JPH11274731A - 薄膜多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜多層回路基板及びその製造方法に関し、
多層化工程を簡略化し、また、ビアホールの占有空間を
減少させて高密度化し、且つ、薬品類の使用を低減す
る。 【解決手段】 ラミネートフィルム６を多層化した多層
配線層部１と、コア基板２とを一体化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜多層回路基板及
びその製造方法に関するものであり、特に、高密度化が
可能で、且つ、環境性に優れた薄膜多層回路基板及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子計算機の高速化、半導体装置
の大容量化、高集積化に伴い、その実装方法も大きく変
化してきており、半導体装置等を実装するために用いる
実装回路基板も高密度実装、微細配線、及び、多層化が
主流になり、小さなスペースで多数の配線層が形成され
るようになってきた。

【０００３】従来における高密度実装回路基板として
は、プリント基板をコア基板として、その上に導体回路
及び樹脂等の絶縁層を交互に積み上げ、内・外装回路を
接続・導通させるビルドアップ多層配線板が知られてい
る。

【０００４】この場合、配線パターンを形成する方法と
しては、導体層の成膜工程においては、電解メッキ法、
無電解メッキ法、蒸着法、或いは、スパッタリング法等
が用いられており、また、絶縁層のパターニング方法と
しては、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィーによ
る方法、非感光性樹脂を用い、レーザ、プラズマ、或い
は、サンドブラストを用いた方法がある。

【０００５】また、導体回路、即ち、導体パターンの形
成方法としては、絶縁層の表面を全面パネルメッキ後に
エッチングによりパターンを形成するサブトラクティブ
法、絶縁層の表面にレジストパターンを形成し、無電解
メッキにより導体層を形成したのちレジストを剥離する
フルアディティブ法、或いは、絶縁層の表面にシード層
となる薄い導体層を形成し、その上にレジストパターン
を形成し、電解メッキにより導体層を形成したのち、レ
ジストパターンを剥離し、次いで、全面エッチングによ
りレジストパターンに被覆されていたシード層をエッチ
ングするセミアディティブ法が知られている。

【０００６】ここで、図８を参照して、従来のビルドア
ップ多層プリント配線板の製造工程を簡単に説明する。 図８（ａ）参照 まず、銅張りのコア基板９１にスルーホール９２を設
け、電解メッキ法によりスルーホール９２の内壁にＣｕ
メッキ層９３を形成したのち、コア基板９１の表面に張
ってある銅層を選択的にエッチングして第１配線パター
ン９４を形成する。

【０００７】図８（ｂ）参照 次いで、樹脂ワニスを塗布して硬化させたり、或いは、
熱可塑性樹脂からなるドライフィルムをラミネートして
第１層間絶縁膜９５を形成する。

【０００８】図８（ｃ）参照 次いで、フォトリソグラフィー法、レーザ加工法、或い
は、サンドブラスト法を用いて第１層間絶縁膜９５に第
１配線パターン９４に対するビアホール９６を選択的に
形成する。

【０００９】図８（ｄ）参照 次いで、上述のサブトラクティブ法、セミアディティブ
法、或いは、フルアディティブ法等によってビアホール
９６を介して第１配線パターン９４に接続する第２配線
パターン９７を形成する。

【００１０】図８（ｅ）参照 次いで、同様に、第２層間絶縁膜９８を形成し、この第
２層間絶縁膜９８にビアホールを形成したのち、第３配
線パターン９９を形成し、この工程を所望の層数繰り返
すことによって多層プリント配線板が完成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この様なビル
ドアップによる多層配線層の形成方法は多段階工程を必
要とする上に、さらに、二層以上の導体層間の接続を行
う場合に直線的な接続はできず、図８（ｅ）に示すよう
に、交互にずらして接続しなければならないため、ビア
ホールの占有する空間が大きくなり、高密度化に限界が
あるという問題がある。

【００１２】また、層間絶縁膜の形成工程において、樹
脂ワニス等の液状ポリマを使用した場合には、表面が完
全に平坦にならず多少の凹凸が形成され、多層化した場
合には、この凹凸が累積されていくために、現在の製造
技術レベルでは、無理なく製造できる層数は２〜３層で
あり、さらなる多層化が困難であるという問題がある。

【００１３】さらに、従来のプロセスにおいては、樹脂
ワニスの溶媒として有機溶剤、ビアホールパターンを形
成するための現像液、無電解メッキによりＣｕ薄膜を形
成するための前処理として絶縁層の表面に微小な窪みを
形成するためのデスミアや無電解メッキに使用する数種
類の薬品、エッチングレジストの剥離液等の、各種の多
数の薬品を使用しなければならず、環境を考えた場合
に、これらの薬品の使用を減らしていくことが社会的に
見て必須の課題となる。

【００１４】したがって、本発明は、多層化工程を簡略
化し、また、ビアホールの占有空間を減少させて高密度
化し、且つ、薬品類の使用を低減することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】ここで、図１を参照し
て、本発明における課題を解決するための手段を説明す
るが、図１（ａ）は薄膜多層回路基板の要部断面図であ
り、また、図１（ｂ）は、多層配線層部を構成するラミ
ネートフィルムの要部断面図である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、薄膜多層回路基板において、ラミネー
トフィルム６を多層化した多層配線層部１と、コア基板
２とを一体化したことを特徴とする。

【００１６】この様に、ラミネートフィルム６を用いて
多層配線層部１を構成しているので、多層化工程が簡略
化され、且つ、薬品類の使用工程及び使用量が低減する
ので、環境性に優れる。

【００１７】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、多層配線層部１における層間を接続するためのビア
ホール３，４の一部が２以上の層間絶縁膜を貫通するこ
とを特徴とする。

【００１８】この様に、２以上の層間絶縁膜を介して上
下の配線パターン５を接続する際に、２以上の層間絶縁
膜を貫通するビアホール３，４を設けて直接接続するこ
とによってビアホール３，４の占有空間を低減すること
ができ、それによって高密度化が可能になる。

【００１９】（３）また、本発明は、薄膜多層回路基板
の製造方法において、多層配線層部１をフィルムラミネ
ート法によって形成したのち、多層配線層部１をコア基
板２に導電的に接続し、一体化したことを特徴とする。

【００２０】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、多層配線層部１における層間を接続するための２以
上の層間絶縁膜を貫通するビアホール３，４を形成する
工程を有することを特徴とする。

【００２１】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、２以上の層間絶縁膜を貫通するビアホール３，４を
レーザ加工によって形成するとともに、少なくとも導体
層の除去時におけるレーザ光の出力を、最下層の層間絶
縁膜の除去時のレーザ光の出力より大きくすることを特
徴とする。

【００２２】この様に、２以上の層間絶縁膜を貫通する
ビアホール３，４をレーザ加工によって形成する際に、
レーザ光の出力を除去対象によって制御することによっ
て、層間絶縁膜となる樹脂膜７と導体層を一連の工程で
除去することができ、且つ、最下層の層間絶縁膜の除去
時のレーザ光の出力をより小さくすることにより、接続
対象となる下層配線パターン５を形成するための金属薄
膜８に損傷を与えることなくビアホール３，４を形成す
ることができる。

【００２３】（６）また、本発明は、上記（３）乃至
（５）のいずれかにおいて、多層配線層部１を構成する
ラミネートフィルム６は、層間絶縁膜となる樹脂膜７、
層間絶縁膜となる樹脂膜７の少なくとも片面に設けられ
た金属薄膜８、及び、金属薄膜８の表面に設けられたパ
ターン形成マスクとなる樹脂膜９からなることを特徴と
する。

【００２４】この様に、多層配線層部１を構成するラミ
ネートフィルム６は、層間絶縁膜となる樹脂膜７及び金
属薄膜８からなり、且つ、以降の配線パターン５の形成
工程を簡略化するために、金属薄膜８の表面にパターン
形成マスクとなる樹脂膜９を設けたものであることが望
ましい。

【００２５】（７）また、本発明は、上記（６）におい
て、層間絶縁膜となる樹脂膜７の少なくとも片面に設け
られた金属薄膜８を、メッキ法によりビアホール３，４
に導電体を埋め込む工程におけるシード層とすることを
特徴とする。

【００２６】この様に、ラミネートフィルム６に設けた
金属薄膜８を、ビアホール３，４に導電体を埋め込むメ
ッキ工程におけるシード層とすることによって、シード
層を別体で構成する必要がなく、構成及び製造工程共に
簡略化することができる。

【００２７】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、メッキ工程が電解メッキ工程であり、層間絶縁膜と
なる樹脂膜７の少なくとも片面に設けられた金属薄膜８
を選択的に除去することによって配線パターン５を形成
することを特徴とする。

【００２８】この様に、ビアホール３，４を埋め込む際
に、電解メッキ法を用いることによって速やかにビアホ
ール３，４を埋め込むことができ、また、配線パターン
５はラミネートフィルム６を構成する金属薄膜８をパタ
ーニングするサブトラクティブ法によって形成すること
により、メッキ液等の薬品類の使用量を少なくすること
ができる。

【００２９】（９）また、本発明は、上記（７）におい
て、ビアホール３，４に導電体を埋め込むメッキ工程が
無電解メッキ工程または電解メッキ工程のいずれかであ
り、且つ、配線パターン５を形成する際に、層間絶縁膜
となる樹脂膜７の少なくとも片面に設けられた金属薄膜
８をシード層として無電解メッキ或いは電解メッキのい
ずれかを行うことを特徴とする。

【００３０】この様に、メッキ工程としては無電解メッ
キ法を用いても良いものであり、また、配線パターン５
の形成工程においては金属薄膜８をシード層としてメッ
キするセミアディティブ法によって形成することによ
り、配線パターン５の微細化が可能になる。

【００３１】（１０）また、本発明は、上記（７）乃至
（９）のいずれかにおいて、金属薄膜８の表面に設けら
れた配線パターン形成マスクとなる樹脂膜９が、電解メ
ッキ工程において、電解メッキのための電極を金属薄膜
８に接続する際の支持膜として作用することを特徴とす
る。

【００３２】この様に、ラミネートフィルム６を構成す
る配線パターン形成マスクとなる樹脂膜９を、電解メッ
キ工程において、電極を金属薄膜８に接続する際の支持
膜になるように構成することによって、構成を複雑化す
ることなく電解メッキ工程におけるシード層の損傷を防
止することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図４を参照し
て、本発明の第１の実施の形態の多層プリント配線板の
製造工程を説明する。 図２（ａ）参照 まず、厚さ２０〜５０μｍ、例えば、３０μｍの熱可塑
性樹脂、例えば、ポリイミド系熱可塑性樹脂からなる樹
脂層１２の両面に厚さ５〜１５μｍ、例えば、１０μｍ
のＣｕ薄膜１３，１４を張りつけたドライフィルム１１
を用意する。

【００３４】このドライフィルム１１を構成するＣｕ薄
膜１３，１４の表面には、Ｃｕ薄膜１３，１４を支持
し、且つ、Ｃｕ薄膜１３，１４のパターニング工程にお
いてエッチングマスクとなる厚さ５〜２０μｍ、例え
ば、１５μｍの支持膜１５，１６を設ける。なお、支持
膜１５，１６は、パターニング工程としてフォトプロセ
スを用いた場合にはドライフィルムレジストを用い、ま
た、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、或いは、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工によってパターニン
グする場合には、レーザ加工が可能な樹脂を用いれば良
く、ここではドライフィルムレジストとする。

【００３５】図２（ｂ）参照 次いで、ドライフィルム１１を真空吸引で固定したの
ち、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波（λ＝２６６ｎ
ｍ）を用い、発振周波数を低くしレーザ光出力を大きく
した状態でレーザ光１７を選択的に照射し、支持膜１６
及びＣｕ薄膜１４を除去し、次いで、発振周波数を高く
しレーザ光出力を小さくした状態でレーザ光１７を照射
して樹脂層１２を除去して、ビアホール１８を形成す
る。

【００３６】このレーザ加工工程において、波長が２６
６ｎｍの紫外線を用いているので、樹脂と金属の両方を
効率的に除去することができ、且つ、レーザ光１７の出
力を除去対象に応じて調整しているので、Ｃｕ薄膜１３
を損傷することなく、且つ、Ｃｕ薄膜１３をエッチング
停止層として樹脂層１２を精度良く除去することが可能
になる。

【００３７】図２（ｃ）参照 次いで、ドライフィルム１１の端部に露出するＣｕ薄膜
１３、即ち、端子部１９に電解メッキのための電極を接
続し、支持膜１５でドライフィルム１１を固定した状態
でメッキ浴中で電解メッキを行うことによって、ビアホ
ール１８の内部をＣｕで埋め込んでＣｕビア２０を形成
する。

【００３８】なお、この場合のＣｕビア２０の高さは、
後のパターニング工程におけるエッチング量を補償する
程度に余分に高く形成しておく。また、端子部１９は、
図２（ｂ）のビアホール１８の形成工程で同時に設けて
も良いし、或いは、ドライフィルム１１自体の製造工程
において、予め端部を露出させるようにしても良い。

【００３９】図２（ｄ）参照 次いで、フォトプロセスによって支持膜１６を選択的に
エッチング除去して、配線パターンを形成するための開
口部２１を有するエッチングマスクを形成する。

【００４０】図２（ｅ）及び（ｆ）参照 次いで、開口部２１を設けた支持膜１６をエッチングマ
スクとしてＣｕ薄膜１４をエッチングしたのち、支持膜
１６を剥離することによって配線パターン２２が得られ
る。

【００４１】図３（ｇ）参照 次いで、熱可塑性樹脂からなる樹脂層２４の片面だけに
Ｃｕ薄膜２５及び支持膜２６を設けたドライフィルム２
３を真空に吸引した雰囲気下において、押圧しながら加
熱することによってラミネートする。このラミネート工
程において、樹脂層２４と樹脂層１２とがボイドを生ず
ることなく密着するので、隣接する配線パターン２２の
間の凹部は樹脂で充填されることになる。

【００４２】図３（ｈ）参照 次いで、再び、２６６ｎｍの紫外線のレーザ光２７を、
除去対象に応じて出力を調整しながら照射することによ
って、Ｃｕ薄膜２５に達する２層の層間絶縁膜となる樹
脂層１２及び樹脂層２４を貫通するビアホール２８を形
成する。

【００４３】図３（ｉ）参照 次いで、再び、電解メッキによってビアホール２８の内
部をＣｕで埋め込んでＣｕビア２９を形成する。なお、
この場合には、新たにラミネートしたドライフィルム２
３のＣｕ薄膜２５の端子部に電解メッキの際の電極を接
続してＣｕ薄膜２５がシード層となり、また、支持膜２
６がシード層を支える支持膜となるものであり、この場
合の端子部もビアホール２８の形成工程で形成しても良
いし、或いは、ドライフィルム２３自体に予め設けてお
いても良いものである。

【００４４】図３（ｊ）参照 次いで、再び、フォトプロセスによって支持膜１５を選
択的にエッチング除去して、配線パターンを形成するた
めの開口部を有するエッチングマスクとし、このエッチ
ングマスクを利用してＣｕ薄膜１３をエッチングしたの
ち、支持膜１５を剥離することによって配線パターン３
０を形成する。

【００４５】図３（ｋ）参照 次いで、反対側の面に対しても、フォトプロセスによっ
て支持膜２６を選択的にエッチング除去して、配線パタ
ーンを形成するための開口部を有するエッチングマスク
とし、このエッチングマスクを利用してＣｕ薄膜２５を
エッチングしたのち、支持膜２６を剥離することによっ
て配線パターン３１を形成する。

【００４６】図３（ｌ）参照 次いで、再び、熱可塑性樹脂からなる樹脂層の片面だけ
にＣｕ薄膜及び支持膜を設けたドライフィルム３２，３
３を真空に吸引した雰囲気下において、配線パターン３
０及び配線パターン３１を形成した面に夫々押圧しなが
ら加熱することによってラミネートする。

【００４７】図４（ｍ）参照 次いで、再び、２６６ｎｍの紫外線のレーザ光３４を、
除去対象に応じて出力を調整しながら照射することによ
って、ドライフィルム３３を構成するＣｕ薄膜に達する
樹脂層３９乃至樹脂層４０の４層の層間絶縁膜を貫通す
るビアホール３５を形成する。

【００４８】図４（ｎ）参照 次いで、再び、電解メッキによってビアホール３５の内
部をＣｕで埋め込んでＣｕビア３６を形成したのち、両
側のドライフィルム３２，３３を構成するＣｕ薄膜をパ
ターニングして配線パターン３７，３８を形成すること
によって多層のラミネートフィルムからなる多層配線層
部が完成する。なお、この場合にも、新たにラミネート
したドライフィルム３３のＣｕ薄膜の端子部に電解メッ
キの際の電極を接続してＣｕ薄膜をシード層とするが、
端子はビアホール３５の形成工程で形成しても良いし、
或いは、ドライフィルム３３自体に予め設けておいても
良いものである。

【００４９】図４（ｏ）参照 最後に、真空に吸引した雰囲気下において、スルーホー
ル４２の内壁をＣｕメッキしたコア基板４１に、多層配
線層部を押圧しながら加熱して一体化することによって
多層プリント配線板、即ち、薄膜多層回路基板が完成す
る。

【００５０】なお、図においては、コア基板４１の片側
にしかフィルムラミネート法により形成した多層配線層
部を一体化していないが、コア基板４１の両面にフィル
ムラミネート法により形成した多層配線層部を貼り付け
ても良いものであり、両面に貼り付けた方が、応力が両
面に均等に加わるので、薄膜多層回路基板の湾曲、撓み
を防止することができる。

