JPH11274110A - 半導体ウェーハの切断方法及び切断装置 - Google Patents
半導体ウェーハの切断方法及び切断装置Info
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Abstract
1を真空チャックテーブル2のウェーハ載置面3にセッ
トして前記ウェーハ1を切断用のブレード6で効率良く
切断すると共に、前記ウェーハ1から切断されたチップ
4を前記載置面3に各別に且つ確実に吸着することを目
的とする。 【構成】 前記ウェーハ載置面3に前記ウェーハ1のチ
ップ部4に対応して各別に設けた矩形吸着口7で前記ウ
ェーハ1を吸着固定すると共に、前記ウェーハ載置面3
に前記ウェーハ1に設定されたストリート5に対応して
設けたブレード6の逃げ溝11と前記ストリート5とを合
致させ、切断用のブレード6で前記ストリート5に沿っ
て切断することにより、前記ウェーハ1を所要複数個の
チップ4に切断する。
Description
複数個のチップ(IC等)に切断する半導体ウェーハの
切断方法(ダイシング方法)及びその切断装置(ダイシ
ング装置)の改良に関する。
断装置で所要複数個のチップに切断することが行われて
いる。例えば、前記した装置には、前記ウェーハを吸着
固定するウェーハ吸着固定用の真空チャックテーブルが
設けられて構成されると共に、前記真空チャックテーブ
ル面には前記ウェーハを載置するウェーハ載置面が形成
され、前記ウェーハ載置面には前記ウェーハを吸着する
吸着口が適宜に設けられて構成されている。また、前記
した装置には、前記したウェーハに形成されたストリー
ト(研削ライン)に沿って切溝を入れることにより前記
ウェーハを所要複数個のチップに切断するダイヤモンド
ホイル等のウェーハ切断用ブレードとが設けられて構成
されている。また、前記ウェーハから切断された各チッ
プが散らばることを防止する等のために、前記ウェーハ
に前記ウェーハシートを接着層(接着剤)を介して貼り
つける構成が用いられると共に、前記ウェーハのウェー
ハ載置面への吸着固定時に、前記ウェーハは前記ウェー
ハシートを介して前記ウェーハ載置面に吸着固定するこ
とができるように構成されている。従って、前記ブレー
ドを用いて前記ウェーハを完全に切断(切削)してフル
ダイシングすることにより、前記ウェーハを前記所要複
数個のチップに切断分離することができるように構成さ
れている。このとき、前記ウェーハシートは、例えば、
その厚さの一部にまで前記ブレードで切り込まれるよう
に構成されている。
るように、前記したウェーハシートを用いることによる
弊害がある。例えば、前記ウェーハの切断時に、前記ウ
ェーハシートをその接着層の一部にまで切り込むことに
なるので、前記したダイヤモンドホイルが目詰まりを起
こして切断性が下がり、前記ホイルの寿命が低下して前
記したウェーハの切断面における精度が不安定になる。
また、前記したウェーハシートを用いることは、前記チ
ップの共晶ボンディング時に、前記ウェーハシートの接
着剤に含まれる塩素イオンが共晶皮膜の形成を妨げると
共に、前記塩素イオンが残存して半導体(チップ)の酸
化を促進し、前記チップの電気的特性の低下を招くこと
になる。
で前記したウェーハ載置面で前記ウェーハを吸着固定し
た場合、前記したウェーハ載置面に吸着口が適宜に設け
られているため、前記ウェーハを所要数のチップに切断
分離した後、前記吸着口に合致しないチップが存在して
前記全チップを前記ウェーハ載置面に確実に吸着固定す
ることができないと云う弊害がある。
さで切溝を入れるハーフダイシングを行うことにより、
前記ウェーハシートを前記ブレードで切断しない構成が
検討されている。この場合、前記ハーフダイシング後、
前記ウェーハの表面に紙を被覆し、ローラで前記ウェー
ハのストリートに加工された切溝に沿って割れ目を入れ
るブレーキングを行うか、若しくは、円弧状の治具で前
記ウェーハ面を突き上げ、前記ウェーハシートを引き伸
ばしてブレーキングを行い、前記ウェーハを個々のチッ
プに分割するようにしている。このハーフダイシングに
よる切断方法は、前記ウェーハの破片が(例えば、ガラ
スを割る場合と同様に)発生して前記(半導体)チップ
の電子回路上に載って前記チップの電子回路を切断する
ことがある。なお、このことが、半導体を微細加工化す
る場合には半導体自体の欠陥としてクローズアップされ
ることになる。
ずに、半導体ウェーハを真空チャックテーブルのウェー
ハ載置面にセットすると共に、前記ウェーハを効率良く
切断することができる半導体ウェーハの切断方法及びそ
の切断装置を提供することを目的とする。また、本発明
は、半導体ウェーハから切断されたチップを真空チャッ
クテーブルのウェーハ載置面に各別に且つ確実に吸着す
ることのできる半導体ウェーハの切断方法及びその切断
装置を提供することを目的とする。
るための本発明に係る半導体ウェーハの切断方法は、半
導体ウェーハを所要複数個のチップに切断するウェーハ
の切断装置を用いて該装置における真空チャックテーブ
ルに前記ウェーハを載置して吸着固定すると共に、切断
用のブレードで前記ウェーハに設定したストリートに沿
って切断する半導体ウェーハの切断方法であって、前記
真空チャックテーブル面に前記ストリートに対応してブ
レードの逃げ溝を設ける工程と、前記ウェーハの載置時
に、前記ストリートと前記ブレードの逃げ溝とを合致さ
せる工程と、前記チップ部の切断形状に沿って形成した
開口周縁形状を有する吸着口にて前記チップ部を各別に
吸着する工程とを備えたことを特徴とする。
の本発明に係る半導体ウェーハの切断装置は、半導体ウ
ェーハを載置して吸着固定する真空チャックテーブル
と、前記ウェーハ面にストリートを設定するアライメン
ト手段と、前記ウェーハを前記ストリートに沿って切断
して所要複数個のチップを形成する切断用ブレードと、
前記真空チャックテーブルに一端側が連通接続した真空
経路と、前記真空経路の他端側に連通接続した真空引き
手段とを備えた半導体ウェーハの切断装置であって、前
記した真空チャックテーブル面に前記ストリートに対応
してブレードの逃げ溝を設けると共に、前記した真空チ
ャックテーブル面に前記チップ部に各別に対応して設け
られた吸着口の開口周縁形状を前記チップ部の切断形状
に沿って形成したことを特徴とする。
の本発明に係る半導体ウェーハの切断装置は、前記した
吸着口における開口周縁形状を矩形にて形成すると共
に、前記矩形吸着口における開口周縁形状の線をストリ
ートの内側近傍に設けたことを特徴とする。
設けた真空チャックテーブルのウェーハ載置面に前記ウ
ェーハにストリートで区画された所要複数個のチップ部
に対応して各別に吸着口を設けると共に、前記吸着口に
おける開口周縁形状を前記チップ部の切断形状(前記ス
トリートの方向)に沿って形成したので、前記ウェーハ
を前記ウェーハ載置面に載置した時に、前記吸着口で前
記チップ部を各別に吸着することにより、前記ウェーハ
を前記ウェーハ載置面に確実に吸着固定することができ
る。また、前記チップ部に対応して各別に吸着口を設け
る構成であるので、切断用ブレードで前記ウェーハから
前記チップを切断した後、前記したウェーハから切断さ
れたチップを前記ウェーハ載置面に各別に且つ確実に吸
着固定することができる。また、本発明によれば、前記
した吸着口の開口周縁形状の線は前記チップ部の切断形
状の線の内側近傍に設けられて構成されているので、前
記ウェーハのチップ部(或いは前記ウェーハから切断さ
れたチップ)に対する吸着面積を拡大することができる
と共に、前記ウェーハ(前記チップ)に対する吸着力を
強化することができる。また、本発明によれば、前記ウ
ェーハを前記ブレードで切断するとき、前記ウェーハか
ら切断されるチップを確実に且つ各別に吸着固定するこ
とができると共に、前記ブレードを前記ウェーハ載置面
に前記ストリートに対応して設けたブレードの逃げ溝に
進入させて切断することができるので、前記ウェーハを
所要複数個のチップに効率良く切断することができる。
明する。図1・図2・図3は、本発明に係る半導体ウェ
ーハ(被研削物)を切断(ダイシング)して所要複数個
のチップ(IC等)を形成する切断装置(ダイシング装
置)である。
ウェーハ1を収容するウェーハ収容部(図示なし)と、
前記ウェーハ1を載置して吸着固定する真空チャックテ
ーブル2と、前記真空チャックテーブル2の上面(真空
チャックテーブル面)に設けられた前記ウェーハを載置
するウェーハ載置面3と、前記収容部から前記ウェーハ
載置面3に前記ウェーハ1を搬送する搬送手段(図示な
し)と、前記ウェーハ載置面3上の前記ウェーハ1をア
ライメントとして前記ウェーハ1の表面に所要複数個の
チップ部4を区画する研削ライン(ストリート5)を設
定するアライメント手段(図示なし)と、前記ウェーハ
載置面3に載置されたウェーハ1を前記ストリート5に
沿って所要複数個のチップ4に切断する切断用のブレー
ド6とが設けられて構成されている。また、前記ウェー
ハ載置面3には、前記した載置面3に載置されたウェー
ハ1のストリート5に対応してブリードの逃げ溝11が設
けられている。従って、図3に示すように、前記ウェー
ハ1の前記ウェーハ載置面3への載置時に、前記ブリー
ドの逃げ溝11に前記ストリート5を合致させると共に、
前記ウェーハの切断時に、前記ストリート5の下方にあ
る逃げ溝11内に前記ブレード6を進入させて前記ウェー
ハ1を前記所要複数個のチップ4に切断することができ
るように構成されている。なお、図例では、前記ストリ
ート5の(伸長)方向が縦横に互いに直角になるように
構成されると共に、前記ストリート5で区画されて形成
されるチップ部4は平面的に矩形である。
ーハ1を吸着する吸着口7が所要数設けられると共に、
前記各吸着口7は前記したウェーハ載置面3に載置され
たウェーハ1の各チップ部4に対応して各別に設けられ
ている。また、前記吸着口7には真空ホース等の真空経
路8の一端側が連通接続されると共に、前記真空経路8
の他端側には真空引きする真空ポンプ等の真空引き手段
9が連通接続されて構成されている。従って、前記真空
引き手段8を作動させて前記各吸着口7で前記ウェーハ
1の吸着することにより、前記ウェーハ1を前記ウェー
ハ載置面3に吸着固定することができるように構成され
ている。なお、図例では、前記真空チャックテーブル2
のウェーハ載置面3の下部側に多孔質材料等で形成され
た連通部10が設けられると共に、前記真空引き手段9で
前記吸着口7及び前記連通部10を通して真空引きするこ
とにより、前記ウェーハ1を前記ウェーハ載置面3に吸
着させることができるように構成されている(図2参
照)。また、前記した真空引き手段9に連通接続した真
空経路8を分岐して前記各吸着口7に前記各分岐真空経
路を直接的に且つ各別に連通接続する構成を採用するこ
とができる。
前記チップ部4の切断形状(前記ストリート5の方向)
に沿って構成されている。従って、前記ウェーハ1を前
記ウェーハ載置面3に載置した時に、前記吸着口7で前
記チップ部4を各別に吸着することにより、前記ウェー
ハ1を前記ウェーハ載置面3に確実に吸着固定すること
ができるように構成されると共に、前記ウェーハ1から
前記チップ4を切断した後、前記したウェーハ1から切
断されたチップ4を前記ウェーハ載置面3に各別に且つ
確実に吸着固定することができるように構成されてい
る。
部4の切断形状を矩形にて形成されているので、前記矩
形チップ部4の切断形状に沿って前記吸着口7の開口周
縁形状が矩形にて形成されると共に、前記矩形吸着口7
は前記チップ部4に各別に対応して設けられている。従
って、前記ウェーハの載置時に、前記ウェーハ1を前記
矩形吸着口7で前記ウェーハ載置面3に確実に吸着固定
することができると共に、前記ウェーハ1の切断後に、
前記矩形吸着口7で前記矩形チップ4を各別に且つ確実
に吸着固定することができる。また、図例においては、
前記した矩形吸着口7の開口周縁形状の線は前記矩形チ
ップ部4の切断形状の線(前記ストリート)の内側近傍
に設けられて構成されている。従って、前記ウェーハ1
のチップ部4(或いは前記ウェーハ1から切断されたチ
ップ4)に対する吸着面積を拡大することができると共
に、前記ウェーハ1(前記チップ4)に対する吸着力を
強化することができる。
段で前記した切断装置の収容部から前記真空チャックテ
ーブル2のウェーハ載置面3に載置すると共に、前記ア
ライメント手段で前記ウェーハ1の表面に前記ストリー
ト5を設定する。次に、前記ウェーハ載置面3の逃げ溝
11に対応して前記ストリート5を合致させると共に、前
記ウェーハ1を前記矩形吸着口7で吸着固定する。この
とき、前記ウェーハ1の各チップ部4は前記矩形吸着口
7で各別に吸着されることになるので、前記ウェーハ1
を前記ウェーハ載置面3に確実に吸着固定することがで
きる。また、次に、前記ウェーハ1を前記ブレード6で
前記ストリート5に沿って切断して所要複数個のチップ
4を形成する。このとき、前記ブレード6を前記逃げ溝
11内に進入させると共に、切断されたチップ4を前記し
た矩形吸着口7で各別に且つ確実に吸着固定することが
できるので、前記ウェーハ1を前記ブレード6で効率良
く切断することができる。
切断した後、前記チップ4毎に前記吸着口7で各別に吸
着固定された状態にあるが、次に、前記したチップ4の
表面(上面)に取出治具を接触させない状態で、前記チ
ップ4を支持して取り出すと共に、前記チップ4を洗浄
して収容マガジンに収容することになる。例えば、ま
ず、前記吸着口7の開口部内から吸着ノズルを上昇させ
て前記吸着口7の開口部の上方に前記チップ4を該チッ
プ4の裏面(下面)側から前記吸着ノズルで支持すると
共に、記チップ4の裏面から取出治具で支持して前記チ
ップ4を取り出す構成を採用することができる。従っ
て、前記ウェーハ1を前記切断装置で切断するとき、前
記チップ4の上面に治具等が接触することはないので、
前記チップ4の上面に施された細線状の電子回路に悪影
響を及ぼすことはない。
は種類によって異なるので、異なる種類のチップを切断
する場合、前記した吸着口及び逃げ溝を有するウェーハ
載置面を着脱自在に交換することができるように構成さ
れている。
手段9を用いる構成を例示したが、複数個の真空引き手
段を用いる構成を採用しても差し支えない。この場合、
前記複数個の真空引き手段に各別に対応して前記ウェー
ハ載置部を平面的に適宜に区画(分割)することによ
り、前記各区画に前記各真空引き手段を各別に対応させ
ることができる。例えば、前記ウェーハ載置部を平面的
に四区画に分割すると共に、四個の真空引き手段を各区
間に各別に連通接続するように構成することができる。
なお、前記した各区画部分には各別に所要数の吸着口が
設けられて構成されることになる。
の位置決めについて、前記した真空チャックテーブル2
のウェーハ載置面3に前記ウェーハ1を載置する場合
に、前記したウェーハ載置面3の逃げ溝11の位置に前記
したウェーハ1に設定されるストリート5の位置を合致
させる適宜な微調整手段を設ける構成を採用しても差し
支えない。例えば、前記ウェーハ1をその側方から適宜
に支持固定した状態で、前記真空チャックテーブル2
(微調整テーブル)を適宜な方向に微移動(或いは微回
転)させることにより、前記逃げ溝11の位置と前記スト
リート5の位置を合致させて微調整する構成を採用する
ことができる。
れるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内
で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採
用できるものである。
ずに、半導体ウェーハを真空チャックテーブルのウェー
ハ載置面にセットすると共に、前記ウェーハを効率良く
切断することができる半導体ウェーハの切断方法及びそ
の切断装置を提供することができると云う優れた効果を
奏するものである。
ら切断されたチップを真空チャックテーブルのウェーハ
載置面に各別に且つ確実に吸着することのできる半導体
ウェーハの切断方法及びその切断装置を提供することが
できると云う優れた効果を奏するものである。
的に示す概略平面図である。
一部切欠概略平面図である。
概略縦断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを所要複数個のチップに
切断するウェーハの切断装置を用いて該装置における真
空チャックテーブルに前記ウェーハを載置して吸着固定
すると共に、切断用のブレードで前記ウェーハに設定し
たストリートに沿って切断する半導体ウェーハの切断方
法であって、 前記真空チャックテーブル面に前記ストリートに対応し
てブレードの逃げ溝を設ける工程と、 前記ウェーハの載置時に、前記ストリートと前記ブレー
ドの逃げ溝とを合致させる工程と、 前記チップ部の切断形状に沿って形成した開口周縁形状
を有する吸着口にて前記チップ部を各別に吸着する工程
とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの切断方
法。 - 【請求項2】 半導体ウェーハを載置して吸着固定する
真空チャックテーブルと、前記ウェーハ面にストリート
を設定するアライメント手段と、前記ウェーハを前記ス
トリートに沿って切断して所要複数個のチップを形成す
る切断用ブレードと、前記真空チャックテーブルに一端
側が連通接続した真空経路と、前記真空経路の他端側に
連通接続した真空引き手段とを備えた半導体ウェーハの
切断装置であって、前記した真空チャックテーブル面に
前記ストリートに対応してブレードの逃げ溝を設けると
共に、前記した真空チャックテーブル面に前記チップ部
に各別に対応して設けられた吸着口の開口周縁形状を前
記チップ部の切断形状に沿って形成したことを特徴とす
る半導体ウェーハの切断装置。 - 【請求項3】 吸着口における開口周縁形状を矩形にて
形成すると共に、前記矩形吸着口における開口周縁形状
の線をストリートの内側近傍に設けたことを特徴とする
請求項2に記載の半導体ウェーハの切断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282198A JPH11274110A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体ウェーハの切断方法及び切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282198A JPH11274110A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体ウェーハの切断方法及び切断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274110A true JPH11274110A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14065109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9282198A Pending JPH11274110A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半導体ウェーハの切断方法及び切断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274110A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
| CN103811396A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-21 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 圆片封装工艺用治具 |
| JP2014205205A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 被加工物保持装置 |
| JP2017183484A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
| WO2020084877A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Towa株式会社 | 吸着機構、切断装置および切断品の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP9282198A patent/JPH11274110A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
| JP2014205205A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 被加工物保持装置 |
| CN103811396A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-21 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 圆片封装工艺用治具 |
| JP2017183484A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
| CN107263755A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-20 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台 |
| TWI717467B (zh) * | 2016-03-30 | 2021-02-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 吸盤台 |
| WO2020084877A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Towa株式会社 | 吸着機構、切断装置および切断品の製造方法 |
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