対応するサン
プリング回路３０１の各ＴＦＴ３０２におけるリークの
有無を判定できる。

【００８９】（２−４）プリチャージ回路のＴＦＴのリ
ーク検査 この場合、先ず走査線駆動回路１０４の動作を停止させ
る。そして、図７において、サンプリング回路３０１の
ＴＦＴ３０２全てをオン状態とする（即ち、シフトレジ
スタのスタート信号ＤＸをハイレベルとする）と共にプ
リチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２全てをオフ状態と
しつつ（即ち、プリチャージ回路駆動信号（ＮＲＧ１及
びＮＲＧ２）をローレベルとしつつ）、画像信号線３０
４に例えば１２Ｖといった所定電圧を印加する。する
と、画像信号線３０４に印加された所定電圧は、プリチ
ャージ回路３０２のＴＦＴ２０２スイッチが全てオフさ
れているため、ＴＦＴ３０２及びデータ線３５を介して
プリチャージ信号線２０４に電流が流れない筈である。
そこで、この状態で、プリチャージ信号線２０４に流れ
る電流を測定して、プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２
０２等が正常状態にある場合に得られる（ほぼ零に近
い）基準電流と比較することにより、プリチャージ回路
２０１の各ＴＦＴ２０２におけるリークの有無を判定で
きる。

【００９０】以上のように本実施の形態における検査兼
プリチャージ回路２０１は、液晶装置２００への組み立
て工程前やスクライブ工程前などに実施される検査の際
には検査機能を持ち、液晶装置２００への組み立て後の
通常動作の際にはプリチャージ機能を持つ。このため、
従来のように検査回路とプリチャージ回路とを別々に基
板の周辺部分に設ける場合と比較して、これら二つの機
能を実現するために必要な基板上の領域が顕著に小さく
て済む。特に、従来のように通常動作時には不要となる
検査用端子や検査用配線を専用に設ける必要がなく、プ
リチャージ用の入出力配線や入出力端子などを検査用に
兼用できるので、大変有利である。更に、従来のように
不要となった検査用端子が腐食して当該アクティブマト
リクス基板やこれを組み込んだ液晶装置に悪影響を及ぼ
したり、検査用回路や検査用配線の不良化が、当該アク
ティブマトリクス基板や液晶装置全体としての不良化に
繋がる可能性が低減されるため、二重に有利である。

【００９１】（液晶装置の全体構成）次に、以上説明し
た検査兼プリチャージ回路２０１を含むアクティブマト
リクス基板を備えた液晶装置の全体構成例を、図９及び
図１０を参照して説明する。ここに、図９は、液晶装置
を対向基板の側から見た平面図であり、図１０は、図９
のＨ−Ｈ’断面図である。

【００９２】図９及び図１０において、ＴＦＴアレイ基
板１の上には、複数の画素電極１１により規定される画
面表示領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化に
より画像が表示される液晶装置の領域）の周囲において
両基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲するシール部材
の一例としての光硬化性樹脂からなるシール材５２が、
画面表示領域に沿って設けられている。そして、対向基
板２上における画面表示領域とシール材５２との間に
は、遮光性の周辺見切り５３が設けられている。

【００９３】周辺見切り５３は、後に画面表示領域に対
応して開口が開けられた遮光性のケースにＴＦＴアレイ
基板１が入れられた場合に、画面表示領域が製造誤差等
によりケースの開口の縁に隠れてしまわないように、即
ち、例えばＴＦＴアレイ基板１のケースに対する数百μ
ｍ程度のずれを許容するように、画面表示領域の周囲に
５００μｍ以上の幅を持つ帯状の遮光性材料から形成さ
れたものである。このような遮光性の周辺見切り５３
は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ
（アルミニウム）等の金属材料を用いたスパッタリン
グ、フォトリソグラフィ及びエッチングにより対向基板
２に形成される。或いは、カーボンやＴｉ（チタン）を
フォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から
形成される。

