JPH11273025A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11273025A JPH11273025A JP7515898A JP7515898A JPH11273025A JP H11273025 A JPH11273025 A JP H11273025A JP 7515898 A JP7515898 A JP 7515898A JP 7515898 A JP7515898 A JP 7515898A JP H11273025 A JPH11273025 A JP H11273025A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドのトラック幅を狭く形成する
際に、上部磁極と上部磁気コアを精度よく位置合わせで
きる構造の薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子層およびシールド層を
備える磁気抵抗効果型ヘッドと、上部磁気コア層と下部
磁気コア層とコイル層を備える誘導型ヘッドとを、基板
上に積み重ねて形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部
磁気コア層および下部磁気コア層の先端部がトラック幅
に規制され、前記上部磁気コア層および下部磁気コア層
のトラック幅に規制されている部分の側面に０．５μｍ
未満の膜厚を有する第一保護膜と備え、前記誘導型ヘッ
ドおよび第一保護膜を覆う第二保護膜を備える。
際に、上部磁極と上部磁気コアを精度よく位置合わせで
きる構造の薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子層およびシールド層を
備える磁気抵抗効果型ヘッドと、上部磁気コア層と下部
磁気コア層とコイル層を備える誘導型ヘッドとを、基板
上に積み重ねて形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部
磁気コア層および下部磁気コア層の先端部がトラック幅
に規制され、前記上部磁気コア層および下部磁気コア層
のトラック幅に規制されている部分の側面に０．５μｍ
未満の膜厚を有する第一保護膜と備え、前記誘導型ヘッ
ドおよび第一保護膜を覆う第二保護膜を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に用
いる磁気ヘッドに関し、特にハードディスク装置に用い
る薄膜磁気ヘッドに関する。
いる磁気ヘッドに関し、特にハードディスク装置に用い
る薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野では、高記録密度化に伴
って狭トラック化が進んでおり、記録過程における、ト
ラック幅の両サイドに書きにじみを生ずる現象、即ちサ
イドフリンジングが無視できない問題となっている。こ
のサイドフリンジングを低減する手段として、図１１に
示すように、下部磁気コア１０１の上部磁気コア１０３
と記録ギャップ１０２を介して対向する部分を凸状に
し、記録磁界の両サイドへの広がりを抑えるものがあ
る。
って狭トラック化が進んでおり、記録過程における、ト
ラック幅の両サイドに書きにじみを生ずる現象、即ちサ
イドフリンジングが無視できない問題となっている。こ
のサイドフリンジングを低減する手段として、図１１に
示すように、下部磁気コア１０１の上部磁気コア１０３
と記録ギャップ１０２を介して対向する部分を凸状に
し、記録磁界の両サイドへの広がりを抑えるものがあ
る。
【０００３】前記凸状の部分を形成するための方法につ
いて、複数の例を挙げて説明する。第１の方法を図１２
に示す。先ず、平坦な下部磁気コア上にマスク膜１０４
を形成し、イオンミリングによりマスク膜に被覆されて
いない領域をエッチングして、凸形状を形成する。エッ
チングによって除去される部分は図中点線で囲った領域
である。その後、記録ギャップ層を形成し、その上に上
部磁気コアを形成するものである。
いて、複数の例を挙げて説明する。第１の方法を図１２
に示す。先ず、平坦な下部磁気コア上にマスク膜１０４
を形成し、イオンミリングによりマスク膜に被覆されて
いない領域をエッチングして、凸形状を形成する。エッ
チングによって除去される部分は図中点線で囲った領域
