JPH11286177A - 超高感度のマ―ク可能な相変化層を含む記録素子 - Google Patents
超高感度のマ―ク可能な相変化層を含む記録素子Info
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワーの低いレーザによりマークすることが
できるＣＤ及びＤＶＤを製造する。 【解決手段】 光学記録デバイスはデータマークを有す
る透明層１２と、該透明層１２の一部上に配置され、加
熱に伴い相及び反射率が変化するように適合された特定
のＳｂ、Ｓｎ、Ｉｎから形成されたマーク可能な相変化
層１４と、透明層１２上に配置された反射層１６と、反
射層１６上に形成された保護層１８とを含む。
できるＣＤ及びＤＶＤを製造する。 【解決手段】 光学記録デバイスはデータマークを有す
る透明層１２と、該透明層１２の一部上に配置され、加
熱に伴い相及び反射率が変化するように適合された特定
のＳｂ、Ｓｎ、Ｉｎから形成されたマーク可能な相変化
層１４と、透明層１２上に配置された反射層１６と、反
射層１６上に形成された保護層１８とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光学的記録デバイ
スに関する。
スに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスク（ＣＤ）は市場にお
いて成功を納めてきた。例えば、ＣＤ−記録ディスクと
ＣＤ−オーディオディスクはどちらも広く市場に出回っ
ている。現在、ＤＶＤディスク（デジタルバーサタイル
ディスク）と呼ばれる新規なコンパクトディスクが導入
されつつある。ＤＶＤディスク（４．７ＧＢ）の記憶容
量はＣＤ−オーディオディスク（６４０ＭＢ）よりもず
っと高い。その結果、ほとんどの映画を単一ＤＶＤに記
憶させることができる。
いて成功を納めてきた。例えば、ＣＤ−記録ディスクと
ＣＤ−オーディオディスクはどちらも広く市場に出回っ
ている。現在、ＤＶＤディスク（デジタルバーサタイル
ディスク）と呼ばれる新規なコンパクトディスクが導入
されつつある。ＤＶＤディスク（４．７ＧＢ）の記憶容
量はＣＤ−オーディオディスク（６４０ＭＢ）よりもず
っと高い。その結果、ほとんどの映画を単一ＤＶＤに記
憶させることができる。
【０００３】ＤＶＤを用いた映画のレンタルプロセスを
最大限活用するためには、ディスクが再生状態にある間
にディスクにマークすることによりそのディスク上に直
接その使用を登録することが高く望まれる。しかしなが
ら、典型的なＤＶＤディスクは読み取り専用デバイスで
あり、ユーザによりマークすることはできない。更に、
典型的な読み取り装置は書き込みチャネルを有しておら
ず、または従来の記録媒体上に書き込むのに十分なパワ
ーのレーザを有していない。
最大限活用するためには、ディスクが再生状態にある間
にディスクにマークすることによりそのディスク上に直
接その使用を登録することが高く望まれる。しかしなが
ら、典型的なＤＶＤディスクは読み取り専用デバイスで
あり、ユーザによりマークすることはできない。更に、
典型的な読み取り装置は書き込みチャネルを有しておら
ず、または従来の記録媒体上に書き込むのに十分なパワ
ーのレーザを有していない。
【０００４】
【発明が解決しょうとする課題】本発明の１つの目的
は、パワーの低いレーザによりマークすることができる
ＣＤ及びＤＶＤを製造し、従来のディスク読み取り装置
のパワーの低い読み取りレーザービームでディスクにマ
ークすることができるようにすることである。
は、パワーの低いレーザによりマークすることができる
ＣＤ及びＤＶＤを製造し、従来のディスク読み取り装置
のパワーの低い読み取りレーザービームでディスクにマ
ークすることができるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、（ａ）
データマークを記録するための透明層と、（ｂ）透明層
との関係において、該透明層の一部の上部に配置される
と共に、加熱に応じてフェーズ及び反射率が変化するよ
うに適合されたマーク可能な相変化層であって、該マー
ク可能な相変化層は、アンチモン、すず、インジウムの
三元組成状態図中の１つの多角形内の組成を有し、組成
状態図は図６に示すとおりであり、多角形は表１に示し
た頂点及び原子パーセントで表された対応する座標を有
する、相変化層と、（ｃ）透明層上に設けられた反射層
と、（ｄ）反射層上に形成された保護層と、を備える光
学的記録デバイスにより達成される。
データマークを記録するための透明層と、（ｂ）透明層
との関係において、該透明層の一部の上部に配置される
と共に、加熱に応じてフェーズ及び反射率が変化するよ
うに適合されたマーク可能な相変化層であって、該マー
ク可能な相変化層は、アンチモン、すず、インジウムの
三元組成状態図中の１つの多角形内の組成を有し、組成
状態図は図６に示すとおりであり、多角形は表１に示し
た頂点及び原子パーセントで表された対応する座標を有
する、相変化層と、（ｃ）透明層上に設けられた反射層
と、（ｄ）反射層上に形成された保護層と、を備える光
学的記録デバイスにより達成される。
【０００６】
【表１】
【発明の実施の形態】図１には、光学的記録デバイス１
０が図示されている。光学的記録デバイス１０は、光学
的記録デバイス１０がＣＤ−Ｒ（ＣＤ−記録可能）ディ
スクである場合使用可能な必要に応じて設けることがで
きる記録層を有する透明層１２を備える。データマーク
１３は透明層１２内でエンボス処理することができ、あ
るいは記録層において予め記録することができる。好ま
しくは、透明層１２はポリカーボネートなどの材料で作
製され、必要に応じて染料記録可能層を含んでもよい。
マーク可能な相変化層１４は透明層１２の一部上の、デ
ータマーク１３と同じ側に形成される。このマーク可能
な相変化層１４は、レーザ読み取りビーム２０により加
熱されている間にアモルファス状態から結晶状態に変化
することができる。反射層１６は透明層１２の残りの部
分上に形成される。最後に、保護層１８がマーク可能な
相変化層１４と反射層１６上に塗布される。この保護層
１８はスピンコーティングにより塗布しＵＶ暴露により
硬化させることができる高分子ラッカーとすることがで
きる。
０が図示されている。光学的記録デバイス１０は、光学
的記録デバイス１０がＣＤ−Ｒ（ＣＤ−記録可能）ディ
スクである場合使用可能な必要に応じて設けることがで
きる記録層を有する透明層１２を備える。データマーク
１３は透明層１２内でエンボス処理することができ、あ
るいは記録層において予め記録することができる。好ま
しくは、透明層１２はポリカーボネートなどの材料で作
製され、必要に応じて染料記録可能層を含んでもよい。
マーク可能な相変化層１４は透明層１２の一部上の、デ
ータマーク１３と同じ側に形成される。このマーク可能
な相変化層１４は、レーザ読み取りビーム２０により加
熱されている間にアモルファス状態から結晶状態に変化
することができる。反射層１６は透明層１２の残りの部
分上に形成される。最後に、保護層１８がマーク可能な
相変化層１４と反射層１６上に塗布される。この保護層
１８はスピンコーティングにより塗布しＵＶ暴露により
硬化させることができる高分子ラッカーとすることがで
きる。
【０００７】三元組成状態図はしばしば三成分系の分析
において使用される。以下の図について説明する。３元
素混合物は三角形のプロットとして表すことができる。
３つの角のそれぞれには３元素の各々が付されている。
この場合Ｓｂ、Ｓｎ及びＩｎである。三角形上あるいは
三角形内のどの点も唯一の組成を表す。角は純粋元素を
表す。三角形の辺はその辺の端の２元素からなる二元混
合物を示し、内部の点は３元素全てからなる三元組成物
を示す。状態図内の一点で表される組成物内の１元素の
割合は、その元素を表す角に対向する辺からその点まで
の垂直距離に比例する。明確にするために、５０％−５
０％二元混合物間の連絡線（点線）を状態図中に示す。
連絡線の各々においては最も近い角の元素が５０％含ま
れ、他の２つの元素の混合割合が変化する。組成物の１
つの範囲は組成物状態図内の１つの領域を説明すること
により特定することができる。このようにするための１
つの方法は、三角形プロット内の多角形の頂点を特定す
ることである。本発明は、図６に示したＳｂ、Ｓｎ、Ｉ
ｎの三元組成状態図における１つの多角形内の組成を有
する合金からなるマーク可能な相変化層１４を備える光
学的記録デバイス１０を提供する。
において使用される。以下の図について説明する。３元
素混合物は三角形のプロットとして表すことができる。
３つの角のそれぞれには３元素の各々が付されている。
この場合Ｓｂ、Ｓｎ及びＩｎである。三角形上あるいは
三角形内のどの点も唯一の組成を表す。角は純粋元素を
表す。三角形の辺はその辺の端の２元素からなる二元混
合物を示し、内部の点は３元素全てからなる三元組成物
を示す。状態図内の一点で表される組成物内の１元素の
割合は、その元素を表す角に対向する辺からその点まで
の垂直距離に比例する。明確にするために、５０％−５
０％二元混合物間の連絡線（点線）を状態図中に示す。
連絡線の各々においては最も近い角の元素が５０％含ま
れ、他の２つの元素の混合割合が変化する。組成物の１
つの範囲は組成物状態図内の１つの領域を説明すること
により特定することができる。このようにするための１
つの方法は、三角形プロット内の多角形の頂点を特定す
ることである。本発明は、図６に示したＳｂ、Ｓｎ、Ｉ
ｎの三元組成状態図における１つの多角形内の組成を有
する合金からなるマーク可能な相変化層１４を備える光
学的記録デバイス１０を提供する。
【０００８】多角形は以下の表２に示す頂点及び原子パ
ーセントで表された対応座標を有する。
ーセントで表された対応座標を有する。
【０００９】
【表２】 とりわけ有効な、マーク可能な相変化層１４は以下の図
７に示す多角形内の合金組成を有する。
７に示す多角形内の合金組成を有する。
【００１０】多角形は以下の表３頂点及び原子パーセン
トで表された対応座標を有する。
トで表された対応座標を有する。
【００１１】
【表３】 超高感度材料の調製を理解するために以下の実施例を示
す。
す。
【００１２】
【実施例】実施例１．コスパッタリングプロセスにより
この発明のマーク可能な相変化層１４を調製した。マー
ク可能な相変化層１４はアルゴン中で３つのターゲット
から同時に透明層１２上にスパッタされた。ターゲット
はＳｂ、Ｓｎ、及びＳｂＩｎであった。アルゴン流は４
ｍＴｏｒｒの圧力の７ｓｃｃｍとした。各ターゲット上
のパワーを変化させ、様々な組成の合金を調製した。表
４に調製した組成物のいくつかについての相転移温度、
反射率変化を示す。
この発明のマーク可能な相変化層１４を調製した。マー
ク可能な相変化層１４はアルゴン中で３つのターゲット
から同時に透明層１２上にスパッタされた。ターゲット
はＳｂ、Ｓｎ、及びＳｂＩｎであった。アルゴン流は４
ｍＴｏｒｒの圧力の７ｓｃｃｍとした。各ターゲット上
のパワーを変化させ、様々な組成の合金を調製した。表
４に調製した組成物のいくつかについての相転移温度、
反射率変化を示す。
【００１３】
【表４】 マーク可能な相変化層１４の厚さは約１６０ｎｍであっ
た。本発明に従いより薄い層を使用することができる
が、マーク可能な相変化層１４の組成を正確に決定する
ために、ここではより厚い層を使用することとした。分
析はＩＣＰ（誘起結合プラズマ−原子発光分光法）によ
り行った。
た。本発明に従いより薄い層を使用することができる
が、マーク可能な相変化層１４の組成を正確に決定する
ために、ここではより厚い層を使用することとした。分
析はＩＣＰ（誘起結合プラズマ−原子発光分光法）によ
り行った。
【００１４】アモルファスから結晶への相転移は熱によ
り誘起されるプロセスである。合金組成を調整すると、
転移温度を更に低くすることができ、より感度の高いマ
ーク可能な相変化層を得ることができる。
り誘起されるプロセスである。合金組成を調整すると、
転移温度を更に低くすることができ、より感度の高いマ
ーク可能な相変化層を得ることができる。
【００１５】図２は、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｉｎ合金の三元組成
状態図において、転移温度が１００℃と一定なものの線
を示す。１００℃という一定温度は例として使用した。
それにも関わらず、良好な結果が得られた。この温度は
高感度であるためには十分に低く、一方、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍプレーヤ環境において安定であるためには十分高い。
状態図において、転移温度が１００℃と一定なものの線
を示す。１００℃という一定温度は例として使用した。
それにも関わらず、良好な結果が得られた。この温度は
高感度であるためには十分に低く、一方、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍプレーヤ環境において安定であるためには十分高い。
【００１６】測定した転移温度は加熱速度と相関関係に
あることに注意しなければならない。転移温度はまた層
の厚さと相関関係にある。さらに、転移温度は真空室中
の酸素の量に比例する。間接的には、転移温度は析出前
のポンプダウンの期間に依存する。
あることに注意しなければならない。転移温度はまた層
の厚さと相関関係にある。さらに、転移温度は真空室中
の酸素の量に比例する。間接的には、転移温度は析出前
のポンプダウンの期間に依存する。
【００１７】図３及び図４はそれぞれ、Ｓｂ49Ｓｎ40Ｉ
ｎ11及びＳｂ44Ｓｎ25Ｉｎ31のマーク可能な相変化層１
４の鏡面反射率を温度の関数として表したものである。
マーク可能な相変化層１４は０．１℃／秒の割合で加熱
した。アモルファスから結晶への転移は、明確な温度で
反射率の急激な増加を引き起こす。この温度をここでは
マーク可能な相変化層１４の転移温度という。
ｎ11及びＳｂ44Ｓｎ25Ｉｎ31のマーク可能な相変化層１
４の鏡面反射率を温度の関数として表したものである。
マーク可能な相変化層１４は０．１℃／秒の割合で加熱
した。アモルファスから結晶への転移は、明確な温度で
反射率の急激な増加を引き起こす。この温度をここでは
マーク可能な相変化層１４の転移温度という。
【００１８】図３、図４及び表４にはまた、反射率変化
の大きさが示されている。変化は大きいほうが好まし
い。
の大きさが示されている。変化は大きいほうが好まし
い。
【００１９】実施例２．８０ｎｍの厚さのマーク可能な
Ｓｂ49Ｓｎ40Ｉｎ11相変化層１４を透明層１２上に析出
させた。その後、更にＵＶ−硬化ポリマー保護層１８で
コートした。この構造について、ＮＡが０．６０、ディ
スク線速度が３．５ｍ／ｓの、６３５ｎｍの波長のレー
ザを備えた光ディスクテスターを用いて検査した。レー
ザのパワーは、ＣＤ及びＤＶＤ読み取り装置において典
型的な０．６から１．０ｍＷまで変化させた。反射率は
０．５ｍＷＣＷレーザを用いてモニタした。
Ｓｂ49Ｓｎ40Ｉｎ11相変化層１４を透明層１２上に析出
させた。その後、更にＵＶ−硬化ポリマー保護層１８で
コートした。この構造について、ＮＡが０．６０、ディ
スク線速度が３．５ｍ／ｓの、６３５ｎｍの波長のレー
ザを備えた光ディスクテスターを用いて検査した。レー
ザのパワーは、ＣＤ及びＤＶＤ読み取り装置において典
型的な０．６から１．０ｍＷまで変化させた。反射率は
０．５ｍＷＣＷレーザを用いてモニタした。
【００２０】図５に示されるように、レーザのパワーが
０．８ｍＷを超えると、たった１サイクルの暴露で、反
射率がかなり増加することが観察された。図５は、この
発明の材料が非常に高感度であることを示している。さ
らに、ディスクの線速度を減少させると、さらにマーク
のためのパワーを減少させることができる。
０．８ｍＷを超えると、たった１サイクルの暴露で、反
射率がかなり増加することが観察された。図５は、この
発明の材料が非常に高感度であることを示している。さ
らに、ディスクの線速度を減少させると、さらにマーク
のためのパワーを減少させることができる。
【００２１】この発明について、特に、この発明の一定
の好ましい実施の形態を用いて詳細に説明してきたが、
本発明の精神及び範囲内であれば変更、改良が可能であ
ることは理解されるであろう。
の好ましい実施の形態を用いて詳細に説明してきたが、
本発明の精神及び範囲内であれば変更、改良が可能であ
ることは理解されるであろう。
【００２２】
【発明の効果】本発明に従い作製されたデバイスはマー
ク可能な相変化層上にマークすることができる。
ク可能な相変化層上にマークすることができる。
【００２３】この発明はレーザ加熱により反射率が変わ
る超高感度材料を提供する。この変化はアモルファスか
ら結晶への相転移である。これらの材料ではレーザ加熱
により反射率が変化する。
る超高感度材料を提供する。この変化はアモルファスか
ら結晶への相転移である。これらの材料ではレーザ加熱
により反射率が変化する。
【００２４】本発明の適用はＤＶＤに限られるものでは
ない。この発明は超高感度材料を使用することができる
他の光学的記録デバイスに使用することができる。
ない。この発明は超高感度材料を使用することができる
他の光学的記録デバイスに使用することができる。
【図１】 本発明にかかるデバイスの一部の断面図であ
る。
る。
【図２】 転移温度が１００℃と一定であるＳｂ−Ｓｎ
−Ｉｎ合金を示した三元組成状態図である。
−Ｉｎ合金を示した三元組成状態図である。
【図３】 窒素雰囲気中、０．１℃／秒の一定速度で加
熱した場合のＳｂ49Ｓｎ40Ｉｎ11の相転移による急激な
反射率の変化を示した反射率対温度の図である。
熱した場合のＳｂ49Ｓｎ40Ｉｎ11の相転移による急激な
反射率の変化を示した反射率対温度の図である。
【図４】 窒素雰囲気中、０．１℃／秒の一定速度で加
熱した場合のＳｂ44Ｓｎ25Ｉｎ31の相転移による急激な
反射率の変化を示した反射率対温度の図である。
熱した場合のＳｂ44Ｓｎ25Ｉｎ31の相転移による急激な
反射率の変化を示した反射率対温度の図である。
【図５】 読み取りレーザによるレーザ暴露サイクルの
数の関数として反射率の変化を示した相対反射率対読み
取りサイクルのグラフである。
数の関数として反射率の変化を示した相対反射率対読み
取りサイクルのグラフである。
【図６】 本発明の相変化層の組成を説明するためのＳ
ｂ、Ｓｎ、Ｉｎの三元組成状態図である。
ｂ、Ｓｎ、Ｉｎの三元組成状態図である。
【図７】 本発明の他の相変化層の組成を説明するため
のＳｂ、Ｓｎ、Ｉｎの三元組成状態図である。
のＳｂ、Ｓｎ、Ｉｎの三元組成状態図である。
１０ 光学的記録デバイス、１２ 透明層、１３ デー
タマーク、１４ マーク可能な相変化層、１６ 反射
層、１８ 保護層、２０ レーザ読み取りビーム。
タマーク、１４ マーク可能な相変化層、１６ 反射
層、１８ 保護層、２０ レーザ読み取りビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドナルド ロバート プロウス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ロチェ スター ドッグウッド レーン 29 (72)発明者 ジュゼッペ ファーラグギア アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター ビショップス レーン 706
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）データマークを記録するための透
明層と、（ｂ）前記透明層との関係において、該透明層
の一部の上部に配置されると共に、加熱に応じてフェー
ズ及び反射率が変化するように適合されたマーク可能な
相変化層と、（ｃ）透明層上に設けられた反射層と、
（ｄ）反射層上に形成された保護層と、 を備え、 前記マーク可能な相変化層は、アンチモン、すず、イン
ジウムをそれぞれ頂点とする三角形で表される三元組成
状態図中の１つの多角形内の組成を有し、 前記多角形は、以下に示す頂点Ａ〜Ｇを順次結んで形成
され、 前記頂点Ａ〜Ｇは、それぞれ含有するＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎ
の原子パーセントで表され、 頂点ＡのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、８
５：１５：０、 頂点ＢのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、６
５：３５：０、 頂点ＣのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、４
０：５０：１０、 頂点ＤのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、３
０：２５：４５、 頂点ＥのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、５
０：５：４５、 頂点ＦのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、５
０：３０：２０、 頂点ＧのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、８
０：１０：１０、であることを特徴とする光学的記録デ
バイス。 - 【請求項２】 透明層はレーザ光を適用することにより
エンボス処理されたあるいは記録されたデータマークを
含むことを特徴とする請求項１記載の光学記録デバイ
ス。 - 【請求項３】 （ａ）データマークを記録するための透
明層と、（ｂ）透明層との関係において、該透明層の一
部の上部に配置されると共に、加熱に応じてフェーズ及
び反射率が変化するように適合されたマーク可能な相変
化層と、（ｃ）透明層上に設けられた反射層と、（ｄ）
反射層上に形成された保護層と、 を備え、 前記マーク可能な相変化層は、アンチモン、すず、イン
ジウムをそれぞれ頂点とする三角形で表される三元組成
状態図中の１つの多角形内の組成を有し、 前記多角形は、以下に示す頂点Ａ〜Ｇを順次結んで形成
され、 前記頂点Ａ〜Ｇは、それぞれ含有するＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎ
の原子パーセントで表され、 頂点ＡのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、８
０：１８：２、 頂点ＢのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、５
０：４４：６、 頂点ＣのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、３
８：４２：２０、 頂点ＤのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、３
６：２４：４０、 頂点ＥのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、４
６：１４：４０、 頂点ＦのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、５
０：３６：１４、 頂点ＧのＳｂ：Ｓｎ：Ｉｎの含有原子パーセントが、８
０：１４：６、であることを特徴とする光学的記録デバ
イス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US1365098A | 1998-01-26 | 1998-01-26 | |