【００５１】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、多層配線層部をドライフィルムを用いたフィル
ムラミネート法によって形成しているので、多段階のビ
ルドアップ工程が簡略化され、また、２層以上の層間絶
縁膜で分離された上下の配線パターンを２層以上の層間
絶縁膜を貫通するビアホール内に充填したＣｕビアによ
って直接接続しているのでビアホール或いはＣｕビアの
占有空間を少なくすることができ、それによって、薄膜
多層回路基板を高密度化することができる。

【００５２】また、ドライフィルムを用いているので、
樹脂ワニス等による層間絶縁膜の形成工程が不要になる
ため層間絶縁膜の成膜工程に伴う溶剤等が不要になり、
且つ、ビアホールの形成工程をレーザ加工で行っている
ので、化学エッチング工程に伴うエッチング液等も不要
になり、さらに、支持膜をそのままエッチングマスクと
して用いているのでフォトレジストの塗布工程が不要に
なるので、使用する薬品種類及び使用量を低減すること
ができ、それによって環境に調和した製造プロセスにす
ることができる。

【００５３】次に、図５乃至図７を参照して、本発明の
第２の実施の形態のセミアディティブ法による多層プリ
ント配線板の製造工程を説明する。 図５（ａ）参照 まず、厚さ２０〜５０μｍ、例えば、３０μｍの熱可塑
性樹脂、例えば、ポリイミド系熱可塑性樹脂からなる樹
脂層４２の両面に無電解メッキ工程或いは電解メッキ工
程におけるシード層となる厚さ１〜２μｍ、例えば、
１．５μｍのシードＣｕ薄膜５３，５４を張りつけたド
ライフィルム５１を用意する。

【００５４】この場合も、ドライフィルム５１を構成す
るシードＣｕ薄膜５３，５４の表面には、シードＣｕ薄
膜５３，５４を支持し、且つ、配線パターンの形成工程
においてメッキ保護マスクとなる厚さ５〜５０μｍ、例
えば、２０μｍの支持膜５５，５６を設ける。なお、こ
の場合の支持膜５５，５６も、パターニング工程として
フォトプロセスを用いた場合にはドライフィルムレジス
トを用い、また、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、或
いは、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工によっ
てパターニングする場合には、レーザ加工が可能な樹脂
を用いれば良く、ここではドライフィルムレジストとす
る。

【００５５】図５（ｂ）参照 次いで、ドライフィルム５１を真空吸引で固定したの
ち、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波（λ＝２６６ｎ
ｍ）を用い、発振周波数を低くしレーザ光出力を大きく
した状態でレーザ光５７を選択的に照射し、支持膜５６
及びシードＣｕ薄膜５４を除去し、次いで、発振周波数
を高くしレーザ光出力を小さくした状態でレーザ光５７
を照射して樹脂層５２を除去して、ビアホール５８を形
成する。

【００５６】図５（ｃ）参照 次いで、ドライフィルム５１の端部に露出するシードＣ
ｕ薄膜５３、即ち、端子部５９に電解メッキのための電
極を接続し、支持膜５５でドライフィルム５１を固定し
た状態でメッキ浴中で電解メッキを行うことによって、
ビアホール５８の内部をＣｕで埋め込んでＣｕビア６０
を形成する。

【００５７】なお、この場合のＣｕビア６０の高さは、
シードＣｕ薄膜５４の上面とほぼ同じ高さに形成する。
また、この場合の端子部５９も、図５（ｂ）のビアホー
ル５８の形成工程で同時に設けても良いし、或いは、ド
ライフィルム５１自体の製造工程において、予め端部を
露出させるようにしても良い。

【００５８】図５（ｄ）参照 次いで、フォトプロセスによって支持膜５６を選択的に
エッチング除去して、配線パターンを形成するための電
解メッキ工程におけるメッキ保護マスクとなる支持膜パ
ターン６１を形成する。

【００５９】図５（ｅ）参照 次いで、支持膜パターン６１をメッキ保護マスクとして
電解メッキを行うことによって、シードＣｕ薄膜５４の
露出部及びＣｕビア６０の表面に、支持膜パターン６１
の膜厚以下の厚さのＣｕメッキ層６２を形成する。

【００６０】図５（ｆ）参照 次いで、支持膜パターン６１を剥離したのち、全面エッ
チングを施すことによって、支持膜パターン６１に覆わ
れていたためＣｕメッキ層６２が形成されなかた領域の
シードＣｕ薄膜５４を選択的に除去して配線パターン６
３を形成する。なお、この全面エッチング工程におい
て、Ｃｕメッキ層６２の表面も若干エッチングされるこ
とになる。

【００６１】図６（ｇ）参照 次いで、熱可塑性樹脂からなる樹脂層６５の片面だけに
シードＣｕ薄膜６６及び支持膜６７を設けたドライフィ
ルム６４を真空に吸引した雰囲気下において、押圧しな
がら加熱することによってラミネートする。

【００６２】図６（ｈ）参照 次いで、再び、２６６ｎｍの紫外線のレーザ光６８を、
除去対象に応じて出力を調整しながら照射することによ
って、シードＣｕ薄膜５３に達する２層の層間絶縁膜と
なる樹脂層６５及び樹脂層５４を貫通するビアホール６
９を形成する。

【００６３】図６（ｉ）参照 次いで、再び、電解メッキによってビアホール６９の内
部をＣｕで埋め込んでＣｕビア７０を形成する。

【００６４】図６（ｊ）参照 次いで、再び、フォトプロセスによって支持膜６７を選
択的にエッチング除去して、Ｃｕメッキ層を形成するた
めの支持膜パターンを形成し、この支持膜パターンをメ
ッキ保護マスクとして電解メッキを行うことによってシ
ードＣｕ薄膜６６の露出部及びＣｕビア７０の表面にＣ
ｕメッキ層を形成したのち、支持膜パターンを剥離し、
全面エッチングを施すことによって、配線パターン７１
を形成する。

【００６５】図６（ｋ）参照 次いで、再び、熱可塑性樹脂からなる樹脂層７３の片面
だけにシードＣｕ薄膜７４及び支持膜７５を設けたドラ
イフィルム７２を真空に吸引した雰囲気下において、配
線パターン７１を形成した面に押圧しながら加熱するこ
とによってラミネートする。

【００６６】図７（ｌ）参照 次いで、再び、２６６ｎｍの紫外線のレーザ光を、除去
対象に応じて出力を調整しながら照射することによっ
て、樹脂層７３乃至樹脂層５２に渡って全体を貫通する
ビアホール７６を形成したのち、電解メッキを施すこと
によってビアホール７６の内壁にＣｕメッキ層７７を形
成する。

【００６７】図７（ｍ）参照 次いで、再び、フォトプロセスによって支持膜５５，７
５を選択的にエッチング除去して、Ｃｕメッキ層を形成
するための支持膜パターンを形成し、この支持膜パター
ンをメッキ保護マスクとして電解メッキを行うことによ
ってシードＣｕ薄膜５３，７４の露出部及びＣｕメッキ
層７７の表面にＣｕメッキ層を形成したのち、支持膜パ
ターンを剥離し、全面エッチングを施して両面に配線パ
ターン７８，７９を形成することによって多層配線層部
が完成する。

【００６８】最後に、真空に吸引した雰囲気下におい
て、スルーホール８１の内壁をＣｕメッキしたコア基板
８０に、多層配線層部を押圧しながら加熱して一体化す
ることによって多層プリント配線板、即ち、薄膜多層回
路基板が完成する。

【００６９】なお、この場合も、図においては、コア基
板８０の片側にしかフィルムラミネート法により形成し
た多層配線層部を一体化していないが、コア基板８０の
両面にフィルムラミネート法により形成した多層配線層
部を貼り付けても良いものであり、両面に貼り付けた方
が、応力が両面に均等に加わるので、薄膜多層回路基板
の湾曲、撓みを防止することができる。

【００７０】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、上記の第１の実施の形態と同様に、多層配線層
部をドライフィルムを用いたフィルムラミネート法によ
って形成しているので、多段階のビルドアップ工程が簡
略化され、また、２層以上の層間絶縁膜で分離された上
下の配線パターンを２層以上の層間絶縁膜を貫通するビ
アホール内に充填したＣｕビアによって直接接続してい
るのでビアホール或いはＣｕビアの占有空間を少なくす
ることができ、それによって、薄膜多層回路基板を高密
度化することができる。

【００７１】また、ドライフィルムを用いているので、
樹脂ワニス等による層間絶縁膜の形成工程が不要になる
ため層間絶縁膜の成膜工程に伴う溶剤等が不要になり、
且つ、ビアホールの形成工程をレーザ加工で行っている
ので、化学エッチング工程に伴うエッチング液も不要に
なり、さらに、支持膜をそのままメッキ保護マスクとし
て用いているのでフォトレジストの塗布工程が不要にな
るので、使用する薬品種類及び使用量を低減することが
でき、それによって、環境に調和した製造プロセスにす
ることができる。

【００７２】さらに、この第２の実施の形態において
は、配線パターンをセミアディティブ法によって形成し
ているので、第１の実施の形態の様にサブトラクティブ
法を用いた場合に比べて配線パターンの微細化が可能に
なり、高密度化が可能になる。但し、この第２の実施の
形態においては、配線パターンの形成工程においてメッ
キを用いているので、第１の実施の形態に比べて薬品の
使用量は若干増加することになる。

【００７３】なお、上記の第２の実施の形態の説明にお
いては、配線パターンとなるＣｕメッキ層を形成する際
に、電解メッキ法を用いているが、無電解メッキ法、即
ち、化学メッキ法を用いても良いものである。

【００７４】例えば、最近、Ｃｕを無電解メッキする方
法として、高速（厚付け）無電解メッキ法が開発されて
おり、この高速（厚付け）無電解メッキ法を用いること
によって、生産レベルでの実用化が可能になる。なお、
無電解メッキの場合にも、Ｃｕメッキ層を形成するため
にシード層となるシードＣｕ薄膜は必要となる。

【００７５】さらに、ビアホールを埋め込むＣｕビアの
形成工程、或いは、全体を貫通するビアホールの内面に
Ｃｕメッキ層を形成する工程において、電解メッキ法に
代えて無電解メッキ法を用いても良いものであり、この
場合には、端子部５９の形成工程は不要となる。

【００７６】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能であり、例えば、使用す
るレーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波（λ＝
２６６ｎｍ）に限られるものでものではなく、高エネル
ギー密度の紫外線であれば良く、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの
第３高調波（λ＝３５５ｎｍ）を用いても良いし、或い
は、エキシマレーザを用いても良いものである。

【００７７】また、上記の各実施の形態の説明において
は、レーザ光の出力を光出力の発振周波数依存性を利用
して制御しているが、単純に印加電力量によって制御し
ても良い。

【００７８】また、上記の各実施の形態の説明において
は、支持膜としてドライフィルムレジストを用いてフォ
トプロセスでパターニングを行っているが、非感光性の
樹脂を用いて、ビアホールの形成工程と同様にレーザ加
工によってパターニングしても良いものであり、この場
合にはレーザ光によって所定パターンを描画することに
なり、スループットは低下するが、薬品の使用量が減り
環境性がより改善される。なお、この場合には、レーザ
光は必ずしも紫外線である必要はなく、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザの１次光、或いは、炭酸ガスレーザを用いても良い
ものである。

【００７９】また、ラミネート工程の後、何方の側から
ビアホールを形成し、且つ、配線パターンを形成するか
は任意であり、必要とする多層の層数等に応じて適宜決
定すれば良い。

【００８０】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ドライフィルムの樹脂層を熱可塑性樹脂で構成して
いるが、この様な構成に限られるものではなく、例え
ば、一部が接着層となった樹脂層を用いても良いもので
ある。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば、多層配線層部をフィル
ムラミネート法で構成し、且つ、２層以上の層間絶縁膜
を貫通するビアホール及びビアを形成しているので、製
造工程が簡略化されるとともに、高密度化が可能にな
り、さらに、ビアホールの形成工程等をレーザ加工によ
り行っているので薬品の使用量を大幅に低減することが
でき、環境に調和した製造プロセスとすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の途中ま
での製造工程の説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の製造工
程の説明図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態の図５以降の途中ま
での製造工程の説明図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態の図６以降の製造工
程の説明図である。

