JPH11279754A - Sputtering target material - Google Patents
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- JPH11279754A JPH11279754A JP10086298A JP8629898A JPH11279754A JP H11279754 A JPH11279754 A JP H11279754A JP 10086298 A JP10086298 A JP 10086298A JP 8629898 A JP8629898 A JP 8629898A JP H11279754 A JPH11279754 A JP H11279754A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】４００〜６００ｎｍの波長光における光の吸収
が少ない可視光線の透過性に優れた透明導電膜を効率良
く生産することができるスパッタリングターゲット部材
を提供し、例えば、アモルファスＳｉ太陽電池に好適な
透明導電膜が得られるようにする。
【解決手段】酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量
％の範囲で含む表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛
焼結体によりスパッタリングターゲット部材を構成す
る。
(57) [Problem] To provide a sputtering target member capable of efficiently producing a transparent conductive film having low light absorption in wavelength light of 400 to 600 nm and excellent in visible light transmittance. A transparent conductive film suitable for a Si solar cell is obtained. A sputtering target member is made of a zinc oxide sintered body containing aluminum oxide in a range of 0.01 to 0.1% by weight and having a surface resistance of 0.05 Ω or less.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化亜鉛焼結体か
らなるスパッタリングターゲット部材に関するものであ
り、具体的には太陽電池の透明導電膜や窓ガラスの熱線
反射用の透明導電膜、あるいは液晶やＥＬディスプレー
等の表示デバイスの透明導電膜を形成するためのもので
あり、特にアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電膜用と
して好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target member made of a zinc oxide sintered body, and more specifically, to a transparent conductive film of a solar cell, a transparent conductive film of a window glass for reflecting heat rays, or a liquid crystal. It is for forming a transparent conductive film of a display device such as an EL display or an EL display, and is particularly suitable for a transparent conductive film of an amorphous Si solar cell.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、透明導電膜には、酸化インジウム
に酸化スズを添加したＩＴＯ、酸化スズに酸化アンチモ
ンやフッ素をドープしたＴＡＯやＴＦＯ、あるいは酸化
亜鉛が利用されているが、これらの中でも酸化亜鉛はＩ
ＴＯと比較して安価であり、ＴＡＯやＴＦＯと比較して
透明性が高く、可視光線の透過性が高いといった利点が
ある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a transparent conductive film, ITO in which tin oxide is added to indium oxide, TAO or TFO in which tin oxide is doped with antimony oxide or fluorine, or zinc oxide is used. Zinc oxide is I
It is advantageous in that it is inexpensive compared to TO, has higher transparency than TAO and TFO, and has higher visible light transmittance.
【０００３】この酸化亜鉛からなる透明導電膜の成膜は
主にスパッタリングにて行われており、透明導電膜と同
種の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット
部材が使用されているが、酸化亜鉛のみからなる焼結体
では表面抵抗値が高いためにスパッタリング効率（スパ
ッタレート）が低いといった課題があった。[0003] This transparent conductive film made of zinc oxide is mainly formed by sputtering, and a sputtering target member made of the same kind of zinc oxide sintered body as the transparent conductive film is used. In the case of a sintered body composed of only a material, there is a problem that the sputtering efficiency (sputter rate) is low because the surface resistance is high.
【０００４】その為、上記スパッタリングターゲット部
材として、酸化アルミニウムを０．５〜５重量％の範囲
で含有した酸化亜鉛焼結体を用いることが提案されてい
る（特開平７−２５８８３６号公報参照）。[0004] Therefore, it has been proposed to use a zinc oxide sintered body containing aluminum oxide in a range of 0.5 to 5% by weight as the above-mentioned sputtering target member (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-258836). .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本件発
明者らの実験によれば、酸化亜鉛焼結体に含有させる酸
化アルミニウムの含有量を多くすれば、スパッタレート
を高めるのに重要な表面抵抗値を下げることができるも
のの、酸化アルミニウムを０．５重量％以上含有させた
ものでは透明導電膜の透明性が低下するといった課題が
あった。However, according to the experiments conducted by the present inventors, it was found that if the content of aluminum oxide contained in the zinc oxide sintered body is increased, the surface resistance value which is important for increasing the sputtering rate is increased. However, when aluminum oxide is contained in an amount of 0.5% by weight or more, there is a problem that the transparency of the transparent conductive film is reduced.
