JPH11280648A - 回転圧縮機 - Google Patents
回転圧縮機Info
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- JPH11280648A JPH11280648A JP8395998A JP8395998A JPH11280648A JP H11280648 A JPH11280648 A JP H11280648A JP 8395998 A JP8395998 A JP 8395998A JP 8395998 A JP8395998 A JP 8395998A JP H11280648 A JPH11280648 A JP H11280648A
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Landscapes
- Compressor (AREA)
- Applications Or Details Of Rotary Compressors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最表面に母材材料と窒素とが結合した窒化
物(Fe系材料の場合、Fe2N)が生成されている場合、この
母材上に硬質炭素系被膜を形成するに際して、母材と硬
質炭素被膜との間の密着性が低下する。 【解決手段】 本発明の回転圧縮機は、窒化処理した
母材上に硬質炭素系被膜を形成する際に、予め母材上に
形成する被膜の構成原子、或いは構成分子のイオンを照
射し、該イオンの運動エネルギーを利用して、前記窒化
処理の際に形成された前記母材の最表面層をスパッタリ
ングすると共に、前記被膜の構成原子、或いは構成分子
と母材の構成原子との結合を有する混合層を形成し、該
混合層上に硬質炭素系被膜を形成したことを特徴とす
る。
物(Fe系材料の場合、Fe2N)が生成されている場合、この
母材上に硬質炭素系被膜を形成するに際して、母材と硬
質炭素被膜との間の密着性が低下する。 【解決手段】 本発明の回転圧縮機は、窒化処理した
母材上に硬質炭素系被膜を形成する際に、予め母材上に
形成する被膜の構成原子、或いは構成分子のイオンを照
射し、該イオンの運動エネルギーを利用して、前記窒化
処理の際に形成された前記母材の最表面層をスパッタリ
ングすると共に、前記被膜の構成原子、或いは構成分子
と母材の構成原子との結合を有する混合層を形成し、該
混合層上に硬質炭素系被膜を形成したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬質炭素系被膜を
形成した回転圧縮機に関し、特に圧縮機用部品、電気シ
ェーバー等の刃物、スクリーン印刷用マスク、スクリー
ン印刷用スキージ、オフィスオートメーション（ＯＡ）
機器部品、その他摺動部品、或いは太陽電池、磁気ヘッ
ド、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体等の機能
性被膜に関するものである。
形成した回転圧縮機に関し、特に圧縮機用部品、電気シ
ェーバー等の刃物、スクリーン印刷用マスク、スクリー
ン印刷用スキージ、オフィスオートメーション（ＯＡ）
機器部品、その他摺動部品、或いは太陽電池、磁気ヘッ
ド、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体等の機能
性被膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばFe系母材等の鋼表面に窒素
を浸透させることによって表面を硬化する、いわゆる窒
化処理を施すことがある。その窒化処理の具体的な手法
が「若い技術者のための機械・金属材料、矢島他著、丸
善株式会社」の152頁に記載されている。その手法と
は、ガス窒化をする部品を清浄し、油気を除き、これを
密閉できる窒化箱に納めて、アンモニアガスを通じなが
ら５００℃乃至５５０℃に５０乃至１００時間加熱する
と、０．１mm乃至０．３mm程度の硬化層ができる。
を浸透させることによって表面を硬化する、いわゆる窒
化処理を施すことがある。その窒化処理の具体的な手法
が「若い技術者のための機械・金属材料、矢島他著、丸
善株式会社」の152頁に記載されている。その手法と
は、ガス窒化をする部品を清浄し、油気を除き、これを
密閉できる窒化箱に納めて、アンモニアガスを通じなが
ら５００℃乃至５５０℃に５０乃至１００時間加熱する
と、０．１mm乃至０．３mm程度の硬化層ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この手法にお
いて、母材の最表面にその母材の材料と窒素とが結合し
た窒化物(Fe系材料の場合、Fe2N)が生成され、この母材
上に硬質炭素系被膜を形成する場合に、母材と硬質炭素
系被膜との間の密着性が低下することがある。従って、
本発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、窒
化処理された母材に対して優れた密着性を有する硬質炭
素系被膜を回転圧縮機の主に摺動部品に形成することに
ある。
いて、母材の最表面にその母材の材料と窒素とが結合し
た窒化物(Fe系材料の場合、Fe2N)が生成され、この母材
上に硬質炭素系被膜を形成する場合に、母材と硬質炭素
系被膜との間の密着性が低下することがある。従って、
本発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、窒
化処理された母材に対して優れた密着性を有する硬質炭
素系被膜を回転圧縮機の主に摺動部品に形成することに
ある。
【０００４】更に、プラズマ中のイオンやラジカルを利
用して母材の表面を窒化するイオン窒化、ラジカル窒化
等の方法もある。
用して母材の表面を窒化するイオン窒化、ラジカル窒化
等の方法もある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の回転圧縮機は、
窒化処理した母材上に硬質炭素系被膜を形成する際に、
予め母材上に形成する被膜の構成原子、或いは構成分子
のイオンを照射し、該イオンの運動エネルギーを利用し
て、前記窒化処理の際に形成された前記母材の最表面層
をスパッタリングすると共に、前記被膜の構成原子、或
いは構成分子と母材の構成原子との結合を有する混合層
を形成し、該混合層上に硬質炭素系被膜を形成したこと
を特徴とする。
窒化処理した母材上に硬質炭素系被膜を形成する際に、
予め母材上に形成する被膜の構成原子、或いは構成分子
のイオンを照射し、該イオンの運動エネルギーを利用し
て、前記窒化処理の際に形成された前記母材の最表面層
をスパッタリングすると共に、前記被膜の構成原子、或
いは構成分子と母材の構成原子との結合を有する混合層
を形成し、該混合層上に硬質炭素系被膜を形成したこと
を特徴とする。
【０００６】また、前記母材は、Fe系、Al系、Cu系の溶
製材、或いはこれらをベースにした焼結、複合材を特徴
とする。
製材、或いはこれらをベースにした焼結、複合材を特徴
とする。
【０００７】また、前記イオンの種類がC、Si、Ti、Z
r、Ge、Ru、Mo、Wであることを特徴とする。
r、Ge、Ru、Mo、Wであることを特徴とする。
【０００８】更に、本発明の回転圧縮機は、回転するク
ランク軸の偏心部に取り付けられた、外周面を有するロ
ーラと、前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接
して摺動する摺動面を内面に有するシリンダと、前記シ
リンダの内面に形成された溝内に収納され、先端部が前
記ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、前
記ベーンの少なくとも先端部又は側面部に前記硬質炭素
系被膜を用いたことを特徴とする。
ランク軸の偏心部に取り付けられた、外周面を有するロ
ーラと、前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接
して摺動する摺動面を内面に有するシリンダと、前記シ
リンダの内面に形成された溝内に収納され、先端部が前
記ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、前
記ベーンの少なくとも先端部又は側面部に前記硬質炭素
系被膜を用いたことを特徴とする。
【０００９】回転するクランク軸の偏心部に取り付けら
れた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納し、
前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面に有
するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された溝内
に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して摺動
するベーンとを備え、前記ローラの外周面に前記硬質炭
素系被膜を用いたことを特徴とする。
れた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納し、
前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面に有
するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された溝内
に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して摺動
するベーンとを備え、前記ローラの外周面に前記硬質炭
素系被膜を用いたことを特徴とする。
【００１０】回転するクランク軸の偏心部に取り付けら
れた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納し、
前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面に有
するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された溝内
に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して摺動
するベーンとを備え、前記シリンダの溝の内面に前記硬
質炭素系被膜を用いたことを特徴とする。
れた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納し、
前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面に有
するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された溝内
に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して摺動
するベーンとを備え、前記シリンダの溝の内面に前記硬
質炭素系被膜を用いたことを特徴とする。
【００１１】前記硬質炭素系被膜と、前記ベーン、前記
ローラの外周面、又は前記シリンダの溝の内面との間に
中間層が形成されていることを特徴とする。
ローラの外周面、又は前記シリンダの溝の内面との間に
中間層が形成されていることを特徴とする。
【００１２】前記中間層が、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、Mo、
W又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこれ
らの炭化物から形成されていることを特徴とする。
W又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこれ
らの炭化物から形成されていることを特徴とする。
【００１３】前記硬質炭素系被膜が、Si、N、Ta、Cr、
F、及びBからなるグループより選ばれる少なくとも１種
の添加元素を含有していることを特徴とする。
F、及びBからなるグループより選ばれる少なくとも１種
の添加元素を含有していることを特徴とする。
【００１４】前記硬質炭素系被膜は、該硬質炭素系被膜
の表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れた部分
よりも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有している
ことを特徴とする。
の表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れた部分
よりも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有している
ことを特徴とする。
【００１５】前記回転圧縮機において、冷凍油として、
