JPH11279754A - スパッタリングターゲット部材 - Google Patents
スパッタリングターゲット部材Info
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- JPH11279754A JPH11279754A JP10086298A JP8629898A JPH11279754A JP H11279754 A JPH11279754 A JP H11279754A JP 10086298 A JP10086298 A JP 10086298A JP 8629898 A JP8629898 A JP 8629898A JP H11279754 A JPH11279754 A JP H11279754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- sputtering target
- transparent conductive
- conductive film
- aluminum oxide
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】４００〜６００ｎｍの波長光における光の吸収
が少ない可視光線の透過性に優れた透明導電膜を効率良
く生産することができるスパッタリングターゲット部材
を提供し、例えば、アモルファスＳｉ太陽電池に好適な
透明導電膜が得られるようにする。 【解決手段】酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量
％の範囲で含む表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛
焼結体によりスパッタリングターゲット部材を構成す
る。
が少ない可視光線の透過性に優れた透明導電膜を効率良
く生産することができるスパッタリングターゲット部材
を提供し、例えば、アモルファスＳｉ太陽電池に好適な
透明導電膜が得られるようにする。 【解決手段】酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量
％の範囲で含む表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛
焼結体によりスパッタリングターゲット部材を構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化亜鉛焼結体か
らなるスパッタリングターゲット部材に関するものであ
り、具体的には太陽電池の透明導電膜や窓ガラスの熱線
反射用の透明導電膜、あるいは液晶やＥＬディスプレー
等の表示デバイスの透明導電膜を形成するためのもので
あり、特にアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電膜用と
して好適なものである。
らなるスパッタリングターゲット部材に関するものであ
り、具体的には太陽電池の透明導電膜や窓ガラスの熱線
反射用の透明導電膜、あるいは液晶やＥＬディスプレー
等の表示デバイスの透明導電膜を形成するためのもので
あり、特にアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電膜用と
して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電膜には、酸化インジウム
に酸化スズを添加したＩＴＯ、酸化スズに酸化アンチモ
ンやフッ素をドープしたＴＡＯやＴＦＯ、あるいは酸化
亜鉛が利用されているが、これらの中でも酸化亜鉛はＩ
ＴＯと比較して安価であり、ＴＡＯやＴＦＯと比較して
透明性が高く、可視光線の透過性が高いといった利点が
ある。
に酸化スズを添加したＩＴＯ、酸化スズに酸化アンチモ
ンやフッ素をドープしたＴＡＯやＴＦＯ、あるいは酸化
亜鉛が利用されているが、これらの中でも酸化亜鉛はＩ
ＴＯと比較して安価であり、ＴＡＯやＴＦＯと比較して
透明性が高く、可視光線の透過性が高いといった利点が
ある。
【０００３】この酸化亜鉛からなる透明導電膜の成膜は
主にスパッタリングにて行われており、透明導電膜と同
種の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット
部材が使用されているが、酸化亜鉛のみからなる焼結体
では表面抵抗値が高いためにスパッタリング効率（スパ
ッタレート）が低いといった課題があった。
主にスパッタリングにて行われており、透明導電膜と同
種の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット
部材が使用されているが、酸化亜鉛のみからなる焼結体
では表面抵抗値が高いためにスパッタリング効率（スパ
ッタレート）が低いといった課題があった。
【０００４】その為、上記スパッタリングターゲット部
材として、酸化アルミニウムを０．５〜５重量％の範囲
で含有した酸化亜鉛焼結体を用いることが提案されてい
る（特開平７−２５８８３６号公報参照）。
材として、酸化アルミニウムを０．５〜５重量％の範囲
で含有した酸化亜鉛焼結体を用いることが提案されてい
る（特開平７−２５８８３６号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本件発
明者らの実験によれば、酸化亜鉛焼結体に含有させる酸
化アルミニウムの含有量を多くすれば、スパッタレート
を高めるのに重要な表面抵抗値を下げることができるも
のの、酸化アルミニウムを０．５重量％以上含有させた
