JPH11274134A - 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶媒の供給量の微妙な調整などの繁雑な操作
を行わなくても、パーティクルの発生を抑え、効率的な
乾燥を行うことができる基板乾燥装置、基板乾燥方法お
よび基板処理装置を提供する。 【解決手段】 多機能処理部において処理槽２０に供給
する純水ＤＩＷの供給流量を処理対象の基板Ｗの特性に
応じて変化させる（図４（ｂ））。その後、基板Ｗを処
理槽２０中の純水ＤＩＷから引き上げ（図４（ｃ））、
乾燥する。そのため、処理対象の基板Ｗの特性に応じて
処理槽２０への純水ＤＩＷ（一般には処理液）の供給量
を変化させることができるので、ＩＰＡベーパーの供給
量やＮ2ガスの供給量の微妙な調整を行わなくても、パ
ーティクルの発生を抑え、十分な乾燥を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、処理槽に貯留さ
れた処理液に半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板
（以下、単に「基板」という。）を浸漬処理した後に前
記処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引
き上げて乾燥する基板乾燥装置、基板乾燥方法および基
板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から基板の洗浄と乾燥を行う基板洗
浄・乾燥装置においては、処理室内に処理槽を設け、そ
の処理槽に純水を貯留して基板を浸漬処理を行い、その
間に処理室内にＩＰＡベーパー（イソプロピルアルコー
ル蒸気）を含んだ雰囲気を形成しておき、基板の浸漬処
理が終了した後、その基板を処理槽からＩＰＡベーパー
を含んだ雰囲気中に引き上げ、基板表面に付着した純水
を、それに対してＩＰＡを凝縮させることにより除去し
て基板を乾燥させている。そのＩＰＡベーパーの処理室
内への供給は、短時間で処理室内に所定濃度のＩＰＡベ
ーパーを含んだ雰囲気を形成するために、一般に処理室
内の上部に設けられたＩＰＡベーパー供給ノズルからＮ
2をキャリアガスとしてＩＰＡベーパーを下方へ向けて
噴射することによって行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
基板洗浄・乾燥方法では処理対象の基板の特性に応じて
処理室内に供給するＩＰＡベーパーの濃度を様々に変化
させて基板を乾燥させているが、供給するＩＰＡベーパ
ーの濃度を高くすると、洗浄液にＩＰＡが大量に溶け込
んでパーティクルが多く発生したり、逆に供給するＩＰ
Ａベーパーの濃度が低いと十分な乾燥が行えないといっ
た問題があり、そのため、ＩＰＡベーパーの供給濃度を
微妙に調整しなければならなかった。

【０００４】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、溶媒の供給量の微妙な調整など
の煩雑な操作を行わなくても、パーティクルの発生を抑
え、効率的な乾燥を行うことができる基板乾燥装置、基
板乾燥方法および基板処理装置を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１に記載の基板処理装置は、処理
槽に貯留された処理液に基板を浸漬処理した後に処理槽
に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げて
乾燥する基板乾燥装置であって、処理槽に処理液を供給
する液供給手段と、液供給手段から処理槽に供給される
処理液の流量を変化させる流量変更手段と、基板の相対
的な引き上げ前および引き上げ中のうちの少なくとも一
方において処理液の流量を変化させるように流量変更手
段を制御する制御手段と、を備える。

【０００６】また、この発明の請求項２に記載の装置
は、請求項１に記載の基板乾燥装置であって、制御手段
による処理液の流量の変化が増加であることを特徴とす
る。

【０００７】また、この発明の請求項３に記載の装置
は、請求項１に記載の基板乾燥装置であって、制御手段
による処理液の流量の変化が減少であることを特徴とす
る。

【０００８】また、この発明の請求項４に記載の基板処
理装置は、基板に対して処理液による処理を施す基板処
理部と、請求項１ないし請求項３のいずれかの基板乾燥
装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備える。

【０００９】また、この発明の請求項５に記載の基板乾
燥方法は、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬処理
した後に処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対
的に引き上げて乾燥する基板乾燥方法であって、基板の
相対的な引き上げ前および引き上げ中のうちの少なくと
も一方において処理槽へ供給する処理液の流量を変化さ
せることを特徴とする。

【００１０】また、この発明の請求項６に記載の方法
は、請求項５に記載の基板乾燥方法であって、処理液の
流量の変化が増量であることを特徴とする。

【００１１】さらに、この発明の請求項７に記載の方法
は、請求項５に記載の基板乾燥方法であって、処理液の
流量の変化が減量であることを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。

【００１３】＜１．実施の形態の機構的構成と装置配列
＞図１は、この発明の一つの実施の形態である基板処理
装置１の構成を示す斜視図である。図示のように、この
装置は、未処理基板を収納しているカセットＣが投入さ
れるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からの
カセットＣが載置され内部から複数の基板が同時に取り
出される基板取出部３と、カセットＣから取り出された
未処理基板が順次洗浄処理される基板処理部５と、洗浄
処理後の複数の処理済み基板が同時にカセット中に収納
される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカ
セットＣが払い出されるカセット搬出部８とを備える。
さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部
７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、洗浄
処理前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から
別の箇所に搬送したり移載したりする。

【００１４】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ1を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。

【００１５】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カ
セットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送
ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５
に投入される。

【００１６】基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽Ｃ
Ｂを備える薬液処理部５ａと、純水を収容する水洗槽Ｗ
Ｂを備える水洗処理部５ｂ（薬液処理部５ａおよび水洗
処理部５ｂが「基板処理部」に相当する）と、単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽２０を備える
後に詳述する多機能処理部５ｄとから構成される。

【００１７】基板処理部５において、薬液処理部５ａ及
び水洗処理部５ｂの後方側には、第１基板浸漬機構５ｃ
が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能な
リフタヘッドＬＨ1によって、搬送ロボットＴＲから受
け取った基板を薬液処理部５ａの薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５ｂの水洗槽ＷＢに浸漬したりする。ま
た、多機能処理部５ｄ内部のリフタ３０（機構の詳細は
後述）が配置されており、これに設けた上下動可能なリ
フタヘッド３２によって、搬送ロボットＴＲから受け取
った基板を多機能処理部５ｄの処理槽２０内に支持す
る。

【００１８】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣ中に収納する。

【００１９】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ2を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載す
る。

【００２０】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
ａ、９ｂよって基板を把持することにより、基板取出部
３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５
の第１基板浸漬機構５ｃに設けたリフタヘッドＬＨ1側
に移載したり、このリフタヘッドＬＨ1側から隣りの多
機能処理部５ｄに設けたリフタヘッド３２側に移載した
り、このリフタヘッド３２側から基板収納部７のホルダ
７ａ、７ｂに移載したりする。

【００２１】図２はこの発明の基板乾燥装置および基板
乾燥部に相当する多機能処理部５ｄの縦断面図であり、
図３は、多機能処理部５ｄの全体構成を示す模式図であ
る。まず、図２および図３を用いてこの多機能処理部５
ｄの機構的構成についてより詳細に説明する。

【００２２】図示のようにこの多機能処理部５ｄは、主
にチャンバ１０、処理槽２０、リフタ３０、ガス供給ノ
ズル４０、Ｎ2供給源５０、ＩＰＡ供給源６０、ＤＩＷ
供給源７０、ＨＦ供給源８０、制御部９０を備えてい
る。

【００２３】チャンバ１０はその内部に処理槽２０、ガ
ス供給ノズル４０を、その上面には開閉可能なシャッタ
１１を、さらにその底面下方にはリフタ３０が設けら
れ、シャッタ１１を閉じた状態でガス供給ノズル４０か
らＩＰＡベーパーおよび／またはＮ2ガスを供給するこ
とにより内部にそれらを含む雰囲気を形成することがで
きる。

【００２４】処理槽２０はその内部にＨＦ供給源８０か
ら供給されるＨＦ（フッ酸）またはＤＩＷ供給源７０か
ら供給される純水ＤＩＷ等の処理液を貯留し、その処理
液に基板Ｗを浸漬させて処理を行うことができる。ま
た、処理槽２０の側面上端には処理槽２０から溢れた処
理液を回収するための処理液回収溝２１が設けられてい
る。

【００２５】前述のリフタ３０下部にはサーボモータ３
１が設けられており、その駆動によりリフタヘッド３２
が昇降し、そのリフタヘッド３２には基板Ｗを多数保持
可能な基板ガイド３３が設けられている。

【００２６】ガス供給ノズル４０はチャンバ１０内側面
の処理槽２０上端より下方に水平に設けられた配管Ｐ１
上面に多数のガス供給口４０ａが設けられたものとなっ
ている。そして、チャンバ１０内にＮ2供給源５０から
のＮ2ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ供給源６０から
の有機溶媒の蒸気であるＩＰＡベーパー（以下、併せて
「混合ガス」という）とともに供給したり、Ｎ2ガスの
みを供給したりする。

【００２７】Ｎ2供給源５０、ＩＰＡ供給源６０にはそ
れぞれバルブＶ１，Ｖ２が介挿された配管Ｐ２，Ｐ３が
設けられており、さらにそれらは互いに結合され、１本
の配管Ｐ４となってチャンバ１０内のガス供給ノズル４
０に接続されている。

【００２８】ＤＩＷ供給源７０には配管Ｐ５が、ＨＦ供
給源８０にはバルブＶ３が介挿された配管Ｐ６が接続さ
れており、さらにそれらは互いに１本の配管Ｐ７に連結
され、その配管Ｐ７はチャンバ１０内の処理槽２０に接
続されている。特に、ＤＩＷ供給源７０に接続された配
管Ｐ５には、処理槽２０に供給する純水ＤＩＷを冷却す
る冷却部７５、配管Ｐ５を流れる純水ＤＩＷを含む処理
液流量を計測する流量計ＦＭ１およびその流量を変化さ
せる流量変更手段である制御弁ＣＶ１が介挿されてい
る。なお、ＤＩＷ供給源７０と配管Ｐ５，Ｐ７を併せた
もの、またはＨＦ供給源８０と配管Ｐ６，Ｐ７を併せた
ものが「液供給手段」に相当する。

【００２９】また、この装置の設置される施設内の排気
ラインにはエアポンプＡＰおよびバルブＶ４が介挿され
た配管Ｐ８が接続されており、その多端はチャンバ１０
に接続されている。また、この装置の設置される施設内
の排液ラインにはバルブＶ５が介挿された配管Ｐ９が接
続されており、その多端はチャンバ１０内の処理槽２０
に接続されている。また、処理液回収溝２１に接続され
た配管Ｐ１０は三方弁Ｖ６により循環用配管Ｐ１１と排
液ラインに通じる配管Ｐ１２とに分岐される。さらに循
環用配管Ｐ１１にはポンプＰ、フィルタＦおよび循環す
る純水ＤＩＷおよびＨＦ等の処理液の流量を計測する流
量計ＦＭ２およびその流量を変化させる制御弁ＣＶ１と
同様の流量変更手段である制御弁ＣＶ２が介挿されてい
る。

【００３０】さらに、制御部９０は上述のバルブＶ１〜
Ｖ５、三方弁Ｖ６、制御弁ＣＶ１，ＣＶ２、流量計ＦＭ
１，ＦＭ２、エアポンプＡＰ、ポンプＰに電気的に接続
されており（これら接続は図示省略）、各バルブＶ１〜
Ｖ５の開閉、三方弁Ｖ６の切り替え、制御弁ＣＶ１，Ｃ
Ｖ２の開度、エアポンプＡＰの起動および停止、ポンプ
Ｐの起動および停止の制御を行う。

【００３１】図４は、この実施の形態の多機能処理部５
ｄによる基板乾燥処理の一例の処理手順を示す模式図で
ある。以下、図４を用いてこの装置による基板乾燥処理
の一例の処理手順について説明する。

【００３２】なお、以下の処理以前にＨＦによるエッチ
ング処理等は終了しているものとする。また、以下の制
御は制御部９０により行われる。

【００３３】まず、予め処理槽２０には冷却された純水
ＤＩＷが満たされている状態で、さらに冷却部７５によ
り冷却された純水ＤＩＷが常時処理槽２０内に供給さ
れ、純水ＤＩＷが処理槽２０上端から処理液回収溝２１
に溢れるオーバーフロー状態で基板Ｗの洗浄が行われる
（図４（ａ））。

【００３４】なお、この段階ではガス供給ノズル４０か
らはＮ2ガスが供給されている。さらに、この基板乾燥
処理例では処理液回収溝２１に回収された純水ＤＩＷは
配管Ｐ１２を通じて排液ラインに排出される。

【００３５】そして、洗浄処理が終了した後、処理槽２
０に供給する純水ＤＩＷの流量を変化させる（図４
（ｂ））。

【００３６】このとき、配管Ｐ５を流れる純水ＤＩＷの
流量が目標とする変化後の所定流量となるように制御弁
ＣＶ１は制御される。具体的には流量計ＦＭ１による計
測結果信号に基づき制御部９０が制御弁ＣＶ１をフィー
ドバック制御することにより所定の流量に維持する。

【００３７】それとともに、ガス供給ノズル４０からチ
ャンバ１０内に冷却された純水ＤＩＷの温度より高温
（常温程度）のＩＰＡベーパーを供給する（図４
（ｂ））。具体的には制御部９０がバルブＶ１，Ｖ２を
開いてＮ2ガスおよびＩＰＡベーパーをともに混合ガス
としてチャンバ１０内にガス供給ノズル４０から供給す
る。

【００３８】そして、処理槽２０に貯留された純水ＤＩ
Ｗの液面より下方に設けられたガス供給ノズル４０から
上方に向けて混合ガスの供給を続けることにより、Ｎ2
ガスとＩＰＡベーパーの分子量の違いから次第にチャン
バ１０内の処理槽２０上方近傍にはＩＰＡベーパーを多
く含む層が、その上方にＮ2ガスを多く含む層がそれぞ
れ形成される。

【００３９】図５は、処理槽２０における純水ＤＩＷの
流れを説明するための図である。

【００４０】図示のように処理槽２０ではその底面の配
管Ｐ７につながる処理液供給口ＲＯから供給された純水
ＤＩＷはその勢いにより、矢印Ａrのように純水ＤＩＷ
表面に向かって上昇していき、貯留された純水ＤＩＷ表
面でその表面に沿って四方に広がり、その多くは処理槽
２０の側面上端から溢れて処理液回収溝２１に至るが、
それ以外は処理槽２０側面により妨げられて、処理槽内
側面に沿って下降して、再び純水ＤＩＷ内に戻される。

【００４１】ところで、基板Ｗの乾燥効率から純水ＤＩ
Ｗ表面近くのＩＰＡベーパー濃度は高いことが望ましい
が、パーティクル発生を抑えるためには純水ＤＩＷ内部
に溶け込んだＩＰＡ濃度は低い方がよい。これを前提と
して処理槽２０内の純水ＤＩＷの流量について考えると
以下の通りと考えられる。

【００４２】すなわち、処理槽２０の底面側から供給さ
れ上昇する純水ＤＩＷの流量が多いと、純水ＤＩＷ内部
のＩＰＡ濃度は低くなるが、純水ＤＩＷ表面付近のＩＰ
Ａベーパーは、つぎつぎと供給される表面の新たな純水
ＤＩＷに溶け込み、その流れとともに処理槽２０から溢
れ出てしまうため、処理槽２０表面付近に滞留するＩＰ
Ａベーパーの濃度は低くなってしまう。

【００４３】逆に、上昇する純水ＤＩＷの流量が少ない
と、純水ＤＩＷ表面に溶け込んで排出されるＩＰＡベー
パーは少なくなり、純水ＤＩＷ表面付近のＩＰＡベーパ
ー濃度は高くなるが、処理槽２０内で上昇する純水ＤＩ
Ｗの流量が少ないため、純水ＤＩＷ内部のＩＰＡ濃度は
高くなってしまう。

【００４４】このように、処理槽２０内に供給する純水
ＤＩＷの流量は、多くすべき、または少なくすべきとい
うようには一概にはいえず、処理対象の基板Ｗの性質や
処理槽２０の形状等によって微妙な調整ができることが
望ましい。そのため、この実施の形態では純水ＤＩＷの
供給量を基板Ｗの処理槽２０からの引き上げ直前に変化
させるものとしている。

【００４５】具体的には、親水面と疎水面の共存する基
板Ｗの場合は純水ＤＩＷ中に溶け込んだＩＰＡによりパ
ーティクルが発生しやすいので純水ＤＩＷ中のＩＰＡ濃
度を抑えてパーティクルを抑制することが重要である。
そのためには純水ＤＩＷの流量は多い方が良い。ただ
し、洗浄処理に際して必要以上に純水ＤＩＷを処理槽２
０に供給するのは純水ＤＩＷに要するコストを高めるの
で、基板Ｗを処理槽２０から引き上げるまでは純水ＤＩ
Ｗの流量を抑えておきたい。そのため、このような基板
Ｗの乾燥では基板Ｗの引き上げ前に純水ＤＩＷの流量を
増加させることが望ましいものと考えられる。実際、親
水面と疎水面の共存する基板Ｗに対して数百個程度のパ
ーティクルの抑制を試みると、純水ＤＩＷを増量しなか
った場合には、ＩＰＡベーパーを２００mL以上要してい
たのに対して、純水ＤＩＷ流量を２０(L／min)から３０
(L／min)に増量した場合には、ＩＰＡベーパーが２０mL
程度要しただけであった。

【００４６】逆に、表面に微細な穴や溝などの凹凸の多
い基板Ｗやアスペクト比の高い表面構造の基板Ｗの場合
には純水ＤＩＷ表面付近のＩＰＡベーパーの濃度を高く
して、そこを基板Ｗが通過する際に十分な乾燥を行うこ
とが重要である。しかし、純水ＤＩＷの流量が多いと、
ＩＰＡベーパーの溶け込んだ純水ＤＩＷの排出される量
が多くなったり、純水ＤＩＷ表面の処理液回収溝２１に
至る流れに牽引されて、その表面付近のＩＰＡベーパー
も処理槽側方に流れてしまう量が多くなるため、ＩＰＡ
ベーパー供給時には純水ＤＩＷの流量が少ないことが望
ましいが、それまではパーティクルを除去するために純
水ＤＩＷ流量はある程度の量は必要である。そのため、
この基板乾燥処理例では基板Ｗの引き上げ前に純水ＤＩ
Ｗの供給流量を減少させることが望ましいものと考えら
れる。

【００４７】このように、処理対象の基板Ｗに応じて処
理槽２０への純水ＤＩＷの供給量を変化させることがで
きるので、ＩＰＡベーパーの供給量やＮ2ガスの供給量
の微妙な調整を行わなくても、被処理基板の特性に応じ
てパーティクルの発生を抑え、十分な乾燥を行うことが
できる。

【００４８】再び基板乾燥処理の説明に戻る。

【００４９】つぎに、基板Ｗを純水ＤＩＷから引き上げ
てＩＰＡベーパーを多く含む層内に停止またはその層を
通過させることにより、ＩＰＡベーパーが基板Ｗに付着
した純水ＤＩＷを除去し基板Ｗを乾燥させる（図４
（ｃ））。

【００５０】なお、この間も混合ガスはガス供給ノズル
４０から供給され続けている。

【００５１】そして、さらにＩＰＡベーパーをチャンバ
１０内に供給し続け、より基板Ｗを乾燥させるととも
に、必要に応じて処理槽２０内の純水ＤＩＷを排出する
（図４（ｄ））。

【００５２】つぎに、チャンバ１０内へ供給するガスを
Ｎ2ガスに切替える（図４（ｅ））。

【００５３】すなわち、バルブＶ２を閉じ、バルブＶ１
はそのまま解放とすることによってガス供給ノズル４０
からはＮ2ガスのみをチャンバ１０内に供給するように
する。これはチャンバ１０内の雰囲気がすべてＮ2ガス
に置換されるまで行われる。

【００５４】つぎに、バルブＶ４を開きエアポンプＡＰ
を起動してチャンバ１０内の雰囲気を排気し、基板Ｗを
減圧乾燥させる（図４（ｆ））。

【００５５】最後にバルブＶ１を開き、チャンバ１０内
にＮ2ガスのみを供給して、内部気圧を外気圧と等く
し、シャッタ１１を開いて大気解放した後、基板Ｗをチ
ャンバ１０外に搬出する。そして、次に処理すべき基板
Ｗがある場合には、それがリフタ３０によりチャンバ１
０内に搬入され、以上と同様の処理が繰返される。そし
て全ての基板Ｗに対して以上の処理が終了するとこの装
置による処理は終了する。

【００５６】以上説明したように、この実施の形態では
純水ＤＩＷ（一般には処理液）の供給量を基板Ｗの処理
槽２０からの引き上げ前および引き上げ中に変化可能な
装置としているため、ＩＰＡベーパーやＮ2ガスのチャ
ンバ１０内への供給量の微妙な調整を行わなくても、パ
ーティクルの発生を抑え、効率的な乾燥を行うことがで
きる。

【００５７】具体的には、親水面と疎水面の共存する基
板Ｗの場合は、基板Ｗの引き上げ前および／または引き
上げ中に純水ＤＩＷ（一般には処理液）の流量を増加さ
せることにより、純水ＤＩＷに要するコストを抑えつつ
純水ＤＩＷ内部のＩＰＡ濃度を抑えてパーティクルを抑
制し、効率的な基板Ｗの乾燥を行うことができる。

【００５８】逆に、表面に凹凸の多い基板Ｗの場合には
基板Ｗの引き上げ前および／または引き上げ中に純水Ｄ
ＩＷ（一般には処理液）の流量を減少させることにより
パーティクルの発生を抑えつつ純水ＤＩＷ表面付近のＩ
ＰＡベーパーの濃度を高くして、そこを基板Ｗが通過ま
たは停止する際に十分な乾燥を行うことができる。

【００５９】＜２．変形例＞上記実施の形態において基
板乾燥処理の一例を示したが、多機能処理部５ｄによる
基板乾燥処理はこれに限られるものではない。例えば、
多機能処理部５ｄは、ＤＩＷ供給部７０とチャンバ１０
とを結ぶ配管Ｐ５に制御弁ＣＶ１および流量計ＦＭ１を
備える以外に、循環用配管Ｐ１１に制御弁ＣＶ２および
流量計ＦＭ２をも備えている。そのため、最初にＤＩＷ
供給源７０から純水ＤＩＷを処理槽に満たした後はその
供給を止め、処理液回収溝２１に溢れた純水ＤＩＷをポ
ンプＰにより循環用配管Ｐ１１を通じてフィルタＦで浄
化した後に処理槽２０に戻すものとすることもできる。
その場合にも制御弁ＣＶ２を制御することにより、上記
基板乾燥処理例と同様に処理槽２０における純水ＤＩＷ
（一般には処理液）の流量制御を行うことができる。な
お、この場合には純水ＤＩＷを再利用することができる
ので純水ＤＩＷにかかるコストを抑えることができる。

【００６０】また、上記乾燥処理例では純水ＤＩＷの流
量を基板Ｗの引き上げ直前に一度だけステップ的に行う
ものとしたが、引き上げ直前ではなく、ＩＰＡベーパー
供給の開始前に純水ＤＩＷ（一般には処理液）流量を変
化させ、その後に基板Ｗの引き上げを行ったり、逆に基
板Ｗの引き上げ中に流量を変化するものとする変形もこ
の発明の範囲に含まれる。さらには、純水ＤＩＷ（一般
には処理液）の流量の時間的変化はステップ的な変化の
他、連続的な変化であってもよく、また、基板Ｗの引き
上げ前または引き上げ中に流量を１度変化させるだけで
なく引き上げ前と引き上げ中の双方において流量を段階
的に増大または減少させたり、さらには正弦曲線状に周
期的に変化させるといった変形もこの発明の範囲に含ま
れる。

【００６１】また、上記実施の形態ではＩＰＡベーパー
をチャンバ内に供給して、基板Ｗをその雰囲気中に引き
上げることによって乾燥させるものとしたが、ＩＰＡベ
ーパーを用いないで減圧乾燥のみ等その他の乾燥方法に
より純水ＤＩＷ（一般には処理液）流量を変化させるも
のとする変形もこの発明の範囲に含まれる。このような
純水ＤＩＷの流量の変化の方法、タイミング、回数等は
処理対象の基板Ｗの特性や処理槽の形状等に応じたもの
を選択すればよい。

【００６２】また、上記実施の形態では処理槽２０中の
純水ＤＩＷはそのままで、基板Ｗを処理槽２０から引き
上げるものとしたが、基板Ｗは昇降させないで純水ＤＩ
Ｗを排出することにより相対的に基板Ｗを純水ＤＩＷか
ら取り出すものとする変形もこの発明の範囲に含まれ
る。

【００６３】さらに、上記実施の形態では溶媒としてＩ
ＰＡを用いているが、この発明はこれに限られず、アル
コール系、ケトン系等の低沸点を有する有機溶媒等を用
いてもよい。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
７の発明によれば、基板の処理液に対する相対的な引き
上げの前および引き上げ中のうち少なくとも一方におい
て処理槽へ供給する処理液の流量を変化させるため、溶
媒蒸気の供給量の微妙な調整を行わなくても、パーティ
クルの発生を抑え、効率的な乾燥を行うことができる。

【００６５】また、請求項２および請求項６の発明によ
れば、基板の引き上げの前および引き上げ中のうち少な
くとも一方において処理液の流量を増量するため、例え
ば、親水面と疎水面の共存する基板を乾燥する場合に
も、処理液の消費量を抑えつつパーティクルの発生を抑
えた乾燥処理を行うことができる。

【００６６】さらに、請求項３および請求項７の発明に
よれば、基板の引き上げの前および引き上げ中のうち少
なくとも一方において処理液の流量を減量するため、例
えば、表面に凹凸の多い基板やアスペクト比の高い表面
構造の基板を乾燥する場合にも、パーティクルの発生を
抑えつつ十分な乾燥処理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の構成を示
す斜視図である。

【図２】実施の形態における多機能処理部の縦断面図で
ある。

【図３】多機能処理部の全体構成を示す模式図である。

【図４】多機能処理部による基板乾燥処理の一例の処理
手順を示す模式図である。

【図５】実施の形態の処理槽における純水の流れを説明
するための図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ５ａ 薬液処理部（基板処理部） ５ｂ 水洗処理部（基板処理部） ５ｄ 多機能処理部（基板乾燥部、基板乾燥装置） ２０ 処理槽 ７０ ＤＩＷ供給源 ８０ ＨＦ供給源 ９０ 制御部 ＣＶ１，ＣＶ２ 流量制御弁（流量変更手段） ＤＩＷ 純水 ＦＭ１，ＦＭ２ 流量計 Ｐ５〜Ｐ７ 配管（７０または８０とともに液供給手
段） Ｗ 基板

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬
   処理した後に前記処理槽に貯留された処理液に対して基
   板を相対的に引き上げて乾燥する基板乾燥装置であっ
   て、 前記処理槽に処理液を供給する液供給手段と、 前記液供給手段から前記処理槽に供給される処理液の流
   量を変化させる流量変更手段と、 基板の前記相対的な引き上げ前および引き上げ中のうち
   の少なくとも一方において前記処理液の流量を変化させ
   るように前記流量変更手段を制御する制御手段と、を備
   えることを特徴とする基板乾燥装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記制御手段による前記処理液の流量の変化が増加であ
   ることを特徴とする基板乾燥装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記制御手段による前記処理液の流量の変化が減少であ
   ることを特徴とする基板乾燥装置。
4. 【請求項４】 基板に対して処理液による処理を施す基
   板処理部と、 請求項１ないし請求項３のいずれかの基板乾燥装置を用
   いて構成された基板乾燥部と、を備えることを特徴とす
   る基板処理装置。
5. 【請求項５】 処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬
   処理した後に前記処理槽に貯留された処理液に対して基
   板を相対的に引き上げて乾燥する基板乾燥方法であっ
   て、 基板の前記相対的な引き上げ前および引き上げ中のうち
   の少なくとも一方において前記処理槽へ供給する処理液
   の流量を変化させることを特徴とする基板乾燥方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板乾燥方法であっ
   て、 前記処理液の流量の変化が増量であることを特徴とする
   基板乾燥方法。
7. 【請求項７】 請求項５に記載の基板乾燥方法であっ
   て、 前記処理液の流量の変化が減量であることを特徴とする
   基板乾燥方法。