JPH11274003A - チップ型積層固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ型積層固体電解コンデンサInfo
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- JPH11274003A JPH11274003A JP7788198A JP7788198A JPH11274003A JP H11274003 A JPH11274003 A JP H11274003A JP 7788198 A JP7788198 A JP 7788198A JP 7788198 A JP7788198 A JP 7788198A JP H11274003 A JPH11274003 A JP H11274003A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型積層固体電解コンデンサにおいて、
高周波領域でのインピーダンス、ＥＳＲ特性に優れたコ
ンデンサを提供する。 【解決手段】 一方の先端が断面櫛形形状でコンデンサ
素子との接合部が導電性の高い金属で塗布、メッキまた
は蒸着された陰極リードフレームの先端部にコンデンサ
素子を配置し接合することにより、各コンデンサ素子と
陰極リードフレームとの接触抵抗を下げることができ、
コンデンサへ電流を印加した際に、各コンデンサ素子間
や陰極端子への通電状態が改善され、高周波領域におい
て電気特性が優れたコンデンサを実現することができ
る。
高周波領域でのインピーダンス、ＥＳＲ特性に優れたコ
ンデンサを提供する。 【解決手段】 一方の先端が断面櫛形形状でコンデンサ
素子との接合部が導電性の高い金属で塗布、メッキまた
は蒸着された陰極リードフレームの先端部にコンデンサ
素子を配置し接合することにより、各コンデンサ素子と
陰極リードフレームとの接触抵抗を下げることができ、
コンデンサへ電流を印加した際に、各コンデンサ素子間
や陰極端子への通電状態が改善され、高周波領域におい
て電気特性が優れたコンデンサを実現することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型積層固体
電解コンデンサに関するものである。
電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器における回路の高周波化、高速
化および低電圧化が進む中で、コンデンサに関しては小
型大容量、低インピーダンス、低ＥＳＲ化が求められて
いる。現在、タンタルやアルミ、セラミックを用いたコ
ンデンサに関してはチップ型で特性が良好な製品が実現
されている。
化および低電圧化が進む中で、コンデンサに関しては小
型大容量、低インピーダンス、低ＥＳＲ化が求められて
いる。現在、タンタルやアルミ、セラミックを用いたコ
ンデンサに関してはチップ型で特性が良好な製品が実現
されている。
【０００３】チップ型固体電解コンデンサとしては、こ
れまでに弁作用金属にタンタルやアルミを用いた製品が
実用化されている。タンタルを用いたコンデンサでは、
タンタルパウダーを焼結してリード線を取り付けて内部
素子を作製し、陽極酸化皮膜を形成後その上に固体電解
質層を形成する。この固体電解質層は、無機金属、導電
性高分子などの材料からなり、作製方法も様々である
が、この電解質層によって製品の電気特性が決定され
る。
れまでに弁作用金属にタンタルやアルミを用いた製品が
実用化されている。タンタルを用いたコンデンサでは、
タンタルパウダーを焼結してリード線を取り付けて内部
素子を作製し、陽極酸化皮膜を形成後その上に固体電解
質層を形成する。この固体電解質層は、無機金属、導電
性高分子などの材料からなり、作製方法も様々である
が、この電解質層によって製品の電気特性が決定され
る。
【０００４】更にコロイダルカーボンや銀ペーストなど
からなる陰極導電層を上部に重ねて素子を形成し、この
素子のリード線、陰極導電層からリードフレームへ電気
的接合を行い、絶縁樹脂によるモールド外装を施すこと
によってチップ型タンタル固体電解コンデンサが実現さ
れている。
からなる陰極導電層を上部に重ねて素子を形成し、この
素子のリード線、陰極導電層からリードフレームへ電気
的接合を行い、絶縁樹脂によるモールド外装を施すこと
によってチップ型タンタル固体電解コンデンサが実現さ
れている。
【０００５】一方、弁作用金属にアルミを用いたコンデ
ンサでは、高純度アルミ箔に対してエッチング処理を施
して拡面化し、化成処理を施して酸化皮膜を形成する。
その後、タンタル固体電解コンデンサの場合と同様の方
法で固体電解質層、陰極導電層を順次形成したコンデン
サ素子とする。
ンサでは、高純度アルミ箔に対してエッチング処理を施
して拡面化し、化成処理を施して酸化皮膜を形成する。
その後、タンタル固体電解コンデンサの場合と同様の方
法で固体電解質層、陰極導電層を順次形成したコンデン
サ素子とする。
【０００６】ここで、アルミを用いたコンデンサに関し
ては、現在市販されているアルミ電解コンデンサ用電極
箔の厚さが１００μｍ程度であり、チップ型コンデンサ
を作製した際に単板での使用では十分な製品容量が実現
できない。このために、一般的にチップ型アルミ電解コ
ンデンサ製造の場合にはコンデンサ素子を積層すること
で製品容量を増やしている。
ては、現在市販されているアルミ電解コンデンサ用電極
箔の厚さが１００μｍ程度であり、チップ型コンデンサ