【００９４】シール材５２の外側の領域には、画面表示
領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び実装端
子１０２が設けられており、画面表示領域の左右の２辺
に沿って走査線駆動回路１０４が画面表示領域の両側に
設けられている。更に画面表示領域の上辺には、画面表
示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつ
なぐための複数の配線１０５が設けられている。また、
対向基板２のコーナー部の少なくとも１箇所において、
ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間で電気的導通を
とるための導通材からなる銀点１０６が設けられてい
る。そして、シール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基
板２が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１に固
着されている。

【００９５】本実施の形態では特に、検査兼プリチャー
ジ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、対向基板
２に形成された遮光性の周辺見切り５３に対向する位置
においてＴＦＴアレイ基板１上に設けられており、デー
タ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶
層５０に面しないＴＦＴアレイ基板１の狭く細長い周辺
部分上に設けられている。

【００９６】検査兼プリチャージ回路２０１及びサンプ
リング回路３０１は、通常動作時には、基本的に交流駆
動の回路である。このため、シール材５２により包囲さ
れ両基板間に挟持された液晶層５０に面するＴＦＴアレ
イ基板１部分にこれらの検査兼プリチャージ回路２０１
及びサンプリング回路３０１を設けても、直流電圧印加
による液晶層５０の劣化という問題は生じない。これに
対して、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１
０４は、液晶層５０に面することのないＴＦＴアレイ基
板１の周辺部分に設けられている。従って、液晶層５０
に、特に直流駆動されるデータ線駆動回路１０１や走査
線駆動回路１０４からの直流電圧成分が、漏れ込んで印
加されることを未然に防止できる。

【００９７】そして、このように周辺見切り５３下に、
検査兼プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３
０１を設けることで、走査線駆動回路１０４やデータ線
駆動回路１０１をＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に余裕
を持って形成することができ、特定の仕様に沿うように
これらの周辺回路を設計することが容易になる。

【００９８】本実施の形態では更に、プリチャージ信号
線２０４及びプリチャージ回路駆動信号線２０６（図１
参照）についても、周辺見切り５３に対向する位置にお
いてＴＦＴアレイ基板１に設けられている。この場合、
検査兼プリチャージ回路２０１は、通常動作時には、基
本的に交流駆動の回路であるため、液晶層５０に面する
ＴＦＴアレイ基板１部分にこのようなプリチャージ信号
線２０４とプリチャージ回路駆動信号線２０６とを設け
ても、直流電圧印加による液晶の劣化という問題は生じ
ない。そして、このように周辺見切り５３下に、２種類
の入出力配線を設ければ、液晶装置における有効表示面
積の減少を招くことはない。

【００９９】（液晶装置の細部構成）次に、液晶装置の
各画素部等の具体的構成について図１１から図１４を参
照して説明する。ここに、図１１は、液晶装置の相隣接
する画素部の平面図であり、図１２は、液晶装置の検査
兼プリチャージ回路を構成するＴＦＴの平面図である。
また、図１３は、図１１のＡ−Ａ’断面及び図１２のＢ
−Ｂ’断面を示す断面図であり、図１４は、図１１のＣ
−Ｃ’断面を示しており、液晶装置の周辺見切り下に配
線されたプリチャージ信号線に沿った断面図である。
尚、図１３及び図１４においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。

