JPH11283497A - セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれに用いるペースト並びにブレード - Google Patents
セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれに用いるペースト並びにブレードInfo
- Publication number
- JPH11283497A JPH11283497A JP31601398A JP31601398A JPH11283497A JP H11283497 A JPH11283497 A JP H11283497A JP 31601398 A JP31601398 A JP 31601398A JP 31601398 A JP31601398 A JP 31601398A JP H11283497 A JPH11283497 A JP H11283497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rib
- ceramic
- substrate
- paste
- blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精
度良くセラミックキャピラリリブを形成する。 【解決手段】 ペーストを基板１０表面に塗布してペー
スト膜１１を形成し、ブレード１２周辺の少なくとも一
部に形成されたくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺
した状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に移動
させ、基板表面にセラミックキャピラリリブ１３を形成
する。ペーストがガラス粉末又はガラス・セラミック混
合粉末３０〜９５重量％と有機バインダ０．３〜１５重
量％と、溶剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含み、
基板上のセラミックリブは、アスペクト比が２〜１０で
あることが好ましい。ブレードのピッチＰ隙間ｗ深さｈ
野関係は０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍｍでありｗ／Ｐ≦
０．９が良く、基板表面から浮上させれば絶縁層上にリ
ブを形成できる。
度良くセラミックキャピラリリブを形成する。 【解決手段】 ペーストを基板１０表面に塗布してペー
スト膜１１を形成し、ブレード１２周辺の少なくとも一
部に形成されたくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺
した状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に移動
させ、基板表面にセラミックキャピラリリブ１３を形成
する。ペーストがガラス粉末又はガラス・セラミック混
合粉末３０〜９５重量％と有機バインダ０．３〜１５重
量％と、溶剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含み、
基板上のセラミックリブは、アスペクト比が２〜１０で
あることが好ましい。ブレードのピッチＰ隙間ｗ深さｈ
野関係は０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍｍでありｗ／Ｐ≦
０．９が良く、基板表面から浮上させれば絶縁層上にリ
ブを形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（plasma d
isplay panel: プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（plasma addressed liquid crystal display）等の
ＦＰＤ（flat panel display）の製造工程におけるセラ
ミックキャピラリリブ（ceramic capillaryrib）の形成
方法及びこれに用いるペースト並びにブレードに関する
ものである。
isplay panel: プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（plasma addressed liquid crystal display）等の
ＦＰＤ（flat panel display）の製造工程におけるセラ
ミックキャピラリリブ（ceramic capillaryrib）の形成
方法及びこれに用いるペースト並びにブレードに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリブの第１の形成方法で
は、図９に示すようにリブ８はガラス基板１の上にガラ
ス粉末を含むリブ形成用ペースト２を厚膜印刷法により
所定のパターンで位置合わせをして多数回重ね塗りし、
乾燥した後、焼成して、基板１上に所定の間隔をあけて
作られる。このリブ８の高さＨは通常１００〜３００μ
ｍ、リブの幅Ｗは通常５０〜１００μｍ程度であって、
リブとリブで挟まれるセル９の広さＳは通常１００〜３
００μｍ程度である。またリブの第２の形成方法とし
て、サンドブラスト法が知られている。この方法では、
図１０に示すようにガラス基板１の全面にガラス粉末を
含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥するこ
とにより、或いはガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、１５０〜２００μｍの高
さのパターン形成層３を形成した後、このパターン形成
層３を感光性フィルム４で被覆し、更にこのフィルム４
上をマスク５で覆って、露光、現像を行うことにより所
定のパターンのレジスト層６を形成する。次にこのレジ
スト層６の上方からサンドブラスト処理を施してセル９
となる部分を取除いた後、更に剥離剤等を用いて上記レ
ジスト層６を除去して、所望のリブ８を得ている。
は、図９に示すようにリブ８はガラス基板１の上にガラ
ス粉末を含むリブ形成用ペースト２を厚膜印刷法により
所定のパターンで位置合わせをして多数回重ね塗りし、
乾燥した後、焼成して、基板１上に所定の間隔をあけて
作られる。このリブ８の高さＨは通常１００〜３００μ
ｍ、リブの幅Ｗは通常５０〜１００μｍ程度であって、
リブとリブで挟まれるセル９の広さＳは通常１００〜３
００μｍ程度である。またリブの第２の形成方法とし
て、サンドブラスト法が知られている。この方法では、
図１０に示すようにガラス基板１の全面にガラス粉末を
含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥するこ
とにより、或いはガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、１５０〜２００μｍの高
さのパターン形成層３を形成した後、このパターン形成
層３を感光性フィルム４で被覆し、更にこのフィルム４
上をマスク５で覆って、露光、現像を行うことにより所
定のパターンのレジスト層６を形成する。次にこのレジ
スト層６の上方からサンドブラスト処理を施してセル９
となる部分を取除いた後、更に剥離剤等を用いて上記レ
ジスト層６を除去して、所望のリブ８を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の第１の形成
方法では、リブの幅Ｗが５０〜１００μｍ程度と比較的
狭くかつ印刷後にペーストがだれ易いため、厚膜の一回
塗りの厚さは焼成上がりで１０〜２０μｍ程度に小さく
抑えなければならない。この結果、この方法では高さＨ
が１００〜３００μｍのリブを作るために、厚膜を１０
〜２０回もの多くの回数重ね塗りする必要があり、その
上重ね塗りした後のリブの高さＨをリブの幅Ｗで除した
Ｈ／Ｗが１．５〜４程度と大きいために、厚膜印刷時に
十分に位置合わせをしても精度良くリブを形成しにくい
欠点があった。また上記従来の第２の形成方法は、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆し、露光、
現像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処
理でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形
成層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の
目的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度
良く形成できるセラミックキャピラリリブの形成方法及
びこれに用いるペースト並びにブレードを提供すること
にある。本発明の別の目的は、上記セラミックキャピラ
リリブを焼成して得られたセラミックリブを有するＦＰ
Ｄを提供することにある。
方法では、リブの幅Ｗが５０〜１００μｍ程度と比較的
狭くかつ印刷後にペーストがだれ易いため、厚膜の一回
塗りの厚さは焼成上がりで１０〜２０μｍ程度に小さく
抑えなければならない。この結果、この方法では高さＨ
が１００〜３００μｍのリブを作るために、厚膜を１０
〜２０回もの多くの回数重ね塗りする必要があり、その
上重ね塗りした後のリブの高さＨをリブの幅Ｗで除した
Ｈ／Ｗが１．５〜４程度と大きいために、厚膜印刷時に
十分に位置合わせをしても精度良くリブを形成しにくい
欠点があった。また上記従来の第２の形成方法は、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆し、露光、
現像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処
理でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形
成層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の
目的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度
良く形成できるセラミックキャピラリリブの形成方法及
びこれに用いるペースト並びにブレードを提供すること
にある。本発明の別の目的は、上記セラミックキャピラ
リリブを焼成して得られたセラミックリブを有するＦＰ
Ｄを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、ペーストを基板１０表面に塗布して
ペースト膜１１を形成し、ブレード１２周辺の少なくと
も一部に形成されたくし歯１２ｂをペースト膜１１につ
き刺した状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に
移動することにより基板１０表面にセラミックキャピラ
リリブ１３を形成する方法である。くし歯１２ｂをペー
スト膜１１につき刺した状態でブレード１２又は基板１
０を一定方向に移動することにより、基板１０表面に形
成された膜１１のブレード１２のくし歯１２ｂに対応す
る箇所のペースト１１はくし歯１２ｂの隙間に移動する
か若しくは掃き取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置する
膜１１のみが基板１０上に残存して、基板１０表面にセ
ラミックキャピラリリブ１３が形成される。
図１に示すように、ペーストを基板１０表面に塗布して
ペースト膜１１を形成し、ブレード１２周辺の少なくと
も一部に形成されたくし歯１２ｂをペースト膜１１につ
き刺した状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に
移動することにより基板１０表面にセラミックキャピラ
リリブ１３を形成する方法である。くし歯１２ｂをペー
スト膜１１につき刺した状態でブレード１２又は基板１
０を一定方向に移動することにより、基板１０表面に形
成された膜１１のブレード１２のくし歯１２ｂに対応す
る箇所のペースト１１はくし歯１２ｂの隙間に移動する
か若しくは掃き取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置する
膜１１のみが基板１０上に残存して、基板１０表面にセ