【０００６】即ち、酸化アルミニウムを０．２重量％以
上含有させると、透明導電膜における可視光線の透過
率、特に４００〜６００ｎｍの波長光における透過率が
酸化亜鉛のみからなる焼結体を用いた場合と比較して大
きく低下するため、例えば、このスパッタリングターゲ
ット部材を用いてアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電
膜を成膜しても有効な変換効率が得られなかった。That is, when aluminum oxide is contained in an amount of 0.2% by weight or more, a transparent conductive film has a transmittance of visible light, particularly a transmittance of light having a wavelength of 400 to 600 nm, which is a sintered body made of only zinc oxide. For example, an effective conversion efficiency could not be obtained even if a transparent conductive film of an amorphous Si solar cell was formed using this sputtering target member, because the efficiency greatly decreased as compared with the case.
【０００７】しかも、酸化亜鉛より焼成温度の高い酸化
アルミニウムの含有量が多くなりすぎると、焼成時に酸
化アルミニウムが未焼成部として存在することになるた
め、焼成が難しいといった課題があった。Further, if the content of aluminum oxide having a higher firing temperature than zinc oxide is too large, there is a problem that firing is difficult because aluminum oxide is present as unfired portions during firing.
【０００８】その為、工業用として用いられている外寸
法が１００ｍｍ以上の円形や正方形をした大型で高密度
の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット部
材を得ることは難しいものであった。For this reason, it has been difficult to obtain a sputtering target member made of a large, high-density zinc oxide sintered body having a circular or square shape with an outer dimension of 100 mm or more and used for industrial purposes.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、透明導電膜における可視光線の透過率、特に
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を低下させること
なく、スパッタレートを高めることができるとともに、
大型のスパッタリングターゲット部材を容易に製作する
ことができる酸化アルミニウムを含有した酸化亜鉛焼結
体について、鋭意実験を繰り返したところ、酸化アルミ
ニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有させるこ
とにより上記課題を解消できることを突き止めた。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, the present invention aims to increase the sputtering rate without lowering the transmittance of visible light in a transparent conductive film, particularly the transmittance of light having a wavelength of 400 to 600 nm. Can be done,
When a zealous experiment was repeated on a zinc oxide sintered body containing aluminum oxide which can easily produce a large-sized sputtering target member, it was found that aluminum oxide was contained in a range of 0.01 to 0.1% by weight. It has been found that the above problem can be solved.
【００１０】即ち、本発明は、酸化アルミニウムを０．
０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗値が
０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によりスパッタリング
ターゲット部材を構成したものである。That is, according to the present invention, aluminum oxide is used in 0.1%.
The sputtering target member is constituted by a zinc oxide sintered body having a surface resistance of 0.05 Ω or less contained in the range of 01 to 0.1% by weight.
【００１１】本発明のスパッタリングターゲット部材に
よれば、酸化亜鉛焼結体に含有する酸化アルミニウムの
含有量を０．０１〜０．１重量％としてあることから、
表面抵抗値を０．０５Ω以下とすることができるととも
に、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の可視光線の
透過率、特に４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を７
０％以上とすることができる。According to the sputtering target member of the present invention, since the content of aluminum oxide contained in the zinc oxide sintered body is set to 0.01 to 0.1% by weight,
The surface resistance can be 0.05 Ω or less, and the transmittance of visible light of the formed transparent conductive film made of zinc oxide, particularly the transmittance of light having a wavelength of 400 to 600 nm, is 7.
It can be 0% or more.
【００１２】本件発明者らの実験によれば、酸化アルミ
ニウムの含有量が０．０１重量％未満であると、表面抵
抗値を下げる効果が殆ど得られないためにスパッタレー
トを高めることができず、０．１重量％より多くなる
と、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の４００〜６
００ｎｍの波長光における透過率が大幅に低下するとと
もに、焼成時に酸化アルミニウムが未焼成部として存在
し、焼結性が悪くなるために大型のスパッタリングター
ゲット部材を製作することが難しいからである。なお、
好ましい酸化アルミニウムの含有量としては０．０１〜
０．０５重量％の範囲が良い。According to the experiments by the present inventors, if the content of aluminum oxide is less than 0.01% by weight, the effect of lowering the surface resistance is hardly obtained, so that the sputtering rate cannot be increased. Is more than 0.1% by weight, the transparent conductive film made of zinc oxide having a thickness of 400 to 6 wt.