【０１００】図１１の平面図に示すように、画面表示領
域内において、複数の画素電極１１は、ＴＦＴアレイ基
板１上にマトリクス状に配列され、各画素電極１１に隣
接してＴＦＴ３０（破線で囲った領域）が設けられてお
り、また画素電極１１の縦横の境界に夫々沿ってデータ
線３５並びに走査線３１及び容量線３１’が設けられて
いる。データ線３５は、コンタクトホール３７を介して
半導体層３２のソース領域と電気的接続されており、半
導体層３２のチャネル領域（図１１の右下がり斜線部）
において走査線３１の一部であるゲート電極により制御
される。半導体層３２のドレイン領域はコンタクトホー
ル３８を介して画素電極１１と電気的接続されている。
また、画素電極１１に蓄積容量を付加するために、容量
線３１’を配設する。蓄積容量は、半導体層３２のドレ
イン領域から延設された第１蓄積容量電極３２’と前記
容量線（第２蓄積容量電極）３１’との間の層間絶縁層
（例えば後述するゲート絶縁層）を誘電体として形成す
る。尚、容量線３１’を走査線と同一工程でポリシリコ
ン膜等により形成する場合は、データ線と同一工程で形
成されるＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイドからなる
定電位線５０１とコンタクトホール５０２を介して電気
的接続すると良い。このような構成を採ることにより、
容量線３１’の低抵抗化が実現できる。また、図１１に
示すように定電位線５０１は画面表示領域の周辺に設け
られる周辺回路に供給される電源等から延設し、周辺見
切り５３の領域に配線するようにすれば、専用の外部入
力端子を設ける必要がなくなり、更に周辺見切り５３と
いった従来デッドスペースであった領域に配線を形成す
ることにより、液晶装置の小型化が実現できる。

【０１０１】また、図１２の平面図に示すように、検査
兼プリチャージ回路２０１においては、プリチャージ信
号線２０４、プリチャージ回路駆動信号線２０６及びデ
ータ線３５が平行に配置されている。プリチャージ信号
線２０４は、各コンタクトホール３７”を介して各ＴＦ
Ｔ２０２のソース領域に電気的接続されており、データ
線３５は各コンタクトホール３８”を介して各ＴＦＴ２
０２のドレイン領域に電気的接続されている。また、プ
リチャージ回路駆動信号線２０６はＴＦＴ２０２のゲー
ト電極として、これらのソース領域とドレイン領域とを
結ぶチャネル部分にゲート絶縁膜を介して対向配置され
ている。

【０１０２】図１３の断面図における図１１のＡ−Ａ’
断面部分に示すように、液晶装置は画素部において、Ｔ
ＦＴアレイ基板１並びにその上に積層された第１層間絶
縁層４１、半導体層３２、ゲート絶縁層３３、走査線３
１（ゲート電極）、第２層間絶縁層４２、データ線３５
（ソース電極）、第３層間絶縁層４３、画素電極１１及
び配向膜１２を備えており、画素毎にＴＦＴ３０が設け
られている。また、液晶装置は画素部において、例えば
ガラス基板から成る対向基板２並びにその上に積層され
た共通電極２１、配向膜２２及び遮光膜２３を備えてお
り、更に、これらの両基板間に挟持された液晶層５０を
備えている。

【０１０３】第１層間絶縁層４１、第２層間絶縁層４２
及び第３層間絶縁層４３は夫々、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなる。画素電極１１は例え
ば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）な
どの透明導電性薄膜やＡｌ等の反射率の高い不透明な材
料からなる。配向膜１２及び２２は、例えばポリイミド
薄膜などの有機薄膜からなる。共通電極２１は、ＩＴＯ
膜等からなり、対向基板２の全面に渡って形成されてい
る。遮光膜２３は、ＴＦＴ３０に対向する所定領域に設
けられており、前述の周辺見切り５３同様に金属材料や
樹脂ブラックなどから形成され、ＴＦＴ３０の半導体層
３２に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の
混色防止などの機能を有する。液晶層５０は、ＴＦＴア
レイ基板１と対向基板２との間において、シール材５２
（図９及び図１０参照）により囲まれた空間に液晶が真
空吸引等により封入されることにより形成され、例えば
一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶から
なる。シール材５２は、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性
樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値と
するためのスペーサが混入されている。

【０１０４】ＴＦＴ３０は、走査線３１（ゲート電
極）、走査線３１からの電界によりチャネルが形成され
る半導体層３２、走査線３１と半導体層３２とを絶縁す
るゲート絶縁層３３、半導体層３２に形成されたソース
領域３４、データ線３５（ソース電極）、及び半導体層
３２に形成されたドレイン領域３６を備えている。ドレ
イン領域３６には、複数の画素電極１１のうちの対応す
る一つが接続されている。ソース領域３４及びドレイン
領域３６は後述のように、半導体層３２に対し、Ｎ型又
はＰ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のＮ型
用又はＰ型用のドーパントをドープすることにより形成
されている。