ラミックキャピラリリブ１３が形成される。
【０００５】請求項２に係る発明は、図７に示すよう
に、ペーストを基板１０表面に塗布してペースト膜１１
を形成し、ブレード１２周辺の少なくとも一部に形成さ
れたくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺した状態で
ブレード１２又は基板１０を一定方向に移動することに
より基板１０表面にセラミックキャピラリ層２２とこの
セラミックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラリ
リブ２３を形成する方法である。くし歯１２ｂの先端を
基板１０表面から所定の高さ浮上するようにペースト膜
１１につき刺した状態でブレード１２を移動するか、又
は基板１０を一定方向に移動させることにより、基板１
０表面から所定の高さまでのペーストは基板表面上に残
存してセラミックキャピラリ層２２を形成し、このセラ
ミックキャピラリ層２２より上方のペーストであってブ
レード１２のくし歯１２ｂに対応する箇所はくし歯１２
ｂの隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯１２
ｂの隙間に位置するペーストのみがセラミックキャピラ
リ層２２上に残存してセラミックキャピラリ層２２上に
セラミックキャピラリリブ２３が形成される。
に、ペーストを基板１０表面に塗布してペースト膜１１
を形成し、ブレード１２周辺の少なくとも一部に形成さ
れたくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺した状態で
ブレード１２又は基板１０を一定方向に移動することに
より基板１０表面にセラミックキャピラリ層２２とこの
セラミックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラリ
リブ２３を形成する方法である。くし歯１２ｂの先端を
基板１０表面から所定の高さ浮上するようにペースト膜
１１につき刺した状態でブレード１２を移動するか、又
は基板１０を一定方向に移動させることにより、基板１
０表面から所定の高さまでのペーストは基板表面上に残
存してセラミックキャピラリ層２２を形成し、このセラ
ミックキャピラリ層２２より上方のペーストであってブ
レード１２のくし歯１２ｂに対応する箇所はくし歯１２
ｂの隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯１２
ｂの隙間に位置するペーストのみがセラミックキャピラ
リ層２２上に残存してセラミックキャピラリ層２２上に
セラミックキャピラリリブ２３が形成される。
【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２記
載のセラミックキャピラリリブを形成する方法に用いら
れ、ガラス粉末又はガラス・セラミック混合粉末３０〜
９５重量％と、有機バインダ０．３〜１５重量％と、溶
剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含むペーストであ
る。ペーストをこのように配合することにより粘度が１
０００〜５００，０００ｃｐｓのペーストを得ることが
でき、基板１０上に形成されたセラミックキャピラリリ
ブのだれを抑制してセラミックキャピラリリブを精度良
く形成する。なお、ペーストの粘度は５，０００〜５０
０，０００ｃｐｓが好ましく、１０，０００〜３００，
０００ｃｐｓが更に好ましい。
載のセラミックキャピラリリブを形成する方法に用いら
れ、ガラス粉末又はガラス・セラミック混合粉末３０〜
９５重量％と、有機バインダ０．３〜１５重量％と、溶
剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含むペーストであ
る。ペーストをこのように配合することにより粘度が１
０００〜５００，０００ｃｐｓのペーストを得ることが
でき、基板１０上に形成されたセラミックキャピラリリ
ブのだれを抑制してセラミックキャピラリリブを精度良
く形成する。なお、ペーストの粘度は５，０００〜５０
０，０００ｃｐｓが好ましく、１０，０００〜３００，
０００ｃｐｓが更に好ましい。
【０００７】請求項４に係る発明は、図３及び図４に示
すように、請求項１又は２記載のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法に用いられるエッジ１２ａにくし歯
１２ｂが形成されたブレードである。ブレード１２はペ
ーストとの反応やペーストに溶解されることのない金
属、セラミック又はプラスチック等により作られる。図
７に示したセラミックキャピラリ層付リブ２３を形成す
る場合には、エッジ１２ａを所定の高さ浮上させるため
にブレード１２の両端のエッジ（図示せず）を他のエッ
ジより所定の長さだけ長くすることが好ましい。
すように、請求項１又は２記載のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法に用いられるエッジ１２ａにくし歯
１２ｂが形成されたブレードである。ブレード１２はペ
ーストとの反応やペーストに溶解されることのない金
属、セラミック又はプラスチック等により作られる。図
７に示したセラミックキャピラリ層付リブ２３を形成す
る場合には、エッジ１２ａを所定の高さ浮上させるため
にブレード１２の両端のエッジ（図示せず）を他のエッ
ジより所定の長さだけ長くすることが好ましい。
【０００８】請求項５に係る発明は、請求項４に係るブ
レードであって、図３及び図４に示すように、厚さｔが
０．０１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、くし歯１２
ｂのピッチをＰとし、くし歯１２ｂの隙間をｗ、その隙
間の深さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍ
ｍでありかつｗ／Ｐ≦０．９の関係にあるブレードであ
る。請求項５に係る式を満たすブレード１２により形成
されたセラミックキャピラリリブ１３は、その後の乾燥
及び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻
密なセラミックリブを得ることができる。
レードであって、図３及び図４に示すように、厚さｔが
０．０１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、くし歯１２
ｂのピッチをＰとし、くし歯１２ｂの隙間をｗ、その隙
間の深さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍ
ｍでありかつｗ／Ｐ≦０．９の関係にあるブレードであ
る。請求項５に係る式を満たすブレード１２により形成
されたセラミックキャピラリリブ１３は、その後の乾燥
及び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻
密なセラミックリブを得ることができる。
【０００９】請求項６に係る発明は、請求項４又は５に
係る発明であって、更に図５及び図６に示すように、く
し歯１２ｂの隙間の形状が方形、台形又は逆台形である
ブレードである。くし歯１２ｂの隙間の形状を台形にす
れば、開口部を広くしたセラミックキャピラリリブ１３
を形成することができ、くし歯１２ｂの隙間の形状を逆
台形にすれば、開口部を狭くしてセラミックキャピラリ
リブ１３の先端幅を広くすることができる。この結果、
用途に適した形状のセラミックキャピラリリブ１３を形
成することができる。
係る発明であって、更に図５及び図６に示すように、く
し歯１２ｂの隙間の形状が方形、台形又は逆台形である
ブレードである。くし歯１２ｂの隙間の形状を台形にす
れば、開口部を広くしたセラミックキャピラリリブ１３
を形成することができ、くし歯１２ｂの隙間の形状を逆
台形にすれば、開口部を狭くしてセラミックキャピラリ
リブ１３の先端幅を広くすることができる。この結果、
用途に適した形状のセラミックキャピラリリブ１３を形
成することができる。
【００１０】請求項７に係る発明は、図２に示すよう
に、基板１０上に形成されたセラミックリブ１４におい
て、このリブ１４の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈの
ところのリブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところの
リブの幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブ
の幅をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれ
の（最大値又は最小値−平均値）／平均値で表されるば
らつきが５％以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペ
クト比が２〜１０であることを特徴とするセラミックリ
ブである。アスペクト比が２〜１０であることにより、
極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
に、基板１０上に形成されたセラミックリブ１４におい
て、このリブ１４の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈの
ところのリブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところの
リブの幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブ
の幅をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれ
の（最大値又は最小値−平均値）／平均値で表されるば
らつきが５％以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペ
クト比が２〜１０であることを特徴とするセラミックリ
ブである。アスペクト比が２〜１０であることにより、
極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
【００１１】請求項８に係る発明は、図８に示すよう
に、基板１０上に絶縁層２４が形成され、この絶縁層２
４上に形成されたセラミックリブ２５において、このリ
ブ２５の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのところのリ
ブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブの幅を
ＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅をＷTと
するとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値
又は最小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５
％以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２
〜１０であることを特徴とするセラミックリブである。
請求項９に係る発明は、請求項１記載の方法で形成され
たセラミックキャピラリリブ１３又は請求項２記載の方
法で形成されたセラミックキャピラリ層２２及びセラミ
ックキャピラリリブ２３を焼成したセラミックリブ１４
又は絶縁層２４上に形成されたセラミックリブ２５を有
するＦＰＤである。なお、本明細書で「セラミックキャ
ピラリ」とは、本発明のガラス粉末又はガラス・セラミ
ック混合粉末と有機バインダと溶剤と可塑剤と分散剤を
含むペーストを塗布した後の大部分の有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤が残存している状態をいう。
に、基板１０上に絶縁層２４が形成され、この絶縁層２
４上に形成されたセラミックリブ２５において、このリ
ブ２５の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのところのリ
ブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブの幅を
ＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅をＷTと
するとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値
又は最小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５
％以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２
〜１０であることを特徴とするセラミックリブである。
請求項９に係る発明は、請求項１記載の方法で形成され
たセラミックキャピラリリブ１３又は請求項２記載の方
法で形成されたセラミックキャピラリ層２２及びセラミ
ックキャピラリリブ２３を焼成したセラミックリブ１４
又は絶縁層２４上に形成されたセラミックリブ２５を有
するＦＰＤである。なお、本明細書で「セラミックキャ
ピラリ」とは、本発明のガラス粉末又はガラス・セラミ
ック混合粉末と有機バインダと溶剤と可塑剤と分散剤を
含むペーストを塗布した後の大部分の有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤が残存している状態をいう。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図面
に基づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法は、図１に示すように、基板１
０の表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜１
１に、ブレード１２に形成されたくし歯１２ｂをつき刺
し、ブレード１２のエッジ１２ａを基板１０表面に接触
させた状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に移
動することにより基板１０表面にセラミックキャピラリ
リブ１３を形成する方法である。ペーストは、ガラス粉
末又はガラス・セラミック混合粉末と有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤を含むペーストであり、ガラス粉末
はＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を主成分として、その軟
化点が３００℃〜６００℃であることが必要である。
に基づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法は、図１に示すように、基板１
０の表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜１
１に、ブレード１２に形成されたくし歯１２ｂをつき刺
し、ブレード１２のエッジ１２ａを基板１０表面に接触
させた状態でブレード１２又は基板１０を一定方向に移
動することにより基板１０表面にセラミックキャピラリ
リブ１３を形成する方法である。ペーストは、ガラス粉
末又はガラス・セラミック混合粉末と有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤を含むペーストであり、ガラス粉末
はＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を主成分として、その軟
化点が３００℃〜６００℃であることが必要である。
【００１３】ガラス・セラミック混合粉末とはＳｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を主成分とするガラス粉末と、
フィラーの役割を果すアルミナ、コージライト、ムライ
ト、フォルステライト等のセラミック粉末とを含むもの
であり、このセラミック粉末は形成されるリブ１３の熱
膨張係数をガラス基板１０の熱膨張係数と均等にするた
めに混合される。セラミック粉末は６０容積％以下が好
ましい。セラミック粉末が６０容積％以上になるとリブ
が多孔質になり好ましくない。なお、ガラス粉末及びセ
ラミック粉末の粒径はそれぞれ０．１〜３０μｍである
ことが好ましい。ガラス粉末及びセラミック粉末の粒径
が０．１μｍ未満であると凝集し易くその取扱いが煩わ
しくなる。また、３０μｍを越えると後述するブレード
１２の移動時に所望のリブ１３が形成できなくなる不具
合がある。
Ｏ2、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を主成分とするガラス粉末と、
フィラーの役割を果すアルミナ、コージライト、ムライ
ト、フォルステライト等のセラミック粉末とを含むもの
であり、このセラミック粉末は形成されるリブ１３の熱
膨張係数をガラス基板１０の熱膨張係数と均等にするた
めに混合される。セラミック粉末は６０容積％以下が好
ましい。セラミック粉末が６０容積％以上になるとリブ
が多孔質になり好ましくない。なお、ガラス粉末及びセ
ラミック粉末の粒径はそれぞれ０．１〜３０μｍである
ことが好ましい。ガラス粉末及びセラミック粉末の粒径
が０．１μｍ未満であると凝集し易くその取扱いが煩わ
しくなる。また、３０μｍを越えると後述するブレード
１２の移動時に所望のリブ１３が形成できなくなる不具
合がある。
【００１４】ペーストは、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末を３０〜９５重量％、有機バインダを
０．３〜１５重量％、溶剤と可塑剤と分散剤を３〜７０
重量％それぞれ配合することが好ましい。また、ガラス
粉末又はガラス・セラミック混合粉末を７０〜９０重量
％、有機バインダを１〜３．５重量％、溶剤と可塑剤と
分散剤を７〜２０重量％それぞれ配合することが更に好
ましい。有機バインダは熱分解しやすく、溶剤に溶けて
高粘度を有するポリマー（樹脂）であって、エチルセル
ロース、アクリル又はポリビニルブチラールなどが挙げ
られる。溶剤は常温での揮発性が比較的小さい有機溶媒
であることが必要であり、ターピネオール、プチルカル
ビトール、アセテート又はエーテル等が挙げられる。可
塑剤ではグリセリン、ジブチルフタレート等が挙げら
れ、分散剤としてはベンゼンやスルフォン酸等が挙げら
れる。ペーストをこのように構成することにより所定の
粘度を有するペーストを得ることができ、基板１０上に
形成されたセラミックキャピラリリブ１３のだれを抑制
して焼成することによりセラミックリブを精度良く形成
することができる。
ミック混合粉末を３０〜９５重量％、有機バインダを
０．３〜１５重量％、溶剤と可塑剤と分散剤を３〜７０
重量％それぞれ配合することが好ましい。また、ガラス
粉末又はガラス・セラミック混合粉末を７０〜９０重量
％、有機バインダを１〜３．５重量％、溶剤と可塑剤と
分散剤を７〜２０重量％それぞれ配合することが更に好
ましい。有機バインダは熱分解しやすく、溶剤に溶けて
高粘度を有するポリマー（樹脂）であって、エチルセル
ロース、アクリル又はポリビニルブチラールなどが挙げ
られる。溶剤は常温での揮発性が比較的小さい有機溶媒
であることが必要であり、ターピネオール、プチルカル
ビトール、アセテート又はエーテル等が挙げられる。可
塑剤ではグリセリン、ジブチルフタレート等が挙げら
れ、分散剤としてはベンゼンやスルフォン酸等が挙げら
れる。ペーストをこのように構成することにより所定の
粘度を有するペーストを得ることができ、基板１０上に
形成されたセラミックキャピラリリブ１３のだれを抑制
して焼成することによりセラミックリブを精度良く形成
することができる。
【００１５】ペーストの基板１０表面への塗布は、スク
リーン印刷法、ディップ法又はドクタブレード法等の既
存の手段により行われる。ペースト膜１１の形成された
基板１０表面に接触させるブレード１２には複数のくし
歯１２ｂが等間隔にかつ同一方向に形成される。このブ
レード１２はペーストとの反応やペーストに溶解される
ことのない金属、セラミック又はプラスチック等により
作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック
若しくはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ基の合金が好ましい。それぞ
れのくし歯１２ｂの隙間はこのブレード１２により形成
されるセラミックキャピラリリブ１３の断面形状に相応
して形成される。図３及び図４に示すように、本実施の
形態におけるブレード１２は厚さｔが０．１ｍｍのステ
ンレススチールにより形成され、くし歯１２ｂのピッチ
Ｐが１００〜２００μｍであって、くし歯１２ｂの隙間
の深さｈが３００μｍに形成される。
リーン印刷法、ディップ法又はドクタブレード法等の既
存の手段により行われる。ペースト膜１１の形成された
基板１０表面に接触させるブレード１２には複数のくし
歯１２ｂが等間隔にかつ同一方向に形成される。このブ
レード１２はペーストとの反応やペーストに溶解される
ことのない金属、セラミック又はプラスチック等により
作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック
若しくはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ基の合金が好ましい。それぞ
れのくし歯１２ｂの隙間はこのブレード１２により形成
されるセラミックキャピラリリブ１３の断面形状に相応
して形成される。図３及び図４に示すように、本実施の
形態におけるブレード１２は厚さｔが０．１ｍｍのステ
ンレススチールにより形成され、くし歯１２ｂのピッチ
Ｐが１００〜２００μｍであって、くし歯１２ｂの隙間
の深さｈが３００μｍに形成される。
【００１６】ここで、ブレード１２は、厚さｔが０．０
１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、くし歯１２ｂのピ
ッチをＰとし、くし歯１２ｂの隙間をｗ、その隙間の深
さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍｍであ
りかつｗ／Ｐ≦０．９の関係にあることが好ましい。こ
の式を満たすブレード１２により形成されたセラミック
キャピラリリブ１３は、その後の乾燥及び焼成により引
き締り、所望のリブの隙間を有する緻密なセラミックリ
ブを得ることができる。また、くし歯１２ｂの隙間の形
状は図３に示すように方形状に形成する場合のみ成ら
ず、最終的に作られるＦＰＤの用途によりくし歯１２ｂ
の隙間の形状を図５に示すような台形状、又は図６に示
すような逆台形に形成してもよい。くし歯１２ｂの隙間
の形状を台形にすれば、開口部を広くした用途に適した
セラミックキャピラリリブ１３を形成することができ、
くし歯１２ｂの隙間の形状を逆台形にすれば、リブの頂
部が広い面積で平坦化したセラミックキャピラリリブ１
３を形成することができる。
１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であって、くし歯１２ｂのピ
ッチをＰとし、くし歯１２ｂの隙間をｗ、その隙間の深
さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍｍであ
りかつｗ／Ｐ≦０．９の関係にあることが好ましい。こ
の式を満たすブレード１２により形成されたセラミック
キャピラリリブ１３は、その後の乾燥及び焼成により引
き締り、所望のリブの隙間を有する緻密なセラミックリ
ブを得ることができる。また、くし歯１２ｂの隙間の形
状は図３に示すように方形状に形成する場合のみ成ら
ず、最終的に作られるＦＰＤの用途によりくし歯１２ｂ
の隙間の形状を図５に示すような台形状、又は図６に示
すような逆台形に形成してもよい。くし歯１２ｂの隙間
の形状を台形にすれば、開口部を広くした用途に適した
セラミックキャピラリリブ１３を形成することができ、
くし歯１２ｂの隙間の形状を逆台形にすれば、リブの頂
部が広い面積で平坦化したセラミックキャピラリリブ１
３を形成することができる。
【００１７】図１に戻って、このように構成されたブレ
ード１２によるセラミックキャピラリリブ１３の形成
は、ブレード１２のエッジ１２ａをペースト膜１１を形
成した基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固定
