JPH11272047A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像形成装置における画像後端部の伸びを解
消する。 【解決手段】 画像形成装置は、像担持体２、感光体
９、電圧印加手段１３、光走査手段８と、像担持体２の
駆動手段３を備えている。感光体９の放電可能領域１０
０は、光走査手段８の主走査軸Ｍに対して副走査方向Ｓ
２下流側には、前記主走査軸から前記光走査手段から感
光体に照射される光のスポット径の０．５倍以上４００
μｍ以下の範囲に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、像担持体に静電潜
像を形成する複写機、プリンタ等の画像形成装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方式の複写機、プリンタ等の画
像形成装置では、感光体等の静電潜像担持体を帯電装置
により帯電後露光して静電潜像を形成し、この静電潜像
をトナーにより現像して可視像とし、これを転写材へ転
写して定着させる作像プロセスが一般に知られている。
しかしながら、コロナ放電を伴う従来の作像方式では、
多量のオゾンが発生するなど環境破壊につながったり、
感光体表面への影響が大きく感光体寿命の低減につなが
ることから、近年ではオゾンの発生を押えた作像方式の
提供が望まれている。

【０００３】低オゾンの作像方法として、例えば、特開
平１−２９３３５８号公報に記載された方法が提案され
ている。この作像方法は、図９に示すように小片からな
る感光体１０１と円筒状の電荷保持媒体１０２が別途に
設けられたものを用いる。感光体１０１は、光導電層支
持体１０３、感光体電極１０４、及び光導電層１０５が
順に積層されたものである。一方、電荷保持媒体１０２
は、絶縁層支持体１０６、電荷保持媒体電極１０７、及
び誘電層１０８が順に積層されたものである。この感光
体１０１と電荷保持媒体１０２とは、光導電層１０５と
誘電層１０８とが空隙を介して対向するように配置され
ている。

【０００４】そして、感光体電極１０４と電荷保持媒体
電極１０７の間に電圧を印加し、暗所にて感光体１０１
に光を入射して図９において表裏方向である電荷保持体
１０２の軸方向（主走査方向）に走査すると、光導電層
１０５の光が入射した部分が導電性を示し、その部分と
電荷保持媒体１０２の絶縁層１０８との間に放電が生じ
て、図中矢符ｂの方向に回転走行させた電荷保持媒体１
０２の絶縁層１０８に電荷が蓄積され静電潜像が形成さ
れる。形成された静電潜像は、現像器１０９によって現
像されてトナー像となり、このトナー像は、転写チャー
ジャ１１０によってペーパ又はフィルムに転写される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前述した装置を使用し
て、図１０（ａ）に示すように、前記主走査方向に直交
する方向である副走査方向に長い長短複数のラインから
なる原稿を主走査方向に露光して静電潜像を形成する。
すると、図１０（ｂ）に示すように、電荷保持媒体１０
２に形成された静電潜像の画像後端部に伸びΔＬが生じ
る。この伸びΔＬは長いラインの画像ほど顕著に現れ
る。本発明は、このような画像後端部の伸びを解消する
ことを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願発明者らが前記画像
後端部が伸びる原因を検討した結果、感光体内で発生す
る過剰キャリアが露光終了後も徐々に放出され、放電が
継続することにより、露光の停止と放電の停止が一致し
なくなって潜像の画像後端部に伸びが生じることが判明
した。ここで、過剰キャリアとは、感光体中に存在する
トラップや積層型の感光体の場合には界面近傍に形成さ
れたトラップに補束されたキャリアや、フリーキャリア
の中で移動速度が非常に遅い成分のキャリアのことであ
る。本発明は、感光体の放電が発生し得る領域（放電発
生可能領域）を限定することにより、前記過剰キャリア
による潜像の画像伸びの解消を図るものである。

【０００７】従って、本発明は、第１の導電層と、この
導電層上に形成された絶縁層を有する像担持体と、第２
の導電層と、この第２の導電層上に形成された感光層と
を備え、前記像担持体の絶縁層と前記感光層が対向する
ように配置された感光体と、前記第１及び第２の導電層
間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記感光体に光を
照射して主走査方向に走査する光走査手段と、前記主走
査方向と直交する副走査方向に像担持体を走行させる駆
動手段とを備え、前記電圧印加手段により第１及び第２
の導電層間に電圧を印加した状態で光走査手段から感光
体に光を照射して像露光を行い、感光体と像担持体間の
放電によって、走行する像担持体に潜像を形成する画像
形成装置において、前記感光体の放電可能領域は、前記
光走査手段の主走査軸に対して前記副走査方向下流側に
は、前記主走査軸から前記光走査手段から感光体に照射
される光のスポット径の０．５倍以上４００μｍ以下の
範囲に設けられていることを特徴とする画像形成装置を
提供するものである。

【０００８】本発明の画像形成装置では、感光体の放電
可能流域を前記の範囲に設けており、感光体の副走査方
向下流側の前記範囲を越える範囲では、感光体と像担持
体との間に放電が発生しない。よって、露光終了後に感
光体の副走査方向下流側で過剰キャリアによる放電が発
生することがなく、像担持体の走行方向に画像の伸びを
発生させることなく忠実に画像を再現することができ
る。

【０００９】具体的には、前記第２の導電層を、前記光
走査手段の主走査軸に対して前記副走査方向下流側に部
分的に設けることにより、前記感光体の放電可能領域を
前記範囲に設定する。

【００１０】また、前記感光層を、前記光走査手段の主
走査軸に対して前記副走査方向下流側に部分的に設け、
前記感光体の放電可能領域を前記範囲に設定してもよ
い。

【００１１】さらに、前記感光体は、感光層への光の入
射を阻止する感光マスクを備え、この感光マスクを前記
光走査手段の主走査軸に対して副走査方向下流側に部分
的に設け、前記感光体の放電可能領域を前記範囲に設定
してもよい。

【００１２】さらにまた、前記画像形成装置は、前記感
光体の感光層の前記像担持体の第１の導電層と対向する
面に形成された表面電極層と、この表面電極層にバイア
ス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを備え、前記
表面電極層を前記光走査手段の副走査方向下流側に部分
的に設け、前記感光体の放電可能領域を前記範囲に設定
してもよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像形成装置の実
施の形態を図面を参照して説明する。 （第１実施形態）図１から図３は、本発明の第１実施形
態に係る画像形成装置１を示している。図１に示すよう
に、画像形成装置１の中央部には、像担持体である像担
持ドラム２が配置されている。この像担持ドラム２は、
駆動手段である駆動装置３により矢印ａ方向に走行され
る。

【００１４】像担持ドラム２は、図２に示すように、導
電体であるアルミニウム合金のベース２１の表面に導電
層２３を形成し、その上にポリカーボネイト樹脂を塗布
して絶縁層である誘電層２５を設けた構成である。ま
た、ベース２１は図示しない導電線によって接地されて
いる。尚、像担持体の構成は、このようなドラム形状に
限られるものでなくベルト状のものであっても良い。前
述した像担持ドラム２の周囲には、潜像形成装置５、現
像装置６及び転写ローラ７が図中矢印ａ方向に順次配置
されている。

【００１５】前記潜像形成装置５は、光走査手段を構成
する光学系８と、この光学系８と像担持ローラ２との間
に配置された感光体９とからなっている。光学系８は、
ハウジング８１中に半導体レーザ発生装置、コリメート
レンズ、ポリゴンミラー、Ｆθレンズ、反射ミラー等を
配置したもので、ハウジング８１の壁面部に露光スリッ
ト８２が形成されている。この光学系８は、半導体レー
ザ発生装置にて発生されたレーザ光８３が露光スリット
８２から感光体９に照射され、画像露光できるように構
成されている。ここで、レーザ光８３が走査露光する方
向は、像担持ドラム２の軸方向（図１及び図２において
表裏方向）であり、以下この方向を主走査方向Ｓ１と呼
ぶ。又、主走査方向と直交する像担持ドラム２の走行方
向（図２において上下方向）を副走査方向Ｓ２と呼ぶ。

【００１６】感光体９は、図２に示すように透光性基板
９１上に透光性導電層９２、感光層９３を順に積層した
構成であり、図３に示すように、主走査方向Ｓ１の長さ
Ｌが長く、副走査方向Ｓ２の幅Ｗが短い、細長い直方体
状である。

【００１７】前記透光性基板９１は透明なガラス板から
なる。また、前記透光性導電層９２はＩＴＯ膜からな
り、第１の電源１３が接続されている。さらに、前記感
光層９３は、半導体レーザ光（波長７８０ｎｍ）やＬＥ
Ｄ光（波長６８０ｎｍ）等の長波長光に対して良好な感
度を有する負帯電用の機能分離型であって、キャリア対
発生機能を有する電荷発生層（ＣＧＬ）９６と、フリー
キャリアの輸送機能を有する電荷輸送層（ＣＴＬ）９７
とからなる。

【００１８】図２及び図３に示すように、感光体９の光
学系８に対する位置及び姿勢は、感光体９の副走査方向
Ｓ２（幅Ｗ方向）の中央位置に前記レーザ光８３が照射
され、かつ、感光体９の長さＬ方向が主走査方向Ｓ１と
一致するよう設定されている。そのため、図３において
一点鎖線で示す走査されるレーザ光８３の主走査方向Ｓ
１の軌跡（主走査軸Ｍ）は、感光体９の幅Ｗ方向の二等
分線となっている。

【００１９】図２及び図３に示すように、透光性導電層
９２は、感光体９の長さＬ方向全体に設けられている。
しかし、透光性導電層９２は、感光体９の幅Ｗ方向に
は、透光性基板９１の副走査方向Ｓ２上流側端部から主
走査軸Ｍを越えて、主走査軸Ｍに対して副走査方向Ｓ２
下流側に距離ａだけ隔てた位置までしか設けられていな
い。

【００２０】感光体９の前記透光性導電層９２が存在す
る領域は、レーザ光８３が照射されたときに像担持ロー
ラ２の間に放電が発し得る領域（放電可能領域１００）
となるが、感光体９の副走査方向Ｓ２下流側の透光性導
電層９２が存在しない領域では、レーザ光８３が照射さ
れても、感光層９３内でキャリア対が発生せず、像担持
ローラ２との間に放電は発生しない。このように第１実
施形態では、透光性導電層９２の副走査方向Ｓ２下流側
の端部９２ａの位置を主走査軸Ｍから距離ａだけ隔てた
位置に設定することにより、副走査方向Ｓ２下流側で
は、感光体９の放電可能領域１００を主走査軸Ｍから前
記距離ａまでの範囲に限定している。なお、感光層９３
は、感光体９の長さＬ方向及び幅Ｗ方向の全体に設けら
れている。

【００２１】前記距離ａは感光体９に照射されるレーザ
光８３の直径（スポット径Ｄ_s）との関係で決定され
る。なお、スポット径Ｄ_Sは、例えば、１００μｍ〜１
５０μｍ程度である。まず、距離ａの下限値について
は、図４に示すように、レーザ光８３が放電可能領域１
００からはみ出ないように、前記スポット径Ｄ_Sの０．
５倍（スポット径Ｄ_Sが前記の範囲であれば５０μｍ〜
７５μｍ）以上に設定する必要がある。次に、距離ａの
上限値については、画像後端部の伸びを防止できるよう
に設定する必要があり、本願発明者の種々の実験及び検
討の結果、４００μｍ以上であることが好ましいことが
判明した。

【００２２】前記現像装置６は、一成分の現像剤（以下
トナーと呼ぶ）を収容するトナー収容部６１と前記像担
持ドラム２に近接して配置された現像スリーブ６２と、
前記トナー収容部６１に収容されたトナーを撹拌して前
記現像スリーブ６２に供給する供給ローラ６３とからな
っている。

【００２３】前記転写ローラ７は、像担持ローラ２に圧
接して配置されている。この転写ローラ７と像担持ロー
ラ２の間には記録紙Ｓが通紙されるようになっている。

【００２４】次に、前記構成からなる画像形成装置１に
よる潜像形成について説明する。感光体９の透光性導電
層９２には第１の電源１３によって、例えば１．５ｋＶ
の電圧を印加され、この場合、接地されている像担持ロ
ーラ２の導電層２３と透光性導電層９２との間には、
１．５ｋＶの電圧差による電界が形成されている。この
ように電界が形成された状態で、感光体９に光学系８に
て発光されたレーザ光８３を照射し露光すると、レーザ
光８３は透光性基板９１、透光性導電層９２を透過して
感光層９３の電荷発生層９６に到達する。電荷発生層９
６は電界の存在下で光を吸収するとキャリア対を生成す
る。生成されたキャリア対の内、フリー化したキャリア
は、それぞれ逆極性の対向する電極方向へ移動する。こ
のときフリー化した正のキャリアは電荷輸送層９７内を
通って感光層９３の表面に移動する。これにより、感光
層９３の表面と像担持ローラ２の表面の空隙間の電界が
上昇する。この電界がパッション則で決まるしきい値を
越えたときに放電が発生し、感光体９の露光位置に対応
した像担持ドラム２の誘電層２５表面が帯電して静電潜
像が形成される。

【００２５】第１実施形態では、透光性導電層９２を走
査主軸Ｍから副走査方向Ｓ２下流側に距離ａだけ隔てた
位置までしか設けられておらず、副走査方向Ｓ２下流側
の感光体９の放電可能領域１００はこの範囲に限定され
ている。よって、感光体９の副走査方向Ｓ２下流側の放
電可能領域１００の範囲外の領域では、透光性導電層９
２に電圧を印加しても感光体９と像担持ローラ２との間
に電界は発生しない。よって、この領域では、レーザ光
８３が照射されても、移動可能なキャリア対は生成され
ず、感光体９と像担持ドラム２の間に放電は発生しな
い。従って、露光終了後に感光体９の副走査方向Ｓ２下
流側で過剰キャリアによる放電が発生せず、像担持ロー
ラ２には画像後端部（副走査方向Ｓ２下流側）の伸びの
ない正確な静電潜像が形成される。

【００２６】像担持ドラム２に形成された静電潜像は、
現像部に搬送され、現像装置６によりトナー現像され、
その後、像担持ローラ２上に形成されたトナー像は、転
写ローラ７により、記録紙Ｓに転写される。

【００２７】次に、前述した第１実施形態の画像形成装
置の効果、すなわち画像後端部の伸びの解消の効果を確
認するために行った具体的実験について説明する。この
実験では、主走査軸Ｍから透光性導電層９２の副走査方
向Ｓ２下流側の端部９２ａまでの距離ａを異ならせ、図
５（ａ）に示すように、主走査方向Ｓ１の４ドット幅の
３０ｍｍラインと、この主走査方向Ｓ１のラインと副走
査方向Ｓ２下流側の端部で連続する副走査方向Ｓ２の２
ドット幅の４０ｍｍのラインとからなるテストパターン
をレーザ光８３で露光し、この際の図５（ｂ）で示す伸
び量ΔＬを測定した。

【００２８】なお、すべての実験例の共通条件として、
像担持ドラム２の誘電層２５を構成するポリカーボネイ
ト樹脂は１０μｍの厚さに塗布している。また、感光体
９は、透光性基板９１を厚さ１ｍｍのガラス板として、
その表面に透光性導電層９２を構成するＩＴＯ膜を蒸着
し、その上にポリアミド樹脂を０．５μｍ塗布してい
る。その後、感光層９３の電荷発生層９６としてフタロ
シアニン顔料を０．５μｍ塗布し、電荷輸送層９７とし
てヒドラゾン化合物とポリカーボネイト樹脂を４：５の
割合で１５μｍ塗布している。さらに、空気層の厚さｄ
_a（感光層９３表面から誘電層２５表面までの距離）を
３０μｍ、システム速度（像担持ドラム２の周速度）を
３８ｍｍ／秒、感光体９を露光する露光光量を０．３５
ｍＷ／ｄｏｔ、露光の際の露光スポット１９の径を１４
０μｍとした。前記距離ａを除き、その他の構成、材質
等についても統一している。

【００２９】

【表１】

【００３０】実験例及び比較例の実験結果を表１に示す
通りである。表１では、伸び量ΔＬが０．０５ｍｍ以下
の場合を○、０．０５ｍｍを上回る場合を×と評価し
た。この表１に示すように、距離ａを４００μｍ以下に
設定した実験例１から実験例３では、評価は○であるの
に対して、距離ａを４００μｍよりも大きく設定した比
較例１から比較例３では、評価は×である。このことか
ら、画像後端伸びを解消するには、前記距離ａを４００
μｍ以下に設定することが好ましいことを確認できる。

【００３１】（第２実施形態）図６に示す本発明の第２
実施形態では、感光層９３の電荷発生層９６は、感光体
９の長さＬ方向全体に設けられているが、感光体９の幅
Ｗ方向には、透光性基板９１の副走査方向Ｓ２上流側端
部から主走査軸Ｍを越えて、主走査軸Ｍに対して副走査
方向Ｓ２下流側に距離ａだけ隔てた位置までしか設けら
れていない。この距離ａは、前記第１実施形態と同様
に、レーザ光８３のスポット径Ｄ_Sの０．５倍以上４０
０μｍ以下に設定される。

【００３２】感光体９の前記電荷発生層９６が存在する
領域は、レーザ光８３が照射されたときに像担持ローラ
２の間に放電が発し得る放電可能領域１００となるが、
感光体９の副走査方向Ｓ２下流側の放電可能領域１００
の範囲外では、電荷発生層９６が存在しないため、レー
ザ光８３が照射されても移動可能なキャリア対が生成さ
れず、像担持ローラ２との間に放電は発生しない。

【００３３】このように第２実施形態では、感光層９３
の電荷発生層９６の副走査方向Ｓ２下流側の端部９６ａ
の位置を主走査軸Ｍから距離ａだけ隔てた位置に設定す
ることにより、副走査方向Ｓ２下流側では、感光体９の
放電可能領域１００を主走査軸Ｍから前記距離ａまでの
範囲に限定している。よって、第１実施形態と同様に画
像後端部の伸びを解消することができる。

【００３４】（第３実施形態）図７に示す本発明の第３
実施形態では、透光性基板９１の感光層９３側の面に、
感光マスク１１１が設けられている。この感光マスク１
１１は、感光体９の長さＬ方向全体に設けられている
が、感光体９の幅ｗ方向には、主走査軸Ｍから副走査方
向Ｓ２下流側に距離ａだけ隔てた位置から透光性基板９
１の副走査方向Ｓ２下流側端部までにしか設けられてな
い。この距離ａは、前記第１実施形態と同様に、レーザ
光８３のスポット径Ｄ_Sの０．５倍以上４００μｍ以下
に設定される。

【００３５】感光体９の前記感光マスク１１１が存在し
ない領域では、照射されたレーザ光８３が感光層９３ま
で到達するため、像担持ローラ２の間に放電が発し得る
放電可能領域１００となるが、感光体９の副走査方向Ｓ
２下流側の感光マスク１１１を設けた領域では照射され
たレーザ光８３は感光層９３まで到達しないため、像担
持ローラ２との間に放電は発生しない。

【００３６】このように第３実施形態では、感光マスク
１１１を主走査軸Ｍから副走査方向Ｓ２下流側に距離ａ
だけ隔てた位置から透光性基板９１の副走査方向Ｓ２下
流側端部まで設けることにより、副走査方向Ｓ２下流側
では、放電可能領域１００を主走査軸Ｍから前記距離ａ
までの範囲に限定している。よって、第１実施形態と同
様に画像後端部の伸びを解消することができる。

【００３７】（第４実施形態）図８に示す本発明の第４
実施形態では、感光層９３の表面に第２の電源１１２に
接続された表面電極層１１３を設けている。この表面電
極層１１３は、感光体９の長さＬ方向全体に設けられて
いるが、感光体９の幅ｗ方向には、主走査軸Ｍから副走
査方向Ｓ２下流側に距離ａだけ隔てた位置から透光性基
板９１の副走査方向Ｓ２下流側端部までしか設けられて
ない。この距離ａは、前記第１実施形態と同様に、レー
ザ光８３のスポット径Ｄ_Sの０．５倍以上４００μｍ以
下に設定される。

【００３８】表面電極層１１３及び感光層９３の表面に
は、絶縁性の表面保護層１１５が設けられている。この
表面保護層１１５は、放電時に表面電極層１１３を保護
するためのものであるが必ずしも設ける必要はない。

【００３９】第４実施形態の画像形成装置では、画像形
成時には、前記第１及び第２の電源１３，１１２によ
り、それぞれ透光性導電層９２と表面電極層１１３に電
圧が印加される。第１の電極１３により透光性導電層９
２に印加される電圧は、第２の電源１１２により表面電
極層１１３に印加されるバイアス電圧よりも高圧であ
る。例えば、前記透光性導電層９２に１．５ｋＶの電圧
が印加され、表面電極層１１３に５０Ｖのバイアス電圧
が印加される。

【００４０】前記感光マスク１１１が存在しない領域
は、像担持ローラ２との間に放電が発し得る放電可能領
域１００となる。一方、感光層９３の表面電極層１１３
と対向する領域では、前記のように表面電極層１１３に
バイアス電圧を印加することにより、表面電極１１３と
導電層３２の間の電圧が放電しない電圧（本実施形態で
は５０Ｖ）に設定されているため、発生したキャリアは
表面電極１１３に補足される。そのため、感光体９の表
面電極層１１３を設けた領域と像担持ドラム２との間で
は放電は発生しない。

【００４１】このように第４実施形態では、表面電極層
１１３を主走査軸Ｍから副走査方向Ｓ２下流側に距離ａ
だけ隔てた位置から透光性基板９１の副走査方向Ｓ２下
流側端部まで設けることにより、副走査方向Ｓ２下流側
では、感光体９の放電可能領域１００を主走査軸Ｍから
前記距離ａまでの範囲に限定している。よって、第１実
施形態と同様に画像後端部の伸びを解消することができ
る。

【００４２】なお、本発明は前記実施形態に限定される
ものではなく、種々の変形が可能である。例えば、前記
第１実施形態から第４実施形態では、主走査軸Ｍよりも
副走査方向Ｓ２上流側では、感光体９の幅ｗ方向全体を
放電可能領域１００としているが、レーザ光８３のスポ
ット径の０．５倍を下回らない範囲で主走査軸Ｍよりも
副走査方向Ｓ２上流側の放電可能領域１００を狭めても
よい。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明で
は、感光体の放電可能領域が、前記光走査手段の主走査
軸に対して前記副走査方向下流側には、前記主走査軸か
ら副走査方向下流側に光走査手段から感光体に照射され
る光のスポット径０．５倍以上４００μｍ以下の範囲に
設けられている。従って、感光体の副走査方向下流側の
前記範囲を越える範囲では、感光体と像担持体との間に
放電が発生しない。よって、露光終了後に感光体の副走
査方向下流側で過剰キャリアによる放電が発生すること
がなく、像担持体の走行方向に画像の伸びを発生させる
ことなく忠実に画像を再現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態に係る画像形成装置を
示す概略構成図である。

【図２】 第１実施形態の画像形成装置の要部拡大図で
ある。

【図３】 感光体を示す正面図である。

【図４】 感光体の部分拡大図である。

【図５】 （ａ）は実験におけるテストパターンを示す
概略図、（ｂ）はテストパターンに発生する伸びを示す
概略図である。

【図６】 本発明の第２実施形態に係る画像形成装置の
要部拡大図である。

【図７】 本発明の第３実施形態に係る画像形成装置の
要部拡大図である。

【図８】 本発明の第４実施形態に係る画像形成装置の
要部拡大図である。

【図９】 従来例の画像形成装置を示す概略図である。

【図１０】 （ａ）は、原稿画像のテストパターンを示
す概略図、（ｂ）は、テストパターンのトナー像を示す
概略図である。

【符号の説明】

１ 画像形成装置 ２ 像担持ローラ（像担持体） ２３ 導電層（第１の導電層） ２５ 誘電層（絶縁層） ３ 駆動用モータ（駆動手段） ６ 現像装置 ８ 光学系（光走査手段） ９ 感光体 １３ 電源（電圧印加手段） ９１ 透光性基板 ９２ 透光性導電層（第２の導電層） ９３ 感光層 ９６ 電荷発生層 ９７ 電荷輸送層 １００ 放電可能領域 １１１ 感光マスク １１２ 電源（バイアス電圧印加手段） １１３ 表面電極層 １０４ 表面保護層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電層と、この導電層上に形成さ
   れた絶縁層を有する像担持体と、 第２の導電層と、この第２の導電層上に形成された感光
   層とを備え、前記像担持体の絶縁層と前記感光層が対向
   するように配置された感光体と、 前記第１及び第２の導電層間に電圧を印加する電圧印加
   手段と、 前記感光体に光を照射して主走査方向に走査する光走査
   手段と、 前記主走査方向と直交する副走査方向に像担持体を走行
   させる駆動手段とを備え、 前記電圧印加手段により第１及び第２の導電層間に電圧
   を印加した状態で光走査手段から感光体に光を照射して
   像露光を行い、感光体と像担持体間の放電によって、走
   行する像担持体に潜像を形成する画像形成装置におい
   て、 前記感光体の放電可能領域は、前記光走査手段の主走査
   軸に対して前記副走査方向下流側には、前記主走査軸か
   ら前記光走査手段から感光体に照射される光のスポット
   径の０．５倍以上４００μｍ以下の範囲に設けられてい
   ることを特徴とする画像形成装置。
2. 【請求項２】 前記第２の導電層を、前記光走査手段の
   主走査軸に対して前記副走査方向下流側に部分的に設
   け、前記感光体の放電可能領域を前記範囲に設定してい
   る請求項１に記載の画像形成装置。
3. 【請求項３】 前記感光層を、前記光走査手段の主走査
   軸に対して前記副走査方向下流側に部分的に設け、前記
   感光体の放電可能領域を前記範囲に設定している請求項
   １に記載の画像形成装置。
4. 【請求項４】 前記感光体は、感光層への光の入射を阻
   止する感光マスクを備え、 この感光マスクを前記光走査手段の主走査軸に対して副
   走査方向下流側に部分的に設け、前記感光体の放電可能
   領域を前記範囲に設定している請求項１に記載の画像形
   成装置。
5. 【請求項５】 前記画像形成装置は、前記感光体の感光
   層の前記像担持体の第１の導電層と対向する面に形成さ
   れた表面電極層と、 この表面電極層にバイアス電圧を印加するバイアス電圧
   印加手段とを備え、 前記表面電極層を前記光走査手段の副走査方向下流側に
   部分的に設け、前記感光体の放電可能領域を前記範囲に
   設定している請求項１に記載の画像形成装置。