【０１０５】ＴＦＴ３０を構成する半導体層３２は、例
えば、下地としての第１層間絶縁層４１上にａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）膜を形成後、アニール処理を
施して約５００〜２０００Åの厚さに固相成長させるこ
とにより形成する。前記半導体層３２は、Ｐチャネル型
のＴＦＴ３０の場合には、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ
（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを用
いたイオン注入等によりドープする。また、Ｎチャネル
型のＴＦＴ３０の場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパ
ントを用いたイオン注入等によりドープすることによ
り、ソース領域３４およびドレイン領域３６を形成す
る。また、ＴＦＴ３０をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏ
ｐｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造を持つ
Ｎチャネル型のＴＦＴとする場合、ソース領域３４及び
ドレイン領域３６のうちチャネル側に夫々隣接する一部
にＰ（リン）などのＶ族元素のドーパントにより低濃度
ドープ領域を形成し、同じくＰ（リン）などのＶ族元素
のドーパントにより高濃度ドープ領域を形成する。ま
た、Ｐチャネル型のＴＦＴ３０とする場合、Ｂ（ボロ
ン）などのIII族元素のドーパントを用いてソース領域
３４及びドレイン領域３６を形成する。尚、ＴＦＴ３０
は、オフセット構造のＴＦＴとしてもよいし、セルフア
ライン型のＴＦＴとしてもよい。また、画素スイッチン
グ用のＴＦＴ３０は、高速に書き込むことが可能なＮチ
ャネル型ＴＦＴを用いることが多い。

【０１０６】このように、本実施の形態の液晶装置は、
画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するＴＦＴアレ
イ基板１上にＰチャネル型ＴＦＴ及びＮチャネル型ＴＦ
Ｔがほぼ同一工程で形成することが可能なため、画面表
示領域の外側の周辺部に図９に示すようにデータ線駆動
回路１０１や走査線駆動回路１０４等の周辺回路を画素
と同一基板上に形成することができる。これにより、駆
動回路を外付けする必要がなくなり、コスト及び液晶装
置の小型化に大変有利になる。

【０１０７】ゲート絶縁層３３は、半導体層３２を約９
００〜１３００℃の温度により熱酸化することにより、
３００〜１５００Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を
形成して得る。或いは、熱による基板のそりを防ぐため
に、前記熱酸化膜上に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜
を形成し、多層なゲート絶縁層３３を形成しても良い。

【０１０８】走査線３１（ゲート電極）は、減圧ＣＶＤ
法等によりポリシリコン膜を堆積した後、フォトリソグ
ラフィ工程、エッチング工程等により形成される。或い
は、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ
（タンタル）等の高融点金属膜や金属シリサイド膜等の
金属合金膜から形成されてもよい。この場合、走査線３
１（ゲート電極）を、遮光膜２３が覆う領域の一部又は
全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属
シリサイド膜の持つ遮光性により、遮光膜２３の一部又
は全部を省略することも可能となる。この場合特に、対
向基板２とＴＦＴアレイ基板１との貼り合わせずれによ
る画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。

【０１０９】データ線３５（ソース電極）は、画素電極
１１と同様にＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成して
もよい。或いは、スパッタリング処理等により、約１０
００〜５０００Åの厚さに堆積されたＡｌ（アルミニウ
ム）等の低抵抗金属や金属シリサイド等の金属合金膜か
ら形成してもよい。Ａｌ（アルミニウム）のような遮光
性の高い膜でデータ線３５を形成すれば、データ線３５
を対向基板上に設けられた遮光膜２３の代用が可能とな
り、この場合にも、対向基板２とＴＦＴアレイ基板１と
の貼り合わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが
出来る利点がある。

