JPH11284108A - 変換モジュール - Google Patents

変換モジュール

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JPH11284108A
JPH11284108A JP10080988A JP8098898A JPH11284108A JP H11284108 A JPH11284108 A JP H11284108A JP 10080988 A JP10080988 A JP 10080988A JP 8098898 A JP8098898 A JP 8098898A JP H11284108 A JPH11284108 A JP H11284108A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的簡単にかつ高コスト化を伴うことなく
入替接続を行うことができる構造を持ち、しかも接続信
頼性に優れた変換モジュールを提供すること。 【解決手段】 この変換モジュール1は、変換基板3に
半導体パッケージ装着用のソケット基板4を搭載したも
のである。I/Oピン24,24aを挿通可能な複数の
挿通孔41,42,43と、導体パターン38とを備え
る絶縁基材36が、両基板3,4間に配置される。導体
パターン38の一次側端には、有ランド挿通孔41の開
口縁にあるランド44が接続される。入替接続を要する
特定のI/Oピン24Aは、入替接続を要しない他のI
/Oピン24よりも短く形成される。特定のI/Oピン
24Aは有ランド挿通孔41に挿通されかつはんだ付け
される。導体パターン38の二次側端と変換基板3側の
入替接続用導体部8aとは、導電体S1 を介して接続さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は変換モジュールに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】パーソナルコンピュータ内のマザーボー
ドには、CPU(中央処理装置)としての機能を有する
半導体パッケージがソケットを介して搭載されている。
このような半導体パッケージとしては、現在のところ、
片側面に多数のI/Oピンが立設されたPGA(ピング
リッドアレイ)タイプが主流を占めている。
【0003】ところで、パーソナルコンピュータのユー
ザーは、処理の高速化を目的としたアップグレードを望
む場合がある。この場合、ソケットから既存の半導体パ
ッケージを取り外し、より高機能な半導体パッケージを
新たに搭載することが必要になる。その際、高機能な半
導体パッケージを複数基板からなる変換モジュールに装
着したうえでマザーボードのソケットに間接的に実装す
ることがよいと提唱されている。
【0004】従来の変換モジュールとしては、ソケット
基板及び変換基板をその主要な構成要素としたものが提
案されている。変換基板(例えば両面板)には複数のめ
っきスルーホールが設けられており、それらの下面側開
口部には外部接続用ピンの基端部が挿入されている。な
お、これらの外部接続用ピンはマザーボードのソケット
に対して嵌脱される。ソケット基板は複数のI/Oピン
を備えている。これらのI/Oピンは、ソケット基板の
裏面側において前記複数のめっきスルーホールに対応し
た箇所に突設されている。各I/Oピンは各めっきスル
ーホールに挿入されかつはんだ付けされ、これによりソ
ケット基板側と変換基板側との電気的な導通が図られ
る。また、ソケット基板のI/Oピンは自身の上端面に
挿通穴を持つソケット状ピンであるため、そこには半導
体パッケージのI/Oピンが嵌合される。従って、この
ような変換モジュールを用れば、半導体パッケージをマ
ザーボード側に適合させることができ、そのパッケージ
本来の性能が発揮されやすくなると考えられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近ではよ
り大幅なアップグレードのための変換モジュール構造と
して、めっきスルーホール群によって包囲される領域に
半導体パッケージ等の信号変換素子を実装し、同素子に
より信号変換を行わせるものが提案されるに至ってい
る。しかしながら、このような構造を採用した場合、特
定のI/Oピンについて入替接続を行う必要が生じる。
即ち、当該特定のI/Oピンについては、対応するめっ
きスルーホールを介して外部接続用ピンに直接導通させ
ずに、いったん信号変換素子の入力側に接続してその出
力側から変換信号を得るためである。上記のような入替
接続を実現する手段としては、特定のI/Oピンと信号
変換素子の入力側とを、例えばリード線を介して用いて
電気的に接続するという方法が考えられる。
【0006】ところが、リード線を用いたこの手法で
は、一連の煩雑な作業(所定長さに切断、絶縁被覆の剥
離、予備はんだ付け、位置決め及びはんだ付け)が要求