ポリオールエステル、又はポリビニールエーテルを用い
ることを特徴とする。
ポリオールエステル、又はポリビニールエーテルを用い
ることを特徴とする。
【００１６】前記硬質炭素系被膜は、ダイヤモンド被
膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、又
は非晶質炭素被膜から構成されている。
膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、又
は非晶質炭素被膜から構成されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明における硬質炭素
系被膜形成のための装置の一例を示す概略断面図であ
る。
系被膜形成のための装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【００１８】図１を参照して、真空チャンバ８には、プ
ラズマ発生室４が設けられている。プラズマ発生室４に
は、導波管２の一端が取り付けられており、導波管２の
他端には、マイクロ波供給手段１が設けられている。マ
イクロ波供給手段１で発生したマイクロ波は、導波管２
及びマイクロ波導入窓３を通って、プラズマ発生室４に
導かれる。プラズマ発生室４には、プラズマ発生室４内
にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスとメタン（C
H4）、水素（H2）などの原料ガスを導入させるためのガ
ス導入管５が設けられている。
ラズマ発生室４が設けられている。プラズマ発生室４に
は、導波管２の一端が取り付けられており、導波管２の
他端には、マイクロ波供給手段１が設けられている。マ
イクロ波供給手段１で発生したマイクロ波は、導波管２
及びマイクロ波導入窓３を通って、プラズマ発生室４に
導かれる。プラズマ発生室４には、プラズマ発生室４内
にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスとメタン（C
H4）、水素（H2）などの原料ガスを導入させるためのガ
ス導入管５が設けられている。
【００１９】また、プラズマ発生室４の周囲には、プラ
ズマ磁界発生装置６が設けられている。マイクロ波によ
る高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を
作用させることにより、プラズマ発生室４内に高密度の
ECRプラズマが形成される。真空チャンバ８内には基板
ホルダ７が設けられている。本実施の形態では、サンプ
ル10としてFe系材料に窒化処理を施した回転圧縮機のベ
ーンを用いた。
ズマ磁界発生装置６が設けられている。マイクロ波によ
る高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を
作用させることにより、プラズマ発生室４内に高密度の
ECRプラズマが形成される。真空チャンバ８内には基板
ホルダ７が設けられている。本実施の形態では、サンプ
ル10としてFe系材料に窒化処理を施した回転圧縮機のベ
ーンを用いた。
【００２０】また、プラズマ発生室４で分解された炭素
系イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャン
バ８内に引き出される。この時、グリッド９に印加され
る電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーは制御
される。
系イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャン
バ８内に引き出される。この時、グリッド９に印加され
る電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーは制御
される。
【００２１】また、中間層の形成が必要な場合はマグネ
トロンRFスパッタ法などにより可能となる。ターゲット
をアルゴンプラズマ中のイオンでスパッタし、膜形成を
行うものであり、ターゲットとして、Si、Ti、Zr、W、M
o、Ru、Ge等を用いる。
トロンRFスパッタ法などにより可能となる。ターゲット
をアルゴンプラズマ中のイオンでスパッタし、膜形成を
行うものであり、ターゲットとして、Si、Ti、Zr、W、M
o、Ru、Ge等を用いる。
【００２２】また、スパッタと同時にチャンバー内に酸
素、或いは窒素ガスを導入するとSi、Ti、Zr、W、Mo、R
u、Geの単体、或いはこれらの酸化物、窒化物の形成が
可能となる。
素、或いは窒素ガスを導入するとSi、Ti、Zr、W、Mo、R
u、Geの単体、或いはこれらの酸化物、窒化物の形成が
可能となる。
【００２３】ここで、本発明の硬質炭素系被膜が形成さ
れる回転圧縮機の概略断面を図２に示す。
れる回転圧縮機の概略断面を図２に示す。
【００２４】同図において、１２は密閉容器、２０は図
示しない電動機によって駆動されるクランク軸、３０は
クランク軸２０の偏心部に取り付けられたローラであ
り、このローラ３０はモニクロ鋳鉄から構成されてい
る。
示しない電動機によって駆動されるクランク軸、３０は
クランク軸２０の偏心部に取り付けられたローラであ
り、このローラ３０はモニクロ鋳鉄から構成されてい
る。
【００２５】４０はローラ３０を収納した円筒状シリン
ダであり、このシリンダ４０は鋳鉄から構成されてい
る。５０はベーン６０が往復運動するために設けられた
シリンダ溝、６０は円筒状シリンダ４０内の空間を高圧
部と低圧部に仕切るためのベーンであり、このベーン６
０は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から構成されている。
ダであり、このシリンダ４０は鋳鉄から構成されてい
る。５０はベーン６０が往復運動するために設けられた
シリンダ溝、６０は円筒状シリンダ４０内の空間を高圧
部と低圧部に仕切るためのベーンであり、このベーン６
０は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から構成されている。
【００２６】７０はベーン６０をローラ３０側に付勢す
るためのバネである。８０は円筒状シリンダ４０内へ冷
媒を供給する吸入管、９０は円筒状シリンダ内部で圧縮
された圧力、及び温度が上昇した冷媒を圧縮機外部に吐
出させる吐出管である。尚、本発明の回転圧縮機の冷凍
油としては、ポリオールエステル、又はポリビニールエ
ーテルが用いられることが好ましい。
るためのバネである。８０は円筒状シリンダ４０内へ冷
媒を供給する吸入管、９０は円筒状シリンダ内部で圧縮
された圧力、及び温度が上昇した冷媒を圧縮機外部に吐
出させる吐出管である。尚、本発明の回転圧縮機の冷凍
油としては、ポリオールエステル、又はポリビニールエ
ーテルが用いられることが好ましい。
【００２７】前述のように構成された回転圧縮機の動作
説明を次に行う。
説明を次に行う。
【００２８】電動機によってクランク軸２０が駆動さ
れ、クランク軸２０偏心部に取り付けられたローラ３０
は、円筒状シリンダ４０内を円周に沿って回転する。ベ
ーン６０は高圧ガス、及びバネ７０を付勢を受けている
ため、このローラ３０の回転に伴ってベーン６０は、ロ
ーラ３０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０
内を往復運動する。
れ、クランク軸２０偏心部に取り付けられたローラ３０
は、円筒状シリンダ４０内を円周に沿って回転する。ベ
ーン６０は高圧ガス、及びバネ７０を付勢を受けている
ため、このローラ３０の回転に伴ってベーン６０は、ロ
ーラ３０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０
内を往復運動する。
【００２９】この運動を連続的に繰り返すことによっ
て、円筒状シリンダ４０内へ吸入管８０を介して吸い込
まれた冷媒が、円筒状シリンダ４０内部で圧縮され、圧
力、及び温度が上昇した後、吐出管９０を介して回転圧
縮機外部に吐出される。
て、円筒状シリンダ４０内へ吸入管８０を介して吸い込
まれた冷媒が、円筒状シリンダ４０内部で圧縮され、圧
力、及び温度が上昇した後、吐出管９０を介して回転圧
縮機外部に吐出される。
【００３０】以下、硬質炭素系被膜を形成する実施の形
態について説明する。 （実施例1）まず、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torr
に排気する。プラズマ発生室４内にSiH4ガス2.0×10-4T
orr導入し、この母材に対して、シリコンイオンを加速
電圧1kVで母材に注入した。この時、最表面をESCA分析
した結果、SiとN、及びFeとSiの結合が観察され、この
結合状態の概念図を図３（ａ）に示す。同図に示すよう
に、基体（母材）中に形成された窒素拡散層中の最表面
にFe2N、SiN、及びFeSiの混合層が形成されている。
態について説明する。 （実施例1）まず、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torr
に排気する。プラズマ発生室４内にSiH4ガス2.0×10-4T
orr導入し、この母材に対して、シリコンイオンを加速
電圧1kVで母材に注入した。この時、最表面をESCA分析
した結果、SiとN、及びFeとSiの結合が観察され、この
結合状態の概念図を図３（ａ）に示す。同図に示すよう
に、基体（母材）中に形成された窒素拡散層中の最表面
にFe2N、SiN、及びFeSiの混合層が形成されている。
【００３１】次に、真空チャンバ８内にArガスを5.7×1
0-4Torr供給して、ターゲット１１と基板ホルダー７と
の間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによ
り、Siターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。
0-4Torr供給して、ターゲット１１と基板ホルダー７と
の間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによ
り、Siターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。
【００３２】更に、マグネトロンスパッタ法によるSi中
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
スを2.5×10-4Torr、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給し
て、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを発生さ
せる。最後に、グリッド９に印加する電圧を400Vとして
硬質炭素系被膜を形成した。
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
スを2.5×10-4Torr、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給し
て、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを発生さ
せる。最後に、グリッド９に印加する電圧を400Vとして
硬質炭素系被膜を形成した。
【００３３】このようにして作製した被膜の密着性の評
価をビッカース圧子による押し込み試験（荷重：1kg）
により行った。比較例としてシリコンイオンを注入せず
に作製した膜の結果もあわせて表1に示す。（試験サン
プル個数：50個）
価をビッカース圧子による押し込み試験（荷重：1kg）
により行った。比較例としてシリコンイオンを注入せず
に作製した膜の結果もあわせて表1に示す。（試験サン
プル個数：50個）
【００３４】
【表1】
【００３５】表1に示すように、本発明の膜は明らかに
密着性においても、優れていることが分かる。 （実施例2）まず、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torr
に排気する。プラズマ発生室４内にCH4ガス2.0×10-4To
rr導入し、この母材に対して、炭素イオンを加速電圧1k
Vで母材に注入した。この時、最表面をESCA分析した結
果、CとN、及びFeとCの結合が観察され、この結合状態
の概念図を図３（ｂ）に示す。同図に示すように、基体
（母材）中に形成された窒素拡散層中の最表面にFe2N、
CN、及びFeCの混合層が形成されている。
密着性においても、優れていることが分かる。 （実施例2）まず、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torr
に排気する。プラズマ発生室４内にCH4ガス2.0×10-4To
rr導入し、この母材に対して、炭素イオンを加速電圧1k
Vで母材に注入した。この時、最表面をESCA分析した結
果、CとN、及びFeとCの結合が観察され、この結合状態
の概念図を図３（ｂ）に示す。同図に示すように、基体
（母材）中に形成された窒素拡散層中の最表面にFe2N、
CN、及びFeCの混合層が形成されている。
【００３６】次に、真空チャンバ８内にArガスを5.7×1
0-4Torr供給して、ターゲット１１と基板ホルダー７と
の間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによ
り、Siターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。
0-4Torr供給して、ターゲット１１と基板ホルダー７と
の間にArプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによ
り、Siターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。
【００３７】次に、マグネトロンスパッタ法によるSi中
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
スを2.5×10-4Torr、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給し
て、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを発生さ
せる。最後に、グリッド９に印加する電圧を400Vとして
硬質炭素系被膜を形成した。
間層形成プロセスを止めて、プラズマ発生室４内にArガ
スを2.5×10-4Torr、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給し
て、プラズマ発生室４にAr及びCH4のプラズマを発生さ
せる。最後に、グリッド９に印加する電圧を400Vとして
硬質炭素系被膜を形成した。
【００３８】このようにして作製した被膜の密着性の評
価をビッカース圧子による押し込み試験（荷重：1kg）
により行った。比較例として炭素イオンを注入せずに作
製した膜の結果もあわせて表2に示す。（試験サンプル
個数：50個）
価をビッカース圧子による押し込み試験（荷重：1kg）
により行った。比較例として炭素イオンを注入せずに作
製した膜の結果もあわせて表2に示す。（試験サンプル
個数：50個）
【００３９】
【表２】
【００４０】表2に示すように、本発明の膜は明らかに
密着性においても、優れていることが分かる。
密着性においても、優れていることが分かる。
【００４１】前述したように、Ｆｅ系からなる母材を窒
化処理した場合、一般的に母材の最表面にはFe2Ｎ等が
形成されている。このため、母材に硬質炭素系被膜を形
成する前に予めそのFe2Ｎ層の一部をCN、或いはSiNに変
化させることによって、CN、或いはSiNが、母材と硬質
炭素系被膜との間の結合力を高めて密着性向上に寄与す
る。
化処理した場合、一般的に母材の最表面にはFe2Ｎ等が
形成されている。このため、母材に硬質炭素系被膜を形
成する前に予めそのFe2Ｎ層の一部をCN、或いはSiNに変
化させることによって、CN、或いはSiNが、母材と硬質
炭素系被膜との間の結合力を高めて密着性向上に寄与す
る。
【００４２】尚、前述の実施の形態では、回転圧縮機の
ベーン６０に硬質炭素系被膜を形成したが、これには限
られず、回転圧縮機の部品（部材）であるローラ３０の
表面、或いはシリンダの溝５０の内面に硬質炭素系被膜
を形成しても、ベーンと同様な効果が得られることを実
験により確認した。
ベーン６０に硬質炭素系被膜を形成したが、これには限
られず、回転圧縮機の部品（部材）であるローラ３０の
表面、或いはシリンダの溝５０の内面に硬質炭素系被膜
を形成しても、ベーンと同様な効果が得られることを実
験により確認した。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、窒化処理された母材上に硬質炭素系被膜を形
成する場合、予めシリコンイオン、或いは炭素イオンを
母材に向かって照射し、窒化処理の際に形成された母材
の最表面層をスパッタリングすると共に、シリコン、或
いは炭素と窒素との結合を有する混合層を形成すること
によって、母材上に密着性良く硬質炭素系被膜を形成す
ることができる効果を奏する。
によれば、窒化処理された母材上に硬質炭素系被膜を形
成する場合、予めシリコンイオン、或いは炭素イオンを
母材に向かって照射し、窒化処理の際に形成された母材
の最表面層をスパッタリングすると共に、シリコン、或
いは炭素と窒素との結合を有する混合層を形成すること
によって、母材上に密着性良く硬質炭素系被膜を形成す
ることができる効果を奏する。
【図１】本発明における硬質炭素系被膜形成のための装
置の一例を示す概略断面図である。
置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の硬質炭素系被膜が形成される回転圧縮
機の概略断面図である。
機の概略断面図である。
【図３】窒化処理された母材の表面における結合状態の
概念図である。
概念図である。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基体ホルダ ８…真空チャンバ ９…グリッド １０…基体 １１…ターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堂本 洋一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 窒化処理した母材上に硬質炭素系被膜
を形成する際に、予め母材上に形成する被膜の構成原
子、或いは構成分子のイオンを照射し、該イオンの運動
エネルギーを利用して、前記窒化処理の際に形成された
前記母材の最表面層をスパッタリングすると共に、前記
被膜の構成原子、或いは構成分子と母材の構成原子との
結合を有する混合層を形成し、該混合層上に硬質炭素系
被膜を形成したことを特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項２】 前記母材は、Fe系、Al系、Cu系の溶製
材、或いはこれらをベースにした焼結、複合材を特徴と
する請求項１記載の回転圧縮機。 - 【請求項３】 前記イオンの種類がC、Si、Ti、Zr、G
e、Ru、Mo、Wであることを特徴とする請求項１記載の回
転圧縮機。 - 【請求項４】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記ベーンの少なくとも先端
部又は側面部に請求項１乃至３のうちいずれかに記載の
硬質炭素系被膜を用いたことを特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項５】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記ローラの外周面に請求項
１乃至３のうちいずれかに記載の硬質炭素系被膜を用い
たことを特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項６】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記シリンダの溝の内面に請
求項１乃至３のいずれかに記載の硬質炭素系被膜を用い
たことを特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項７】 前記硬質炭素系被膜と、前記ベーン、
前記ローラの外周面、又は前記シリンダの溝の内面との
間に中間層が形成されていることを特徴とする請求項４
乃至６のうちいずれかに記載の回転圧縮機。 - 【請求項８】 前記中間層が、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、
Mo、W又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくは
これらの炭化物から形成されていることを特徴とする請
求項７記載の回転圧縮機。 - 【請求項９】 前記硬質炭素系被膜が、Si、N、Ta、C
r、F、及びBからなるグループより選ばれる少なくとも
１種の添加元素を含有していることを特徴とする請求項
４乃至８のうちいずれかに記載の回転圧縮機。 - 【請求項１０】 前記硬質炭素系被膜は、該硬質炭素
系被膜の表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れ
た部分よりも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有し
ていることを特徴とする請求項９記載の回転圧縮機。 - 【請求項１１】 請求項４乃至１０記載の回転圧縮機
において、冷凍油として、ポリオールエステル、又はポ
リビニールエーテルを用いることを特徴とする回転圧縮
機。 - 【請求項１２】 前記硬質炭素系被膜は、ダイヤモン
ド被膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合
膜、又は非晶質炭素被膜から構成されていることを特徴
とする請求項４乃至１０のうちいずれかに記載の回転圧
縮機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395998A JPH11280648A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 回転圧縮機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395998A JPH11280648A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 回転圧縮機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11280648A true JPH11280648A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13817114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8395998A Pending JPH11280648A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 回転圧縮機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11280648A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196433A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 正極活物質およびその製造法ならびに非水電解質二次電池 |
| JP2007100517A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 密閉形圧縮機 |
| US20180154449A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Miba Sinter Austria Gmbh | Method for producing a swashplate |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8395998A patent/JPH11280648A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196433A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 正極活物質およびその製造法ならびに非水電解質二次電池 |
| JP2007100517A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 密閉形圧縮機 |
| US20180154449A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Miba Sinter Austria Gmbh | Method for producing a swashplate |
| US10792733B2 (en) * | 2016-12-06 | 2020-10-06 | Miba Sinter Austria Gmbh | Method for producing a swashplate |
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