【０１１０】また、第２層間絶縁層４２には、データ線
３５と半導体層のソース領域３４を電気的接続するため
のコンタクトホール３７が開孔されている。更に、第２
相関絶縁層４２及び第３層間絶縁層４３には、半導体層
のドレイン領域３６へのコンタクトホール３８が開孔さ
れている。この半導体層のドレイン領域３６へのコンタ
クトホール３８を介して、画素電極１１は半導体層のド
レイン領域３６に電気的接続される。前述の画素電極１
１は、このように構成された第３層間絶縁層４３の上面
に設けられている。

【０１１１】画素電極１１には、ＴＦＴ３０に隣接して
蓄積容量７０が夫々付加されている。この蓄積容量７０
は、より具体的には、半導体層３２のドレイン領域３６
から延設された第１蓄積容量電極３２’、ゲート絶縁層
３３と同一工程により形成される絶縁層３３’、走査線
３１と同一工程により形成される容量線３１’（第２蓄
積容量電極）、第２及び第３層間絶縁層４２及び４３、
並びに第２及び第３層間絶縁層４２及び４３を介して容
量線３１’に対向する画素電極１１の一部から構成され
ている。このように蓄積容量７０が設けられているた
め、デューティー比が小さくても高精細な表示が可能と
される。

【０１１２】次に、図１３の断面図における図１２のＢ
−Ｂ’断面部分（図の左側）に示すように、液晶装置に
は、検査兼プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２（図
１参照）がデータ線３５毎に設けられている。このＴＦ
Ｔ２０２は、より具体的には、半導体層３２と同一工程
により形成される半導体層３２”、ゲート絶縁層３３と
同一工程により形成されるゲート絶縁層３３”及び走査
線３１と同一工程により形成されるプリチャージ回路駆
動信号線２０６を備えている。半導体層３２”には、Ｔ
ＦＴ３０の場合と同様に、チャネル領域を挟んでソース
領域３４”及びドレイン領域３６”が設けられ、第２層
間絶縁層４２に開孔されたコンタクトホール３７”及び
３８”を夫々通じてドレイン領域３６”にはデータ線３
５が接続され、ソース領域３４”にはプリチャージ信号
線２０４が接続されている。そして、このような層構造
を持つＴＦＴ２０２は、対向基板２に設けられた遮光性
の周辺見切り５３に対向する位置において、ＴＦＴアレ
イ基板１上に設けるようにするとよい。これにより、従
来デッドスペースであった周辺見切り５３の領域を有効
利用することができるため、液晶装置の小型化が実現で
きる。

【０１１３】図１４の断面図に示すように、周辺見切り
５３に対向する位置において複数の走査線３１上の第２
層間絶縁層４２上部をプリチャージ信号線２０４やプリ
チャージ回路駆動信号線２０６が通過する。そして、こ
れらのプリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路
駆動信号線２０６は、その殆どの部分がデータ線３５と
同一工程で形成されたＡｌ等の金属薄膜で形成された低
抵抗な配線である。このように、周辺見切り５３の領域
にプリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路駆動
信号線２０６を配線形成することにより、従来デッドス
ペースであった領域を有効利用することができるため、
液晶装置の小型化が実現できる。

【０１１４】尚、図１１から図１４には図示していない
が、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２（図１参
照）は、検査兼プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２
と同様に構成されており、対向基板２に設けられた遮光
性の周辺見切り５３に対向する位置において、ＴＦＴア
レイ基板１上に設けるようにするとよい。これにより、
データ線駆動回路１０１の占有面積を拡大することがで
きるため、より多機能な液晶装置を実現することができ
る。或いは、液晶装置を小型化する際に有利であること
は、言うまでもない。

【０１１５】尚、図１１から図１４には示されていない
が、対向基板２の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ
基板１の投射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ
（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スー
パーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モー
ド等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノー
マリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
また、対向基板２には適宜、ＲＧＢのカラーフィルタ、
ダイクロイックフィルタ、マイクロレンズ等を形成して
もよい。更に、ＴＦＴアレイ基板１に、特開平９−１２
７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、特開平
３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０１号公
報等に開示されているように、ＴＦＴ３０の下側にも、
例えば高融点金属からなる遮光層を設けてもよい。