され、作業性に劣るものとなる。特に、半導体パッケー
ジのファイン化・多ピン化が進むと、位置決め作業自体
も困難になることが予想され、さらに接続信頼性の低下
にもつながることが予想される。
【0007】また、変換基板自体を多層化するという手
法や、変換基板にビルドアップ層を形成するという手法
によって入替接続を実現しようとすると、高コスト化を
招くという問題がある。従って、低コスト化に対する要
求に応じるためには、両面板のように極力単純な構造の
変換基板を使用すべきと考えられている。
【0008】さらに、入替接続を行うべき箇所が複数あ
る場合や、入替接続の経路が複雑かつ長くなる場合等に
適した変換モジュール構造への要望も、今後高くなるこ
とが予想される。
【0009】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、比較的簡単にかつ高コスト
化を伴うことなく入替接続を行うことができる構造を持
ち、しかも接続信頼性に優れた変換モジュールを提供す
ることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、信号変換素子を有し
かつ複数のめっきスルーホールが設けられた変換基板
に、前記複数のめっきスルーホールに対応した箇所にI
/Oピンが突設された半導体パッケージ装着用ソケット
基板が搭載され、前記めっきスルーホールに前記I/O
ピンを挿入することにより両基板同士が電気的に接続さ
れている変換モジュールにおいて、前記I/Oピンを挿
通可能な複数の挿通孔と、導体パターンとを備える絶縁
基材が前記両基板間に配置され、前記導体パターンの一
次側端には、前記複数の挿通孔のうちの少なくとも一部
を占める有ランド挿通孔の開口縁にあるランドが接続さ
れ、入替接続を要する特定のI/Oピンが入替接続を要
しない他のI/Oピンよりも短く形成されるとともに、
その特定のI/Oピンが前記有ランド挿通孔に挿通され
かつはんだ付けされ、前記導体パターンの二次側端と前
記変換基板側の入替接続用導体部とが導電体を介して接
続されていることを特徴とする変換モジュールをその要
旨とする。
【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記絶縁基材は少なくとも前記ソケット基板におけ
るピン形成エリアに匹敵する面積を有し、前記ピン形成
エリアの外周部における複数箇所には、前記特定のI/
Oピンが挿通される有ランド挿通孔とは別個に有ランド
挿通孔が配置され、それらの有ランド挿通孔には入替接
続を有しないI/Oピンが挿通されかつはんだ付けされ
ているとした。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2において、前記絶縁基材の略中央部には前記信号変換
素子に対応してそれよりも大きな貫通部が形成され、そ
の貫通部の開口縁にまで延びる前記導体パターンの二次
側端にはパッドが形成され、そのパッドと前記入替接続
用導体部とがはんだ付けされているとした。
【0013】以下、本発明の「作用」を説明する。請求
項1〜3に記載の発明によると、前記特定のI/Oピン
及び変換基板側の入替接続用導体部が有ランド挿通孔、
導体パターン及び導電体を介して電気的に接続される結
果、その特定のピンについての入替接続が行われる。絶
縁基材にはあらかじめ所定の導体パターンが形成されて
いるため、例えばリード線を用いた場合とは異なり、所
定長さに切断したり絶縁被覆を剥離する等、面倒な作業
が不要となる。また、ソケット基板の各I/Oピンを各
挿通孔に挿通させた場合、絶縁基材は両基板間において
面方向に位置ずれ不能な状態に保持されるため、その位
置決め自体が極めて容易になる。以上のことから本発明
によると、入替接続を比較的簡単に行うことができると
ともに、接続信頼性に優れたものとなる。
【0014】また、入替接続を要しない他のI/Oピン
については、対応する個々のめっきスルーホールの開口
部に挿入されかつ同めっきスルーホールとの導通が図ら
れる。その反面、入替接続を要する特定のI/Oピンは
短く形成されているので、対応するめっきスルーホール
の開口部に挿入されることはなく、同めっきスルーホー
ルから離間して非導通の状態となる。従って、直接導通
によるショートが未然に回避される。
【0015】さらに、本発明であると変換基板が両面板
等のような単純な構造のもので足りることとなり、多層
板やビルドアップ層に頼って入替接続を行う必要がなく
なる。よって、高コスト化が確実に回避される。
【0016】請求項2に記載の発明によると、ピン形成
エリアの外周部分における複数箇所にあるI/Oピンが
有ランド挿通孔にはんだ付けされる結果、絶縁基材が両
基板間において確実に固定され、これにより信頼性がよ
り向上する。なお、ピン形成エリアの外周部であると、
はんだ付けを比較的容易に行うことができる。また、ピ
