JPH11284169A - 増幅型固体撮像装置 - Google Patents
増幅型固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH11284169A JPH11284169A JP10087613A JP8761398A JPH11284169A JP H11284169 A JPH11284169 A JP H11284169A JP 10087613 A JP10087613 A JP 10087613A JP 8761398 A JP8761398 A JP 8761398A JP H11284169 A JPH11284169 A JP H11284169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos
- fet
- state imaging
- imaging device
- detection unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/573—Control of the dynamic range involving a non-linear response the logarithmic type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細化ＭＯＳ・ＦＥＴを用いた場合であって
も、短チャネル効果を抑制することができ、白傷画像欠
陥、感度劣化、及び信号読み出し電圧の増加も防止する
ことができる増幅型固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の主面側に形成されたウェル
部と、前記ウェル部の一部表面側に形成され前記ウェル
部と逆導電性を有する光電変換部と、前記光電変換部か
ら信号電荷を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴと、前
記信号電荷を電圧変換する検出部と、前記検出部の電位
を周期的に初期化するリセット用手段と、前記検出部と
入力結合したソースフォロア回路とを備えた増幅型固体
撮像装置において、前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴのゲ
ート長が前記ソースフォロア回路を構成するＭＯＳ・Ｆ
ＥＴのゲート長よりも長くなるような構造とした。
も、短チャネル効果を抑制することができ、白傷画像欠
陥、感度劣化、及び信号読み出し電圧の増加も防止する
ことができる増幅型固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の主面側に形成されたウェル
部と、前記ウェル部の一部表面側に形成され前記ウェル
部と逆導電性を有する光電変換部と、前記光電変換部か
ら信号電荷を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴと、前
記信号電荷を電圧変換する検出部と、前記検出部の電位
を周期的に初期化するリセット用手段と、前記検出部と
入力結合したソースフォロア回路とを備えた増幅型固体
撮像装置において、前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴのゲ
ート長が前記ソースフォロア回路を構成するＭＯＳ・Ｆ
ＥＴのゲート長よりも長くなるような構造とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＯＳ方式で構成
される増幅型固体撮像装置に関する。
される増幅型固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を使用した固体撮像装置は、種々
のものが知られているが、例えばＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ
Ｃｏｕｐｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ）を用いたＣＣＤ方式と
しては、例えば、フォトダイオードと次の行のフォトダ
イオード間に転送用のＣＣＤを設けたインタライン転送
型ＣＣＤが一般的に知られている。
のものが知られているが、例えばＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ
Ｃｏｕｐｌｅ Ｄｅｖｉｃｅ）を用いたＣＣＤ方式と
しては、例えば、フォトダイオードと次の行のフォトダ
イオード間に転送用のＣＣＤを設けたインタライン転送
型ＣＣＤが一般的に知られている。
【０００３】図５は、従来のインタライン転送型ＣＣＤ
の概略構成を示すブロック図である。
の概略構成を示すブロック図である。
【０００４】このＣＣＤは、フォトダイオード１０３に
蓄積された電荷を全画素同時に垂直ＣＣＤ１０１−１〜
１０１−ｎに転送し、さらに水平１ラインごとに水平Ｃ
ＣＤ１０４に転送した後、アンプ１０５から各画素を直
列に読み出す。
蓄積された電荷を全画素同時に垂直ＣＣＤ１０１−１〜
１０１−ｎに転送し、さらに水平１ラインごとに水平Ｃ
ＣＤ１０４に転送した後、アンプ１０５から各画素を直
列に読み出す。
【０００５】しかし、上記ＣＣＤ方式では、フォトダイ
オード１０３に蓄積した信号電荷の読み出しに１０
［Ｖ］程度の電位が必要であり、さらにＣＣＤによる電
荷転送時には０［Ｖ］電位とマイナス電位が必要となる
ために消費電力が増大するという問題や、ＣＣＤを用い
るためシステムオンチップ化が困難であるという問題が
あった。
オード１０３に蓄積した信号電荷の読み出しに１０
［Ｖ］程度の電位が必要であり、さらにＣＣＤによる電
荷転送時には０［Ｖ］電位とマイナス電位が必要となる
ために消費電力が増大するという問題や、ＣＣＤを用い
るためシステムオンチップ化が困難であるという問題が
あった。
【０００６】この点を解決した固体撮像装置として、Ｍ
ＯＳ方式が注目されている。ＭＯＳ方式は、格子状のア
ドレス線で画素を選択する構成において、各画素に、フ
ォトダイオードとＭＯＳ・ＦＥＴからなるスイッチ素子
等を配置したものである。
ＯＳ方式が注目されている。ＭＯＳ方式は、格子状のア
ドレス線で画素を選択する構成において、各画素に、フ
ォトダイオードとＭＯＳ・ＦＥＴからなるスイッチ素子
等を配置したものである。
【０００７】図６は、従来のＭＯＳ式の増幅型固体撮像
装置の構成を示すブロック図である。この固体撮像装置
は、垂直走査回路からの制御信号線３０１，３０２，…
と信号線４０１，４０２，…とが格子状に配置され、そ
の各交差箇所には画素２００がそれぞれ配置されてい
る。各画素２００は、光をキャリアに変換するフォトダ
イオード２０１、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ（ＴＧ）２
０２、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３、ライン選択用ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴ２０４、及びリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０
５から構成され、その回路構成を図７に示す。
装置の構成を示すブロック図である。この固体撮像装置
は、垂直走査回路からの制御信号線３０１，３０２，…
と信号線４０１，４０２，…とが格子状に配置され、そ
の各交差箇所には画素２００がそれぞれ配置されてい
る。各画素２００は、光をキャリアに変換するフォトダ
イオード２０１、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ（ＴＧ）２
０２、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３、ライン選択用ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴ２０４、及びリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０
５から構成され、その回路構成を図７に示す。
【０００８】同図７中の符号３１１，３１２は、それぞ
れ読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ（ＴＧ）２０２とリセット
用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０５の制御信号線であり、この制御
信号線３１１，３１２には、垂直走査回路３００から制
御信号が送出される。また、４１１はドレイン線であ
り、所定の電圧が印加される。
れ読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ（ＴＧ）２０２とリセット
用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０５の制御信号線であり、この制御
信号線３１１，３１２には、垂直走査回路３００から制
御信号が送出される。また、４１１はドレイン線であ
り、所定の電圧が印加される。
【０００９】垂直走査回路３００によって選択された画
素２００は、フォトダイオード２０１に蓄積した信号電
荷を読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２を通して増幅用Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴ２０３へ送り、この増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ
２０３で増幅した後に、信号線４０１，４０２，…へ送
出する。
素２００は、フォトダイオード２０１に蓄積した信号電
荷を読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２を通して増幅用Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴ２０３へ送り、この増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ
２０３で増幅した後に、信号線４０１，４０２，…へ送
出する。
【００１０】水平走査回路５５０は、スイッチ素子５０
１，５０２，…を順次“ＯＮ”し、その結果、水平信号
線５１０に送出された電荷はアンプ５１１を介して外部
へ送出される。
１，５０２，…を順次“ＯＮ”し、その結果、水平信号
線５１０に送出された電荷はアンプ５１１を介して外部
へ送出される。
【００１１】図８は、上記図７に示した回路の要部断面
図であり、図７中のフォトダイオード２０１から、読み
出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２及び電荷検出ノードＮ１１
を経て増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３に至る部分の断面構
造を示している。
図であり、図７中のフォトダイオード２０１から、読み
出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２及び電荷検出ノードＮ１１
を経て増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３に至る部分の断面構
造を示している。
【００１２】同図中の符号６００はＰ型サブ基板（Ｐ−
ＳｕＢ）であり、また６０１は素子分離用のフィールド
酸化膜、６０２，７０２はＰ型ウェル部（Ｐ−Ｗｅｌ
ｌ）である。６０３はフォトダイオードを形成するため
のＮ型拡散層であり、６０４は電荷検出ノードＮ１１に
相当するＮ型拡散層である。そして、ゲート酸化膜６０
５を介してゲート電極６０６が形成され、上記読み出し
用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２が構成されている。
ＳｕＢ）であり、また６０１は素子分離用のフィールド
酸化膜、６０２，７０２はＰ型ウェル部（Ｐ−Ｗｅｌ
ｌ）である。６０３はフォトダイオードを形成するため
のＮ型拡散層であり、６０４は電荷検出ノードＮ１１に
相当するＮ型拡散層である。そして、ゲート酸化膜６０
５を介してゲート電極６０６が形成され、上記読み出し
用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２が構成されている。
【００１３】一方、７０３，７０４は、Ｐ型ウェル部７
０２に形成されたＮ＋拡散層であり、その上側にゲート
酸化膜７０５を介してゲート電極７０６が形成され、上
記増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３が構成されている。
０２に形成されたＮ＋拡散層であり、その上側にゲート
酸化膜７０５を介してゲート電極７０６が形成され、上
記増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３が構成されている。
【００１４】そして、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０２
のＮ型拡散層６０４と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３のゲ
ート電極７０６とがアルミ配線６０７で接続され、また
増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３のＮ型拡散層７０４とドレ
イン線４０１がコンタクトされている。
のＮ型拡散層６０４と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３のゲ
ート電極７０６とがアルミ配線６０７で接続され、また
増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ２０３のＮ型拡散層７０４とドレ
イン線４０１がコンタクトされている。
【００１５】また、８０１は層間絶縁膜であり、その上
部には、光取り込み口８０３が開口された遮光板８０２
が設けられている。
部には、光取り込み口８０３が開口された遮光板８０２
が設けられている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の増幅型固体撮像装置では、次のような問題点があっ
た。
来の増幅型固体撮像装置では、次のような問題点があっ
た。
【００１７】すなわち、素子の微細化に伴いゲート長が
短くなり、同時にゲート酸化膜も薄くなってきている
が、かかる状況では、短チャネル効果を抑制するため、
素子を形成するウェルの濃度も濃くすることが行われて
いる。光をキャリアに変換するフォトダイオード２０１
は、Ｐ型ウェル部６０２中に形成されるＮ型拡散層６０
３であり、Ｐ型ウェル部６０２の濃度が増加すると、所
定の飽和信号量を得るためには、Ｐウェル濃度に応じて
Ｎ濃度も向上させる必要があり、該Ｎ型拡散層６０３の
濃度も増大する。その結果、接合電界が急峻になり、接
合リークによる白傷画像欠陥が増加する。加えて、接合
が浅くなるため長波長側での分光感度が劣化し、また電
荷の読み出し電圧も高くなるという問題があった。
短くなり、同時にゲート酸化膜も薄くなってきている
が、かかる状況では、短チャネル効果を抑制するため、
素子を形成するウェルの濃度も濃くすることが行われて
いる。光をキャリアに変換するフォトダイオード２０１
は、Ｐ型ウェル部６０２中に形成されるＮ型拡散層６０
３であり、Ｐ型ウェル部６０２の濃度が増加すると、所
定の飽和信号量を得るためには、Ｐウェル濃度に応じて
Ｎ濃度も向上させる必要があり、該Ｎ型拡散層６０３の
濃度も増大する。その結果、接合電界が急峻になり、接
合リークによる白傷画像欠陥が増加する。加えて、接合
が浅くなるため長波長側での分光感度が劣化し、また電
荷の読み出し電圧も高くなるという問題があった。
【００１８】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴを用いた場合であっても、短チャネル効果を抑
制することができる増幅型固体撮像装置を提供すること
である。またその他の目的は、白傷画像欠陥、感度劣
化、及び信号読み出し電圧の増加を防止することができ
る増幅型固体撮像装置を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴを用いた場合であっても、短チャネル効果を抑
制することができる増幅型固体撮像装置を提供すること
である。またその他の目的は、白傷画像欠陥、感度劣
化、及び信号読み出し電圧の増加を防止することができ
る増幅型固体撮像装置を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、半導体基板の主面側に形成さ
れたウェル部と、前記ウェル部の一部表面側に形成され
前記ウェル部と逆導電性を有する光電変換部と、前記光
電変換部から信号電荷を読み出す読み出し用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴと、前記信号電荷を電圧変換する検出部と、前記検
出部の電位を周期的に初期化するリセット用手段と、前
記検出部と入力結合したソースフォロア回路とを備えた
増幅型固体撮像装置において、前記読み出し用ＭＯＳ・
ＦＥＴのゲート長が前記ソースフォロア回路を構成する
ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よりも長くなるような構造を
有することにある。
に、第１の発明の特徴は、半導体基板の主面側に形成さ
れたウェル部と、前記ウェル部の一部表面側に形成され
前記ウェル部と逆導電性を有する光電変換部と、前記光
電変換部から信号電荷を読み出す読み出し用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴと、前記信号電荷を電圧変換する検出部と、前記検
出部の電位を周期的に初期化するリセット用手段と、前
記検出部と入力結合したソースフォロア回路とを備えた
増幅型固体撮像装置において、前記読み出し用ＭＯＳ・
ＦＥＴのゲート長が前記ソースフォロア回路を構成する
ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よりも長くなるような構造を
有することにある。
【００２０】第１の発明によれば、例えば微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴにおいても、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴの短チ
ャネル効果が抑制される。
・ＦＥＴにおいても、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴの短チ
ャネル効果が抑制される。
【００２１】第２の発明の特徴は、上記第１の発明にお
いて、前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェル部の濃
度は、前記リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ及び前記ソースフ
ォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェル部の濃
度よりも低いことにある。
いて、前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェル部の濃
度は、前記リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ及び前記ソースフ
ォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェル部の濃
度よりも低いことにある。
【００２２】第２の発明によれば、例えば微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴを用いても、光電変換部の濃度を増大させなく
て済む。
・ＦＥＴを用いても、光電変換部の濃度を増大させなく
て済む。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる増幅型固体
撮像装置の実施形態について説明する。
撮像装置の実施形態について説明する。
【００２４】図１は、本発明の実施形態に係る増幅型固
体撮像装置の要部構成を示す回路図であり、説明を簡単
にするために１ライン分のみ示されている。
体撮像装置の要部構成を示す回路図であり、説明を簡単
にするために１ライン分のみ示されている。
【００２５】この増幅型固体撮像装置は、全体的には図
６で示した回路構成と同じであるが、装置を構成する複
数のＭＯＳ・ＦＥＴのうち、フォトダイオードからの信
号を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２のゲート長
が、他のＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よりも長くなくな
り、また該読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２下のウェル部
の濃度を他のウェル部よりも低くした点に特徴である。
６で示した回路構成と同じであるが、装置を構成する複
数のＭＯＳ・ＦＥＴのうち、フォトダイオードからの信
号を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２のゲート長
が、他のＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よりも長くなくな
り、また該読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２下のウェル部
の濃度を他のウェル部よりも低くした点に特徴である。
【００２６】以下、本実施形態の構成及び動作を具体的
に説明する。
に説明する。
【００２７】マトリックス状に配置された各画素１０
は、光をキャリアに変換するフォトダイオード１１を有
し、このフォトダイオード１１には、本発明の特徴を成
す上記の読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２が接続されてい
る。読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２はフォトダイオード
１１に蓄積された信号電荷を電荷検出ノードＮ１へ読み
出すトランスファーゲートの働きをする。電荷検出ノー
ドＮ１は、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３のゲート電極に接
続されている。
は、光をキャリアに変換するフォトダイオード１１を有
し、このフォトダイオード１１には、本発明の特徴を成
す上記の読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２が接続されてい
る。読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２はフォトダイオード
１１に蓄積された信号電荷を電荷検出ノードＮ１へ読み
出すトランスファーゲートの働きをする。電荷検出ノー
ドＮ１は、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３のゲート電極に接
続されている。
【００２８】増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３は、垂直信号線
３１とライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４との間に接続さ
れ、またドレイン線３２と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３と
の間にはライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４が接続されて
いる。ライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４は、垂直走査回
路２０から制御信号線２１に出力されたアドレス信号に
従って選択時にオンされる。
３１とライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４との間に接続さ
れ、またドレイン線３２と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３と
の間にはライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４が接続されて
いる。ライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４は、垂直走査回
路２０から制御信号線２１に出力されたアドレス信号に
従って選択時にオンされる。
【００２９】さらに、ドレイン線３２と電荷検出ノード
Ｎ１との間にはリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５が接続さ
れている。リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５は、垂直走査
回路２０から制御信号線２２に出力されたリセット信号
に従って周期的にオンし、電荷検出ノードＮ１の電位を
周期的に初期化する。
Ｎ１との間にはリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５が接続さ
れている。リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５は、垂直走査
回路２０から制御信号線２２に出力されたリセット信号
に従って周期的にオンし、電荷検出ノードＮ１の電位を
周期的に初期化する。
【００３０】上記画素１０によれば、垂直走査回路２０
により制御信号線２１が選択されると、その信号線に接
続されている画素１０内のアドレス用選択用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ１４がオンする。続いて、制御信号線２３が活性化
されて読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２をオンする結果、
フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷が電荷検出
ノードＮ１へ転送される。
により制御信号線２１が選択されると、その信号線に接
続されている画素１０内のアドレス用選択用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ１４がオンする。続いて、制御信号線２３が活性化
されて読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２をオンする結果、
フォトダイオード１１に蓄積された信号電荷が電荷検出
ノードＮ１へ転送される。
【００３１】このノードＮ１の電位に応じて増幅用ＭＯ
Ｓ・ＦＥＴ１３がオン制御されるため、ドレイン線３２
から垂直信号線３１へ流れる電流量が制御されることに
なる。すなわち、蓄積電荷は、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１
３によって増幅されて、垂直信号線３１へ転送される。
Ｓ・ＦＥＴ１３がオン制御されるため、ドレイン線３２
から垂直信号線３１へ流れる電流量が制御されることに
なる。すなわち、蓄積電荷は、増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１
３によって増幅されて、垂直信号線３１へ転送される。
【００３２】垂直信号線３１の上端は、ＭＯＳ・ＦＥＴ
で構成される定電流源４１を介して電源電圧ラインＶＤ
Ｄに接続される一方、その下端はキャパシタ４２及び垂
直ライン選択用のＭＯＳ・ＦＥＴ４５を介して水平信号
線４６に接続されている。さらに、キャパシタ４２とＭ
ＯＳ・ＦＥＴ４５との接続点には、キャパシタ４３と信
号線クランプ用のＭＯＳ・ＦＥＴ４４が接続されてい
る。
で構成される定電流源４１を介して電源電圧ラインＶＤ
Ｄに接続される一方、その下端はキャパシタ４２及び垂
直ライン選択用のＭＯＳ・ＦＥＴ４５を介して水平信号
線４６に接続されている。さらに、キャパシタ４２とＭ
ＯＳ・ＦＥＴ４５との接続点には、キャパシタ４３と信
号線クランプ用のＭＯＳ・ＦＥＴ４４が接続されてい
る。
【００３３】垂直信号線３１へ出力された電荷はキャパ
シタ４３に蓄積され、その電位の変化がＭＯＳ・ＦＥＴ
４５を通して水平信号線４６に伝えられる。水平走査回
路５０は、各ＭＯＳ・ＦＥＴ４５を順次オン／オフ制御
し、その結果、１ラインごとの電荷がアンプ４７から外
部へ送出されることになる。
シタ４３に蓄積され、その電位の変化がＭＯＳ・ＦＥＴ
４５を通して水平信号線４６に伝えられる。水平走査回
路５０は、各ＭＯＳ・ＦＥＴ４５を順次オン／オフ制御
し、その結果、１ラインごとの電荷がアンプ４７から外
部へ送出されることになる。
【００３４】図２は、上記図１に示した回路の要部断面
図であり、図１中のフォトダイオード１１から、読み出
し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２及び電荷検出ノードＮ１を経て
増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３に至る部分の断面構造を示し
ている。
図であり、図１中のフォトダイオード１１から、読み出
し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２及び電荷検出ノードＮ１を経て
増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３に至る部分の断面構造を示し
ている。
【００３５】同図において、Ｐ型サブ基板（Ｐ−Ｓｕ
Ｂ）６０の主表面には、素子分離用のフィールド酸化膜
６１が形成されている。フィールド酸化膜６１によって
分離された素子領域の表面側には、Ｐ型ウェル部（Ｐ−
Ｗｅｌｌ）６２，７２が形成されている。さらに、Ｐ型
ウェル部６２の一部表面側には、フォトダイオード１１
を形成するためのＮ型拡散層６３と、信号電荷を電圧変
換する電荷検出ノードＮ１になるＮ型拡散層６４とが形
成されている。
Ｂ）６０の主表面には、素子分離用のフィールド酸化膜
６１が形成されている。フィールド酸化膜６１によって
分離された素子領域の表面側には、Ｐ型ウェル部（Ｐ−
Ｗｅｌｌ）６２，７２が形成されている。さらに、Ｐ型
ウェル部６２の一部表面側には、フォトダイオード１１
を形成するためのＮ型拡散層６３と、信号電荷を電圧変
換する電荷検出ノードＮ１になるＮ型拡散層６４とが形
成されている。
【００３６】ここで、Ｎ型拡散層６３の形成条件は、例
えばＰ（リン）を３００Ｋｅｖ、ドーズ量を８．０Ｅ１
２ Atom/cm3 とする。そして、ゲート酸化膜６５を介し
てゲート電極６６が形成され、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ１２が構成されている。
えばＰ（リン）を３００Ｋｅｖ、ドーズ量を８．０Ｅ１
２ Atom/cm3 とする。そして、ゲート酸化膜６５を介し
てゲート電極６６が形成され、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ１２が構成されている。
【００３７】一方、Ｐ型ウェル部７２の一部表面側に
は、Ｎ＋型拡散層７３，７４が形成されている。そし
て、その上側にゲート酸化膜７５を介してゲート電極７
６が形成され、上記増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３が構成さ
れている。
は、Ｎ＋型拡散層７３，７４が形成されている。そし
て、その上側にゲート酸化膜７５を介してゲート電極７
６が形成され、上記増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３が構成さ
れている。
【００３８】読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２のＮ型拡散
層６４のコンタクト部６７と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３
のゲート電極７６とは、アルミ配線６８で接続され、ま
た増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３のＮ型拡散層７４がコンタ
クト部７７でドレイン線３２に接続されている。
層６４のコンタクト部６７と増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３
のゲート電極７６とは、アルミ配線６８で接続され、ま
た増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ１３のＮ型拡散層７４がコンタ
クト部７７でドレイン線３２に接続されている。
【００３９】そして、上記各素子が形成された基板６０
上には層間絶縁膜８１が形成され、その上面には、光取
り込み口８３がフォトダイオード１１上で開口された遮
光板８２（例えば４０００〜８０００Åのアルミ膜）が
設けられている。
上には層間絶縁膜８１が形成され、その上面には、光取
り込み口８３がフォトダイオード１１上で開口された遮
光板８２（例えば４０００〜８０００Åのアルミ膜）が
設けられている。
【００４０】図３は、上記図１に示した回路の他の要部
断面図であり、図１中の電荷検出ノードＮ１からリセッ
ト用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５に至る部分の断面構造を示して
いる。
断面図であり、図１中の電荷検出ノードＮ１からリセッ
ト用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５に至る部分の断面構造を示して
いる。
【００４１】図２に示したＰ型ウェル部６２の一部表面
側には、リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５を構成すべく、
電荷検出ノードＮ１に相当するＮ型拡散層６４と、Ｎ型
拡散層８４が形成され、その上側にゲート酸化膜８５を
介してゲート電極８６が形成されている。なお、図中の
８０は、図１に示したドレイン線３２に相当し、また８
７は図１に示した制御信号線２２に相当する。
側には、リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ１５を構成すべく、
電荷検出ノードＮ１に相当するＮ型拡散層６４と、Ｎ型
拡散層８４が形成され、その上側にゲート酸化膜８５を
介してゲート電極８６が形成されている。なお、図中の
８０は、図１に示したドレイン線３２に相当し、また８
７は図１に示した制御信号線２２に相当する。
【００４２】なお、図３には表れていないが、拡散層６
４には増巾ＭＯＳゲートの入力するコンタクトと配線が
接続されている。
４には増巾ＭＯＳゲートの入力するコンタクトと配線が
接続されている。
【００４３】図４は、上記図１に示した回路の他の要部
断面図であり、図１中の垂直信号線３１から、増幅用Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴ１３及びライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４
を経て、ドレイン線３２に至る部分の断面構造を示して
いる。
断面図であり、図１中の垂直信号線３１から、増幅用Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴ１３及びライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４
を経て、ドレイン線３２に至る部分の断面構造を示して
いる。
【００４４】図２に示したＰ型ウェル部７２の一部表面
側には、ライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４を構成すべ
く、Ｎ型拡散層９１，９２が形成され、その上側にゲー
ト酸化膜７５を介してゲート電極９３が形成されてい
る。
側には、ライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ１４を構成すべ
く、Ｎ型拡散層９１，９２が形成され、その上側にゲー
ト酸化膜７５を介してゲート電極９３が形成されてい
る。
【００４５】上述したように、１画素内に、読み出し
用、リセット用、増幅用及びライン選択用の４種類のＭ
ＯＳ・ＦＥＴで構成した素子を例にとった場合におい
て、デザインルールを０．４μｍとし、電源電圧ＶＤＤ
が３．０〜２．８ｖでゲート酸化膜６５，７５，８５の
膜厚を７０nmとするとき、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１
２のゲート長のみ０．７μｍとし、他のＭＯＳ・ＦＥＴ
のゲート長は０．４μｍとする。また、電源電圧ＶＤＤ
が３．３ｖでゲート酸化膜６５，７５，８５の膜厚を１
４０nmとするときは、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２の
ゲート長のみ０．９〜１．１μｍとし、他のＭＯＳ・Ｆ
ＥＴのゲート長は０．６〜０．７μｍとする。
用、リセット用、増幅用及びライン選択用の４種類のＭ
ＯＳ・ＦＥＴで構成した素子を例にとった場合におい
て、デザインルールを０．４μｍとし、電源電圧ＶＤＤ
が３．０〜２．８ｖでゲート酸化膜６５，７５，８５の
膜厚を７０nmとするとき、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１
２のゲート長のみ０．７μｍとし、他のＭＯＳ・ＦＥＴ
のゲート長は０．４μｍとする。また、電源電圧ＶＤＤ
が３．３ｖでゲート酸化膜６５，７５，８５の膜厚を１
４０nmとするときは、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２の
ゲート長のみ０．９〜１．１μｍとし、他のＭＯＳ・Ｆ
ＥＴのゲート長は０．６〜０．７μｍとする。
【００４６】さらに、読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ１２下
のＰ型ウェル部６２濃度のみを例えば５Ｅ１５ｃｍ-3と
し、他のＭＯＳ・ＦＥＴ下のＰ型ウェル部７２は１Ｅ１
８ｍ-3とする。
のＰ型ウェル部６２濃度のみを例えば５Ｅ１５ｃｍ-3と
し、他のＭＯＳ・ＦＥＴ下のＰ型ウェル部７２は１Ｅ１
８ｍ-3とする。
【００４７】このように本実施形態では、フォトダイオ
ード１１からの信号を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ１２のゲート長が、他のＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よ
りも長くなるようにしたので、微細化ＭＯＳ・ＦＥＴを
用いる状況にあって、素子を形成するＰ型ウェル部６２
の濃度を濃くしなくても、短チャネル効果を抑制するこ
とが可能になる。これにより、フォトダイオード１１と
なるＮ型拡散層６３の濃度を増大させなくて済むため、
接合リークによる白傷画像欠陥を未然に防ぐことがで
きる、長波長側での分光感度も十分確保することがで
きる、電荷の読み出し電圧を低く抑えることができ
る、といった利点がある。
ード１１からの信号を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ１２のゲート長が、他のＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よ
りも長くなるようにしたので、微細化ＭＯＳ・ＦＥＴを
用いる状況にあって、素子を形成するＰ型ウェル部６２
の濃度を濃くしなくても、短チャネル効果を抑制するこ
とが可能になる。これにより、フォトダイオード１１と
なるＮ型拡散層６３の濃度を増大させなくて済むため、
接合リークによる白傷画像欠陥を未然に防ぐことがで
きる、長波長側での分光感度も十分確保することがで
きる、電荷の読み出し電圧を低く抑えることができ
る、といった利点がある。
【００４８】基板はＰ型に限ることなく、Ｎ型基板中に
Ｐウェル構造を形成しても同様の効果がある。また、検
出部をリセットする手段もＭＯＳＦＥＴに限ったもので
はない。さらに、ソースフォロア回路を活性化する手段
もＭＯＳＦＥＴに限ったものではなく、入力ゲートに結
合したキャパシタを用いても良い。
Ｐウェル構造を形成しても同様の効果がある。また、検
出部をリセットする手段もＭＯＳＦＥＴに限ったもので
はない。さらに、ソースフォロア回路を活性化する手段
もＭＯＳＦＥＴに限ったものではなく、入力ゲートに結
合したキャパシタを用いても良い。
【００４９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
である増幅型固体撮像装置によれば、読み出し用ＭＯＳ
・ＦＥＴのゲート長がリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ及びソ
ースフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長
よりも長くなるような構造を有するので、微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴを用いても、短チャネル効果を抑制することが
可能になる。
である増幅型固体撮像装置によれば、読み出し用ＭＯＳ
・ＦＥＴのゲート長がリセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ及びソ
ースフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長
よりも長くなるような構造を有するので、微細化ＭＯＳ
・ＦＥＴを用いても、短チャネル効果を抑制することが
可能になる。
【００５０】第２の発明である増幅型固体撮像装置によ
れば、上記第１の発明において、読み出し用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ下のウェル部の濃度は、リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ
及びソースフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ下の
ウェル部の濃度よりも低くしたので、微細化ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴを用いても、光電変換部の濃度を増大させなくて済
み、白傷画像欠陥や感度劣化を防ぐことができ、しかも
信号読み出し電圧を低く抑えることが可能になる。
れば、上記第１の発明において、読み出し用ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴ下のウェル部の濃度は、リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ
及びソースフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ下の
ウェル部の濃度よりも低くしたので、微細化ＭＯＳ・Ｆ
ＥＴを用いても、光電変換部の濃度を増大させなくて済
み、白傷画像欠陥や感度劣化を防ぐことができ、しかも
信号読み出し電圧を低く抑えることが可能になる。
【図１】本発明の実施形態に係る増幅型固体撮像装置の
要部構成を示す回路図である。
要部構成を示す回路図である。
【図２】図１に示した回路の要部断面図である。
【図３】図１に示した回路の他の要部断面図である。
【図４】図１に示した回路の他の要部断面図である。
【図５】従来のインタライン転送型ＣＣＤの概略構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図６】従来のＭＯＳ式の増幅型固体撮像装置の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図７】従来のＭＯＳ式の増幅型固体撮像装置の画素の
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
【図８】図７に示した回路の要部断面図である。
１０ 画素 １１ フォトダイオード １２ 読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ １３ 増幅用ＭＯＳ・ＦＥＴ １４ ライン選択用ＭＯＳ・ＦＥＴ １５ リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ ６０ Ｐ型サブ基板（Ｐ−ＳｕＢ） ６２，７２ Ｐ型ウェル部（Ｐ−Ｗｅｌｌ） ６３，６４ Ｎ型拡散層 ６５ ゲート酸化膜 ７３，７４ Ｎ型拡散層 Ｎ１ 電荷検出ノード
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の主面側に形成されたウェル
部と、前記ウェル部の一部表面側に形成され前記ウェル
部と逆導電性を有する光電変換部と、前記光電変換部か
ら信号電荷を読み出す読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴと、前
記信号電荷を電圧変換する検出部と、前記検出部の電位
を周期的に初期化するリセット手段と、前記検出部と入
力結合したソースフォロア回路とを備えた増幅型固体撮
像装置において、 前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長が、前記ソー
スフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴのゲート長よ
りも長くなるような構造を有することを特徴とする増幅
型固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記読み出し用ＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェ
ル部の濃度は、前記リセット用ＭＯＳ・ＦＥＴ及び前記
ソースフォロア回路を構成するＭＯＳ・ＦＥＴ下のウェ
ル部の濃度よりも低いことを特徴とする請求項１記載の
増幅型固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08761398A JP3410016B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 増幅型固体撮像装置 |
| US09/266,007 US6150676A (en) | 1998-03-31 | 1999-03-11 | MOS type image sensor |
| US09/695,989 US6521926B1 (en) | 1998-03-31 | 2000-10-26 | Mos type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08761398A JP3410016B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 増幅型固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284169A true JPH11284169A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3410016B2 JP3410016B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=13919838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08761398A Expired - Lifetime JP3410016B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 増幅型固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6150676A (ja) |
| JP (1) | JP3410016B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737626B1 (en) * | 2001-08-06 | 2004-05-18 | Pixim, Inc. | Image sensors with underlying and lateral insulator structures |
| JP2007166382A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
| JP2008042035A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3576033B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US6091093A (en) * | 1999-06-01 | 2000-07-18 | Intel Corporation | Photodiode having transparent insulating film around gate islands above p-n junction |
| US6445014B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-09-03 | Micron Technology Inc. | Retrograde well structure for a CMOS imager |
| JP3434740B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2003-08-11 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6950136B1 (en) * | 1999-07-22 | 2005-09-27 | Minolta Co., Ltd. | Image-sensing apparatus |
| US6534335B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | Optimized low leakage diodes, including photodiodes |
| US6339248B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-01-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Optimized floating P+ region photodiode for a CMOS image sensor |
| US6965408B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device having a photoelectric conversion unit and a punch-through current suppression circuit |
| US6781170B2 (en) * | 2001-05-01 | 2004-08-24 | Lattice Semiconductor Corporation | Integrated circuit base transistor structure and associated programmable cell library |
| JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子 |
| US20030038336A1 (en) * | 2001-08-22 | 2003-02-27 | Mann Richard A. | Semiconductor device for isolating a photodiode to reduce junction leakage and method of formation |
| US6555877B2 (en) * | 2001-08-27 | 2003-04-29 | Semiconductor Components Industries Llc | NMOSFET with negative voltage capability formed in P-type substrate and method of making the same |
| JP3997739B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2007-10-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4109858B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US6720594B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-04-13 | Xerox Corporation | Image sensor array with reduced pixel crosstalk |
| JP3722367B2 (ja) | 2002-03-19 | 2005-11-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP3854887B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3840203B2 (ja) | 2002-06-27 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
| CN1225897C (zh) * | 2002-08-21 | 2005-11-02 | 佳能株式会社 | 摄像装置 |
| JP3641260B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US7180111B1 (en) | 2003-01-08 | 2007-02-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Gate n-well/p-substrate photodiode |
| US7078745B2 (en) * | 2003-03-05 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with enhanced transfer of charge and low voltage operation |
| US7148528B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Pinned photodiode structure and method of formation |
| US7250647B2 (en) * | 2003-07-03 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Asymmetrical transistor for imager device |
| US7369168B2 (en) * | 2003-07-29 | 2008-05-06 | Micron Technology, Inc. | Circuit for an active pixel sensor |
| JP4439888B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-03-24 | イノテック株式会社 | Ｍｏｓ型固体撮像装置及びその駆動方法 |
| US7075129B2 (en) * | 2004-01-09 | 2006-07-11 | Eastman Kodak Company | Image sensor with reduced p-well conductivity |
| JP4616565B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN100440545C (zh) * | 2004-03-17 | 2008-12-03 | 松下电工株式会社 | 光探测元件及其操作方法 |
| JP2006041196A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| DE102004053077B4 (de) * | 2004-11-03 | 2006-11-02 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Vertikale PIN-Fotodiode und Verfahren zur Herstellung, kompatibel zu einem konventionellen CMOS-Prozess |
| KR100672704B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100640964B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 단위화소 회로 |
| JP2006237462A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP2006253316A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| KR100619549B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2006-09-01 | (주)한비젼 | 다층 기판을 이용한 이미지 센서의 포토 다이오드 제조방법및 그 콘택방법 및 그 구조 |
| US7791159B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-09-07 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and method for fabricating the same |
| US7974805B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-07-05 | ON Semiconductor Trading, Ltd | Image sensor and method |
| JP5271104B2 (ja) | 2009-02-13 | 2013-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | リニアイメージセンサ |
| JP5091886B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2012-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメージセンサ |
| US8299545B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Method and structure to improve body effect and junction capacitance |
| US9114004B2 (en) * | 2010-10-27 | 2015-08-25 | Iridium Medical Technology Co, Ltd. | Flexible artificial retina devices |
| US9155881B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-10-13 | Iridium Medical Technology Co, Ltd. | Non-planar chip assembly |
| JP2013183123A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその設計方法 |
| TW201642453A (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | 晶相光電股份有限公司 | 影像感測裝置 |
| US11557618B2 (en) * | 2019-04-24 | 2023-01-17 | Seiko Epson Corporation | Solid-state image sensor and image reading device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298286A (ja) * | 1995-04-18 | 1997-11-18 | Interuniv Micro Electro Centrum Vzw | 画素構造，その画素構造を使用するイメージセンサおよび対応の周辺回路機構 |
| US5986297A (en) * | 1996-05-22 | 1999-11-16 | Eastman Kodak Company | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk |
| US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
| US6051857A (en) * | 1998-01-07 | 2000-04-18 | Innovision, Inc. | Solid-state imaging device and method of detecting optical signals using the same |
| US5880495A (en) * | 1998-01-08 | 1999-03-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel with a pinned photodiode |
| JP4109743B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP08761398A patent/JP3410016B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-11 US US09/266,007 patent/US6150676A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-26 US US09/695,989 patent/US6521926B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737626B1 (en) * | 2001-08-06 | 2004-05-18 | Pixim, Inc. | Image sensors with underlying and lateral insulator structures |
| JP2007166382A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
| JP2008042035A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6150676A (en) | 2000-11-21 |
| JP3410016B2 (ja) | 2003-05-26 |
| US6521926B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3410016B2 (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
| CN102790864B (zh) | 固体摄像装置 | |
| CN1225897C (zh) | 摄像装置 | |
| US9819882B2 (en) | Global shutter high dynamic range sensor | |
| US6744068B2 (en) | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer | |
| KR101105617B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 라인 센서, 광 센서 및 고체 촬상 장치의동작 방법 | |
| US8471315B1 (en) | CMOS image sensor having global shutter pixels built using a buried channel transfer gate with a surface channel dark current drain | |
| US7002626B2 (en) | Image sensor with motion artifact supression and anti-blooming | |
| US7265397B1 (en) | CCD imager constructed with CMOS fabrication techniques and back illuminated imager with improved light capture | |
| US20180234652A1 (en) | Optical sensor, signal reading method therefor, solid-state imaging device, and signal reading method therefor | |
| US20050098805A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus and image pick-up system using the photoelectric conversion apparatus | |
| JP3667220B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法 | |
| US20150069478A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| CN107221543A (zh) | 固态成像器件、用于驱动其的方法、用于制造其的方法 | |
| JP2003142674A (ja) | Ｍｏｓ型固体撮像装置 | |
| JP2002064197A (ja) | 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム | |
| JP2002280538A (ja) | ｋＴＣノイズを伴わずに完全なピクセルリセットが可能なＣＭＯＳ画像センサ | |
| JP4155568B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
| CN100499146C (zh) | 固体摄像装置及其工作方法、线传感器、光传感器 | |
| JP2003017677A (ja) | 撮像装置 | |
| US20020093015A1 (en) | Solid-state image sensor provided with divided photoelectric conversion part | |
| JP3624042B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH05235317A (ja) | 固体撮像素子 | |
| WO2009119573A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6232589B1 (en) | Single polysilicon CMOS pixel with extended dynamic range |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080320 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320 Year of fee payment: 10 |