JPH11284316A - 配線基板の導体パタ―ン形成方法 - Google Patents
配線基板の導体パタ―ン形成方法Info
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- JPH11284316A JPH11284316A JP1054499A JP1054499A JPH11284316A JP H11284316 A JPH11284316 A JP H11284316A JP 1054499 A JP1054499 A JP 1054499A JP 1054499 A JP1054499 A JP 1054499A JP H11284316 A JPH11284316 A JP H11284316A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板の導体パターン形成工程を簡略化で
き、かつ電解銅めっき層の側面部分のエッチングを抑制
して導体パターン間の間隔をより狭くできるようにす
る。 【解決手段】 配線基板の絶縁層１０の表面に無電解銅
めっき層１２が形成され、無電解銅めっき層１２上に電
解銅めっき層１６が形成されてなる配線基板の導体パタ
ーン形成方法において、絶縁層１０上に無電解銅めっき
層１２を形成する無電解銅めっき層１２形成工程と、無
電解銅めっき層１２上にめっきレジスト１４をパターニ
ングするレジスト形成工程と、めっきレジスト１４から
露出する無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層１６
を形成する電解銅めっき層形成工程と、めっきレジスト
１４を剥離して電解銅めっき層１６形成部分以外の無電
解銅めっき層１２を露出させるレジスト剥離工程と、露
出した無電解銅めっき層１２を、硫酸、過酸化水素およ
びＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッチング
液を用いて剥離する無電解銅めっき層１２剥離工程とを
含む。この方法により導体パターン２０が形成される。
き、かつ電解銅めっき層の側面部分のエッチングを抑制
して導体パターン間の間隔をより狭くできるようにす
る。 【解決手段】 配線基板の絶縁層１０の表面に無電解銅
めっき層１２が形成され、無電解銅めっき層１２上に電
解銅めっき層１６が形成されてなる配線基板の導体パタ
ーン形成方法において、絶縁層１０上に無電解銅めっき
層１２を形成する無電解銅めっき層１２形成工程と、無
電解銅めっき層１２上にめっきレジスト１４をパターニ
ングするレジスト形成工程と、めっきレジスト１４から
露出する無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層１６
を形成する電解銅めっき層形成工程と、めっきレジスト
１４を剥離して電解銅めっき層１６形成部分以外の無電
解銅めっき層１２を露出させるレジスト剥離工程と、露
出した無電解銅めっき層１２を、硫酸、過酸化水素およ
びＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッチング
液を用いて剥離する無電解銅めっき層１２剥離工程とを
含む。この方法により導体パターン２０が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板等の配
線基板に導体パターンを形成する配線基板の導体パター
ン形成方法に関する。
線基板に導体パターンを形成する配線基板の導体パター
ン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の配線基板の導体パターン形成方法
について図５を用いて説明する。まず、配線基板の絶縁
層１０上に無電解銅めっき層１２を形成する。図５
（ａ）参照。なお、ここで絶縁層には、多層配線基板の
場合に基材上に多層に形成される導体パターン相互の電
気的絶縁性を確保する目的で導体パターン間に介挿され
る絶縁層が含まれる他、基材自体もまた含まれるものと
する。以下同様。次に、無電解銅めっき層１２上にめっ
きレジスト１４をパターニングする。図５（ｂ）参照。
について図５を用いて説明する。まず、配線基板の絶縁
層１０上に無電解銅めっき層１２を形成する。図５
（ａ）参照。なお、ここで絶縁層には、多層配線基板の
場合に基材上に多層に形成される導体パターン相互の電
気的絶縁性を確保する目的で導体パターン間に介挿され
る絶縁層が含まれる他、基材自体もまた含まれるものと
する。以下同様。次に、無電解銅めっき層１２上にめっ
きレジスト１４をパターニングする。図５（ｂ）参照。
【０００３】次に、無電解銅めっき層１２を給電層とし
て露出する無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層１
６をパターンめっきする。図５（ｃ）参照。次に、電解
銅めっき層１６上にエッチングレジスト１８を形成す
る。図５（ｄ）参照。エッチングレジスト１８として
は、はんだめっきやすずめっき等がある。次に、めっき
レジスト１４を剥離する。図５（ｅ）参照。次に、エッ
チング液を用いて露出している無電解銅めっき層１２を
剥離する。図５（ｆ）参照。エッチング液としてはアル
カリエッチング液が用いられる。最後に、電解銅めっき
層１６上のエッチングレジスト１８を剥離する。これに
より、配線基板の絶縁層１０上に、無電解銅めっき層１
２上に電解銅めっき層１６が積層されてなる導体パター
ン２０が形成される。図５（ｇ）参照。
て露出する無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層１
６をパターンめっきする。図５（ｃ）参照。次に、電解
銅めっき層１６上にエッチングレジスト１８を形成す
る。図５（ｄ）参照。エッチングレジスト１８として
は、はんだめっきやすずめっき等がある。次に、めっき
レジスト１４を剥離する。図５（ｅ）参照。次に、エッ
チング液を用いて露出している無電解銅めっき層１２を
剥離する。図５（ｆ）参照。エッチング液としてはアル
カリエッチング液が用いられる。最後に、電解銅めっき
層１６上のエッチングレジスト１８を剥離する。これに
より、配線基板の絶縁層１０上に、無電解銅めっき層１
２上に電解銅めっき層１６が積層されてなる導体パター
ン２０が形成される。図５（ｇ）参照。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た配線基板の導体パターン形成方法では、無電解銅めっ
き層１２を剥離するエッチング液としてアルカリエッチ
ング液を使用しており、無電解銅めっきのみならず、電
解銅めっきもエッチングされる。このため、導体パター
ン２０を主として形成する電解銅めっき層１６の厚みが
薄くならないようにすべく、電解銅めっき層１６のエッ
チング液に対する保護膜としてのエッチングレジスト１
８を電解銅めっき層１６上に形成するのであるが、この
エッチングレジスト１８の形成工程と当該エッチングレ
ジスト１８の剥離工程が必須工程となり、導体パターン
形成工程が複雑になる。
た配線基板の導体パターン形成方法では、無電解銅めっ
き層１２を剥離するエッチング液としてアルカリエッチ
ング液を使用しており、無電解銅めっきのみならず、電
解銅めっきもエッチングされる。このため、導体パター
ン２０を主として形成する電解銅めっき層１６の厚みが
薄くならないようにすべく、電解銅めっき層１６のエッ
チング液に対する保護膜としてのエッチングレジスト１
８を電解銅めっき層１６上に形成するのであるが、この
エッチングレジスト１８の形成工程と当該エッチングレ
ジスト１８の剥離工程が必須工程となり、導体パターン
形成工程が複雑になる。
【０００５】また、エッチングレジスト１８を電解銅め
っき層１６上に形成しても、アルカリエッチング液をエ
ッチング液として使用する限りは、エッチングレジスト
１８で覆われていない電解銅めっき層１６の側面部分が
エッチングされて電解銅めっき層１６の幅が細くなる。
このため、従来ではこの電解銅めっき層１６の細りを考
慮して予め目標とする導体パターン２０の幅よりも幅広
の電解銅めっき層１６を形成するようにしているが、こ
の方法では予め目標とする導体パターン２０の幅よりも
電解銅めっき層１６の幅を幅広に形成しなければなら
ず、導体パターン２０間の間隔（隙間）をめっきレジス
ト１４の解像度の限界まで狭めることができないという
課題がある。従って、本発明は上記課題を解決すべくな
され、その目的とするところは、配線基板の導体パター
ン形成工程を簡略化でき、かつ電解銅めっき層の側面部
分のエッチングを抑制して導体パターン間の間隔をより
狭くすることができる配線基板の導体パターン形成方法
を提供することにある。
っき層１６上に形成しても、アルカリエッチング液をエ
ッチング液として使用する限りは、エッチングレジスト
１８で覆われていない電解銅めっき層１６の側面部分が
エッチングされて電解銅めっき層１６の幅が細くなる。
このため、従来ではこの電解銅めっき層１６の細りを考
慮して予め目標とする導体パターン２０の幅よりも幅広
の電解銅めっき層１６を形成するようにしているが、こ
の方法では予め目標とする導体パターン２０の幅よりも
電解銅めっき層１６の幅を幅広に形成しなければなら
ず、導体パターン２０間の間隔（隙間）をめっきレジス
ト１４の解像度の限界まで狭めることができないという
課題がある。従って、本発明は上記課題を解決すべくな
され、その目的とするところは、配線基板の導体パター
ン形成工程を簡略化でき、かつ電解銅めっき層の側面部
分のエッチングを抑制して導体パターン間の間隔をより
狭くすることができる配線基板の導体パターン形成方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、配
線基板の絶縁層の表面に無電解銅めっき層が形成され、
該無電解銅めっき層上に電解銅めっき層が形成されてな
る配線基板の導体パターン形成方法において、前記絶縁
層上に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形
成工程と、前記無電解銅めっき層上にめっきレジストを
パターニングするレジスト形成工程と、前記めっきレジ
ストから露出する前記無電解銅めっき層上に電解銅めっ
き層を形成する電解銅めっき層形成工程と、前記めっき
レジストを剥離して前記電解銅めっき層形成部分以外の
前記無電解銅めっき層を露出させるレジスト剥離工程
と、露出した前記無電解銅めっき層を、硫酸、過酸化水
素およびＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッ
チング液を用いて剥離する無電解銅めっき層剥離工程と
を含むことを特徴とする。これによれば、硫酸、過酸化
水素およびＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエ
ッチング液では、無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶
状態の差からこれら２つのめっきに対するエッチングレ
ートが大きく異なるため、無電解銅めっき層を選択的に
エッチングすることが可能となる。よって、電解銅めっ
き層をエッチング液から保護するためのエッチングレジ
ストが不要となり、このエッチングレジストの形成工程
と剥離工程が省け、導体パターン形成工程全体が簡略化
できる。また、電解銅めっき層の厚みや幅が薄くなった
り狭まったりすることがないため、電解銅めっき層の厚
みや幅を当初から目標とする導体パターンの厚みや幅に
設定することが可能となることから、めっきレジストの
解像度の限界まで隙間を狭くした導体パターンが形成で
きる。
線基板の絶縁層の表面に無電解銅めっき層が形成され、
該無電解銅めっき層上に電解銅めっき層が形成されてな
る配線基板の導体パターン形成方法において、前記絶縁
層上に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形
成工程と、前記無電解銅めっき層上にめっきレジストを
パターニングするレジスト形成工程と、前記めっきレジ
ストから露出する前記無電解銅めっき層上に電解銅めっ
き層を形成する電解銅めっき層形成工程と、前記めっき
レジストを剥離して前記電解銅めっき層形成部分以外の
前記無電解銅めっき層を露出させるレジスト剥離工程
と、露出した前記無電解銅めっき層を、硫酸、過酸化水
素およびＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッ
チング液を用いて剥離する無電解銅めっき層剥離工程と
を含むことを特徴とする。これによれば、硫酸、過酸化
水素およびＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエ
ッチング液では、無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶
状態の差からこれら２つのめっきに対するエッチングレ
ートが大きく異なるため、無電解銅めっき層を選択的に
エッチングすることが可能となる。よって、電解銅めっ
き層をエッチング液から保護するためのエッチングレジ
ストが不要となり、このエッチングレジストの形成工程
と剥離工程が省け、導体パターン形成工程全体が簡略化
できる。また、電解銅めっき層の厚みや幅が薄くなった
り狭まったりすることがないため、電解銅めっき層の厚
みや幅を当初から目標とする導体パターンの厚みや幅に
設定することが可能となることから、めっきレジストの
解像度の限界まで隙間を狭くした導体パターンが形成で
きる。
【０００７】また、前記無電解銅めっき層剥離工程の前
に、前記電解銅めっき層に加熱処理を施すアニール処理
工程を設けると、さらに無電解銅めっきと電解銅めっき
の結晶状態の差が大きくなり、エッチングレートの差が
開くため、無電解銅めっき層を一層選択的にエッチング
することが可能となる。これによって、電解銅めっき層
のエッチング量がより減少し、一層微細な導体パターン
形成が行える。
に、前記電解銅めっき層に加熱処理を施すアニール処理
工程を設けると、さらに無電解銅めっきと電解銅めっき
の結晶状態の差が大きくなり、エッチングレートの差が
開くため、無電解銅めっき層を一層選択的にエッチング
することが可能となる。これによって、電解銅めっき層
のエッチング量がより減少し、一層微細な導体パターン
形成が行える。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る配線基板の導体パタ
ーン形成方法の好適な実施の形態を添付図面に基づいて
説明する。最初に、配線基板の導体パターン形成方法に
ついて図１を用いながら、従来例と比較しつつ説明す
る。なお、一例として従来例と同様に、配線基板の絶縁
層１０上に、無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層
１６が形成されてなる導体パターン２０を形成する場合
を例として説明する。
ーン形成方法の好適な実施の形態を添付図面に基づいて
説明する。最初に、配線基板の導体パターン形成方法に
ついて図１を用いながら、従来例と比較しつつ説明す
る。なお、一例として従来例と同様に、配線基板の絶縁
層１０上に、無電解銅めっき層１２上に電解銅めっき層
１６が形成されてなる導体パターン２０を形成する場合
を例として説明する。
【０００９】まず、配線基板の絶縁層１０の表面に無電
解銅めっき層１２を形成する無電解銅めっき層形成工程
を行う。図１（ａ）参照。次に、無電解銅めっき層１２
の表面にめっきレジスト１４をパターニングするレジス
ト形成工程を行う。図１（ｂ）参照。次に、めっきレジ
スト１４から露出する無電解銅めっき層１２の表面に電
解銅めっき層１６を形成する電解銅めっき層形成工程を
行う。図１（ｃ）参照。以上、ここまでは従来の配線基
板の導体パターン形成方法と同じである。
解銅めっき層１２を形成する無電解銅めっき層形成工程
を行う。図１（ａ）参照。次に、無電解銅めっき層１２
の表面にめっきレジスト１４をパターニングするレジス
ト形成工程を行う。図１（ｂ）参照。次に、めっきレジ
スト１４から露出する無電解銅めっき層１２の表面に電
解銅めっき層１６を形成する電解銅めっき層形成工程を
行う。図１（ｃ）参照。以上、ここまでは従来の配線基
板の導体パターン形成方法と同じである。
【００１０】次に、従来例では図５（ｄ）に示すよう
に、電解銅めっき層１６の表面にエッチングレジスト１
８を形成していたが、本実施の形態においてはこのエッ
チングレジスト１８の形成工程を行わず、めっきレジス
ト１４を剥離するレジスト剥離工程を行う。これによっ
て、電解銅めっき層１６形成部分以外の無電解銅めっき
層１２が露出する。図１（ｄ）参照。そして最後に、エ
ッチング液を用いて露出している無電解銅めっき層１２
を剥離する無電解銅めっき層剥離工程を行う。図１
（ｆ）参照。エッチング液としては、硫酸（４〜６
％）、過酸化水素（５〜１０％）およびＣｕキレート剤
（微量）を含む混合水溶液からなるエッチング液が好適
である。さらには、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2 Ｏ（１％以
下）、スルホン酸系有機物（１％以下）を含めた混合水
溶液とすると好適である。また、Ｃｕキレート剤として
は複素環系有機物が考えられる。このようなエッチング
液は、無電解銅めっきと電解銅めっきとの結晶状態の差
から、これらのめっきに対するエッチングレートが異な
り、電解銅めっき層１６を殆どエッチングすることなく
無電解銅めっき層１２を選択的にエッチングすることが
できる。
に、電解銅めっき層１６の表面にエッチングレジスト１
８を形成していたが、本実施の形態においてはこのエッ
チングレジスト１８の形成工程を行わず、めっきレジス
ト１４を剥離するレジスト剥離工程を行う。これによっ
て、電解銅めっき層１６形成部分以外の無電解銅めっき
層１２が露出する。図１（ｄ）参照。そして最後に、エ
ッチング液を用いて露出している無電解銅めっき層１２
を剥離する無電解銅めっき層剥離工程を行う。図１
（ｆ）参照。エッチング液としては、硫酸（４〜６
％）、過酸化水素（５〜１０％）およびＣｕキレート剤
（微量）を含む混合水溶液からなるエッチング液が好適
である。さらには、ＣｕＳＯ4・５Ｈ2 Ｏ（１％以
下）、スルホン酸系有機物（１％以下）を含めた混合水
溶液とすると好適である。また、Ｃｕキレート剤として
は複素環系有機物が考えられる。このようなエッチング
液は、無電解銅めっきと電解銅めっきとの結晶状態の差
から、これらのめっきに対するエッチングレートが異な
り、電解銅めっき層１６を殆どエッチングすることなく
無電解銅めっき層１２を選択的にエッチングすることが
できる。
【００１１】ここで、無電解銅めっきと電解銅めっきの
エッチング液に対するエッチングレートが異なる理由と
しては、第１に各めっき法によって形成された各めっき
被膜についてＸ線回折を行うと、電解銅めっきによる被
膜にはＣｕ原子が最も蜜に配列された状態を示す（１１
１）面にピークが存在するが、無電解銅めっきによる被
膜にはこのピークが存在せず、電解銅めっき被膜の方が
無電解銅めっき被膜よりも結晶性が高いからであると考
えられる。なお、電解銅めっきによる被膜に存在するピ
ークは電解銅めっき被膜に加熱処理を施すことによって
一層顕著になる。また第２に、無電解銅めっき被膜は、
被めっき物表面に点状に銅が析出していき、この点状の
銅がつながってめっき被膜を形成する。それに対し、電
解銅めっき被膜は、被めっき物表面に面状に銅が析出し
て形成されるものであり、この形成のしかたの相違によ
り、無電解銅めっき被膜は電解銅めっき被膜に比較して
表面が粗くなる傾向にあり、エッチング液のアタックを
受けやすいと考えられる。
エッチング液に対するエッチングレートが異なる理由と
しては、第１に各めっき法によって形成された各めっき
被膜についてＸ線回折を行うと、電解銅めっきによる被
膜にはＣｕ原子が最も蜜に配列された状態を示す（１１
１）面にピークが存在するが、無電解銅めっきによる被
膜にはこのピークが存在せず、電解銅めっき被膜の方が
無電解銅めっき被膜よりも結晶性が高いからであると考
えられる。なお、電解銅めっきによる被膜に存在するピ
ークは電解銅めっき被膜に加熱処理を施すことによって
一層顕著になる。また第２に、無電解銅めっき被膜は、
被めっき物表面に点状に銅が析出していき、この点状の
銅がつながってめっき被膜を形成する。それに対し、電
解銅めっき被膜は、被めっき物表面に面状に銅が析出し
て形成されるものであり、この形成のしかたの相違によ
り、無電解銅めっき被膜は電解銅めっき被膜に比較して
表面が粗くなる傾向にあり、エッチング液のアタックを
受けやすいと考えられる。
【００１２】これにより、電解銅めっき層１６の厚みが
薄くなったり、幅が狭くなったりすることがないため、
電解銅めっき層１６の厚みや幅を当初から目標とする導
体パターン２０の厚みや幅に合わせて設定することが可
能となることから、めっきレジスト１４の解像度の限界
まで狭めた導体パターン２０の形成が可能となり、微細
な導体パターン形成が行える。さらに、従来の導体パタ
ーン形成方法に比べて、電解銅めっき層１６をエッチン
グ液から保護するためのエッチングレジストが不要とな
り、このエッチングレジストの形成工程と剥離工程が省
け、導体パターン形成工程全体が簡略化でき、工程の時
間短縮が図れるという効果もある。
薄くなったり、幅が狭くなったりすることがないため、
電解銅めっき層１６の厚みや幅を当初から目標とする導
体パターン２０の厚みや幅に合わせて設定することが可
能となることから、めっきレジスト１４の解像度の限界
まで狭めた導体パターン２０の形成が可能となり、微細
な導体パターン形成が行える。さらに、従来の導体パタ
ーン形成方法に比べて、電解銅めっき層１６をエッチン
グ液から保護するためのエッチングレジストが不要とな
り、このエッチングレジストの形成工程と剥離工程が省
け、導体パターン形成工程全体が簡略化でき、工程の時
間短縮が図れるという効果もある。
【００１３】また、さらに電解銅めっき層を形成する電
解銅めっき層形成工程（図１（ｃ））の後、エッチング
液を用いて無電解銅めっき層１２を剥離する工程（図１
（ｆ））の前に、図１（ｅ）に示すように電解銅めっき
層１６に加熱処理を施すアニール処理工程を追加する
と、さらに無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶状態の
差が大きくなり、エッチングレートの差が開くため、無
電解銅めっき層１２を一層選択的にエッチングすること
が可能となる。これによって、電解銅めっき層１６のエ
ッチング量がより減少し、一層微細な導体パターン形成
が行える。アニール処理の条件は一例として不活性ガス
（一例としてＮ2 ガス）中において１５０℃、６０分で
ある。
解銅めっき層形成工程（図１（ｃ））の後、エッチング
液を用いて無電解銅めっき層１２を剥離する工程（図１
（ｆ））の前に、図１（ｅ）に示すように電解銅めっき
層１６に加熱処理を施すアニール処理工程を追加する
と、さらに無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶状態の
差が大きくなり、エッチングレートの差が開くため、無
電解銅めっき層１２を一層選択的にエッチングすること
が可能となる。これによって、電解銅めっき層１６のエ
ッチング量がより減少し、一層微細な導体パターン形成
が行える。アニール処理の条件は一例として不活性ガス
（一例としてＮ2 ガス）中において１５０℃、６０分で
ある。
【００１４】ここで、硫酸、過酸化水素およびＣｕキレ
ート剤を含む混合水溶液からなるエッチング液の中で
も、特にＣｕキレート剤として複素環系有機化合物が使
用されているものが最も好適である。アニール処理を行
い、かつ複素環系有機化合物が使用されているエッチン
グ液を使用した場合の、無電解銅めっき層１２を選択的
にエッチングする前と後の電解銅めっき層１６の厚さ
（膜厚）と幅（パターン幅）を測定した結果を図２に示
す。なお、この場合の無電解銅めっき層１２の厚さは２
〜３μｍであり、アニール条件は１５０℃、６０分、ま
たエッチング条件は、浸漬によるエッチングの場合に
は、液温２５℃で浸漬時間が３〜３．５分、または液温
３０℃で浸漬時間が２〜２．５分である。また、スプレ
ーによるエッチングの場合には、スプレー圧力０．５〜
０．７ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件下で、液温３０℃でスプレ
ー時間が６０秒（１ｍ／ｍｉｎ）、または液温３５℃で
スプレー時間が４５秒（１．２〜１．４ｍ／ｍｉｎ）で
ある。この結果を見ると、エッチング処理後の電解銅め
っき層１６は、エッチング処理前に比べてめっき層の膜
厚で１μｍ程度薄くなり、また幅は１μｍ程度細くなる
だけで殆ど変化しない。なお、Ｌ／ＳのＬは導体パター
ンの幅を、またＳは導体パターン間の隙間の長さを示
す。
ート剤を含む混合水溶液からなるエッチング液の中で
も、特にＣｕキレート剤として複素環系有機化合物が使
用されているものが最も好適である。アニール処理を行
い、かつ複素環系有機化合物が使用されているエッチン
グ液を使用した場合の、無電解銅めっき層１２を選択的
にエッチングする前と後の電解銅めっき層１６の厚さ
（膜厚）と幅（パターン幅）を測定した結果を図２に示
す。なお、この場合の無電解銅めっき層１２の厚さは２
〜３μｍであり、アニール条件は１５０℃、６０分、ま
たエッチング条件は、浸漬によるエッチングの場合に
は、液温２５℃で浸漬時間が３〜３．５分、または液温
３０℃で浸漬時間が２〜２．５分である。また、スプレ
ーによるエッチングの場合には、スプレー圧力０．５〜
０．７ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件下で、液温３０℃でスプレ
ー時間が６０秒（１ｍ／ｍｉｎ）、または液温３５℃で
スプレー時間が４５秒（１．２〜１．４ｍ／ｍｉｎ）で
ある。この結果を見ると、エッチング処理後の電解銅め
っき層１６は、エッチング処理前に比べてめっき層の膜
厚で１μｍ程度薄くなり、また幅は１μｍ程度細くなる
だけで殆ど変化しない。なお、Ｌ／ＳのＬは導体パター
ンの幅を、またＳは導体パターン間の隙間の長さを示
す。
【００１５】また、形成された配線基板の導体パターン
２０について、上記Ｌ／Ｓを、２０／２０、３０／３
０、４０／４０、５０／５０というように変化させた場
合の線間マイグレーション（絶縁抵抗と時間との関係）
の評価（絶縁性評価）結果を図６に示す。なお、図６の
グラフ中、４０／４０のデータは３０／３０のデータと
略同じである。これにより、いずれのＬ／Ｓの場合も、
時間が経過してもその絶縁抵抗は基準絶縁抵抗値（約
１．０×１０8 オーム）よりも大きな値であり、問題の
ないレベルにある。なお、この線間マイグレーションは
図７に示す評価回路３０を使用している。この評価回路
３０の内、Ａ部が本発明の方法によって形成された導体
パターン２０であり、パターン幅がＬであて、各導体パ
ターン２０は互いに平行であり導体パターン２０同士の
間隔（隙間）はＳに設定される。また、この導体パター
ン２０間に印加される電圧は直流５ボルトである。
２０について、上記Ｌ／Ｓを、２０／２０、３０／３
０、４０／４０、５０／５０というように変化させた場
合の線間マイグレーション（絶縁抵抗と時間との関係）
の評価（絶縁性評価）結果を図６に示す。なお、図６の
グラフ中、４０／４０のデータは３０／３０のデータと
略同じである。これにより、いずれのＬ／Ｓの場合も、
時間が経過してもその絶縁抵抗は基準絶縁抵抗値（約
１．０×１０8 オーム）よりも大きな値であり、問題の
ないレベルにある。なお、この線間マイグレーションは
図７に示す評価回路３０を使用している。この評価回路
３０の内、Ａ部が本発明の方法によって形成された導体
パターン２０であり、パターン幅がＬであて、各導体パ
ターン２０は互いに平行であり導体パターン２０同士の
間隔（隙間）はＳに設定される。また、この導体パター
ン２０間に印加される電圧は直流５ボルトである。
【００１６】また、めっきレジスト１４を剥離してか
ら、電解銅めっき層１６にアニール処理を施すようにし
ている理由は、アニール処理をめっきレジスト１４にも
施すと一般的にはめっきレジスト１４の剥離が困難にな
るからであり、特にアニール処理を施してもめっきレジ
スト１４の剥離性が低下しないのであれば、めっきレジ
ストを剥離しない状態で電解銅めっき層１６にアニール
処理を施しても良い。
ら、電解銅めっき層１６にアニール処理を施すようにし
ている理由は、アニール処理をめっきレジスト１４にも
施すと一般的にはめっきレジスト１４の剥離が困難にな
るからであり、特にアニール処理を施してもめっきレジ
スト１４の剥離性が低下しないのであれば、めっきレジ
ストを剥離しない状態で電解銅めっき層１６にアニール
処理を施しても良い。
【００１７】以上述べてきた配線基板の導体パターン形
成方法は、片面配線基板や両面配線基板に使用できるだ
けでなく、図３に示すような多層配線基板２２の内層に
位置する導体パターン２０ａや外面に位置する導体パタ
ーン２０ｂを形成する際にも使用できる。具体的にはこ
の多層配線基板２２は図４に示す工程（ビルドアップ
法）により形成されるが、図４（ａ）に示すように多層
配線基板２２の基材２４の表面に導体パターン２０ａを
形成する場合にも上述した配線基板の導体パターン形成
方法を使用できるし、さらに図４（ｂ）に示すようにこ
の上に絶縁層１０を形成し、この絶縁層１０上にビア形
成用の凹部２６に一部がかかる導体パターン２０ａを形
成する場合にも使用できる。図４（ｃ）参照。さらに図
４（ｂ）と図４（ｃ）に示す工程と同様の工程を繰り返
すことによって、図４（ｄ）と図４（ｅ）のように絶縁
層１０を介して最外層に導体パターン２０ｂが形成でき
る。
成方法は、片面配線基板や両面配線基板に使用できるだ
けでなく、図３に示すような多層配線基板２２の内層に
位置する導体パターン２０ａや外面に位置する導体パタ
ーン２０ｂを形成する際にも使用できる。具体的にはこ
の多層配線基板２２は図４に示す工程（ビルドアップ
法）により形成されるが、図４（ａ）に示すように多層
配線基板２２の基材２４の表面に導体パターン２０ａを
形成する場合にも上述した配線基板の導体パターン形成
方法を使用できるし、さらに図４（ｂ）に示すようにこ
の上に絶縁層１０を形成し、この絶縁層１０上にビア形
成用の凹部２６に一部がかかる導体パターン２０ａを形
成する場合にも使用できる。図４（ｃ）参照。さらに図
４（ｂ）と図４（ｃ）に示す工程と同様の工程を繰り返
すことによって、図４（ｄ）と図４（ｅ）のように絶縁
層１０を介して最外層に導体パターン２０ｂが形成でき
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、硫酸、過酸化水素およ
びＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッチング
液では、無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶状態の差
からこれら２つのめっきに対するエッチングレートが大
きく異なるため、無電解銅めっき層を選択的にエッチン
グすることが可能となる。よって、電解銅めっき層をエ
ッチング液から保護するためのエッチングレジストが不
要となり、このエッチングレジストの形成工程と剥離工
程が省け、導体パターン形成工程全体が簡略化できると
いう効果がある。また、電解銅めっき層の厚みや幅が薄
くなったり狭まったりすることがないため、電解銅めっ
き層の厚みや幅を当初から目標とする導体パターンの厚
みや幅に設定することが可能となることから、めっきレ
ジストの解像度の限界まで隙間を狭くした導体パターン
が形成できるという効果もある。さらに、電解銅めっき
層を形成後、エッチング液を用いて無電解銅めっき層を
剥離する前に、電解銅めっき層に対して熱処理を施すこ
とにより、さらに無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶
状態の差が大きくなり、エッチングレートの差が開くた
め、無電解銅めっき層を一層選択的にエッチングするこ
とが可能となる。これによって、電解銅めっき層のエッ
チング量がより減少し、一層微細な導体パターン形成が
行えるという効果も奏する。
びＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッチング
液では、無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶状態の差
からこれら２つのめっきに対するエッチングレートが大
きく異なるため、無電解銅めっき層を選択的にエッチン
グすることが可能となる。よって、電解銅めっき層をエ
ッチング液から保護するためのエッチングレジストが不
要となり、このエッチングレジストの形成工程と剥離工
程が省け、導体パターン形成工程全体が簡略化できると
いう効果がある。また、電解銅めっき層の厚みや幅が薄
くなったり狭まったりすることがないため、電解銅めっ
き層の厚みや幅を当初から目標とする導体パターンの厚
みや幅に設定することが可能となることから、めっきレ
ジストの解像度の限界まで隙間を狭くした導体パターン
が形成できるという効果もある。さらに、電解銅めっき
層を形成後、エッチング液を用いて無電解銅めっき層を
剥離する前に、電解銅めっき層に対して熱処理を施すこ
とにより、さらに無電解銅めっきと電解銅めっきの結晶
状態の差が大きくなり、エッチングレートの差が開くた
め、無電解銅めっき層を一層選択的にエッチングするこ
とが可能となる。これによって、電解銅めっき層のエッ
チング量がより減少し、一層微細な導体パターン形成が
行えるという効果も奏する。
【図１】本発明に係る配線基板の導体パターン形成方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図２】図１に示す導体パターン形成方法により形成さ
れる導体パターンのエッチング液による膜厚とパターン
幅の減少の度合いを示す評価図である。
れる導体パターンのエッチング液による膜厚とパターン
幅の減少の度合いを示す評価図である。
【図３】多層配線基板の断面図である。
【図４】ビルドアップ法により図３の多層配線基板を形
成する工程を示す工程図である。
成する工程を示す工程図である。
【図５】従来の配線基板の導体パターン形成方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図６】線間マイグレーションの評価結果を示すグラフ
である。
である。
【図７】図６の評価用回路である。
【符号の説明】 １０ 絶縁層 １２ 無電解銅めっき層 １４ めっきレジスト １６ 電解銅めっき層 ２０ 導体パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 配線基板の絶縁層の表面に無電解銅めっ
き層が形成され、該無電解銅めっき層上に電解銅めっき
層が形成されてなる配線基板の導体パターン形成方法に
おいて、 前記絶縁層上に無電解銅めっき層を形成する無電解銅め
っき層形成工程と、 前記無電解銅めっき層上にめっきレジストをパターニン
グするレジスト形成工程と、 前記めっきレジストから露出する前記無電解銅めっき層
上に電解銅めっき層を形成する電解銅めっき層形成工程
と、 前記めっきレジストを剥離して前記電解銅めっき層形成
部分以外の前記無電解銅めっき層を露出させるレジスト
剥離工程と、 露出した前記無電解銅めっき層を、硫酸、過酸化水素お
よびＣｕキレート剤を含む混合水溶液からなるエッチン
グ液を用いて剥離する無電解銅めっき層剥離工程とを含
むことを特徴とする配線基板の導体パターン形成方法。 - 【請求項２】 前記無電解銅めっき層剥離工程の前に、
前記電解銅めっき層に加熱処理を施すアニール処理工程
を含むことを特徴とする請求項１記載の配線基板の導体
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01054499A JP3714812B2 (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-19 | 配線基板の導体パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2089098 | 1998-02-02 | ||
| JP10-20890 | 1998-02-02 | ||
| JP01054499A JP3714812B2 (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-19 | 配線基板の導体パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284316A true JPH11284316A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3714812B2 JP3714812B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=26345828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01054499A Expired - Fee Related JP3714812B2 (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-19 | 配線基板の導体パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3714812B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123622A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | フレキシブル配線基板及びその製造方法 |
| KR20140126680A (ko) * | 2013-04-23 | 2014-10-31 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 배선 기판의 처리 방법 및 그 방법을 이용하여 제조되는 배선 기판 |
| JP2020145338A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 配線基板 |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP01054499A patent/JP3714812B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR20140126680A (ko) * | 2013-04-23 | 2014-10-31 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 배선 기판의 처리 방법 및 그 방법을 이용하여 제조되는 배선 기판 |
| JP2014224316A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-12-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 配線基板の処理方法およびその方法を用いて製造される配線基板 |
| JP2020145338A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 配線基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3714812B2 (ja) | 2005-11-09 |
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