ン形成エリアに匹敵する面積の絶縁基材であるため、複
数の導体パターンや、複雑かつ長い導体パターン等の形
成のためのスペースが充分に存在している。従って、入
替接続を行うべき箇所が複数ある場合や、入替接続の経
路が複雑かつ長くなる場合等に適した変換モジュール構
造とすることができる。
【0017】請求項3に記載の発明によると、導体パタ
ーンの二次側端と入替接続用導体部とを電気的に接続す
るに際してはんだ付けのみで足りるため、絶縁基材と変
換基板とをつなぐピン等の構成を省略することができ
る。よって、部品点数の増加を回避することができ、そ
れによる低コスト化を達成することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のPGA用変換モジュール1を図1〜図5に基づき
詳細に説明する。
【0019】図1,図2に示されるように、この実施形
態の変換モジュール1は、PGA2を信号変換を行なっ
たうえでマザーボードMBに搭載するための装置であ
る。変換モジュール1は複数の基板、即ち変換基板3及
びソケット基板4をその主要な構成要素としている。
【0020】変換基板3は、矩形状をしたリジッドな両
面板である。同変換基板3は、複数のめっきスルーホー
ル5を略ロ字状に配置してなるめっきスルーホール群を
備えている。図5に示されるように、各めっきスルーホ
ール5は一定のピッチで格子状に配置されている。勿
論、格子状ではなく千鳥状に配置されていてもよい。図
4に示されるように、各々のめっきスルーホール5の下
面側開口部には、外部接続用ピン6の基端部が挿入され
ている。このピン6ははんだ付けにより接合されていて
もよい。
【0021】めっきスルーホール群によって包囲される
略正方形状の領域には、1つのダイパッド7とそれを取
り囲む複数のパッド8とが形成されている。ダイパッド
7上には、信号変換素子としての信号変換用QFP(ク
アッドフラットパッケージ)9が表面実装されている。
QFP9の各リードは、各パッド8に対して導電性材料
であるはんだS1 を用いて接合されている。なお、前記
パッド8のうちの1つは、入替接続用導体部としての入
替接続用パッド8aとして割り当てられている。
【0022】変換基板3の上面側においてスルーホール
群により包囲されていない領域には、電子部品接続用の
パッド10が形成されている。かかるパッド10にはD
IP(デュアルインラインパッケージ)11が表面実装
されている。変換基板3の下面側にも電子部品接続用パ
ッド12が形成されていて、そこにはチップ抵抗13が
表面実装されている。これらの電子部品11,13も、
各パッド10,12に対していずれもはんだS1 を用い
て接合されている。また、この変換基板3の上面及び下
面には、図示しない導体パターンが形成されている。上
記の導体パターンは、めっきスルーホール5のランド5
a,5b、QFP9及び電子部品11,13の相互間を
電気的に接続している。
【0023】この変換基板3にはミニバイアホール15
が形成されている。ここでミニバイアホール15とは、
ピン挿通及び表裏の導通を目的とした通常のめっきスル
ーホールよりも小径(数10μmφ)であって、表裏の
導通のみを目的とするものを指す。変換基板3の上下面
を貫通するミニバイアホール15の上端には、前記パッ
ド8のうち前記変換信号が出力される側に該当するもの
(図1の8b参照)が電気的に接続されている。
【0024】次に、ソケット基板4の構成について説明
する。図1,図2に示されるように、ソケット基板4を
構成する絶縁基材21は正方形状かつ枠状をしていて、
その外形の大きさは被搭載物であるPGA2の大きさに
ほぼ等しい。絶縁基材21は正方形状の中央孔22を備
えている。このような中央孔22を設けた理由は、QF
P9の収容スペースを確保するため、はんだ付けを容易
に行うため、及びQFP9の発する熱を効率よく放散す
るためである。従って、前記中央孔22は、QFP9に
対応する位置において当該QFP9よりも若干大きめに
形成されることがよい。
【0025】中央孔22の周囲には、断面円形状であっ
てその中央孔22よりも遙かに小径のピン挿通孔23が
多数かつ格子状に形成されている。各ピン挿通孔23に
はソケット状I/Oピン24がそれぞれ挿通されてい
る。同I/Oピン24の下端部は、絶縁基材21の裏面
側(下面側)から突出している。各ソケット状I/Oピ
ン24には、軸線方向に沿って延びる挿通穴25が形成
されている。この挿通穴25にはPGA2側のI/Oピ
ン26が挿抜可能である。即ち、同ソケット基板4はP
GA2が着脱可能な構造を表面側(上面側)に有してい
る。
【0026】説明の便宜上、ソケット状I/Oピン24
のうち、入替接続を要する特定のI/Oピンを24Aで
表わし、入替接続を要しないその他のI/Oピン24と
区別する。また、特定のI/Oピン24Aに対応するめ
っきスルーホールを5Aで表わし、それ以外のめっきス
ルーホール5と区別する。
【0027】めっきスルーホール5Aの下面側開口部の
ランド5Abと、上述のミニバイアホール15の下端と
は、導体パターン16により導通されている。従って、
QFP9の出力側と前記ランド5Abとは電気的に接続
されている。
【0028】図2に示されるように、前記特定のI/O
ピン24Aの小径部は、他のI/Oピン24の小径部に
比べていくぶん短く形成されている。従って、入替接続
を要しない他のI/Oピン24をめっきスルーホール5
の上面側開口部に挿入した場合であっても、特定のI/
Oピン24Aについては、対応するめっきスルーホール
5Aの上面側開口部に挿入されることがない。このと
き、特定のI/Oピン24Aは、同めっきスルーホール
5Aの上面側開口部のランド5Aaから離間した状態と
なる。
【0029】前記特定のI/Oピン24Aは、例えば入
替接続を要しないその他のI/Oピン24の小径部を所
定長さだけ切断することで得ることができる。勿論、長
さの異なる2種類のI/Oピン24,24Aをあらかじ
め作製しておき、それらを用いても構わない。
【0030】図1に示されるように、マザーボードMB
にはあらかじめソケット30がはんだ付けによって脱着
不能に固定されており、変換モジュール1はこのソケッ
ト30の上面側に搭載された状態で使用される。このと
き、外部接続用ピン6は、ソケット30の有するソケッ
ト状ピン31の挿通穴に挿通される。なお、部品交換を
行う際の便宜を図るため、当該接続部位にははんだ付け
がなされない。
【0031】本実施形態の変換モジュール1は、変換基
板3及びソケット基板4に加えて、さらに絶縁基材36
をその構成要素としている。以下、その絶縁基材36の
構造について説明する。
【0032】図3に示されるように、本実施形態の絶縁
基材36は正方形状かつリジッドなものであって、ソケ
ット基板4におけるピン形成エリアに匹敵する面積を有
している。また、その厚さは0.8mm程度である。前記
絶縁基材36の略中央部には、QFP9に対応してそれ
よりも大きな正方形状の貫通部37が形成されている。
この絶縁基材36は、片側面にのみ導体パターン38を
備える、いわゆる片面板である(図4(a) 参照)。前記
導体パターン38は、従来公知の手法(例えばエッチン
グ法等)によって形成されたものである。
【0033】絶縁基材36はI/Oピン24,24Aを
挿通可能な多数の挿通孔41,42,43を備えてい
る。これらの挿通孔41〜43はI/Oピン24,24
Aに対応して格子状に配列されている。
【0034】多数ある挿通孔41〜43のうち、特定の
I/Oピン24Aのある位置に対応するもの1つは、そ
の上面側開口縁に円形状のランド44を有する挿通孔
(即ち有ランド挿通孔41)である。
【0035】ピン形成エリアの外周部における複数箇
所、具体的には同エリアの各コーナー部には、特定のI
/Oピン24Aが挿通される有ランド挿通孔41とは別
個に有ランド挿通孔42が4つ配置されている。これら
の有ランド挿通孔42も、上面側開口縁に円形状のラン
ド44を有している。
【0036】そして、これらの有ランド挿通孔41,4
2以外のものについては、いずれの開口縁にもランド4
4を有しない無ランド挿通孔43となっている。なお、
図4(b)に示されるように、有ランド挿通孔41,4
2の内壁面に例えば銅めっき層G1 があるスルーホール
状の構造を採用してもよい。この場合には両面板からな
る絶縁基材36Aとなる。
【0037】図2〜図4に示されるように、導体パター
ン38の一次側端は有ランド挿通孔41のランド44に
接続されている。導体パターン38の二次側端は貫通部
37の開口縁にまで直線的に延びており、そこには矩形
状のパッド45が形成されている。
【0038】図2に示されるように、導体パターン38
を備える絶縁基材36は、両基板3,4間に配置された
状態で使用される。その際、絶縁基材36のパターン形
成面はソケット基板4側に向けられる。両基板3,4間
に配置された絶縁基材36は、挿通孔41〜43に対す
る各I/Oピン24,24Aの挿通により、自身の面方
向へ位置ずれ不能な状態に保持される。このような位置
決め状態においては、図5に示されるようにパッド45
は、ちょうど変換基板3上の入替接続用パッド8aに対
応した位置をとる。
【0039】有ランド挿通孔41には、特定のI/Oピ
ン24Aの先端が挿通され、かつ両者24A,41は導
電体であるはんだS1 を用いたはんだ付けにより接合さ
れている。有ランド挿通孔42には、ピン形成エリアの
コーナー部にある4本のI/Oピン24の先端が同じく
挿通されかつはんだ付けされている。同様に導体パター
ン38の二次側端にあるパッド45と入替接続用パッド
8aとが、はんだS1からなる板間接続部46を介して
接合されている。
【0040】なお、無ランド挿通孔43には、入替接続
を有しない他のI/Oピン24がはんだ付けを伴うこと
なく単に挿通されている。次に、この変換モジュール1
を製造する方法の一例を紹介する。
【0041】まず、変換基板3、ソケット基板4及び絶
縁基材36をあらかじめ作製しておく。変換基板3は、
例えばガラスエポキシ製絶縁基材の両面に銅箔を貼着し
てなる銅箔積層板を出発材料とし、サブトラクティブ法
等のような従来公知のパターン形成を行うことで得るこ
とができる。それにより、まずめっきスルーホール5,
5A、ミニバイアホール15、ダイパッド7、パッド
8,8a,8b等が形成される。ガラスエポキシに代え
て、ガラスポリイミド製の銅張積層板を選択してもよ
い。ソケット基板4は、枠状の絶縁基材21にピン挿通
孔23を透設した後、それらに対してソケット状I/O
ピン24を挿入することで得ることができる。そして、
ソケット状I/Oピン24のうち特定のものの小径部を
所定長さだけ切断し、特定のソケット状I/Oピン24
Aとする。
【0042】図4(a)に示される絶縁基材36は、例
えば次のようにして作製されることができる。まず最初
の工程では、片面銅張積層板(例えばガラスエポキシ製
やガラスポリイミド製)を出発材料とし、中央部を打ち
抜き加工することにより貫通部37を形成する。次の工
程では、レジストを設けた状態で銅箔のエッチングを行
うことにより、所定箇所に導体パターン38、ランド4
4及びパッド45を形成する。最後の工程では、所定箇
所をドリル加工することにより、複数の挿通孔41〜4
3を形成する。前記3つの工程を実施する順番を変更し
てもよい。また、図4(b)に示されるような絶縁基材
36Aでは、両面銅張積層板を出発材料としてサブトラ
クティブ法を実施することにより導体パターン38等が
作製される。
【0043】続く第1のピン立て工程では、変換基板3
の各めっきスルーホール5,5Aの下面側開口部に対し
て、外部接続用ピン6の基端部をプレスで圧入する。続
くはんだ印刷工程では、スクリーン印刷の手法によっ
て、変換基板3の上面側に位置するめっきスルーホール
5のランド5aにクリームはんだを印刷する。変換基板
3の上面側は、外部接続用ピン6が突出している下面側
とは異なりフラットなため、印刷に適しているからであ
る。なお、クリームはんだの印刷は、スクリーン印刷以
外の手法によってなされてもよい。また、前記クリーム
はんだとしては、例えば共晶はんだ(Pb:Sn=3
7:63,融点183℃)の粉末をベヒクルに分散させ
てなるもの等が使用される。このとき、QFP9を包囲
する各パッド8,8a,8bにもクリームはんだが印刷
される。
【0044】続く第2のピン立て工程では、変換基板3
のめっきスルーホール5の上面側開口部に対して各ソケ
ット状I/Oピン24の先端部を挿通させるとともに、
ダイパッド7上にQFP9を固定する。その際、各I/
Oピン24,24Aを対応する挿通孔41〜43にあら
かじめ挿通させておく。その結果、両基板3,4間にお
いて絶縁基材36が上記のごとく位置決めされた状態で
保持される。
【0045】絶縁基材36の下面と変換基板3の上面と
の間には、クリームはんだの印刷厚さ分に相当する隙間
が確保されていることがよい。このようにしておくとク
リームはんだが潰れて広がることがなく、それに起因す
るはんだブリッジを未然に防止することができるからで
ある。前記隙間を確実に確保するために、図示しないス
ペーサ等を使用してもよい。
【0046】続くリフロー工程では、ソケット基板4を
搭載した変換基板3をリフロー炉内にセットした後、ク
リームはんだが融点する温度付近まで炉内の温度を上昇
させ、はんだS1 を溶融させる。溶融したはんだS1 が
冷えて硬化すると、ソケット状I/Oピン24がめっき
スルーホール5に接合され、かつQFP9の各リードが
各パッド8,8a,8bに接合される。
【0047】次に、両基板3,4間への配置により上述
のごとく位置決めされている絶縁基材36を、はんだS
1 を用いて個別にはんだ付けする。その結果、有ランド
挿通孔41及び特定のI/Oピン24Aの先端、有ラン
ド挿通孔42及びI/Oピン24の先端、パッド45及
び入替接続用パッド8aが、それぞれ互いに接合され
る。その際、同時に電子部品11,13を対応するそれ
ぞれのパッド10,12に対して個別にはんだ付けす
る。
【0048】以上のようにして所望の変換モジュール1
を完成させた後、その変換モジュール1にPGA2を搭
載し、さらにそれをマザーボードMBのソケット30に
搭載する。この場合、特定のI/Oピン24Aを流れる
PGA2の信号は、有ランド挿通孔41のランド44、
導体パターン38、パッド45、板間接続部46及び入
替接続用パッド8aというルートを経て、QFP9に入
力される。そこで変換された信号は、さらにQFP9か
ら出力された後、パッド8b,ミニバイアホール15、
導体パターン16、めっきスルーホール5Aのランド5
Ab、外部接続用ピン6及びソケット状ピン31という
ルートを経て、マザーボードMB側に供給される。即
ち、特定のI/Oピン24Aは、対応するめっきスルー
ホール5Aを介して外部接続用ピン6に直接導通される
のではなく、同外部接続用ピン6に間接的に導通された
状態となる。そして、このようにして使用すると、主と
してQFP9によって信号変換が図られ、PGA2本来
の機能を充分に発揮させることができる。
【0049】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 (イ)この実施形態の絶縁基材36には、あらかじめ所
定の導体パターン38が形成されている。このため、例
えばリード線を用いた場合とは異なり、所定長さに切断
したり絶縁被覆を剥離する等の面倒な作業が不要とな
る。また、ソケット基板4の各I/Oピン24,24A
を各挿通孔41〜43に挿通させるだけで、絶縁基材3
6が両基板3,4間において面方向に位置ずれ不能な状
態に保持される。このため、位置決め自体が極めて容易
になる。以上のことから、本実施形態によると入替接続
を比較的簡単に行うことができ、その製造にあたって作
業性の向上を図ることができる。
【0050】また、上記のような位置決め状態ではんだ
付けがなされるため、導体同士を確実に接合することが
でき、接続信頼性に優れたものとすることができる。 (ロ)また、入替接続を要する特定のI/Oピン24A
については、入替接続を要しない他のI/Oピン24よ
りも短く形成されている。ゆえに、当該I/Oピン24
Aは、対応するめっきスルーホール5Aの上面側開口部
に挿入されることはなく、同めっきスルーホール5Aか
ら離間して非導通の状態となる。従って、直接導通によ
るショートが未然に回避される。
【0051】(ハ)さらに、本実施形態の構成によると
変換基板3が両面板という単純な構造のもので足りるこ
ととなり、多層板やビルドアップ層に頼って入替接続を
行う必要がなくなる。よって、入替接続を行うに際して
も、高コスト化を確実に回避することができる。
【0052】(ニ)この変換モジュール1では、絶縁基
材36におけるピン形成エリアの各コーナー部に、有ラ
ンド挿通孔41とは別個に4つの有ランド挿通孔42を
配置している。そして、それらの有ランド挿通孔42に
は、入替接続を有しないI/Oピン24が挿通されかつ
はんだ付けされている。その結果、絶縁基材36が両基
板3,4間において確実に固定され、これにより信頼性
のよりいっそうの向上が図られている。なお、ピン形成
エリアの外周部に位置するI/Oピン24の周囲には障
害物が少ないため、はんだ付けを比較的容易に行うこと
ができる。ゆえに、装置の製造が容易になる。さらに、
本実施形態の絶縁基材36は、ピン形成エリアに匹敵す
る面積を有している。そのため、仮に複数の導体パター
ン38や、複雑かつ長い導体パターン38等を形成した
い場合でも、その形成のためのスペースが絶縁基材36
上に充分に存在している。従って、入替接続を行うべき
箇所が複数ある場合や、入替接続の経路が複雑かつ長く
なる場合等に適した構造となっている。
【0053】(ホ)この変換モジュール1では、絶縁基
材36の略中央部にQFP9よりも大きな貫通部37を
形成し、その貫通部37の開口縁にまで延びる導体パタ
ーン38の二次側端にパッド45を形成している。この
ため、導体パターン38の二次側端と入替接続用パッド
8aとを電気的に接続するに際してはんだ付けのみで足
りる。そのため、絶縁基材4と変換基板3とをつなぐ構
成(後述する導電性ピン54等)の構成を省略すること
ができる。よって、部品点数の増加を回避することがで
き、それによる低コスト化を達成することができる。
【0054】(ヘ)本実施形態において図4(a)のよ
うな片面板構造の絶縁基材36を採用した場合、その絶
縁基材36を従来公知の方法により廉価にかつ比較的簡
単に製造することができる。よって、高コスト化の防止
に好都合となる。一方、図4(b)のような両面板構造
の絶縁基材36Aを採用した場合、片面板ほど廉価には
ならないものの、有ランド挿通孔41,42とI/Oピ
ン24A,24との接続信頼性がより向上する。即ち、
有ランド挿通孔41,42の内壁面には銅めっき層G1
が存在しているため、図4(a)のときに比べて導体同
士の接触面積が大きくなるからである。
【0055】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ 図6に示されるような構造の変換モジュール51と
してもよい。特定のI/Oピン24Aが挿通されている
一次側の有ランド挿通孔41と異なる位置には、二次側
の有ランド挿通孔52が配置されている。片面板構造で
あってリジッドな絶縁基材55上にある導体パターン3
8の二次側端には、二次側の有ランド挿通孔52のラン
ド44が接続されている。勿論、絶縁基材55に両面板
構造を採用してもよい。変換基板3において二次側の有
ランド挿通孔52と略同一軸線上の箇所には、めっきス
ルーホール53が形成されている。そのめっきスルーホ
ール53の上端側開口部及び二次側の有ランド挿通孔5
2の双方には、導電性棒材である導電性ピン54が挿入
されている。このピン54の上端部は、二次側の有ラン
ド挿通孔52のランド44にはんだ付けされている。同
じピン54の下端部は、めっきスルーホール53の上部
側ランド53aにはんだ付けされている。なお、前記め
っきスルーホール53の下面側ランド53bに外部接続
用ピン6は挿通されていない。前記上面側ランド53a
と入替接続用パッド8aとは、導体パターン56によっ
て接続されている。そして、このような別例であって
も、前記実施形態の作用効果と同等の作用効果(ただし
作用効果ホを除く。)を奏することはいうまでもない。
さらに、この別例の構成であると、絶縁基材55の厚さ
や、変換基板3と絶縁基材55とがなすの段差の大きさ
に左右されずに、両者3,55間の導通を図ることがで
きる。
【0056】◎ 絶縁基材36は、ランド44とパッド
45とをつなぐ導体パターン38を1つのみ備えるもの
に限定されることはない。例えば、図7の絶縁基材61
のように、かかる導体パターン38を複数(ここでは4
つ)備えるものとしても勿論構わない。
【0057】◎ 絶縁基材36,36A,55,61の
形状は正方形状に限定されることはなく、それ以外の形
状であってもよい。また、絶縁基材36,36A,5
5,61の面積は、実施形態や図7の別例ほど大きくな
くてもよく、例えばピン形成エリアの1/2、1/3、
1/4程度であってもよい。
【0058】◎ 絶縁基材36,36A,61はリジッ
ドなものに限定されることはなく、肉薄かつフレキシブ
ルなものでもよい。このようにすると変換基板3の上面
との段差が小さくなるため、はんだS1 が確実に被りや
すくなり、パッド45に対するはんだ付けが楽になる。
このことは接続信頼性のさらなる向上につながる。
【0059】◎ 変換基板3の下面側に立設された外部
接続用ピン6に代えて、例えばはんだボール等をめっき
スルーホール5,5Aの下面側開口部に設けてもよい。 ◎ ソケット基板4の備えるI/O端子はソケット状I
/Oピン24,24Aに限定されることはなく、例えば
ソケット状でないものであってもよい。
【0060】◎ 実施形態において両面板構造の絶縁基
材36Aを採用した場合、例えばパッド45のある箇所
にいわゆる断面スルーホールを形成することがよい。こ
のようにすると、導体パターン38の二次側端により大
きな導体部分が確保されるので、当該部分の接続信頼性
がより向上する。
【0061】◎ 図8に示される別例の変換モジュール
71のように構成してもよい。この変換モジュール71
では、図6に示した別例とは異なり導電性ピン54が長
くなっていて、下端部が変換基板3の下面側から突出し
ている点が相違する。この導電性ピン54の下端部は、
スルーホール53の下面側ランド53bにはんだ付けさ
れている。そして、このような構成としたほうが、図6
の場合に比べていくぶん製造上有利となる。即ち、下面
側ランド53bの周囲には邪魔になる構造が存在するわ
けではないので、はんだ付け作業を容易に実施できるか
らである。
【0062】また、この変換モジュール71では、図6
の別例と比べて、特定のソケット状I/Oピン24Aの
小径部がさらに短く形成されている。なお、同ピン24
Aの小径部に対応する挿通孔41は形成されていない。
そして、当該小径部はランド44に対してはん付けされ
ている。このような構成であると、そもそも当該小径部
の先端面とランド5Aaとの距離が大きくなるばかりで
なく、両者間に絶縁体が介在されたような状態となる。
従って、確実な絶縁を図ることができ、装置の信頼性の
向上にもつながる。
【0063】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1) 請求項1または2において、前記特定のI/O
ピンが挿通されている一次側の有ランド挿通孔とは異な
る位置に二次側の有ランド挿通孔が配置され、前記導体
パターンの二次側端には前記二次側の有ランド挿通孔の
ランドが接続され、前記変換基板において前記二次側の
有ランド挿通孔と略同一軸線上の箇所には前記入替接続
用導体部に接続されるめっきスルーホールが形成され、
そのめっきスルーホール及び前記二次側の有ランド挿通
孔の双方には導電性棒材が挿入されかつはんだ付けされ
ていることを特徴とする変換モジュール。
【0064】(2) 請求項3または技術的思想1にお
いて、前記ソケット基板は前記信号変換素子に対応する
位置に中央孔を有することを特徴とする変換モジュー
ル。この構成であると、はんだ付けが行いやすくなり作
業性が向上する。
【0065】(3) 請求項1〜3、技術的思想1,2
のいずれか1つにおいて、前記変換基板は、サブトラク
ティブ法により形成された導体パターンをその両面に有
し、ミニバイアホールを有する両面板であることを特徴
とする変換モジュール。この構成であると、変換基板が
廉価なものとなり高コスト化を防止できる。
【0066】(4) 請求項1〜3、技術的思想1〜3
のいずれか1つにおいて、前記絶縁基材は、片側面のみ
に前記導体パターン及び前記ランドを有し、前記各挿通
孔の内壁面にめっき層を持たない片面板であることを特
徴とする変換モジュール。この構成であると、絶縁基材
が廉価なものとなり高コスト化を防止できる。
【0067】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜3に記
載の発明によれば、比較的簡単にかつ高コスト化を伴う
ことなく入替接続を行うことができる構造を持ち、しか
も接続信頼性に優れた変換モジュールを提供することが
できる。
【0068】請求項2に記載の発明によれば、入替接続
を行うべき箇所が複数ある場合や、入替接続の経路が複
雑かつ長くなる場合等に適し、しかも信頼性に優れかつ
製造が簡単なものとすることができる。
【0069】請求項3に記載の発明によれば、部品点数
の増加の回避及びそれによる低コスト化を達成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を具体化した実施形態の変換モジュール
の使用状態を説明するための概略側面図。
【図2】実施形態の変換モジュールの部分拡大断面図。
【図3】実施形態において使用される絶縁基材の平面
図。
【図4】(a),(b)は図3のA−A線における部分
拡大断面図。
【図5】実施形態の絶縁基材を配置した状態を示す部分
拡大平面図。
【図6】別例の変換モジュールの部分拡大断面図。
【図7】別例の絶縁基材を示す平面図。
【図8】別例の変換モジュールの部分拡大断面図。
【符号の説明】
1,51,71…変換モジュール、3…変換基板、4…
半導体パッケージ装着用ソケット基板、5,5A…めっ
きスルーホール、8a…入替接続用導体部としての入替
接続用パッド、9…信号変換素子としてのQFP、24
…入替接続を要しないソケット状I/Oピン、24A…
入替接続を要する特定のソケット状I/Oピン、36,
36A,55,61…絶縁基材、37…貫通部、38…
導体パターン、41,42…挿通孔としての有ランド挿
通孔、43…挿通孔としての無ランド挿通孔、44…ラ
ンド、45…パッド、46…導電体としての板間接続
部、54…導電体としての導電性ピン。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】信号変換素子を有しかつ複数のめっきスル
    ーホールが設けられた変換基板に、前記複数のめっきス
    ルーホールに対応した箇所にI/Oピンが突設された半
    導体パッケージ装着用ソケット基板が搭載され、前記め
    っきスルーホールに前記I/Oピンを挿入することによ
    り両基板同士が電気的に接続されている変換モジュール
    において、 前記I/Oピンを挿通可能な複数の挿通孔と、導体パタ
    ーンとを備える絶縁基材が前記両基板間に配置され、 前記導体パターンの一次側端には、前記複数の挿通孔の
    うちの少なくとも一部を占める有ランド挿通孔の開口縁
    にあるランドが接続され、 入替接続を要する特定のI/Oピンが入替接続を要しな
    い他のI/Oピンよりも短く形成されるとともに、その
    特定のI/Oピンが前記有ランド挿通孔に挿通されかつ
    はんだ付けされ、 前記導体パターンの二次側端と前記変換基板側の入替接
    続用導体部とが導電体を介して接続されていることを特
    徴とする変換モジュール。
  2. 【請求項2】前記絶縁基材は少なくとも前記ソケット基
    板におけるピン形成エリアに匹敵する面積を有し、前記
    ピン形成エリアの外周部における複数箇所には、前記特
    定のI/Oピンが挿通される有ランド挿通孔とは別個に
    有ランド挿通孔が配置され、それらの有ランド挿通孔に
    は入替接続を有しないI/Oピンが挿通されかつはんだ
    付けされていることを特徴とする請求項1に記載の変換
    モジュール。
  3. 【請求項3】前記絶縁基材の略中央部には前記信号変換
    素子に対応してそれよりも大きな貫通部が形成され、そ
    の貫通部の開口縁にまで延びる前記導体パターンの二次
    側端にはパッドが形成され、そのパッドと前記入替接続
    用導体部とがはんだ付けされていることを特徴とする請
    求項1または2に記載の変換モジュール。
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