JPH11274249A - レーザ式マーキング装置 - Google Patents
レーザ式マーキング装置Info
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- JPH11274249A JPH11274249A JP7063798A JP7063798A JPH11274249A JP H11274249 A JPH11274249 A JP H11274249A JP 7063798 A JP7063798 A JP 7063798A JP 7063798 A JP7063798 A JP 7063798A JP H11274249 A JPH11274249 A JP H11274249A
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- Japan
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- substrate
- air
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- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザマーキングを行なう際に半導体基板か
ら発生する破片の基板への再付着を防止する。 【解決手段】 レーザ光４に対して半導体基板２を垂直
に保持し、かつ半導体基板２のレーザ照射面２ｅに平行
なエアー流９を形成し、基板２から発生する破片２ｂを
エアー流９により排出し、破片２ｂが半導体基板２に再
付着するのを防止する。
ら発生する破片の基板への再付着を防止する。 【解決手段】 レーザ光４に対して半導体基板２を垂直
に保持し、かつ半導体基板２のレーザ照射面２ｅに平行
なエアー流９を形成し、基板２から発生する破片２ｂを
エアー流９により排出し、破片２ｂが半導体基板２に再
付着するのを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にレー
ザ光によるマーキングを行うレーザ式マーキング装置に
関する。
ザ光によるマーキングを行うレーザ式マーキング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造する分野では、
半導体基板にレーザ光を照射し、半導体基板の一部を溶
融させてマーキングを行なっている。
半導体基板にレーザ光を照射し、半導体基板の一部を溶
融させてマーキングを行なっている。
【０００３】このマーキングを行なうには、従来種々の
レーザ式マーキング装置が用いられている。
レーザ式マーキング装置が用いられている。
【０００４】特開平８−３３０１９６号公報に開示され
た技術は図３、図４に示すように、ステージ１上に半導
体基板２を水平にセットし、かつ半導体基板２のマーキ
ング箇所を遮蔽板３にて隔離し、遮蔽板３で隔離された
半導体基板２の板面にレーザ光４を照射してマーキング
を行なっている。
た技術は図３、図４に示すように、ステージ１上に半導
体基板２を水平にセットし、かつ半導体基板２のマーキ
ング箇所を遮蔽板３にて隔離し、遮蔽板３で隔離された
半導体基板２の板面にレーザ光４を照射してマーキング
を行なっている。
【０００５】また特開平８−３３０１９６号公報に開示
された技術は図５に示すように、半導体基板２のマーキ
ング箇所にダクト状のレーザマーキングエリア遮断用治
具６を取付け、治具６の上部開口６ａからレーザ光４を
導入し、横向きの排気口６ｂから排気を行なっている。
された技術は図５に示すように、半導体基板２のマーキ
ング箇所にダクト状のレーザマーキングエリア遮断用治
具６を取付け、治具６の上部開口６ａからレーザ光４を
導入し、横向きの排気口６ｂから排気を行なっている。
【０００６】特開平５−１０４２６５号公報に開示され
た技術は図６に示すように、半導体基板２のマーキング
箇所２ａに酸化性ガス５を吹き付け、レーザ光４を照射
して基板一部を溶融し、飛散する基板破片２ｂの表面を
酸化性ガス５で酸化させ、基板破片２ｂが基板１上に落
下したときの付着力を軽減するようにしている。
た技術は図６に示すように、半導体基板２のマーキング
箇所２ａに酸化性ガス５を吹き付け、レーザ光４を照射
して基板一部を溶融し、飛散する基板破片２ｂの表面を
酸化性ガス５で酸化させ、基板破片２ｂが基板１上に落
下したときの付着力を軽減するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す従来例では遮蔽板３で隔離した領域には、溶融飛散
した破片が再付着して汚染されてしまうという問題があ
る。
示す従来例では遮蔽板３で隔離した領域には、溶融飛散
した破片が再付着して汚染されてしまうという問題があ
る。
【０００８】また図５に示す従来例では、レーザ光の照
射位置、排気口の位置精度が要求され、作業効率が低下
するという問題があった。
射位置、排気口の位置精度が要求され、作業効率が低下
するという問題があった。
【０００９】また図６に示す従来例では、酸化性ガス５
によって酸化された酸化物が基板に付着した場合に、そ