である。その後、記録ギャップ層を形成し、その上に上
部磁気コアを形成するものである。
【０００４】第２の方法について図１３により説明す
る。先ず、平坦な下部磁気コアおよび記録ギャップ層を
形成し、その上にフレームめっき法により上部磁気コア
１０３を形成する。この上部磁気コア１０３をマスクと
するイオンミリングを行うことで、図１３の点線で示し
た凸形状を得るものである。
る。先ず、平坦な下部磁気コアおよび記録ギャップ層を
形成し、その上にフレームめっき法により上部磁気コア
１０３を形成する。この上部磁気コア１０３をマスクと
するイオンミリングを行うことで、図１３の点線で示し
た凸形状を得るものである。
【０００５】第３の方法として、特開平６−１５０２４
６に示された方法について図１４および図１５に示す。
下部磁気コア１０１、記録ギャップ層１０２および上部
磁気コア層の一部１０５を成膜した後、マスク膜１０４
を形成する。そして、イオンミリングにより図４の点線
で示した凸形状を形成する。その上からスペーサ１０６
を成膜し、研磨等によって平坦化してマスク膜１０４を
露出させた後、マスク膜１０４を除去し、しかる後に上
部磁気コア１０３を形成するものである。
６に示された方法について図１４および図１５に示す。
下部磁気コア１０１、記録ギャップ層１０２および上部
磁気コア層の一部１０５を成膜した後、マスク膜１０４
を形成する。そして、イオンミリングにより図４の点線
で示した凸形状を形成する。その上からスペーサ１０６
を成膜し、研磨等によって平坦化してマスク膜１０４を
露出させた後、マスク膜１０４を除去し、しかる後に上
部磁気コア１０３を形成するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記第１の方法では、
下部磁気コアの凸形状形成後に上部磁気コアを形成する
際、位置ずれにより磁極の形状が歪んで図１６に示すよ
うな不良が発生する。これに対し、前記第２の方法で
は、位置ずれの問題は無い。しかし、狭トラック化が進
むにつれ、厚膜を有する上部磁気コアを狭い幅にフレー
ムめっき法で形成すること自体が困難であり、トラック
幅を高精度に形成出来ない欠点がある。
下部磁気コアの凸形状形成後に上部磁気コアを形成する
際、位置ずれにより磁極の形状が歪んで図１６に示すよ
うな不良が発生する。これに対し、前記第２の方法で
は、位置ずれの問題は無い。しかし、狭トラック化が進
むにつれ、厚膜を有する上部磁気コアを狭い幅にフレー
ムめっき法で形成すること自体が困難であり、トラック
幅を高精度に形成出来ない欠点がある。
【０００７】第３の方法は、上部磁気コアのトラック幅
を形成する部分が厚膜である必要が無いため、高精度な
トラック幅形成が可能であるが、平坦化処理設備および
技術が必要となり、また工数が多くなるという欠点があ
る。そこで、本発明はトラック幅を狭く形成するととも
に、トラック幅で規定される構造を精度よく形成するこ
とを目的とする。
を形成する部分が厚膜である必要が無いため、高精度な
トラック幅形成が可能であるが、平坦化処理設備および
技術が必要となり、また工数が多くなるという欠点があ
る。そこで、本発明はトラック幅を狭く形成するととも
に、トラック幅で規定される構造を精度よく形成するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果素子層およびシールド層を備える磁気
抵抗効果型ヘッドと、上部磁気コア層と下部磁気コア層
とコイル層を備える誘導型ヘッドとを、基板上に積み重
ねて形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コア層
および下部磁気コア層の先端部がトラック幅に規制さ
れ、前記上部磁気コア層および下部磁気コア層のトラッ
ク幅に規制されている部分の側面に０．５μｍ未満の膜
厚を有する第一保護膜と備え、前記誘導型ヘッドおよび
第一保護膜を覆う第二保護膜を備えることを特徴とす
る。
は、磁気抵抗効果素子層およびシールド層を備える磁気
抵抗効果型ヘッドと、上部磁気コア層と下部磁気コア層
とコイル層を備える誘導型ヘッドとを、基板上に積み重
ねて形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コア層
および下部磁気コア層の先端部がトラック幅に規制さ
れ、前記上部磁気コア層および下部磁気コア層のトラッ
ク幅に規制されている部分の側面に０．５μｍ未満の膜
厚を有する第一保護膜と備え、前記誘導型ヘッドおよび
第一保護膜を覆う第二保護膜を備えることを特徴とす
る。
【０００９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、後部で
磁気的に接続された膜状の下部磁気コア層および上部磁
気コア層の先端に記録ギャップ層が設けられ、後部の周
囲にコイル層が設けられている薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記下部磁気コア層と前記記録ギャップ層の間に下
部磁極層を設け、前記上部磁気コア層と前記記録ギャッ
プ層の間に上部磁極を設け、前記下部磁極層と前記記録
ギャップ層と前記上部磁極を同一のトラック幅Ｔｗで規
定する側面を備え、前記側面に非磁性絶縁膜を接合し、
前記非磁性絶縁膜の厚さｄと上部磁気コア層の幅Ｗｔに
ついて、Ｔｗ＋２ｄ＞Ｗｔであることを特徴とする。
磁気的に接続された膜状の下部磁気コア層および上部磁
気コア層の先端に記録ギャップ層が設けられ、後部の周
囲にコイル層が設けられている薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記下部磁気コア層と前記記録ギャップ層の間に下
部磁極層を設け、前記上部磁気コア層と前記記録ギャッ
プ層の間に上部磁極を設け、前記下部磁極層と前記記録
ギャップ層と前記上部磁極を同一のトラック幅Ｔｗで規
定する側面を備え、前記側面に非磁性絶縁膜を接合し、
前記非磁性絶縁膜の厚さｄと上部磁気コア層の幅Ｗｔに
ついて、Ｔｗ＋２ｄ＞Ｗｔであることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、後部で
磁気的に接続された膜状の下部コア層および上部磁気コ
ア層の先端に記録ギャップ層が設けられ、後部の周囲に
コイル層が設けられている薄膜磁気ヘッドであって、前
記上部磁気コア層は幅Ｗｔの領域を主体にするとともに
凸部を備え、前記凸部はトラック幅Ｔｗで前記記録ギャ
ップ層に接合され、前記凸部はその幅がＴｗからＷｔま
で連続的に増大するオーバーハング面を備えることを特
徴とする。
磁気的に接続された膜状の下部コア層および上部磁気コ
ア層の先端に記録ギャップ層が設けられ、後部の周囲に
コイル層が設けられている薄膜磁気ヘッドであって、前
記上部磁気コア層は幅Ｗｔの領域を主体にするとともに
凸部を備え、前記凸部はトラック幅Ｔｗで前記記録ギャ
ップ層に接合され、前記凸部はその幅がＴｗからＷｔま
で連続的に増大するオーバーハング面を備えることを特
徴とする。
【００１１】上記の本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
上部磁気コア層の幅Ｗｔとトラック幅Ｔｗが、Ｔｗ＜Ｗ
ｔの関係にあることを特徴とする。また、上記の本発明
の薄膜磁気ヘッドにおいて、トラック幅の近傍において
前記第一保護膜が０．１から０．５μｍの厚さを有し、
前記第一保護層が下部磁気コアと接合する部分の高さｈ
が、ｄ≦ｈ≦Ｔｈの関係にあり、 Ｔｈは前記側面の高
さであることを特徴とする。ここでいう高さとは、トラ
ック幅方向に略垂直な向きの寸法または厚さのことを指
す。
上部磁気コア層の幅Ｗｔとトラック幅Ｔｗが、Ｔｗ＜Ｗ
ｔの関係にあることを特徴とする。また、上記の本発明
の薄膜磁気ヘッドにおいて、トラック幅の近傍において
前記第一保護膜が０．１から０．５μｍの厚さを有し、
前記第一保護層が下部磁気コアと接合する部分の高さｈ
が、ｄ≦ｈ≦Ｔｈの関係にあり、 Ｔｈは前記側面の高
さであることを特徴とする。ここでいう高さとは、トラ
ック幅方向に略垂直な向きの寸法または厚さのことを指
す。
【００１２】上記の本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部磁気コア層と上部磁極の接合面を略円形とする
ことを特徴とする。また、上記の本発明の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記第一保護膜をＡＢＳ面からみた断面形
状が、略Ｌ字であることを特徴とする。
前記上部磁気コア層と上部磁極の接合面を略円形とする
