JPH11284197A5

JPH11284197A5 - 半導体装置の作製方法

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Publication number: JPH11284197A5
Application number: JP1998100641A
Authority: JP
Filing date: 1998-03-27
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2018-03-27

Claims

絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
６００℃を超えない加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１において、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法又は減圧熱ＣＶＤ法により前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１または２において、前記結晶化されたシリコン膜の主表面近傍におけるゲルマニウムの濃度は１×１０ ¹⁴ 〜１×１０ ²² ａｔｏｍｓ／ｃｍ ³ であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、
６００℃を超えない加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項４において、前記ゲルマニウムを含む溶液として、酸化ゲルマニウム、塩化ゲルマニウム、臭化ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜に対して、イオンプランテーション法、プラズマドーピング法、またはレーザードーピング法によりゲルマニウムを添加し、
６００℃を超えない加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に、ゲルマンを混合したガスを用いてアモルファスシリコン膜を形成し、
６００℃を超えない加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
６００℃を超えない加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜を形成し、
前記ゲルマニウム膜を除去し、
前記ポリシリコン膜上にパターニングされた絶縁層を形成し、
前記ポリシリコン膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面を有する基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第１のアモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
６００℃を超えない加熱処理により前記第１のアモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜を形成し、
前記ゲルマニウム膜を除去し、
前記ポリシリコン膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層上にパターニングされた絶縁層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層上に第２のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第２のアモルファスシリコン膜上に微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜上に導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングしてソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記第２のアモルファスシリコン膜及び前記微結晶シリコン膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項９において、アルミニウムを主成分とする材料を用いて前記導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項８乃至１０のいずれか一において、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記ポリシリコン膜の主表面近傍におけるゲルマニウムの濃度は１×１０ ¹⁴ 〜１×１０ ²² ａｔｏｍｓ／ｃｍ ³ であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項８乃至１２のいずれか一において、酸化シリコン膜を用いて前記パターニングされた絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記加熱処理を４５０〜６００℃の温度範囲で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記加熱処理を不活性雰囲気又は水素雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記加熱処理として、ファーネスアニール、ランプアニール、レーザーアニールのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。