の酸化物をエッチングにより除去する必要があるという
問題がある。
によって酸化された酸化物が基板に付着した場合に、そ
の酸化物をエッチングにより除去する必要があるという
問題がある。
【００１０】本発明の目的は、レーザ光照射によって発
生した破片の基板への再付着及び汚染等を完全に防止す
るレーザ式マーキング装置を提供することにある。
生した破片の基板への再付着及び汚染等を完全に防止す
るレーザ式マーキング装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、基板保持
部と、エアー部とを有し、レーザ光を半導体基板に照射
し、基板一部を溶融してマーキングを付するレーザ式マ
ーキング装置であって、前記基板保持部は、半導体基板
をレーザ光に対して垂直に固定保持するものであり、前
記エアー部は、前記固定された半導体基板のレーザ光照
射面に対し平行にエアー流を形成するものである。
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、基板保持
部と、エアー部とを有し、レーザ光を半導体基板に照射
し、基板一部を溶融してマーキングを付するレーザ式マ
ーキング装置であって、前記基板保持部は、半導体基板
をレーザ光に対して垂直に固定保持するものであり、前
記エアー部は、前記固定された半導体基板のレーザ光照
射面に対し平行にエアー流を形成するものである。
【００１２】また前記エアー部は、エアー噴出口とエア
ー吸引口とを有し、前記エアー噴出口は、前記半導体基
板上部側に配置され、エアーを噴射して前記半導体基板
のレーザ光照射面に平行にエアー流を形成するものであ
り、前記エアー吸引口は、前記半導体基板下部側に配置
され、前記半導体基板のレーザ光照射面に平行なエアー
流を強制的に吸引するものである。
ー吸引口とを有し、前記エアー噴出口は、前記半導体基
板上部側に配置され、エアーを噴射して前記半導体基板
のレーザ光照射面に平行にエアー流を形成するものであ
り、前記エアー吸引口は、前記半導体基板下部側に配置
され、前記半導体基板のレーザ光照射面に平行なエアー
流を強制的に吸引するものである。
【００１３】また前記基板保持部は、半導体基板のオリ
フラを支えて該基板を垂直に固定保持するものである。
フラを支えて該基板を垂直に固定保持するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施形態に係るレーザ式
マーキング装置を示す構成図、図２は、基板保持部を示
す構成図である。
マーキング装置を示す構成図、図２は、基板保持部を示
す構成図である。
【００１６】本発明者は、半導体基板にレーザ光を照射
し、その溶融によって発生する破片が半導体基板に再付
着するメカニズムについて技術的に検討した。その結果
から、破片を半導体基板上に浮遊する状態が回避されて
いないため、再付着が生じていることが分かり、本発明
では、半導体基板上に浮遊する破片を強制的に除去する
ようにしたものである。
し、その溶融によって発生する破片が半導体基板に再付
着するメカニズムについて技術的に検討した。その結果
から、破片を半導体基板上に浮遊する状態が回避されて
いないため、再付着が生じていることが分かり、本発明
では、半導体基板上に浮遊する破片を強制的に除去する
ようにしたものである。
【００１７】すなわち、本発明の実施形態に係るレーザ
式マーキング装置は、基板保持部７と、エアー部８とを
有している。
式マーキング装置は、基板保持部７と、エアー部８とを
有している。
【００１８】基板保持部７は、半導体基板２をレーザ光
４に対して垂直に固定保持するようになっている。具体
的には、基板保持部７は図２に示すように、基板２の周
縁一部を直線状に切欠いたオリフラ２ｃを支持桿７ａの
平坦面７ｂで支え、オリフラ２ｃの円弧状立上り縁２ｄ
に支持桿７ａの円弧舌片７ｃをあてがい、半導体基板２
を固定保持するようになっている。
４に対して垂直に固定保持するようになっている。具体
的には、基板保持部７は図２に示すように、基板２の周
縁一部を直線状に切欠いたオリフラ２ｃを支持桿７ａの
平坦面７ｂで支え、オリフラ２ｃの円弧状立上り縁２ｄ
に支持桿７ａの円弧舌片７ｃをあてがい、半導体基板２
を固定保持するようになっている。
【００１９】エアー部８は、基板保持部７に固定保持さ
れた基板２のレーザ光照射面２ｅに対し平行にエアー流
９を形成するようになっている。具体的には、エアー部
８は図１に示すように、エアー噴出口８ａとエアー吸引
口８ｂとを有している。図１に示すようにエアー噴出口
８ａは、半導体基板２の上部側に配置され、半導体基板
２のレーザ照射面２ｅに平行にエアーを強制的に噴出し
て、半導体基板２のレーザ照射面２ｅに平行にエアー流
９を形成している。また図１に示すようにエアー吸引口
８ｂは、半導体基板２の下部側に配置され、半導体基板
２に平行なエアー流９を強制的に排気し、半導体基板２
から飛散する破片２ｂをエアー流９により排気するよう
にしている。
れた基板２のレーザ光照射面２ｅに対し平行にエアー流
９を形成するようになっている。具体的には、エアー部
８は図１に示すように、エアー噴出口８ａとエアー吸引
口８ｂとを有している。図１に示すようにエアー噴出口
８ａは、半導体基板２の上部側に配置され、半導体基板
２のレーザ照射面２ｅに平行にエアーを強制的に噴出し
て、半導体基板２のレーザ照射面２ｅに平行にエアー流
９を形成している。また図１に示すようにエアー吸引口
８ｂは、半導体基板２の下部側に配置され、半導体基板
２に平行なエアー流９を強制的に排気し、半導体基板２
から飛散する破片２ｂをエアー流９により排気するよう
にしている。
【００２０】図１に示すように、光学系を通したレーザ
出力部（図示略）から出力されたレーザ光４は反射ミラ
ーを介してミラー群に到達して集光し、半導体基板２の
レーザ光照射面２ｅ上に照射される。
出力部（図示略）から出力されたレーザ光４は反射ミラ
ーを介してミラー群に到達して集光し、半導体基板２の
レーザ光照射面２ｅ上に照射される。
【００２１】レーザ光４が照射されると、半導体基板２
のレーザ光照射面２ｅの基板一部が溶融し、半導体基板
（Ｓｉ）２から破片（Ｓｉ）２ｂが飛散する。
のレーザ光照射面２ｅの基板一部が溶融し、半導体基板
（Ｓｉ）２から破片（Ｓｉ）２ｂが飛散する。
【００２２】飛散した破片２ｂの飛沫は、半導体基板２
のレーザ光照射面２ｅ付近で浮遊することとなる。
のレーザ光照射面２ｅ付近で浮遊することとなる。
【００２３】本発明の実施形態によれば、半導体基板２
がレーザ光４に対して垂直にセットされ、かつ、基板保
持部７に固定保持された半導体基板２のレーザ光照射面
２ｅに対して平行にエアー流９を形成しているため、半
導体基板２から発生した破片２ｂは、半導体基板２のレ
ーザ光照射面２ｅ付近で浮遊する際にエアー流９に乗っ
て半導体基板２から離れてエアー吸引口８ｂに強制的に
吸引排出される。
がレーザ光４に対して垂直にセットされ、かつ、基板保
持部７に固定保持された半導体基板２のレーザ光照射面
２ｅに対して平行にエアー流９を形成しているため、半
導体基板２から発生した破片２ｂは、半導体基板２のレ
ーザ光照射面２ｅ付近で浮遊する際にエアー流９に乗っ
て半導体基板２から離れてエアー吸引口８ｂに強制的に
吸引排出される。
【００２４】したがって本発明の実施形態によれば、半
導体基板２のレーザ光照射面２ｅ付近で浮遊する半導体
基板２の破片２ｂが半導体基板２に再付着することがな
く、半導体基板２下部側に強制的に排出され、破片２ｂ
の半導体基板２への再付着及び汚染等を完全に防止する
ことができる。
導体基板２のレーザ光照射面２ｅ付近で浮遊する半導体
基板２の破片２ｂが半導体基板２に再付着することがな
く、半導体基板２下部側に強制的に排出され、破片２ｂ
の半導体基板２への再付着及び汚染等を完全に防止する
ことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光に対して半導体基板を垂直に固定保持し、かつ半
導体基板に平行なエアー流を形成し、半導体基板から飛
散する破片をエアー流によって強制的に排気するため、
破片が半導体基板に再付着することを防止することがで
き、このため半導体基板の表面を清浄に保持することが
できる。
ーザ光に対して半導体基板を垂直に固定保持し、かつ半
導体基板に平行なエアー流を形成し、半導体基板から飛
散する破片をエアー流によって強制的に排気するため、
破片が半導体基板に再付着することを防止することがで
き、このため半導体基板の表面を清浄に保持することが
できる。
【００２６】また基板保持部は、半導体基板のオリフラ
を支えて該基板を垂直に固定保持するため、半導体基板
をレーゼ光に対して垂直に保持することができ、このた
めエアー流は、常に半導体基板に平行に流動することと
なり、半導体基板からの破片を確実に半導体基板に再付
着させることなく捕捉することができる。
を支えて該基板を垂直に固定保持するため、半導体基板
をレーゼ光に対して垂直に保持することができ、このた
めエアー流は、常に半導体基板に平行に流動することと
なり、半導体基板からの破片を確実に半導体基板に再付
着させることなく捕捉することができる。
【図１】本発明の実施形態に係るレーザ式マーキング装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係るレーザ式マーキング装
置に用いる基板保持部を示す構成図である。
置に用いる基板保持部を示す構成図である。
【図３】従来例を示す構成図である。
【図４】図３に示す従来例を示す平面図である。
【図５】図３に示す従来例の変更例を示す構成図であ
る。
る。
【図６】別の従来例を示す構成図である。
２ 半導体基板 ２ｂ 半導体基板からの破片 ２ｃ 半導体基板のオリフラ ２ｅ 半導体基板のレーザ照射面 ７ 基板保持部 ８ エアー部 ８ａ エアー噴出口 ８ｂ エアー吸引口
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、拡散製造
工程中に、レーザ光を半導体基板に照射し、基板一部を
溶融してマーキングを付するレーザ式マーキング装置で
あって、半導体基板を垂直に固定保持する基板保持部
と、前記半導体基板に垂直にレーザ光を照射するレーザ
出力部と、前記半導体基板の垂直上部方向端部に配置さ
れた、エアーを噴射して前記半導体基板のレーザ光照射
面に平行にエアー流を形成するエアー噴出口と、前記半
導体基板の垂直下部方向端部に配置された、前記半導体
基板のレーザ光照射面に平行なエアー流を強制的に吸引
するエアー吸引口とを含むものである。
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、拡散製造
工程中に、レーザ光を半導体基板に照射し、基板一部を
溶融してマーキングを付するレーザ式マーキング装置で
あって、半導体基板を垂直に固定保持する基板保持部
と、前記半導体基板に垂直にレーザ光を照射するレーザ
出力部と、前記半導体基板の垂直上部方向端部に配置さ
れた、エアーを噴射して前記半導体基板のレーザ光照射
面に平行にエアー流を形成するエアー噴出口と、前記半
導体基板の垂直下部方向端部に配置された、前記半導体
基板のレーザ光照射面に平行なエアー流を強制的に吸引
するエアー吸引口とを含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】また前記基板保持部は、前記半導体基板の
オリフラを支えて前記半導体基板を垂直に固定保持する
ものである。
オリフラを支えて前記半導体基板を垂直に固定保持する
ものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
Claims (3)
- 【請求項１】 基板保持部と、エアー部とを有し、レー
ザ光を半導体基板に照射し、基板一部を溶融してマーキ
ングを付するレーザ式マーキング装置であって、 前記基板保持部は、半導体基板をレーザ光に対して垂直
に固定保持するものであり、 前記エアー部は、前記固定された半導体基板のレーザ光
照射面に対し平行にエアー流を形成するものであること
を特徴とするレーザ式マーキング装置。 - 【請求項２】 前記エアー部は、エアー噴出口とエアー
吸引口とを有し、 前記エアー噴出口は、前記半導体基板上部側に配置さ
れ、エアーを噴射して前記半導体基板のレーザ光照射面
に平行にエアー流を形成するものであり、 前記エアー吸引口は、前記半導体基板下部側に配置さ
れ、前記半導体基板のレーザ光照射面に平行なエアー流
を強制的に吸引するものであることを特徴とする請求項
１に記載のレーザ式マーキング装置。 - 【請求項３】 前記基板保持部は、半導体基板のオリフ
ラを支えて該基板を垂直に固定保持するものであること
を特徴とする請求項１に記載のレーザ式マーキング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063798A JP2933594B1 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | レーザ式マーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7063798A JP2933594B1 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | レーザ式マーキング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2933594B1 JP2933594B1 (ja) | 1999-08-16 |
| JPH11274249A true JPH11274249A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13437371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7063798A Expired - Lifetime JP2933594B1 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | レーザ式マーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933594B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009633B2 (en) * | 2002-05-22 | 2006-03-07 | Agfa-Gevaert | System and method for laser marking |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP7063798A patent/JP2933594B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009633B2 (en) * | 2002-05-22 | 2006-03-07 | Agfa-Gevaert | System and method for laser marking |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2933594B1 (ja) | 1999-08-16 |
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