ことを特徴とする。また、上記の本発明の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記第一保護膜をＡＢＳ面からみた断面形
状が、略Ｌ字であることを特徴とする。
【００１３】上記本発明によれば、上部および下部磁気
コア、もしくは上部および下部磁気コアの一部である上
部および下部磁極において、記録ギャップ層に接する部
分が同一面でトラック幅に規制されているため、前記位
置ずれの問題は発生しない。また、上部磁気コアのトラ
ック幅に規制する部分（上部磁極とも称する）は、上部
磁気コアの一部で良いため、厚膜を形成する必要が無
く、狭トラック幅の形成、および、高精度なトラック幅
制御が可能である。そして、これらの製造プロセスで
は、特に平坦化処理を行う必要はなく、フォトリソグラ
フィー（イオンミリング、エッチング含む）により形成
が可能である。
コア、もしくは上部および下部磁気コアの一部である上
部および下部磁極において、記録ギャップ層に接する部
分が同一面でトラック幅に規制されているため、前記位
置ずれの問題は発生しない。また、上部磁気コアのトラ
ック幅に規制する部分（上部磁極とも称する）は、上部
磁気コアの一部で良いため、厚膜を形成する必要が無
く、狭トラック幅の形成、および、高精度なトラック幅
制御が可能である。そして、これらの製造プロセスで
は、特に平坦化処理を行う必要はなく、フォトリソグラ
フィー（イオンミリング、エッチング含む）により形成
が可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面によって本発明の実施
の形態について説明する。図１は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの側面図である。この薄膜磁気ヘッドは、絶縁層を設
けた基板（図中では記載を省略）の上に、ボトムシール
ド２２と、再生ギャップ層を介してボトムシールドと下
部磁気コアの間に設けた磁気抵抗効果素子２１と、シー
ルドとしての機能も備える下部磁気コア１０と、記録ギ
ャップ層１２を挟んで下部磁気コアと対向する上部磁極
１３と、上部磁極に磁気的に一体となって接合された上
部磁気コアと、トラック幅Ｔｗの幅に規定された記録ギ
ャップ層１２と上部磁極１３と下部磁気１１の側面に接
合した第一保護膜であるアルミナ膜１４を備える構造で
ある。さらに、図中での記載は省略したが、この構造を
覆うように第二の保護膜を積層する。
の形態について説明する。図１は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの側面図である。この薄膜磁気ヘッドは、絶縁層を設
けた基板（図中では記載を省略）の上に、ボトムシール
ド２２と、再生ギャップ層を介してボトムシールドと下
部磁気コアの間に設けた磁気抵抗効果素子２１と、シー
ルドとしての機能も備える下部磁気コア１０と、記録ギ
ャップ層１２を挟んで下部磁気コアと対向する上部磁極
１３と、上部磁極に磁気的に一体となって接合された上
部磁気コアと、トラック幅Ｔｗの幅に規定された記録ギ
ャップ層１２と上部磁極１３と下部磁気１１の側面に接
合した第一保護膜であるアルミナ膜１４を備える構造で
ある。さらに、図中での記載は省略したが、この構造を
覆うように第二の保護膜を積層する。
【００１５】ここで、磁気抵抗効果素子２１は、磁気記
録媒体からの磁界信号を読み取って再生出力を得るもの
である。図中では省力したが、磁気抵抗効果素子２１の
トラック幅方向の両端には夫々、電極膜を設ける。この
電極膜を通じて磁気抵抗効果素子に電流を供給すること
により再生出力を得ることができる。以下の説明で開示
する本発明の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子を備えた薄膜
磁気ヘッドであり、図中で記載を省略したものの、図１
に示すように下部磁気コアの下に、磁気抵抗効果素子と
ボトムシールド膜を備えた磁気抵抗効果ヘッドの構造
と、絶縁膜を積層した基板を備えるものとする。
録媒体からの磁界信号を読み取って再生出力を得るもの
である。図中では省力したが、磁気抵抗効果素子２１の
トラック幅方向の両端には夫々、電極膜を設ける。この
電極膜を通じて磁気抵抗効果素子に電流を供給すること
により再生出力を得ることができる。以下の説明で開示
する本発明の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子を備えた薄膜
磁気ヘッドであり、図中で記載を省略したものの、図１
に示すように下部磁気コアの下に、磁気抵抗効果素子と
ボトムシールド膜を備えた磁気抵抗効果ヘッドの構造
と、絶縁膜を積層した基板を備えるものとする。
【００１６】図１において、第一保護膜であるアルミナ
膜１４は、下部磁気コアに接合する主要部と、トラック
幅に規定された側面に接合する側部２３を備える。図に
示すように、ほぼ直角な二つの面に跨ってアルミナ膜を
接合しているため、厚さを薄くしないとアルミナ膜から
下部磁気コアなどに印加される応力が大きくなる。下部
磁気コアと下部磁極と上部磁極と上部磁気コアは、材料
に磁性膜を用いるため、外部から応力を受けると磁歪を
発生し、再生特性のノイズや記録特性の記録磁界の変動
等の問題を引き起こす。従って、トラック幅を規定した
領域の近傍において、第一保護膜の側部２３の厚さは
０．５μｍ未満にすることが望ましい。また、第一保護
膜をＡＢＳ面（図１の正面で表される面）から見たとき
の断面形状を略Ｌ字型にすることができる。なお、第一
保護膜に使用可能な材料としては、アルミナ、窒化シリ
コン、酸化シリコン等が挙げられる。
膜１４は、下部磁気コアに接合する主要部と、トラック
幅に規定された側面に接合する側部２３を備える。図に
示すように、ほぼ直角な二つの面に跨ってアルミナ膜を
接合しているため、厚さを薄くしないとアルミナ膜から
下部磁気コアなどに印加される応力が大きくなる。下部
磁気コアと下部磁極と上部磁極と上部磁気コアは、材料
に磁性膜を用いるため、外部から応力を受けると磁歪を
発生し、再生特性のノイズや記録特性の記録磁界の変動
等の問題を引き起こす。従って、トラック幅を規定した
領域の近傍において、第一保護膜の側部２３の厚さは
０．５μｍ未満にすることが望ましい。また、第一保護
膜をＡＢＳ面（図１の正面で表される面）から見たとき
の断面形状を略Ｌ字型にすることができる。なお、第一
保護膜に使用可能な材料としては、アルミナ、窒化シリ
コン、酸化シリコン等が挙げられる。
【００１７】次に、他の実施形態を説明する。図２は本
発明の薄膜磁気ヘッドの側面図である。構成自体は図１
の実施形態とほぼ同様であるが、第一保護膜の側部２３
の形状が滑らかな曲線で構成されている。このように側
部２３の形状は曲線、直線、またはそれらの組み合わせ
で構成することが可能である。一方、上部磁気コアは、
幅Ｗｔを有する主要部と、上部磁極１３と接合する凸部
を備える。前記凸部は前記側部２３に接合させるため、
記録ギャップ側から見てその幅がＴｗからＷｔまで連続
的に増大する形状とする。従って、上部磁気コアの側面
にはオーバーハング面２５が形成される。このようにし
て上部磁気コアの主要部と上部磁極１３の側面を連続的
に接合することで、磁気ギャップ層の近傍の上部磁気コ
ア内にて、ノイズの原因となる磁壁の発生を抑制するこ
とができる。また、上部磁気コアの下部磁気コアと対向
する側に、９０度以下の鋭角を無くすため、サイドフリ
ンジングも抑制できる。また、オーバーハング面２５と
下部磁気コア１０の間を第一保護膜で埋めた後に第二の
保護膜を形成するため、保護膜の空隙の発生を防止でき
る。
発明の薄膜磁気ヘッドの側面図である。構成自体は図１
の実施形態とほぼ同様であるが、第一保護膜の側部２３
の形状が滑らかな曲線で構成されている。このように側
部２３の形状は曲線、直線、またはそれらの組み合わせ
で構成することが可能である。一方、上部磁気コアは、
幅Ｗｔを有する主要部と、上部磁極１３と接合する凸部
を備える。前記凸部は前記側部２３に接合させるため、
記録ギャップ側から見てその幅がＴｗからＷｔまで連続
的に増大する形状とする。従って、上部磁気コアの側面
にはオーバーハング面２５が形成される。このようにし
て上部磁気コアの主要部と上部磁極１３の側面を連続的
に接合することで、磁気ギャップ層の近傍の上部磁気コ
ア内にて、ノイズの原因となる磁壁の発生を抑制するこ
とができる。また、上部磁気コアの下部磁気コアと対向
する側に、９０度以下の鋭角を無くすため、サイドフリ
ンジングも抑制できる。また、オーバーハング面２５と
下部磁気コア１０の間を第一保護膜で埋めた後に第二の
保護膜を形成するため、保護膜の空隙の発生を防止でき
る。
【００１８】以下、図３から図１０までに示した斜視図
を用いて、本発明の薄膜磁気ヘッドを製造する際の工程
を順に説明する。図３は下部磁気コア１０上に下部磁極
１１（もしくは下部磁気コアと一体の凸部）、記録キャ
ップ層１２および上部磁極１３（もしくは上部磁気コア
凸部）の３層をを形成したものである。前記３層は、一
括ミリングにより成形するため、同一側面によりトラッ
ク幅Ｔｗが規制されており、上部および下部磁極の位置
ずれの問題は生じない。
を用いて、本発明の薄膜磁気ヘッドを製造する際の工程
を順に説明する。図３は下部磁気コア１０上に下部磁極
１１（もしくは下部磁気コアと一体の凸部）、記録キャ
ップ層１２および上部磁極１３（もしくは上部磁気コア
凸部）の３層をを形成したものである。前記３層は、一
括ミリングにより成形するため、同一側面によりトラッ
ク幅Ｔｗが規制されており、上部および下部磁極の位置
ずれの問題は生じない。
【００１９】前記３層の形成後、図４に示すように第一
保護膜であるアルミナ膜１４をスパッタ法により形成し
た。前記３層の側面に形成する第一保護膜の膜厚ｄは、
０．１〜０．５μｍである。第一保護膜形成後、図５に
示すように、アルミナを除去する部分に穴をあけたレジ
ストパターン１５を形成した。レジストパターン１５形
成後、図６に示すようにイオンミリング若しくはウェッ
トエッチングにより、前記３層上のアルミナ膜を除去し
た。この際、アルミナ膜を円形に除去してもよいが、略
方形に除去するほうが上部磁気コアと上部磁極の側面が
連続的に接合するできる。従って記録特性の上から上記
の穴を略方形にすることが望ましい。
保護膜であるアルミナ膜１４をスパッタ法により形成し
た。前記３層の側面に形成する第一保護膜の膜厚ｄは、
０．１〜０．５μｍである。第一保護膜形成後、図５に
示すように、アルミナを除去する部分に穴をあけたレジ
ストパターン１５を形成した。レジストパターン１５形
成後、図６に示すようにイオンミリング若しくはウェッ
トエッチングにより、前記３層上のアルミナ膜を除去し
た。この際、アルミナ膜を円形に除去してもよいが、略
方形に除去するほうが上部磁気コアと上部磁極の側面が
連続的に接合するできる。従って記録特性の上から上記
の穴を略方形にすることが望ましい。
【００２０】アルミナ除去後、図７に示す様にレジスト
パターン１５を除去した。このようにして、浮上面から
見て略Ｌ字形の第一保護膜１４が形成できた。その後、
図８に示すように、インシュレータ層１６およびコイル
層１７をフォトリソグラフィーおよびメッキ法により形
成した。図８では、コイル層の一部を記載して、その全
体は記載を省略した。
パターン１５を除去した。このようにして、浮上面から
見て略Ｌ字形の第一保護膜１４が形成できた。その後、
図８に示すように、インシュレータ層１６およびコイル
層１７をフォトリソグラフィーおよびメッキ法により形
成した。図８では、コイル層の一部を記載して、その全
体は記載を省略した。
【００２１】その後、上部磁気コア用のメッキ下地膜を
全面に成膜した後、図９に示すように、上部磁気コアを
フレームメッキで形成する為のフレームレジスト１８を
形成した。この時、フレームレジストのスリット幅が後
工程の上部磁気コアのＡＢＳ面側の幅Ｗｔに相当する。
薄膜磁気ヘッドの狭トラック化において、このスリット
幅を狭くすることが、最も困難な技術の一つである。本
発明では、第一保護膜を形成しているため、記録トラッ
ク幅Ｔｗに対して、上部磁気コア幅Ｗｔを、Ｗｔ＜Ｔｗ
＋２ｄとすれば良く、スリット形成が容易である。ま
た、上部磁極上にレジストパターンを形成する際の、ト
ラック幅方向の位置ずれ量ΔＴは、（Ｔｗ＋２ｄ−Ｗ
ｔ）／２まで許容でき、露光時の位置合わせ精度に対し
ても有利になる。
全面に成膜した後、図９に示すように、上部磁気コアを
フレームメッキで形成する為のフレームレジスト１８を
形成した。この時、フレームレジストのスリット幅が後
工程の上部磁気コアのＡＢＳ面側の幅Ｗｔに相当する。
薄膜磁気ヘッドの狭トラック化において、このスリット
幅を狭くすることが、最も困難な技術の一つである。本
発明では、第一保護膜を形成しているため、記録トラッ
ク幅Ｔｗに対して、上部磁気コア幅Ｗｔを、Ｗｔ＜Ｔｗ
＋２ｄとすれば良く、スリット形成が容易である。ま
た、上部磁極上にレジストパターンを形成する際の、ト
ラック幅方向の位置ずれ量ΔＴは、（Ｔｗ＋２ｄ−Ｗ
ｔ）／２まで許容でき、露光時の位置合わせ精度に対し
ても有利になる。
【００２２】フレームレジスト形成後、図１０に示すよ
うにフレームメッキ法で上部磁気コア１９を形成した。
さらに図１０では記載を省略したが、上部磁気コアおよ
び第一保護膜を覆う様に第二保護層である非磁性絶縁膜
を積層した。
うにフレームメッキ法で上部磁気コア１９を形成した。
さらに図１０では記載を省略したが、上部磁気コアおよ
び第一保護膜を覆う様に第二保護層である非磁性絶縁膜
を積層した。
【００２３】
【発明の効果】本発明を用いることにより、薄膜磁気ヘ
ッドのトラック幅を狭く形成するとともにトラック幅で
規定される構造を精度よく形成することが可能となる。
また、製造工程の工数を低減することもできる。
ッドのトラック幅を狭く形成するとともにトラック幅で
規定される構造を精度よく形成することが可能となる。
また、製造工程の工数を低減することもできる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図３】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図４】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図５】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図６】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図７】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図８】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図９】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図１０】本発明の実施例の一工程を説明する斜視図。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの側面図。
１０ 下部磁気コア、１１ 下部磁極、１２ 記録ギャ
ップ層、１３ 上部磁極、１４ アルミナ膜、１５ レ
ジストパターン、１６ インシュレータ層、１７ コイ
ル層、１８ フレームレジスト、１９ 上部磁極コア、
２１ 磁気抵抗効果素子、２２ ボトムシールド、２３
側部、２４ 第二の保護膜、２５ オーバーハング
面、１０１ 下部磁気コア、１０２ 記録キャップ層、
１０３ 上部磁気コア、１０４ マスク膜、１０５ 上
部磁極の一部、１０６ スペーサ。
ップ層、１３ 上部磁極、１４ アルミナ膜、１５ レ
ジストパターン、１６ インシュレータ層、１７ コイ
ル層、１８ フレームレジスト、１９ 上部磁極コア、
２１ 磁気抵抗効果素子、２２ ボトムシールド、２３
側部、２４ 第二の保護膜、２５ オーバーハング
面、１０１ 下部磁気コア、１０２ 記録キャップ層、
１０３ 上部磁気コア、１０４ マスク膜、１０５ 上
部磁極の一部、１０６ スペーサ。
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層およびシールド層を
備える磁気抵抗効果型ヘッドと、上部磁気コア層と下部
磁気コア層とコイル層を備える誘導型ヘッドとを、基板
上に積み重ねて形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部
磁気コア層および下部磁気コア層の先端部がトラック幅
に規制され、前記上部磁気コア層および下部磁気コア層
のトラック幅に規制されている部分の側面に０．５μｍ
未満の膜厚を有する第一保護膜と備え、前記誘導型ヘッ
ドおよび第一保護膜を覆う第二保護膜を備えることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 後部で磁気的に接続された膜状の下部磁
気コア層および上部磁気コア層の先端に記録ギャップ層
が設けられ、後部の周囲にコイル層が設けられている薄
膜磁気ヘッドであって、前記下部磁気コア層と前記記録
ギャップ層の間に下部磁極層を設け、前記上部磁気コア
層と前記記録ギャップ層の間に上部磁極を設け、前記下
部磁極層と前記記録ギャップ層と前記上部磁極を同一の
トラック幅Ｔｗで規定する側面を備え、前記側面に非磁
性絶縁膜を接合し、前記非磁性絶縁膜の厚さｄと上部磁
気コア層の幅Ｗｔについて、Ｔｗ＋２ｄ＞Ｗｔであるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 後部で磁気的に接続された膜状の下部コ
ア層および上部磁気コア層の先端に記録ギャップ層が設
けられ、後部の周囲にコイル層が設けられている薄膜磁
気ヘッドであって、前記上部磁気コア層は幅Ｗｔの領域
を主体にするとともに凸部を備え、前記凸部はトラック
幅Ｔｗで前記記録ギャップ層に接合され、前記凸部はそ
の幅がＴｗからＷｔまで連続的に増大するオーバーハン
グ面を備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 上部磁気コア層の幅Ｗｔとトラック幅Ｔ
ｗが、Ｔｗ＜Ｗｔの関係にあることを特徴とする請求項
３に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 トラック幅の近傍において前記第一保護
膜が０．１から０．５μｍの厚さを有し、前記第一保護
層が下部磁気コアと接合する部分の高さｈが、ｄ≦ｈ≦
Ｔｈの関係にあり、 Ｔｈは前記側面の高さであること
を特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記上部磁気コア層と上部磁極の接合面
を略円形とすることを特徴とする請求項２に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記第一保護膜をＡＢＳ面からみた断面
形状が、略Ｌ字であることを特徴とする請求項１に記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07515898A JP3919926B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07515898A JP3919926B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273025A true JPH11273025A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3919926B2 JP3919926B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=13568129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07515898A Expired - Fee Related JP3919926B2 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3919926B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363461B1 (ko) * | 1999-03-24 | 2002-11-30 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막 자기 헤드 및 박막 자기 헤드의 제조방법 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP07515898A patent/JP3919926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363461B1 (ko) * | 1999-03-24 | 2002-11-30 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막 자기 헤드 및 박막 자기 헤드의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3919926B2 (ja) | 2007-05-30 |
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