This is because the transmittance for light having a wavelength of 00 nm is significantly reduced, and at the time of firing, aluminum oxide is present as unfired portions, and the sinterability is deteriorated, so that it is difficult to manufacture a large sputtering target member. In addition,
Preferred content of aluminum oxide is 0.01 to
The range of 0.05% by weight is good.
【００１３】また、酸化亜鉛焼結体中には、原料中や製
造工程でＭｇＯ、ＣａＯ、ＮａＯ2等の不純物が混入す
るが、合計で０．１重量％以下の範囲であれば含んでい
ても構わない。In the zinc oxide sintered body, impurities such as MgO, CaO, and NaO 2 are mixed in the raw material and in the manufacturing process, but may be contained in a range of 0.1% by weight or less in total. No problem.
【００１４】また、酸化亜鉛焼結体の密度は５．０ｇ／
ｃｍ3 以上であることが良い。これは密度が５．０ｇ／
ｃｍ3 未満となると、酸化亜鉛焼結体中に多数のボイド
が存在することになるため、成膜時にボイド中に存在し
ていた空気が反応容器内の真空度を低下させ、スパッタ
レートを低下させるからである。The density of the zinc oxide sintered body is 5.0 g /
cm 3 or more. This has a density of 5.0 g /
If it is less than 3 cm 3 , many voids will be present in the zinc oxide sintered body, so air existing in the voids at the time of film formation lowers the degree of vacuum in the reaction vessel and lowers the sputter rate It is because.
【００１５】ところで、上記スパッタリングターゲット
部材を得るには、出発原料としてＢＥＴ比表面積が３．
０〜６．０ｍ2 ／ｇの酸化亜鉛粉末に、平均粒子径が３
μｍ以下の酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量％
の範囲で添加し、さらに溶媒とバインダーを添加混合し
て泥漿を製作し、スプレードライヤにより２００〜３０
０℃で噴霧乾燥させて造粒体を製作する。By the way, in order to obtain the above sputtering target member, a BET specific surface area of 3.
0-6.0 m 2 / g of zinc oxide powder having an average particle diameter of 3
0.01 to 0.1% by weight of aluminum oxide of μm or less
And a solvent and a binder were further added and mixed to produce a slurry, and the slurry was dried at 200 to 30 by a spray dryer.
Spray dry at 0 ° C. to produce granules.
【００１６】ここで、酸化亜鉛粉末のＢＥＴ比表面積を
３．０〜６．０ｍ2 ／ｇとするのは、ＢＥＴ比表面積が
３ｍ2 ／ｇ未満であると、酸化亜鉛焼結体の密度が５．
０ｇ／ｃｍ3 より小さくなるからであり、６．０ｍ2 ／
ｇを越えると焼成中において酸化亜鉛焼結体の内部に生
じる歪みが大きくなり、焼成後に歪みが解放されるとク
ラックを生じるからである。また、酸化アルミニウムの
平均粒子径が３μｍより大きくなると、均一に分散せず
に局部的に凝集して表面抵抗値のばらつきを生じるから
である。[0016] Here, as for the 3.0~6.0m 2 / g BET specific surface area of the zinc oxide powder, the BET specific surface area is less than 3m 2 / g, the density of the zinc oxide ceramics 5.
0 g / cm 3 , 6.0 m 2 /
If the amount exceeds g, the strain generated inside the zinc oxide sintered body during firing increases, and cracks occur when the strain is released after firing. Also, if the average particle diameter of the aluminum oxide is larger than 3 μm, the aluminum oxide is not uniformly dispersed but locally aggregated to cause variation in the surface resistance value.
【００１７】なお、原料の混合にあたっては特に限定し
ないが、ジルコニア製のメディアを用いたボールミルや
ビーズミルを用いることが好ましい。The mixing of the raw materials is not particularly limited, but it is preferable to use a ball mill or a bead mill using a zirconia medium.
【００１８】次に、得られた造粒体は所望の形状や寸法
等に合わせて、一軸加圧成形法や等加圧成形法、あるい
は冷間静水圧プレスなど通常使用されるセラミックス成
形法を用いて成形する。この時、焼結後の密度を５．０
ｇ／ｃｍ3 以上とするために、成形圧は最低でも０．８
ｔｏｎ／ｃｍ2 以上、好ましくは１．０ｔｏｎ／ｃｍ2
以上とすることが良い。Next, the obtained granules are subjected to a uniaxial pressing method, an isopressing method, or a commonly used ceramic forming method such as a cold isostatic press according to a desired shape and dimensions. And molding. At this time, the density after sintering was 5.0.
g / cm 3 or more, the molding pressure should be at least 0.8
ton / cm 2 or more, preferably 1.0 ton / cm 2
It is better to do above.
【００１９】そして、得られた成形体を大気中など酸化
雰囲気下で焼成することにより、酸化アルミニウムを
０．０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗
値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体を得ることができ
る。Then, the obtained molded body is fired in an oxidizing atmosphere such as in the air, so that the surface resistance containing aluminum oxide in the range of 0.01 to 0.1% by weight is 0.05Ω or less. Can be obtained.
【００２０】ただし、焼成温度が１３００℃未満である
と、酸化亜鉛を焼結させることができず、１５００℃を
越えると酸化亜鉛が粒成長して緻密化することができな
いために酸化亜鉛焼結体の密度をいずれも５．０ｇ／ｃ
ｍ3 以上とすることができない。その為、焼成温度は１
３００〜１５００℃の範囲が良く、この温度範囲にて１
〜５時間程度焼成すれば良い。However, if the firing temperature is lower than 1300 ° C., zinc oxide cannot be sintered, and if it exceeds 1500 ° C., zinc oxide grows and cannot be densified. The body density is 5.0 g / c
m 3 or more. Therefore, the firing temperature is 1
The temperature range is preferably 300 to 1500 ° C.
It may be fired for about 5 hours.
【００２１】また、酸化亜鉛焼結体は酸化アルミニウム
との反応性が高いことから、焼成にあたっては、酸化亜
鉛焼結体と反応し難いＭｇＯスピネルやマグネシアある
いはジルコニアからなる焼成治具を用いることが望まし
い。Further, since the zinc oxide sintered body has high reactivity with aluminum oxide, a firing jig made of MgO spinel, magnesia or zirconia, which hardly reacts with the zinc oxide sintered body, should be used for firing. desirable.
【００２２】しかるのち、得られた酸化亜鉛焼結体に研
削加工や研磨加工を施すことにより本発明のスパッタリ
ングターゲット部材を得ることができる。Thereafter, the sputtering target member of the present invention can be obtained by subjecting the obtained zinc oxide sintered body to grinding or polishing.
【００２３】かくして、本発明のスパッタリングターゲ
ット部材を用いれば、スパッタレートを大幅に高めるこ
とができ、透明導電膜の生産性を向上させることができ
るとともに、成膜された透明導電膜は透明性が高く、４
００ｎｍ〜６００ｎｍの波長光における光の吸収が少な
いために可視光線の透過性に優れ、極めて良質な透明導
電膜を得ることができる。Thus, by using the sputtering target member of the present invention, the sputtering rate can be greatly increased, the productivity of the transparent conductive film can be improved, and the formed transparent conductive film has high transparency. High, 4
Since light absorption in light having a wavelength of 00 nm to 600 nm is small, a transparent conductive film having excellent transparency of visible light and extremely high quality can be obtained.
【００２４】その為、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができる。Therefore, if a transparent conductive film of a recon Si solar cell is formed using the sputtering target member of the present invention, excellent conversion efficiency can be realized.
【００２５】しかも、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。In addition, the sputtering target member of the present invention can be easily manufactured even if it is large because the amount of aluminum oxide that adversely affects the densification is small.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２７】出発原料としてＢＥＴ比表面積が４ｍ2 ／
ｇの酸化亜鉛粉末に対して平均粒子径が０．８μｍの酸
化アルミニウムを０．０２５重量％添加し、さらに水と
有機系のバインダーを添加混合して泥漿を製作し、スプ
レードライヤにより２００℃にて噴霧乾燥することによ
り造粒体を作製した。そして、この造粒体を金型中に充
填したあと１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 の成形圧にてプレス成
形することにより焼成後の寸法が２６０ｍｍ×２６０ｍ
ｍ×８ｍｍとなるような板状の成形体を成形し、この成
形体を脱脂したあと１３５０〜１４５０℃の温度にて３
時間保持して酸化亜鉛焼結体を焼成した。The starting material has a BET specific surface area of 4 m 2 /
g of zinc oxide powder, 0.025% by weight of aluminum oxide having an average particle diameter of 0.8 μm is added, and water and an organic binder are further added and mixed to produce a slurry. A granulated body was prepared by spray drying. Then, after the granules are filled in a mold, they are press-formed at a forming pressure of 1.0 ton / cm 2 , so that the size after firing is 260 mm × 260 m.
A plate-shaped formed body having a size of mx 8 mm is formed, and the formed body is degreased.
The zinc oxide sintered body was fired by holding for a time.
【００２８】次に、得られた酸化亜鉛焼結体に研削加工
を施して２５４ｍｍ角で厚みが７ｍｍの板状体に形成し
てスパッタリングターゲット部材を製作した。Next, the obtained zinc oxide sintered body was subjected to grinding to form a 254 mm square plate having a thickness of 7 mm to produce a sputtering target member.
【００２９】そして、このスパッタリングターゲット部
材の組成についてＸ線回折により測定したところ、酸化
アルミニウムが０．０２５重量％、不純物としてマグネ
シアが０．０１重量％、カルシアが０．０３重量％、酸
化ナトリウムが０．００５重量％含まれており、残部が
酸化亜鉛であった。When the composition of the sputtering target member was measured by X-ray diffraction, 0.025% by weight of aluminum oxide, 0.01% by weight of magnesia, 0.03% by weight of calcia, and 0.03% by weight of sodium oxide as impurities were obtained. 0.005% by weight, with the balance being zinc oxide.
【００３０】また、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に基づいて４
端子法により表面抵抗値を測定したところ、０．０２Ω
であり、アルキメデス法により密度を測定したところ
５．２ｇ／ｃｍ3 であった。Further, based on JIS K 7194, 4
When the surface resistance was measured by the terminal method,
The density was 5.2 g / cm 3 as measured by the Archimedes method.
【００３１】さらに、このスパッタリングターゲット部
材を用いて、真空度４．２×１０-1Ｐａ、スパッタ電力
３００Ｗ、スパッタ時間１０分、雰囲気ガスにＡｒガス
を用いてスパッタリングを施して酸化亜鉛の透明導電膜
（厚み１２０Å）をガラス基板に被覆し、この透明導電
膜の可視光線の透過率を積分球反射付属装置を用いて測
定したところ、４００〜６００ｎｍの波長光に対して８
０％の透過率を有していた。その為、このスパッタリン
グターゲット部材を用いれば、アモルファスＳｉ太陽電
池の透明導電膜用として好適であることが確認できた。Further, using this sputtering target member, sputtering is performed by using a vacuum degree of 4.2 × 10 -1 Pa, a sputtering power of 300 W, a sputtering time of 10 minutes, and an atmosphere gas of Ar gas to form a transparent conductive zinc oxide. A film (thickness: 120 °) was coated on a glass substrate, and the transmittance of visible light of this transparent conductive film was measured using an integrating sphere reflection attachment device.
It had a transmittance of 0%. Therefore, it was confirmed that the use of this sputtering target member was suitable for a transparent conductive film of an amorphous Si solar cell.
【００３２】（実施例１）そこで、酸化アルミニウムの
含有量を異ならせ、酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリ
ングターゲット部材の特性（表面抵抗値、可視光線の透
過率）について調べる実験を行った。Example 1 Therefore, an experiment was conducted in which the contents (surface resistance, visible light transmittance) of a sputtering target member made of a zinc oxide sintered body were examined by changing the content of aluminum oxide.
【００３３】なお、実験にあたっては添加する酸化アル
ミニウムの添加量を異ならせる以外は実施形態と同様の
条件にて行った。The experiment was performed under the same conditions as in the embodiment except that the amount of aluminum oxide to be added was changed.
【００３４】酸化アルミニウムの含有量、酸化亜鉛焼結
体の密度、可視光線の透過率については表１に、酸化亜
鉛焼結体の表面抵抗値については図１にそれぞれ示す通
りである。Table 1 shows the content of aluminum oxide, the density of the zinc oxide sintered body, and the transmittance of visible light, and FIG. 1 shows the surface resistance value of the zinc oxide sintered body.