を作製した際に単板での使用では十分な製品容量が実現
できない。このために、一般的にチップ型アルミ電解コ
ンデンサ製造の場合にはコンデンサ素子を積層すること
で製品容量を増やしている。
【０００７】上記理由から、コンデンサ素子は複数個積
層されて、陰極導電層どうしが銀ペーストや陰極フレー
ムによって電気的に接合されることによりコンデンサ素
子が形成される。そして、この素子に対してタンタル電
解コンデンサと同様の方法でチップ型アルミ固体電解コ
ンデンサを実現する。
層されて、陰極導電層どうしが銀ペーストや陰極フレー
ムによって電気的に接合されることによりコンデンサ素
子が形成される。そして、この素子に対してタンタル電
解コンデンサと同様の方法でチップ型アルミ固体電解コ
ンデンサを実現する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は、積層されたコンデンサ素子間の電気的接合は導電性
ペーストなどが主であり、厚さのバラツキや固有抵抗が
高いことからこの間の電気的接触が良好に行われず、余
分な抵抗が発生するために電気特性が悪化し、特に高周
波数領域においてインピーダンスが増大する原因となっ
ていた。
は、積層されたコンデンサ素子間の電気的接合は導電性
ペーストなどが主であり、厚さのバラツキや固有抵抗が
高いことからこの間の電気的接触が良好に行われず、余
分な抵抗が発生するために電気特性が悪化し、特に高周
波数領域においてインピーダンスが増大する原因となっ
ていた。
【０００９】本発明はこの問題を解決するものであり、
チップ型積層固体電解コンデンサにおいて、高周波領域
でのインピーダンス、ＥＳＲ特性が優れたコンデンサを
提供することを目的とするものである。
チップ型積層固体電解コンデンサにおいて、高周波領域
でのインピーダンス、ＥＳＲ特性が優れたコンデンサを
提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに本発明のチップ型積層固体電解コンデンサは、一方
の先端が断面櫛形形状でコンデンサ素子との接合面が良
導電性金属でメッキまたは蒸着された陰極リードフレー
ムにコンデンサ素子を配置することにより、各々のコン
デンサ素子と陰極リードフレームを低減し、製品の高周
波電気特性を改善しようとするものである。
めに本発明のチップ型積層固体電解コンデンサは、一方
の先端が断面櫛形形状でコンデンサ素子との接合面が良
導電性金属でメッキまたは蒸着された陰極リードフレー
ムにコンデンサ素子を配置することにより、各々のコン
デンサ素子と陰極リードフレームを低減し、製品の高周
波電気特性を改善しようとするものである。
【００１１】すなわち、弁作用金属からなる陽極体上に
陽極酸化皮膜層、固体電解質層及び陰極導電層を順次形
成した複数個のコンデンサ素子を積層し絶縁性樹脂でモ
ールド外装したチップ型積層固体電解コンデンサにおい
て、良導電性金属で塗布、メッキまたは蒸着された一方
の先端が断面櫛形形状の陰極リードフレームの先端部
に、複数個のコンデンサ素子を配置し、接合するよう構
成したことを特徴とするチップ型積層固体電解コンデン
サである。
陽極酸化皮膜層、固体電解質層及び陰極導電層を順次形
成した複数個のコンデンサ素子を積層し絶縁性樹脂でモ
ールド外装したチップ型積層固体電解コンデンサにおい
て、良導電性金属で塗布、メッキまたは蒸着された一方
の先端が断面櫛形形状の陰極リードフレームの先端部
に、複数個のコンデンサ素子を配置し、接合するよう構
成したことを特徴とするチップ型積層固体電解コンデン
サである。
【００１２】そして、上記陰極リードフレームが、鉄、
銅または鉄−ニッケル合金を母材としてなることを特徴
とするチップ型積層固体電解コンデンサである。
銅または鉄−ニッケル合金を母材としてなることを特徴
とするチップ型積層固体電解コンデンサである。
【００１３】また、上記の良導電性金属が、銀、金、白
金、ニッケル、パラジウム、錫、半田のうち少なくとも
１種であることを特徴とするチップ型積層固体電解コン
デンサである。
金、ニッケル、パラジウム、錫、半田のうち少なくとも
１種であることを特徴とするチップ型積層固体電解コン
デンサである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明によれば、コンデンサ素子
を形成する際の各コンデンサ素子間での電気的接合が、
良導電性部材を介して行われるために、従来の導電性ペ
ーストやリードフレームの場合と比べて接触抵抗を低減
させることができ、結果として高周波領域でのインピー
ダンスを減少させることが可能となる。
を形成する際の各コンデンサ素子間での電気的接合が、
良導電性部材を介して行われるために、従来の導電性ペ
ーストやリードフレームの場合と比べて接触抵抗を低減
させることができ、結果として高周波領域でのインピー
ダンスを減少させることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明について図面に基づき詳細に説
明する。図１は本発明によるチップ型固体電解コンデン
サの断面図である。公知の方法で高純度アルミ箔をエッ
チング・化成処理し、固体電解質層、陰極導電層を形成
してコンデンサ素子とした。一方の先端が断面櫛形形状
でコンデンサ素子との接合部が銀メッキされた４２アロ
イ製陰極リードフレームの先端部にコンデンサ素子を配
置して接合し、陽極リードフレームとコンデンサ素子と
を陽極導電層を介して接合し、外装を樹脂モールドして
コンデンサを作製した。従来例として、実施例と同じコ
ンデンサ素子を用い、図２に示す従来の陰極リードフレ
ームでコンデンサを作製した。作製したコンデンサの電
気特性を測定し、表１の結果を得た。
明する。図１は本発明によるチップ型固体電解コンデン
サの断面図である。公知の方法で高純度アルミ箔をエッ
チング・化成処理し、固体電解質層、陰極導電層を形成
してコンデンサ素子とした。一方の先端が断面櫛形形状
でコンデンサ素子との接合部が銀メッキされた４２アロ
イ製陰極リードフレームの先端部にコンデンサ素子を配
置して接合し、陽極リードフレームとコンデンサ素子と
を陽極導電層を介して接合し、外装を樹脂モールドして
コンデンサを作製した。従来例として、実施例と同じコ
ンデンサ素子を用い、図２に示す従来の陰極リードフレ
ームでコンデンサを作製した。作製したコンデンサの電
気特性を測定し、表１の結果を得た。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１から明らかなように、本発明によるコ
ンデンサは従来技術のコンデンサに比較して電気特性が
向上しており、特に高周波領域でのインピーダンス、Ｅ
ＳＲが低減している。なお、陰極リードフレームは銀メ
ッキをしたものを用いたが、金、白金、ニッケル、パラ
ジウム、錫、半田のうち少なくとも１種をメッキした場
合でも同等の効果がある。また、陰極リードフレームに
上記金属のうち少なくとも１種を塗布または蒸着しても
同等の効果がある。
ンデンサは従来技術のコンデンサに比較して電気特性が
向上しており、特に高周波領域でのインピーダンス、Ｅ
ＳＲが低減している。なお、陰極リードフレームは銀メ
ッキをしたものを用いたが、金、白金、ニッケル、パラ
ジウム、錫、半田のうち少なくとも１種をメッキした場
合でも同等の効果がある。また、陰極リードフレームに
上記金属のうち少なくとも１種を塗布または蒸着しても
同等の効果がある。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一方の先
端が断面櫛形形状でコンデンサ素子との接合部を導電性
の高い金属でメッキまたは蒸着した陰極リードフレーム
にコンデンサ素子を配置することにより、各コンデンサ
素子と陰極リードフレームとの接触抵抗を下げ、コンデ
ンサへ電流を印加した際に、各コンデンサ素子間や陰極
導電層から陰極端子への通電状態が改善され、高周波領
域において電気特性が優れたコンデンサを実現すること
ができる。
端が断面櫛形形状でコンデンサ素子との接合部を導電性
の高い金属でメッキまたは蒸着した陰極リードフレーム
にコンデンサ素子を配置することにより、各コンデンサ
素子と陰極リードフレームとの接触抵抗を下げ、コンデ
ンサへ電流を印加した際に、各コンデンサ素子間や陰極
導電層から陰極端子への通電状態が改善され、高周波領
域において電気特性が優れたコンデンサを実現すること
ができる。
【図１】本発明のチップ型積層固体電解コンデンサの一
実施例の断面図。
実施例の断面図。
【図２】従来の構造によるチップ型積層固体コンデンサ
の断面図。
の断面図。
１ 陽極体 ２ 固体電解質層 ３ 陰極導電層 ５ 導電性金属 ６ 陽極導電層 ７ 陽極リードフレーム ８ 陰極リードフレーム ９ 外装樹脂層 １０ 導電性ペースト
Claims (3)
- 【請求項１】 弁作用金属からなる陽極体上に陽極酸化
皮膜層、固体電解質層及び陰極導電層を順次形成した複
数個のコンデンサ素子を積層し絶縁性樹脂でモールド外
装したチップ型積層固体電解コンデンサにおいて、良導
電性金属で塗布、メッキまたは蒸着された一方の先端が
断面櫛形形状の陰極リードフレームの先端部に、複数個
のコンデンサ素子を配置し、接合するよう構成したこと
を特徴とするチップ型積層固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の陰極リードフレームが、
鉄、銅または鉄−ニッケル合金を母材としてなることを
特徴とするチップ型積層固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 請求項１記載の良導電性金属が、銀、
金、白金、ニッケル、パラジウム、錫、半田のうち少な
くとも１種であることを特徴とするチップ型積層固体電
解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7788198A JPH11274003A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | チップ型積層固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7788198A JPH11274003A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | チップ型積層固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274003A true JPH11274003A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13646428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7788198A Pending JPH11274003A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | チップ型積層固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274003A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001052288A1 (en) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with low esr and high humidity resistance |
| JP2002170742A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-06-14 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサ |
| DE10222405A1 (de) * | 2002-05-21 | 2003-12-18 | Epcos Ag | Chipkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR20050071731A (ko) * | 2004-01-02 | 2005-07-08 | 삼성전기주식회사 | 다중 소자를 갖는 고체전해 콘덴서 |
| US20130314845A1 (en) * | 2010-05-26 | 2013-11-28 | Kemet Electronics Corporation | Method of Improving Electromechanical Integrity of Cathode Coating to Cathode Termination Interfaces in Solid Electrolytic Capacitors |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7788198A patent/JPH11274003A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2001052288A1 (en) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with low esr and high humidity resistance |
| US6304427B1 (en) | 2000-01-07 | 2001-10-16 | Kemet Electronics Corporation | Combinations of materials to minimize ESR and maximize ESR stability of surface mount valve-metal capacitors after exposure to heat and/or humidity |
| JP2002170742A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-06-14 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサ |
| DE10222405A1 (de) * | 2002-05-21 | 2003-12-18 | Epcos Ag | Chipkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7190571B2 (en) | 2002-05-21 | 2007-03-13 | Kemet Electronics Corporation | Chip capacitor and method for the production thereof |
| DE10222405B4 (de) * | 2002-05-21 | 2007-09-27 | Epcos Ag | Chipkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR20050071731A (ko) * | 2004-01-02 | 2005-07-08 | 삼성전기주식회사 | 다중 소자를 갖는 고체전해 콘덴서 |
| US20130314845A1 (en) * | 2010-05-26 | 2013-11-28 | Kemet Electronics Corporation | Method of Improving Electromechanical Integrity of Cathode Coating to Cathode Termination Interfaces in Solid Electrolytic Capacitors |
| US9748043B2 (en) * | 2010-05-26 | 2017-08-29 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040914 |
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Effective date: 20060928 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061010 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |