JPH11272725A - Library generation method and simulation method - Google Patents

Library generation method and simulation method

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JPH11272725A
JPH11272725A JP10072079A JP7207998A JPH11272725A JP H11272725 A JPH11272725 A JP H11272725A JP 10072079 A JP10072079 A JP 10072079A JP 7207998 A JP7207998 A JP 7207998A JP H11272725 A JPH11272725 A JP H11272725A
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JP
Japan
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library
delay time
power consumption
logic gate
data
Prior art date
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JP10072079A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kato
耕治 加藤
Hiroshi Uesugi
浩 上杉
Hiroaki Tanaka
裕章 田中
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カスタム設計した回路をレイアウト情報やプ
ロセス情報を変更する場合でも迅速に論理シミュレーシ
ョンができるようにする。 【解決手段】 シミュレーション装置を修正ネットリス
ト生成手段,仮ライブラリ生成手段,論理シミュレーシ
ョン手段および記憶部から構成し、論理回路のネットリ
スト12および各論理ゲートのレイアウト情報13を入
力すると、レイアウト情報を含んだ修正ネットリスト1
1を生成し、記憶部のパラメタライズライブラリのパラ
メータにレイアウト情報13,プロセス情報14を代入
して消費電力および遅延時間の仮ライブラリを生成す
る。この仮ライブラリを用いて修正ネットリストの論理
回路について論理シミュレーションを実施するので、素
子設計パラメータが変更となっても迅速に対応すること
ができる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To enable quick logic simulation of a custom designed circuit even when layout information or process information is changed. SOLUTION: A simulation apparatus is composed of a modified net list generation means, a temporary library generation means, a logic simulation means, and a storage unit. Modified netlist 1
1 and assigns the layout information 13 and the process information 14 to the parameters of the parameterized library in the storage unit to generate a temporary library of power consumption and delay time. Since the logic simulation is performed on the logic circuit of the modified netlist using the temporary library, even if the element design parameter is changed, it can be quickly dealt with.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、論理ゲートレベル
のパラメタライズライブラリおよびこのパラメタライズ
ライブラリの各論理ゲートに対応したパラメータを設定
する素子設計パラメータ情報に基づいて各論理ゲートの
遅延時間ライブラリを生成するライブラリ生成方法、お
よび論理回路のネットリストおよび論理ゲートレベルに
対応して設定された遅延時間ライブラリに基づいて論理
シミュレーションを実施して論理回路の遅延時間を計算
するシミュレーション方法に関する。
The present invention relates to a parameterization library at a logic gate level and a delay time library for each logic gate based on element design parameter information for setting parameters corresponding to each logic gate of the parameterization library. The present invention relates to a method for generating a library, and a simulation method for calculating a delay time of a logic circuit by performing a logic simulation based on a delay time library set corresponding to a netlist and a logic gate level of the logic circuit.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】CPUのようなLSI
(大規模集積回路)の設計を行なう場合などにおいて、
回路の遅延時間や消費電力などをシミュレーションする
ためには、一般的には、論理シミュレーションを用いて
見積もることが行なわれる。これは、SPICEに代表
されるようなトランジスタレベルの回路シミュレーショ
ンでは、ゲート数が多いためにシミュレーションに多大
な時間を要し、実用的な時間内で処理することができな
いためである。
An LSI such as a CPU
(Large-scale integrated circuits)
In order to simulate the delay time and power consumption of a circuit, estimation is generally performed using a logic simulation. This is because, in a transistor-level circuit simulation represented by SPICE, the number of gates is large, so that a large amount of time is required for the simulation, and processing cannot be performed within a practical time.

【0003】そこで、論理シミュレーションにより計算
を行なうにあたっては、遅延時間ライブラリや消費電力
ライブラリなどをあらかじめ作成して設定する必要があ
る。この場合、これらのライブラリを生成するにあたっ
ては、やはりトランジスタレベルの回路シミュレーショ
ンで行なうことが想定されるが、そのライブラリ生成の
ための演算処理においても多大な時間を要することが一
般的である。
Therefore, when performing calculations by logic simulation, it is necessary to create and set in advance a delay time library and a power consumption library. In this case, generation of these libraries is supposed to be performed by transistor-level circuit simulation. However, it generally takes a lot of time to perform arithmetic processing for generating the libraries.

【0004】この場合、スタンダード・セルを設定して
回路設計を行なう方式においては、設計に使用する限ら
れた種類のスタンダード・セルについてあらかじめトラ
ンジスタレベルで回路シミュレーションを行なうことで
ライブラリを生成することができるので、回路設計に当
たっては、決められたスタンダード・セルを使用して行
なうことで論理シミュレーションを行なうことができ
る。
In this case, in a method of setting a standard cell and designing a circuit, a library is generated by performing a circuit simulation at a transistor level in advance for a limited type of standard cells used in the design. Therefore, in circuit design, logic simulation can be performed by using a predetermined standard cell.

【0005】しかし、カスタム設計のように、同一の機
能(論理演算)を有するセルであっても、使用している
ゲートのサイズが異なるものが多種類存在するような場
合には、各サイズのゲート毎にライブラリを生成する必
要がある。したがって、設計する回路毎にあらかじめト
ランジスタレベルの回路シミュレーションを実施してラ
イブラリを生成しておくことになるが、これは、回路の
規模や使用するゲートの種類によってはライブラリ生成
のための回路シミュレーションに多大な時間を要するこ
とになる場合がある。
[0005] However, even if cells having the same function (logical operation) have different types of gates used, as in a custom design, there are many types of cells having different sizes. A library must be created for each gate. Therefore, a library must be generated by performing a transistor-level circuit simulation in advance for each circuit to be designed, but this may be necessary for circuit simulation for library generation depending on the size of the circuit and the type of gate used. It can take a lot of time.

【0006】同様にして、カスタム設計に限らず、スタ
ンダードセルを用いる設計を行なう場合においても、プ
ロセス設計を変更する場合や、あるいはデザインルール
が変更になる場合などにおいては、その都度ライブラリ
を生成するための回路シミュレーションに多大な時間を
要することになるので、このようなプロセス設計やデザ
インルールの変更に当たっては実際上の困難が伴うこと
になる。
Similarly, not only in the case of custom design but also in the case of designing using standard cells, a library is generated each time the process design is changed or the design rules are changed. Therefore, a great deal of time is required for a circuit simulation for such a process, and such a process design or a change in a design rule involves practical difficulties.

【0007】このような技術的課題に対して、特開平1
−226077号公報に示されるものにおいては、レイ
アウト情報から自動的に回路シミュレータを実行させる
よういにして、人手を介さずして遅延時間ライブラリに
修正を加えるようにしたものが開示されている。
To solve such technical problems, Japanese Patent Laid-Open No.
Japanese Unexamined Patent Publication No.-226077 discloses a configuration in which a circuit simulator is automatically executed based on layout information, and a delay time library is modified without manual intervention.

【0008】また、特開平1−156864号公報に示
されるものにおいては、レイアウトデータや、プロセス
のパラメータファイルや、計算公式からトランジスタレ
ベルの遅延時間を算出し、これをネットリストにトラン
ジスタ毎に遅延時間として付加することで、実製品に近
い精度で高速にシミュレーションすることを可能にして
問題を解決しようとするものが開示されている。
In Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-156864, a transistor-level delay time is calculated from layout data, a process parameter file, and a calculation formula, and the calculated delay time is stored in a netlist for each transistor. There is disclosed a technique that solves the problem by adding a time to enable a high-speed simulation with an accuracy close to an actual product.

【0009】しかしながら、上述した前者のものにおい
ては、自動的に回路シミュレーションを起動してライブ
ラリを生成することは人手が不要となるが、ライブラリ
の生成に際して回路シミュレーションそのものを用いる
ことから、処理時間が短縮されるわけではないので、本
質的な解決には至っていない。また、上述した後者のも
のにおいては、シミュレーションの精度向上を一つの目
的としていて、そのためにシミュレーションに必要とな
る情報量が多くなり、しかもトランジスタレベルでのシ
ミュレーションであるから処理速度の向上を望むことは
難しい。
However, in the case of the former, it is unnecessary to manually start the circuit simulation to generate the library, and it is not necessary to manually perform the processing. However, since the circuit simulation itself is used for generating the library, the processing time is reduced. Since it is not shortened, it has not reached an essential solution. Also, in the latter case, the purpose is to improve the accuracy of the simulation, and the amount of information required for the simulation is increased, and the simulation is performed at the transistor level. Is difficult.

【0010】したがって、このような従来技術のもとに
おいては、次のような技術的課題が残ることになる。す
なわち、第1に、CPU等のカスタム設計した各ゲート
は、ゲートサイズ、ドレイン・ソース面積が個々に異な
るので、全てのサイズに対する論理シミュレーションの
ライブラリを作成すると、多大なライブラリになってし
まって実用的な処理時間内には実施することができなく
なる。第2に、プロセス設計やデザインルールの小変更
があった場合、論理シミュレーションのライブラリを新
規に生成する必要があるが、生成には多大な時間を要す
ることになるのである。
Therefore, the following technical problems remain under such prior art. First, since gates and drain / source areas of custom-designed gates such as CPUs are individually different, creating a library for logic simulation for all sizes results in a large library and practical use. Cannot be performed within a typical processing time. Second, when there is a small change in process design or design rules, a new logic simulation library needs to be generated, but it takes a lot of time to generate it.

【0011】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、カスタム設計した回路をゲートレベル
でシミュレーション可能とし、この場合に、回路のレイ
アウト変更をゲートレベルのシミュレーションで概略的
な結果を高速で検証可能とし、プロセス設計やデザイン
ルールの変更にも即座に対応できるようにしたライブラ
リを提供できるシミュレーション方法およびシミュレー
ション装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to enable a custom designed circuit to be simulated at a gate level. In this case, a circuit layout change is schematically performed by a gate level simulation. It is an object of the present invention to provide a simulation method and a simulation apparatus capable of providing a library that enables a result to be verified at high speed and that can immediately respond to a change in process design or design rule.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば、遅延時間ライブラリの生成の過程においては、パラ
メタライズライブラリが各論理ゲートの入力端子の負荷
容量および駆動能力の値を素子設計パラメータ情報に基
づいた関数として設定されているので、個々の論理ゲー
トに対応したパラメータを素子設計パラメータ情報を関
数に代入して入力端子の負荷容量およびファンアウトの
値を演算するステップを経ると共に、この結果からその
論理ゲートに対応した遅延時間を求めるステップとを経
て遅延時間ライブラリを生成することができるようにな
る。
According to the first aspect of the present invention, in the process of generating the delay time library, the parameterizing library determines the values of the load capacitance and the driving capability of the input terminal of each logic gate by using element design parameters. Since the function is set as a function based on the information, the parameter corresponding to each logic gate is substituted for the element design parameter information into the function to calculate the load capacitance and the fan-out value of the input terminal. Obtaining a delay time corresponding to the logic gate from the result, to generate a delay time library.

【0013】これにより、論理シミュレーションを実施
する場合には、ネットリストに沿って遅延時間のシミュ
レーションを行なう際に、個々の論理ゲートに対応した
遅延時間は、遅延時間ライブラリに設定されている遅延
時間を用いて迅速に行なうことができる。したがって、
素子設計パラメータを変更した場合でも、トランジスタ
レベルの回路シミュレーションを経て遅延時間を求める
必要がなく、その変更したパラメータに準じた遅延時間
ライブラリを用いて論理シミュレーションを進めること
ができるようになる。
Thus, when performing a logic simulation, when simulating the delay time along the netlist, the delay time corresponding to each logic gate is set to the delay time set in the delay time library. Can be performed quickly. Therefore,
Even when the element design parameters are changed, it is not necessary to find the delay time through a transistor-level circuit simulation, and the logic simulation can be performed using a delay time library according to the changed parameters.

【0014】請求項2の発明によれば、上述の場合にお
いて、素子設計パラメータ情報として論理ゲートのレイ
アウト情報を含んでいるので、論理ゲートのレイアウト
を変更することに対してパラメタライズライブラリから
その論理ゲートの遅延時間ライブラリを迅速に求めるこ
とができるようになり、レイアウト設計の変更に対する
論理シミュレーションを迅速に行なうことができるよう
になる。
According to the second aspect of the present invention, in the above-described case, since the layout information of the logic gate is included as the element design parameter information, the change of the layout of the logic gate is performed by the parameterization library. A gate delay time library can be quickly obtained, and a logic simulation for a change in layout design can be quickly performed.

【0015】請求項3の発明によれば、素子設計パラメ
ータ情報として、論理ゲートを形成するプロセスパラメ
ータを示すプロセス情報を含んでいるので、製造プロセ
スを変更する場合などにおいて、その変更に伴う各論理
ゲートの遅延時間ライブラリを迅速に求めることができ
るようになり、プロセス設計の変更に対する論理シミュ
レーションを迅速に行なうことができるようになる。
According to the third aspect of the present invention, the device design parameter information includes process information indicating a process parameter for forming a logic gate. Therefore, when the manufacturing process is changed, each logic associated with the change is changed. A gate delay time library can be quickly obtained, and a logic simulation for a change in process design can be quickly performed.

【0016】請求項4の発明によれば、遅延時間を求め
るステップでは、論理ゲートの入力信号の傾きのデータ
およびファンアウトの関数として定義された遅延時間関
数に基づいて遅延時間を求めるので、レイアウト情報や
プロセス情報などの論理ゲートの素子設計パラメータを
変更した場合でもこれに対応した論理ゲートの入力信号
の傾きのデータおよびファンアウトの値を求めた結果か
ら、遅延時間関数に基づいて対応する論理ゲートの遅延
時間を求めて遅延時間ライブラリを得ることができるよ
うになる。
According to the fourth aspect of the present invention, in the step of obtaining the delay time, the delay time is obtained based on the slope data of the input signal of the logic gate and the delay time function defined as a function of the fan-out. Even when the element design parameters of the logic gate, such as information and process information, are changed, the corresponding logic based on the delay time function is obtained from the result of calculating the slope data and fanout value of the input signal of the logic gate corresponding to this. A delay time library can be obtained by calculating the delay time of the gate.

【0017】請求項5の発明によれば、遅延時間を求め
るステップでは、あらかじめ設定された前記論理ゲート
の入力信号の傾きのデータおよびファンアウトから決ま
る遅延時間のテーブルを参照して前記遅延時間を求める
ので、レイアウト情報やプロセス情報などの論理ゲート
の素子設計パラメータを変更した場合でもこれに対応し
た論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびファンア
ウトの値を求めた結果から、これらに対応する遅延時間
をテーブルを参照して迅速に求めて遅延時間ライブラリ
を得ることができるようになる。
According to the fifth aspect of the present invention, in the step of obtaining the delay time, the delay time is determined with reference to a preset delay time table determined from the slope data of the input signal of the logic gate and the fan-out. Even if the element design parameters of the logic gate, such as layout information and process information, are changed, from the result of calculating the slope data of the input signal of the logic gate and the value of the fanout corresponding thereto, the delay corresponding to these is obtained. The time can be obtained quickly by referring to the table to obtain a delay time library.

【0018】請求項6の発明によれば、上述の場合にお
いて、遅延時間のテーブルに設定されている入力信号の
傾きのデータあるいはファンアウトのデータに対して演
算により求められた論理ゲートの入力信号の傾きのデー
タおよびファンアウトの値がテーブル中で該当する値が
無く、例えば中間的な値を取るときには、補間処理ステ
ップにより、テーブルに設定されている値を補間して遅
延時間を求めるので、テーブルを作成するための入力信
号の傾きのデータおよびファンアウトのデータの設定間
隔を必要以上に細かくすることなく中間的な値に対応し
てより精度の高い遅延時間を求めることができるように
なる。
According to the sixth aspect of the present invention, in the above case, the input signal of the logic gate calculated by calculating the slope data or the fan-out data of the input signal set in the delay time table. When there is no corresponding value in the table for the slope data and the fanout value, for example, when the value takes an intermediate value, the interpolation processing step interpolates the value set in the table to obtain the delay time. It is possible to obtain a more accurate delay time corresponding to an intermediate value without making the setting interval of the input signal gradient data and the fan-out data for creating a table unnecessarily small. .

【0019】請求項7の発明によれば、消費電力を求め
るステップを設け、これにより、論理ゲートの入力信号
の傾きのデータおよびファンアウトを求めた結果から、
その論理ゲートに対応した消費電力を求めて消費電力ラ
イブラリを得ることができるので、遅延時間ライブラリ
と併せて同時に論理シミュレーションに用いることがで
きるようになる。また、請求項8ないし10の発明によ
れば、前述の遅延時間ライブラリの作成と同様にして消
費電力ライブラリを生成することができるようになり、
遅延時間ライブラリと併せて同時に論理シミュレーショ
ンに用いることができるようになる。
According to the seventh aspect of the present invention, there is provided a step of obtaining power consumption, whereby the data of the slope of the input signal of the logic gate and the result of obtaining the fan-out are obtained.
Since the power consumption library can be obtained by obtaining the power consumption corresponding to the logic gate, the power consumption library can be used simultaneously with the delay time library in the logic simulation. According to the eighth to tenth aspects of the present invention, a power consumption library can be generated in the same manner as the above-described generation of the delay time library.
This can be used simultaneously with the delay time library for logic simulation.

【0020】請求項11の発明によれば、修正ネットリ
スト生成ステップにおいては、論理回路のネットリスト
および対応する各論理ゲートのレイアウト情報からレイ
アウト情報を含んでなる修正ネットリストを生成するよ
うになり、仮ライブラリ生成ステップにおいては、各論
理ゲートに対するパラメタライズライブラリおよびこの
パラメタライズライブラリの各論理ゲートに対応したパ
ラメータを設定する素子設計パラメータ情報に基づいて
各論理ゲートの遅延時間に関する仮ライブラリを生成す
るようになる。
According to the eleventh aspect of the present invention, in the modified netlist generating step, a modified netlist including layout information is generated from the netlist of the logic circuit and the layout information of each corresponding logic gate. In the provisional library generation step, a provisional library relating to the delay time of each logic gate is generated based on a parameterization library for each logic gate and element design parameter information for setting parameters corresponding to each logic gate of the parameterization library. Become like

【0021】このとき、遅延時間ライブラリの生成の過
程においては、パラメタライズライブラリが各論理ゲー
トの入力端子の負荷容量および駆動能力の値を素子設計
パラメータ情報に基づいた関数として設定されているの
で、個々の論理ゲートに対応したパラメータを素子設計
パラメータ情報を関数に代入して入力端子の負荷容量お
よびファンアウトの値を演算するステップを経ると共
に、この結果からその論理ゲートに対応した遅延時間を
求めるステップとを経て遅延時間ライブラリを生成する
ことができるようになる。
At this time, in the process of generating the delay time library, the parameterized library sets the values of the load capacitance and the driving capability of the input terminal of each logic gate as functions based on the element design parameter information. Substituting the parameters corresponding to the individual logic gates into the element design parameter information into the function to calculate the load capacitance and fanout value of the input terminal, and obtaining the delay time corresponding to the logic gate from the result Through the steps, a delay time library can be generated.

【0022】これにより、続く論理シミュレーションス
テップでは、生成された修正ネットリストの内容に準じ
て仮ライブラリの遅延時間のデータを参照して論理シミ
ュレーションを実施するので、論理回路の各論理ゲート
の素子設計パラメータが変更される場合でも、トランジ
スタレベルの回路シミュレーションを経て遅延時間を求
める必要がなく、その変更したパラメータに準じた遅延
時間ライブラリを用いて論理シミュレーションを進める
ことができるようになる。
Thus, in the subsequent logic simulation step, the logic simulation is performed by referring to the delay time data of the temporary library in accordance with the contents of the generated modified netlist, so that the element design of each logic gate of the logic circuit is performed. Even when the parameter is changed, it is not necessary to obtain the delay time through the circuit simulation at the transistor level, and the logic simulation can be performed using the delay time library according to the changed parameter.

【0023】請求項12ないし20の発明によれば、前
述同様にして、遅延時間の仮ライブラリあるいは消費電
力の仮ライブラリを生成してこれを用いて修正ネットリ
ストの論理シミュレーションを行なうことができるよう
になるので、上述同様に、論理回路の各論理ゲートの素
子設計パラメータが変更される場合でも、トランジスタ
レベルの回路シミュレーションを経て遅延時間を求める
必要がなく、その変更したパラメータに準じた遅延時間
ライブラリを用いて論理シミュレーションを進めること
ができるようになる。
According to the twelfth to twentieth aspects of the present invention, a temporary library of delay time or a temporary library of power consumption can be generated in the same manner as described above, and a logical simulation of a corrected netlist can be performed using the temporary library. Therefore, as described above, even when the element design parameters of each logic gate of the logic circuit are changed, it is not necessary to obtain the delay time through a transistor-level circuit simulation, and the delay time library according to the changed parameters is not required. Can be used to perform a logic simulation.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
を論理シミュレーション装置に適用した場合の第1の実
施形態について、図1ないし図11を参照しながら説明
する。すなわち、図2は論理シミュレーション装置1の
構成を概略的に示すもので、演算処理装置2と入力装置
3および出力装置4とから構成されている。演算処理装
置2は、修正ネットリスト生成ステップを実行する修正
ネットリスト生成手段5,仮ライブラリ生成ステップを
実行する仮ライブラリ生成手段6および論理シミュレー
ションステップを実行する論理シミュレーション手段7
の機能を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment in which the present invention is applied to a logic simulation apparatus will be described below with reference to FIGS. That is, FIG. 2 schematically shows the configuration of the logic simulation apparatus 1, which comprises an arithmetic processing unit 2, an input device 3 and an output device 4. The arithmetic processing unit 2 includes a modified net list generating means 5 for executing a modified net list generating step, a temporary library generating means 6 for executing a temporary library generating step, and a logic simulation means 7 for executing a logical simulation step.
It has the function of

【0025】また、この演算処理装置2には、記憶部8
が接続されており、データの授受を行なうように構成さ
れている。この記憶部8には、パラメタライズライブラ
リを記憶するパラメタライズライブラリ記憶部9,遅延
時間および消費電力のデータを仮ライブラリとして記憶
する仮ライブラリ記憶部10,修正ネットリストを記憶
する修正ネットリスト記憶部11とが設けられている。
演算処理装置2は、演算処理に際して記憶部8の各記憶
部9〜11の情報を参照して行なうようになっている。
The arithmetic processing unit 2 has a storage unit 8
Are connected, and are configured to transmit and receive data. The storage unit 8 includes a parameterized library storage unit 9 for storing a parameterized library, a temporary library storage unit 10 for storing delay time and power consumption data as a temporary library, and a corrected netlist storage unit for storing a corrected netlist. 11 are provided.
The arithmetic processing unit 2 refers to the information in each of the storage units 9 to 11 of the storage unit 8 when performing the arithmetic processing.

【0026】パラメタライズライブラリ記憶部9に記憶
されるパラメタライズライブラリは、設計対象となる回
路に使用することが想定される論理ゲートの遅延時間お
よび消費電力のデータを素子設計パラメータ情報の関数
あるいはテーブルとして得るようにしたものが記憶され
ている。そして、このパラメタライズライブラリを利用
して、後述するように修正ネットリストに含めて記述さ
れたレイアウト情報から演算処理を行なって各論理ゲー
トに対応した遅延時間および消費電力を求めて仮ライブ
ラリが生成され、これが仮ライブラリ記憶部10に記憶
される。
The parameterized library stored in the parameterized library storage unit 9 stores data of delay time and power consumption of a logic gate assumed to be used for a circuit to be designed, as a function or table of element design parameter information. Is stored. Using this parameterized library, a temporary library is generated by calculating the delay time and power consumption corresponding to each logic gate by performing arithmetic processing from the layout information described in the modified netlist as described later. This is stored in the temporary library storage unit 10.

【0027】入力装置3は、後述するように、入力デー
タであるネットリスト12,レイアウト情報13および
プロセス情報14などが入力されるようになっており、
出力装置4は、演算処理結果として得られる遅延時間デ
ータ15や消費電力データ16が出力されるようになっ
ている。
As will be described later, the input device 3 receives input data such as a net list 12, layout information 13, and process information 14, and the like.
The output device 4 outputs delay time data 15 and power consumption data 16 obtained as a result of the arithmetic processing.

【0028】上述において、ネットリスト12は、対象
となる回路の接続態様を示すデータを記述したもので、
単位回路の入出力関係を示すものである。レイアウト情
報13は単位回路を構成するトランジスタの形状や大き
さに対応したデータを記述したもので、例えば、ゲート
幅やソース,ドレイン面積などのデータが個々に指定さ
れるものである。また、プロセス情報14は、設計対象
となる論理回路を含んだ集積回路の製造プロセスにおい
て採用されるプロセスのパラメータ情報であり、例えば
ゲート酸化膜の厚さ寸法などが指定される。
In the above description, the net list 12 describes data indicating a connection mode of a target circuit.
It shows the input / output relationship of the unit circuit. The layout information 13 describes data corresponding to the shape and size of a transistor constituting a unit circuit. For example, data such as a gate width, a source area, and a drain area are individually specified. The process information 14 is parameter information of a process adopted in a manufacturing process of an integrated circuit including a logic circuit to be designed, and specifies, for example, a thickness dimension of a gate oxide film.

【0029】次に本実施形態の作用について説明する。
図1は、論理シミュレーションの実行過程を概略的に示
す。論理シミュレーション装置1は、回路構成を記述し
たネットリスト12および回路構成の各論理ゲートのレ
イアウト情報13が入力装置3を介して入力されると、
演算処理装置2において、修正ネットリスト生成手段5
は、修正ネットリスト生成ステップS1を実行して、こ
れらからレイアウト情報を含んだネットリストを修正ネ
ットリストとして生成し、これを修正ネットリスト記憶
部11に記憶させるようになる。
Next, the operation of the present embodiment will be described.
FIG. 1 schematically shows an execution process of a logic simulation. When the netlist 12 describing the circuit configuration and the layout information 13 of each logic gate of the circuit configuration are input via the input device 3, the logic simulation apparatus 1
In the arithmetic processing unit 2, the corrected net list generating means 5
Executes a corrected netlist generation step S1 to generate a netlist including layout information from these as a corrected netlist, and to store this in the corrected netlist storage unit 11.

【0030】次に、仮ライブラリ生成手段6は、仮ライ
ブラリ生成ステップS2を実行し、上述のようにして得
られた修正ネットリストと入力装置3を介して入力され
たプロセス情報14とをパラメタライズライブラリ記憶
部9に記憶されているパラメタライズライブラリのうち
の対象となる論理ゲートを読出して、これにレイアウト
情報13およびプロセス情報14を代入して各論理ゲー
トの入力端子の負荷容量および駆動能力を求め、これら
から遅延時間のテーブルおよび消費電力のテーブルのそ
れぞれから遅延時間および消費電力を求める。必要な論
理ゲートに対してこれらを求めることにより対象となる
論理回路の遅延時間および消費電力の仮ライブラリを生
成し、これを仮ライブラリ記憶部10に記憶させる。
Next, the temporary library generation means 6 executes a temporary library generation step S2, and parameterizes the corrected netlist obtained as described above and the process information 14 inputted via the input device 3. A target logic gate of the parameterized library stored in the library storage unit 9 is read, and the layout information 13 and the process information 14 are substituted into the logic gate to determine the load capacity and the driving capacity of the input terminal of each logic gate. From these, the delay time and the power consumption are obtained from the delay time table and the power consumption table, respectively. By obtaining these for the necessary logic gates, a temporary library of the delay time and power consumption of the target logic circuit is generated, and this is stored in the temporary library storage unit 10.

【0031】この後、論理シミュレーション手段7は、
論理シミュレーションステップS3を実行するに際し
て、修正ネットリスト記憶部11に記憶されている修正
ネットリストにしたがって遅延時間および消費電力の論
理シミュレーションを実行し、このとき、各論理ゲート
の遅延時間および消費電力については仮ライブラリ記憶
部10に記憶されている遅延時間および消費電力の仮ラ
イブラリのデータを参照することにより論理シミュレー
ションを行なう。この結果、出力装置4を介して、対象
となる論理回路の遅延時間のデータ15および消費電力
のデータ16を得ることができるようになる。
After that, the logic simulation means 7
When executing the logic simulation step S3, a logic simulation of delay time and power consumption is executed in accordance with the corrected netlist stored in the corrected netlist storage unit 11. At this time, the delay time and power consumption of each logic gate are determined. Performs a logic simulation by referring to the temporary library data of the delay time and the power consumption stored in the temporary library storage unit 10. As a result, the delay time data 15 and the power consumption data 16 of the target logic circuit can be obtained via the output device 4.

【0032】さて、次に、上述のような論理シミュレー
ションの実施をすることについて、図3に示すような論
理回路を例にとり、以下、これを論理シミュレーション
する場合の内容について具体的に説明する。まず、図3
の論理回路21について簡単に説明する。入力端子A,
B,Cを備え、出力端子はYO,YBを備えている。2
入力のNAND回路22は、出力端子N1を備え、各入
力端子に入力端子A,Bが接続されている。同じく2入
力のNAND回路23は、各入力端子にNAND回路2
2の出力端子N1および入力端子Cが接続され、出力端
子はYOに接続されている。INV(インバータ;負論
理積)回路24は、入力端子にNAND回路22の出力
端子N1が接続され、出力端子はYBに接続されてい
る。
Next, the above-described logic simulation will be described with reference to the logic circuit shown in FIG. 3 as an example, and the contents of the logic simulation will be described in detail below. First, FIG.
The logic circuit 21 will be briefly described. Input terminal A,
B and C, and output terminals YO and YB. 2
The input NAND circuit 22 has an output terminal N1, and input terminals A and B are connected to each input terminal. Similarly, a two-input NAND circuit 23 includes a NAND circuit 2 at each input terminal.
2, the output terminal N1 and the input terminal C are connected, and the output terminal is connected to YO. The INV (inverter; negative logical product) circuit 24 has an input terminal connected to the output terminal N1 of the NAND circuit 22, and an output terminal connected to YB.

【0033】上記した構成をネットリストとして記述し
たのが図4である。すなわち、このネットリストにおい
ては各行毎にセルの名称(G1〜G3),出力端子およ
び入力端子の指定,セルの種類が記述されている。この
場合においては、第1のセルG1と第2のセルG2と
は、共に同じ論理演算を行なうNAND回路22,23
が対応している。なお、「NAND2」として示したの
は、NAND回路22,23のように2入力のNAND
回路を示すものである。
FIG. 4 describes the above configuration as a netlist. That is, in this netlist, cell names (G1 to G3), designation of output terminals and input terminals, and types of cells are described for each row. In this case, first cell G1 and second cell G2 are both NAND circuits 22 and 23 performing the same logical operation.
Is supported. Note that what is shown as “NAND2” is a two-input NAND circuit like the NAND circuits 22 and 23.
2 shows a circuit.

【0034】次に、図5はレイアウト情報13およびプ
ロセス情報14として入力する場合におけるパラメータ
となる対象を示すもので、ここでは論理ゲートを構成す
るMOSFETの構成を示している。同図(a)は平面
図を示し、同図(b)は模式的な断面図を示している。
図示のMOSFETは、ソース・ドレインの拡散領域間
にゲート酸化膜を介してポリシリコンなどからなるゲー
ト電極が形成されている。
Next, FIG. 5 shows an object to be a parameter when inputting as the layout information 13 and the process information 14. Here, the configuration of the MOSFET forming the logic gate is shown. FIG. 1A shows a plan view, and FIG. 1B shows a schematic sectional view.
In the illustrated MOSFET, a gate electrode made of polysilicon or the like is formed between a source / drain diffusion region via a gate oxide film.

【0035】レイアウト情報13はMOSFETの形状
や大きさに対応したデータを記述したもので、例えば、
ゲート幅Wやソース,ドレイン面積Adなどのデータを
指定する。また、プロセス情報14は、MOSFETの
製造プロセスにおいて採用されるプロセスのパラメータ
情報であり、例えばゲート酸化膜Toxの厚さ寸法を指
定する。
The layout information 13 describes data corresponding to the shape and size of the MOSFET.
Data such as the gate width W and the source and drain areas Ad are specified. The process information 14 is parameter information of a process adopted in the manufacturing process of the MOSFET, and specifies, for example, a thickness dimension of the gate oxide film Tox.

【0036】図6(a)は、上述の図5(a)に示した
レイアウト情報を記述した例を示すもので、前述した図
4のネットリストに記述している各論理ゲートG1〜G
3(NAND回路22,23,INV回路24)に対応
した各部のレイアウトデータを示している。この場合、
NAND回路22では4つのMOSFETを用いている
ことから、各MOSFETのゲート幅W1〜W4の寸法
(μmをuで示す)と面積Ad1〜Ad4の大きさ(p
をpで示す)。同様にしてNAND回路23のレイ
アウト情報がG2に記述され、INV回路24のレイア
ウト情報がG3に記述されている。一方、図6(b)
は、図5(b)におけるゲート酸化膜の膜厚Toxをプ
ロセス情報として記述しており、ここでは、膜厚をnm
単位で記述している。
FIG. 6A shows an example in which the layout information shown in FIG. 5A is described. Each of the logic gates G1 to G described in the netlist of FIG.
3 shows the layout data of each unit corresponding to No. 3 (NAND circuits 22, 23, INV circuit 24). in this case,
Since the NAND circuit 22 uses four MOSFETs, the dimensions of the gate widths W1 to W4 (μm is indicated by u) and the sizes of the areas Ad1 to Ad4 (p
the m 2 indicated by p). Similarly, the layout information of the NAND circuit 23 is described in G2, and the layout information of the INV circuit 24 is described in G3. On the other hand, FIG.
Describes the thickness Tox of the gate oxide film in FIG. 5B as process information.
It is described in units.

【0037】さて、上述のようなネットリスト12,レ
イアウト情報13およびプロセス情報14が入力装置3
を介して入力されると、前述したように演算処理装置2
においては、修正ネットリスト生成手段5により、レイ
アウト情報を含んだネットリストを生成して修正ネット
リストとして出力する(修正ネットリスト生成ステップ
S1)。この修正ネットリストは、例えば図7に示すよ
うな記述例となる。すなわち、前述した図4のネットリ
ストに図6に示したレイアウト情報を合成し、セルの種
類を固有にしたものとして生成するのである(図中で
は、NAND201,NAND202あるいはINV0
1として記述している)。このようにして生成された修
正ネットリストは、修正ネットリスト記憶部11に記憶
保持されるようになる。
Now, the net list 12, layout information 13 and process information 14 as described above are input to the input device 3.
Is input through the arithmetic processing unit 2 as described above.
In, the corrected netlist generating means 5 generates a netlist including the layout information and outputs the generated netlist as a corrected netlist (corrected netlist generation step S1). This modified netlist is, for example, a description example as shown in FIG. That is, the layout information shown in FIG. 6 is combined with the above-described netlist of FIG. 4 to generate a cell type unique to the cell type (in the figure, NAND201, NAND202 or INV0).
1). The corrected netlist generated in this manner is stored and held in the corrected netlist storage unit 11.

【0038】次に、仮ライブラリ生成手段6は、仮ライ
ブラリ生成ステップS2を実行して遅延時間の仮ライブ
ラリおよび消費電力の仮ライブラリを生成する。これ
は、まず、パラメタライズライブラリ記憶部9に記憶さ
れているパラメタライズライブラリを読出して、パラメ
ータとして設定しているデータを入力する。
Next, the temporary library generation means 6 executes a temporary library generation step S2 to generate a temporary library of delay time and a temporary library of power consumption. First, the parameterization library stored in the parameterization library storage unit 9 is read, and data set as parameters is input.

【0039】パラメタライズライブラリは例えば図8に
示すような記述がなされており、2入力NAND回路の
モジュールやINV回路のモジュールのそれぞれについ
て修正ネットリストの各論理ゲートG1〜G3に対応し
て関数を計算する。関数は、例えば入力信号の配線に負
荷される全容量値Cx,Cy,前段論理ゲートの駆動能
力R,消費電力Pwおよび遅延時間Tdなどが設定され
ており、これらに前述の修正ネットリストに記述された
レイアウト情報およびプロセス情報を代入して演算す
る。
The parameterization library is described, for example, as shown in FIG. 8, and a function corresponding to each of the logic gates G1 to G3 in the modified net list is described for each of the two-input NAND circuit module and the INV circuit module. calculate. The function is set with, for example, the total capacitance values Cx and Cy loaded on the wiring of the input signal, the driving capability R of the preceding logic gate, the power consumption Pw, the delay time Td, and the like. The operation is performed by substituting the layout information and the process information thus obtained.

【0040】次に、各NAND22,23毎に入力信号
の立ち上がり時間TriとファンアウトFOを計算す
る。入力信号の立ち上がり時間Triは、その入力信号
の配線に負荷される全容量値と前段ゲートの駆動能力と
の積で求める。図3に示した論理回路21のNAND回
路22については、入力端子X(NAND回路22の出
力端子に接続された入力端子)の立ち上がり時間をTr
i(23)とすると、NAND回路23の入力端子の負
荷容量をCx(23),INV回路24の入力端子の負
荷容量をCx(24),NAND回路22の駆動能力を
R(22)と表すことにすると、 Tri(23)=[Cx(23)+Cx(24)]×R
(22) で得ることができる。各NAND回路22,23の他の
端子についても同様にして入力信号の立ち上がり時間T
riを求めることができる。
Next, the rise time Tri and the fan-out FO of the input signal are calculated for each of the NANDs 22 and 23. The rise time Tri of the input signal is determined by the product of the total capacitance value applied to the wiring of the input signal and the driving capability of the preceding gate. For the NAND circuit 22 of the logic circuit 21 shown in FIG. 3, the rise time of the input terminal X (the input terminal connected to the output terminal of the NAND circuit 22) is represented by Tr
Assuming that i (23), the load capacitance of the input terminal of the NAND circuit 23 is represented by Cx (23), the load capacitance of the input terminal of the INV circuit 24 is represented by Cx (24), and the driving capability of the NAND circuit 22 is represented by R (22). That is, Tri (23) = [Cx (23) + Cx (24)] × R
(22) can be obtained. Similarly, the rising time T of the input signal is applied to the other terminals of the NAND circuits 22 and 23.
ri can be obtained.

【0041】次に、ファンアウトの値の計算は、各論理
ゲートの出力信号の配線に負荷される全容量値として表
されるから、例えば、NAND回路22のファンアウト
FO(22)は、 FO(22)=Cx(23)+Cx(24) として得ることができる。他の論理ゲートの端子につい
ても同様に計算することができる。
Next, since the calculation of the fan-out value is expressed as the total capacitance value applied to the wiring of the output signal of each logic gate, for example, the fan-out FO (22) of the NAND circuit 22 is (22) = Cx (23) + Cx (24) The same calculation can be performed for the terminals of other logic gates.

【0042】ここで、パラメタライズライブラリ記憶部
9に記憶されているパラメタライズライブラリには、上
述の計算に用いた入力端子の負荷容量Cxや駆動能力R
などの値については、レイアウト情報13やプロセス情
報14の各素子設計パラメータに対応したデータをパラ
メータとした関数として表現されており、したがって、
これらのデータを用いて求めることができる。
Here, the parameterized library stored in the parameterized library storage unit 9 includes the load capacitance Cx and the driving capability R of the input terminal used in the above-described calculation.
Are expressed as functions using data corresponding to each element design parameter of the layout information 13 and the process information 14 as a parameter.
It can be determined using these data.

【0043】さて、パラメタライズライブラリ記憶部9
内には、あらかじめ図10,図11に示すような消費電
力Pwおよび遅延時間Tdのテーブルが記憶されてい
る。これらは、消費電力Pwおよび遅延時間Tdの値を
それぞれ入力端子の立ち上がり時間Triおよびファン
アウトFOの値から求めるように構成されており、上述
のようにして計算により得られた入力端子の立ち上がり
時間TriおよびファンアウトFOの値に基づいてテー
ブルを参照して消費電力Pwおよび遅延時間Tdを求め
る。なお、このテーブルに記述されている消費電力Pw
および遅延時間Tdのデータは、あらかじめ回路シミュ
レーションなどによって求めたもので、必要な程度の適
宜のデータ間隔で区切って計算したものである。
Now, the parameterized library storage unit 9
Tables of power consumption Pw and delay time Td as shown in FIGS. 10 and 11 are stored in advance. These are configured to obtain the values of the power consumption Pw and the delay time Td from the values of the rise time Tri and the fan-out FO of the input terminal, respectively, and the rise time of the input terminal obtained by the calculation as described above. The power consumption Pw and the delay time Td are obtained by referring to the table based on the values of Tri and the fan-out FO. The power consumption Pw described in this table
The data of the delay time Td is obtained in advance by a circuit simulation or the like, and is calculated by dividing the data at necessary data intervals.

【0044】この場合、テーブルに記述されている立ち
上がり時間Triの値あるいはファンアウトFOの値に
対して、計算により得られた値が直接該当するものがな
く、それらの中間的な値をとる場合があるが、このとき
には、計算により得られた値の両側のテーブルの値に対
して直線的に内挿して対応する消費電力Pw,遅延時間
Tdを補間する。立ち上がり時間Triおよびファンア
ウトFOの両者について補間する場合には、いわゆる面
補間を行なうことで中間的な値にも対応して計算するこ
とにより、より精度の高い消費電力Pwおよび遅延時間
Tdの値を得ることができる。
In this case, the value obtained by the calculation does not directly correspond to the value of the rising time Tri or the value of the fan-out FO described in the table, and an intermediate value between them is taken. At this time, the values of the tables on both sides of the value obtained by the calculation are linearly interpolated to interpolate the corresponding power consumption Pw and delay time Td. In the case of interpolating both the rise time Tri and the fan-out FO, so-called surface interpolation is performed to calculate even an intermediate value, thereby obtaining more accurate values of the power consumption Pw and the delay time Td. Can be obtained.

【0045】このようにして各論理ゲートに対して消費
電力Pwおよび遅延時間Tdを求めると、これにより、
図9に示すような各論理ゲート毎に対応した消費電力P
wおよび遅延時間Tdのライブラリを得ることができ、
仮ライブラリ生成手段6は、これを仮ライブラリとして
仮ライブラリ記憶部10に記憶させるようになる。
When the power consumption Pw and the delay time Td are obtained for each logic gate in this manner,
Power consumption P corresponding to each logic gate as shown in FIG.
w and the delay time Td can be obtained,
The temporary library generating means 6 causes the temporary library storage unit 10 to store the temporary library as a temporary library.

【0046】次に、論理シミュレーション手段7は、論
理シミュレーションステップS3を実施し、修正ネット
リスト記憶部11に記憶されている修正ネットリストお
よび仮ライブラリ記憶部10に記憶されている仮ライブ
ラリの消費電力Pwおよび遅延時間Tdのライブラリの
各データを参照して論理シミュレーションを行なうよう
になる。これにより、通常の論理シミュレーションと同
様にして、仮ライブラリの遅延時間Tdを用いて論理回
路21全体の遅延時間を求め、これによって全体のイベ
ント数が確認された後、消費電力を計算することで遅延
時間データ15および消費電力データ16を得ることが
できるようになる。
Next, the logic simulation means 7 carries out a logic simulation step S 3, and the power consumption of the corrected netlist stored in the corrected netlist storage unit 11 and the temporary library stored in the temporary library storage unit 10. The logic simulation is performed with reference to each data of the library of Pw and the delay time Td. As a result, the delay time of the entire logic circuit 21 is obtained using the delay time Td of the temporary library in the same manner as in the normal logic simulation, and after the total number of events is confirmed, the power consumption is calculated. The delay time data 15 and the power consumption data 16 can be obtained.

【0047】このような本実施形態によれば、論理回路
の設計に当たって、各論理ゲートを構成するレイアウト
情報やプロセス情報などの素子設計パラメータ情報が変
更される場合に、これらの変更に基づいた遅延時間およ
び消費電力の仮ライブラリをパラメタライズライブラリ
に基づいて生成した後に論理シミュレーションを実行す
るので、素子設計パラメータの変更に伴う回路シミュレ
ーションなどの実施で遅延時間や消費電力を求める従来
の方法と異なり、計算精度はこれには及ばないものの迅
速且に比較的精度の高い論理シミュレーションを実施す
ることができるようになる。
According to this embodiment, when the element design parameter information such as the layout information and the process information constituting each logic gate is changed in designing the logic circuit, the delay based on these changes is considered. Since the logic simulation is performed after the temporary library of time and power consumption is generated based on the parameterized library, unlike the conventional method of obtaining delay time and power consumption by performing circuit simulation etc. according to the change of element design parameters, Although the calculation accuracy is not so high, a logic simulation with relatively high accuracy can be quickly and quickly performed.

【0048】また、これによって、同一の論理ゲートで
あっても多種のレイアウト情報を有するカスタム設計の
論理回路構成においても、これらに個々に対応してあら
かじめライブラリを生成しておく必要がなく、各論理回
路の論理シミュレーション毎に必要なライブラリを仮ラ
イブラリとして生成することができるので、ライブラリ
を肥大化させることなく、且つレイアウト情報を記述す
るだけの簡単な方法により論理シミュレーションを実現
することができるようになる。
In addition, even in the case of the same logic gate, even in the case of a custom-designed logic circuit configuration having various types of layout information, it is not necessary to generate a library corresponding to each of them in advance. Since a library required for each logic simulation of a logic circuit can be generated as a temporary library, the logic simulation can be realized by a simple method of describing layout information without increasing the size of the library. become.

【0049】なお、上記実施形態において説明した仮ラ
イブラリは、一般的な回路シミュレーションにより得ら
れる遅延時間や消費電力のデータに比べると、迅速且つ
簡便に行なう関係で精度的にはやや低下する場合があ
る。しかし、この点については、計算する手法をより詳
細にすることや、実際の特性に則したものに設定するこ
とで改善することが可能である。これは、要求されてい
る論理シミュレーションの精度や所要時間との関係もあ
るが、一律に回路シミュレーションを必要とする従来の
ものに比べると、本実施形態のものにおいては、目的と
する精度に対応して選択的に論理シミュレーションを実
施することができる点で設計の変更に対する自由度が高
められるようになる。
Note that the temporary library described in the above embodiment may be slightly reduced in accuracy due to the quick and simple operation compared to the data of delay time and power consumption obtained by general circuit simulation. is there. However, it is possible to improve this point by making the calculation method more detailed or by setting it in accordance with the actual characteristics. This has a relationship with the required accuracy of the logic simulation and the required time. However, compared with the conventional one which requires a circuit simulation uniformly, the one of the present embodiment corresponds to the desired accuracy. Thus, the degree of freedom for design changes can be increased in that the logic simulation can be selectively performed.

【0050】(第2の実施形態)図12は、本発明の第
2の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なると
ころは、実際に論理シミュレーションを実施することと
は別途に仮ライブラリを生成するようにしたところであ
る。すなわち、装置の構成としては第1の実施形態にお
けるものと同様のもので、論理シミュレーション手段7
を用いないで仮ライブラリを生成するところまでを実施
するようにしたものである。
(Second Embodiment) FIG. 12 shows a second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that a temporary execution is performed separately from the actual execution of the logic simulation. I have just created a library. That is, the configuration of the device is the same as that in the first embodiment,
The process up to the point at which a temporary library is generated without using the above is performed.

【0051】図12に示しているように、あらかじめ素
子設計パラメータ情報として各論理ゲートに使用するレ
イアウト情報13やプロセス情報14を入力すると、仮
ライブラリ生成手段6により仮ライブラリ生成ステップ
S2aが実行される。仮ライブラリの生成にあたって
は、第1の実施形態と同様にして計算を行なうが、この
とき、修正ネットリストを用いないで、直接レイアウト
情報13を参照して各パラメータを演算する。これによ
り、前述した図8に示したパラメタライズライブラリの
記述を参照して図9に示したような仮ライブラリを生成
する。
As shown in FIG. 12, when layout information 13 and process information 14 to be used for each logic gate are input in advance as element design parameter information, the temporary library generating means 6 executes a temporary library generating step S2a. . When the temporary library is generated, calculation is performed in the same manner as in the first embodiment. At this time, each parameter is calculated by directly referring to the layout information 13 without using the modified netlist. Thereby, a temporary library as shown in FIG. 9 is generated with reference to the description of the parameterized library shown in FIG.

【0052】これにより、レイアウトやプロセスなどの
素子設計パラメータの変更に伴うライブラリの変更を行
なった場合でも、迅速且つ一定の精度で変更に対応した
ライブラリを生成することができるようになる。この結
果、変更後のレイアウトやプロセスによって設計した論
理回路に対する論理シミュレーションを迅速に行なうこ
とができるようになる。
As a result, even when the library is changed in accordance with the change of the element design parameters such as the layout and the process, a library corresponding to the change can be generated quickly and with a certain accuracy. As a result, it is possible to quickly perform a logic simulation on a logic circuit designed by the changed layout or process.

【0053】また、あらかじめ論理回路に対応して上述
のようにして仮ライブラリを生成することにより、一般
的な論理シミュレーションの装置を使用する場合でも、
得られた仮ライブラリのデータを用いることで迅速に論
理シミュレーションを実施することができるようにな
る。
Further, by generating a temporary library as described above corresponding to a logic circuit in advance, even when a general logic simulation apparatus is used,
By using the obtained data of the temporary library, a logic simulation can be quickly performed.

【0054】本発明は、上記実施形態にのみ限定される
ものではなく、次のように変形また拡張できる。消費電
力及び遅延時間を求める際に、テーブルを用いて行なう
構成としたが、入力信号の立ち上がり時間およびファン
アウトを含んだ関数を記述してこれにパラメータデータ
を代入することにより求める構成としても良いし、適当
な条件文を設定してこれらの条件を満たす領域のデータ
として求めるようにした構成としても良い。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified or expanded as follows. The power consumption and the delay time are determined using a table, but may be determined by describing a function including a rise time and a fanout of an input signal and substituting parameter data into the function. Alternatively, an appropriate conditional statement may be set to obtain data of an area satisfying these conditions.

【0055】遅延時間に加えて消費電力を計算する論理
シミュレーションに適用した場合について説明したが、
消費電力のデータを必要としない場合には遅延時間のみ
について求めるようにしても良い。第1の実施形態にお
いては、仮ライブラリ生成ステップを別途に設けてこれ
を仮ライブラリ記憶部10に記憶させる構成としなくと
も、論理シミュレーションのステップ中で同時に仮ライ
ブラリを生成しながら得られたライブラリデータを用い
て行なうようにしても良い。
The case where the present invention is applied to the logic simulation for calculating the power consumption in addition to the delay time has been described.
If the data of the power consumption is not required, the data may be obtained only for the delay time. In the first embodiment, even if a temporary library generation step is not separately provided and the temporary library generation step is stored in the temporary library storage unit 10, the library data obtained while simultaneously generating the temporary library during the logic simulation step is obtained. May be used.

【0056】レイアウト情報13やプロセス情報14と
して用いる素子設計パラメータの種類としては、上記し
たもの以外に、レイアウト情報としてゲート長,ドレイ
ン・ソース周囲長などのパラメータを組み入れることが
できるし、プロセス情報として接合容量,配線層数,チ
ャネルの移動度,コンタクト抵抗あるいはSPICEパ
ラメータなどのパラメータを組み入れることができ、遅
延時間や消費電力の値に影響を及ぼすと想定されるパラ
メータを適宜導入することができる。
As the types of the element design parameters used as the layout information 13 and the process information 14, in addition to the above, parameters such as the gate length and the drain / source peripheral length can be incorporated as the layout information. Parameters such as the junction capacitance, the number of wiring layers, the mobility of the channel, the contact resistance, and the SPICE parameters can be incorporated, and parameters that are expected to affect the values of the delay time and the power consumption can be appropriately introduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を示す処理手順の概略
的な流れ図
FIG. 1 is a schematic flowchart of a processing procedure according to a first embodiment of the present invention;

【図2】概略的なブロック構成図FIG. 2 is a schematic block diagram.

【図3】論理シミュレーションの具体例として用いた論
理回路の構成図
FIG. 3 is a configuration diagram of a logic circuit used as a specific example of a logic simulation;

【図4】ネットリストの記述例FIG. 4 is a description example of a netlist

【図5】レイアウト情報およびプロセス情報のパラメー
タを説明するためのMOSFETの構成図
FIG. 5 is a configuration diagram of a MOSFET for explaining parameters of layout information and process information.

【図6】レイアウト情報およびプロセス情報の記述例FIG. 6 is a description example of layout information and process information.

【図7】修正ネットリストの記述例FIG. 7 is a description example of a modified netlist

【図8】パラメタライズライブラリの記述例FIG. 8 is a description example of a parameterizing library.

【図9】遅延時間および消費電力の仮ライブラリの記述
FIG. 9 is a description example of a temporary library of delay time and power consumption.

【図10】消費電力のテーブルFIG. 10 is a table of power consumption.

【図11】遅延時間のテーブルFIG. 11 is a table of delay time.

【図12】本発明の第2の実施形態を示す図1相当図FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 1, showing a second embodiment of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1は論理シミュレーション装置、2は演算処理装置、3
は入力装置、4は出力装置、5は修正ネットリスト生成
手段、6は仮ライブラリ生成手段、7は論理シミュレー
ション手段、8は記憶部、9はパラメタライズライブラ
リ記憶部、10は仮ライブラリ記憶部、11は修正ネッ
トリスト記憶部、12はネットリスト、13はレイアウ
ト情報、14はプロセス情報、15は遅延時間データ、
16は消費電力データ、21は論理回路、22,23は
NAND(負論理積)回路、24はINV(反転)回路
である。
1 is a logic simulation device, 2 is an arithmetic processing device, 3
Is an input device, 4 is an output device, 5 is a corrected net list generating unit, 6 is a temporary library generating unit, 7 is a logic simulation unit, 8 is a storage unit, 9 is a parameterized library storage unit, 10 is a temporary library storage unit, 11 is a corrected net list storage unit, 12 is a net list, 13 is layout information, 14 is process information, 15 is delay time data,
16 is power consumption data, 21 is a logic circuit, 22 and 23 are NAND (negative AND) circuits, and 24 is an INV (inversion) circuit.

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 論理ゲートレベルのパラメタライズライ
ブラリおよびこのパラメタライズライブラリの各論理ゲ
ートに対応したパラメータを設定する素子設計パラメー
タ情報に基づいて前記各論理ゲートの遅延時間ライブラ
リを生成するライブラリ生成方法において、 前記パラメタライズライブラリは、前記各論理ゲートの
入力端子の負荷容量および駆動能力の値を前記素子設計
パラメータ情報に基づいた関数として設定されており、 前記遅延時間ライブラリの生成の過程においては、前記
パラメタライズライブラリによる前記入力端子の負荷容
量および駆動能力から前記論理ゲートの入力信号の傾き
のデータおよびファンアウトを演算するステップと、演
算により求められた入力信号の傾きとファンアウトとか
らその論理ゲートに対応した前記遅延時間を求めるステ
ップとを実行して前記遅延時間ライブラリを生成するこ
とを特徴とするライブラリ生成方法。
1. A library generating method for generating a delay time library for each logic gate based on a parameterization library at a logic gate level and element design parameter information for setting parameters corresponding to each logic gate of the parameterization library. In the parameterization library, the values of the load capacitance and the driving capability of the input terminal of each of the logic gates are set as a function based on the element design parameter information. In the process of generating the delay time library, Calculating the slope data and the fanout of the input signal of the logic gate from the load capacitance and the driving ability of the input terminal by the parameterization library; and calculating the logic gate from the slope and the fanout of the input signal obtained by the calculation. Corresponding to Library generation method characterized by generating the delay time libraries by performing the determining a serial delay time.
【請求項2】 請求項1に記載のライブラリ生成方法に
おいて、 前記素子設計パラメータ情報は、前記論理ゲートのレイ
アウト情報を含んでいることを特徴とするライブラリ生
成方法。
2. The library generation method according to claim 1, wherein the element design parameter information includes layout information of the logic gate.
【請求項3】 請求項1または2に記載のライブラリ生
成方法において、 前記素子設計パラメータ情報は、前記論理ゲートを形成
するプロセスパラメータを示すプロセス情報を含んでい
ることを特徴とするライブラリ生成方法。
3. The library generation method according to claim 1, wherein the element design parameter information includes process information indicating a process parameter for forming the logic gate.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載のラ
イブラリ生成方法において、 前記遅延時間を求めるステップでは、前記論理ゲートの
入力信号の傾きのデータおよびファンアウトの関数とし
て定義された遅延時間関数に基づいて前記遅延時間を求
めることを特徴とするライブラリ生成方法。
4. The library generation method according to claim 1, wherein in the step of obtaining the delay time, the delay time defined as a function of a slope data and a fan-out of an input signal of the logic gate. A library generation method, wherein the delay time is obtained based on a function.
【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかに記載のラ
イブラリ生成方法において、 前記遅延時間を求めるステップでは、あらかじめ設定さ
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトから決まる遅延時間のテーブルを参照して前
記遅延時間を求めることを特徴とするライブラリ生成方
法。
5. The library generation method according to claim 1, wherein in the step of obtaining the delay time, the delay time determined from preset slope data of the input signal of the logic gate and fan-out. A library generation method, wherein the delay time is obtained by referring to the table of (1).
【請求項6】 請求項5に記載のライブラリ生成方法に
おいて、 前記遅延時間を求めるステップでは、前記遅延時間のテ
ーブルに設定されている入力信号の傾きのデータあるい
はファンアウトのデータに対して前記演算により求めら
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトの値が直接該当しないときに前記テーブルに
設定されている値を補間して前記遅延時間を求めるよう
にした補間処理ステップを含んでいることを特徴とする
ライブラリ生成方法。
6. The library generation method according to claim 5, wherein, in the step of obtaining the delay time, the calculation is performed on the slope data or the fan-out data of the input signal set in the delay time table. When the data of the slope of the input signal of the logic gate and the value of the fanout obtained by the above are not directly applicable, the value set in the table is interpolated to obtain the delay time. A library generation method.
【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかに記載のラ
イブラリ生成方法において、 前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびファン
アウトを演算するステップにより求められた入力信号の
傾きとファンアウトのデータからその論理ゲートに対応
した消費電力を求めるステップを設け、消費電力ライブ
ラリを生成することを特徴とするライブラリ生成方法。
7. The library generation method according to claim 1, wherein the slope of the input signal and the fanout of the input signal obtained by the step of calculating the data of the slope of the input signal of the logic gate and the fanout are calculated. A method for generating a power consumption library, comprising the step of obtaining power consumption corresponding to a logic gate from data, and generating a power consumption library.
【請求項8】 請求項7に記載のライブラリ生成方法に
おいて、 前記消費電力を求めるステップでは、前記論理ゲートの
入力信号の傾きのデータおよびファンアウトの関数とし
て定義された消費電力関数に基づいて前記消費電力を求
めることを特徴とするライブラリ生成方法。
8. The library generation method according to claim 7, wherein, in the step of obtaining the power consumption, the power consumption function defined as a function of fan-out and data of a slope of an input signal of the logic gate. A library generation method characterized by calculating power consumption.
【請求項9】 請求項7または8に記載のライブラリ生
成方法において、 前記消費電力を求めるステップでは、あらかじめ設定さ
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトから決まる消費電力のテーブルを参照して前
記消費電力を求めることを特徴とするライブラリ生成方
法。
9. The library generation method according to claim 7, wherein in the step of obtaining the power consumption, a power consumption table determined from a preset slope data of an input signal of the logic gate and a fanout is set. A library generation method, wherein the power consumption is obtained by referring to the power consumption.
【請求項10】 請求項9に記載のライブラリ生成方法
において、 前記消費電力を求めるステップでは、前記消費電力のテ
ーブルに設定されている入力信号の傾きのデータあるい
はファンアウトのデータに対して前記演算により求めら
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトの値が直接該当しないときに前記テーブルに
設定されている値を補間して前記消費電力を求めるよう
にした補間処理ステップを含んでいることを特徴とする
ライブラリ生成方法。
10. The library generation method according to claim 9, wherein, in the step of obtaining the power consumption, the calculation is performed on the data of the slope of the input signal or the data of the fan-out set in the table of the power consumption. When the data of the slope of the input signal of the logic gate and the value of the fanout obtained by the above are not directly applicable, the power consumption is obtained by interpolating the value set in the table. A library generation method.
【請求項11】 論理回路のネットリストおよび論理ゲ
ートレベルに対応して設定された遅延時間ライブラリに
基づいて論理シミュレーションを実施して前記論理回路
の遅延時間を計算するシミュレーション方法において、 前記論理回路のネットリストおよび対応する各論理ゲー
トのレイアウト情報からレイアウト情報を含んでなる修
正ネットリストを生成する修正ネットリスト生成ステッ
プと、 前記各論理ゲートに対するパラメタライズライブラリお
よびこのパラメタライズライブラリの各論理ゲートに対
応したパラメータを設定する素子設計パラメータ情報に
基づいて前記各論理ゲートの遅延時間に関する仮ライブ
ラリを生成する仮ライブラリ生成ステップと、 前記修正ネットリストおよび前記仮ライブラリに基づい
て前記論理シミュレーションを実施して前記論理回路の
遅延時間を計算する論理シミュレーションステップとを
備え、 前記パラメタライズライブラリは、前記各論理ゲートの
入力端子の負荷容量および駆動能力の値を前記素子設計
パラメータ情報に基づいた関数として設定されており、 前記遅延時間の仮ライブラリの生成の過程においては、
前記パラメタライズライブラリによる前記入力端子の負
荷容量および駆動能力から前記論理ゲートの入力信号の
傾きのデータおよびファンアウトを演算するステップ
と、演算により求められた入力信号の傾きとファンアウ
トとからその論理ゲートに対応した前記遅延時間を求め
るステップとを実行して前記遅延時間の仮ライブラリを
生成することを特徴とするシミュレーション方法。
11. A simulation method for calculating a delay time of a logic circuit by performing a logic simulation based on a delay time library set corresponding to a netlist and a logic gate level of the logic circuit, A modified netlist generating step of generating a modified netlist including layout information from the netlist and the layout information of each of the corresponding logic gates; and a parameterization library for each of the logic gates and a corresponding logic gate of the parameterization library. A temporary library generating step of generating a temporary library related to the delay time of each of the logic gates based on element design parameter information for setting the adjusted parameters; and the logical simulation based on the corrected netlist and the temporary library. A logic simulation step of calculating a delay time of the logic circuit by performing a simulation.The parameterization library calculates a value of a load capacitance and a driving capability of an input terminal of each of the logic gates based on the element design parameter information. In the process of generating the temporary library of the delay time,
Calculating the data and the fanout of the slope of the input signal of the logic gate from the load capacitance and the driving ability of the input terminal by the parameterization library; and calculating the logic from the slope and the fanout of the input signal obtained by the calculation. Calculating the delay time corresponding to a gate to generate a temporary library of the delay time.
【請求項12】 請求項11に記載のシミュレーション
方法において、 前記素子設計パラメータ情報は、前記論理ゲートのレイ
アウト情報を含んでいることを特徴とするシミュレーシ
ョン方法。
12. The simulation method according to claim 11, wherein the element design parameter information includes layout information of the logic gate.
【請求項13】 請求項11または12に記載のシミュ
レーション方法において、 前記素子設計パラメータ情報は、前記論理ゲートを形成
するプロセスパラメータを示すプロセス情報を含んでい
ることを特徴とするシミュレーション方法。
13. The simulation method according to claim 11, wherein the element design parameter information includes process information indicating a process parameter for forming the logic gate.
【請求項14】 請求項11ないし13のいずれかに記
載のシミュレーション方法において、 前記遅延時間を求めるステップでは、前記論理ゲートの
入力信号の傾きのデータおよびファンアウトの関数とし
て定義された遅延時間関数に基づいて前記遅延時間を求
めることを特徴とするシミュレーション方法。
14. The simulation method according to claim 11, wherein in the step of obtaining the delay time, a delay time function defined as a function of a slope data and a fan-out of an input signal of the logic gate. A simulation method, wherein the delay time is obtained based on the following.
【請求項15】 請求項11ないし13のいずれかに記
載のシミュレーション方法において、 前記遅延時間を求めるステップでは、あらかじめ設定さ
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトから決まる遅延時間のテーブルを参照して前
記遅延時間を求めることを特徴とするシミュレーション
方法。
15. The simulation method according to claim 11, wherein, in the step of obtaining the delay time, the delay time determined from a preset slope data of the input signal of the logic gate and a fanout is set. A simulation method, wherein the delay time is obtained by referring to a table.
【請求項16】 請求項15に記載のシミュレーション
方法において、 前記遅延時間を求めるステップでは、前記遅延時間のテ
ーブルに設定されている入力信号の傾きのデータあるい
はファンアウトのデータに対して前記演算により求めら
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトの値が直接該当しないときに前記テーブルに
設定されている値を補間して前記遅延時間を求めるよう
にした補間処理ステップを含んでいることを特徴とする
シミュレーション方法。
16. The simulation method according to claim 15, wherein, in the step of obtaining the delay time, the calculation is performed on the slope data or the fan-out data of the input signal set in the delay time table. An interpolation processing step of interpolating the value set in the table and obtaining the delay time when the obtained data of the slope of the input signal of the logic gate and the value of the fanout do not directly correspond to each other. A simulation method characterized in that:
【請求項17】 請求項11ないし16のいずれかに記
載のシミュレーション方法において、 前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびファン
アウトを演算するステップにより求められた入力信号の
傾きとファンアウトのデータからその論理ゲートに対応
した消費電力を求めるステップを設け、消費電力の仮ラ
イブラリを生成するステップを設け、 前記論理シミュレーションステップにおいては、前記修
正ネットリストおよび前記消費電力の仮ライブラリに基
づいて前記論理回路の消費電力を計算することを特徴と
するシミュレーション方法。
17. The simulation method according to claim 11, wherein the data of the slope of the input signal of the logic gate and the data of the slope of the input signal and the fan-out data obtained in the step of calculating the fan-out. A step of obtaining a power consumption corresponding to the logic gate from the logic gate, and a step of generating a temporary library of the power consumption. In the logic simulation step, the logic is based on the corrected netlist and the temporary library of the power consumption. A simulation method comprising calculating power consumption of a circuit.
【請求項18】 請求項17に記載のシミュレーション
方法において、 前記消費電力を求めるステップでは、前記論理ゲートの
入力信号の傾きのデータおよびファンアウトの関数とし
て定義された消費電力関数に基づいて前記消費電力を求
めることを特徴とするシミュレーション方法。
18. The simulation method according to claim 17, wherein, in the step of obtaining the power consumption, the power consumption is defined based on a slope data of an input signal of the logic gate and a power consumption function defined as a function of a fan-out. A simulation method characterized by calculating electric power.
【請求項19】 請求項17または18に記載のシミュ
レーション方法において、 前記消費電力を求めるステップでは、あらかじめ設定さ
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトから決まる消費電力のテーブルを参照して前
記消費電力を求めることを特徴とするシミュレーション
方法。
19. The simulation method according to claim 17, wherein, in the step of obtaining the power consumption, a table of power consumption determined from a preset slope data of an input signal of the logic gate and a fan-out. And calculating the power consumption.
【請求項20】 請求項19に記載のシミュレーション
方法において、 前記消費電力を求めるステップでは、前記消費電力のテ
ーブルに設定されている入力信号の傾きのデータあるい
はファンアウトのデータに対して前記演算により求めら
れた前記論理ゲートの入力信号の傾きのデータおよびフ
ァンアウトの値が直接該当しないときに前記テーブルに
設定されている値を補間して前記消費電力を求めるよう
にした補間処理ステップを含んでいることを特徴とする
シミュレーション方法。
20. The simulation method according to claim 19, wherein, in the step of obtaining the power consumption, the calculation is performed on the slope data or the fan-out data of the input signal set in the power consumption table. An interpolation processing step of interpolating the value set in the table and obtaining the power consumption when the obtained data of the slope of the input signal of the logic gate and the value of the fan-out do not directly correspond to each other. A simulation method characterized in that:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009025891A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Nec Electronics Corp Semiconductor integrated circuit design method and design program
JP2009025914A (en) * 2007-07-17 2009-02-05 Nec Electronics Corp Semiconductor integrated circuit design method and design program
JP2010040047A (en) * 2004-05-09 2010-02-18 Mentor Graphics Corp Anticipated defect location identification method and anticipated defect location identification tool

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