【０１１６】本実施の形態の液晶装置は、各種の液晶材
料（液晶相）、動作モード、液晶配列、駆動方法等に適
用可能である。

【０１１７】（電子機器）次に、以上詳細に説明した実
施の形態における液晶装置１００を備えた電子機器の実
施の形態について図１５から図１８を参照して説明す
る。

【０１１８】先ず図１５に、液晶装置１００及びその駆
動回路１００４を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１１９】図１５において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロー
テーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周
知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信
号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順
次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に
出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動
する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を
供給する。尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ
基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これ
に加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

【０１２０】次に図１６から図１８に、このように構成
された電子機器の具体例を夫々示す。

【０１２１】図１６において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
ＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む
液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロ
ジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１
００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプ
ユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミ
ラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８
によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１
００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光
は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４
からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そ
して、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
より夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイク
ロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投
射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー
画像として投射される。

【０１２２】図１７において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１２３】また図１８に示すように、駆動回路１００
４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶装置１
００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路
１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２
２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１
３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異
方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続し
て、液晶装置１００として、生産、販売、使用等するこ
とも可能である。

【０１２４】以上図１６から図１８を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図１５に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１２５】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板によ
れば、検査兼プリチャージ回路は、液晶装置への組み立
て工程前やスクライブ工程前などに実施される検査の際
には検査機能を持ち、液晶装置への組み立て後の通常動
作の際にはプリチャージ機能を持つので、従来のように
検査回路とプリチャージ回路とを別々に基板の周辺部分
に設ける場合と比較して、これら二つの機能を実現する
ために必要な基板上領域が顕著に小さくて済む。特に、
従来のように通常動作時には不要となる検査用端子や検
査用配線を専用に設ける必要がなく、プリチャージ用の
入出力配線や入出力端子などを検査用に兼用できるの
で、大変有利である。

【０１２６】本発明の液晶装置や電子機器によれば、各
種の電気特性検査が確実に行われているために信頼性が
高く、また周辺回路を余裕を持って高仕様に設計可能で
あり、信頼性の高い高品位動作を行える。更に装置全体
の小型化も可能である。

【０１２７】本発明のアクティブマトリクス基板の検査
方法によれば、比較的容易に、開放又は断線検査、短絡
検査等の各種の電気的検査を確実に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるアクティブマトリクス基板の実施
の形態に設けられた各種配線、周辺回路等の等価回路図
である。

【図２】アクティブマトリクス基板の実施の形態に設け
られた検査兼プリチャージ回路を構成するＴＦＴの回路
図である。

【図３】アクティブマトリクス基板の実施の形態に設け
られたサンプリング回路を構成するＴＦＴの回路図であ
る。

【図４】アクティブマトリクス基板の実施の形態に設け
られた検査兼プリチャージ回路の通常動作時における各
種信号のタイミングチャートである。

【図５】アクティブマトリクス基板の実施の形態に設け
られたデータ線駆動回路の一構成例と検査兼プリチャー
ジ回路との回路図（図５（ａ））、及びそのデータ線開
放検査における各種信号のタイミングチャート（図５
（ｂ））である。

【図６】図５に示した回路のデータ線短絡検査における
状態を示した回路図である。

【図７】アクティブマトリクス基板の実施の形態に設け
られたデータ線駆動回路の他の構成例と検査兼プリチャ
ージ回路との回路図である。

【図８】図７のデータ線駆動回路の他の構成例に備えら
れたシフトレジスタの一系列に係る部分を抜粋して示す
回路図（図８（ａ））及びそのタイミングチャート（図
８（ｂ））である。

【図９】本発明による液晶装置の実施の形態の全体構成
を示す平面図である。

【図１０】図９のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１１】液晶装置の実施の形態における画素部の平面
図である。

【図１２】液晶装置の実施の形態における検査兼プリチ
ャージ回路を構成するＴＦＴの平面図である。

【図１３】図１１のＡ−Ａ’断面及び図１２のＢ−Ｂ’
断面を示す断面図である。

【図１４】図１１のＣ−Ｃ’断面を示す断面図である。

【図１５】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。

【図１６】電子機器の一例としての液晶プロジェクタを
示す断面図である。

【図１７】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピ
ュータを示す正面図である。

【図１８】電子機器の他の例としてのＴＣＰを用いた液
晶装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板 ２…対向基板 １１…画素電極 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…周辺見切り ７０…蓄積容量 １００…液晶装置 １０１…データ線駆動回路 １０４…走査線駆動回路 ２０１…検査兼プリチャージ回路 ２０２…ＴＦＴ ２０４…プリチャージ信号線 ２０６…プリチャージ回路駆動信号線 ３０１…サンプリング回路 ３０２…ＴＦＴ ３０４…画像信号線 ３０６…サンプリング回路駆動信号線 ３０７…波形制御回路

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶が挟持されてなる液
   晶装置を構成するためのアクティブマトリクス基板であ
   って、 前記一対の基板のうちの一方の基板上に、 相交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、 前記複数の走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路
   と、 前記複数のデータ線の一端側に設けられており、前記複
   数のデータ線に画像信号を供給する画像信号供給手段
   と、 マトリクス状に設けられており、前記複数の走査線及び
   前記複数のデータ線を介して供給される前記走査信号及
   び前記画像信号に基づいて夫々能動駆動される複数の画
   素部と、 前記複数のデータ線の他端側に設けられており、検査時
   に少なくとも前記複数のデータ線に検査信号を夫々供給
   すると共に通常動作時に所定電圧レベルのプリチャージ
   信号を前記画像信号に先行して前記複数のデータ線に夫
   々供給する検査兼プリチャージ回路とを備えたことを特
   徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 【請求項２】 前記検査兼プリチャージ回路は、 プリチャージ信号線を介して入力されるプリチャージ信
   号をプリチャージ回路駆動信号に応じて夫々スイッチン
   グ出力して前記検査信号又は前記プリチャージ信号とし
   て前記複数のデータ線に夫々供給する複数のプリチャー
   ジスイッチを含んで構成されており、 前記画像信号供給手段は、 画像信号線を介して入力される画像信号をサンプリング
   回路駆動信号に応じて夫々サンプリングして前記画像信
   号として前記複数のデータ線に夫々供給する複数のサン
   プリングスイッチを持つサンプリング回路と、 前記サンプリング回路駆動信号を前記複数のサンプリン
   グスイッチに夫々供給するデータ線駆動回路とを含んで
   構成されていることを特徴とする請求項１に記載のアク
   ティブマトリクス基板。
3. 【請求項３】 前記複数のプリチャージスイッチは夫
   々、前記データ線がソース電極に接続され、前記プリチ
   ャージ信号線がドレイン電極に接続され、前記プリチャ
   ージ回路駆動信号線がゲート電極に接続された薄膜トラ
   ンジスタからなることを特徴とする請求項２に記載のア
   クティブマトリクス基板。
4. 【請求項４】 前記薄膜トランジスタは、Ｎチャネル型
   トランジスタ、Ｐチャネル型トランジスタ及び相補型ト
   ランジスタのうちの一つからなることを特徴とする請求
   項３に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 【請求項５】 前記データ線駆動回路は、 各段から転送信号を順次出力する１系列のシフトレジス
   タと、 該シフトレジスタにおける相隣接する二つの段から相前
   後して出力される前記転送信号が時間的に相互に重なら
   ないように前記転送信号の時間長さを制限した後に前記
   サンプリング回路駆動信号として出力する波形制御回路
   とを備えたことを特徴とする請求項２から４のいずれか
   一項に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 【請求項６】 前記複数の画素部は夫々、能動駆動用の
   薄膜トランジスタを含んで構成されており、 前記検査兼プリチャージ回路は、前記画素部の薄膜トラ