【図８】従来のビルドアップ多層プリント配線板の製造
工程の説明図である。

【符号の説明】

１ 多層配線層部 ２ コア基板 ３ ビアホール ４ ビアホール ５ 配線パターン ６ ラミネートフィルム ７ 樹脂膜 ８ 金属薄膜 ９ 樹脂膜 １１ ドライフィルム １２ 樹脂層 １３ Ｃｕ薄膜 １４ Ｃｕ薄膜 １５ 支持膜 １６ 支持膜 １７ レーザ光 １８ ビアホール １９ 端子部 ２０ Ｃｕビア ２１ 開口部 ２２ 配線パターン ２３ ドライフィルム ２４ 樹脂層 ２５ Ｃｕ薄膜 ２６ 支持膜 ２７ レーザ光 ２８ ビアホール ２９ Ｃｕビア ３０ 配線パターン ３１ 配線パターン ３２ ドライフィルム ３３ ドライフィルム ３４ レーザ光 ３５ ビアホール ３６ Ｃｕビア ３７ 配線パターン ３８ 配線パターン ３９ 樹脂層 ４０ 樹脂層 ４１ コア基板 ４２ スルーホール ５１ ドライフィルム ５２ 樹脂層 ５３ シードＣｕ薄膜 ５４ シードＣｕ薄膜 ５５ 支持膜 ５６ 支持膜 ５７ レーザ光 ５８ ビアホール ５９ 端子部 ６０ Ｃｕビア ６１ 支持膜パターン ６２ Ｃｕメッキ層 ６３ 配線パターン ６４ ドライフィルム ６５ 樹脂層 ６６ シードＣｕ薄膜 ６７ 支持膜 ６８ レーザ光 ６９ ビアホール ７０ Ｃｕビア ７１ 配線パターン ７２ ドライフィルム ７３ 樹脂層 ７４ シードＣｕ薄膜 ７５ 支持膜 ７６ ビアホール ７７ Ｃｕメッキ層 ７８ 配線パターン ７９ 配線パターン ８０ コア基板 ８１ スルーホール ９１ コア基板 ９２ スルーホール ９３ Ｃｕメッキ層 ９４ 第１配線パターン ９５ 第１層間絶縁膜 ９６ ビアホール ９７ 第２配線パターン ９８ 第２層間絶縁膜 ９９ 第３層間絶縁膜

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ラミネートフィルムを多層化した多層配
   線層部と、コア基板とを一体化したことを特徴とする薄
   膜多層回路基板。
2. 【請求項２】 上記多層配線層部における層間を接続す
   るためのビアホールの一部が、２以上の層間絶縁膜を貫
   通することを特徴とする請求項１記載の薄膜多層回路基
   板。
3. 【請求項３】 多層配線層部をフィルムラミネート法に
   よって形成したのち、前記多層配線層部をコア基板に導
   電的に接続し、一体化したことを特徴とする薄膜多層回
   路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 上記多層配線層部における層間を接続す
   るための２以上の層間絶縁膜を貫通するビアホールを形
   成する工程を有することを特徴とする請求項３記載の薄
   膜多層回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 上記２以上の層間絶縁膜を貫通するビア
   ホールをレーザ加工によって形成するとともに、少なく
   とも導体層の除去時におけるレーザ光の出力を、最下層
   の層間絶縁膜の除去時のレーザ光の出力より大きくする
   ことを特徴とする請求項４記載の薄膜多層回路基板の製
   造方法。
6. 【請求項６】 上記多層配線層部を構成するラミネート
   フィルムは、層間絶縁膜となる樹脂膜、前記層間絶縁膜
   となる樹脂膜の少なくとも片面に設けられた金属薄膜、
   及び、前記金属薄膜の表面に設けられたパターン形成マ
   スクとなる樹脂膜からなることを特徴とする請求項３乃
   至５のいずれか１項に記載の薄膜多層回路基板の製造方
   法。
7. 【請求項７】 上記層間絶縁膜となる樹脂膜の少なくと
   も片面に設けられた金属薄膜を、メッキ法によりビアホ
   ールに導電体を埋め込む工程におけるシード層とするこ
   とを特徴とする請求項６記載の薄膜多層回路基板の製造
   方法。
8. 【請求項８】 上記メッキ工程が電解メッキ工程であ
   り、上記層間絶縁膜となる樹脂膜の少なくとも片面に設
   けられた金属薄膜を選択的に除去することによって配線
   パターンを形成することを特徴とする請求項７記載の薄
   膜多層回路基板の製造方法。
9. 【請求項９】 上記メッキ工程が無電解メッキ工程また
   は電解メッキ工程のいずれかであり、且つ、配線パター
   ンを形成する際に、上記層間絶縁膜となる樹脂膜の少な
   くとも片面に設けられた金属薄膜をシード層として無電
   解メッキ或いは電解メッキのいずれかを行うことを特徴
   とする請求項７記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 上記金属薄膜の表面に設けられた配線
    パターン形成マスクとなる樹脂膜が、電解メッキ工程に
    おいて、電解メッキのための電極を前記金属薄膜に接続
    する際の支持膜として作用することを特徴とする請求項
    ７乃至９のいずれか１項に記載の薄膜多層回路基板の製
    造方法。