して図１の実線矢印で示すようにブレード１２を一定方
向に移動するか、又はブレード１２を固定して図１の破
線矢印で示すように基板１０を一定方向に移動させるこ
とにより行われる。この移動により基板１０表面に塗布
されたペーストのブレード１２のくし歯１２ｂに対応す
る箇所はくし歯１２ｂの隙間に移動するか若しくは掃き
取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置するペーストのみが
基板１０上に残存して基板１０表面にセラミックキャピ
ラリリブ１３が形成される。くし歯の溝の深さがペース
ト膜１１の厚さより大きい場合にはブレード１２又はガ
ラス基板１０を移動するときに掃き取られたペーストが
溝に入り込みペースト膜１１の厚さ以上の高さを有する
セラミックキャピラリリブ１３を形成できる。
ード１２によるセラミックキャピラリリブ１３の形成
は、ブレード１２のエッジ１２ａをペースト膜１１を形
成した基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固定
して図１の実線矢印で示すようにブレード１２を一定方
向に移動するか、又はブレード１２を固定して図１の破
線矢印で示すように基板１０を一定方向に移動させるこ
とにより行われる。この移動により基板１０表面に塗布
されたペーストのブレード１２のくし歯１２ｂに対応す
る箇所はくし歯１２ｂの隙間に移動するか若しくは掃き
取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置するペーストのみが
基板１０上に残存して基板１０表面にセラミックキャピ
ラリリブ１３が形成される。くし歯の溝の深さがペース
ト膜１１の厚さより大きい場合にはブレード１２又はガ
ラス基板１０を移動するときに掃き取られたペーストが
溝に入り込みペースト膜１１の厚さ以上の高さを有する
セラミックキャピラリリブ１３を形成できる。
【００１８】このようして形成されたセラミックキャピ
ラリリブ１３はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図２に示すセラミック
リブ１４になる。基板１０上に形成されたセラミックリ
ブ１４は、図２の拡大した円内に示すように、リブ１４
の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのところのリブ１４
の幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブ１４の幅
をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブ１４の幅
をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの
（最大値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％
以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２〜
１０であることが好ましい。アスペクト比が２〜１０で
あることにより、極めて高精細なセラミックリブ１４が
得られる。
ラリリブ１３はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図２に示すセラミック
リブ１４になる。基板１０上に形成されたセラミックリ
ブ１４は、図２の拡大した円内に示すように、リブ１４
の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのところのリブ１４
の幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブ１４の幅
をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブ１４の幅
をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの
（最大値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％
以下であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２〜
１０であることが好ましい。アスペクト比が２〜１０で
あることにより、極めて高精細なセラミックリブ１４が
得られる。
【００１９】次に本発明の第２の実施の形態を図面に基
づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法は、図７に示すように、基板１０の
表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜１１に
ブレード１２周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
１２ｂをペースト膜１１につき刺し、ブレード１２のエ
ッジ１２ａを基板１０表面から所定の高さ浮上した状態
でブレード１２又は基板１０を一定方向に移動すること
により基板１０表面にセラミックキャピラリ層２２とこ
のセラミックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラ
リリブ２３を形成する方法である。ペースト及びペース
トの塗布に関しては上述した実施の形態と同一であるの
で繰返しての説明を省略する。
づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法は、図７に示すように、基板１０の
表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜１１に
ブレード１２周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
１２ｂをペースト膜１１につき刺し、ブレード１２のエ
ッジ１２ａを基板１０表面から所定の高さ浮上した状態
でブレード１２又は基板１０を一定方向に移動すること
により基板１０表面にセラミックキャピラリ層２２とこ
のセラミックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラ
リリブ２３を形成する方法である。ペースト及びペース
トの塗布に関しては上述した実施の形態と同一であるの
で繰返しての説明を省略する。
【００２０】即ち、ブレード１２によるセラミックキャ
ピラリリブ２３の形成は、図７に示すように、ブレード
１２のエッジ１２ａをペースト膜１１を形成した基板１
０表面から所定の高さ浮上した状態で基板１０を固定し
て実線矢印で示すようにブレード１２を一定方向に移動
するか、又はブレード１２を固定して破線矢印で示すよ
うに基板１０を一定方向に移動させることにより行われ
る。この移動により基板１０表面から所定の高さまでの
ペーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ
層２２を形成し、このセラミックキャピラリ層２２より
上方のペーストにおけるブレード１２のくし歯１２ｂに
対応する箇所はくし歯１２ｂの隙間に移動するか若しく
は掃き取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置するペースト
のみがセラミックキャピラリ層２２上に残存してセラミ
ックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラリリブ２
３が形成される。
ピラリリブ２３の形成は、図７に示すように、ブレード
１２のエッジ１２ａをペースト膜１１を形成した基板１
０表面から所定の高さ浮上した状態で基板１０を固定し
て実線矢印で示すようにブレード１２を一定方向に移動
するか、又はブレード１２を固定して破線矢印で示すよ
うに基板１０を一定方向に移動させることにより行われ
る。この移動により基板１０表面から所定の高さまでの
ペーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ
層２２を形成し、このセラミックキャピラリ層２２より
上方のペーストにおけるブレード１２のくし歯１２ｂに
対応する箇所はくし歯１２ｂの隙間に移動するか若しく
は掃き取られ、くし歯１２ｂの隙間に位置するペースト
のみがセラミックキャピラリ層２２上に残存してセラミ
ックキャピラリ層２２上にセラミックキャピラリリブ２
３が形成される。
【００２１】このようにして形成されたセラミックキャ
ピラリ層２２及びセラミックキャピラリリブ２３はその
後乾燥されてセラミックグリーン層及びセラミックグリ
ーンリブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加
熱され、引続いて焼成することにより図８に示す基板１
０上に形成された絶縁層２４と、この絶縁層２４上に形
成されたセラミックリブ２５になる。絶縁層２４上に形
成されたセラミックリブ２５は、図８の拡大した円内に
示すように、リブ２５の高さをＨとし、高さ（１／２）
Ｈのところのリブ２５の幅をＷC、高さ（３／４）Ｈの
ところのリブ２５の幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈの
ところのリブ２５の幅をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM
及びＷTのそれぞれの（最大値−平均値）／平均値で表
されるばらつきが５％以下であって、Ｈ／ＷCで表され
るアスペクト比が２〜１０であることが好ましい。アス
ペクト比が２〜１０であることにより、極めて高精細な
セラミックリブ２５が得られる。
ピラリ層２２及びセラミックキャピラリリブ２３はその
後乾燥されてセラミックグリーン層及びセラミックグリ
ーンリブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加
熱され、引続いて焼成することにより図８に示す基板１
０上に形成された絶縁層２４と、この絶縁層２４上に形
成されたセラミックリブ２５になる。絶縁層２４上に形
成されたセラミックリブ２５は、図８の拡大した円内に
示すように、リブ２５の高さをＨとし、高さ（１／２）
Ｈのところのリブ２５の幅をＷC、高さ（３／４）Ｈの
ところのリブ２５の幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈの
ところのリブ２５の幅をＷTとするとき、Ｈ、ＷC、ＷM
及びＷTのそれぞれの（最大値−平均値）／平均値で表
されるばらつきが５％以下であって、Ｈ／ＷCで表され
るアスペクト比が２〜１０であることが好ましい。アス
ペクト比が２〜１０であることにより、極めて高精細な
セラミックリブ２５が得られる。
【００２２】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞平均粒径３μｍのＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3系ガラス粉末を７０重量％と、フィラーとして平均粒
径５μｍのアルミナ粉末を３０重量％用意し、両者を十
分に混合した。この混合粉末と有機バインダであるエチ
ルセルロースと溶媒とを重量比で５５／５／４０の割合
で配合し、十分に混練してペーストを得た。なお、溶媒
は溶剤であるテレピネオールと可塑剤であるグリセリン
と分散剤であるスルフォン酸の混合物である。図１に示
すように、このようにして得られたペーストを対角寸法
が４０インチであって、厚さが３ｍｍのソーダライム系
のガラス基板１０上にスクリーン印刷法により厚さ２０
０μｍで塗布してペースト膜１１を形成した。
説明する。 ＜実施例１＞平均粒径３μｍのＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3系ガラス粉末を７０重量％と、フィラーとして平均粒
径５μｍのアルミナ粉末を３０重量％用意し、両者を十
分に混合した。この混合粉末と有機バインダであるエチ
ルセルロースと溶媒とを重量比で５５／５／４０の割合
で配合し、十分に混練してペーストを得た。なお、溶媒
は溶剤であるテレピネオールと可塑剤であるグリセリン
と分散剤であるスルフォン酸の混合物である。図１に示
すように、このようにして得られたペーストを対角寸法
が４０インチであって、厚さが３ｍｍのソーダライム系
のガラス基板１０上にスクリーン印刷法により厚さ２０
０μｍで塗布してペースト膜１１を形成した。
【００２３】一方、くし歯１２ｂのピッチＰが１００μ
ｍであって、くし歯１２ｂの隙間ｗが４０μｍ、その深
さｈが３００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼
により形成されたブレード１２を用意した（図４）。こ
のブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき
刺し、エッジ１２ａをペースト膜の形成された基板１０
表面に接触させた状態で基板１０を固定し、図１の実線
矢印で示すように、ブレード１２を一定方向に移動する
ことにより基板１０表面にセラミックキャピラリリブ１
３を形成した。
ｍであって、くし歯１２ｂの隙間ｗが４０μｍ、その深
さｈが３００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼
により形成されたブレード１２を用意した（図４）。こ
のブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき
刺し、エッジ１２ａをペースト膜の形成された基板１０
表面に接触させた状態で基板１０を固定し、図１の実線
矢印で示すように、ブレード１２を一定方向に移動する
ことにより基板１０表面にセラミックキャピラリリブ１
３を形成した。
【００２４】＜実施例２＞平均粒径２μｍのＺｎＯ−Ｂ
2Ｏ3系ガラス粉末と、有機バインダであるポリビニルブ
チラールと、エーテル（溶剤），ジブチルフタレート
（可塑剤）及びベンゼン（分散剤）からなる溶媒とを重
量比で６０／１０／３０の割合で配合し、十分に混練し
てペーストを得た。このようにして得られたペーストを
実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印刷法
により厚さ１００μｍで塗布してペースト膜を形成し
た。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであっ
て、くし歯１２ｂの隙間ｗが７０μｍ、その深さｈが３
００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼により形
成されたブレード１２を用意した（図４）。このブレー
ド１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺し、そ
のエッジ１２ａをペースト膜の形成された基板１０表面
に接触させた状態で基板１０を固定し、図１の実線矢印
で示すように、ブレード１２を一定方向に移動すること
により基板１０表面にセラミックキャピラリリブ１３を
形成した。
2Ｏ3系ガラス粉末と、有機バインダであるポリビニルブ
チラールと、エーテル（溶剤），ジブチルフタレート
（可塑剤）及びベンゼン（分散剤）からなる溶媒とを重
量比で６０／１０／３０の割合で配合し、十分に混練し
てペーストを得た。このようにして得られたペーストを
実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印刷法
により厚さ１００μｍで塗布してペースト膜を形成し
た。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであっ
て、くし歯１２ｂの隙間ｗが７０μｍ、その深さｈが３
００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼により形
成されたブレード１２を用意した（図４）。このブレー
ド１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺し、そ
のエッジ１２ａをペースト膜の形成された基板１０表面
に接触させた状態で基板１０を固定し、図１の実線矢印
で示すように、ブレード１２を一定方向に移動すること
により基板１０表面にセラミックキャピラリリブ１３を
形成した。
【００２５】＜実施例３＞平均粒径２．５μｍのＰｂＯ
−ＺｎＯ−ＳｉＯ2系ガラス粉末を５０重量％と、フィ
ラーとして平均粒径３μｍのアルミナ粉末を５０重量％
用意し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バ
インダであるポリメタクリレートと溶剤であるエーテル
とを重量比で３０／１５／５５の割合で配合し、十分に
混練してペーストを得た。このようにして得られたペー
ストを実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン
印刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形
成した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが１００μｍで
あって、くし歯１２ｂの隙間ｗが３０μｍ、その深さｈ
が３００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼によ
り形成されたブレード１２を用意した（図４）。このブ
レード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺
し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形成された基
板１０表面に接触させた状態で基板１０を固定し、図１
の実線矢印で示すように、ブレード１２を一定方向に移
動することにより基板１０表面にセラミックキャピラリ
リブ１３を形成した。
−ＺｎＯ−ＳｉＯ2系ガラス粉末を５０重量％と、フィ
ラーとして平均粒径３μｍのアルミナ粉末を５０重量％
用意し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バ
インダであるポリメタクリレートと溶剤であるエーテル
とを重量比で３０／１５／５５の割合で配合し、十分に
混練してペーストを得た。このようにして得られたペー
ストを実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン
印刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形
成した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが１００μｍで
あって、くし歯１２ｂの隙間ｗが３０μｍ、その深さｈ
が３００μｍである厚さ０．１ｍｍのステンレス鋼によ
り形成されたブレード１２を用意した（図４）。このブ
レード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１１につき刺
し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形成された基
板１０表面に接触させた状態で基板１０を固定し、図１
の実線矢印で示すように、ブレード１２を一定方向に移
動することにより基板１０表面にセラミックキャピラリ
リブ１３を形成した。
【００２６】＜実施例４＞平均粒径３μｍのＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末を８０重量％と、フィラー
として平均粒径１μｍのアルミナ粉末を２０重量％用意
し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バイン
ダであるアクリル系樹脂と溶媒とを重量比で９０／３／
７の割合で配合し、十分に混練してペーストを得た。な
お、溶媒は溶剤であるエーテルのみとした。図７に示す
ように、このようにして得られたペーストを対角寸法が
４０インチであって、厚さが２ｍｍのソーダライム系の
ガラス基板１０上にロールコータ法によって厚さ３００
μｍで塗布してペースト膜１１を形成した。一方、くし
歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであって、くし歯１２
ｂの隙間ｗが１５０μｍ、その深さｈが２００μｍであ
る厚さ０．０５ｍｍのＮｉにより形成されたブレード１
２を用意した（図４）。このブレード１２のくし歯１２
ｂをペースト膜１１につき刺し、エッジ１２ａをペース
ト膜の形成された基板１０表面より２０μｍ浮かせた状
態で基板１０を固定し、図７の実線矢印で示すように、
ブレード１２を一定方向に移動することにより基板１０
表面にセラミックキャピラリ層２２とこのセラミックキ
ャピラリ層２２上にセラミックキャピラリリブ２３を形
成した。
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末を８０重量％と、フィラー
として平均粒径１μｍのアルミナ粉末を２０重量％用意
し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バイン
ダであるアクリル系樹脂と溶媒とを重量比で９０／３／
７の割合で配合し、十分に混練してペーストを得た。な
お、溶媒は溶剤であるエーテルのみとした。図７に示す
ように、このようにして得られたペーストを対角寸法が
４０インチであって、厚さが２ｍｍのソーダライム系の
ガラス基板１０上にロールコータ法によって厚さ３００
μｍで塗布してペースト膜１１を形成した。一方、くし
歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであって、くし歯１２
ｂの隙間ｗが１５０μｍ、その深さｈが２００μｍであ
る厚さ０．０５ｍｍのＮｉにより形成されたブレード１
２を用意した（図４）。このブレード１２のくし歯１２
ｂをペースト膜１１につき刺し、エッジ１２ａをペース
ト膜の形成された基板１０表面より２０μｍ浮かせた状
態で基板１０を固定し、図７の実線矢印で示すように、
ブレード１２を一定方向に移動することにより基板１０
表面にセラミックキャピラリ層２２とこのセラミックキ
ャピラリ層２２上にセラミックキャピラリリブ２３を形
成した。
【００２７】＜実施例５＞実施例３と同一のペーストを
得、実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印
刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであ
って、くし歯１２ｂの先端隙間ｗが１５０μｍ、基端隙
間ｗhが１００μｍ、深さｈが２００μｍでくし歯１２
ｂの隙間の形状が台形である厚さ０．１ｍｍのステンレ
ス鋼により形成されたブレード１２を用意した（図
５）。このブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１
１につき刺し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形
成された基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固
定し、図１の実線矢印で示すように、ブレード１２を一
定方向に移動することにより基板１０表面にセラミック
キャピラリリブ１３を形成した。
得、実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印
刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであ
って、くし歯１２ｂの先端隙間ｗが１５０μｍ、基端隙
間ｗhが１００μｍ、深さｈが２００μｍでくし歯１２
ｂの隙間の形状が台形である厚さ０．１ｍｍのステンレ
ス鋼により形成されたブレード１２を用意した（図
５）。このブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１
１につき刺し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形
成された基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固
定し、図１の実線矢印で示すように、ブレード１２を一
定方向に移動することにより基板１０表面にセラミック
キャピラリリブ１３を形成した。
【００２８】＜実施例６＞実施例３と同一のペーストを
得、実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印
刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであ
って、くし歯１２ｂの先端隙間ｗが１００μｍ、基端隙
間ｗhが１５０μｍ、深さｈが２００μｍでくし歯１２
ｂの隙間の形状が逆台形である厚さ０．１ｍｍのステン
レス鋼により形成されたブレード１２を用意した（図
６）。このブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１
１につき刺し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形
成された基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固
定し、図１の実線矢印で示すように、ブレード１２を一
定方向に移動することにより基板１０表面にセラミック
キャピラリリブ１３を形成した。
得、実施例１と同一のガラス基板１０上にスクリーン印
刷法により厚さ２００μｍで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯１２ｂのピッチＰが２００μｍであ
って、くし歯１２ｂの先端隙間ｗが１００μｍ、基端隙
間ｗhが１５０μｍ、深さｈが２００μｍでくし歯１２
ｂの隙間の形状が逆台形である厚さ０．１ｍｍのステン
レス鋼により形成されたブレード１２を用意した（図
６）。このブレード１２のくし歯１２ｂをペースト膜１
１につき刺し、そのエッジ１２ａをペースト膜１１の形
成された基板１０表面に接触させた状態で基板１０を固
定し、図１の実線矢印で示すように、ブレード１２を一
定方向に移動することにより基板１０表面にセラミック
キャピラリリブ１３を形成した。
【００２９】＜比較例１＞図９に示すように、ソーダラ
イム系ガラス基板１上にガラス粉末と有機バインダと溶
媒とを含む粘度が５０，０００ｐｓのリブ形成用ペース
ト２をスクリーン印刷法により所定のパターンで位置合
わせをして印刷し１５０℃で１０分間乾燥する工程を１
２回繰返して重ね塗りした。この重ね塗りはセラミック
グリーンリブ２の高さＨが２００μｍとなるように設定
した。上記リブ形成用ペーストとしてはＳｉＯ2、Ｚｎ
Ｏ及びＰｂＯを主成分とするガラス粉末とＡｌ2Ｏ3粉末
とを含む。また有機バインダとしてはエチルセルロース
を用い、更に溶媒としてはα−テレピネオールを用い
た。これにより所定の間隔（セル９の広さＳ）をあけて
セラミックグリーンリブ２を形成した。次に基板１上に
セラミックグリーンリブ２が形成された構造体を大気中
で５５０℃で１時間熱処理することにより、基板１上に
高さＨが約１７０μｍのセラミックリブ８を形成した。
イム系ガラス基板１上にガラス粉末と有機バインダと溶
媒とを含む粘度が５０，０００ｐｓのリブ形成用ペース
ト２をスクリーン印刷法により所定のパターンで位置合
わせをして印刷し１５０℃で１０分間乾燥する工程を１
２回繰返して重ね塗りした。この重ね塗りはセラミック
グリーンリブ２の高さＨが２００μｍとなるように設定
した。上記リブ形成用ペーストとしてはＳｉＯ2、Ｚｎ
Ｏ及びＰｂＯを主成分とするガラス粉末とＡｌ2Ｏ3粉末
とを含む。また有機バインダとしてはエチルセルロース
を用い、更に溶媒としてはα−テレピネオールを用い
た。これにより所定の間隔（セル９の広さＳ）をあけて
セラミックグリーンリブ２を形成した。次に基板１上に
セラミックグリーンリブ２が形成された構造体を大気中
で５５０℃で１時間熱処理することにより、基板１上に
高さＨが約１７０μｍのセラミックリブ８を形成した。
【００３０】＜比較試験及び評価＞実施例１〜６の基板
１０に形成されたセラミックキャピラリリブ１３を乾燥
してセラミックグリーンリブ（図示せず）にし、更に脱
バインダのため加熱し、引続いて焼成してセラミックリ
ブ１４とした。焼成することにより得られたそれぞれの
セラミックリブ１４の任意の１００本と、比較例１で得
られたセラミックリブ８の任意の１００本について、そ
の高さＨ及び幅を以下のようにそれぞれ測定した。な
お、実施例１におけるセラミックキャピラリリブ１３は
１５０℃において３０分乾燥させて溶媒を脱離させてセ
ラミックグリーンリブにし、脱バインダのため加熱した
後、５６０℃において１時間焼成してセラミックリブを
得た。
１０に形成されたセラミックキャピラリリブ１３を乾燥
してセラミックグリーンリブ（図示せず）にし、更に脱
バインダのため加熱し、引続いて焼成してセラミックリ
ブ１４とした。焼成することにより得られたそれぞれの
セラミックリブ１４の任意の１００本と、比較例１で得
られたセラミックリブ８の任意の１００本について、そ
の高さＨ及び幅を以下のようにそれぞれ測定した。な
お、実施例１におけるセラミックキャピラリリブ１３は
１５０℃において３０分乾燥させて溶媒を脱離させてセ
ラミックグリーンリブにし、脱バインダのため加熱した
後、５６０℃において１時間焼成してセラミックリブを
得た。
【００３１】実施例２におけるセラミックキャピラリリ
ブ１３は１５０℃において３０分乾燥させて溶媒を脱離
させてセラミックグリーンリブにし、脱バインダのため
加熱した後、５８０℃において１時間焼成してセラミッ
クリブを得た。また、実施例３におけるセラミックキャ
ピラリリブ１３は１５０℃において３０分乾燥させて溶
媒を脱離させてセラミックグリーンリブにし、脱バイン
ダのため加熱した後、５５０℃において１時間焼成して
セラミックリブを得た。更に、実施例４〜６におけるセ
ラミックキャピラリリブ１３は室温において１０分間乾
燥させ、その後脱バインダのため更に加熱した後、５５
０℃において１０分間焼成してセラミックリブ及びセラ
ミック絶縁層を得た。
ブ１３は１５０℃において３０分乾燥させて溶媒を脱離
させてセラミックグリーンリブにし、脱バインダのため
加熱した後、５８０℃において１時間焼成してセラミッ
クリブを得た。また、実施例３におけるセラミックキャ
ピラリリブ１３は１５０℃において３０分乾燥させて溶
媒を脱離させてセラミックグリーンリブにし、脱バイン
ダのため加熱した後、５５０℃において１時間焼成して
セラミックリブを得た。更に、実施例４〜６におけるセ
ラミックキャピラリリブ１３は室温において１０分間乾
燥させ、その後脱バインダのため更に加熱した後、５５
０℃において１０分間焼成してセラミックリブ及びセラ
ミック絶縁層を得た。
【００３２】図２に示すように、実施例１〜６及び比較
例１の基板上の任意の１００本のセラミックリブの幅の
測定は、セラミックリブの高さをＨとしたときの高さ
（１／２）Ｈのところのリブの幅ＷCと、高さ（３／
４）Ｈのところのリブの幅ＷMと、高さ（９／１０）Ｈ
のところのリブの幅ＷTとをそれぞれ測定することによ
り行った。またこれらの測定値の平均値を算出した後、
Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最小値
−平均値）／平均値で表されるばらつきを算出した。表
１に実施例１〜３の結果を比較例１の結果と対比させて
示し、表２に実施例４〜６の結果を比較例１の結果と対
比させて示す。
例１の基板上の任意の１００本のセラミックリブの幅の
測定は、セラミックリブの高さをＨとしたときの高さ
（１／２）Ｈのところのリブの幅ＷCと、高さ（３／
４）Ｈのところのリブの幅ＷMと、高さ（９／１０）Ｈ
のところのリブの幅ＷTとをそれぞれ測定することによ
り行った。またこれらの測定値の平均値を算出した後、
Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最小値
−平均値）／平均値で表されるばらつきを算出した。表
１に実施例１〜３の結果を比較例１の結果と対比させて
示し、表２に実施例４〜６の結果を比較例１の結果と対
比させて示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】表１及び表２から明らかなように、実施例
１〜実施例６の結果により、本発明の方法により有効に
セラミックキャピラリリブを基板上に形成することが明
らかになった。また、このセラミックキャピラリリブを
乾燥して、更に脱バインダのため加熱し、引続いて焼成
することによりセラミックリブを得ることができること
が判明し、比較例１に比較して少ない工程で材料の無駄
なく、簡便にセラミックリブを得ることが明らかになっ
た。更に、このセラミックキャピラリリブを乾燥、加熱
及び焼成して得られたセラミックリブのアスペクト比は
２〜１０であることから本発明により極めて精度の高い
セラミックリブが得られることも判明した。
１〜実施例６の結果により、本発明の方法により有効に
セラミックキャピラリリブを基板上に形成することが明
らかになった。また、このセラミックキャピラリリブを
乾燥して、更に脱バインダのため加熱し、引続いて焼成
することによりセラミックリブを得ることができること
が判明し、比較例１に比較して少ない工程で材料の無駄
なく、簡便にセラミックリブを得ることが明らかになっ
た。更に、このセラミックキャピラリリブを乾燥、加熱
及び焼成して得られたセラミックリブのアスペクト比は
２〜１０であることから本発明により極めて精度の高い
セラミックリブが得られることも判明した。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ブ
レードに形成されたくし歯をペースト膜につき刺し、ブ
レードのエッジを成膜した基板表面に接触させた状態で
ブレード又は基板を一定方向に移動することにより、ブ
レードのくし歯に対応する箇所のペーストはくし歯の隙
間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯の隙間に位
置するペーストのみが基板上に残存して、基板の表面に
セラミックキャピラリリブを形成することができる。こ
の結果、本発明の方法では、少ない工程で材料の無駄な
く、簡便にかつ精度良くセラミックキャピラリリブを形
成することができる。このように形成されたセラミック
キャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成することに
より基板上にセラミックリブを形成することができる。
このため、リブとなる部分を厚膜印刷で重ね塗りする従
来の厚膜印刷法や、或いはレジスト層形成のための露
光、現像等の複雑な工程を経てセルとなる部分をサンド
ブラスト処理で取除く従来の方法と比べて、極めて簡便
である。この結果、プラズマディスプレイパネル、液晶
表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造工程に
おける発光体のセルの隔壁やバス電極上に形成される絶
縁保護層となるセラミックリブの効率の良い量産を図る
ことができる。
レードに形成されたくし歯をペースト膜につき刺し、ブ
レードのエッジを成膜した基板表面に接触させた状態で
ブレード又は基板を一定方向に移動することにより、ブ
レードのくし歯に対応する箇所のペーストはくし歯の隙
間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯の隙間に位
置するペーストのみが基板上に残存して、基板の表面に
セラミックキャピラリリブを形成することができる。こ
の結果、本発明の方法では、少ない工程で材料の無駄な
く、簡便にかつ精度良くセラミックキャピラリリブを形
成することができる。このように形成されたセラミック
キャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成することに
より基板上にセラミックリブを形成することができる。
このため、リブとなる部分を厚膜印刷で重ね塗りする従
来の厚膜印刷法や、或いはレジスト層形成のための露
光、現像等の複雑な工程を経てセルとなる部分をサンド
ブラスト処理で取除く従来の方法と比べて、極めて簡便
である。この結果、プラズマディスプレイパネル、液晶
表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造工程に
おける発光体のセルの隔壁やバス電極上に形成される絶
縁保護層となるセラミックリブの効率の良い量産を図る
ことができる。
【００３７】また、ガラス粉末又はガラス・セラミック
混合粉末３０〜９５重量％と、有機バインダ０．３〜１
５重量％と、溶剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含
むペーストを使用すれば、基板上に形成されたセラミッ
クキャピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラ
リリブを精度良く形成し、乾燥、加熱及び焼成すること
により得られるセラミックリブを従来より更に精度良く
形成できる。また、厚さが０．０１ｍｍ以上３．０ｍｍ
以下であって、くし歯のピッチをＰとし、くし歯の隙間
をｗ、その隙間の深さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦
ｈ≦１．０ｍｍでありかつｗ／Ｐ≦０．９の関係が成立
するブレードでセラミックキャピラリリブを形成すれ
ば、そのセラミックキャピラリリブは、その後の乾燥及
び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻密
なセラミックリブを得ることができる。
混合粉末３０〜９５重量％と、有機バインダ０．３〜１
５重量％と、溶剤と可塑剤と分散剤３〜７０重量％を含
むペーストを使用すれば、基板上に形成されたセラミッ
クキャピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラ
リリブを精度良く形成し、乾燥、加熱及び焼成すること
により得られるセラミックリブを従来より更に精度良く
形成できる。また、厚さが０．０１ｍｍ以上３．０ｍｍ
以下であって、くし歯のピッチをＰとし、くし歯の隙間
をｗ、その隙間の深さをｈとするとき、０．０３ｍｍ≦
ｈ≦１．０ｍｍでありかつｗ／Ｐ≦０．９の関係が成立
するブレードでセラミックキャピラリリブを形成すれ
ば、そのセラミックキャピラリリブは、その後の乾燥及
び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻密
なセラミックリブを得ることができる。
【００３８】更に本発明の方法により形成されたセラミ
ックリブでは、高さ（１／２）Ｈのところのリブの幅を
ＷＣ、高さ（３／４）Ｈのところのリブの幅をＷM及び
高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅をＷTとすると
き、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最
小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％以下
になり、極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
ックリブでは、高さ（１／２）Ｈのところのリブの幅を
ＷＣ、高さ（３／４）Ｈのところのリブの幅をＷM及び
高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅をＷTとすると
き、Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最
小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％以下
になり、極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
【００３９】なお、ブレードに形成されたくし歯をペー
スト膜につき刺し、ブレードのエッジをペースト膜を形
成した基板表面から所定の高さ浮上した状態でブレード
又は基板を一定方向に移動させれば、基板表面から所定
の高さまでのペーストは基板表面上に残存してセラミッ
クキャピラリ層を形成し、このセラミックキャピラリ層
上にセラミックキャピラリリブを形成することもでき
る。このように形成されたセラミックキャピラリ層及び
セラミックキャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成
することにより基板上に絶縁層を介してセラミックリブ
を形成することができる。このため、本発明によれば絶
縁層付セラミックリブであっても極めて簡便に得ること
ができ、絶縁層付セラミックリブの効率の良い量産を図
ることができる。
スト膜につき刺し、ブレードのエッジをペースト膜を形
成した基板表面から所定の高さ浮上した状態でブレード
又は基板を一定方向に移動させれば、基板表面から所定
の高さまでのペーストは基板表面上に残存してセラミッ
クキャピラリ層を形成し、このセラミックキャピラリ層
上にセラミックキャピラリリブを形成することもでき
る。このように形成されたセラミックキャピラリ層及び
セラミックキャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成
することにより基板上に絶縁層を介してセラミックリブ
を形成することができる。このため、本発明によれば絶
縁層付セラミックリブであっても極めて簡便に得ること
ができ、絶縁層付セラミックリブの効率の良い量産を図
ることができる。
【図１】本発明におけるセラミックキャピラリリブの形
成状態を示す斜視図。
成状態を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面におけるセラミックキャピ
ラリリブを乾燥、加熱及び焼成することにより得たセラ
ミックリブを示す断面図。
ラリリブを乾燥、加熱及び焼成することにより得たセラ
ミックリブを示す断面図。
【図３】そのブレードの正面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図。
【図５】別のブレードの図３に対応する正面図。
【図６】更に別のブレードの図３に対応する正面図。
【図７】本発明におけるセラミックキャピラリ層付リブ
の形成状態を示す図１に対応する斜視図。
の形成状態を示す図１に対応する斜視図。
【図８】図７のＢ−Ｂ線断面におけるセラミックキャピ
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付セラミックリブを示す図２に対応する断面図。
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付セラミックリブを示す図２に対応する断面図。
【図９】従来のセラミックリブの形成を工程順に示す断
面図。
面図。
【図１０】従来の別のセラミックリブの形成を工程順に
示す断面図。
示す断面図。
１０ ガラス基板 １１ ペースト膜 １２ ブレード １２ａ エッジ １２ｂ くし歯 １３、２３ セラミックキャピラリリブ １４、２５ セラミックリブ ２２ セラミックキャピラリ層 ２５ 絶縁層
Claims (9)
- 【請求項１】 ペーストを基板(10)表面に塗布してペー
スト膜(11)を形成し、 ブレード(12)周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
(12b)を前記ペースト膜(11)につき刺した状態で前記ブ
レード(12)又は前記基板(10)を一定方向に移動すること
により前記基板(10)表面にセラミックキャピラリリブ(1
3)を形成する方法。 - 【請求項２】 ペーストを基板(10)表面に塗布してペー
スト膜(11)を形成し、 ブレード(12)周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
(12b)を前記ペースト膜(11)につき刺した状態で前記ブ
レード(12)又は前記基板(10)を一定方向に移動すること
により前記基板(10)表面にセラミックキャピラリ層(22)
と前記セラミックキャピラリ層(22)上にセラミックキャ
ピラリリブ(23)を形成する方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法に用いられ、ガラス粉末又はガ
ラス・セラミック混合粉末３０〜９５重量％と、有機バ
インダ０．３〜１５重量％と、溶剤と可塑剤と分散剤３
〜７０重量％を含むペースト。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法に用いられるエッジ(12a)にく
し歯(12b)が形成されたブレード。 - 【請求項５】 厚さ(t)が０．０１ｍｍ以上３．０ｍｍ
以下であって、くし歯(12b)のピッチをＰとし、くし歯
(12b)の隙間をｗ、その隙間の深さをｈとするとき、
０．０３ｍｍ≦ｈ≦１．０ｍｍでありかつｗ／Ｐ≦０．
９の関係にある請求項４記載のブレード。 - 【請求項６】 くし歯(12b)の隙間の形状が方形、台形
又は逆台形である請求項４又は５記載のブレード。 - 【請求項７】 基板(10)上に形成されたセラミックリブ
(14)において、 前記リブ(14)の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのとこ
ろのリブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブ
の幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅
をＷTとするとき、 前記Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最
小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％以下
であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２〜１０
であることを特徴とするセラミックリブ。 - 【請求項８】 基板(10)上に絶縁層(24)が形成され、前
記絶縁層(24)上に形成されたセラミックリブ(25)におい
て、 前記リブ(25)の高さをＨとし、高さ（１／２）Ｈのとこ
ろのリブの幅をＷC、高さ（３／４）Ｈのところのリブ
の幅をＷM及び高さ（９／１０）Ｈのところのリブの幅
をＷTとするとき、 前記Ｈ、ＷC、ＷM及びＷTのそれぞれの（最大値又は最
小値−平均値）／平均値で表されるばらつきが５％以下
であって、Ｈ／ＷCで表されるアスペクト比が２〜１０
であることを特徴とするセラミックリブ。 - 【請求項９】 請求項１記載の方法で形成されたセラミ
ックキャピラリリブ(13)又は請求項２記載の方法で形成
されたセラミックキャピラリ層(22)及びセラミックキャ
ピラリリブ(23)を焼成したセラミックリブ(14)又は絶縁
層(24)上に形成されたセラミックリブ(25)を有するＦＰ
Ｄ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31601398A JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
| KR10-1999-0002869A KR100388698B1 (ko) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | 세라믹 캐필러리 리브 형성 방법, 그에 사용되는 세라믹 페이스트 및 그 형성 장치 |
| TW91103460A TWI245951B (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Blade for forming ceramic capillary rib, flat panel display having ceramic ribs, and plasma display panel having ceramic ribs and method of forming the same |
| TW88101396A TW498180B (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
| US09/240,858 US20020180353A1 (en) | 1998-01-30 | 1999-02-01 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
| US10/694,902 US20040085266A1 (en) | 1998-01-30 | 2003-10-29 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-18894 | 1998-01-30 | ||
| JP1889498 | 1998-01-30 | ||
| JP31601398A JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001356789A Division JP3528967B2 (ja) | 1998-01-30 | 2001-11-22 | セラミックキャピラリリブの形成方法 |
| JP2001356790A Division JP2002197980A (ja) | 1998-01-30 | 2001-11-22 | セラミックリブ及びこれを有するｆｐｄ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283497A true JPH11283497A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3387833B2 JP3387833B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=26355634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31601398A Expired - Fee Related JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387833B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133758A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
| JP2001229838A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-08-24 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用部材およびディスプレイ |
| FR2818798A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-06-28 | Thomson Multimedia Sa | Procede de fabrication d'un reseau de barrieres en materiau mineral sur une dalle pour panneau de visualisation a plasma |
| EP1221431A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Paste for forming ceramic ribs, production method for the same and forming method of ribs using the same |
| JP2002539581A (ja) * | 1999-03-10 | 2002-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バリヤーリブの形成方法 |
| EP1297937A2 (en) | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Blade for forming ribs in flat panel displays and its production method |
| WO2003071572A1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Paste for forming a barrier rib |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31601398A patent/JP3387833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539581A (ja) * | 1999-03-10 | 2002-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バリヤーリブの形成方法 |
| JP2001133758A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
| JP2001229838A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-08-24 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用部材およびディスプレイ |
| US7131880B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-11-07 | Thomson Licensing | Process for manufacturing barriers for a plasma display panel |
| FR2818798A1 (fr) * | 2000-12-22 | 2002-06-28 | Thomson Multimedia Sa | Procede de fabrication d'un reseau de barrieres en materiau mineral sur une dalle pour panneau de visualisation a plasma |
| WO2002052602A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Thomson Licensing S.A. | Process for manufacturing barriers for a plasma display panel |
| CN1307674C (zh) * | 2000-12-22 | 2007-03-28 | 汤姆森许可贸易公司 | 制造用于等离子体显示屏的隔板的方法 |
| EP1221431A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Paste for forming ceramic ribs, production method for the same and forming method of ribs using the same |
| EP1297937A2 (en) | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Blade for forming ribs in flat panel displays and its production method |
| KR100624829B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2006-09-18 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 리브 형성용 블레이드 및, 그것의 제조 방법 |
| US6872115B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-03-29 | Mitsubishi Material Corporation | Blade with comb teeth coated with a compound layer for forming ribs and its production method |
| CN100466144C (zh) * | 2001-09-27 | 2009-03-04 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 用于形成肋的叶片及其生产方法 |
| WO2003071572A1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Paste for forming a barrier rib |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3387833B2 (ja) | 2003-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000264677A (ja) | ガラス組成物、それを用いたペ−スト、グリ−ンシ−ト、絶縁体、ｐｄｐ用隔壁およびｐｄｐ | |
| JPH11283497A (ja) | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれに用いるペースト並びにブレード | |
| JP3941321B2 (ja) | ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びｆｐｄ | |
| JP2000095544A (ja) | ガラス組成物、それを用いたペ−スト、絶縁体、ｆｐｄ用隔壁および絶縁層 | |
| KR20060105443A (ko) | 유리 조성물 및 유리 페이스트 조성물 | |
| JP2001163635A (ja) | 隔壁形成用無鉛低融点ガラスおよびガラスセラミックス組成物 | |
| EP0008782B1 (en) | Process for providing overglaze for fired metallizations and ac plasma display panel comprising two overglazed substrates | |
| JPWO2017056793A1 (ja) | 感光性ガラスペースト及び電子部品 | |
| JP3528967B2 (ja) | セラミックキャピラリリブの形成方法 | |
| JP2002197980A (ja) | セラミックリブ及びこれを有するｆｐｄ | |
| JP2002274884A (ja) | セラミックリブを形成するためのペースト及びその製造方法並びにそれを用いたリブ状物の形成方法 | |
| JPH11100232A (ja) | プラズマディスプレー装置のバリアリブを作成するための複合材料および方法 | |
| JP2000185937A (ja) | セラミックキャピラリリブ形成用ペースト | |
| JP3427884B2 (ja) | セラミックリブを形成するためのペースト | |
| JP2002160940A (ja) | 隔壁形成用ガラス | |
| JPH10226584A (ja) | セラミックリブ及びその形成方法 | |
| JP2000185963A (ja) | セラミックキャピラリリブを形成するためのセラミックペースト | |
| JP2003020253A (ja) | ペーストの製造方法及びそれを用いたリブ状物の形成方法 | |
| KR100496404B1 (ko) | 전극 피복용 유리 조성물 및 전극 피복용 유리 형성용도료, 및 그것을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널과 그제조 방법 | |
| TW588023B (en) | PDP material controlled in moisture content | |
| JP3440988B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びこれに用いるセラミックペースト | |
| KR100653819B1 (ko) | 돌기체의 제조 방법 | |
| JP2000299055A (ja) | 基板表面にリブ状物を形成する方法及びその成形装置 | |
| JP2003242881A (ja) | バリアリブを形成するためのペースト | |
| JP3652872B2 (ja) | プラズマ表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021211 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |