JPH11284101A - 半導体装置用パッケ―ジおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用パッケ―ジおよびその製造方法Info
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- JPH11284101A JPH11284101A JP11019239A JP1923999A JPH11284101A JP H11284101 A JPH11284101 A JP H11284101A JP 11019239 A JP11019239 A JP 11019239A JP 1923999 A JP1923999 A JP 1923999A JP H11284101 A JPH11284101 A JP H11284101A
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- wiring pattern
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で、また気密性にも優れるプリモ
ールド型の半導体装置用パッケージおよびその効果的な
製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂基体３５の一方の面に、配線パター
ン３７およびチップ搭載部３６が形成されると共に、該
配線パターン３７およびチップ搭載部３６を囲む金属か
らなる枠状パターン３８が形成され、樹脂基体３５の他
方の面に、配線パターン３７と電気的に接続する複数の
端子４１が形成された配線基板３２と、該配線基板３２
の枠状パターン３８上にモールド成形された熱硬化性樹
脂からなる枠状のモールド部４５とを具備することを特
徴としている。
ールド型の半導体装置用パッケージおよびその効果的な
製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂基体３５の一方の面に、配線パター
ン３７およびチップ搭載部３６が形成されると共に、該
配線パターン３７およびチップ搭載部３６を囲む金属か
らなる枠状パターン３８が形成され、樹脂基体３５の他
方の面に、配線パターン３７と電気的に接続する複数の
端子４１が形成された配線基板３２と、該配線基板３２
の枠状パターン３８上にモールド成形された熱硬化性樹
脂からなる枠状のモールド部４５とを具備することを特
徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置用パッケ
ージおよびその製造方法に関する。
ージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、樹脂封止型半導体装置では、リー
ドフレームのチップ搭載部に半導体チップを搭載し、半
導体チップとリードとをワイヤにより電気的に接続した
後、半導体チップを封止樹脂により封止するのが一般的
である。上記とは逆に、リードフレームをインサートし
たインサート成形により、あらかじめ凹状のチップ搭載
部を有するモールド部を形成したプリモールドパッケー
ジと称されるパッケージがある。このパッケージでは、
チップ搭載部に半導体チップを搭載し、チップ搭載部の
周囲の配線パターンと半導体チップとの間をワイヤで電
気的に接続した後、チップ搭載部をリッド（蓋）で封止
して半導体装置として用いられる。昨今は、半導体チッ
プそのもののパッシベーション膜やリッドとモールドパ
ッケージをシールする接着剤の改善による気密性の向上
などから、後者の簡易なタイプのパッケージも種々の用
途に用いられている。
ドフレームのチップ搭載部に半導体チップを搭載し、半
導体チップとリードとをワイヤにより電気的に接続した
後、半導体チップを封止樹脂により封止するのが一般的
である。上記とは逆に、リードフレームをインサートし
たインサート成形により、あらかじめ凹状のチップ搭載
部を有するモールド部を形成したプリモールドパッケー
ジと称されるパッケージがある。このパッケージでは、
チップ搭載部に半導体チップを搭載し、チップ搭載部の
周囲の配線パターンと半導体チップとの間をワイヤで電
気的に接続した後、チップ搭載部をリッド（蓋）で封止
して半導体装置として用いられる。昨今は、半導体チッ
プそのもののパッシベーション膜やリッドとモールドパ
ッケージをシールする接着剤の改善による気密性の向上
などから、後者の簡易なタイプのパッケージも種々の用
途に用いられている。
【０００３】図１３は、上記後者のパッケージ１０の概
略を示す断面図であり、１２はリードフレーム、１４は
モールド部であって、図示のごとくあらかじめリードフ
レーム１２とモールド部１４とを一体化したパッケージ
として提供される。そして凹状のチップ搭載部１６に半
導体チップ１８が搭載され、ワイヤ２０によって半導体
チップ１８とリードフレーム１２との間が電気的に接続
され、接着剤１５でリッド２２を接合することによりチ
ップ搭載部１６をリッド２２で覆って半導体チップ１８
が封止され、ＤＩＰタイプあるいはガルウィングタイプ
等の半導体装置として使用される。
略を示す断面図であり、１２はリードフレーム、１４は
モールド部であって、図示のごとくあらかじめリードフ
レーム１２とモールド部１４とを一体化したパッケージ
として提供される。そして凹状のチップ搭載部１６に半
導体チップ１８が搭載され、ワイヤ２０によって半導体
チップ１８とリードフレーム１２との間が電気的に接続
され、接着剤１５でリッド２２を接合することによりチ
ップ搭載部１６をリッド２２で覆って半導体チップ１８
が封止され、ＤＩＰタイプあるいはガルウィングタイプ
等の半導体装置として使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記リ
ードフレームを用いた従来のパッケージでは次のような
課題がある。すなわち、簡易なパッケージではあるが、
通常の樹脂封止型半導体装置と同様に、トランスファー
等によるモールド部１４のモールド後、リード間に樹脂
の流れ出しを防止するために設けられたダムバー（図示
せず）を除去する工程、さらには、ダムバーまでのリー
ド間に流れ出た樹脂フラッシュを除去する工程が不可欠
であり、製造が厄介である。
ードフレームを用いた従来のパッケージでは次のような
課題がある。すなわち、簡易なパッケージではあるが、
通常の樹脂封止型半導体装置と同様に、トランスファー
等によるモールド部１４のモールド後、リード間に樹脂
の流れ出しを防止するために設けられたダムバー（図示
せず）を除去する工程、さらには、ダムバーまでのリー
ド間に流れ出た樹脂フラッシュを除去する工程が不可欠
であり、製造が厄介である。
【０００５】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、製造が
容易で、また気密性にも優れるプリモールド型の半導体
装置用パッケージおよびその製造方法を提供するにあ
る。
なされたものであり、その目的とするところは、製造が
容易で、また気密性にも優れるプリモールド型の半導体
装置用パッケージおよびその製造方法を提供するにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、樹脂基体の一方の面に、配
線パターンおよびチップ搭載部が形成されると共に、該
配線パターンおよびチップ搭載部を囲む金属からなる枠
状パターンが形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配
線パターンと電気的に接続する複数の端子が形成された
配線基板と、該配線基板の前記枠状パターン上にモール
ド成形された熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部と
を具備することを特徴としている。金属からなる枠状パ
ターンを介在させることで、樹脂基体とモールド部との
間の密着性は良好であり、気密性に優れる。銅層からな
る枠状パターンとすれば、さらに密着性が向上する。ま
たリードフレームを用いないので、ダムバー除去、樹脂
フラッシュの除去工程も不用となる。前記端子に外部接
続用のバンプを形成すると外部基板への表面実装が容易
にできるパッケージが提供できる。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体装置用パッケージでは、樹脂基体の一方の面に、配
線パターンおよびチップ搭載部が形成されると共に、該
配線パターンおよびチップ搭載部を囲む金属からなる枠
状パターンが形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配
線パターンと電気的に接続する複数の端子が形成された
配線基板と、該配線基板の前記枠状パターン上にモール
ド成形された熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部と
を具備することを特徴としている。金属からなる枠状パ
ターンを介在させることで、樹脂基体とモールド部との
間の密着性は良好であり、気密性に優れる。銅層からな
る枠状パターンとすれば、さらに密着性が向上する。ま
たリードフレームを用いないので、ダムバー除去、樹脂
フラッシュの除去工程も不用となる。前記端子に外部接
続用のバンプを形成すると外部基板への表面実装が容易
にできるパッケージが提供できる。
【０００７】本発明に係る半導体装置用パッケージの製
造方法では、樹脂基体の一方の面に、配線パターン、チ
ップ搭載部、および該配線パターンおよびチップ搭載部
を囲む金属からなる枠状パターンを形成する工程と、前
記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電気的に
接続する複数の端子を形成する工程と、前記枠状パター
ン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部をイン
ジェクションもしくはトランスファーによりモールド成
形する工程とを具備することを特徴としている。前記端
子に外部接続用のバンプを形成する工程を設けることが
できる。
造方法では、樹脂基体の一方の面に、配線パターン、チ
ップ搭載部、および該配線パターンおよびチップ搭載部
を囲む金属からなる枠状パターンを形成する工程と、前
記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電気的に
接続する複数の端子を形成する工程と、前記枠状パター
ン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部をイン
ジェクションもしくはトランスファーによりモールド成
形する工程とを具備することを特徴としている。前記端
子に外部接続用のバンプを形成する工程を設けることが
できる。
【０００８】さらに本発明に係る半導体装置用パッケー
ジでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよびチ
ップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンおよび
チップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状パターン
が形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配線パターン
と電気的に接続する複数の端子が形成された配線基板
と、該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形さ
れた熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備す
ることを特徴としている。熱硬化性樹脂からなる枠状パ
ターンを介在させることで、樹脂基体とモールド部との
間の密着性は良好であり、気密性に優れる。またリード
フレームを用いないので、ダムバー除去、樹脂フラッシ
ュの除去工程も不用となる。前記端子に外部接続用のバ
ンプを形成すると外部基板への表面実装が容易にできる
パッケージが提供できる。
ジでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよびチ
ップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンおよび
チップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状パターン
が形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配線パターン
と電気的に接続する複数の端子が形成された配線基板
と、該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形さ
れた熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備す
ることを特徴としている。熱硬化性樹脂からなる枠状パ
ターンを介在させることで、樹脂基体とモールド部との
間の密着性は良好であり、気密性に優れる。またリード
フレームを用いないので、ダムバー除去、樹脂フラッシ
ュの除去工程も不用となる。前記端子に外部接続用のバ
ンプを形成すると外部基板への表面実装が容易にできる
パッケージが提供できる。
【０００９】また本発明に係る半導体装置用パッケージ
の製造方法では、樹脂基体の一方の面に、配線パターン
およびチップ搭載部を形成する工程と、前記樹脂基体の
一方の面に、前記配線パターンおよびチップ搭載部を囲
んで熱硬化性樹脂からなる枠状パターンを形成する工程
と、前記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電
気的に接続する複数の端子を形成する工程と、前記枠状
パターン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部
をインジェクションもしくはトランスファーによりモー
ルド成形する工程とを具備することを特徴としている。
前記端子に外部接続用のバンプを形成する工程を設ける
ことができる。さらに、前記熱硬化性樹脂からなる枠状
パターンにＵＶを照射する工程を設けて、枠状パターン
を活性化するようにすると好適である。
の製造方法では、樹脂基体の一方の面に、配線パターン
およびチップ搭載部を形成する工程と、前記樹脂基体の
一方の面に、前記配線パターンおよびチップ搭載部を囲
んで熱硬化性樹脂からなる枠状パターンを形成する工程
と、前記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電
気的に接続する複数の端子を形成する工程と、前記枠状
パターン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部
をインジェクションもしくはトランスファーによりモー
ルド成形する工程とを具備することを特徴としている。
前記端子に外部接続用のバンプを形成する工程を設ける
ことができる。さらに、前記熱硬化性樹脂からなる枠状
パターンにＵＶを照射する工程を設けて、枠状パターン
を活性化するようにすると好適である。
【００１０】さらに本発明に係る半導体装置用パッケー
ジでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよびチ
ップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンおよび
チップ搭載部を囲む金属からなる枠状パターンが形成さ
れ、前記配線パターンに対応する部位の樹脂基体にホー
ルが開口された配線基板と、該配線基板の前記枠状パタ
ーン上にモールド成形された熱硬化性樹脂からなる枠状
のモールド部とを具備することを特徴としている。金属
からなる枠状パターンを介在させることで、樹脂基体と
モールド部との間の密着性は良好であり、気密性に優れ
る。銅層からなる枠状パターンとすれば、さらに密着性
が向上する。またリードフレームを用いないので、ダム
バー除去、樹脂フラッシュの除去工程も不用となる。ホ
ールから一部が突出して前記配線パターンに電気的に接
続された外部接続用のバンプを設けると、外部基板への
表面実装が容易にできるパッケージが提供できる。
ジでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよびチ
ップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンおよび
チップ搭載部を囲む金属からなる枠状パターンが形成さ
れ、前記配線パターンに対応する部位の樹脂基体にホー
ルが開口された配線基板と、該配線基板の前記枠状パタ
ーン上にモールド成形された熱硬化性樹脂からなる枠状
のモールド部とを具備することを特徴としている。金属
からなる枠状パターンを介在させることで、樹脂基体と
モールド部との間の密着性は良好であり、気密性に優れ
る。銅層からなる枠状パターンとすれば、さらに密着性
が向上する。またリードフレームを用いないので、ダム
バー除去、樹脂フラッシュの除去工程も不用となる。ホ
ールから一部が突出して前記配線パターンに電気的に接
続された外部接続用のバンプを設けると、外部基板への
表面実装が容易にできるパッケージが提供できる。
【００１１】さらにまた本発明に係る半導体装置用パッ
ケージでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよ
びチップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンお
よびチップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状パタ
ーンが形成され、前記配線パターンに対応する部位の樹
脂基体にホールが開口された配線基板と、該配線基板の
前記枠状パターン上にモールド成形された熱硬化性樹脂
からなる枠状のモールド部とを具備することを特徴とし
ている。ホールから一部が突出して前記配線パターンに
電気的に接続された外部接続用のバンプを設けると、外
部基板への表面実装が容易にできるパッケージが提供で
きる。また、各パッケージにおいて、前記モールド部に
より配線基板の側面をも覆うようにすると、透湿性を改
善できる。
ケージでは、樹脂基体の一方の面に、配線パターンおよ
びチップ搭載部が形成されると共に、該配線パターンお
よびチップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状パタ
ーンが形成され、前記配線パターンに対応する部位の樹
脂基体にホールが開口された配線基板と、該配線基板の
前記枠状パターン上にモールド成形された熱硬化性樹脂
からなる枠状のモールド部とを具備することを特徴とし
ている。ホールから一部が突出して前記配線パターンに
電気的に接続された外部接続用のバンプを設けると、外
部基板への表面実装が容易にできるパッケージが提供で
きる。また、各パッケージにおいて、前記モールド部に
より配線基板の側面をも覆うようにすると、透湿性を改
善できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は半導体装
置用パッケージ３０の一例を示す断面図である。３２は
配線基板である。配線基板３２は、ポリイミド樹脂フィ
ルム等の樹脂基体３５の一方の面上に、チップ搭載部３
６、配線パターン３７、さらにこのチップ搭載部３６お
よび配線パターン３７を囲むようにして形成された銅層
等からなる金属層あるいは熱硬化性樹脂層からなる枠状
パターン３８を有する。さらに樹脂基体３５を貫通して
設けたホールに導電性樹脂等の導電性材料が充填された
ビア４０、このビア４０を介して配線パターン３７と電
気的に接続された、樹脂基体３５の他方の面に形成され
た配線パターン４１およびこの配線パターン４１の端部
にランド状に形成された端子４１ａを有する。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は半導体装
置用パッケージ３０の一例を示す断面図である。３２は
配線基板である。配線基板３２は、ポリイミド樹脂フィ
ルム等の樹脂基体３５の一方の面上に、チップ搭載部３
６、配線パターン３７、さらにこのチップ搭載部３６お
よび配線パターン３７を囲むようにして形成された銅層
等からなる金属層あるいは熱硬化性樹脂層からなる枠状
パターン３８を有する。さらに樹脂基体３５を貫通して
設けたホールに導電性樹脂等の導電性材料が充填された
ビア４０、このビア４０を介して配線パターン３７と電
気的に接続された、樹脂基体３５の他方の面に形成され
た配線パターン４１およびこの配線パターン４１の端部
にランド状に形成された端子４１ａを有する。
【００１３】端子４１ａには必要に応じて外部接続用の
はんだバンプ等のバンプ４２が形成される。なお４３は
樹脂基体３５の他方の面を覆って形成されたソルダーレ
ジスト層である。配線基板３２は１層のものを例示した
が、多層のものに形成してもよい。またチップ搭載部３
６は必ずしも銅層でなくともよく、樹脂基体３５の表面
の部位そのものであってもよい。
はんだバンプ等のバンプ４２が形成される。なお４３は
樹脂基体３５の他方の面を覆って形成されたソルダーレ
ジスト層である。配線基板３２は１層のものを例示した
が、多層のものに形成してもよい。またチップ搭載部３
６は必ずしも銅層でなくともよく、樹脂基体３５の表面
の部位そのものであってもよい。
【００１４】次に４５は熱硬化性樹脂からなるモールド
部である。モールド部４５は、上記配線基板３２を成形
金型にインサートして、枠状パターン３８上に、インジ
ェクション法あるいはトランスファー法によりモールド
成形することによって、図示のような枠状のものに形成
される。図３に示すような金属層あるいは熱硬化性樹脂
層からなる枠状パターン３８を介在させることによっ
て、熱硬化性樹脂製のモールド部４５と樹脂基体３５と
の密着性は極めて良好である。
部である。モールド部４５は、上記配線基板３２を成形
金型にインサートして、枠状パターン３８上に、インジ
ェクション法あるいはトランスファー法によりモールド
成形することによって、図示のような枠状のものに形成
される。図３に示すような金属層あるいは熱硬化性樹脂
層からなる枠状パターン３８を介在させることによっ
て、熱硬化性樹脂製のモールド部４５と樹脂基体３５と
の密着性は極めて良好である。
【００１５】枠状パターン３８が金属層の場合、枠状パ
ターン３８と樹脂基体３５との間は、樹脂基体３５に金
属箔付きのポリイミドフィルムの２層（金属箔とポリイ
ミドフィルムが直接接着）あるいは３層（金属箔とポイ
イミドフィルムが接着剤層により接着）のもの、あるい
はプリント基板を用いることによって、密着性、したが
って気密性はもともと良好である。枠状パターン３８と
モールド部４５との間は、枠状パターン４５に金属層、
あるいは熱硬化性樹脂層からなるものを用いることによ
って両者間の密着性が極めて良好になることが判明し
た。
ターン３８と樹脂基体３５との間は、樹脂基体３５に金
属箔付きのポリイミドフィルムの２層（金属箔とポリイ
ミドフィルムが直接接着）あるいは３層（金属箔とポイ
イミドフィルムが接着剤層により接着）のもの、あるい
はプリント基板を用いることによって、密着性、したが
って気密性はもともと良好である。枠状パターン３８と
モールド部４５との間は、枠状パターン４５に金属層、
あるいは熱硬化性樹脂層からなるものを用いることによ
って両者間の密着性が極めて良好になることが判明し
た。
【００１６】特に金属層を銅層にすると、該銅層と熱硬
化性樹脂からなるモールド部４５との密着性は極めて良
好となる。枠状パターン３８が銅層からなるときは、銅
の表面に酸化膜が形成され、この酸化膜の存在が良好な
密着性を生じさせるものと考えられる。なお、モールド
部４５を熱可塑性樹脂製のものにした場合には良好な気
密性が得られなかった。
化性樹脂からなるモールド部４５との密着性は極めて良
好となる。枠状パターン３８が銅層からなるときは、銅
の表面に酸化膜が形成され、この酸化膜の存在が良好な
密着性を生じさせるものと考えられる。なお、モールド
部４５を熱可塑性樹脂製のものにした場合には良好な気
密性が得られなかった。
【００１７】枠状パターン３８が熱硬化性樹脂層からな
る場合には、やはり樹脂からなる樹脂基体３５との間の
密着性（接着性）は良好であるし、同じ熱硬化性樹脂
（例えばエポキシ樹脂）からなるモールド部４５との間
の密着性（接着性）も極めて良好である。熱硬化性樹脂
層からなる枠状パターン３８は、熱硬化性樹脂を樹脂基
体３５上に枠状に塗布することによって形成できる。こ
の場合、モールド部４５が熱硬化される際の熱によって
枠状パターン３８も同時に硬化されるのである。なお、
熱硬化性樹脂を樹脂基体３５上に枠状に塗布した際、該
枠状パターン３８にＵＶを照射することによって、熱硬
化性樹脂を活性化でき、これによってさらに両者間の密
着性を向上できる。なお、枠状パターン３８は必ずしも
連続したパターンでなくともよい。すなわち、樹脂基体
３５とモールド部４５との間に介在して両者間の密着性
を向上させうるだけの面積を有するパターンであれば不
連続であってもよい。
る場合には、やはり樹脂からなる樹脂基体３５との間の
密着性（接着性）は良好であるし、同じ熱硬化性樹脂
（例えばエポキシ樹脂）からなるモールド部４５との間
の密着性（接着性）も極めて良好である。熱硬化性樹脂
層からなる枠状パターン３８は、熱硬化性樹脂を樹脂基
体３５上に枠状に塗布することによって形成できる。こ
の場合、モールド部４５が熱硬化される際の熱によって
枠状パターン３８も同時に硬化されるのである。なお、
熱硬化性樹脂を樹脂基体３５上に枠状に塗布した際、該
枠状パターン３８にＵＶを照射することによって、熱硬
化性樹脂を活性化でき、これによってさらに両者間の密
着性を向上できる。なお、枠状パターン３８は必ずしも
連続したパターンでなくともよい。すなわち、樹脂基体
３５とモールド部４５との間に介在して両者間の密着性
を向上させうるだけの面積を有するパターンであれば不
連続であってもよい。
【００１８】配線基板３２は公知の手法によって形成で
きる。図２はその製造工程の一例を示す。まず片面金属
箔貼りのポリイミド樹脂フィルム３５の所要個所にレー
ザー光を照射してホール４０ａを形成し、このホール４
０ａ内に導電性材料を充填してビア４０を形成する（図
２ａ）。なお、金属箔を給電層として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓ
ｎまたはＰｂ−Ｓｎ等のめっきによりビア４０を形成し
てもよい。次いでフォトリソグラフィー法により金属箔
をエッチング加工して、チップ搭載部３６、配線パター
ン３７および枠状パターン３８を形成して配線基板３２
を形成する（図２ｂ）。図３はこの場合のパターンの一
例を示す平面図である。なお、チップ搭載部３６、配線
パターン３７および枠状パターン３８はめっきによる公
知のアディティブ法で形成してもよい。
きる。図２はその製造工程の一例を示す。まず片面金属
箔貼りのポリイミド樹脂フィルム３５の所要個所にレー
ザー光を照射してホール４０ａを形成し、このホール４
０ａ内に導電性材料を充填してビア４０を形成する（図
２ａ）。なお、金属箔を給電層として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓ
ｎまたはＰｂ−Ｓｎ等のめっきによりビア４０を形成し
てもよい。次いでフォトリソグラフィー法により金属箔
をエッチング加工して、チップ搭載部３６、配線パター
ン３７および枠状パターン３８を形成して配線基板３２
を形成する（図２ｂ）。図３はこの場合のパターンの一
例を示す平面図である。なお、チップ搭載部３６、配線
パターン３７および枠状パターン３８はめっきによる公
知のアディティブ法で形成してもよい。
【００１９】次に、ポリイミド樹脂フィルム３５の他方
の面に金属層を形成する。この金属層は金属箔を接着し
て形成してもよいし、無電解めっき、さらに電解めっき
を施す、アディティブ法によって所要厚さの金属層に形
成してもよい。この金属層を上記と同様にしてエッチン
グ加工し、配線パターン４１およびランド状の端子４１
ａを形成する。なお、枠状パターン３８を熱硬化性樹脂
層で形成するときは、適当な工程中で、ポリイミド樹脂
フィルム３５の周縁部に熱硬化性樹脂を塗布する工程
と、必要に応じてこの熱硬化性樹脂層にＵＶ光を照射す
る工程を設けるようにする。また、図２では１層のみの
配線基板３２の例を示したが、公知のビルドアップ法等
により多層に形成することもできる。この場合にあって
も最上層（一方の面）にチップ搭載部３６、配線パター
ン３７、枠状パターン３８を形成し、最下層（他方の
面）に配線パターン３７と電気的に接続する配線パター
ン４１および端子４１ａを形成するようにする。
の面に金属層を形成する。この金属層は金属箔を接着し
て形成してもよいし、無電解めっき、さらに電解めっき
を施す、アディティブ法によって所要厚さの金属層に形
成してもよい。この金属層を上記と同様にしてエッチン
グ加工し、配線パターン４１およびランド状の端子４１
ａを形成する。なお、枠状パターン３８を熱硬化性樹脂
層で形成するときは、適当な工程中で、ポリイミド樹脂
フィルム３５の周縁部に熱硬化性樹脂を塗布する工程
と、必要に応じてこの熱硬化性樹脂層にＵＶ光を照射す
る工程を設けるようにする。また、図２では１層のみの
配線基板３２の例を示したが、公知のビルドアップ法等
により多層に形成することもできる。この場合にあって
も最上層（一方の面）にチップ搭載部３６、配線パター
ン３７、枠状パターン３８を形成し、最下層（他方の
面）に配線パターン３７と電気的に接続する配線パター
ン４１および端子４１ａを形成するようにする。
【００２０】上記のようにして形成した配線基板３２を
金型内にインサートし、枠状パターン３８上にインジェ
クション法あるいはトランスファー法により、熱硬化性
樹脂によるモールド部４５をモールド成形してパッケー
ジとして完成する。なお、好適には端子４１ａの部位を
除くポリイミド樹脂フィルム３５の他方の面にソルダー
レジストを塗布してキュアすることによって保護膜４９
を形成する。なお、端子４１ａにはんだボール等からな
るバンプを形成してパッケージとしてもよい。
金型内にインサートし、枠状パターン３８上にインジェ
クション法あるいはトランスファー法により、熱硬化性
樹脂によるモールド部４５をモールド成形してパッケー
ジとして完成する。なお、好適には端子４１ａの部位を
除くポリイミド樹脂フィルム３５の他方の面にソルダー
レジストを塗布してキュアすることによって保護膜４９
を形成する。なお、端子４１ａにはんだボール等からな
るバンプを形成してパッケージとしてもよい。
【００２１】上記パッケージ３０のチップ搭載部３６上
に半導体チップ４６を搭載し、半導体チップ４６と配線
パターン３７とをワイヤ４７で電気的に接続し、リッド
４８でチップ搭載部３６を覆って半導体チップ４６を封
止することによって半導体装置に完成できる。リッド４
８は樹脂製または透明ガラス製のものを用い、接着剤に
よりモールド部４５に接合される。なお、モールド部４
５内にポッティング樹脂（図示せず）を充填して半導体
チップを封止するようにしてもよい。
に半導体チップ４６を搭載し、半導体チップ４６と配線
パターン３７とをワイヤ４７で電気的に接続し、リッド
４８でチップ搭載部３６を覆って半導体チップ４６を封
止することによって半導体装置に完成できる。リッド４
８は樹脂製または透明ガラス製のものを用い、接着剤に
よりモールド部４５に接合される。なお、モールド部４
５内にポッティング樹脂（図示せず）を充填して半導体
チップを封止するようにしてもよい。
【００２２】上記では単体のパッケージの製造方法で説
明したが、シート材を用いて複数個のパターンがつなが
った配線基板３２を先ず製造し、この状態でモールド部
４５をモールド成形し、最終的に単体のパッケージに切
り離してもよいし、フープ材を用いて連続的に配線基板
の製造およびモールド部のモールド成形をしてもよい。
明したが、シート材を用いて複数個のパターンがつなが
った配線基板３２を先ず製造し、この状態でモールド部
４５をモールド成形し、最終的に単体のパッケージに切
り離してもよいし、フープ材を用いて連続的に配線基板
の製造およびモールド部のモールド成形をしてもよい。
【００２３】図４はチップ搭載部３６、配線パターン３
７、枠状パターン３８の他のパターンの例を示す。この
パターンでは配線パターン３７の領域内にも枠状パター
ン３８が形成されている。斜線はモールド部４５が形成
される領域で、ワイヤボンディング部を除いて配線パタ
ーン３７上にもモールド部４５が形成されることを示し
ている。このようなパターンに形成することで、モール
ド部４５を内側にもってこれることからパッケージの小
型化が図れる。配線パターン３７の引回しの自由度も大
きくなる。
７、枠状パターン３８の他のパターンの例を示す。この
パターンでは配線パターン３７の領域内にも枠状パター
ン３８が形成されている。斜線はモールド部４５が形成
される領域で、ワイヤボンディング部を除いて配線パタ
ーン３７上にもモールド部４５が形成されることを示し
ている。このようなパターンに形成することで、モール
ド部４５を内側にもってこれることからパッケージの小
型化が図れる。配線パターン３７の引回しの自由度も大
きくなる。
【００２４】図５はチップ搭載部３６、配線パターン３
７、枠状パターン３８のさらに他のパターンを示す。こ
のパターンでは、枠状パターン３８の内縁部に切欠５０
を形成し、この切欠５０内に一部あるいは全部の配線パ
ターン３７の外縁部の部分が進入するようにパターン形
成している。この場合にも、モールド部４５を内側にも
ってこれることからパッケージの小型化が図れる。また
配線パターン３７の引回しの自由度も大きくなる。
７、枠状パターン３８のさらに他のパターンを示す。こ
のパターンでは、枠状パターン３８の内縁部に切欠５０
を形成し、この切欠５０内に一部あるいは全部の配線パ
ターン３７の外縁部の部分が進入するようにパターン形
成している。この場合にも、モールド部４５を内側にも
ってこれることからパッケージの小型化が図れる。また
配線パターン３７の引回しの自由度も大きくなる。
【００２５】図６は図１に示すパッケージ３０のさらに
他の製造方法を示す。本製造方法では両面金属箔付きの
樹脂基体３５（図６ａ）を用いる。まず一方の面の金属
箔をフォトリソグラフィーによりエッチング加工して、
チップ搭載部３６、配線パターン３７、枠状パターン３
８に形成する。枠状パターン３８は熱硬化性樹脂のパタ
ーンとしてもよい。チップ搭載部３６は直接樹脂基体３
５の表面としてもよい。また他方の面の金属箔を同様に
フォトリソグラフィーによりエッチング加工して端子４
１ａを有する配線パターン４１を形成する（図６ｂ）。
その際、両面の配線パターン３７、４１を電気的に接続
する部位となる配線パターン４１の部位にはホール４０
ａが形成されるようにエッチングする。
他の製造方法を示す。本製造方法では両面金属箔付きの
樹脂基体３５（図６ａ）を用いる。まず一方の面の金属
箔をフォトリソグラフィーによりエッチング加工して、
チップ搭載部３６、配線パターン３７、枠状パターン３
８に形成する。枠状パターン３８は熱硬化性樹脂のパタ
ーンとしてもよい。チップ搭載部３６は直接樹脂基体３
５の表面としてもよい。また他方の面の金属箔を同様に
フォトリソグラフィーによりエッチング加工して端子４
１ａを有する配線パターン４１を形成する（図６ｂ）。
その際、両面の配線パターン３７、４１を電気的に接続
する部位となる配線パターン４１の部位にはホール４０
ａが形成されるようにエッチングする。
【００２６】次にレーザーまたはエッチングにより、樹
脂基体３５にもホール４０ａを形成し、このホール４０
ａ内に導電性樹脂を充填してビア４０を形成し、両面の
配線パターン３７、４１を電気的に接続して配線基板３
２に形成する（図６ｃ）。次いで枠状パターン３８上に
前記と同様にして熱硬化性樹脂からなるモールド部４５
をモールド成形してパッケージとして完成する。さらに
好適には、端子４１ａの部位を除く樹脂基体３５の他方
の面にソルダーレジストを塗布し、キュアーして保護膜
としてもよい（図６ｄ）。なお端子４１ａにはんだボー
ル等からなるバンプを形成してパッケージとしてもよ
い。本工程においても、シート材を用いて複数個のパッ
ケージを同時に形成するようにしてもよいし、フープ材
を用いて連続的に配線基板を製造し、さらに連続してモ
ールド成形を行うようにすることもできる。
脂基体３５にもホール４０ａを形成し、このホール４０
ａ内に導電性樹脂を充填してビア４０を形成し、両面の
配線パターン３７、４１を電気的に接続して配線基板３
２に形成する（図６ｃ）。次いで枠状パターン３８上に
前記と同様にして熱硬化性樹脂からなるモールド部４５
をモールド成形してパッケージとして完成する。さらに
好適には、端子４１ａの部位を除く樹脂基体３５の他方
の面にソルダーレジストを塗布し、キュアーして保護膜
としてもよい（図６ｄ）。なお端子４１ａにはんだボー
ル等からなるバンプを形成してパッケージとしてもよ
い。本工程においても、シート材を用いて複数個のパッ
ケージを同時に形成するようにしてもよいし、フープ材
を用いて連続的に配線基板を製造し、さらに連続してモ
ールド成形を行うようにすることもできる。
【００２７】図７はパッケージ３０のさらに他の実施の
形態を示す。図１に示すものと同一の部材は同一の符号
を付し、説明を省略する。本実施形態では、樹脂基体３
５に形成されたホール４０ａ内に配線パターン３７の一
部が露出するようにされてパッケージ３０に完成され
る。ホール４０ａから一部が突出するようにして配線パ
ターン３７にはんだボール４２を直接接続してバンプを
形成したパッケージとしてもよい。
形態を示す。図１に示すものと同一の部材は同一の符号
を付し、説明を省略する。本実施形態では、樹脂基体３
５に形成されたホール４０ａ内に配線パターン３７の一
部が露出するようにされてパッケージ３０に完成され
る。ホール４０ａから一部が突出するようにして配線パ
ターン３７にはんだボール４２を直接接続してバンプを
形成したパッケージとしてもよい。
【００２８】図８は図７に示されるパッケージ３０の製
造工程を示す。まず片面金属箔（銅箔など）付きの樹脂
基体３５にレーザやエッチングによりホール４０ａを形
成する（図８ａ）。次にフォトリソグラフィーにより金
属箔をエッチングして、チップ搭載部３６、配線パター
ン３７、枠状パターン３８を形成して、配線基板３２に
形成する（図８ｂ）。枠状パターン３８は熱硬化性樹脂
によるパターンとしてもよい。チップ搭載部３６は直接
樹脂基体３５上としてもよい。なお、樹脂基体に予めプ
レス等によってホールを形成した後、樹脂基体に金属箔
を貼りつけ、次いでパターニングを行って配線基板に形
成するようにしてもよい（図示せず）。
造工程を示す。まず片面金属箔（銅箔など）付きの樹脂
基体３５にレーザやエッチングによりホール４０ａを形
成する（図８ａ）。次にフォトリソグラフィーにより金
属箔をエッチングして、チップ搭載部３６、配線パター
ン３７、枠状パターン３８を形成して、配線基板３２に
形成する（図８ｂ）。枠状パターン３８は熱硬化性樹脂
によるパターンとしてもよい。チップ搭載部３６は直接
樹脂基体３５上としてもよい。なお、樹脂基体に予めプ
レス等によってホールを形成した後、樹脂基体に金属箔
を貼りつけ、次いでパターニングを行って配線基板に形
成するようにしてもよい（図示せず）。
【００２９】次いで前記と同様にして枠状パターン３８
上に熱硬化性樹脂によるモールド部４５をモールド成形
してパッケージに完成する（図８ｃ）。さらに必要に応
じてバンプを形成する。本工程においても、シート材を
用いて複数個のパッケージを同時に形成するようにして
もよいし、フープ材を用いて連続的に配線基板を製造
し、さらに連続してモールド成形を行うようにすること
もできる。
上に熱硬化性樹脂によるモールド部４５をモールド成形
してパッケージに完成する（図８ｃ）。さらに必要に応
じてバンプを形成する。本工程においても、シート材を
用いて複数個のパッケージを同時に形成するようにして
もよいし、フープ材を用いて連続的に配線基板を製造
し、さらに連続してモールド成形を行うようにすること
もできる。
【００３０】図９は図７に示すパッケージ３０のさらに
他の実施の形態を示す。同一の部材は同一の符号を付
し、説明を省略する。なお、図９では配線パターン３７
が枠状パターン３８と重なっている。枠状パターン３８
が熱硬化性樹脂からなるときは配線パターン３７のパタ
ーン間の絶縁性は確保されるから、配線パターン３７上
に直接枠状パターン３８が形成されていてもよいが、枠
状パターン３８が銅等の金属層からなるときは、図４あ
るいは図５に示すような、配線パターン３７と直接には
接触しないパターンとすることはもちろんである。
他の実施の形態を示す。同一の部材は同一の符号を付
し、説明を省略する。なお、図９では配線パターン３７
が枠状パターン３８と重なっている。枠状パターン３８
が熱硬化性樹脂からなるときは配線パターン３７のパタ
ーン間の絶縁性は確保されるから、配線パターン３７上
に直接枠状パターン３８が形成されていてもよいが、枠
状パターン３８が銅等の金属層からなるときは、図４あ
るいは図５に示すような、配線パターン３７と直接には
接触しないパターンとすることはもちろんである。
【００３１】本実施の形態では、モールド部４５をモー
ルド成形する際、配線基板３２の側面および表面側（他
方の面）の全部を覆うモールド部４５ａも一体に成形さ
れるようにする。このように、特に配線基板３２の側面
をモールド部４５ａで覆うことにより、側面からの透湿
を効果的に防止することができる。またモールド部４５
と配線基板３２の物理的な結合も加わるから両者の密着
性も向上する。図１０は、モールド部４５ａにより配線
基板３２の側面の全部と表面の一部を覆うようにしたパ
ッケージ３０をを示すが、この場合にも図９に示すのと
同様の効果を有する。
ルド成形する際、配線基板３２の側面および表面側（他
方の面）の全部を覆うモールド部４５ａも一体に成形さ
れるようにする。このように、特に配線基板３２の側面
をモールド部４５ａで覆うことにより、側面からの透湿
を効果的に防止することができる。またモールド部４５
と配線基板３２の物理的な結合も加わるから両者の密着
性も向上する。図１０は、モールド部４５ａにより配線
基板３２の側面の全部と表面の一部を覆うようにしたパ
ッケージ３０をを示すが、この場合にも図９に示すのと
同様の効果を有する。
【００３２】図１１は図１に示すパッケージ３０のさら
に他の実施の形態を示す。同一の部材は同一の符号を付
し、説明を省略する。なお、図１１では配線パターン３
７が枠状パターン３８と重なっている。枠状パターン３
８が熱硬化性樹脂からなるときは配線パターン３７のパ
ターン間の絶縁性は確保されるから、配線パターン３７
上に直接枠状パターン３８が形成されていてもよいが、
枠状パターン３８が銅等の金属層からなるときは、図４
あるいは図５に示すような、配線パターン３７と直接に
は接触しないパターンとすることはもちろんである。
に他の実施の形態を示す。同一の部材は同一の符号を付
し、説明を省略する。なお、図１１では配線パターン３
７が枠状パターン３８と重なっている。枠状パターン３
８が熱硬化性樹脂からなるときは配線パターン３７のパ
ターン間の絶縁性は確保されるから、配線パターン３７
上に直接枠状パターン３８が形成されていてもよいが、
枠状パターン３８が銅等の金属層からなるときは、図４
あるいは図５に示すような、配線パターン３７と直接に
は接触しないパターンとすることはもちろんである。
【００３３】本実施の形態でも、モールド部４５をモー
ルド成形する際、配線基板３２の側面および表面側（他
方の面）の全部を覆うモールド部４５ａも一体に成形さ
れるようにしている。したがって、図１におけるソルダ
ーレジスト層４３は省略できる。このように、特に配線
基板３２の側面をモールド部４５ａで覆うことにより、
側面からの透湿性をさらに改善できる。またモールド部
４５と配線基板３２の物理的な結合も加わるから両者の
密着性も向上する。図１２は、モールド部４５ａにより
配線基板３２の側面の全部と表面の一部（配線パターン
４１の存在する領域）を覆うようにしたパッケージ３０
をを示すが、この場合にも図１１に示すのと同様の効果
を有する。
ルド成形する際、配線基板３２の側面および表面側（他
方の面）の全部を覆うモールド部４５ａも一体に成形さ
れるようにしている。したがって、図１におけるソルダ
ーレジスト層４３は省略できる。このように、特に配線
基板３２の側面をモールド部４５ａで覆うことにより、
側面からの透湿性をさらに改善できる。またモールド部
４５と配線基板３２の物理的な結合も加わるから両者の
密着性も向上する。図１２は、モールド部４５ａにより
配線基板３２の側面の全部と表面の一部（配線パターン
４１の存在する領域）を覆うようにしたパッケージ３０
をを示すが、この場合にも図１１に示すのと同様の効果
を有する。
【００３４】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、製造が
容易で、また気密性にも優れるプリモールド型の半導体
装置用パッケージおよびその効果的な製造方法を提供で
きる。
容易で、また気密性にも優れるプリモールド型の半導体
装置用パッケージおよびその効果的な製造方法を提供で
きる。
【図１】半導体装置用パッケージの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１のパッケージの製造工程の一例を示す説明
図である。
図である。
【図３】樹脂基体の一方の面に形成したパターンの一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】樹脂基体の一方の面に形成したパターンの他の
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図５】樹脂基体の一方の面に形成したパターンのさら
に他の例を示す説明図である。
に他の例を示す説明図である。
【図６】さらに他の半導体装置用パッケージの製造工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図７】さらに他の半導体装置用パッケージの例を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】図７に示すパッケージの製造工程を示す説明図
である。
である。
【図９】配線基板の側面をモールド部で覆った例を示す
断面説明図である。
断面説明図である。
【図１０】配線基板の側面をモールド部で覆った例を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図１１】配線基板の側面をモールド部で覆った例を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図１２】配線基板の側面をモールド部で覆った例を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図１３】従来のパッケージの例を示す断面図である。
３０ 半導体装置用パッケージ ３２ 配線基板 ３５ 樹脂基体 ３６ チップ搭載部 ３７ 配線パターン ３８ 枠状パターン ４０ ビア ４１ 配線パターン ４１ａ 端子 ４２ バンプ ４３ ソルダーレジスト ４５、４５ａ モールド部 ４６ 半導体チップ ４７ ワイヤ ４８ リッド ４９ 保護膜
Claims (14)
- 【請求項１】 樹脂基体の一方の面に、配線パターンお
よびチップ搭載部が形成されると共に、該配線パターン
およびチップ搭載部を囲む金属からなる枠状パターンが
形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと
電気的に接続する複数の端子が形成された配線基板と、 該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形された
熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備するこ
とを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 前記端子に外部接続用のバンプが形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用
パッケージ。 - 【請求項３】 樹脂基体の一方の面に、配線パターン、
チップ搭載部、および該配線パターンおよびチップ搭載
部を囲む金属からなる枠状パターンを形成する工程と、 前記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電気的
に接続する複数の端子を形成する工程と、 前記枠状パターン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモ
ールド部をインジェクションもしくはトランスファーに
よりモールド成形する工程とを具備することを特徴とす
る半導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 前記端子に外部接続用のバンプを形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装
置用パッケージの製造方法。 - 【請求項５】 樹脂基体の一方の面に、配線パターンお
よびチップ搭載部が形成されると共に、該配線パターン
およびチップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状パ
ターンが形成され、樹脂基体の他方の面に、前記配線パ
ターンと電気的に接続する複数の端子が形成された配線
基板と、 該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形された
熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備するこ
とを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項６】 前記端子に外部接続用のバンプが形成さ
れていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置用
パッケージ。 - 【請求項７】 樹脂基体の一方の面に、配線パターンお
よびチップ搭載部を形成する工程と、 前記樹脂基体の一方の面に、前記配線パターンおよびチ
ップ搭載部を囲んで熱硬化性樹脂からなる枠状パターン
を形成する工程と、 前記樹脂基体の他方の面に、前記配線パターンと電気的
に接続する複数の端子を形成する工程と、 前記枠状パターン上に、熱硬化性樹脂からなる枠状のモ
ールド部をインジェクションもしくはトランスファーに
よりモールド成形する工程とを具備することを特徴とす
る半導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項８】 前記端子に外部接続用のバンプを形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装
置用パッケージの製造方法。 - 【請求項９】 前記熱硬化性樹脂からなる枠状パターン
にＵＶを照射する工程を含むことを特徴とする請求項７
または８記載の半導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項１０】 樹脂基体の一方の面に、配線パターン
およびチップ搭載部が形成されると共に、該配線パター
ンおよびチップ搭載部を囲む金属からなる枠状パターン
が形成され、前記配線パターンに対応する部位の樹脂基
体にホールが開口された配線基板と、 該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形された
熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備するこ
とを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項１１】 前記ホールから一部が突出して前記配
線パターンに電気的に接続された外部接続用のバンプを
有することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置用
パッケージ。 - 【請求項１２】 樹脂基体の一方の面に、配線パターン
およびチップ搭載部が形成されると共に、該配線パター
ンおよびチップ搭載部を囲む熱硬化性樹脂からなる枠状
パターンが形成され、前記配線パターンに対応する部位
の樹脂基体にホールが開口された配線基板と、 該配線基板の前記枠状パターン上にモールド成形された
熱硬化性樹脂からなる枠状のモールド部とを具備するこ
とを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項１３】 前記ホールから一部が突出して前記配
線パターンに電気的に接続された外部接続用のバンプを
有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置用
パッケージ。 - 【請求項１４】 前記モールド部は前記配線基板の側面
を覆って形成されていることを特徴とする請求項１、
２、５、６、１０、１１、１２または１３記載の半導体
装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01923999A JP3542297B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-28 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-19489 | 1998-01-30 | ||
| JP1948998 | 1998-01-30 | ||
| JP01923999A JP3542297B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-28 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284101A true JPH11284101A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3542297B2 JP3542297B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=26356072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01923999A Expired - Fee Related JP3542297B2 (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-28 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3542297B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288838B2 (en) | 2003-04-16 | 2007-10-30 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Circuit board for mounting a semiconductor chip and manufacturing method thereof |
| JP2007329249A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光装置及びその製造方法 |
| JP2008252148A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Nichia Corp | 発光装置用のパッケージ及びその製造方法 |
| JP2012049577A (ja) * | 2007-02-15 | 2012-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | パッケージ基板及びその製造方法 |
| US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
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