JPH11284273A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH11284273A JPH11284273A JP8361598A JP8361598A JPH11284273A JP H11284273 A JPH11284273 A JP H11284273A JP 8361598 A JP8361598 A JP 8361598A JP 8361598 A JP8361598 A JP 8361598A JP H11284273 A JPH11284273 A JP H11284273A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピックアップに組み込む場合に、その光軸調
整作業を簡素化することができる半導体レーザ装置を提
供すること。 【解決手段】 複数の半導体レーザ素子１１，１２を放
熱部材１３に配置固定し、前記レーザ素子１１，１２に
配線するためのリード端子１５と前記放熱部材１３を保
持部材１４によって一体的に保持して１つの独立したユ
ニットとした半導体レーザ装置１０において、複数のレ
ーザ素子１１，１２の光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光
軸Ａに揃えるための光学部材１８を設け、この光学部材
１８を前記ユニットに一体化して配置したことを特徴と
する。
整作業を簡素化することができる半導体レーザ装置を提
供すること。 【解決手段】 複数の半導体レーザ素子１１，１２を放
熱部材１３に配置固定し、前記レーザ素子１１，１２に
配線するためのリード端子１５と前記放熱部材１３を保
持部材１４によって一体的に保持して１つの独立したユ
ニットとした半導体レーザ装置１０において、複数のレ
ーザ素子１１，１２の光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光
軸Ａに揃えるための光学部材１８を設け、この光学部材
１８を前記ユニットに一体化して配置したことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤ等の光ディ
スク装置のピックアップ用光源として最適な半導体レー
ザ装置に関する。
スク装置のピックアップ用光源として最適な半導体レー
ザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＶＤ用のピックアップは、現在発振波
長が６５０ｎｍの半導体レーザ装置を用いているが、こ
の波長では他の光ディスク、例えばＣＤ−Ｒ用の光ディ
スクの再生を行うことができないので、上述の半導体レ
ーザ装置と、発振波長が７８０ｎｍの赤外半導体レーザ
装置の２つを用いる場合がある。
長が６５０ｎｍの半導体レーザ装置を用いているが、こ
の波長では他の光ディスク、例えばＣＤ−Ｒ用の光ディ
スクの再生を行うことができないので、上述の半導体レ
ーザ装置と、発振波長が７８０ｎｍの赤外半導体レーザ
装置の２つを用いる場合がある。
【０００３】このような２つの半導体レーザ装置を用い
るピックアップにおいては、図５に示すように、２つの
半導体レーザ装置Ｌ１、Ｌ２をその光軸ＸL1、ＸL2が直
交するように配置し、偏光ビームスプリッタＰＢＳ等の
光学部材を介してその光軸を１つに揃えている（特開平
９−４３５２３号公報等）。しかしながら、このように
２つの半導体レーザ装置Ｌ１、Ｌ２を用いると、一方の
半導体レーザ装置Ｌ１の光軸を調整した後、もう一方の
半導体レーザ装置Ｌ２の光軸調整を行う必要があり、ピ
ックアップの組立て作業性が悪いという問題と、２つの
半導体レーザ装置を組み込むのでピックアップＰの形状
が大型化するという問題がある。
るピックアップにおいては、図５に示すように、２つの
半導体レーザ装置Ｌ１、Ｌ２をその光軸ＸL1、ＸL2が直
交するように配置し、偏光ビームスプリッタＰＢＳ等の
光学部材を介してその光軸を１つに揃えている（特開平
９−４３５２３号公報等）。しかしながら、このように
２つの半導体レーザ装置Ｌ１、Ｌ２を用いると、一方の
半導体レーザ装置Ｌ１の光軸を調整した後、もう一方の
半導体レーザ装置Ｌ２の光軸調整を行う必要があり、ピ
ックアップの組立て作業性が悪いという問題と、２つの
半導体レーザ装置を組み込むのでピックアップＰの形状
が大型化するという問題がある。
【０００４】一方、従来より１つの半導体レーザ装置か
ら複数のレーザビームを出射するマルチビーム型の半導
体レーザ装置が知られている。例えば特開平５−８２９
０６号公報等に示されている半導体レーザ装置は、支持
部材の表と裏に半導体レーザ素子を配置した構成として
いる。一般にマルチビーム型の半導体レーザ装置は、レ
ーザビーム間距離が離れているので、光ディスク等の光
源としては不適で、レーザプリンタ等の走査を高速に行
うための光源として専ら利用されている。
ら複数のレーザビームを出射するマルチビーム型の半導
体レーザ装置が知られている。例えば特開平５−８２９
０６号公報等に示されている半導体レーザ装置は、支持
部材の表と裏に半導体レーザ素子を配置した構成として
いる。一般にマルチビーム型の半導体レーザ装置は、レ
ーザビーム間距離が離れているので、光ディスク等の光
源としては不適で、レーザプリンタ等の走査を高速に行
うための光源として専ら利用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、複数のレー
ザビ−ムを用いるピックアップ用に最適な半導体レーザ
装置を提供することを課題の１つとする。特に、ピック
アップに組み込む場合に、その光軸調整作業を簡素化す
ることができる半導体レーザ装置を提供することを課題
の１つとする。また、ピックアップに組み込む場合に、
ピックアップの小型化を図ることができる半導体レーザ
装置を提供することを課題の１つとする。
ザビ−ムを用いるピックアップ用に最適な半導体レーザ
装置を提供することを課題の１つとする。特に、ピック
アップに組み込む場合に、その光軸調整作業を簡素化す
ることができる半導体レーザ装置を提供することを課題
の１つとする。また、ピックアップに組み込む場合に、
ピックアップの小型化を図ることができる半導体レーザ
装置を提供することを課題の１つとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、複数の半導体レーザ素子を放熱部材に配置固定
し、前記レーザ素子に配線するためのリード端子と前記
放熱部材を保持部材によって一体的に保持して１つの独
立したユニットとした半導体レーザ装置において、前記
複数のレーザ素子の光軸を予め設定した光軸に揃えるた
めの光学部材を設け、この光学部材を前記ユニットに一
体化して配置したことを特徴とする。
置は、複数の半導体レーザ素子を放熱部材に配置固定
し、前記レーザ素子に配線するためのリード端子と前記
放熱部材を保持部材によって一体的に保持して１つの独
立したユニットとした半導体レーザ装置において、前記
複数のレーザ素子の光軸を予め設定した光軸に揃えるた
めの光学部材を設け、この光学部材を前記ユニットに一
体化して配置したことを特徴とする。
【０００７】前記光学部材として、半円柱状のレンズ、
あるいはフレネルレンズ、あるいは光ファイバを用いる
ことができ、これらの光学部材は、前記複数のレーザ素
子の光軸のズレを５０μｍ以下に抑える構成とするのが
好ましい。また、前記半導体レーザ素子は、波長が各々
異なるものを用いることができる。
あるいはフレネルレンズ、あるいは光ファイバを用いる
ことができ、これらの光学部材は、前記複数のレーザ素
子の光軸のズレを５０μｍ以下に抑える構成とするのが
好ましい。また、前記半導体レーザ素子は、波長が各々
異なるものを用いることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態について、
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【０００９】まず、第１の実施形態について、本発明を
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図１を参照して説明する。このステムタイプの半
導体レーザ装置１０は、複数の半導体レーザ素子、この
例では発振波長が６５０ｎｍの第１の半導体レーザ素子
１１と発振波長が７８０ｎｍの第２の半導体レーザ素子
１２の２つの半導体レーザ素子を備え、これらを断面が
台形状の銅製の放熱部材１３に配置固定している。この
放熱部材１３は、その基部が銅製のステム１４（保持部
材）に一体的に設けられているとともに、先端部分に前
記第１、第２の半導体レーザ素子１１、１２を配置固定
するための傾斜面を、その延長部分が鋭角に交差するよ
うに形成している。前記半導体レーザ素子１１、１２
は、必要に応じてシリコン製のサブマウントを介して前
記放熱部材１３の傾斜面に配置しても良い。
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図１を参照して説明する。このステムタイプの半
導体レーザ装置１０は、複数の半導体レーザ素子、この
例では発振波長が６５０ｎｍの第１の半導体レーザ素子
１１と発振波長が７８０ｎｍの第２の半導体レーザ素子
１２の２つの半導体レーザ素子を備え、これらを断面が
台形状の銅製の放熱部材１３に配置固定している。この
放熱部材１３は、その基部が銅製のステム１４（保持部
材）に一体的に設けられているとともに、先端部分に前
記第１、第２の半導体レーザ素子１１、１２を配置固定
するための傾斜面を、その延長部分が鋭角に交差するよ
うに形成している。前記半導体レーザ素子１１、１２
は、必要に応じてシリコン製のサブマウントを介して前
記放熱部材１３の傾斜面に配置しても良い。
【００１０】前記ステム１４には、前記第１、第２の半
導体レーザ素子１１、１２にワイヤボンド配線するため
の複数本のリード端子１５が必要に応じて絶縁して保持
されているとともに、気密封止用のキャップ１６を一体
的に固定している。このキャップ１６には、レーザビー
ム出射用の窓１７が設けられている。この窓１７には、
第１、第２の半導体レーザ素子１１、１２のレーザビー
ムの光軸（ビ−ムの強度分布のピ−クを示す軸）Ａ１，
Ａ２を平行に保つとともに、予め設定した１つの光軸Ａ
に揃えて出射するように光学設計した半円柱状のレンズ
部１８を設けている。そして、前記レンズ部１８による
光軸揃えが十分機能するように、前記放熱部材１３に形
成された傾斜面の角度や第１、第２の半導体レーザ素子
１１、１２の取付位置が事前に最適状態に調整される。
その結果、第１の半導体レーザ素子１１、第２の半導体
レーザ素子１２を選択的に作動させると、いずれのレー
ザビームも、レンズ部１８を通過することによってその
光軸Ａ１，Ａ２が平行に保たれ、しかも予め設定した光
軸Ａに揃えられて出射する。
導体レーザ素子１１、１２にワイヤボンド配線するため
の複数本のリード端子１５が必要に応じて絶縁して保持
されているとともに、気密封止用のキャップ１６を一体
的に固定している。このキャップ１６には、レーザビー
ム出射用の窓１７が設けられている。この窓１７には、
第１、第２の半導体レーザ素子１１、１２のレーザビー
ムの光軸（ビ−ムの強度分布のピ−クを示す軸）Ａ１，
Ａ２を平行に保つとともに、予め設定した１つの光軸Ａ
に揃えて出射するように光学設計した半円柱状のレンズ
部１８を設けている。そして、前記レンズ部１８による
光軸揃えが十分機能するように、前記放熱部材１３に形
成された傾斜面の角度や第１、第２の半導体レーザ素子
１１、１２の取付位置が事前に最適状態に調整される。
その結果、第１の半導体レーザ素子１１、第２の半導体
レーザ素子１２を選択的に作動させると、いずれのレー
ザビームも、レンズ部１８を通過することによってその
光軸Ａ１，Ａ２が平行に保たれ、しかも予め設定した光
軸Ａに揃えられて出射する。
【００１１】このように、半導体レーザ素子１１は、そ
の内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるためのレンズ部１８を備えて１つの独立したユニッ
トとしているので、複数のレーザビームの光軸調整を事
前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これ
を光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、
１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調
節作業性を良好にすることができる。また、ピックアッ
プに組み込む半導体レーザ装置の数を削減することがで
きる。
の内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるためのレンズ部１８を備えて１つの独立したユニッ
トとしているので、複数のレーザビームの光軸調整を事
前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これ
を光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、
１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調
節作業性を良好にすることができる。また、ピックアッ
プに組み込む半導体レーザ装置の数を削減することがで
きる。
【００１２】次に、第２の実施形態について、本発明を
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図２（ａ），（ｂ）を参照して説明する。ここで
第１の実施形態と同一構成要素には、同一の符号を付し
てその説明を省略する。このステムタイプの半導体レー
ザ装置２０も、第１の実施形態と同じ第１の半導体レー
ザ素子１１と第２の半導体レーザ素子１２を備えてい
る。これらの第１，第２の半導体レーザ素子１１，１２
は、銅製の放熱部材２１の上面に、光学部材としてのフ
レネルレンズ２２を配置するに必要な間隔をおいて配置
固定している。
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図２（ａ），（ｂ）を参照して説明する。ここで
第１の実施形態と同一構成要素には、同一の符号を付し
てその説明を省略する。このステムタイプの半導体レー
ザ装置２０も、第１の実施形態と同じ第１の半導体レー
ザ素子１１と第２の半導体レーザ素子１２を備えてい
る。これらの第１，第２の半導体レーザ素子１１，１２
は、銅製の放熱部材２１の上面に、光学部材としてのフ
レネルレンズ２２を配置するに必要な間隔をおいて配置
固定している。
【００１３】図２（ｂ）に示すように、フレネルレンズ
２２は、その中心が第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２を結ぶ線の中間に位置するように放熱部材２１
の上面に配置している。そして、第１，第２の半導体レ
ーザ素子１１，１２は、その光軸Ａ１，Ａ２がフレネル
レンズ２２の中心を向くように、その出射面を向かい合
わせて配置固定している。フレネルレンズ２２は、第
１，第２の半導体レーザ素子１１，１２から出射される
レーザビームを、その光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した１
つの光軸Ａに一致させて出射させるように光学設計した
ものを用いている。気密封止用のキャップ１６には、レ
ーザビーム出射用の窓２３が設けられているが、この窓
２３には、第１の実施形態のようなレンズ部は設けてい
ない。
２２は、その中心が第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２を結ぶ線の中間に位置するように放熱部材２１
の上面に配置している。そして、第１，第２の半導体レ
ーザ素子１１，１２は、その光軸Ａ１，Ａ２がフレネル
レンズ２２の中心を向くように、その出射面を向かい合
わせて配置固定している。フレネルレンズ２２は、第
１，第２の半導体レーザ素子１１，１２から出射される
レーザビームを、その光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した１
つの光軸Ａに一致させて出射させるように光学設計した
ものを用いている。気密封止用のキャップ１６には、レ
ーザビーム出射用の窓２３が設けられているが、この窓
２３には、第１の実施形態のようなレンズ部は設けてい
ない。
【００１４】この実施形態の半導体レーザ装置２０も、
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるためのレンズ２２を備えて１つの独立したユニット
としているので、複数のレーザビームの光軸調整を事前
に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これを
光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、１
つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調節
作業性を良好にすることができる。また、ピックアップ
に組み込む半導体レーザ装置の数を削減することができ
る。さらに、薄型化できるフレネルレンズ２２を用いる
ので、半導体レーザ装置２０の薄型化を図ることもでき
る。
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるためのレンズ２２を備えて１つの独立したユニット
としているので、複数のレーザビームの光軸調整を事前
に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これを
光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、１
つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調節
作業性を良好にすることができる。また、ピックアップ
に組み込む半導体レーザ装置の数を削減することができ
る。さらに、薄型化できるフレネルレンズ２２を用いる
ので、半導体レーザ装置２０の薄型化を図ることもでき
る。
【００１５】なお、上記第１，第２の実施形態におい
て、予め設定した光軸Ａにレーザビームの光軸Ａ１，Ａ
２を完全に一致させて出射させることが好ましいが、平
行な複数の光軸Ａ１，Ａ２が互いに５０μｍ以下、好ま
しくは３０μｍ以下に保たれて出射されれば，実用上許
容されるので、予め設定した光軸Ａと複数の光軸Ａ１，
Ａ２のズレが前記許容範囲内になるように，光学設計を
行えば良い。
て、予め設定した光軸Ａにレーザビームの光軸Ａ１，Ａ
２を完全に一致させて出射させることが好ましいが、平
行な複数の光軸Ａ１，Ａ２が互いに５０μｍ以下、好ま
しくは３０μｍ以下に保たれて出射されれば，実用上許
容されるので、予め設定した光軸Ａと複数の光軸Ａ１，
Ａ２のズレが前記許容範囲内になるように，光学設計を
行えば良い。
【００１６】次に、第３の実施形態について、本発明を
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図３を参照して説明する。ここで第１，第２の実
施形態と同一構成要素には、同一の符号を付してその説
明を省略する。このステムタイプの半導体レーザ装置３
０も、第１の実施形態と同じ第１の半導体レーザ素子１
１と第２の半導体レーザ素子１２を備えている。これら
の第１，第２の半導体レーザ素子１１，１２は、銅製の
放熱部材３１の側面に、直接あるいはサブマウントを介
して固定している。放熱部材３１の側面には、第１，第
２の半導体レーザ素子１１，１２が出射するレーザビー
ムを１つに揃えて出射するための２又構造の光ファイバ
３２を配置している。光ファイバ３２の各入射端部３２
ａ，３２ｂは、第１，第２の半導体レーザ素子１１，１
２の出射面に対向配置し、光ファイバ３２の出射端部３
２ｃは、気密封止用キャップの窓２３に対向して配置し
ている。したがって、第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２から出射されるレーザビームの光軸は、光ファ
イバ３２を通過することによって１つに揃えられるの
で、半導体レーザ装置３０から出射するレーザビーム
は、予め設定した光軸Ａに統一されることになる。
ステムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例に
取り、図３を参照して説明する。ここで第１，第２の実
施形態と同一構成要素には、同一の符号を付してその説
明を省略する。このステムタイプの半導体レーザ装置３
０も、第１の実施形態と同じ第１の半導体レーザ素子１
１と第２の半導体レーザ素子１２を備えている。これら
の第１，第２の半導体レーザ素子１１，１２は、銅製の
放熱部材３１の側面に、直接あるいはサブマウントを介
して固定している。放熱部材３１の側面には、第１，第
２の半導体レーザ素子１１，１２が出射するレーザビー
ムを１つに揃えて出射するための２又構造の光ファイバ
３２を配置している。光ファイバ３２の各入射端部３２
ａ，３２ｂは、第１，第２の半導体レーザ素子１１，１
２の出射面に対向配置し、光ファイバ３２の出射端部３
２ｃは、気密封止用キャップの窓２３に対向して配置し
ている。したがって、第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２から出射されるレーザビームの光軸は、光ファ
イバ３２を通過することによって１つに揃えられるの
で、半導体レーザ装置３０から出射するレーザビーム
は、予め設定した光軸Ａに統一されることになる。
【００１７】この実施形態の半導体レーザ装置３０も、
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸を予め設定した光軸Ａに揃えるための
光ファイバ３２からなる光学部材を備えて１つの独立し
たユニットとしているので、複数のレーザビームの光軸
調整を事前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことがで
き、これを光ディスク装置等のピックアップに組み込む
場合は、１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよ
く、その調節作業性を良好にすることができる。また、
ピックアップに組み込む半導体レーザ装置の数を削減す
ることができる。
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸を予め設定した光軸Ａに揃えるための
光ファイバ３２からなる光学部材を備えて１つの独立し
たユニットとしているので、複数のレーザビームの光軸
調整を事前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことがで
き、これを光ディスク装置等のピックアップに組み込む
場合は、１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよ
く、その調節作業性を良好にすることができる。また、
ピックアップに組み込む半導体レーザ装置の数を削減す
ることができる。
【００１８】次に、第４の実施形態について、本発明を
フレ−ムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例
に取り、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。この
フレームタイプの半導体レーザ装置４０は、複数のリー
ドフレーム４１の１つに、放熱部４２と素子配置部４３
を一体的に形成してそれらを兼用するリードフレーム４
１ａを備え、これらのリードフレーム４１を樹脂製の保
持部材４４によって一体的に保持して構成しているとと
もに、第１の実施形態と同じく第１の半導体レーザ素子
１１と第２の半導体レーザ素子１２を備えている。第
１，第２の半導体レーザ素子１１，１２は、リードフレ
ーム４１ａの素子配置部（厚みが３００μｍ前後）４３
の表裏の両面に配置している。
フレ−ムタイプの半導体レーザ装置に適用した場合を例
に取り、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。この
フレームタイプの半導体レーザ装置４０は、複数のリー
ドフレーム４１の１つに、放熱部４２と素子配置部４３
を一体的に形成してそれらを兼用するリードフレーム４
１ａを備え、これらのリードフレーム４１を樹脂製の保
持部材４４によって一体的に保持して構成しているとと
もに、第１の実施形態と同じく第１の半導体レーザ素子
１１と第２の半導体レーザ素子１２を備えている。第
１，第２の半導体レーザ素子１１，１２は、リードフレ
ーム４１ａの素子配置部（厚みが３００μｍ前後）４３
の表裏の両面に配置している。
【００１９】素子配置部４３の先端には、第１，第２の
半導体レーザ素子１１，１２が出射するレーザビームの
光軸Ａ１，Ａ２を、第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２の間隔（３００μｍ以上）よりも十分短い間隔
に保ちながら、予め設定した光軸Ａに揃えて出射するよ
うに光学設計した光学部材４５を配置している。すなわ
ち、この光学部材４５は、全体を半円柱状の透明樹脂４
５ａで構成し、その入射部分に第１，第２の半導体レー
ザ素子１１，１２が出射するレーザビームを平行に揃え
る半円柱状のレンズ４５ｂを形成しているとともに、入
射した各レーザビームの光軸Ａ１，Ａ２を平行にし、し
かも光軸Ａに揃えて出射するための複数の反射面４５ｃ
を一体的に形成している。
半導体レーザ素子１１，１２が出射するレーザビームの
光軸Ａ１，Ａ２を、第１，第２の半導体レーザ素子１
１，１２の間隔（３００μｍ以上）よりも十分短い間隔
に保ちながら、予め設定した光軸Ａに揃えて出射するよ
うに光学設計した光学部材４５を配置している。すなわ
ち、この光学部材４５は、全体を半円柱状の透明樹脂４
５ａで構成し、その入射部分に第１，第２の半導体レー
ザ素子１１，１２が出射するレーザビームを平行に揃え
る半円柱状のレンズ４５ｂを形成しているとともに、入
射した各レーザビームの光軸Ａ１，Ａ２を平行にし、し
かも光軸Ａに揃えて出射するための複数の反射面４５ｃ
を一体的に形成している。
【００２０】ここで、各レーザビームの光軸Ａ１，Ａ２
を完全に一致することはできないので、予め設定した光
軸Ａに対するズレが実用上許容される範囲である５０μ
ｍ以内、好ましくは３０μｍ以内になるように前記光学
部材４５の設計が行われる。
を完全に一致することはできないので、予め設定した光
軸Ａに対するズレが実用上許容される範囲である５０μ
ｍ以内、好ましくは３０μｍ以内になるように前記光学
部材４５の設計が行われる。
【００２１】この実施形態の半導体レーザ装置４０も、
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるための光学部材４５を備えて１つの独立したユニッ
トとしているので、複数のレーザビームの光軸調整を事
前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これ
を光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、
１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調
節作業性を良好にすることができる。また、ピックアッ
プに組み込む半導体レーザ装置の数を削減することがで
きる。
その内部に、複数の半導体レーザ素子１１、１２を配置
し、それらの光軸Ａ１，Ａ２を予め設定した光軸Ａに揃
えるための光学部材４５を備えて１つの独立したユニッ
トとしているので、複数のレーザビームの光軸調整を事
前に行って１つの光軸Ａに揃えておくことができ、これ
を光ディスク装置等のピックアップに組み込む場合は、
１つの光軸Ａについての調節を行うのみでよく、その調
節作業性を良好にすることができる。また、ピックアッ
プに組み込む半導体レーザ装置の数を削減することがで
きる。
【００２２】尚、上記各実施形態においては、発振波長
が異なる２つの半導体レーザ素子１１、１２を用いる場
合を例に取ったが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えば発振波長が同じ複数の半導体レーザ素子を
用いる場合や、３以上の半導体レーザ素子を用いる場合
にも適用することができる．
が異なる２つの半導体レーザ素子１１、１２を用いる場
合を例に取ったが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えば発振波長が同じ複数の半導体レーザ素子を
用いる場合や、３以上の半導体レーザ素子を用いる場合
にも適用することができる．
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数の半
導体レーザ素子の光軸を予め設定した光軸に揃えるため
の光学部材を設け、この光学部材をユニットに一体化し
て配置したので、ピックアップに組み込む場合に、その
光軸調整作業を簡素化することができる半導体レーザ装
置を提供することができる。また、ピックアップに組み
込む場合に、ピックアップの小型化を図ることができる
半導体レーザ装置を提供することができる。
導体レーザ素子の光軸を予め設定した光軸に揃えるため
の光学部材を設け、この光学部材をユニットに一体化し
て配置したので、ピックアップに組み込む場合に、その
光軸調整作業を簡素化することができる半導体レーザ装
置を提供することができる。また、ピックアップに組み
込む場合に、ピックアップの小型化を図ることができる
半導体レーザ装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図（ａ）
と、要部の平面図（ｂ）である。
と、要部の平面図（ｂ）である。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態を示す平面図（ａ）
と、同図（ａ）のｂ−ｂ断面図（ｂ）と、同図（ａ）の
ｃ−ｃ拡大断面図（ｃ）である。
と、同図（ａ）のｂ−ｂ断面図（ｂ）と、同図（ａ）の
ｃ−ｃ拡大断面図（ｃ）である。
【図５】従来例を説明するための概略構成図である。
１０（２０，３０，４０） 半導体レーザ装置 １１ 半導体レーザ素子 １２ 半導体レーザ素子 １３ 放熱部材 １４ ステム １５ リード端子 １６ キャップ １７ 窓 １８ レンズ部
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザ素子を放熱部材に配
置固定し、前記レーザ素子に配線するためのリード端子
と前記放熱部材を保持部材によって一体的に保持して１
つの独立したユニットとした半導体レーザ装置におい
て、前記複数のレーザ素子の光軸を予め設定した光軸に
揃えるための光学部材を設け、この光学部材を前記ユニ
ットに一体化して配置したことを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項２】 前記光学部材として、半円柱状のレン
ズ、あるいはフレネルレンズ、あるいは光ファイバを用
いたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】 前記光学部材は、前記複数のレーザ素子
の光軸のズレを５０μｍ以下に抑える構成としたことを
特徴とする請求項１あるいは２記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ素子は、波長が各々異
なることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8361598A JPH11284273A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8361598A JPH11284273A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284273A true JPH11284273A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13807404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8361598A Pending JPH11284273A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284273A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103731A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Sony Corp | 光通信モジュール及び光通信システム |
| JP2010123886A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2019176046A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社島津製作所 | 水中用レーザ光源 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8361598A patent/JPH11284273A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103731A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Sony Corp | 光通信モジュール及び光通信システム |
| JP2010123886A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2019176046A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社島津製作所 | 水中用レーザ光源 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040928 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |