JPH11274334A

JPH11274334A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH11274334A
Application number: JP10076880A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Fujisawa; 敦藤沢; Takashi Konno; 貴史今野; Akira Haruta; 亮春田; Noriaki Takeya; 則明竹谷
Original assignee: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd; Hitachi Cable Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd; Hitachi Ltd; Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Priority date: 1998-03-25
Filing date: 1998-03-25
Publication date: 1999-10-08
Anticipated expiration: 2018-03-25
Also published as: JP3703960B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＢＧＡ型半導体装置において、配線基板の裏
面側から装置を見た場合、装置の方向を把握することが
できない。【解決手段】配線基板の表裏面のうちの表面側に半導
体チップ２０が設けられ、裏面側に複数の外部接続用端
子が設けられたパッケージ構造を有する半導体装置であ
って、前記配線基板の裏面において、そのＸ方向の中心
線及びＹ方向の中心線によって四分割された四つの領域
の夫々に目印が設けられ、前記四つの領域のうち、一つ
の領域に設けられた目印は他の領域に設けられた目印と
異なっている。前記一つの領域に設けられた目印は、前
記配線基板の表裏面に亘って形成された貫通孔で構成さ
れ、前記他の領域に設けられた目印は、前記配線基板の
表裏面に亘って形成された貫通孔と、この貫通孔を塞ぐ
ように前記配線基板の表面に形成された閉塞体とで構成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、配線基板の表裏面のうちの表面側に半導体チ
ップが設けられ、裏面側に複数の外部接続用端子が設け
られたパッケージ構造を有する半導体装置に適用して有
効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置として、ＢＧＡ(Ｂall Ｇrid
Ａrray)型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型
半導体装置は、配線基板の表裏面のうちの表面側に半導
体チップが設けられ、裏面側に複数の外部接続用端子が
設けられたパッケージ構造になっている。

【０００３】半導体チップは、表裏面のうち、電極パッ
ド(ボンディングパッド)が形成された表面(回路形成面)
を上向きにした状態で配線基板の表面のチップ塔載領域
上に塔載され、配線基板の表面上に形成された樹脂封止
体によって封止されている。半導体チップの電極パッド
は、導電性のワイヤを介して、配線基板の表面に形成さ
れたワイヤ接続用の電極パッド(ランド端子)と電気的に
接続されている。

【０００４】外部接続用端子は、半田材からなる球形状
の半田バンプで形成され、配線基板の裏面に形成された
バンプ接続用の電極パッド(ランド端子)に電気的にかつ
機械的に接続されている。外部接続用端子は、実装基板
上に半導体装置を実装する際、実装基板の電極パッドに
電気的にかつ機械的に接続される。配線基板のワイヤ接
続用電極パッド、バンプ接続用電極パッドの夫々は、配
線基板に形成された配線を介して互いに電気的に接続さ
れている。

【０００５】前記ＢＧＡ型半導体装置は、これに限定さ
れないが、配線基板の表面のチップ塔載領域上に接着剤
を介在して半導体チップを塔載し、その後、半導体チッ
プの電極パッドと配線基板のワイヤ接続用電極パッドと
をワイヤで電気的に接続し、その後、配線基板の表面上
に半導体チップ及びワイヤ等を封止する樹脂封止体を形
成し、その後、配線基板のバンプ接続用電極パッド上に
外部接続用端子である半田バンプを形成することによっ
て製造される。外部接続用端子である半田バンプは、配
線基板の裏面を上向きにした状態で、配線基板のバンプ
接続用電極パッド上に例えばＰｂ−Ｓｎ組成の半田球を
供給し、その後、半田球を溶融することによって形成さ
れる。

【０００６】なお、ＢＧＡ型半導体装置については、例
えば特開平７−２７３２４６号公報に記載されている。

【０００７】また、工業調査会発行の電子材料〔１９９
７年９月１日発行、第３４頁乃至第４０頁〕には、絶縁
性フィルムを基材とする配線基板を用いたＴ−ＢＧＡ
(Ｔape−Ｂall Ｇrid Ａrray）型半導体装置が記載され
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＢＧＡ型半導体装置に
おいて、樹脂封止体の上面の角部には装置の方向(向き)
を明確にするための目印(インデックス)が設けられてい
るので、樹脂封止体の上面側から装置を見た場合、装置
の方向を把握することができるが、配線基板の裏面には
方向(向き)を明確にするための目印(インデックス)が設
けられていないので、配線基板の裏面側から装置を見た
場合、装置の方向を把握することができない。

【０００９】本発明の目的は、配線基板の裏面側から半
導体装置の方向(向き)を把握することが可能な技術を提
供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１２】配線基板の表裏面のうちの表面側に半導体
チップが設けられ、裏面側に複数の外部接続用端子が設
けられたパッケージ構造を有する半導体装置であって、
前記配線基板の裏面において、そのＸ方向の中心線及び
Ｙ方向の中心線によって四分割された四つの領域の夫々
に目印が設けられ、前記四つの領域のうち、一つの領域
に設けられた目印は他の領域に設けられた目印と異なっ
ている。前記一つの領域に設けられた目印は、前記配線
基板の表裏面に亘って形成された貫通孔で構成され、前
記他の領域に設けられた目印は、前記配線基板の表裏面
に亘って形成された貫通孔と、この貫通孔を塞ぐように
前記配線基板の表面に形成された閉塞体とで構成されて
いる。

【００１３】上述した手段によれば、配線基板の裏面の
四つの領域のうちの一つの領域に設けられた目印によっ
て半導体装置の方向(向き)を明確にすることができるの
で、配線基板の裏面側から半導体装置の方向を把握する
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成について、Ｂ
ＧＡ型半導体装置に本発明を適用した実施の形態ととも
に説明する。なお、実施の形態を説明するための図面に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。

【００１５】図１は本発明の一実施形態であるＢＧＡ
(Ｂall Ｇrid Ａrray)型半導体装置の平面図であり、図
２は図１に示すＡ−Ａ線の位置で切った断面図であり、
図３は前記ＢＧＡ型半導体装置を構成する配線基板の平
面図であり、図４は前記ＢＧＡ型半導体装置の底面図で
あり、図５は図４の要部拡大底面図であり、図６は図５
に示すＢ−Ｂ線の位置で切った断面図であり、図７は図
５に示すＣ−Ｃ線の位置で切った断面図である。

【００１６】図１及び図２に示すように、本実施形態の
半導体装置は、配線基板１の表裏面のうちの表面側に半
導体チップ２０が設けられ、裏面側に外部接続用端子と
して複数の半田バンプ２４が設けられたパッケージ構造
になっている。

【００１７】前記半導体チップ２０は、例えば、単結晶
珪素からなる半導体基板及びこの半導体基板上に形成さ
れた多層配線層を主体とする構成になっている。半導体
チップ２０の平面形状は方形状で形成され、本実施形態
においては、８［ｍｍ］×８［ｍｍ］の正方形で形成さ
れている。

【００１８】前記半導体チップ２０には、論理回路シス
テム、記憶回路システム、或いはそれらの混合回路シス
テム等が塔載されている。これらの回路システムは、半
導体基板に形成された半導体素子、多層配線層に形成さ
れた配線等によって構成されている。

【００１９】前記半導体チップ２０の表裏面のうちの表
面(回路形成面)には、半導体チップ２０の外周囲の各辺
に沿って配列された複数の電極パッド(ボンディングパ
ッド)２０Ａが形成されている。この複数の電極パッド
２０Ａの夫々は、多層配線層のうちの最上層の配線層に
形成され、回路システムを構成する半導体素子に配線を
介して電気的に接続されている。複数の電極パッド２０
Ａの夫々は、例えばアルミニウム(Ａｌ)膜若しくはアル
ミニウム合金膜で形成されている。

【００２０】前記半導体チップ２０は、電極パッド２０
Ａが形成された表面を上向きにした状態で配線基板１の
表面のチップ塔載領域に接着剤２１を介在して塔載さ
れ、配線基板１の表面上に形成された樹脂封止体２３に
よって封止されている。