| US09/013,650 | 1998-01-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11286177A true JPH11286177A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=21761028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11013290A Pending JPH11286177A (ja) | 1998-01-26 | 1999-01-21 | 超高感度のマ―ク可能な相変化層を含む記録素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0932148A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11286177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005044577A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型光記録媒体 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6497988B2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-12-24 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| US7127066B2 (en) | 2001-10-03 | 2006-10-24 | Now Showing Entertainment, Inc. | Limited use DVD-video disc |
| US20070116988A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Wisnudel Marc B | Optical article having anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft of same |
| US8488428B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-07-16 | Nbcuniversal Media, Llc | Enhanced security of optical article |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188037A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-17 | Central Glass Co Ltd | 光情報記録カ−ド |
| CA1270640A (en) * | 1987-02-13 | 1990-06-26 | Kee-Chuan Pan | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| CA2068618A1 (en) * | 1991-05-21 | 1992-11-22 | Tadahiko Mizukuki | Optical recording medium and production thereof |
| JPH0547044A (ja) * | 1991-08-13 | 1993-02-26 | Pioneer Electron Corp | 追記型光デイスク |
| US5271978A (en) * | 1992-01-31 | 1993-12-21 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5534385A (en) * | 1995-04-04 | 1996-07-09 | Eastman Kodak Company | Overcoat for optical tape having SbInSn recording layer |
| JPH09286174A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Chem Corp | 光記録媒体 |
-
1999
- 1999-01-18 EP EP99200141A patent/EP0932148A1/en not_active Withdrawn
- 1999-01-21 JP JP11013290A patent/JPH11286177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005044577A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0932148A1 (en) | 1999-07-28 |
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