   ンジスタと同じ膜から同時に形成された薄膜トランジス
   タを含んで構成されていることを特徴とする請求項１か
   ら５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基
   板。
7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれか一項に記載の
   アクティブマトリクス基板と、 前記一対の基板のうちの他方の基板と、 前記液晶とを備えたことを特徴とする液晶装置。
8. 【請求項８】 前記複数の画素部により規定される画面
   表示領域の周囲において前記一対の基板を貼り合わせて
   前記液晶を包囲するシール部材と、 前記シール部材と前記画面表示領域との間において前記
   画面表示領域の輪郭に沿って前記他方の基板に形成され
   た遮光性の周辺見切りとを更に備えており、 前記検査兼プリチャージ回路及び前記検査兼プリチャー
   ジ回路の入出力配線のうちの少なくとも一方が前記周辺
   見切りに対向する位置に設けられたことを特徴とする請
   求項７に記載の液晶装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の液晶装置を備えたこと
   を特徴とする電子機器。
10. 【請求項１０】 請求項２から６に記載のアクティブマ
    トリクス基板の検査方法であって、 (i)前記データ線駆動回路を通常動作させると共に前記
    複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態としつつ、
    前記プリチャージ信号線に所定電圧を印加して前記画像
    信号線に流れる電流を測定することにより、或いは、(i
    i)前記データ線駆動回路を通常動作させると共に前記プ
    リチャージ回路駆動信号により同時に駆動される複数の
    プリチャージスイッチ全てをオン状態としつつ、前記画
    像信号線に所定電圧を印加して前記プリチャージ信号線
    に流れる電流を測定することにより、前記複数のデータ
    線の開放又は断線検査を行うことを特徴とするアクティ
    ブマトリクス基板の検査方法。
11. 【請求項１１】 請求項２から６に記載のアクティブマ
    トリクス基板の検査方法であって、 (i)前記サンプリングスイッチ全てをオン状態とすると
    共に前記複数のプリチャージスイッチ全てをオフ状態と
    しつつ、相隣接するデータ線に電気的接続される画像信
    号線の間に所定電圧を印加して該相隣接するデータ線に
    電気的接続される画像信号線間に流れる電流を測定する
    ことにより、或いは、(ii)前記サンプリングスイッチ全
    てをオフ状態とすると共に前記複数のプリチャージスイ
    ッチ全てをオン状態としつつ、相隣接するデータ線に電
    気的接続されるプリチャージ信号線の間に所定電圧を印
    加して該相隣接するデータ線に電気的接続されるプリチ
    ャージ信号線間に流れる電流を測定することにより、前
    記複数のデータ線の短絡検査を行うことを特徴とするア
    クティブマトリクス基板の検査方法。
12. 【請求項１２】 請求項２から６に記載のアクティブマ
    トリクス基板の検査方法であって、 (i)前記サンプリングスイッチ全てをオフ状態とすると
    共に前記複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態と
    しつつ、前記プリチャージ信号線に所定電圧を印加して
    前記画像信号線に流れる電流を測定することにより、或
    いは、(ii)前記サンプリングスイッチ全てをオフ状態と
    すると共に前記プリチャージ回路駆動信号により同時に
    駆動される複数のプリチャージスイッチ全てをオン状態
    としつつ、前記画像信号線に所定電圧を印加して前記プ
    リチャージ信号線に流れる電流を測定することにより、
    前記サンプリングスイッチのリーク検査を行うことを特
    徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。
13. 【請求項１３】 請求項２から６に記載のアクティブマ
    トリクス基板の検査方法であって、 (i)前記サンプリングスイッチ全てをオン状態とすると
    共に前記複数のプリチャージスイッチ全てをオフ状態と
    しつつ、前記プリチャージ信号線に所定電圧を印加して
    前記画像信号線に流れる電流を測定することにより、或
    いは、(ii)前記サンプリングスイッチ全てをオン状態と
    すると共に前記複数のプリチャージスイッチ全てをオフ
    状態としつつ、前記画像信号線に所定電圧を印加して前
    記プリチャージ信号線に流れる電流を測定することによ
    り、前記プリチャージスイッチのリーク検査を行うこと
    を特徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。