【００２１】前記配線基板１は、例えば５０［μｍ］程
度の厚さの絶縁性フィルムを基材とする構成になってい
る。配線基板１の平面形状は方形状で形成され、本実施
形態においては１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］の正方形で
形成されている。

【００２２】前記配線基板１の表面には配線パターンが
形成されている。この配線パターンは、図２及び図３に
示すように、複数の電極パッド(ランド端子)４、複数の
配線５、複数の電極パッド(ランド端子)６及び複数の配
線７等を有するパターンで形成されている。電極パッド
４は配線５を介して電極パッド６と電気的に接続され、
電極パッド６は配線７と電気的に接続されている。これ
らの電極パッド４、配線５、電極パッド６及び配線７等
は、絶縁性フィルムの表面に接着層を介在して金属箔を
貼り付けた後、この金属箔にエッチング加工を施すこと
によって形成される。本実施形態では、金属箔として１
８［μｍ］程度の厚さの銅(Ｃｕ)箔が用いられている。
電極パッド４の平面形状は円形状で形成され、電極パッ
ド６の平面形状は方形状で形成されている。

【００２３】前記複数の電極パッド４のうち、大半の電
極パッド４は配線基板１のチップ塔載領域に配置され、
残りの電極パッド４は配線基板１のチップ塔載領域を囲
む周辺領域に配置されている。電極パッド４は配線基板
１の表裏面に亘って形成された接続孔２を塞ぐように形
成され、その裏面には接続孔２を通して半田バンプ２４
が電気的にかつ機械的に接続されている。半田バンプ２
４は、例えば６３［重量％］Ｐｂ−３７［重量％］Ｓｎ
組成の金属材で形成されている。接続孔２の平面形状は
円形状で形成され、その平面サイズは電極パッド４の平
面サイズよりも小さい寸法で形成されている。接続孔２
は、絶縁性フィルムの表面に金属箔を貼り付けるための
接着層を形成した後、絶縁性フィルムの接続孔形成領域
に例えば打ち抜き加工若しくはレーザ加工を施すことに
よって形成される。

【００２４】前記複数の電極パッド４のうち、配線基板
１のチップ塔載領域に設けられた電極パッド４は、その
上層に形成された絶縁膜９で覆われ、半導体チップ２０
の裏面との接触が生じないようになっている。絶縁膜９
は点在するように電極パッド４毎に形成され、その平面
形状は円形状で形成されている。絶縁膜９は、絶縁性フ
ィルムの表面に配線パターンを形成した後、絶縁性フィ
ルムの表面上の全面に均一な膜厚の感光性樹脂膜を形成
し、その後、ベーク処理、感光処理、現像処理、洗浄処
理等を施すことによって形成される。

【００２５】前記配線７の一部分は、その上層に形成さ
れた絶縁膜１０で覆われている。絶縁膜１０は、配線基
板１の各辺毎に形成され、配線基板１の辺に沿って延在
している。この絶縁膜１０は、前述の絶縁膜９と同一工
程で形成される。

【００２６】前記複数の電極パッド６の夫々は、配線基
板１の周辺領域に形成され、半導体チップ２０の各辺に
沿って配列されている。これらの電極パッド６は、導電
性のワイヤ２２を介して半導体チップ２０の電極パッド
２０Ａに電気的に接続されている。ワイヤ２２として
は、例えば金(Ａｕ)ワイヤを用いている。ワイヤ２２の
接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併用し
たボンディング法を用いている。

【００２７】前記樹脂封止体２２の平面形状は方形状で
形成され、本実施形態においては正方形で形成されてい
る。樹脂封止体２２は、半導体チップ２０及びワイヤ２
２等を封止し、電極パッド４、配線５、電極パッド６等
を覆うように形成されている。樹脂封止体２２は、低応
力化を図る目的として、例えばフェノール系硬化剤、シ
リコーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ系の樹
脂で形成されている。

【００２８】前記樹脂封止体２２は、大量生産に好適な
トランスファモールド法によって形成されている。トラ
ンスファモールド法は、ポット、ランナー、流入ゲート
及びキャビティ等を備えた成形金型を使用し、ポットか
らランナー及び流入ゲートを通してキャビティ内に樹脂
を加圧注入して樹脂封止体を形成する方法である。

【００２９】前記樹脂封止体２３の上面の角部には、図
１に示すように、半導体装置の方向(向き)を明確にする
ための目印(インデックス)２５が設けられている。従っ
て、樹脂封止体２３の上面側から半導体装置を見た場
合、半導体装置の方向を把握することができる。

【００３０】図４及び図５に示すように、前記配線基板
１の裏面において、配線基板１のＸ方向の中心線Ｐ１及
びＹ方向の中心線Ｐ２によって四分割された四つの領域
の夫々には目印１３が設けられている。この四つの領域
のうち、一つの領域に設けられた目印１３Ａは、図５及
び図６に示すように、配線基板１の表裏面に亘って形成
された貫通孔３で構成されている。また、四つの領域の
うち、他の三つの領域に設けられた目印１３Ｂは、図
５、図６及び図７に示すように、配線基板１の表裏面に
亘って形成された貫通孔３と、この貫通孔３を塞ぐよう
に配線基板１の表面に形成された閉塞体１１とで構成さ
れている。即ち、配線基板１の裏面において、配線基板
１のＸ方向の中心線Ｐ１及びＹ方向の中心線Ｐ２によっ
て四分割された四つの領域の夫々に目印１３が設けら
れ、四つの領域のうち、一つの領域に設けられた目印１
３Ａは他の三つの領域に設けられた目印１３Ｂと異って
いることから、配線基板１の裏面の四つの領域のうちの
一つの領域に設けられた目印１３Ａによって半導体装置
の方向(向き)を明確にすることができる。

【００３１】なお、目印１３Ａは、配線基板１の裏面の
四つの領域のうち、樹脂封止体２３の上面の角部に設け
られた目印２５と対応する領域に設けられている。ま
た、本実施形態において、Ｘ方向の中心線Ｐ１及びＹ方
向の中心線Ｐ２とは、配線基板１の互いに対向する辺を
結ぶ中心線のことであり、配線基板１の互いに対向する
角部を結ぶ対角線のことではない。

【００３２】前記配線基板１の裏面の四つの領域の夫々
に設けられた各目印１３は、配線基板１のチップ塔載領
域内に配置されている。本実施形態において、各目印１
３は、配線基板１の中心の近傍に集中して配置されてい
る。また、各目印１３は、互いに等間隔となるように配
線基板１の対角線上に配置されている。

【００３３】前記配線基板１の裏面の四つの領域のう
ち、一つの領域に設けられた目印１３Ａは、他の三つの
領域に設けられた目印１３Ｂと異なり、貫通孔３によっ
て構成されているので、配線基板１のチップ塔載領域に
接着剤を塗布して半導体チップ２０を塔載する際、接着
剤が貫通孔３内に流れ込んでしまう。そこで、貫通孔３
内への接着剤の流れ込みを堰き止める目的として、図３
及び図６に示すように、配線基板１の表面に貫通孔３の
周囲を囲む堰堤(ダム)１２が設けられている。

【００３４】前記貫通孔３及び閉塞体８の平面形状は円
形状で形成され、閉塞体８の平面サイズは貫通孔３の平
面サイズよりも小さい寸法で形成されている。貫通孔３
は前述の接続孔２と同一工程で形成され、閉塞体８は前
述の電極パッド４と同一工程で形成される。

【００３５】前記閉塞体８は、図３、図６及び図７に示
すように、その上層に形成された絶縁膜１１で覆われ、
半導体チップ２０の裏面との接触が生じないようになっ
ている。絶縁膜１１は点在するように閉塞体８毎に形成
され、その平面形状は円形状で形成されている。絶縁膜
１１は前述の絶縁膜９と同一工程で形成される。

【００３６】次に、前記半導体装置の製造に用いられる
フレーム構造体について、図８を用いて説明する。図８
はフレーム構造体の要部平面図である。

【００３７】図８に示すように、フレーム構造体３０
は、これに限定されないが、例えば、枠体３１で規定さ
れた領域３２を一方向に複数個配列した多連フレーム構
造になっており、各領域３２内に可撓性の絶縁性フィル
ム１Ａを有している。領域３２及び絶縁性フィルム１Ａ
の夫々の平面形状は方形状で形成されている。

【００３８】前記絶縁性フィルム１Ａは、互いに対向す
る二辺の夫々の部分が枠体３１の互いに対向する長手方
向の二つの枠部分の夫々に接着剤を介在して接着固定さ
れている。絶縁性フィルム１Ａは、例えばポリイミド系
の絶縁樹脂若しくはエポキシ系の絶縁樹脂で形成され、
例えば５０［μｍ］程度の厚さで形成されている。

【００３９】前記絶縁性フィルム１Ａの基板形成領域３
３は、詳細に図示していないが、前述の配線基板１とほ
ぼ同様の構成になっており、配線パターン（電極パッド
４、配線５、電極パッド６、配線７）、接続孔２、貫通
孔３、閉塞体８、絶縁膜９、絶縁膜１０、絶縁膜１１、
堰堤１２、目印１３等を有する構成になっている。この
絶縁性フィルム１Ａの基板形成領域３３は、半導体装置
の製造プロセスにおいて切り抜かれ、配線基板１として
使用される。

【００４０】前記枠体３１は、金属板にエッチング加工
又はプレス打抜き加工を施すことによって形成される。
金属板としては例えば銅系合金からなるものを用いる。

【００４１】次に、前記半導体装置の製造方法につい
て、図９乃至図１３（製造方法を説明するための要部断
面図）を用いて説明する。

【００４２】まず、前述のフレーム構造体３０を準備す
る。フレーム構造体３０は枠体３１で規定された領域３
２内に絶縁性フィルム１Ａを有し、絶縁性フィルム１Ａ
の基板形成領域３３は、配線パターン（電極パッド４、
配線５、電極パッド６、配線７）、接続孔２、貫通孔
３、閉塞体８、絶縁膜９、絶縁膜１０、絶縁膜１１、堰
堤１２、目印１３等を有する構成になっている。

【００４３】次に、前記絶縁性フィルム１Ａの表面のチ
ップ塔載領域に接着剤２１を多点塗布法で供給する。接
着剤２１としては、例えばエポキシ系又はポリイミド系
の熱硬化性絶縁樹脂を用いる。

【００４４】次に、図９に示すように、前記絶縁性フィ
ルム１Ａの表面のチップ塔載領域に接着剤２１を介在し
て半導体チップ２０を塔載し、その後、熱処理を施して
接着剤２１を硬化させる。この工程において、接着剤２
１からアウトガスが発生するが、図１０に示すように、
絶縁性フィルム１Ａのチップ塔載領域には目印１３Ａと
しての貫通孔３が形成されていることから、アウトガス
は貫通孔３を通して外部に放出される。即ち、接着剤２
１の硬化時に発生するアウトガスを外部に逃すことがで
きる。また、絶縁性フィルム１Ａのチップ塔載領域には
目印１３Ａとしての貫通孔３の周囲を囲む堰堤１２が形
成されていることから、貫通孔３内への接着剤２１の流
れ込みを堰き止めることができる。

【００４５】次に、前記半導体チップ２０の電極パッド
２０Ａと絶縁性フィルム１Ａの表面に形成された電極パ
ッド６とを導電性のワイヤ２２で電気的に接続する。ワ
イヤ２２としては例えば金ワイヤを用いる。ワイヤ２２
の接続方法としては例えば熱圧着に超音波振動を併用し
たボンディング法を用いる。

【００４６】次に、前記フレーム構造体３０を成形金型
の上型と下型との間に装着すると共に、成形金型の上型
と下型とで形成されるキャビティ内に半導体チップ２０
を配置する。成形金型は、キャビティの他に、ポット、
ランナー及びゲート等を備えている。

【００４７】次に、前記成形金型のポットに樹脂タブレ
ットを投入し、その後、樹脂タブレットをトランスファ
モールド装置のプランジャで加圧し、キャビティに樹脂
を供給して、図１１に示すように、樹脂封止体２３を形
成する。この工程において、樹脂封止体２３の上面の角
部に半導体装置の方向(向き)を明確にするための目印２
５が形成される。

【００４８】次に、図１２に示すように、前記絶縁性フ
ィルム１Ａの裏面を上向きにした状態で、電極パッド４
の裏面上に例えば６３［重量％］Ｐｂ−３７［重量％］
Ｓｎ組成の金属材からなる半田球２４Ａを供給する。半
田球２４Ａの供給は、ガラスマスクを用いたボール供給
法若しくは吸引治具を用いたボール供給法で行う。この
工程において、絶縁性フィルム１Ａの基板形成領域３３
の裏面には配線基板１の裏面と同様の目印１３が設けら
れていることから、目印１３Ａによって絶縁性フィルム
１Ａの方向(向き)を把握しながら半田球２４Ａの供給を
行うことができる。本実施形態のように、電極パッド４
の配列が中心線に対して対称となっている場合、絶縁性
フィルム１Ａの向きが間違っていても電極パッド４の裏
面上に半田球２４Ａを供給することはできるが、電極パ
ッド４の配列が中心線に対して非対称の場合、絶縁性フ
ィルム１Ａの向きの間違によって電極パッド４の裏面上
に半田球２４Ａが供給されない不具合が生じてしまう。

【００４９】次に、赤外線リフロー法を使用し、前記半
田球２４Ａを溶融して半田バンプ２４を形成する。半田
バンプ２４は接続孔２を通して電極パッド４の裏面に固
着され、電気的にかつ機械的に接続される。

【００５０】この後、前記絶縁性フィルム１Ａの基板形
成領域３３を切り抜いて配線基板１を形成することによ
り、図１乃至図７に示す半導体装置が完成する。

【００５１】この後、半導体装置は、携帯電話、ビデオ
カメラ、ノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器
に組み込まれる実装基板上に実装される。半導体装置の
実装は、外部接続用端子である半田バンプ２４を例えば
赤外線リフロー法で溶融し、この半田バンプ２４を実装
基板の電極パッドに接合することによって行なわれる。
この実装時において、樹脂封止体２３及び接着剤２１に
含まれている水分が熱によって気化膨張して水蒸気とな
るが、配線基板１には目印１３Ａとしての貫通孔３が形
成されていることから、水蒸気は貫通孔３を通して外部
に放出される。

【００５２】このように、本実施形態によれば、以下の
効果が得られる。

【００５３】（１）配線基板１の裏面において、そのＸ
方向の中心線Ｐ１及びＹ方向の中心線Ｐ２によって四分
割された四つの領域の夫々に目印１３が設けられ、この
四つの領域のうち、一つの領域に設けられた目印１３Ａ
は他の三つの領域に設けられた目印１３Ｂと異なってい
ることから、配線基板１の裏面の四つの領域のうちの一
つの領域に設けられた目印１３Ａによって半導体装置の
方向(向き)を明確にすることができるので、配線基板１
の裏面側から半導体装置の方向を把握することができ
る。

【００５４】また、半導体装置の製造プロセスにおい
て、配線基板(絶縁性フィルム１Ａ)１の裏面を上向きに
した状態で電極パッド４の裏面上に半田球２４Ａを供給
する際、目印１３Ａによって配線基板１の方向(向き)を
把握しながら半田球２４Ａの供給を行うことができるの
で、配線基板１の向きの間違によって生じる半田球２４
Ａの供給不良を防止することができる。この結果、半導
体装置の製造における歩留まりを高めることができる。

【００５５】（２）配線基板１の裏面の四つの領域の夫
々に設けられた各目印１３は、配線基板１の中心の近傍
に集中して配置され、更に、互いに等間隔となるように
配線基板１の対角線上に配置されていることから、配線
基板１の裏面側から半導体装置の方向(向き)を正確に把
握することができる。

【００５６】（３）配線基板１の裏面の四つの領域の夫
々に設けられた各目印は配線基板１のチップ塔載領域内
に配置されていることから、半導体装置を実装基板上に
実装する際、樹脂封止体２３及び接着剤２１に含まれて
いる水分が実装時の熱によって気化膨張した水蒸気を目
印１３Ａとしての接続孔３を通して外部に放出すること
ができるので、水分の気化膨張による樹脂封止体２３の
亀裂を防止することができる。この結果、半導体装置の
熱に対する信頼性を高めることができる。

【００５７】また、半導体装置の製造プロセスにおい
て、配線基板(絶縁性フィルム１Ａ)１の表面のチップ塔
載領域に接着剤２１を介在して半導体チップ２０を塔載
する際、接着剤２１の硬化時に発生するアウトガスを目
印１３Ａとしての貫通孔３を通して外部に逃すことがで
きるので、半導体チップ２０下における配線基板１の膨
れ及びしわを防止することができる。この結果、半導体
装置の平坦度を高めることができる。

【００５８】また、半導体装置の製造プロセスにおい
て、配線基板(絶縁性フィルム１Ａ)１の表面上に樹脂封
止体２３をトランスファモールド法に基づいて形成する
際、目印１３Ａとしての貫通孔３を通して配線基板１の
裏面側へ樹脂が廻り込むのを半導体チップ２０によって
防止できるので、半導体装置の外観不良を抑制すること
ができる。この結果、半導体装置の生産性を高めること
ができる。

【００５９】（４）配線基板１の表面のチップ塔載領域
１０Ｂに目印１３Ａとしての貫通孔３の周囲を囲む堰堤
(ダム)１２が形成されていることから、半導体装置の製
造プロセスにおいて、配線基板(絶縁性フィルム１Ａ)１
の表面のチップ塔載領域に接着剤２１を介在して半導体
チップ１０を塔載する際、貫通孔３内への接着剤２１の
流れ込みを堰き止めることができるので、配線基板１の
裏面への接着剤２１の廻り込みを防止できる。この結
果、半導体装置の外観不良を抑制することができるの
で、半導体装置の生産性を高めることができる。

【００６０】（５）枠体３１で規定された領域３２内に
絶縁性フィルム１Ａを有するフレーム構造体３０を用い
て半導体装置の製造を行うことから、絶縁性フィルム１
Ａの搬送性を高めることができると共に、ハンドリング
性を高めることができる。

【００６１】なお、本実施形態では、フレーム構造体３
０を用いて半導体装置を製造する例について説明した
が、絶縁性フィルム１Ａの基板形成領域３３を切り抜い
て配線基板１を形成し、この配線基板１を用いて半導体
装置を製造してもよい。

【００６２】また、本実施形態では、配線基板１の裏面
の四つの領域のうち、一つの領域の目印１３Ａを貫通孔
３で構成し、他の三つの領域の夫々の目印１３Ｂを貫通
孔３及び閉塞体８で構成した例について説明したが、図
１４（半導体装置の要部底面図）、図１５(図１４に示
すＤ−Ｄ線の位置で切った断面図）及び図１６（図１４
に示すＥ−Ｅ線の位置で切った断面図）に示すように、
配線基板１の裏面の四つの領域のうち、一つの領域の目
印１３Ａを貫通孔３及び閉塞体８で構成し、他の三つの
領域の夫々の目印１３Ｂを貫通孔３で構成してもよい。
この場合、目印１３Ｂとしての貫通孔３の周囲を堰堤
(ダム)１２によって囲む。このような実施形態において
も、前述の実施形態と同様の効果が得られる。

【００６３】また、本実施形態では、平面形状が正方形
の配線基板１を有する半導体装置について説明したが、
配線基板１の平面形状は長方形であってもよい。

【００６４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。

【００６５】例えば、本発明は、ガラス繊維に樹脂等を
含浸させた樹脂基板からなる配線基板若しくはセラミッ
クスからなる配線基板を有する半導体装置に適用でき
る。

【００６６】また、本発明は、配線基板の裏面側に外部
接続用端子として電極パッド（ランド端子）が設けられ
たパッケージ構造を有するＬＧＡ(Ｌand Ｇrid Ａrray)
型半導体装置に適用できる。

【００６７】また、本発明は、半田バンプに限らず、配
線基板の裏面側に外部接続用端子としてバンプが設けら
れたパッケージ構造を有する半導体装置に適用できる。

【００６８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００６９】配線基板の裏面側から半導体装置の方向を
把握することができる。

【００７０】また、半導体装置の製造における歩留まり
を高めることができる。

【００７１】また、半導体装置の熱に対する信頼性を高
めることができる。

【００７２】また、半導体装置の平坦度を高めることが
できる。

【００７３】また、半導体装置の生産性を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の平面図
である。

【図２】図１に示すＡ−Ａ線の位置で切った断面図であ
る。

【図３】前記半導体装置を構成する配線基板の平面図で
ある。

【図４】前記半導体装置の底面図である。

【図５】図４の要部拡大図である。

【図６】図５に示すＢ−Ｂ線の位置で切った断面図であ
る。

【図７】図５に示すＣ−Ｃ線の位置で切った断面図であ
る。

【図８】前記半導体装置の製造に用いられるフレーム構
造体の要部平面図である。

【図９】前記半導体装置の製造方法を説明するための要
部断面図である。

【図１０】前記半導体装置の製造方法を説明するための
要部断面図である。

【図１１】前記半導体装置の製造方法を説明するための
要部断面図である。

【図１２】前記半導体装置の製造方法を説明するための
要部断面図である。

【図１３】前記半導体装置の製造方法を説明するための
要部断面図である。

【図１４】本発明の変形例である半導体装置の要部底面
図である。

【図１５】図１４に示すＤ−Ｄ線の位置で切った断面図
である。

【図１６】図１４に示すＥ−Ｅ線の位置で切った断面図
である。

【符号の説明】

１…配線基板、１Ａ…絶縁性フィルム、２…接続孔、３
…貫通孔、４…電極パッド、５…配線、６…電極パッ
ド、７…配線、８…閉塞体、９，１０，１１…絶縁膜、
１２…堰堤（ダム）、１３…目印、２０…半導体チッ
プ、２１…接着剤、２２…ワイヤ、２３…樹脂封止体、
２４…半田バンプ、２４Ａ…半田球、２５…目印、３０
…フレーム構造体、３１…枠体、３２…規定領域、３３
…基板形成領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今野貴史北海道亀田郡七飯町字中島145番地日立北海セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者春田亮東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者竹谷則明茨城県土浦市木田余町3550番地日立電線株式会社システムマテリアル研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線基板の表裏面のうちの表面側に半導
体チップが設けられ、裏面側に複数の外部接続用端子が
設けられたパッケージ構造を有する半導体装置であっ
て、前記配線基板の裏面において、そのＸ方向の中心線
及びＹ方向の中心線によって四分割された四つの領域の
夫々に目印が設けられ、前記四つの領域のうち、一つの
領域に設けられた目印は他の領域に設けられた目印と異
なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記一つの領域に設けられた目印は、前
記配線基板の表裏面に亘って形成された貫通孔で構成さ
れ、前記他の領域に設けられた目印は、前記配線基板の
表裏面に亘って形成された貫通孔と、この貫通孔を塞ぐ
ように前記配線基板の表面に形成された閉塞体とで構成
されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。
【請求項３】前記一つの領域に設けられた目印は、前
記配線基板の表裏面に亘って形成された貫通孔と、この
貫通孔を塞ぐように前記配線基板の表面に形成された閉
塞体とで構成され、前記他の領域に設けられた目印は、
前記配線基板の表裏面に亘って形成された貫通孔で構成
されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。
【請求項４】前記半導体チップは前記配線基板のチッ
プ塔載領域上に接着剤を介在して塔載され、前記各目印
は前記配線基板のチップ塔載領域内に配置されているこ
とを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装
置。