ものでは透明導電膜の透明性が低下するといった課題が
あった。
明者らの実験によれば、酸化亜鉛焼結体に含有させる酸
化アルミニウムの含有量を多くすれば、スパッタレート
を高めるのに重要な表面抵抗値を下げることができるも
のの、酸化アルミニウムを０．５重量％以上含有させた
ものでは透明導電膜の透明性が低下するといった課題が
あった。
【０００６】即ち、酸化アルミニウムを０．２重量％以
上含有させると、透明導電膜における可視光線の透過
率、特に４００〜６００ｎｍの波長光における透過率が
酸化亜鉛のみからなる焼結体を用いた場合と比較して大
きく低下するため、例えば、このスパッタリングターゲ
ット部材を用いてアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電
膜を成膜しても有効な変換効率が得られなかった。
上含有させると、透明導電膜における可視光線の透過
率、特に４００〜６００ｎｍの波長光における透過率が
酸化亜鉛のみからなる焼結体を用いた場合と比較して大
きく低下するため、例えば、このスパッタリングターゲ
ット部材を用いてアモルファスＳｉ太陽電池の透明導電
膜を成膜しても有効な変換効率が得られなかった。
【０００７】しかも、酸化亜鉛より焼成温度の高い酸化
アルミニウムの含有量が多くなりすぎると、焼成時に酸
化アルミニウムが未焼成部として存在することになるた
め、焼成が難しいといった課題があった。
アルミニウムの含有量が多くなりすぎると、焼成時に酸
化アルミニウムが未焼成部として存在することになるた
め、焼成が難しいといった課題があった。
【０００８】その為、工業用として用いられている外寸
法が１００ｍｍ以上の円形や正方形をした大型で高密度
の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット部
材を得ることは難しいものであった。
法が１００ｍｍ以上の円形や正方形をした大型で高密度
の酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット部
材を得ることは難しいものであった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、透明導電膜における可視光線の透過率、特に
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を低下させること
なく、スパッタレートを高めることができるとともに、
大型のスパッタリングターゲット部材を容易に製作する
ことができる酸化アルミニウムを含有した酸化亜鉛焼結
体について、鋭意実験を繰り返したところ、酸化アルミ
ニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有させるこ
とにより上記課題を解消できることを突き止めた。
題に鑑み、透明導電膜における可視光線の透過率、特に
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を低下させること
なく、スパッタレートを高めることができるとともに、
大型のスパッタリングターゲット部材を容易に製作する
ことができる酸化アルミニウムを含有した酸化亜鉛焼結
体について、鋭意実験を繰り返したところ、酸化アルミ
ニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有させるこ
とにより上記課題を解消できることを突き止めた。
【００１０】即ち、本発明は、酸化アルミニウムを０．
０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗値が
０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によりスパッタリング
ターゲット部材を構成したものである。
０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗値が
０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によりスパッタリング
ターゲット部材を構成したものである。
【００１１】本発明のスパッタリングターゲット部材に
よれば、酸化亜鉛焼結体に含有する酸化アルミニウムの
含有量を０．０１〜０．１重量％としてあることから、
表面抵抗値を０．０５Ω以下とすることができるととも
に、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の可視光線の
透過率、特に４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を７
０％以上とすることができる。
よれば、酸化亜鉛焼結体に含有する酸化アルミニウムの
含有量を０．０１〜０．１重量％としてあることから、
表面抵抗値を０．０５Ω以下とすることができるととも
に、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の可視光線の
透過率、特に４００〜６００ｎｍの波長光の透過率を７
０％以上とすることができる。
【００１２】本件発明者らの実験によれば、酸化アルミ
ニウムの含有量が０．０１重量％未満であると、表面抵
抗値を下げる効果が殆ど得られないためにスパッタレー
トを高めることができず、０．１重量％より多くなる
と、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の４００〜６
００ｎｍの波長光における透過率が大幅に低下するとと
もに、焼成時に酸化アルミニウムが未焼成部として存在
し、焼結性が悪くなるために大型のスパッタリングター
ゲット部材を製作することが難しいからである。なお、
好ましい酸化アルミニウムの含有量としては０．０１〜
０．０５重量％の範囲が良い。
ニウムの含有量が０．０１重量％未満であると、表面抵
抗値を下げる効果が殆ど得られないためにスパッタレー
トを高めることができず、０．１重量％より多くなる
と、成膜した酸化亜鉛からなる透明導電膜の４００〜６
００ｎｍの波長光における透過率が大幅に低下するとと
もに、焼成時に酸化アルミニウムが未焼成部として存在
し、焼結性が悪くなるために大型のスパッタリングター
ゲット部材を製作することが難しいからである。なお、
好ましい酸化アルミニウムの含有量としては０．０１〜
０．０５重量％の範囲が良い。
【００１３】また、酸化亜鉛焼結体中には、原料中や製
造工程でＭｇＯ、ＣａＯ、ＮａＯ2等の不純物が混入す
るが、合計で０．１重量％以下の範囲であれば含んでい
ても構わない。
造工程でＭｇＯ、ＣａＯ、ＮａＯ2等の不純物が混入す
るが、合計で０．１重量％以下の範囲であれば含んでい
ても構わない。
【００１４】また、酸化亜鉛焼結体の密度は５．０ｇ／
ｃｍ3 以上であることが良い。これは密度が５．０ｇ／
ｃｍ3 未満となると、酸化亜鉛焼結体中に多数のボイド
が存在することになるため、成膜時にボイド中に存在し
ていた空気が反応容器内の真空度を低下させ、スパッタ
レートを低下させるからである。
ｃｍ3 以上であることが良い。これは密度が５．０ｇ／
ｃｍ3 未満となると、酸化亜鉛焼結体中に多数のボイド
が存在することになるため、成膜時にボイド中に存在し
ていた空気が反応容器内の真空度を低下させ、スパッタ
レートを低下させるからである。
【００１５】ところで、上記スパッタリングターゲット
部材を得るには、出発原料としてＢＥＴ比表面積が３．
０〜６．０ｍ2 ／ｇの酸化亜鉛粉末に、平均粒子径が３
μｍ以下の酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量％
の範囲で添加し、さらに溶媒とバインダーを添加混合し
て泥漿を製作し、スプレードライヤにより２００〜３０
０℃で噴霧乾燥させて造粒体を製作する。
部材を得るには、出発原料としてＢＥＴ比表面積が３．
０〜６．０ｍ2 ／ｇの酸化亜鉛粉末に、平均粒子径が３
μｍ以下の酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量％
の範囲で添加し、さらに溶媒とバインダーを添加混合し
て泥漿を製作し、スプレードライヤにより２００〜３０
０℃で噴霧乾燥させて造粒体を製作する。
【００１６】ここで、酸化亜鉛粉末のＢＥＴ比表面積を
３．０〜６．０ｍ2 ／ｇとするのは、ＢＥＴ比表面積が
３ｍ2 ／ｇ未満であると、酸化亜鉛焼結体の密度が５．
０ｇ／ｃｍ3 より小さくなるからであり、６．０ｍ2 ／
ｇを越えると焼成中において酸化亜鉛焼結体の内部に生
じる歪みが大きくなり、焼成後に歪みが解放されるとク
ラックを生じるからである。また、酸化アルミニウムの
平均粒子径が３μｍより大きくなると、均一に分散せず
に局部的に凝集して表面抵抗値のばらつきを生じるから
である。
３．０〜６．０ｍ2 ／ｇとするのは、ＢＥＴ比表面積が
３ｍ2 ／ｇ未満であると、酸化亜鉛焼結体の密度が５．
０ｇ／ｃｍ3 より小さくなるからであり、６．０ｍ2 ／
ｇを越えると焼成中において酸化亜鉛焼結体の内部に生
じる歪みが大きくなり、焼成後に歪みが解放されるとク
ラックを生じるからである。また、酸化アルミニウムの
平均粒子径が３μｍより大きくなると、均一に分散せず
に局部的に凝集して表面抵抗値のばらつきを生じるから
である。
【００１７】なお、原料の混合にあたっては特に限定し
ないが、ジルコニア製のメディアを用いたボールミルや
ビーズミルを用いることが好ましい。
ないが、ジルコニア製のメディアを用いたボールミルや
ビーズミルを用いることが好ましい。
【００１８】次に、得られた造粒体は所望の形状や寸法
等に合わせて、一軸加圧成形法や等加圧成形法、あるい
は冷間静水圧プレスなど通常使用されるセラミックス成
形法を用いて成形する。この時、焼結後の密度を５．０
ｇ／ｃｍ3 以上とするために、成形圧は最低でも０．８
ｔｏｎ／ｃｍ2 以上、好ましくは１．０ｔｏｎ／ｃｍ2
以上とすることが良い。
等に合わせて、一軸加圧成形法や等加圧成形法、あるい
は冷間静水圧プレスなど通常使用されるセラミックス成
形法を用いて成形する。この時、焼結後の密度を５．０
ｇ／ｃｍ3 以上とするために、成形圧は最低でも０．８
ｔｏｎ／ｃｍ2 以上、好ましくは１．０ｔｏｎ／ｃｍ2
以上とすることが良い。
【００１９】そして、得られた成形体を大気中など酸化
雰囲気下で焼成することにより、酸化アルミニウムを
０．０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗
値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体を得ることができ
る。
雰囲気下で焼成することにより、酸化アルミニウムを
０．０１〜０．１重量％の範囲で含有してなる表面抵抗
値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体を得ることができ
る。
【００２０】ただし、焼成温度が１３００℃未満である
と、酸化亜鉛を焼結させることができず、１５００℃を
越えると酸化亜鉛が粒成長して緻密化することができな
いために酸化亜鉛焼結体の密度をいずれも５．０ｇ／ｃ
ｍ3 以上とすることができない。その為、焼成温度は１
３００〜１５００℃の範囲が良く、この温度範囲にて１
〜５時間程度焼成すれば良い。
と、酸化亜鉛を焼結させることができず、１５００℃を
越えると酸化亜鉛が粒成長して緻密化することができな
いために酸化亜鉛焼結体の密度をいずれも５．０ｇ／ｃ
ｍ3 以上とすることができない。その為、焼成温度は１
３００〜１５００℃の範囲が良く、この温度範囲にて１
〜５時間程度焼成すれば良い。
【００２１】また、酸化亜鉛焼結体は酸化アルミニウム
との反応性が高いことから、焼成にあたっては、酸化亜
鉛焼結体と反応し難いＭｇＯスピネルやマグネシアある
いはジルコニアからなる焼成治具を用いることが望まし
い。
との反応性が高いことから、焼成にあたっては、酸化亜
鉛焼結体と反応し難いＭｇＯスピネルやマグネシアある
いはジルコニアからなる焼成治具を用いることが望まし
い。
【００２２】しかるのち、得られた酸化亜鉛焼結体に研
削加工や研磨加工を施すことにより本発明のスパッタリ
ングターゲット部材を得ることができる。
削加工や研磨加工を施すことにより本発明のスパッタリ
ングターゲット部材を得ることができる。
【００２３】かくして、本発明のスパッタリングターゲ
ット部材を用いれば、スパッタレートを大幅に高めるこ
とができ、透明導電膜の生産性を向上させることができ
るとともに、成膜された透明導電膜は透明性が高く、４
００ｎｍ〜６００ｎｍの波長光における光の吸収が少な
いために可視光線の透過性に優れ、極めて良質な透明導
電膜を得ることができる。
ット部材を用いれば、スパッタレートを大幅に高めるこ
とができ、透明導電膜の生産性を向上させることができ
るとともに、成膜された透明導電膜は透明性が高く、４
００ｎｍ〜６００ｎｍの波長光における光の吸収が少な
いために可視光線の透過性に優れ、極めて良質な透明導
電膜を得ることができる。
【００２４】その為、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができる。
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができる。
【００２５】しかも、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００２７】出発原料としてＢＥＴ比表面積が４ｍ2 ／
ｇの酸化亜鉛粉末に対して平均粒子径が０．８μｍの酸
化アルミニウムを０．０２５重量％添加し、さらに水と
有機系のバインダーを添加混合して泥漿を製作し、スプ
レードライヤにより２００℃にて噴霧乾燥することによ
り造粒体を作製した。そして、この造粒体を金型中に充
填したあと１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 の成形圧にてプレス成
形することにより焼成後の寸法が２６０ｍｍ×２６０ｍ
ｍ×８ｍｍとなるような板状の成形体を成形し、この成
形体を脱脂したあと１３５０〜１４５０℃の温度にて３
時間保持して酸化亜鉛焼結体を焼成した。
ｇの酸化亜鉛粉末に対して平均粒子径が０．８μｍの酸
化アルミニウムを０．０２５重量％添加し、さらに水と
有機系のバインダーを添加混合して泥漿を製作し、スプ
レードライヤにより２００℃にて噴霧乾燥することによ
り造粒体を作製した。そして、この造粒体を金型中に充
填したあと１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 の成形圧にてプレス成
形することにより焼成後の寸法が２６０ｍｍ×２６０ｍ
ｍ×８ｍｍとなるような板状の成形体を成形し、この成
形体を脱脂したあと１３５０〜１４５０℃の温度にて３
時間保持して酸化亜鉛焼結体を焼成した。
【００２８】次に、得られた酸化亜鉛焼結体に研削加工
を施して２５４ｍｍ角で厚みが７ｍｍの板状体に形成し
てスパッタリングターゲット部材を製作した。
を施して２５４ｍｍ角で厚みが７ｍｍの板状体に形成し
てスパッタリングターゲット部材を製作した。
【００２９】そして、このスパッタリングターゲット部
材の組成についてＸ線回折により測定したところ、酸化
アルミニウムが０．０２５重量％、不純物としてマグネ
シアが０．０１重量％、カルシアが０．０３重量％、酸
化ナトリウムが０．００５重量％含まれており、残部が
酸化亜鉛であった。
材の組成についてＸ線回折により測定したところ、酸化
アルミニウムが０．０２５重量％、不純物としてマグネ
シアが０．０１重量％、カルシアが０．０３重量％、酸
化ナトリウムが０．００５重量％含まれており、残部が
酸化亜鉛であった。
【００３０】また、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に基づいて４
端子法により表面抵抗値を測定したところ、０．０２Ω
であり、アルキメデス法により密度を測定したところ
５．２ｇ／ｃｍ3 であった。
端子法により表面抵抗値を測定したところ、０．０２Ω
であり、アルキメデス法により密度を測定したところ
５．２ｇ／ｃｍ3 であった。
【００３１】さらに、このスパッタリングターゲット部
材を用いて、真空度４．２×１０-1Ｐａ、スパッタ電力
３００Ｗ、スパッタ時間１０分、雰囲気ガスにＡｒガス
を用いてスパッタリングを施して酸化亜鉛の透明導電膜
（厚み１２０Å）をガラス基板に被覆し、この透明導電
膜の可視光線の透過率を積分球反射付属装置を用いて測
定したところ、４００〜６００ｎｍの波長光に対して８
０％の透過率を有していた。その為、このスパッタリン
グターゲット部材を用いれば、アモルファスＳｉ太陽電
池の透明導電膜用として好適であることが確認できた。
材を用いて、真空度４．２×１０-1Ｐａ、スパッタ電力
３００Ｗ、スパッタ時間１０分、雰囲気ガスにＡｒガス
を用いてスパッタリングを施して酸化亜鉛の透明導電膜
（厚み１２０Å）をガラス基板に被覆し、この透明導電
膜の可視光線の透過率を積分球反射付属装置を用いて測
定したところ、４００〜６００ｎｍの波長光に対して８
０％の透過率を有していた。その為、このスパッタリン
グターゲット部材を用いれば、アモルファスＳｉ太陽電
池の透明導電膜用として好適であることが確認できた。
【００３２】（実施例１）そこで、酸化アルミニウムの
含有量を異ならせ、酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリ
ングターゲット部材の特性（表面抵抗値、可視光線の透
過率）について調べる実験を行った。
含有量を異ならせ、酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリ
ングターゲット部材の特性（表面抵抗値、可視光線の透
過率）について調べる実験を行った。
【００３３】なお、実験にあたっては添加する酸化アル
ミニウムの添加量を異ならせる以外は実施形態と同様の
条件にて行った。
ミニウムの添加量を異ならせる以外は実施形態と同様の
条件にて行った。
【００３４】酸化アルミニウムの含有量、酸化亜鉛焼結
体の密度、可視光線の透過率については表１に、酸化亜
鉛焼結体の表面抵抗値については図１にそれぞれ示す通
りである。
体の密度、可視光線の透過率については表１に、酸化亜
鉛焼結体の表面抵抗値については図１にそれぞれ示す通
りである。
【００３５】
【表１】
【００３６】この結果、まず、図１より酸化アルミニウ
ムの含有量を０．０１重量％以上とすれば表面抵抗値を
０．０５Ωにまで大幅に小さくすることができ、スパッ
タレートを高められることが判る。一方、表１より酸化
アルミニウムの含有量が０．１重量％より多くなると、
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率が大幅に低下する
ことが判る。
ムの含有量を０．０１重量％以上とすれば表面抵抗値を
０．０５Ωにまで大幅に小さくすることができ、スパッ
タレートを高められることが判る。一方、表１より酸化
アルミニウムの含有量が０．１重量％より多くなると、
４００〜６００ｎｍの波長光の透過率が大幅に低下する
ことが判る。
【００３７】従って、酸化亜鉛焼結体中に含有させる酸
化アルミニウムの含有量は０．０１〜０．１重量％の範
囲が良いことが判る。
化アルミニウムの含有量は０．０１〜０．１重量％の範
囲が良いことが判る。
【００３８】（実施例２）次に、酸化アルミニウムの含
有量を０．０５重量％、０．１０重量％、０．２０重量
％とし、焼成可能な焼結体の大きさについて調べる実験
を行った。
有量を０．０５重量％、０．１０重量％、０．２０重量
％とし、焼成可能な焼結体の大きさについて調べる実験
を行った。
【００３９】それぞれの結果は表２に示す通りである。
【００４０】
【表２】
【００４１】この結果、酸化アルミニウムの含有量が
０．１０重量％以下であれば、工業用のスパッタリング
ターゲット部材として要求されている１００ｍｍ角以上
の大きさの焼結体を得ることができた。
０．１０重量％以下であれば、工業用のスパッタリング
ターゲット部材として要求されている１００ｍｍ角以上
の大きさの焼結体を得ることができた。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、酸化ア
ルミニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有して
なる表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によ
りスパッタリングターゲット部材を形成したことから、
スパッタレートを大幅に高めることができ、透明導電膜
の生産性を向上させることができる。また、成膜された
透明導電膜は透明性が高く、４００ｎｍ〜６００ｎｍの
波長光における光の吸収が少ないために可視光線の透過
性に優れ、極めて良質な透明導電膜を得ることができ
る。
ルミニウムを０．０１〜０．１重量％の範囲で含有して
なる表面抵抗値が０．０５Ω以下の酸化亜鉛焼結体によ
りスパッタリングターゲット部材を形成したことから、
スパッタレートを大幅に高めることができ、透明導電膜
の生産性を向上させることができる。また、成膜された
透明導電膜は透明性が高く、４００ｎｍ〜６００ｎｍの
波長光における光の吸収が少ないために可視光線の透過
性に優れ、極めて良質な透明導電膜を得ることができ
る。
【００４３】その為、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができ、太陽
電池の透明導電膜用として好適に使用できる。
ト部材を用いて、リコンＳｉ太陽電池の透明導電膜を形
成すれば、優れた変換効率を実現することができ、太陽
電池の透明導電膜用として好適に使用できる。
【００４４】しかも、本発明のスパッタリングターゲッ
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。
ト部材は、緻密化に悪影響を与える酸化アルミニウム量
が少ないことから大型のものでも容易に製作することが
できる。
【図１】酸化亜鉛焼結体中の酸化アルミニウム量と表面
抵抗値との関係を示すグラフである。
抵抗値との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】酸化アルミニウムを０．０１〜０．１重量
％の範囲で含有してなる表面抵抗値が０．０５Ω以下の
酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲット部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086298A JPH11279754A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | スパッタリングターゲット部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10086298A JPH11279754A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | スパッタリングターゲット部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279754A true JPH11279754A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13882938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10086298A Withdrawn JPH11279754A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | スパッタリングターゲット部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11279754A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018402A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Zinc oxide sinter, process for producing the same, and sputtering target |
| JP2010121183A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sony Corp | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに酸化亜鉛系透明導電膜およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP2012020911A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛焼結体、その製造方法、スパッタリングターゲット及び透明性膜の製造方法 |
| WO2014155859A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JPWO2014155883A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-16 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10086298A patent/JPH11279754A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018402A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Zinc oxide sinter, process for producing the same, and sputtering target |
| JP2010121183A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sony Corp | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに酸化亜鉛系透明導電膜およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP2012020911A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛焼結体、その製造方法、スパッタリングターゲット及び透明性膜の製造方法 |
| WO2014155859A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP6054516B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-12-27 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JPWO2014155883A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-16 | 日本碍子株式会社 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| US9919931B2 (en) | 2013-03-25 | 2018-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Zinc oxide sputtering target |
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