【００３５】[0035]
【表１】 [Table 1]
【００３６】この結果、まず、図１より酸化アルミニウ
ムの含有量を０．０１重量％以上とすれば表面抵抗値を
０．０５Ωにまで大幅に小さくすることができ、スパッ
タレートを高められることが判る。一方、表１より酸化
アルミニウムの含有量が０．１重量％より多くなると、
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率が大幅に低下する
ことが判る。As a result, first, it can be seen from FIG. 1 that if the content of aluminum oxide is 0.01% by weight or more, the surface resistance can be significantly reduced to 0.05Ω, and the sputter rate can be increased. I understand. On the other hand, from Table 1, when the content of aluminum oxide is more than 0.1% by weight,
It turns out that the transmittance | permeability of the wavelength light of 400-600 nm falls sharply.
【００３７】従って、酸化亜鉛焼結体中に含有させる酸
化アルミニウムの含有量は０．０１〜０．１重量％の範
囲が良いことが判る。Therefore, it is found that the content of aluminum oxide contained in the zinc oxide sintered body is preferably in the range of 0.01 to 0.1% by weight.
【００３８】（実施例２）次に、酸化アルミニウムの含
有量を０．０５重量％、０．１０重量％、０．２０重量
％とし、焼成可能な焼結体の大きさについて調べる実験
を行った。Example 2 Next, an experiment was conducted to determine the size of a sintered body that can be fired by setting the content of aluminum oxide to 0.05% by weight, 0.10% by weight, and 0.20% by weight. Was.
【００３９】それぞれの結果は表２に示す通りである。The results are as shown in Table 2.
【００４０】[0040]
【表２】 [Table 2]
【００４１】この結果、酸化アルミニウムの含有量が
０．１０重量％以下であれば、工業用のスパッタリング
ターゲット部材として要求されている１００ｍｍ角以上
の大きさの焼結体を得ることができた。As a result, when the content of aluminum oxide was 0.10% by weight or less, a sintered body having a size of 100 mm square or more required as an industrial sputtering target member could be obtained.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、酸化ア
ルミニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有して
なる表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によ
りスパッタリングターゲット部材を形成したことから、
スパッタレートを大幅に高めることができ、透明導電膜
の生産性を向上させることができる。また、成膜された
透明導電膜は透明性が高く、４００ｎｍ〜６００ｎｍの
波長光における光の吸収が少ないために可視光線の透過
性に優れ、極めて良質な透明導電膜を得ることができ
る。As described above, according to the present invention, a zinc oxide sintered body containing aluminum oxide in the range of 0.01 to 0.1% by weight and having a surface resistance of 0.05Ω or less is provided. Because the sputtering target member was formed,
The sputter rate can be greatly increased, and the productivity of the transparent conductive film can be improved. In addition, the formed transparent conductive film has high transparency, has low light absorption in wavelength light of 400 nm to 600 nm, and thus has excellent transmittance of visible light, so that a very good quality transparent conductive film can be obtained.
【００４３】その為、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができ、太陽
電池の透明導電膜用として好適に使用できる。Therefore, if a transparent conductive film of a recon Si solar cell is formed by using the sputtering target member of the present invention, excellent conversion efficiency can be realized, and it is suitable for a transparent conductive film of a solar cell. Can be used.
【００４４】しかも、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。In addition, since the sputtering target member of the present invention has a small amount of aluminum oxide which adversely affects the densification, a large-sized sputtering target member can be easily manufactured.
【図１】酸化亜鉛焼結体中の酸化アルミニウム量と表面
抵抗値との関係を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the amount of aluminum oxide in a zinc oxide sintered body and the surface resistance value.
Claims (1)
％の範囲で含有してなる表面抵抗値が０．０５Ω以下の
酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット部
材。1. A sputtering target member comprising a zinc oxide sintered body having a surface resistance of 0.05 Ω or less and containing aluminum oxide in a range of 0.01 to 0.1% by weight.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086298A JPH11279754A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Sputtering target material |
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| JP10086298A JPH11279754A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Sputtering target material |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018402A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Zinc oxide sinter, process for producing the same, and sputtering target |
| JP2010121183A (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sony Corp | Zinc oxide based sputtering target and method of manufacturing the same, zinc oxide-based transparent conductive film and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
| JP2012020911A (en) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | Zinc oxide sintered compact, method for manufacturing the same, sputtering target, and method for manufacturing transparent film |
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-
1998
- 1998-03-31 JP JP10086298A patent/JPH11279754A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP6054516B2 (en) * | 2013-03-25 | 2016-12-27 | 日本碍子株式会社 | Zinc oxide sputtering target |
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| US9919931B2 (en) | 2013-03-25 | 2018-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Zinc oxide sputtering target |
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